FR2670915A1 - Generateur de tension de reference a derive thermique programmable. - Google Patents
Generateur de tension de reference a derive thermique programmable. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2670915A1 FR2670915A1 FR9116274A FR9116274A FR2670915A1 FR 2670915 A1 FR2670915 A1 FR 2670915A1 FR 9116274 A FR9116274 A FR 9116274A FR 9116274 A FR9116274 A FR 9116274A FR 2670915 A1 FR2670915 A1 FR 2670915A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- voltage
- generator
- vbg
- thermal drift
- avbe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
- G05F1/463—Sources providing an output which depends on temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
Abstract
La présente invention concerne un générateur de tension de référence, comprenant un premier générateur (1) de tension (VB G ) à dérive thermique nulle, un deuxième générateur (2) de tension (DELTAVB E ) à dérive thermique préétablie, des premiers moyens (R4, R3) pour appliquer un poids prédéterminé à la tension (VB G ) produite par le premier générateur (1), des deuxièmes mayens (R4, R1) pour appliquer un poids prédéterminé à la tension (DELTAVB E ) produite par le deuxième générateur ( 2 ), et des moyens soustracteurs (A) pour soustraire entre elles les tensions pondérées (DELTAVB E , VB G ) produites par lesdits premier et deuxième générateurs de tension (1, 2).
Description
-1
GENERATEUR DE TENSION DE REFERENCE
A DERIVE THERMIQUE PROGRAMMABLE
La présente invention concerne un générateur de ten- sion de référence à dérive thermique programmable.
Il existe un besoin pour un générateur de tension dont la tension de référence peut suivre avec une précision élevée la chute de tension aux bornes d'une résistance dans un intervalle de température compris entre -40 QC et + 1500 C. Supposons en effet que l'on veuille contrôler le courant qui passe à travers une charge Un circuit qui réalise une telle opération prévoit la présence d'un comparateur qui est10 alimenté à une entrée par une tension de référence et à l'autre entrée par une tension présente aux bornes d'une résistance de
mesure disposée en série avec la charge avec interposition d'un interrupteur Un circuit de commande contrôlé par la sortie du comparateur canmande l'ouverture de l'interrupteur chaque fois15 que la tension aux bornes de la résistance de mesure dépasse la tension de référence Il est ainsi possible de calculer le cou-
rant qui passe à travers la résistance de mesure et donc le courant à travers la charge. Il est évidemment important de réaliser un générateur de tension de référence à coefficient thermique identique à celui de la résistance de mesure, de façon à pouvoir mesurer la
valeur du courant dans la charge avec la même précision à toutes les températures.
Selon la technique connue, un tel générateur est réalisé par un circuit comprenant un générateur de référence dit à bandgap (tel que décrit dans le livre "Circuiti Integrati Analogici, Analisi e Progetto", Paul R Gray et Robert Meyer, chapitre 4, paragraphe A 4 3 2) qui a une dérive thermique extrêmement réduite, et deux diodes en série connectées entre la sortie du générateur de bandgap et une résistance de polarisa- tion Aux bornes de la résistance de polarisation est alors prélevée une tension de référence, correspondant à la différence10 entre la tension de bandgap et la somme des tensions aux bornes des diodes, qui a un coefficient thermique essentiellement égal
à celui de la résistance de mesure susmentionnée.
La technique connue présente certains inconvénients. Notamment, la tension de référence est donnée par l'expression
VREF = VBG 2 Vd, o VREF est la tension de référence, VBG est la tension de bandgap et Vd est la tension de diode.
En analysant les deux termes de droite de l'expression on peut remarquer que, en ce qui concerne la tension de bandgap VBG, l'erreur introduite par les variations de sa valeur20 absolue et liée aux différentes phases de travail n'est pas négligeable et par conséquent qu'il est nécessaire de contrôler la tension VBG par des étalonnages qui exigent des surfaces de silicium élevées d'une manière indésirable. En outre le coefficient thermique de la tension Vd est fonction de sa valeur absolue, qui dépend de façcon logarith- mique de la valeur absolue du courant de travail et qui est sujette à des variations lors de fabrications en série. On déduit de ces considérations qu'il est impossible d'obtenir par cette technique une précision élevée de la valeur absolue de la tension de référence VREF et en particulier de
son coefficient thermique.
Un objet de la présente invention est d'obtenir un générateur de tension de référence à dérive thermique sélection-
nable dans une gamme continue de valeurs, qui présente une35 précision élevée et un encombrement minimal.
Selon l'invention cet objet est atteint par un géné-
rateur de tension de référence caractérisé en ce qu'il comprend un premier générateur de tension à dérive thermique nulle, un deuxième générateur de tension à dérive thermique préétablie, des premiers moyens pour appliquer un poids prédéterminé à la tension produite par le premier générateur, des deuxièmes moyens pour appliquer un poids prédéterminé à la tension produite par
le deuxième générateur, et des moyens soustracteurs pour sous-
traire entre elles les tensions pondérées produites par les
premier et deuxième générateurs de tension.
De préférence, le deuxième générateur de tension est imbriqué dans le premier et il a en commun avec celui-ci deux transistors NPN à bases interconnectées et à émetteurs connectés l'un à l'autre par une résistance et à la masse par une autre
résistance commune, les transistors mentionnés ayant des sur-
faces d'émetteur différentes.
La tension à dérive thermique nulle et la tension à dérive thermique préétablie sont appliquées à des résistances respectives et les moyens soustracteurs mentionnés comprennent
un noeud de circuit auquel convergent les résistances respec-
tives mentionnées et une résistance de sortie pour la génération
de la tension de référence mentionnée.
Les caractéristiques de la présente invention seront
exposées plus clairement dans la description suivante d'un mode
de réalisation faite à titre d'exemple non limitatif en relation
avec la figure unique ci-jointe.
En ce qui concerne la figure représentée, le circuit dans son ensemble comprend une résistance R 6 interposée entre une alimentation Vdd et l'émetteur d'un transistor T 4 de type PNP Le collecteur du transistor T 4 est à la masse, la base est connectée au collecteur d'un transistor T 6 type PNP Ce dernier, avec des transistors T 7, T 8 de type PNP et des résistances d'émetteur respectives R 7, R 5, R 8 connectées à la tension d'alimentation Vdd constitue un miroir de courant Les bases
des transistors T 6, T 7, T 8 sont connectées à un noeud intermé-
diaire B entre la résistance R 6 et le transistor T 4 pour leur polarisation Les collecteurs des transistors T 6, T 7 sont connectés aux collecteurs respectifs de deux transistors Tl, T 2 de type NPN à surfaces d'émetteur différentes (clle de Tl vaut n fois oelle de T 2) La base du transistor Tl est connectée à la base du transistor T 2 Les émetteurs des deux transistors Tl, T 2
sont connectés par une résistance Rl Entre la base et le col-
lecteur du transistor T 2 est interposée une capacité Cl Dans
leur ensemble les transistors Tl, T 2 avec la résistance Ri cons-
tituent des moyens 2 générateurs d'un courant I qui, par suite de la présence du miroir de courant susmentionné, est reporté sur l'émetteur et puis sur le collecteur du transistor T 8 comme courant IC 8 Le circuit comprend en outre un transistor T 5 de type PNP, dont la base est connectée au collecteur du transistor T 7 Le collecteur du transistor T 5 est à la masse, son émetteur
est alimenté par le courant d'un générateur de courant Il con-
necté à la tension Vdd et à la base d'un transistor T 3 de type NPN A un noeud A du circuit interposé entre le collecteur du transistor T 8 et le collecteur du transistor T 3, est connectée un résistance R 4 qui à son autre extrémité est à la masse A ses bornes est prélevée la tension de référence VREF L'émetteur du transistor T 3 est connecté à la masse par une résistance R 3, qui a pour fonction de fixer le courant de travail du transistor T 3 Aux bornes de la résistance R 3, entre un noeud intermédiaire C connecté à la base des transistors Tl, T 2 et la masse, est présente une tension de bandgap VBG qui est produite par
l'ensemble de circuit désigné par 1 et qui a une dérive ther-
mique nulle puisque résultant de la somme d'une composante à dérive thermique négative (tension base-émetteur de T 2) et d'une composante à dérive thermique positive (tension aux bornes de
R 2, fonction de la différence entre les tensions base-émetteur des deux transistors Tl et T 2 à surfaces d'émetteur différen- tes).
Le circuit décrit fonctionne de la façon suivante.
En appliquant l'équation de Kirchoff à la maille formée par les transistors T 1, T 2 et par la résistance R 1 on obtient qu'aux bornes de la résistance R 1 soit présente une tension AVBE égale à la différence entre les tensions base- émetteur des transistors T 2 et T 1 et donc à dérive thermique constante préétablie Dans la résistance Ri s'écoule donc un courant I égal à AVBE/R 1 Ce courant, par suite du miroir de courant 4, est reporté comme courant ICB sur l'émetteur du transistor T 8 et puis, dans l'hypothèse o le courant de base du
transistor T 8 serait négligeable, sur le collecteur du transis-
tor T 8 Sur l'émetteur du transistor T 3 est présent un courant donné par le rapport entre la tension VBG présente aux bornes de la résistance R 3 et la résistance R 3 elle-même Il s'ensuit que, en appliquant la loi de Kirchoff au noeud intermédiaire A entre les collecteurs des transistors T 8 et T 3, on obtient que
le courant à travers la résistance R 4 est donné par la diffé-
rence entre le courant de collecteur IC 8 présent sur le col-
lecteur du transistor T 8 et le courant de collecteur IC 3
présent sur le collecteur du transistor T 3 La tension de réfé-
rence VREF est alors donnée par 1 'expression VREF = R 4 (AVBE/Rl-VBG/R 3) ( 1) En supposant que
R 3 = KR 1 ( 2)
on obtient VREF = R 4/Rl(AVBE-VBG/K) = R 4/Rl(AVBE-VO) ( 3) o
VBG/K = Vo ( 4) Afin de pouvoir évaluer la dépendance en température de l'équa-
tion ( 3), il est nécessaire d'expliciter les dépendances de chaque terme AVBE: en partant de l'équation qui exprime la différence de tension VBE entre les deux transistors T 1, T 2, on peut écrire AVBE = 9 V Tln(Icl/I Sl)(IC 2/Is 2) ( 5) o VT est 1 'équivalent en tension de la température définie par la relation VT=KT/q (K=constante de Boltzmann, T=tempé- rature absolue, q=charge de l'électron) et sur la base de 5 l'équation de Einstein donnant le rapport entre la diffusion et
la mobilité électronique.
Si
IC 1 = IC 2
I 51 = AI 52
avec I Cl, IC 2 désignent les courants de collecteur des transistors T 1, T 2; I Sl, I 52 désignent les courants de saturation des transistors Tl, T 2; et A désigne le rapport entre les surfaces d'émetteur des deux transistors Tl, T 2, on obtient: AVBE = MV Tln A = qk T/qln A ( 6) o: T = température absolue k = constante de Boltzmann q = charge de 1 ' électron Y = paramètre technologique indépendant de la température L'équation ( 6) peut aussi s'écrire: AVBE = q(k To/q)ln A+qlk(T-To)/qlln A ( 7)
avec To = température de référence.
En développant l'équation ( 7) on arrive à: AVBE = q(k To/q)(l+(TTo)/To)ln A = AVB Eo(l+"AT)q ( 8) L'équation ( 8) met en évidence la loi de variation de la tension AVBE en fonction de la température avec: AVBE = valeur calculée à la température de référence, î = coefficient thermique ó = 1/Toll/ Kl ( 9) î = 106/Tolppm/ Kl ( 10) VBG/K
on suppose en première approximation que la tension VBG est indépendante de la température.
R 4/R 1:
si les deux résistances sont accouplées, leur rapport
pendant de la température.
En remplaçant dans l'équation ( 3), on obtient: VREF = R 4/R 1 lAVB Eo(l+ AT)-Vol VREF = R 4/R 1 l(AVBEO-Vo)( 1 +"'AT)
est indé-
( 11) ( 12) o:
= lAVB Eo/(AVB Eo-Vo)l ( 13) L'équation ( 12) identifie une tension à dérive thermique liné-
aire, dont la valeur du coefficient thermique dépend de la valeur absolue de la tension Vo et donc de la tension VBG:
Vo = AVB Eo(l-"/"') ( 14) Cela détermine la possibilité de choisir la valeur du oeffi-
cient thermique sur la base de ses propres exigenoes, avec une15 précision élevée et sans nécessité d'étalonnage.
Claims (3)
1 Générateur de tension de référence, caractérisé en ce qu'il comprend un premier générateur ( 1) de tension (VBG) à dérive thermique nulle, un deuxième générateur ( 2) de tension (AVBE) à dérive thermique préétablie, des premiers moyens (R 4, R 3) pour appliquer un poids prédéterminé à la tension (VBG) produite par le premier générateur ( 1), des deuxièmes moyens (R 4, R 1) pour appliquer un poids prédéterminé à la tension (AVBE) produite par le deuxième générateur ( 2), et des moyens soustracteurs (A) pour soustraire entre elles les tensions pondérées (AVBE, VBG) produites par lesdits premier et
deuxième générateurs de tension ( 1, 2).
2 Générateur de tension selon la revendication 1, caractérisé en oe que ledit deuxième générateur de tension ( 2) est imbriqué à l'intérieur du premier générateur ( 1) et comprend deux transistors (T 1, T 2) de type NPN à bases interconnectées et à émetteurs connectés 1 'un à l'autre par une résistance (R 1) et
à la masse par une autre résistance commune (R 2), lesdits tran-
sistors (T 1, T 2) ayant des surfaces d'émetteur différentes.
3 Générateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite tension à dérive thermique nulle (VBG) et ladite tension à dérive thermique préétablie (AVBE) sont appliquées à des résistances respectives (R 3, R 8) et en ce que lesdits moyens soustracteurs comprennent un noeud de circuit (A) o convergent lesdites résistances respectives (R 3, R 8) et une
résistance de sortie (R 4) pour la génération de ladite tension de référence (VREF).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT02247090A IT1244341B (it) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | Generatore di tensione di riferimento con deriva termica programmabile |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2670915A1 true FR2670915A1 (fr) | 1992-06-26 |
| FR2670915B1 FR2670915B1 (fr) | 1994-12-09 |
Family
ID=11196722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9116274A Granted FR2670915A1 (fr) | 1990-12-21 | 1991-12-20 | Generateur de tension de reference a derive thermique programmable. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5208527B1 (fr) |
| JP (1) | JPH05189072A (fr) |
| KR (1) | KR100226808B1 (fr) |
| DE (1) | DE4142468A1 (fr) |
| FR (1) | FR2670915A1 (fr) |
| IT (1) | IT1244341B (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2727534A1 (fr) * | 1994-11-30 | 1996-05-31 | Sgs Thomson Microelectronics | Regulateur de tension pour circuit logique en mode couple |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4211997A1 (de) * | 1992-04-09 | 1993-10-14 | Jaeger Erich Gmbh & Co Kg | Verfahren und Schaltungsanordnung zur elektrischen Kompensation des Temperatureinflusses auf das Meßsignal von mechanoelektrischen Meßwandlern |
| US5381083A (en) * | 1992-07-15 | 1995-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Constant-current power-supply circuit formed on an IC |
| KR940017214A (ko) * | 1992-12-24 | 1994-07-26 | 가나이 쓰토무 | 기준전압 발생회로 |
| US5481179A (en) * | 1993-10-14 | 1996-01-02 | Micron Technology, Inc. | Voltage reference circuit with a common gate output stage |
| US5399960A (en) * | 1993-11-12 | 1995-03-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Reference voltage generation method and apparatus |
| US5602466A (en) * | 1994-02-22 | 1997-02-11 | Motorola Inc. | Dual output temperature compensated voltage reference |
| DE19535807C1 (de) * | 1995-09-26 | 1996-10-24 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Biaspotentials |
| US5774013A (en) * | 1995-11-30 | 1998-06-30 | Rockwell Semiconductor Systems, Inc. | Dual source for constant and PTAT current |
| US5760639A (en) * | 1996-03-04 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | Voltage and current reference circuit with a low temperature coefficient |
| JP6809359B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2021-01-06 | サンケン電気株式会社 | 基準電圧生成回路 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4628247A (en) * | 1985-08-05 | 1986-12-09 | Sgs Semiconductor Corporation | Voltage regulator |
| EP0264563A1 (fr) * | 1986-10-06 | 1988-04-27 | Motorola, Inc. | Régulateur de tension avec source de courant thermique de précision |
| US4789819A (en) * | 1986-11-18 | 1988-12-06 | Linear Technology Corporation | Breakpoint compensation and thermal limit circuit |
| US4792748A (en) * | 1987-11-17 | 1988-12-20 | Burr-Brown Corporation | Two-terminal temperature-compensated current source circuit |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4198581A (en) * | 1977-10-13 | 1980-04-15 | Rca Corporation | Temperature compensating comparator |
| DE2822035A1 (de) * | 1978-05-20 | 1979-11-22 | Leitz Ernst Gmbh | Schaltungsanordnung zur kompensation des temperaturkoeffizienten von halbleiterstrecken |
| DE3326204A1 (de) * | 1983-07-21 | 1985-01-31 | Bizerba-Werke Wilhelm Kraut GmbH & Co KG, 7460 Balingen | Verfahren und messschaltungsanordnung zur driftkorrektur bei der digitalisierung von messspannungen |
| FR2556464B1 (fr) * | 1983-12-07 | 1986-09-19 | Renault | Dispositif de compensation en temperature d'un capteur et son procede d'ajustage |
| IT1227488B (it) * | 1988-11-23 | 1991-04-12 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito di riferimento di tensione ad andamento in temperatura linearizzato. |
-
1990
- 1990-12-21 IT IT02247090A patent/IT1244341B/it active IP Right Grant
-
1991
- 1991-12-19 US US07811261 patent/US5208527B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-20 JP JP3338256A patent/JPH05189072A/ja active Pending
- 1991-12-20 FR FR9116274A patent/FR2670915A1/fr active Granted
- 1991-12-20 DE DE4142468A patent/DE4142468A1/de not_active Ceased
- 1991-12-20 KR KR1019910023539A patent/KR100226808B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4628247A (en) * | 1985-08-05 | 1986-12-09 | Sgs Semiconductor Corporation | Voltage regulator |
| EP0264563A1 (fr) * | 1986-10-06 | 1988-04-27 | Motorola, Inc. | Régulateur de tension avec source de courant thermique de précision |
| US4789819A (en) * | 1986-11-18 | 1988-12-06 | Linear Technology Corporation | Breakpoint compensation and thermal limit circuit |
| US4792748A (en) * | 1987-11-17 | 1988-12-20 | Burr-Brown Corporation | Two-terminal temperature-compensated current source circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2727534A1 (fr) * | 1994-11-30 | 1996-05-31 | Sgs Thomson Microelectronics | Regulateur de tension pour circuit logique en mode couple |
| EP0715240A1 (fr) * | 1994-11-30 | 1996-06-05 | STMicroelectronics S.A. | Régulateur de tension pour circuit logique en mode couple |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05189072A (ja) | 1993-07-30 |
| KR100226808B1 (ko) | 1999-10-15 |
| US5208527A (en) | 1993-05-04 |
| KR920013866A (ko) | 1992-07-29 |
| IT1244341B (it) | 1994-07-08 |
| IT9022470A0 (it) | 1990-12-21 |
| DE4142468A1 (de) | 1992-10-29 |
| IT9022470A1 (it) | 1992-06-22 |
| US5208527B1 (en) | 1997-07-22 |
| FR2670915B1 (fr) | 1994-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6590372B1 (en) | Method and integrated circuit for bandgap trimming | |
| JPH03502843A (ja) | バイポーラバンドギャップ基準の曲率補正 | |
| FR2670915A1 (fr) | Generateur de tension de reference a derive thermique programmable. | |
| CH642451A5 (fr) | Dispositif detecteur de temperature. | |
| US6635859B2 (en) | Method and apparatus for light to frequency conversion | |
| FR2524739A1 (fr) | Source de courant et convertisseur numerique/analogique a compensation de temperature, et source de courant de precision a commande numerique | |
| FR2820904A1 (fr) | Dispositif generateur d'une tension de reference precise | |
| FR2534086A1 (fr) | Circuit generateur de courant constant, a basse tension d'alimentation, integrale monolithiquement | |
| FR2845781A1 (fr) | Generateur de tension de type a intervalle de bande | |
| FR2608289A2 (fr) | Perfectionnement au dispositif de regulation thermique d'une enceinte | |
| US6556155B1 (en) | Method and integrated circuit for temperature coefficient compensation | |
| US5808507A (en) | Temperature compensated reference voltage source | |
| EP0148685B1 (fr) | Montage amplificateur différentiel à courant continu, notamment pour la mesure de faibles tensions variant lentement | |
| JPH05288605A (ja) | フォトダイオードのバイアス回路 | |
| EP0829796B1 (fr) | Contrôleur de tension à sensibilité aux variations de température atténuée | |
| EP0504979A2 (fr) | Générateur de tension de référence | |
| EP1282064A2 (fr) | Procédé et circuit de compensation de dérive induite par tension thermique dans un amplificateur logarithmique monolithique | |
| US20150309525A1 (en) | Voltage Reference | |
| Gilbert | Monolithic voltage and current references: Theme and variations | |
| FR2635620A1 (fr) | Circuit d'entree a commutation acceleree | |
| FR2757964A1 (fr) | Regulateur de tension serie | |
| Brokaw | A temperature sensor with single resistor set-point programming | |
| EP0539136A2 (fr) | Dispositif générateur de tension | |
| EP0536063B1 (fr) | Générateur de courant précis | |
| EP0406174A2 (fr) | Capteur de température intégré |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |