FR2633771A1 - Procede pour former des connexions sur un condensateur rempli de plomb et condensateur ainsi obtenu - Google Patents
Procede pour former des connexions sur un condensateur rempli de plomb et condensateur ainsi obtenu Download PDFInfo
- Publication number
- FR2633771A1 FR2633771A1 FR8817539A FR8817539A FR2633771A1 FR 2633771 A1 FR2633771 A1 FR 2633771A1 FR 8817539 A FR8817539 A FR 8817539A FR 8817539 A FR8817539 A FR 8817539A FR 2633771 A1 FR2633771 A1 FR 2633771A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- lead
- paste
- frit
- monolith
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 41
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 2
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilver Chemical compound [Ag]=S PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- -1 2- (2-butoxyethoxy) ethyl Chemical group 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/302—Stacked capacitors obtained by injection of metal in cavities formed in a ceramic body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/308—Stacked capacitors made by transfer techniques
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49163—Manufacturing circuit on or in base with sintering of base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
On recouvre les tranches 12 du corps monolithique 10 du condensateur, en céramique, d'une pâte contenant des particules d'un métal mouillé par le plomb mais dont l'oxyde n'est pas ou pratiquement pas mouillé par le plomb. On produit la fusion de la pâte dans un environnement oxydant, ou dans un environnement inerte mais avec chauffage consécutif dans un environnement oxydant, de manière que le métal du côté extérieur 15b de la pâte soit oxydé et que le métal du côté intérieur 15a de la pâte ne soit pas ou seulement peu oxydé. A l'injection du plomb 16, au travers de la connexion poreuse ainsi formée, dans les cavités du corps monolithique 10 pour former les électrodes, le plomb mouillera le côté intérieur de la connexion, mais ne mouillera pas le côté extérieur. Ainsi, à la sortie du bain de plomb, les corps 10 en forme de plaquettes se séparent facilement les uns des autres et ont des dimensions définies grâce à l'absence de plomb sur la surface extérieure.
Description
La présente invention concerne un procédé perfectionné pour fabriquer des
condensateurs en céramique du type à remplissage
de plomb et les condensateurs ainsi obtenus.
Par différents brevets des Etats-Unis d'Amérique, tels que 3 679 950; 3 879 645; et 3 965 552 par exemple, on connaît la réalisation d'un condensateur céramique qui supprime le besoin
d'employer des métaux nobles tels que platine, palladium et ana-
logues. Antérieurement au procédé décrit dans les brevets cités,
les condensateurs en céramique étaient fabriqués par la super-
position alternée de feuilles en céramique crue et de zones d'électrode constituées par des métaux capables de résister aux
températures de frittage auxquelles les condensateurs sont soumis.
Selon les brevets cités, la réalisation de condensateurs en céramique comprend d'abord la formation de blocs en céramique monolithique possédant des zones vides qui débouchent dans les extrémités du bloc et correspondent aux emplacements prévus pour les électrodes du condensateur. Ces vides sont ensuite remplis avec du plomb pour former les électrodes. Les vides sont créés par la disposition, entre les feuilles de céramique crue, de couches de matière organique qui sont brûlées au cours du chauffage de la
céramique crue.
La fabrication de condensateurs de ce type a posé de sérieux problèmes jusqu'à présent. L'un de ces problèmes provient de la tendance du plomb fondu - introduit par force dans les vides - de s'écouler immédiatement hors des vides dès que les pièces en céramique sont retirées du bain de plomb en fusion et
sont ramenées à la pression atmosphérique.
Selon une proposition pour résoudre ce problème d'écou-
lement du plomb, on recouvre les extrémités des monolithes en céramique avec une fritte poreuse et on introduit le plomb par force à travers la fritte pour remplir tes vides. Le problème avec cette méthode est que, si la fritte est dense et de porosité limitée, il est difficile de s'assurer que la totalité des vides est remplie de plomb, avec le résutat que la capacité du dispositif ainsi obtenu ne peut pas être prédite. Si l'on utilise une fritte très poreuse, un important écoulement de plomb est inévitable. Si l'on utilise une fritte relativement dense, il faut, pour établir le contact avec les électrodes enterrées, enlever à la meule des
parties de la fritte pour exposer le plomb aux tranches.
Afin de réduire à un minimum l'écoulement de plomb sans faire appel au recouvrement des extrémités du monolithe par une fritte dense et de porosité limitée, on a proposé d'incorporer de l'argent dans la composition de la fritte. L'argent tend à empêcher
le plomb de s'écouler à l'extérieur à travers la fritte; appa-
remment, cette tendance est une conséquence du fait que le plomb peut mouiller l'argent. La combinaison fritte-argent ne représente cependant pas une solution satisfaisante au problème de la formation des connexions ou bornes de condensateurs du type à
remplissage de plomb puisque les particules d'argent sont faci-
lement dissoutes dans le plomb, avec le résultat que liargent contenu dans la fritte est éliminé partiellement de celle-ci, de sorte que la fritte présente des zones extérieures qui ne sont pas
reliées électriquement aux électrodes à l'intérieur.
On a tenté d'incorporer dans la fritte des matériaux qui sont mouillés par le plomb, mais ne sont pas solubles en lui. Il est ainsi possible d'imprégner les monolithes en céramique tout en supprimant la tendance du plomb d'imprégnation de s'écouler à l'extérieur du monolithe. Une difficulté inhérente à l'emploi de telles additions mouillables mais non solubles par le plomb dans la composition de la fritte réside dans le fait que le plomb mouille non seulement à l'intérieur, dans la zone des électrodes formées, mais adhère également à l'extérieur de la fritte. Par suite de la tendance à la formation d'accumulations de plomb sur le côté
extérieur de la fritte formant connexion, les plaquettes en céra-
mique tendent à adhérer les unes aux autres. Pour éviter une telle agglomération, les pièces monolithiques imprégnées doivent être secouées énergiquement tout en restant à une température supérieure
au point de fusion du plomb.
Il est facile à comprendre que le secouage d'un lot de plaquettes imprégnées est nuisible en ce sens que de nombreuses ruptures et fissurations risquent de se produire. De plus, il
reste néanmoins des accumulations de plomb sur les surfaces exté-
26 33771
rieures de la fritte des plaquettes séparées, de sorte que les
contours géométriques de la plaquette sont pratiquement indéfi-
nissables d'avance.
Une tentative de solution du problème de la formation des connexions sur des condensateurs remplis de plomb est décrite dans la demande de brevet britannique 2 119 571A et la demande de brevet européen 0 092 912. D'après ces demandes, les extrémités des corps de condensateurs en céramique sont recouvertes d'un mélange formant fritte, constitué de grosses particules de céramique revêtues d'argent et de verre pilé. On fait fondre ce mélange pour former
des revêtements poreux sur les extrémités. Apres cela, ces revê-
tements des tranches sont sulfurés et les plaquettes sont imprégnées de plomb. L'opération de sulfurage est censée empêcher l'argent d'être éliminé par dissolution dans le bain de plomb, tout en permettant au plomb de mouiller la sulfure d'argent dans une mesure suffisante pour éviter l'écoulement du pLomb. La solution proposée par les documents cites ci-dessus n'est pas satisfaisante puisque, en raison de la tendance du plomb à mouiller (sans pour autant dissoudre) le sulfure d'argent, d'importantes quantités de plomb recouvrent les surfaces extérieures des frittes. Il reste donc nécessaire de secouer les condensateurs énergiquement pour les maintenir détachés les uns des autres et les condensateurs
obtenus ont des dimensions mal définies en raison du plomb excé-
dentaire qui adhère aux surfaces extérieures. On peut noter ici qu'il est hautement souhaitable que les dimensions extérieures de condensateurs en céramique soient définies et respectées exactement car de tels condensateurs sont fréquemment alimentés par des machines automatiques et leur manipulation convenable par de telles
machines est fonction des dimensions exactes des condensateurs.
Le brevet des Etats-Unis d'Amérique 4 652 967 représente un autre tentative pour résoudre le problème de la formation des connexions sur des condensateurs remplis de plomb. Selon ce document, on utilise une fritte poreuse formée d'une pâte de Ni3 B. Ce matériau est censé mouiller le plomb, donc retenir le plomb dans les zones vides, sans pour autant être éliminé par une dissolution au cours de l'immersion dans le bain de plomb. Apres cela, une couche conductrice de recouvrement est appliquée par-dessus Les zones de fritte de la céramique imprégnée. Cependant, la méthode décrite dans ce document n'évite pas les problèmes de l'adhérence des condensateurs imprégnés entre eux et de la tendance à la formation d'accumulations de plomb sur les surfaces extérieures de la fritte, avec le résultat qu'un secouage énergique est nécessaire et que des variations dimensionnelles continuent d'exister en
raison de l'adhérence de plomb à l'extérieur.
L'invention vise, en résumé, à procurer un procédé perfectionné pour former des connexions sur des condensateurs du type à remplissage de plomb, de même qu'un produit perfectionné obtenu par ce procédé. Dans ses aspects les plus larges, l'invention consiste à appliquer aux extrémités ou tranches d'un monolithe en céramique, possédant des zones internes vides à remplir d'un matériau pour électrodes, une fritte poreuse, destinée à constituer une connexion, qui comporte des zones intérieures,
adjacentes aux vides, contenant des constituants métalliques faci-
lement mouillés par le plomb fondu utilisé pour remplir les vides.
A ses surfaces extérieures, la fritte possede une composition qui
n'est pas mouillable par le plomb, de sorte qu'il n'y a prati-
quement pas de tendance à l'adhérence de plomb aux surfaces exté-
rieures. Plus précisément, le procédé selon l'invention prévoit l'application d'une fritte composée de matériau poreux et de verre au monolithe en céramique avant le remplissage. La fritte contient un métal choisi de préférence dans le groupe comprenant le
cuivre, le nickel et l'argent ou des combinaisons de ces métaux.
Selon une caractéristique préférée de l'invention, on produit une oxydation du métal, de manière que le métal contenu dans des parties extérieures de la fritte soit fortement oxydé et que les constituants métalliques se trouvant du côté du corps de la plaquette soient maintenus à l'état pur ou à un état de moindre oxydation. On peut obtenir ce résultat en produisant la fusion de la fritte contenant le métal dans un environnement exempt d'oxygène et en la réchauffant ensuite à l'air, ou en produisant la fusion de
la fritte à l'air.
Par suite du traitement d'oxydation, les plaquettes imprégnées, lorsqu'elles sont retirées du bain de plomb fondu, ont tendance à retenir le plomb dans les vides ou cavités puisque le plomb mouille les constituants métalliques intérieurs de la fritte, constituants qui ne sont pas oxydés ou qui sont seulement oxydés légèrement. Par contre, le plomb n'a pratiquement pas tendance à mouiller les constituants métalliques oxydés situés à ou près de la surface extérieure du condensateur. Le résultat en est que les condensateurs sortant du métal fondu se laissent facilement séparer
les uns des autres par un léger secouage. Une conséquence impor-
tante est que, puisque le plomb n'a pratiquement pas tendance à adhérer aux parties extérieures du corps du condensateur ou aux surfaces extérieures non mouillables de la fritte, la taille du condensateur peut être prédite du fait que le condensateur est exempt de plomb adhérant à l'extérieur. Le contact électrique avec les matériaux conducteurs contenus dans la fritte est établi
ensuite par l'une quelconque d'une variété d'opérations de métal-
lisation classiques, telles que placage, pulvérisation ou dépôt en phase vapeur. Les plaquettes ainsi obtenues, dont la taille peut être prédite, conviennent pour une alimentation automatique. Du fait qu'un secouage minimal est nécessaire pour assurer que les plaquettes restent séparées les unes des autres, le risque
d'endommagement des plaquettes est considérablement diminué.
L'un des buts de l'invention est donc d'apporter un procédé perfectionné pour former des connexions ou bornes sur des condensateurs miniatures, en forme de plaquettes, du type à remplissage de plomb. Un autre but de l'invention est d'apporter un procédé de ce type, dans lequel, préalablement au remplissage avec du plomb, on applique aux extrémités du condensateur une couche fondue formant connexion et qui est caractérisée en ce que les parties intérieures de la couche, jouxtant les embouchures des cavités dans le bloc de céramique, contiennent un matériau qui est facilement mouillé par le plomb injecté, tandis que les surfaces extérieures de la fritte fondue ne sont pas mouillables ou sont
seulement mouillables légèrement par le plomb.
Encore un autre but de l'invention est d'apporter un
condensateur perfectionné fabriqué selon ce procédé. Les conden-
sateurs selon l'invention peuvent avoir des caractéristiques dimensionnelles prédéterminées avec précision puisque le plomb n'a pratiquement pas tendance à s'accumuler sur les surfaces exté rieures des connexions et les faibles quantités de plomb pouvant s'y rassembler néanmoins se laissent facilement enlever par un secouage en douceur. L'absence, sur les surfaces extérieures des condensateurs, de constituants mouillés facilement par le plomb a l'avantage supplémentaire que l'on peut réduire à un minimum ou même supprimer l'opération de secouage jusqu'à présent nécessaire
pour séparer les condensateurs remplis de plomb les uns des autres.
En réduisant ce secouage à un minimum, l'endommagement des conden-
sateurs par la formation d'éclats ou des endommagements semblables
sont réduits en conséquence.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention
ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de
plusieurs exemples de mise en oeuvre non limitatifs, ainsi que du dessin schématique annexé, sur lequel: - la figure 1 est une coupe du corps d'un condensateur en céramique avant le remplissage avec du plomb; - la figure 2 est une coupe du condensateur de la figure 1 après application de la fritte poreuse; - la figure 3 est une coupe du corps de condensateur de la figure 2 après l'oxydation de la fritte; - la figure 4 est une coupe du condensateur de la figure 3 après l'imprégnation avec du plomb; et - la figure 5 est une coupe du condensateur de la figure 4 après application d'un revêtement en métal conducteur pour le
raccordement par soudage.
Les figures 1 à 5 montrent schématiquement différents stades de fabrication de condensateurs selon l'invention. La figure 1 représente plus précisément un corps de condensateur 10 en céramique frittée, formée de titanate de baryum ou d'un matériau
céramique semblable, en lui-même connu, ayant une constante diélec-
trique élevée. Le corps 10 peut être fabriqué comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique 3 965 552. La pièce en céramique représentée à titre d'exemple et formant le corps de condensateur , contient des zones vides ou cavités 11 qui s'étendent vers l'intérieur du corps à partir d'une extrémité 12. Les cavités 11 s'étendent jusqu'à proximité mais n'atteignent pas l'extrémité opposée 13 du corps. De façon analogue, des cavités 14 s'étendent vers l'intérieur à partir de l'extrémité 13 du corps et se terminent à une distance relativement faible de l'extrémité ou
tranche 12 du corps.
Ainsi que cela est bien connu dans ce domaine technique, les cavités 11 et 14 sont destinées à être remplies par la suite avec un matériau pour électrodes, du plomb normalement. Comme indique dans le brevet des EtatsUnis d'Amérique 3 965 552 précité, le matériau pour électrodes est typiquement injecté dans les cavités 11 et 14 par l'immersion des corps de condensateurs dans un bain de plomb fondu maintenu à une pression supérieure à la pression atmosphérique. Le plomb est ainsi forcé à pénétrer dans
les cavités pour y former les électrodes.
Pour contrer la tendance du plomb de s'écouler hors des cavités lors du retrait du bain et de la détente à la pression atmosphérique, il est connu de recouvrir les tranches 12, 13 du corps en céramique, avant l'injection du plomb, par une couche céramique poreuse (voir le brevet des Etats-Unis d'Amérique 3 965 552). Cette couche poreuse permet au plomb de s'écouler à l'intérieur des cavités, mais elle empêche le plomb de s'écouler vers l'extérieur au moment o les plaquettes sont retirées du bain et détendues à la pression atmosphériques. La méthode décrite dans ce document implique toutefois l'enlèvement à la meule des couches céramiques poreuses recouvrant les tranches afin d'exposer les
extrémités du plomb injecté en vue de la formation des connexions.
Conformément à l'invention, voir en particulier la
figure 2, on applique sur les tranches 12, 13, de manière à recou-
vrir les embouchures des cavités 11 et 14, une couche de pâte 15 pour la formation des connexions. Selon l'invention, la couche 15 est formée d'une pâte qui, lorsqu'elle est portée à fusion, forme une masse poreuse à travers de laquelle on peut forcer facilement du plomb fondu sous pression. Les pâtes typiques employées jusqu'à présent pour former les connexions, sont constituées d'un mélange de particules céramiques, de verre pilé à bas point de fusion et d'un métal noble, tel que palladium, platine, or, argent et ainsi de suite. De telles frittes ont cependant l'inconvénient (en plus de leur coût éLevé) d'être facilement mouillées par le plomb injecté. Ceci a pour conséquence qu'à la suite de l'imprégnation, d'importantes quantités de plomb adhèrent aux surfaces extérieures de la fritte appliquée, de sorte qu'un secouage énergique à haute température est nécessaire pour séparer les condensateurs entre eux. Même après ce secouage, des quantités appréciables de plomb adhérent encore aux surfaces extérieures de la fritte, de sorte qu'on obtient des condensateurs dont les dimensions géométriques
ne sont pas définies.
Conformément à l'invention, la couche de fritte 15 est formée d'un mélange contenant du verre pilé et un métal oxydé facilement. Ce métal est de préférence choisi dans le groupe comprenant le cuivre, le nickel et des combinaisons d'argent avec du cuivre et du nickel. L'invention n'est cependant pas limitée à ces métaux spécifiques et de nombreux composés métalliques qui satisfont la condition d'être mouillables par le plomb alors que leurs oxydes ne sont pas mouillables par le plomb, peuvent être utilisés à la place des métaux contenus dans les compositions indiquées dans ce qui va suivre sans sortir du cadre de l'invention. A titre d'exemples non limitatifs, deux compositions
préférées pour la fritte sont indiquées ci-après.
Exemple I
% en poids de poudre de nickel 0,6 % d'acide borique 4,1 % d'oxyde de cadmium 6,7 % de trioxyde de bismuth 0,5 % de silice 4,1 % de BCA (acétate de 2-(2-butoxyéthoxy)éthyle) 19 % de liant dans un véhicule organique, comme par exemple 5 % d'éthyl-hydroxyéthylcellulose, 15 % de gomme, 5 % de cire, 75 % d'un mélange de parties approximativement égales de
2-butoxyéthanol et acétate de 2-(2-butoxyéthoxy)éthyle.
Exemple II
-70 % de cuivre en poudre 0,6 % d'acide borique 2-4 % d'oxyde de cadmium 3-7 % de trioxyde de bismuth 0,2-0,5 % de silice 4,1 % de BCA (acétate de 2-(2-butoxyéthoxy)éthyle) 19 % de liant dans un véhicule organique, comme par exemple 5 % d'éthyl-hydroxyéthylcellulose, 15 % de gomme, 5 % de cire, 75 % d'un mélange de parties approximativement égales de
2-butoxyéthanol et acétate de 2-(2-butoxyéthoxy)éthyle.
Les compositions de fritte sont appliquées sous forme
d'une couche de pâte 15 aux tranches 12, 13 du corps de conden-
sateur. Les corps de condensateur pourvus de couches de fritte 15 sont ensuite chauffés à l'air dans un four à tapis continu, jusqu'à une température maximale comprise entre 750 et 800 C, à laquelle ils sont maintenus entre 2 et 10 minutes, le temps de cycle total étant d'environ 15 à 45 minutes. Cette durée peut être variée dans une certaine mesure en fonction de la composition de fritte employée. Il faut noter toutefois que si le chauffage est trop prolongé, les constituants métalliques de la pâte seront oxydés dans toute l'épaisseur de la couche et le mouillage par le plomb des constituants intérieurs des couches de fritte recouvrant les tranches 12, 13 sera incomplet. A l'inverse, si la fritte est
chauffée à l'air pendant un temps insuffisant, les surfaces exté-
rieures exposées de la fritte resteront mouillables par le plomb injecté et les avantages procurés par l'invention ne seront pas
réalisés complètement.
Il est possible aussi, selon une variante de mise en oeuvre, de produire la fusion de la fritte dans un environnement exempt d'oxygène et de chauffer ensuite les plaquettes à l'air ou
dans un environnement oxydant comparable.
La figure 3 représente l'état idéal o le côté intérieur a de la fritte contient un minimum de constituants métalliques oxydés (zone claire sur le dessin), tandis que le côté extérieur
b de la fritte contient principalement des constituants métal-
liques qui ont été oxydés (zone sombre) et qui ont donc ainsi été
rendus non mouillables par le plomb.
La figure 4 montre le corps de condensateur de la figure 3 après qu'il a été soumis à l'injection de plomb. Comme on peut le voir sur cette figure, les cavités 11 et 14 ont été remplies de plomb ou d'alliage de plomb 16, lequel a été forcé à traverser les couches de fritte poreuse 15 que l'on a fait fondre précédemment sur les tranches du corps de condensateur par l'opération ou les opérations décrite(s) de chauffage et d'oxydation. L'injection du
plomb est opérée de façon connue. Des méthodes adéquates pour réa-
liser cette injection comprennent le chargement des pièces en céra-
mique dans un panier en fil métallique que l'on dispose ensuite dans une enceinte étanche au-dessus d'une masse de plomb fondu. Les pièces sont chauffées à 320 C. Quand cette température est atteinte, la pression dans l'enceinte est réduite à environ 1,3 hPa. Le panier est ensuite immergé dans le plomb fondu et la pression dans l'enceinte est augmentée pendant 30 secondes à 2,38 MPa. Apres cela, le panier est retiré du bain de plomb et secoué doucement pendant environ 5 secondes. La pression dans l'enceinte est détendue lorsque les pièces ont été refroidies à une température inférieure à 260 C. Les pièces ainsi obtenues n'ont pratiquement pas de tendance à adhérer ensemble et leurs surfaces
sont à peu près entièrement exemptes de tout revêtement de plomb.
Les couches de fritte 15 sont ensuite revêtues pour former une surface métallique conductrice permettant la réalisation de connexions soudées. Ce revêtement 17, visible sur la figure 5, peut être appliqué par n'importe quel processus de dépôt de métal classique. A titre d'exemple, on peut utiliser un processus classique de dépôt électrolytique de nickel pour folrmer une couche
d'environ 0,6 à 7,5 pm d'épaisseur de nickel, suivi par un proces-
sus classique de dépôt électrolytique d'étain-plomb pour déposer
une couche d'épaisseur semblable de 90 % d'étain et 10 % de plomb.
D'autres processus de métallisation, tels qu'un dépôt en phase vapeur ou une pulvérisation, peuvent être appliqués pour recouvrir
la fritte afin de créer une surface soudable.
Ainsi qu'il ressort de la description qui précède,
l'invention apporte un procédé pour former des connexions sur ce
que l'on appelle des condensateurs remplis de plomb, avec utili-
sation d'un recouvrement poreux des extrémités ou tranches, qui est caractérisé en ce que l'intérieur du recouvrement formant connexion est mouillable à un degré bien plus important par le plomb injecté que la surface extérieure. Selon l'invention, la différence de mouilLabilité est créée en oxydant la fritte de manière que l'oxydation soit plus prononcée du côté intérieur que du côté
extérieur de la fritte.
- Bien que la fusion de la fritte soit produite dans un environnement d'air selon les exemples décrits ici, de sorte que la fusion et l'oxydation s'opèrent simultanément, il est bien entendu possible aussi de produire d'abord la fusion de la fritte dans un environnement inerte et de soumettre ensuite La fritte à des influences oxydantes. Cette procédure est parfois préférable parce qu'elle limite à un degré un peu plus poussé les effets oxydants aux parties extérieures de la fritte, assurant ainsi un meilleur mouillage par le plomb des parties de la couche de fritte situées
le plus à l'intérieur.
Ainsi qu'il ressort également de ce qui précède, de nombreuses modifications sont possibles sans s'écarter du thème central de l'invention, considéré comme étant représenté par un procédé de formation de connexions selon lequel une fritte poreuse, destinée à former des connexions ou bornes, est rendue non mouillable par oxydation sur ses surfaces extérieures, mais reste
mouillable sur ses surfaces intérieures.
Claims (7)
1. Procédé pour fabriquer un condensateur en céramique, du type à remplissage de plomb, à partir d'un monolithe en céramique présentant des vides destinés à recevoir des électrodes, les vides s'étendant alternativement jusqu'à une extrémité et jusqu'à l'extrémité opposée du monolithe, caractérisé en ce qu'il comprend le revêtement des extrémités ou tranches (12, 13) du monolithe (10) par une pâte (15) destinée à former une connexion et composée de fritte et d'au moins un métal susceptible d'être oxydé lorsqu'il est chauffé dans un environnement oxydant, le métal choisi ayant la particularité qu'il est mouillable par le plomb et que son oxyde est pratiquement pas mouillable par le plomb, le chauffage de ce monolithe (10) pour produire la fusion de la fritte, l'exposition à chaud du revêtement (15) ainsi formé à un environnement oxydant pendant un temps suffisant pour entraîner L'oxydation sensiblement complète des constituants métalliques de la pâte (15) à la surface ou à proximité de la surface extérieure du revêtement, tandis que
les constituants métalliques contenus dans les parties du revê-
tement éloignées de ces surfaces extérieures restent dans un état non oxydé ou dans un état moins oxydé, l'injection consécutive de plomb dans les vides (11, 14), à travers ce revêtement, puis l'application d'une couche métallique conductrice (17) par-dessus
ce revêtement.
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composant métallique de la pâte (15) est formé par un ou plusieurs
des métaux du groupe comprenant le cuivre, le nickel et l'argent.
3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la pâte (15) est chauffée dans un environnement oxydant pour produire simultanément la fusion de la fritte et l'oxydation du composant
métallique dans la pâte du côté de la surface extérieure du revê-
tement.
4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la pâte (15) est portée à fusion dans un environnement exempt d'oxygène et le monolithe (10) portant cette pâte est ensuite chauffé dans un environnement oxydant pour produire l'oxydation du composant métallique de la pâte du côté de la surface extérieure de ceLLe-ci, tandis que La partie restante du composant métallique de La pâte, du côté du monolithe (10), reste essentiellement exempte d'oxydation.
5. Procédé pour fabriquer un condensateur en céramique, du type à remplissage de plomb, à partir d'un monolithe en céramique présentant des vides destinés à recevoir des électrodes, les vides s'étendant alternativement jusqu'à une extrémité et jusqu'à l'extrémité opposée du monolithe, caractérisé en ce qu'il comprend le recouvrement des tranches (12, 13) du monolithe (10) par une pâte (15) destinée à former une connexion et composée de verre piLé et d'un métal choisi dans le groupe comprenant le cuivre et le nickel, le chauffage du monolithe (10) dans un environnement oxydant pour produire la fusion de la fritte et l'oxydation du composant métallique aux surfaces extérieures ou à proximité des surfaces extérieures de la pâte (15), le composant métallique du côté intérieur de la pâte restant à l'état non oxydé ou à l'état moins oxydé que le métal du côté des surfaces extérieures de la pâte, l'injection consécutive de plomb fondu dans le monolithe, de manière à remplir sensiblement les vides (11, 14) en y formant des électrodes, puis l'application d'un revêtement conducteur (17)
par-dessus les surfaces extérieures de la pâte (15).
6. Condensateur en céramique, du type rempli de plomb pour former les électrodes, caractérisé en ce qu'il est fabriqué par le
procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4.
7. Condensateur en céramique, du type rempli de plomb pour former les électrodes, caractérisé en ce qu'il est fabriqué par le
procédé selon la revendication 5.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/214,513 US4881308A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Method of terminating lead filled capacitor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2633771A1 true FR2633771A1 (fr) | 1990-01-05 |
FR2633771B1 FR2633771B1 (fr) | 1991-02-01 |
Family
ID=22799366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR888817539A Expired - Lifetime FR2633771B1 (fr) | 1988-07-01 | 1988-12-30 | Procede pour former des connexions sur un condensateur rempli de plomb et condensateur ainsi obtenu |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4881308A (fr) |
JP (1) | JPH0239409A (fr) |
DE (1) | DE3900741A1 (fr) |
FR (1) | FR2633771B1 (fr) |
GB (1) | GB2220301B (fr) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0412259B1 (fr) * | 1989-06-16 | 1995-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositifs électroniques, méthode pour la formation de leurs terminaisons finales et pâte pour former ceux-ci |
JP2852372B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1999-02-03 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JPH03225810A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Rohm Co Ltd | 積層型コンデンサーにおける端子電極膜の構造及び端子電極膜の形成方法 |
US5216573A (en) * | 1992-08-21 | 1993-06-01 | Avx Corporation | Lead filled ceramic capacitor and method of making same |
JP2967660B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1999-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US6661639B1 (en) * | 2002-07-02 | 2003-12-09 | Presidio Components, Inc. | Single layer capacitor |
US6950300B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-09-27 | Marvell World Trade Ltd. | Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor |
US6885539B1 (en) | 2003-12-02 | 2005-04-26 | Presidio Components, Inc. | Single layer capacitor |
US20070084043A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Sb Electronics | Conductive Adhesive Attachment of Capacitor Terminals |
KR102032757B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2019-10-17 | 삼성전기주식회사 | 외부전극용 전도성 페이스트, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
US20170200556A1 (en) * | 2016-01-11 | 2017-07-13 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electric component |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3965552A (en) * | 1972-07-24 | 1976-06-29 | N L Industries, Inc. | Process for forming internal conductors and electrodes |
EP0092912A2 (fr) * | 1982-03-30 | 1983-11-02 | Stc Plc | Condensateurs multicouches à diélectrique-céramique |
US4652967A (en) * | 1985-02-21 | 1987-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
EP0260427A1 (fr) * | 1986-08-18 | 1988-03-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Composant à couches imprégnées et son procédé de fabrication |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3679950A (en) * | 1971-04-16 | 1972-07-25 | Nl Industries Inc | Ceramic capacitors |
US3879695A (en) * | 1973-10-03 | 1975-04-22 | Cutler Hammer Inc | Rejection type fuseholder |
US4241378A (en) * | 1978-06-12 | 1980-12-23 | Erie Technological Products, Inc. | Base metal electrode capacitor and method of making the same |
GB2104291A (en) * | 1981-08-04 | 1983-03-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Multilayer ceramic dielectric capacitors |
GB2119571B (en) * | 1982-03-30 | 1985-12-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Terminals for multilayer ceramic dielectric capacitors |
-
1988
- 1988-07-01 US US07/214,513 patent/US4881308A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-09 GB GB8826203A patent/GB2220301B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-26 JP JP63328784A patent/JPH0239409A/ja active Granted
- 1988-12-30 FR FR888817539A patent/FR2633771B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-12 DE DE3900741A patent/DE3900741A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3965552A (en) * | 1972-07-24 | 1976-06-29 | N L Industries, Inc. | Process for forming internal conductors and electrodes |
EP0092912A2 (fr) * | 1982-03-30 | 1983-11-02 | Stc Plc | Condensateurs multicouches à diélectrique-céramique |
US4652967A (en) * | 1985-02-21 | 1987-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
EP0260427A1 (fr) * | 1986-08-18 | 1988-03-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Composant à couches imprégnées et son procédé de fabrication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3900741A1 (de) | 1990-01-11 |
FR2633771B1 (fr) | 1991-02-01 |
GB8826203D0 (en) | 1988-12-14 |
GB2220301B (en) | 1992-08-19 |
JPH0239409A (ja) | 1990-02-08 |
US4881308A (en) | 1989-11-21 |
GB2220301A (en) | 1990-01-04 |
JPH0470766B2 (fr) | 1992-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2568053A1 (fr) | Procede de fabrication d'un condensateur ceramique multicouche et condensateur ainsi obtenu | |
FR2633771A1 (fr) | Procede pour former des connexions sur un condensateur rempli de plomb et condensateur ainsi obtenu | |
EP0145599B1 (fr) | Substrat d'interconnexion en alumine pour composant électronique, et procédé pour sa fabrication | |
FR2562561A1 (fr) | Procede pour accroitre la mouillabilite d'une surface par un metal fondu | |
EP0370897B1 (fr) | Procédé de préparation d'un matériau de contact électrique et procédé de fabrication d'un élément de contact incorporant un tel matériau | |
FR2752334A1 (fr) | Dispositif a semiconducteurs muni d'un cadre de montage et son procede de fabrication | |
FR2532219A1 (fr) | Procede de brasage pour la fabrication de boitiers plats, et boitiers plats pour composants electroniques | |
FR2645337A1 (fr) | Procede de formation de terminaisons de condensateurs ceramiques a faible inductance par des techniques de pellicules minces, et condensateur obtenu | |
EP3134219B1 (fr) | Moule pour fonderie monocristalline | |
FR2625602A1 (fr) | Procede de fabrication de condensateurs electrolytiques a l'aluminium et condensateur a anode integree obtenu par ce procede | |
EP1105247B1 (fr) | Procede d'assemblage par soudage diffusion d'un acier inoxydable martensitique et d'un alliage de cuivre, et element bimetallique obtenu | |
FR2513804A1 (fr) | Condensateur en ceramique perfectionne et son procede de fabrication | |
WO2020254145A1 (fr) | Procede de fabrication additive par faisceau laser d'une piece mecanique a fonction technique et/ou decorative et piece mecanique a fonction technique et/ou decorative | |
FR2993579A1 (fr) | Procede de revetement et revetement pour contact a insertion a force | |
EP0024984B1 (fr) | Procédé de fabrication de pièces en alliage à base de titane par métallurgie des poudres | |
EP1440045B1 (fr) | Procede de metallisation et/ou de brasage par un alliage de silicium de pieces en ceramique oxyde non mouillable par ledit alliage | |
FR2575331A1 (fr) | Boitier pour composant electronique | |
FR2688154A1 (fr) | Procede d'obtention de pieces bimateriaux par surmoulage d'un insert revetu d'un film metallique. | |
FR2619562A1 (fr) | Procede pour sceller deux articles ceramiques ou ceramique et metallique | |
FR2488045A1 (fr) | Procede pour l'obtention d'inclusions electriquement conductrices dans des films minces | |
US4935843A (en) | Lead filled ceramic capacitor | |
FR2642257A1 (fr) | Procede de scellement verre-aluminium, notamment pour traversee electrique de boitier de circuit hybride, objet composite et composition de verre correspondants | |
FR2626270A1 (fr) | Procede de cofrittage, de conducteurs en cuivre ou en alliages a base de cuivre et de leur substrat ceramique en cordierite | |
US5216573A (en) | Lead filled ceramic capacitor and method of making same | |
FR2607967A1 (fr) | Procede de fabrication d'electrodes plastifiees pour accumulateurs |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |