FR2573325A1 - Appareil et procede pour faire des depots de vapeur sur des plaquettes - Google Patents
Appareil et procede pour faire des depots de vapeur sur des plaquettes Download PDFInfo
- Publication number
- FR2573325A1 FR2573325A1 FR8516907A FR8516907A FR2573325A1 FR 2573325 A1 FR2573325 A1 FR 2573325A1 FR 8516907 A FR8516907 A FR 8516907A FR 8516907 A FR8516907 A FR 8516907A FR 2573325 A1 FR2573325 A1 FR 2573325A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- receiver
- support
- radio frequency
- support means
- piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
A.APPAREIL ET PROCEDE POUR FAIRE DES DEPOTS DE VAPEUR SUR DES PLAQUETTES. B.APPAREIL CARACTERISE EN CE QU'IL SE COMPOSE D'UN MOYEN 2 FORMANT UNE CHAMBRE DE REACTION, D'UN MOYEN DE SUPPORT 1 PLACE A L'INTERIEUR DE LA CHAMBRE 2, D'UN RECEPTEUR 3 EN FORME DE PLAQUE PORTE PAR LE MOYEN DE SUPPORT 1 SUIVANT UN ANGLE NON PERPENDICULAIRE A LA DIRECTION HORIZONTALE, D'UNE BOBINE A INDUCTION 4 DE FREQUENCE RADIO PLACEE DERRIERE LE RECEPTEUR 3, D'UN MOYEN DE SUPPORT DE PIECES 5 POUR SUPPORTER UNE PIECE A TRAITER CONTRE LE RECEPTEUR 3 ET D'UN MOYEN D'ALIMENTATION EN GAZ DISPOSE DE FACON A DIRIGER UN GAZ DE REACTION SUR LA PIECE PORTEE PAR LE MOYEN DE SUPPORT DE FACON A GENERER SUR LA PIECE UNE COUCHE DE DEPOT DE VAPEUR. C.L'INVENTION CONCERNE UN APPAREIL ET UN PROCEDE POUR FAIRE DES DEPOTS DE VAPEUR SUR DES PLAQUETTES.
Description
Appareil et procédé pour faire des dépôts de vapeur sur
des plaquettes ".
La présente invention concerne un appareil et un procédé pour faire des dépôts de vapeur sur des plaquettes. L'invention concerne de façon générale le domaine des appareils de dépôt à la vapeur utilisant un récepteur en forme de plaque pour recevoir une plaquette sur laquelle on veut développer un film. Une unité de
chauffage de fréquence radio fournit la chaleur à la pla-
quette placée sur le récepteur. La température de la pla-
quette est suffisante pour provoquer la réaction chimique du gaz de réaction introduit dans la chambre et former un
film à la surface de la plaquette.
Les appareils et procédés classiques
de dép8t à la valeur sont classés essentiellement en sys-
tèmes de dépôt à la vapeur, de type vertical et de type
à tambour.
Dans un appareil de dépôt à la vapeur de type vertical, le récepteur est disposé horizontalement dans un élément en forme de cloche; une bobine d'induction de fréquence radio est placée sous le récepteur et une buse d'alimentation en gaz de réaction passe par le milieu
du récepteur et de la bobine. Dans ce montage, le récep-
teur tourne par rapport à la buse au cours du dépôt de vapeur. Dans un appareil de dép8t de vapeur de type à tambour, on a un récepteur en forme de cône hexagonal placé dans un récipient en forme de cloche. Une lampe servant à chauffer le récepteur par rayonnement est
placée à l'extérieur du récipient en forme de cloche.
Dans la partie supérieure du récipient en forme de cloche il y a un orifice d'alimentation de gaz de réaction. Dans ce type de montage, le récepteur tourne par rapport à l'élément en forme de cloche au cours du procédé de dépôt
de vapeur.
Comme le diamètre des plaquettes traitées dans les appareils de dépôt à la vapeur de type
vertical, classiques, augmente, les diamètres des récep-
teurs et des récipients en forme de cloches doivent néces-
sairement augmenter, ce qui augmente l'encombrement de
l'appareil.
De la même manière dans un appareil de dépôt à la valeur à barillet, classique, l'ensemble de l'appareil devient encombrant à mesure que la dimension
des plaquettes augmente. Il en résulte un entretien déli-
cat et un temps d'évacuation plus long, ce qui augmente
la durée du cycle de fabrication. Le chauffage par rayon-
nement à l'aide d'une lampe présente un rendement très faible par comparaison au chauffage par induction à la fréquence radio. De plus, comme le récepteur est un cône hexagonal, il est difficile d'améliorer le rendement en
automatisant le chargement en plaquettes.
La présente invention a pour but de
remédier aux inconvénients des solutions connues et con-
cerne à cet effet un appareil de dépôt à la vapeur ainsi
qu'un procédé de mise en oeuvre.
L'appareil comporte un moyen formant
une chambre de réaction et un support placé dans la cham-
bre. Le support porte le récepteur en forme de plaque
suivant un angle qui n'est pas perpendiculaire à la direc-
tion horizontale. Un enroulement d'induction à fréquence radio est placé derrière le récepteur pour chauffer ce dernier. Un support de produit est prévu pour porter un
produit à traiter contre le récepteur. Un moyen d'alimen-
tation en gaz dirige le gaz de réaction sur le produit placé sur le support; on augmente la température du pro- duit de façon suffisante à l'aide des courants induits de fréquence radio pour que le composé-vapeur contenu dans l'atmosphère se décompose et forme une couche de
dépôt à la surface de la plaquette.
Suivant une caractéristique de l'in-
vention, l'appareil comporte un moyen d'entrée de gaz qui est réglable angulairement par rapport au récepteur et
une conduite d'entrée qui peut tourner autour de son axe.
Suivant un autre mode de réalisation préférentiel de l'invention, le moyen de support de la
plaquette comporte une paire de broches de support, écar-
tées l'une de l'autre prévues sur le récepteur. L'élément de base formant le moyen de support est de préférence
sous la forme d'un V renversé et la ou les bobines d'in-
duction de fréquence radio ainsi que le ou les récepteurs
étant prévus respectivement sur les faces opposées de cha-
que branche de la forme en V. La bobine d'induction de fréquence radio est de préférence sous la forme d'une
spirale plate.
Comme le récepteur est un élément en forme de plaque incliné par rapport à la direction horizontale dans l'appareil de dépot à la vapeur selon
l'invention, on peut placer une plaquette de grand diamè-
tre sur le récepteur et cela dans un faible encombrement, ce qui donne un appareil compact. Comme l'appareil de dépot à la vapeur peut être globalement réalisé de façon compacte, cela simplifie les travaux d'entretien; cela
permet de réduire la durée de mise sous vide et de rédui-
re ainsi la durée du cycle de production. Il en résulte
une amélioration du rendement de l'appareil.
Comme le récepteur comporte un élé-
ment en forme de plaque, le chargement de la plaque peut facilement se faire de façon automatique, ce qui améliore
également le rendement par comparaison au cas d'un récep-
teur constitué par un cône hexagonal. La bobine d'induction de fréquence radio se trouvant derrière la surface de support de la
plaquette, cela améliore également le rendement du chauf-
fage.
COURTE DESCRIPTION DES DESSINS:
La présente invention sera décrite
de façon plus détaillée à l'aide d'un exemple de réalisa-
tion représenté dans les dessins annexes, dans lesquels: - la figure 1 est une vue de côté partiellement en élévation et partiellement en coupe d'un
appareil de dépôt à la vapeur selon un mode de réalisa-
tion préférentiel de l'invention.
- - la figure 2 est une coupe transver-
sale de l'appareil selon la ligne II-II de la figure 1.
DESCRIPTION D'UN MODE DE REALISATION PREFERENTIEL:
Selon les figures 1 et 2, l'appareil de dépôt à la vapeur se compose d'un élément de base 1 en forme d'un V renversé placé dans un récipient en forme de cloche 2 en quartz. L'intérieur du récipient 2 en forme de cloche délimite une chambre de réaction pour effectuer le dépôt. L'élément de base 1 sert de couvercle
à l'enroulement et de support pour le récepteur.
Une paire de récepteurs 3 en forme de
plaques en graphite ou analogue sont prévus sur les bran-
ches de l'élément de base 1 en forme de V. Des enroule-
ments à induction 4 à fréquence radio constitués par des spirales plates sont placés à l'intérieur de l'élément de base 1 dans des positions correspondant à l'emplacement des récepteurs 3. Deux broches de support 5 sont prévues au voisinage de l'extrémité inférieure de chaque récepteur
3 pour porter la plaquette à traiter.
Une paire d'ensembles à buses 6 est prévue à l'intérieur du récipient en forme de cloche 2 en quartz. Chaque ensemble 6 comporte un certain nombre d'orifices ou de buses 7 en regard pratiquement de toute la surface du récepteur 3 correspondant. L'inclinaison de l'ensemble 6 peut se régler par rapport au récepteur 3
correspondant; l'ensemble 6 comporte lui-même une con-
duite d'entrée qui peut tourner autour de son axe.
Pour effectuer le dépôt à la vapeur dans l'appareil décrit ci-dessus, on place les plaquettes
8 sur deux broches de support 5*sur le récepteur 3 corres-
pondant. Les plaquettes 8 sont ainsi en contact intime avec les récepteurs 3 et sont soumises aux courants induits de fréquence radio émis par les bobines de fréquence
radio 4 placées sur la face opposée de la branche de l'élé-
ment de base 1 en forme de V, par rapport à la face des
récepteurs 3 en forme de plaques.
Le réglage angulaire de l'assemblage de buses 6 par rapport aux récepteurs 3 est tel que les
axes des buses des assemblages 6 soient pratiquement per-
pendiculaires à la surface correspondante des récepteurs 3. Les enroulements à induction 4 à fréquence radio sont alimentés de façon à chauffer les plaquettes 8 à travers l'élément de base 1 et les récepteurs 3. A ce moment, les buses 6 peuvent être tournées autour de leur axe; le gaz de réaction qui est un mélange d'un composé décomposable du matériau à déposer sur la plaquette et combiné à de l'hydrogène gazeux comme gaz vecteur est fourni par les
ouvertures 7.
La réaction de décomposition chimique se produit dans la chambre et un film de matière appropriée se développe à la surface des plaquettes 8. Les gaz ayant réagi et les gaz n'ayant pas réagi ainsi que l'hydrogène gazeux comme gaz vecteur sont dirigés vers le bas et sont évacués à l'extérieur du récipient 2 en forme de cloche à travers l'intervalle qui subsiste entre le récipient 2
et la base i comme cela est indiqué par les flèches ver-
ticales. Dans l'appareil de dépôt de vapeur décrit ci-dessus, comme les buses 6 fournissant le gaz de réaction peuvent se régler angulairement par rapport aux récepteurs 3 correspondants et comme les assemblages peuvent tourner autour de leur axe, le gaz de réaction est projeté uniformément sur les plaquettes 8 qui donnent des produits de grande qualité dont les films déposés
présentent une épaisseur uniforme.
Claims (4)
1 ) Appareil de dép8t à la vapeur
caractérisé en ce qu'il se compose d'un moyen (2) for-
mant une chambre de réaction, d'un moyen de support (1) placé à l'intérieur de la chambre (2), d'un récepteur (3)
en forme de plaque porté-par le moyen de support (1) sui-
vant un angle non perpendiculaire à la direction horizon-
tale, une bobine à induction (4) de fréquence radio pla-
cée derrière le récepteur (3), un moyen de support de pièces (5) pour supporter une pièce à traiter contre le récepteur (3) et un moyen d'alimentation en gaz disposé de façon à diriger un gaz de réaction sur la pièce portée par le moyen de support de façon à générer sur la pièce
une couche de dépôt de vapeur.
2Q) Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le. moyen d'alimentation en gaz
(6, 7) est réglable angulairement par rapport au récep-
teur (3).
3 ) Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen d'alimentation en gaz (6, 7) se compose d'une conduite d'entrée tournant autour
de son axe.
4 ) Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de support de pièces (5) se compose d'une paire de branches de support de
pièces prévues sur le récepteur (3).
) Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de support (1) se présente sous la forme d'un V renversé avec au moins une bobine d'induction de fréquence radio (4) et un récepteur (3), ces deux moyens étant prévus sur les faces opposées d'une branche du support en forme de V. 6 ) Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la bobine d'induction (4) de fréquence radio se présente sous la forme d'une spirale plate. 7 ) Procédé pour développer un film sur un support en forme de plaquette, procédé caractérisé en ce qu'on place le support contre un récepteur-plan incliné par rapport à l'horizontale, on dirige une veine de gaz de réaction contenant un composé décomposable du film à déposer vers le support et on chauffe le récepteur
par les courants de fréquence radio induits à une tempé-
rature suffisante pour décomposer le composant et déposer
le film sur le support.
8 ) Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le gaz de réaction contient de
l'hydrogène comme gaz vecteur.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241917A JPS61122194A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 気相反応装置 |
| JP24191884A JPS61122196A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 気相反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2573325A1 true FR2573325A1 (fr) | 1986-05-23 |
| FR2573325B1 FR2573325B1 (fr) | 1993-08-20 |
Family
ID=26535513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8516907A Expired - Fee Related FR2573325B1 (fr) | 1984-11-16 | 1985-11-15 | Appareil et procede pour faire des depots de vapeur sur des plaquettes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4651674A (fr) |
| DE (1) | DE3540628C2 (fr) |
| FR (1) | FR2573325B1 (fr) |
| GB (1) | GB2169003B (fr) |
| NL (1) | NL8503163A (fr) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8620273D0 (en) * | 1986-08-20 | 1986-10-01 | Gen Electric Co Plc | Deposition of thin films |
| CH687258A5 (de) * | 1993-04-22 | 1996-10-31 | Balzers Hochvakuum | Gaseinlassanordnung. |
| JP3162313B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
| JP4856308B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2012-01-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及び経由チャンバー |
| JP2002203885A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Anelva Corp | インターバック型基板処理装置 |
| DE10140761B4 (de) * | 2001-08-20 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Wafer-Handhabungsvorrichtung |
| US20050098107A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross-flow liner |
| US20050121145A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-06-09 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors |
| JP5109376B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
| KR101431197B1 (ko) * | 2008-01-24 | 2014-09-17 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법 |
| JP5075793B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 可動ガス導入構造物及び基板処理装置 |
| WO2010055876A1 (fr) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 株式会社アルバック | Dispositif de dépôt de pellicule mince organique, dispositif de fabrication d’élément el organique, et procédé de dépôt de pellicule mince organique |
| KR101499228B1 (ko) * | 2008-12-08 | 2015-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 증착 방법 |
| TWI460067B (zh) * | 2010-02-24 | 2014-11-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 表面活化處理裝置 |
| US8409407B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-04-02 | Primestar Solar, Inc. | Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates |
| US9941100B2 (en) * | 2011-12-16 | 2018-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1115508A (en) * | 1964-09-14 | 1968-05-29 | Siemens Ag | Improvements in or relating to the expitaxial deposition of semiconductor material |
| GB1124330A (en) * | 1965-01-29 | 1968-08-21 | Siemens Ag | Improvements in or relating to the epitaxial deposition of crystalline layers |
| GB2015982A (en) * | 1978-03-07 | 1979-09-19 | Thomson Csf | Epitaxial layers of indium phosphide |
| JPS60116783A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Canon Inc | 堆積膜製造装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3659552A (en) * | 1966-12-15 | 1972-05-02 | Western Electric Co | Vapor deposition apparatus |
| US3637434A (en) * | 1968-11-07 | 1972-01-25 | Nippon Electric Co | Vapor deposition apparatus |
| US3645230A (en) * | 1970-03-05 | 1972-02-29 | Hugle Ind Inc | Chemical deposition apparatus |
| US3796182A (en) * | 1971-12-16 | 1974-03-12 | Applied Materials Tech | Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor |
| US3980854A (en) * | 1974-11-15 | 1976-09-14 | Rca Corporation | Graphite susceptor structure for inductively heating semiconductor wafers |
| JPS5747711A (en) * | 1980-08-08 | 1982-03-18 | Fujitsu Ltd | Chemical plasma growing method in vapor phase |
| GB2089840B (en) * | 1980-12-20 | 1983-12-14 | Cambridge Instr Ltd | Chemical vapour deposition apparatus incorporating radiant heat source for substrate |
| US4468283A (en) * | 1982-12-17 | 1984-08-28 | Irfan Ahmed | Method for etching and controlled chemical vapor deposition |
-
1985
- 1985-11-15 FR FR8516907A patent/FR2573325B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-15 US US06/798,295 patent/US4651674A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-15 DE DE3540628A patent/DE3540628C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-15 NL NL8503163A patent/NL8503163A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-11-15 GB GB08528217A patent/GB2169003B/en not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1115508A (en) * | 1964-09-14 | 1968-05-29 | Siemens Ag | Improvements in or relating to the expitaxial deposition of semiconductor material |
| GB1124330A (en) * | 1965-01-29 | 1968-08-21 | Siemens Ag | Improvements in or relating to the epitaxial deposition of crystalline layers |
| GB2015982A (en) * | 1978-03-07 | 1979-09-19 | Thomson Csf | Epitaxial layers of indium phosphide |
| JPS60116783A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Canon Inc | 堆積膜製造装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 9, no. 267 (C-310)[1990], 24 octobre 1985; & JP-A-60 116 783 (CANON K.K.) 24-06-1985 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2573325B1 (fr) | 1993-08-20 |
| GB8528217D0 (en) | 1985-12-18 |
| GB2169003A (en) | 1986-07-02 |
| DE3540628C2 (de) | 1994-09-29 |
| GB2169003B (en) | 1987-12-31 |
| US4651674A (en) | 1987-03-24 |
| DE3540628A1 (de) | 1986-07-03 |
| NL8503163A (nl) | 1986-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2573325A1 (fr) | Appareil et procede pour faire des depots de vapeur sur des plaquettes | |
| EP0334432B1 (fr) | Réacteur d'épitaxie à paroi protégée contre les dépôts | |
| US6090211A (en) | Apparatus and method for forming semiconductor thin layer | |
| EP0049380A1 (fr) | Dispositif de déposition chimique activée sous plasma | |
| FR2484463A1 (fr) | Procede et appareil de revetement par pulverisation ionique sans gaz | |
| JP4238772B2 (ja) | 載置台構造及び熱処理装置 | |
| FR2461424A1 (fr) | Element poreux de chauffage electrique en carbure de silicium fibreux, son procede de fabrication, et dispositif de transmission de chaleur contenant un tel element | |
| US8475596B2 (en) | Apparatus to process coating material using flame nozzle and evaporation deposition device having same | |
| FR2930561A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur. | |
| FR2711274A1 (fr) | Appareil pour le dépôt chimique en phase vapeur. | |
| FR2573917A1 (fr) | Appareil et procede de depot a la vapeur pour la realisation de semi-conducteurs | |
| EP0252542A1 (fr) | Dispositif modulaire pour l'application de micro-ondes en vue notamment du chauffage, sechage ou torrefaction d'un materiau | |
| FR2550941A1 (fr) | ||
| JP3273247B2 (ja) | エピタキシャル成長炉 | |
| EP0743377A1 (fr) | Dispositif de traitement chimique superficiel d'un échantillon plat au moyen d'un gaz actif | |
| JPH0726379A (ja) | 薄膜の形成方法及びその装置 | |
| JP3298001B2 (ja) | エピタキシャル成長炉 | |
| CH322266A (fr) | Procédé pour plaquer un métal sur un objet conducteur de l'électricité, appareil pour la mise en oeuvre de ce procédé et objet plaqué obtenu par ce procédé | |
| FR2545985A1 (fr) | Dispositif pour l'introduction et le retrait de semi-conducteurs dans un four | |
| JP2009059994A (ja) | エピタキシャル成長炉とその運転方法 | |
| JPS61216420A (ja) | 気相成長装置 | |
| FR2847911A1 (fr) | Procede de renforcement du trou debouchant d'un corps creux par une technique de synthese du diamant, reacteur de mise en oeuvre et corps creux obtenu | |
| JPH0376112A (ja) | 気相成長装置 | |
| FR2739871A1 (fr) | Dispositif d'injection de gaz dans un reacteur de depot chimique en phase vapeur | |
| FR2623524A1 (fr) | Perfectionnement au procede et au dispositif de depot metallique sur un echantillon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |