FR2650121A1 - Support de puce electronique - Google Patents
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Abstract
Dans un support de puce électronique pourvu d'un substrat 1a, d'un couvercle 1bet d'une puce électronique à circuit intégré 5, ladite puce à circuit intégré 5 est disposée à distance d'une surface du circuit de la puce à circuit intégré qui est orientée vers le substrat 1a du support de puce. Un film d'isolation aux rayons alpha 7 constitué d'un matériau de film contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant à une surface du substrat 1a de support de puce faisant face à la puce à circuit intégré 5 ou à la surface du circuit de celle-ci, est prévu de façon à protéger la puce à circuit intégré des rayons.
Description
Support de puce électronique
L'invention concerne un support de puce électronique, et spécialement un support de puce électronique comportant des moyens pour empêcher que survienne une erreur logicielle causée par une irradiation aux rayons a. La présente invention concerne également un dispositif à semiconducteur, du type d'un support de puce électronique et un dispositif à semiconducteur présentant un circuit intégré muni .ae plots rlaB (liaison automatique à bande), monté sur une plaquette de circuit imprimé afin d'empêcher toute erreur logicielle causée par une irradiation aux rayons a.
L'invention concerne un support de puce électronique, et spécialement un support de puce électronique comportant des moyens pour empêcher que survienne une erreur logicielle causée par une irradiation aux rayons a. La présente invention concerne également un dispositif à semiconducteur, du type d'un support de puce électronique et un dispositif à semiconducteur présentant un circuit intégré muni .ae plots rlaB (liaison automatique à bande), monté sur une plaquette de circuit imprimé afin d'empêcher toute erreur logicielle causée par une irradiation aux rayons a.
Par exemple, dans le cas d'un degré d'intégration élevé de mémoires MQS dynamiques, il se présente des cas dans lesquels une erreur non reproduite, ce que l'on appelle une erreur logicielle, est provoquée par une exposition aux rayons a irradiés par une très petite quantité de matériau radioactif contenue dans un bolier.
De façon classique, afin d'empêcher l'information mise en mémoire dans une cellule de mémoire d'une puce à circuit intégré d'être détruite par un rayonnement a émanant d'un boîtier à support de puce électronique, une surface du circuit de la puce à circuit intégré est protégée par une couche de revêtement en résine d'isolation aux rayons a. Dans ce cas, on utilise une résine de silicone très visqueuse comme résine de protection aux rayons a, et l'on applique la résine de silicone sur la- surface du circuit d'une puce à circuit intégré par mise en pot, avant de constituer le boitier de la puce à circuit intégré dans un boiter à support de puce.Le boîtier à support de puce est composé d'un substrat de support de puce pourvue de bosses devant être reliées au circuit imprimé de la plaquette à câblage imprimé (non représentée), d'un couvercle de support de puce présentant une forme à section transversale en "U" inversé, ce couvercle de support de puce étant adjoint au substrat du support de puce de façon à former une partie creuse afin d'y placer une puce à circuit intégré. La puce à circuit intégré est montée sur le substrat de support de puce qui est tourné vers le bas par l'intermédiaire de conducteurs en forme de fils d'amenée. Afin d'assembler le support de puce en utilisant un tel boîtier de support de puce, on fait d'abord couler une résine d'isqlation aux rayons a sur la surface de circuit d'une puce à circuit intégré et on fait subir un traitement thermique au moyen d'un équipement de mise en pot.Par conséquent, il y a des cas dans lesquels la résine de silicone d'isolation aux rayons a est pourvue de saillies en donnant une forme de montagne, dans une proportion telle que la résine de silicone constituant la protubérance rend difficile la mise en forme des conducteurs. En outre, lorsqu'on fait subir un traitement thermique à la résine de silicone située sur la puce à circuit intégré, on applique de la chaleur sur la circuit intégré, de sorte que la fiabilité de la puce à circuit intégré peut s'en trouver altérée.
Le but de la présente invention est de proposer un support de puce électronique dans lequel la mise en forme des conducteurs sur la puce à circuit intégrée peut s'effectuer de façon simple et n'altérant pas la fiabilité de la puce à circuit intégré.
Le but ci-dessus de la présente invention est atteint par le fait que le support de puce électronique comprend un substrat de puce électronique, un couvercle de support de puce, une puce électronique à circuit intégré qui présente une surface de circuit orientée vers le substrat du support de puce et lié par pressage sur- le couvercle de support de puce en étant disposé à distance du substrat de support de puce, des conducteurs montant entre la surface du circuit de la puce à circuit intégré et le substrat du support de puce et étant raccordé à la puce à circuit intégré et au substrat du support de puce, et un film d'isolation aux rayons aconstitué d'un matériau de film contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive, à au moins une surface de circuit de la puce à circuit intégré et une surface du substrat de support de puce faisant face à la puce à circuit intégrée.
En outre, le but ci-dessus de la présente invention est atteint -par un support de puce électronique qui comprend un substrat de puce électronique, un couvercle de support de puce et une puce électronique à circuit intégré, ladite puce à circuit intégré étant disposée à distance du substrat de support de puce, par l'intermédiaire de conducteurs en forme de fil, avec une surface de circuit de la puce à circuit intégré orientée vers le substrat du support de puce, relié par l'intermédiaire des conducteurs aux pistes prévues sur le substrat du support de puce, et liées par pressage sur le couvercle de support de puce, ce dernier comprenant un film d'isolation aux rayons a constitué d'un matériau de film contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive contenant peu d'éléments radioactifs, à la surface de circuit de la puce à circuit intégré.
En outre, le but ci-dessus de la présente invention est atteint par le fait que, dans un support de puce électronique comprenant un substrat de puce électronique, un couvercle de support de puce et une puce électronique à circuit intégré, ladite puce électronique étant disposée à distance du substrat de support de puce, par l'intermédiaire de conducteurs en forme de fils d'amenée, avec la surface de circuit de la puce à circuit intégré orientée vers le substrat de support de puce, relié par l'intermédiaire des conducteurs à des pistes prévues sur le substrat de support de puce, et relié par pressage au couvercle de support de puce, ce dernier comprenant un organe d'espacement interposé entre la puce à circuit intégré et le substrat du support de puce, organe réalisé pour venir intimement en contact avec la totalité de la surface du circuit de la puce à circuit intégré, ledit organe d'espacement étant formé d'une feuille de caoutchouc et comportant un film de revêtement d'isolation aux rayons a constitué d'un matériau de revêtement contenant peu d'éléments radioactifs, situé sur la surface de l'organe d'espacement qui fait face à la puce à circuit intégré, et ledit organe d'espacement adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive, au substrat de support.
De plus, le but de la présente invention est atteint par le fait que, dans un support de puce électronique comprenant un substrat de puce électronique, un couvercle de support de puce et une puce électronique à circ#uit intégré, ladite puce à circuit intégré est disposé à distance du substrat de support de puce par l'intermédiaire de conducteurs en forme de fil, avec une surface de circuit de la puce à circuit intégré orientée vers le substrat de la puce, relié par l'intermédiaire des conducteurs à des pistes prévues sur le couvercle de la puce, et liés par pressage au couvercle de support de puce, le support de puce comprend un organe d'espacement interposé entre la puce à circuit intégré et le substrat du support de puce, organe réalisé pour venir intimement en contact avec la totalité de la surface du circuit de la puce à circuit intégré, ledit organe d'espacement étant formé d'une feuille de caoutchouc d'isolation aux rayons a contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive, au substrat de support.
Dans la présente invention, le film d'isolation aux rayons a et la couche adhésive située entre la #puce à circuit intégré et le film d'isolation aux rayons a peuvent être choisis selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h. En outre, le film d'isolation aux rayons a peut présenter une épaisseur supérieure à 50 Sm. De plus, lorsque le film d'isolation aux rayons a est prévu sur une surface du substrat de support de puce qui fait face à la puce à circuit intégré, -le film d'isolation aux rayons a peut présenter une aire supérieure à l'aire de la surface du circuit de la puce à circuit intégré.
Selon la présente invention, l'organe d'espacement prévu entre la puce à circuit intégré et le substrat de puce peut être réalisé afin de venir intimement en contact avec la totalité de la surface du circuit de la puce à circuit intégré, afin de protéger le circuit de la puce à circuit intégré d'une irradiation par les rayons a. Le film de revêtement d'isolation aux rayons a et l'organe d'espacement formé sur la feuille de caoutchouc d'isolation aux rayons a peuvent être choisis selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h. De plus, le film de revêtement d'isolation aux rayons a peut présenter une épaisseur supérieure à 50 Fm.
Selon la présente invention, étant donné qu'on n'utilise pas de résine de mise en pot, le formage des conducteur peut être effectué facilement sans être entravé par une couche de résine de mise en pot faisant saillie.
En outre, étant donné que le support de puce peut être fabriqué sans procéder à un traitement thermique de la résine de mise en pot, la fiabilité de la puce à circuit intégré peut s'en trouver améliorée comparée à un support de puce classique.
D'autres buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation de l'invention, faite à titre non limitatif et en regard du dessin annexé, dans lequel
La figure 1 représente une coupe transversale d'un mode
de réalisation d'un support de puce selon la
présente invention; la figure 2 représente une coupe transversale d'un autre
mode de réalisation d'un support de puce
selon la présente invention; la figure 3 représente une coupe transversale d'un autre
mode de réalisation d'un support de puce
selon la présente invention; et la figure 4 est une coupe transversale d'un autre mode de
réalisation d'un support de puce selon la
présente invention.
La figure 1 représente une coupe transversale d'un mode
de réalisation d'un support de puce selon la
présente invention; la figure 2 représente une coupe transversale d'un autre
mode de réalisation d'un support de puce
selon la présente invention; la figure 3 représente une coupe transversale d'un autre
mode de réalisation d'un support de puce
selon la présente invention; et la figure 4 est une coupe transversale d'un autre mode de
réalisation d'un support de puce selon la
présente invention.
L'invention est expliquée en référence aux figures 1 à 4.
La figure 1 est une coupe transversale d'un mode de réalisation d'un support de puce selon la présente invention.
En se référant à la figure 1, un support de puce comprend un boîtier de support de puce 1. La boîtier de support de puce 1 comprend un substrat de support de puce la et un couvercle ou capuchon lb de support de puce, qui présente une section transversale en forme de "U" inversé. Une puce à circuit intégré 5 est enfermée dans le couvercle de support de puce 1. Le substrat de support de puce la est pourvu de plusieurs pistes 4 situées sur la face supérieure du substrat de support de puce et présentant des bossages d'entrée et de sortie 2 reliés aux pistes 4 à l'aide de fils d'amenée 3 passant dans des trous traversants et situés sur la face inférieure du substrat du support de puce.
Sur une aire du substrat de support de puce 1 qui fait face au moins à la surface de circuit 10 de la puce 5 à circuit intégré est prévu un film d'isolation aux rayons a 7, maintenu par l'intermédiaire d'une couche adhésive 8, de façon à protéger la puce à circuit imprimé 5 contre les dégâts par irradiation causés par les rayons a émis par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la. La puce h circuit intégré 5 est fixée sur le substrat de support de puce par l'intermédiaire de conducteurs 6 en forme de fil d'amenée.Chacune des extrémités des conducteurs 6 respectifs est reliée aux électrodes correspondantes (non représentées) de la puce à circuit intégré 5, tandis que les autres extrémités des conducteurs respectifs sont reliées aux pistes 4 correspondantes situées sur la surface supérieure du substrat de support de puce la. Afin de fixer la puce à circuit intégré 5 sur le substrat de support de puce la, les conducteurs 6 sont d'abord reliés aux électrodes correspondantes de la puce à circuit intégré 5, par exemple par une liaison' automatique à bande (TAB), les conducteurs 6 étant ensuite mis en forme de fil d'amenée de façon que les autres extrémités des fils 6 respectifs soient reliées aux pistes 4 correspondantes par une liaison à thermo-compression.De cette façon, la puce à circuit intégré 5 est disposée à distance du substrat de support de puce la par l'intermédiaire des conducteurs 6 en forme de fils d'amenée, la surface de circuit 10 de la puce à circuit intégré 5 étant orientée vers le substrat de support de puce la.
Dans le mode de réalisation mentionné ci-#dessus de la présente invention, on peut utiliser comme film d'isolation aux rayons a par exemple un film de résine polyimide contenant à tire d'impuretés peu d'éléments radioactifs tels que l'uranium, le thorium ou matériaux analogues, comme le Kapton (dénomination commerciale) 200H qui est fabriqué par Toray Dupon Co, Ltd, ou analogue, choisi selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h. Pour constituer une isolation aux rayons a de la dose émise par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la, l'épaisseur de film d'isolement aux rayons a 7 doit être supérieure à 50 Fm et doit avoir une aire supérieure à l'aire de la surface de circuit 10 de la puce à circuit intégré 5.
Afin d'assembler le support de puce mentionné cidessus, tout d'abord, on fixe la puce à circuit intégré 5 avec la face vers le bas, sur le substrat de support de puce la, comme mentionné ci-dessus. Ensuite, la puce à circuit intégré 5 est liée par pressage au couvercle de support de puce lb, par l'intermédiaire d'une couche adhésive 9, et un bord d'une ouverture du couvercle de support de puce lb est placé en adhésion sur la surface supérieure du substrat de support de puce la par l'intermédiaire d'une couche adhésive 11, de sorte que le support de puce est achevé, de sorte que la puce à circuit intégré a été encapsulée hermétiquement dans le boîtier de support de puce 1.
De manière correspondante, dans le support de puce construit comme mentionné ci-dessus, selon la présente invention, étant donné que le film d'isolement aux rayons a 7 est placé sur une partie du substrat de support de puce lb qui fait face au mois à la surface de circuit 10 de la puce à circuit intégré 5, tout rayon a émis par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de couche la est bloqué par le film d'isolation aux rayons a 7. Par conséquent, il est possible d'empêcher avec sécurité l'apparition d'une erreur logicielle de la puce à circuit intégré 5.En outre, même si la liaison du film d'isolation aux rayons a 7 au substrat de support de puce la est effectuée par voie thermique, la chaleur utilisée pour la liaison ne peut être transférée à la puce à circu#it intégré 5, par conséquent la fiabilité de la puce est améliorée parce que le film d'isolation aux rayons a 7 n'adhère pas à la puce à circuit intégré 5. De plus, étant donné qu'il n'y a rien qui corresponde à une résine classique de pise en pot sur la surface de circuit 10 de la puce 5, les conducteurs peuvent être facilement formés en fils d'amenée, sans être entravés par le film d'isolation aux rayons a 7.
Le second mode de réalisation d'un support de puce selon la présente invention est expliqué à présent.
La figure 2 est une section transversale du second mode de réalisation de la présente invention
Sur la figure 2, les éléments analogues ou identiques à ceux de la figure 1 sont pourvus des mêmes numéros de référence que sur la figure 1 et leur description n'en sera pas faite.
Sur la figure 2, les éléments analogues ou identiques à ceux de la figure 1 sont pourvus des mêmes numéros de référence que sur la figure 1 et leur description n'en sera pas faite.
Dans le mode de réalisation de la figure 2, un film d'isolation aux rayons a 12 est prévu sur la surface de circuit 10 de la puce à circuit intégré 6, maintenue par l'intermédiaire d'une couche d'adhésif 13. On peut utiliser par exemple comme film d'isolation aux rayons a 12 un film de résine polyimide contenant peu d'éléments radioactifs comme l'uranium, le thorium ou analogue à titre d'impuretés, comme le Kapton (dénomination commerciale) 200 fabrique par Toray Dupon Co, Ltd, ou matériau analogue choisi sur le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.Pour s'isoler de la dose de rayons a émise par le matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la il faut une épaisseur de film d'isolation aux rayons a 12 supérieure à 50 Fm et l'aire doit couvrir celle de la surface de circuit 10 de la puce 5.
En outre, on peut utiliser par exemple comme couche adhésive 13 une couche de résine de silicone contenant peu d'éléments radioactifs comme l'uranium, le thorium ou analogue comme impuretés, soit le JCR 6110 fabriqué par
Toray Silicone Co., Ltd, ou un matériau analogue choisi selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.
Toray Silicone Co., Ltd, ou un matériau analogue choisi selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.
Lorsque l'on fait adhérer le film d'isolation aux rayons a 12 sur la puce à circuit intégré 5 à l'aide de la couche adhésive 13 de cette façon, les rayons a émis par le matériau radioactif contenu dans le substrat du support de puce peuvent être bloqués par le film d'isolation aux rayons a 12. Par conséquent, il est possible d'empêcher avec sécurité l'apparition d'une erreur logicielle de la pouce à circuit intégré 5. Bien que que le film d'isolation aux rayons a 12 soit prévu sur la puce à circuit intégré, étant donné que le film d'isolation aux rayons a 12 est plat et que son épaisseur est uniforme sur la totalité de son aire, les conducteurs 6 peuvent être aisément formés en fils d'arrivée, sans être entravés par le film d'isolation aux rayons a 12.
On explique ensuite le troisième mode de réalisation d'un support de puce selon la présente invention.
La figure 3 est une vue en coupe du second mode de réalisation de la présente invention.
Sur la figure 3, les éléments analogues ou identiques à ceux de la figure 1 sont pourvus des mêmes numéros de référence que sur la figure 1 et leur description n'en sera pas faite.
Dans le mode de réalisation de la figure 3, un organe d'espacement 14 est interposé entre la puce à circuit intégré 5 muni de plots TA3 (Tape Automated Bonding,
liaison automatique à bande), et le substrat de support de puce la, et réalisé pour venir en contact intime avec la totalité de la surface de circuit 10 de la
puce à circuit intégré s-a TAB. L'organe d'espacement 14 est formé d'une feuille en caoutchouc au silicone et présente un film de revêtement d'isolation aux rayons a 16 fait d'une résine de silicone d'isolation aux rayons a telle que, par exemple, le JCR 6110 fabriqué par Toray Silicone
Co, Ltd, ou le TSJ 3130 fabriqué par Toshiba Silicone Co.,
Ltd., ou un produit analogue, sur le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.La résine de silicone d'isolation aux rayons a est appliquée en revêtement sur la surface de l'organe d'espacement 15 faisant face à la puce à circuit intégré 5 et soumise à une traitement thermique. Pour s'isoler d'une dose de rayons a émise par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la, il faut au film d'isolation aux rayons a 16 une épaisseur supérieure à 50
Cun.
liaison automatique à bande), et le substrat de support de puce la, et réalisé pour venir en contact intime avec la totalité de la surface de circuit 10 de la
puce à circuit intégré s-a TAB. L'organe d'espacement 14 est formé d'une feuille en caoutchouc au silicone et présente un film de revêtement d'isolation aux rayons a 16 fait d'une résine de silicone d'isolation aux rayons a telle que, par exemple, le JCR 6110 fabriqué par Toray Silicone
Co, Ltd, ou le TSJ 3130 fabriqué par Toshiba Silicone Co.,
Ltd., ou un produit analogue, sur le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.La résine de silicone d'isolation aux rayons a est appliquée en revêtement sur la surface de l'organe d'espacement 15 faisant face à la puce à circuit intégré 5 et soumise à une traitement thermique. Pour s'isoler d'une dose de rayons a émise par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la, il faut au film d'isolation aux rayons a 16 une épaisseur supérieure à 50
Cun.
Dans le support de puce 1 mentionné ci-dessus, les rayons a émis par le matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la, l'organe d'espacement 14 et les conducteurs 6 peuvent être bloqués par le film d'isolation aux rayons a 16. Par conséquent, il est possible d'empêcher avec sécurité l'apparition d'une erreur logicielle de la puce à circuit intégré 5.
En outre, dans le mode de réalisation de la figure 3, étant donné que l'épaisseur de l'organe d'espacement 14, avec le film d'isolation aux rayons a 16 peut être déterminée avec une dimension donnée, la distance entre la puce à circuit intégré 5 et le substrat de support de puce la peut être réglée à une distance égale, de sorte qu'on peut facilement effectuer le formage en fil d'amenée.
De plus, dans le mode de réalisation selon la figure 3, étant donné qu'il n'est pas nécessaire d'appliquer un revêtement ni de procéder à un traitement thermique de la résine de silicone située sur la puce à circuit intégré 5, il n'est pas appliqué de chaleur sur la puce, ce qui améliore par conséquent la fiabilité de la puce à circuit intégré.
Ensuite, dans le processus de fabrication d'un support de puce 1 selon le mode de réalisation de la figure 3, l'organe d'espacement 14 est placé en adhérence sur le substrat de support de puce la à l'aide d'une couche adhésive 15. Ensuite on dispose la puce TAB 5 avec les conducteurs 6 en forme de fils d'amenée sur l'organe d'espacement 14. A la suite de cela, le conducteurs 6 sont reliés aux pistes 4 par liaison par thermo-compression.
En outre, la puce 5 est liée par pressage au couvercle de support de puce lb et ensuite ce dernier est lié au substrat de support de puce la.
De plus, dans le mode de réalisation de la figure 3, l'organe d'espacement 14 est fabriqué de la façon suivante: la résine de silicone est appliquée en revêtement d'une épaisseur donnée sur une feuille de caoutchouc de silicone d'une épaisseur donnée, à l'aide d'un applicateur tournant et soumis à un traitement thermique; ensuite la feuille de caoutchouc de silicone, avec le film de revêtement de résine silicone, est découpé à une forme donnée.
On va expliquer maintenant le quatrième moue de réalisation d'un support de puce selon la présente invention.
La figure 4 est une section transversale du quatrième mode de réalisation de la présente invention.
Sur la figure 4, les éléments analogues ou identiques à ceux de la figure 1 sont pourvus des mêmes numéros de référence que sur la figure 1 et leur description n'en sera pas faite.
Dans le mode de réalisation de la figure 4, un organe d'espacement 17 est interposé entre la puce à circuit intégré à TAB 5 et le substrat de support de puce la, et réalisé pour venir en contact intime avec la totalité de la surface de circuit 10 de la puce à circuit intégré 5.
L'organe d'espacement 17 est formé d'une feuille en caoutchouc au silicone et constitue une isolation aux rayons a, comme, par exemple, le JCR 6110 fabriqué par
Toray Silicone Co, Ltd, ou le TSJ 3130 fabriqué par
Toshiba Silicone Co., Ltd., ou un produit analogue, sur le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h. L'organe d'espacement 17 est porté en adhérence sur le substrat de support de puce la par l'intermédiaire d'une couche adhésive 15. La feuille de caoutchouc d'isolation aux rayons a présente une épaisseur supérieure à 50 Fm, pour laquelle une dose de rayons a émise par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la peut être bloquée.
Toray Silicone Co, Ltd, ou le TSJ 3130 fabriqué par
Toshiba Silicone Co., Ltd., ou un produit analogue, sur le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h. L'organe d'espacement 17 est porté en adhérence sur le substrat de support de puce la par l'intermédiaire d'une couche adhésive 15. La feuille de caoutchouc d'isolation aux rayons a présente une épaisseur supérieure à 50 Fm, pour laquelle une dose de rayons a émise par un matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la peut être bloquée.
Dans le processus de fabrication d'un support de puce, on forme d'abord les conducteurs 6 en fils d'amenée.
Ensuite on place la puce TAB 5 la face orientée vers le bas sur l'organe d'espacement 17. Les extrémités des conducteurs 6 sont liées aux pistes par liaison par thermo-compression. En outre, la puce 5 est liée par pressage au couvercle de support de puce lb, par l'intermédiaire d'une couche d'adhésif 9. Le couvercle de support de puce la est ensuite porté en adhésion hermétique sur la substrat de support de puce lb.
Etant donné que l'organe d'espacement 17 qui est constitué d'une feuille de caoutchouc au silicone d'isolation aux rayons a est réalisé pour venir en contact intime avec la totalité de la surface de circuit 10 de la puce TAB 5, les rayons a émis par le matériau radioactif contenu dans le substrat de support de puce la et les conducteurs 6 peuvent être bloqués. En outre, étant donné que l'organe d'espacement 17 est fixé sur le substrat de support de puce la le formage en fils d'amenée peut être effectué facilement. En outre, étant donné qu'il est inutile d'appliquer de la chaleur à la puce TAB 5, la fiabilité de la puce TAB 5 est bonne.
En outre, étant donné que l'organe d'espacement 17 est fixé au substrat de support de puce la et réalisé pour venir en contact intime avec la puce TAB 5, cette dernière peut être supportée par l'organe d'espacement 17, de manière à être parfaitement liée par pressage au couvercle de support de puce lb.
Claims (9)
1. Support de puce électronique comprenant un substrat (la) de puce électronique, un couvercle (lb) de support de puce, une puce électronique à circuit intégré
(5) qui présente une surface de circuit (10) orientée vers le substrat (la) du support de puce et lié par pressage sur le couvercle (lb) de support de puce en étant disposé à distance du substrat de support de puce, caractérisé en ce que des conducteurs (6) montent entre la surface du circuit de la puce à circuit intégré (5) et le substrat
(la) du support de puce et sont raccordés à la puce à circuit intégré (5) et au substrat de support de puce
(la), et qu'il comprend un film d'isolation aux rayons a (12) constitué d'un matériau de film contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive (13), à au moins une surface de circuit (10) de la puce à circuit intégré (5) et une surface du substrat (la) de support de puce faisant face à la puce å circuit intégré (5).
2. Support de puce électronique selon la revendication 1, dans lequel ladite couche adhésive (13) contient peu d'éléments radioactifs.
3. Support de puce électronique selon la revendication 1, dans lequel ledit film d'isolation aux rayons a ' < 7,12) comprend un matériau d'isolation aux rayons a choisi selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unitê/cm2.h, pour une #épaisseur supérieure à 50 pn.
4. Support de puce électronique selon la revendication 2, dans lequel ledit film d'isolation aux rayons a (7,12) comprend un matériau d'isolation aux rayons a choisi selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.
5. Support de puce électronique selon la revendication 1, dans lequel ledit film d'isolation aux rayons a (7,12) présente une aire supérieure à l'aire de la surface du circuit de la puce à circuit intégré (5).
6. Support de puce électronique comprenant un substrat (la) de puce électronique, un couvercle (lb) de support de puce, une puce électronique à circuit intégré qui présente une surface de circuit (10) orientée vers le substrat (la) du support de puce et lié par pressage sur le couvercle (lb) de support de puce en étant disposé à distance du substrat de support de puce, des conducteurs (6) montant entre la surface du circuit de la puce à circuit intégré (5) et le substrat (la) du support de puce et étant raccordé à la puce à circuit intégré (5) et au substrat du support de puce, et un film d'isolation aux rayons a (14) constitué d'un matériau de film contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive (15), à au moins une surface de circuit (10) de la puce à circuit intégré (5) et une surface du substrat (la) de support de puce faisant face à la puce à circuit intégré (5), caractérisé en ce qu'un organe d'espacement (14) est interposé entre la puce à circuit intégré (5) et le substrat de support de puce (la), organe (14) réalisé pour venir intimement en contact avec la totalité de la surface du circuit de la puce à circuit intégré (5), et ledit organe d'espacement (14) étant formé d'une feuille de caoutchouc et comportant un film de revêtement d'isolation aux rayons a (16)constitué d'un matériau de revêtement contenant peu d'éléments radioactifs, situé sur la surface de l'organe d'espacement (14) qui fait face à la puce à circuit intégré, et ledit organe d'espacement (14) adhérant, par ltintermédiaire d'une couche adhésive (8), au substrat (la) de support.
7. Support de puce électronique selon la revendication 6, dans lequel ledit film de revêtement d'isolation aux rayons a (16) comprend une résine de silicone choisie selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h, pour une épaisseur supérieure à 50 Clam.
8. Support de puce électronique comprenant un substrat (la) de puce électronique, un couvercle (lb) de support de puce, une puce électronique à circuit intégré qui présente une surface de circuit (10) orientée vers le substrat (la) du support de puce et Aié par pressage sur le couvercle (lb) de support de puce en étant disposé à distance du substrat de support de puce, des conducteurs (6) montant entre la surface du circuit de la puce à circuit intégré (5) et le substrat (la) du support de puce et étant raccordé à la puce à circuit intégré (5) et au substrat du support de puce, caractérisé en ce qu'un organe d'espacement (14) est interposé entre la puce à circuit intégré (5) et le substrat du support de puce, organe réalisé pour venir intimement en contact avec la totalité de la surface du circuit de la puce à circuit intégré (5), et ledit organe d'espacement (14) étant formé d'une feuille de caoutchouc d'isolation aux rayons a contenant peu d'éléments radioactifs et adhérant, par l'intermédiaire d'une couche adhésive (15), au substrat (la) de support.
9. Support de puce électronique selon la revendication 8, dans lequel ledit organe d'espacement (14) comprend un matériau choisi selon le critère d'une dose de rayons a inférieure à 0,001 unité/cm2.h.
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2039145A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor device shielding |
GB2067013A (en) * | 1980-01-09 | 1981-07-15 | Hitachi Ltd | Shielding semiconductor memories |
JPS5931045A (ja) * | 1982-04-16 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置およびその製造方法 |
EP0114106A2 (fr) * | 1983-01-12 | 1984-07-25 | Fujitsu Limited | Procédé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur à mémoire ayant une haute résistantce contre des radiations |
EP0214621A2 (fr) * | 1985-09-05 | 1987-03-18 | Nec Corporation | Empaquetage comprenant un substrat et au moins un composant électronique |
JPS6262545A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Nec Corp | チツプキヤリアとその製造方法 |
EP0260969A1 (fr) * | 1986-09-19 | 1988-03-23 | Nec Corporation | Elément porteur de puce |
JPS6390843A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Nec Corp | 集積回路の実装構造 |
JPS63229726A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
JPS6477148A (en) * | 1979-03-28 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor storage device |
-
1990
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2039145A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor device shielding |
JPS6477148A (en) * | 1979-03-28 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor storage device |
GB2067013A (en) * | 1980-01-09 | 1981-07-15 | Hitachi Ltd | Shielding semiconductor memories |
JPS5931045A (ja) * | 1982-04-16 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置およびその製造方法 |
EP0114106A2 (fr) * | 1983-01-12 | 1984-07-25 | Fujitsu Limited | Procédé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur à mémoire ayant une haute résistantce contre des radiations |
EP0214621A2 (fr) * | 1985-09-05 | 1987-03-18 | Nec Corporation | Empaquetage comprenant un substrat et au moins un composant électronique |
JPS6262545A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Nec Corp | チツプキヤリアとその製造方法 |
EP0260969A1 (fr) * | 1986-09-19 | 1988-03-23 | Nec Corporation | Elément porteur de puce |
JPS6390843A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Nec Corp | 集積回路の実装構造 |
JPS63229726A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 119 (E-248)5 Juin 1984 & JP-A-59 031 045 ( MITSUBISHI DENKI KK ) 18 Février 1984 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 011, no. 249 (E-532)13 Août 1987 & JP-A-62 062 545 ( NEC CORP. ) 19 Mars 1987 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 328 (E-654)6 Septembre 1988 & JP-A-63 090 843 ( NEC CORP. ) 21 Avril 1988 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 026 (E-706)20 Janvier 1989 & JP-A-63 229 726 ( NEC CORP. ) 26 Septembre 1988 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 298 (E-784)10 Juillet 1989 & JP-A-01 077 148 ( HITACHI LTD ) 23 Mars 1989 * |
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