FR2566962A1 - Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible - Google Patents

Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible Download PDF

Info

Publication number
FR2566962A1
FR2566962A1 FR8410347A FR8410347A FR2566962A1 FR 2566962 A1 FR2566962 A1 FR 2566962A1 FR 8410347 A FR8410347 A FR 8410347A FR 8410347 A FR8410347 A FR 8410347A FR 2566962 A1 FR2566962 A1 FR 2566962A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
integrated circuit
photosensitive
circuit according
transparent plate
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8410347A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2566962B1 (fr
Inventor
Alain Astier
Pierre Esteve
Daniel Woehrn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Priority to FR8410347A priority Critical patent/FR2566962B1/fr
Publication of FR2566962A1 publication Critical patent/FR2566962A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2566962B1 publication Critical patent/FR2566962B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE LE DOMAINE DES CIRCUITS INTEGRES PHOTOSENSIBLES. UNE PLAQUE TRANSPARENTE 2 EST COLLEE SUR LA ZONE PHOTOSENSIBLE DU CIRCUIT INTEGRE1. LE CIRCUIT INTEGRE EST COLLE SUR UNE GRILLE METALLIQUE3 SERVANT DE SUPPORT. DES CONNEXIONS4 RELIENT LES PLOTS DU CIRCUIT A CEUX DE LA GRILLE. UN ENROBAGE6 DE RESINE ENTOURE NOTAMMENT LA PARTIE DE LA GRILLE3 PORTANT LE CIRCUIT ET LE CIRCUIT1 EXCEPTE LA PLAQUE TRANSPARENTE2 RECOUVRANT SA ZONE PHOTOSENSIBLE.

Description

CIRCUIT INTEGRE PHOTOSENSIBLE COMPORTANT
UNE PLAQUE TRANSPARANTE COLLEE SUR
SA ZONE PHOTOSENSIBLE La présente invention concerne un circuit intégré photo sensible comportant une plaque transparente collée sur sa zone photosensible.
il est connu de monter les pastilles de circuits intégrés photosensibles dans des bottiers en métal Ou en céramique. Des connexions relient les plots de la pastille à ceux du bottier.
Etant donné le caractère photosensible de ces circuits inté- grés, ils sont fermés par un couvercle transparent au rayonnement que l'on veut analyser ou comportent une partie transparente placée en regard de la zone photosensible du circuit intégré.
Ces bottiers ont pour inconvénient d'être coûteux. De plus, il faut monter chaque pastille dans son bottier, réaliser les connexions et l'encapsulation, avec une automatisation plus réduite que pour une filière avec encaps ulation pour toutes ces opérations, ce qui entratne un cott élevé en main d'oeuvre. Enfin, ces bottiers ne sont pas fabriqués en France mais seulement par un ou deux pays étrangers, ce qui peut entratner des problèmes d'approvisionnement.
La présente invention permet de résoudre de façon simple et efficace les problèmes qui viennent être évoqués à propos du co#t des boîtiers, du coût de la main d'oeuvre et de l'approvisionnement.
La présente invention concerne un circuit intégré phots sensible caractérisé en ce que:
- ce circuit intégré est collé sur une grille métallique servant de support;
- des connexions relient les plots du circuit à ceux de la grille;
- une plaque transparente est collée sur sa zone photosensible 7
- un enrobage de résine entoure notamment la partie de la grille portant le circuit et le circuit, excepté la plaque transparente recouvrant sa zone photosensible.
Parmi les avantages de la présente invention, on peut citer le fait qu'on n'utilise plus de boîtier. De plus, les matériaux utilisés par l'invention sont disponibles en France ourlet dans de nombreux pays, ce qui élimine les problèmes d'approvisionnement. Enfin, il est possible de renforcer l'automatisation dans la mesure où l'on se rapproche le plus possible des filières standards d'encapsulation plastique.
Selon l'invention, une plaque transparente est collée à la surface même du substrat semi-conducteur, au niveau de sa zone photosensible. Cette plaque protège la zone photosensible et assure le passage du rayonnement à analyser, alors que le reste du circuit intégré, monté sur une grille métallique servant de support, est enrobé dans de la résine qui peut être opaque.
Signalons qu'il est connu de monter les circuits intégrés non photosensibles sur des grilles métalliques servant de support, et appelées "lead frame" en anglais.
On réalise les connexions entre les plots de la pastille de circuit intégré et ceux de la grille. Ensuite, on enrobe dans de la résine opaque, généralement noire ou grise, la pastille de circuit intégré et la partie de la grille sur laquelle elle repose.
On pourrait, en théorie, envisager de remplacer la résine opaque qui est couramment utilisée par une résine translucide de façon à appliquer la technique qui vient d'être exposée aux circuits intégrés photosensibles.
D'un point de vue pratique, les résines translucides sont chères et leurs qualités optiques sont peu satisfaisantes. Cette solution doit donc être abandonnée.
L'invention propose une nouvelle solution où l'on retrouve la grille métallique servant de support, et l'enrobage en résine, généralement opaque, mais selon l'invention une plaque transparente est collée sur la zone photosensible du circuit intégré et cette plaque n'est pas recouverte par l'enrobage de résine.
D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent:
- la figure l une vue de dessus d'un mode de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention;
- la figure 2, une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention.
Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais, pour des raisons de clarté, les cotes et proportions de divers éléments ne sont pas respectées.
La figure I représente de façon schématique une vue de dessus d'un mode de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention.
Sur cette figure, le rectangle repéré par la référence représente une pastille de circuit intégré photosensible, montée sur une grille métallique servant de support et désignée par la référence 3.
Sur la figure 2 qui est une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention, on a représenté le circuit intégré 1 collé sur la grille 3 par une couche de colle 7, qui assure un bon contact électrique et thermique.
Sur la figure 1, on a représenté quelques unes des connexions 4 qui sont soudées aux plots du circuit intégré 1 et aux plots de la grille. On désigne sur cette figure par la référence 5 les 'ffpattes' de la grille qui seront par la suite pliées à 900.
Sur la figure 1 le rectangle 2, de plus faibles dimensions, représente la plaque transparente qui est collée sur la zone photosensible du circuit intégré 1.
On utilise généralement une plaque de verre de qualité optique. Cette plaque a généralement quelques millimètres de coté.
Elle est collée sur le substrat semi-conducteur par une couche de colle 8, de qualité optique de même indice que celui de la bague transparente précédemment citée. On peut utiliser une colle époxy, acrylique, acrylate ou polyimide. Cette couche de colle doit entièrement recouvrir lune des faces de la plaque 2 comme représenté sur la figure 2.
On enrobe ensuite la partie de la grille portant le circuit et le circuit dans une résine 6. Cette couche de résine ne doit pas recouvrir la plaque transparente recouvrant la zone photosensible.
La couche de résine 6 peut donc s'arrêter, comme cela est représenté sur la figure 2, de façon a être jointive avec la plaque de verre 2, mais sans la recouvrir. Elle peut aussi recouvrir la peri phérie de la plaque de verre.
Il peut s'agir de résine époxy, thermoplastique ou thermodurcissable, opaque ou translucide.
Sur la figure 1, le rectangle en pointillés qui porte la référence 6 indique les limites de Itenrobage en résine.

Claims (10)

R E V E N D I C A T I O N S
1. Circuit intégré photosensible, caractérisé en ce que:
- ce circuit intégré (1) est collé sur une grille métallique (3) servant de support;
- des connexions (4) relient les plots du circuit (1) à ceux de la grille (3);
- une plaque transparente (2) est collée sur sa zone photo sensible;
- un enrobage (6) de résine entoure notamment la partie de la grille (3) portant le circuit et le circuit (1), excepté la plaque transparente (2) recouvrant sa zone photosensible
2. Circuit intégré photosensible selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résine (6) est opaque.
3. Circuit intégré photosensible selon la revendication caractérisé en ce que la résine (6) est translucide;
4. Circuit intégré photosensible selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce qu'il s'agit d'une résine époxy.
5. Circuit intégré selon l'une des revendications 2 à 4, caraen térisé en ce qu'il s'agit d'une résine thermoplastique.
6. Circuit intégré selon l'une des revendications 2 à 4, carac- térisé en ce qu'il s'agit d'une résine thermodurdssableç
7. Circuit intégré selon Itune des revendications I à 6, carat térisé en ce qu'il est collé sur la grille servant de support (3) par une colle (7) électriquement et thermiquement conductrice
8. Circuit intégré selon l'une des revendications B à 7, caractérisé en ce que la plaque transparente (2) est collée sur le circuit intégré (1) par une colle (8) de qualité optique.
9. Circuit intégré selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il s'agit d'une colle époxy, d'une colle acrylique, d'une colle acrylate, ou d'une colle polyimide.
10. Circuit intégré selon l'une des revendications I à 9, caractérisé en ce que la plaque (2) est en verre.
FR8410347A 1984-06-29 1984-06-29 Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible Expired FR2566962B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8410347A FR2566962B1 (fr) 1984-06-29 1984-06-29 Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8410347A FR2566962B1 (fr) 1984-06-29 1984-06-29 Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2566962A1 true FR2566962A1 (fr) 1986-01-03
FR2566962B1 FR2566962B1 (fr) 1987-03-06

Family

ID=9305620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8410347A Expired FR2566962B1 (fr) 1984-06-29 1984-06-29 Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2566962B1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2819103A1 (fr) * 2000-12-29 2002-07-05 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a pastille transparente et son procede de fabrication

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2633086A1 (de) * 1975-08-01 1977-02-10 Owens Illinois Inc Anschlussrahmen fuer elektronische schaltkreise
US4224081A (en) * 1974-11-27 1980-09-23 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell sealed by glass laminations
JPS55159678A (en) * 1979-05-31 1980-12-11 Toshiba Corp Solidstate image sensor
GB2077995A (en) * 1980-06-05 1981-12-23 Bfg Glassgroup Panels incorporating photo-cells and method of manufacturing same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224081A (en) * 1974-11-27 1980-09-23 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell sealed by glass laminations
DE2633086A1 (de) * 1975-08-01 1977-02-10 Owens Illinois Inc Anschlussrahmen fuer elektronische schaltkreise
JPS55159678A (en) * 1979-05-31 1980-12-11 Toshiba Corp Solidstate image sensor
GB2077995A (en) * 1980-06-05 1981-12-23 Bfg Glassgroup Panels incorporating photo-cells and method of manufacturing same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 5, no. 34 (E-48)(706), 4 mars 1981; & JP - A - 55 159 678 (TOKYO SHIBAURA DENKI K.K.) (11.12.1980) *
THE CONFERENCE RECORD OF THE 12TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 15-18 novembre 1976, pages 317-331, Baton Rouge, Louisiana US; D.C. CARMICHAEL et al.: "Materials for encapsulation systems for terrestrial photovoltaic arrays". *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2819103A1 (fr) * 2000-12-29 2002-07-05 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a pastille transparente et son procede de fabrication
WO2002054497A1 (fr) * 2000-12-29 2002-07-11 Stmicroelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a pastille transparente et son procede de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
FR2566962B1 (fr) 1987-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7274094B2 (en) Leadless packaging for image sensor devices
KR100604190B1 (ko) 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼, 광학장치용 모듈,고체촬상장치의 제조방법, 및 광학장치용 모듈의 제조방법
US5149958A (en) Optoelectronic device component package
US6784409B2 (en) Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
US7834926B2 (en) Semiconductor image sensing element and fabrication method therefor, and semiconductor image sensing device and fabrication method therefor
US7791184B2 (en) Image sensor packages and frame structure thereof
JP3435925B2 (ja) 半導体装置
US8153467B2 (en) Semiconductor device with groove structure to prevent molding resin overflow over a light receiving region of a photodiode during manufacture and method for manufacturing same
CN102496622A (zh) 图像传感器芯片的封装方法以及摄像模组
JP2005317745A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
FR2798226A1 (fr) Procede de mise en boitier d'une puce de semi-conducteur contenant des capteurs et boitier obtenu
JP2001345391A (ja) 電子部品及びその製造方法
US3624462A (en) Face-bonded photoarray package
JP2008053546A (ja) 受光素子
JPH0621414A (ja) 固体撮像装置とその製造方法
JPS61112480A (ja) 一体化撮像器―プリズム構体
US5216805A (en) Method of manufacturing an optoelectronic device package
FR2566962A1 (fr) Circuit integre photosensible comportant une plaque transparente collee sur sa zone photosensible
JP2006080597A (ja) 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法
US4447720A (en) Solid-state image pickup element and process for fabricating the same
JP3074112B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN108886066B (zh) 半导体受光模块及半导体受光模块的制造方法
CN111370434A (zh) 封装结构和封装方法
JPS59110174A (ja) 固体撮像装置
JPS6027196B2 (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse