FR2514558A1 - Procede de fabrication de thyristor asymetrique a diode de conduction inverse par diffusion au phosphure de gallium - Google Patents

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0214485A3 (de) * 1985-09-05 1988-03-09 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Asymmetrischer Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung
CN114759087A (zh) * 2022-04-21 2022-07-15 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 一种具有强穿通的非对称快速晶闸管

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DE2230749A1 (de) * 1972-06-23 1974-01-10 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
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FR2253285A1 (enExample) * 1973-12-03 1975-06-27 Licentia Gmbh

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