FR1276019A - Transistors à effet de champ de type <mésa> à couche diffusée et procédé de fabrication - Google Patents

Transistors à effet de champ de type <mésa> à couche diffusée et procédé de fabrication

Info

Publication number
FR1276019A
FR1276019A FR838950A FR838950A FR1276019A FR 1276019 A FR1276019 A FR 1276019A FR 838950 A FR838950 A FR 838950A FR 838950 A FR838950 A FR 838950A FR 1276019 A FR1276019 A FR 1276019A
Authority
FR
France
Prior art keywords
mesa
manufacture
type field
effect transistors
diffused layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR838950A
Other languages
English (en)
Inventor
Jean Bejat
Paul Durand
Jean Girard
Marc Savelli
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL269345D priority Critical patent/NL269345A/xx
Application filed filed Critical
Priority to FR838950A priority patent/FR1276019A/fr
Priority to FR853671A priority patent/FR79267E/fr
Priority to FR872291A priority patent/FR80293E/fr
Priority to US138396A priority patent/US3176153A/en
Priority to DEB64060A priority patent/DE1210084B/de
Application granted granted Critical
Publication of FR1276019A publication Critical patent/FR1276019A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
FR838950A 1960-09-19 1960-09-19 Transistors à effet de champ de type <mésa> à couche diffusée et procédé de fabrication Expired FR1276019A (fr)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL269345D NL269345A (fr) 1960-09-19
FR838950A FR1276019A (fr) 1960-09-19 1960-09-19 Transistors à effet de champ de type <mésa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR853671A FR79267E (fr) 1960-09-19 1961-02-23 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR872291A FR80293E (fr) 1960-09-19 1961-09-04 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication
US138396A US3176153A (en) 1960-09-19 1961-09-15 Mesa-type field-effect transistors and electrical system therefor
DEB64060A DE1210084B (de) 1960-09-19 1961-09-19 Mesa-Unipolartransistor mit einem pn-UEbergang in dem mesafoermigen Teil des Halbleiterkoerpers

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR838950A FR1276019A (fr) 1960-09-19 1960-09-19 Transistors à effet de champ de type <mésa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR853671A FR79267E (fr) 1960-09-19 1961-02-23 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR872291A FR80293E (fr) 1960-09-19 1961-09-04 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1276019A true FR1276019A (fr) 1961-11-17

Family

ID=44763690

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR838950A Expired FR1276019A (fr) 1960-09-19 1960-09-19 Transistors à effet de champ de type <mésa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR853671A Expired FR79267E (fr) 1960-09-19 1961-02-23 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR872291A Expired FR80293E (fr) 1960-09-19 1961-09-04 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR853671A Expired FR79267E (fr) 1960-09-19 1961-02-23 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication
FR872291A Expired FR80293E (fr) 1960-09-19 1961-09-04 Transistors à effet de champ de type <mesa> à couche diffusée et procédé de fabrication

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3176153A (fr)
DE (1) DE1210084B (fr)
FR (3) FR1276019A (fr)
NL (1) NL269345A (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1228723B (de) * 1963-03-14 1966-11-17 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen eines Unipolartransistors und Aufbau dieses Unipolartransistors
FR2118065A1 (fr) * 1970-12-14 1972-07-28 Tektronix Inc

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3320651A (en) * 1963-04-03 1967-05-23 Gen Motors Corp Method for making cadmium sulphide field effect transistor
US3254280A (en) * 1963-05-29 1966-05-31 Westinghouse Electric Corp Silicon carbide unipolar transistor
US3354364A (en) * 1963-08-22 1967-11-21 Nippon Electric Co Discontinuous resistance semiconductor device
US3274462A (en) * 1963-11-13 1966-09-20 Jr Keats A Pullen Structural configuration for fieldeffect and junction transistors
US3263095A (en) * 1963-12-26 1966-07-26 Ibm Heterojunction surface channel transistors
US3273030A (en) * 1963-12-30 1966-09-13 Ibm Majority carrier channel device using heterojunctions
DE1283978B (de) * 1965-12-08 1968-11-28 Telefunken Patent Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE563129A (fr) *
US2750542A (en) * 1953-04-02 1956-06-12 Rca Corp Unipolar semiconductor devices
US2816847A (en) * 1953-11-18 1957-12-17 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductor signal translating devices
NL204025A (fr) * 1955-03-23
BE552928A (fr) * 1957-03-18
US2967985A (en) * 1957-04-11 1961-01-10 Shockley Transistor structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1228723B (de) * 1963-03-14 1966-11-17 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen eines Unipolartransistors und Aufbau dieses Unipolartransistors
FR2118065A1 (fr) * 1970-12-14 1972-07-28 Tektronix Inc

Also Published As

Publication number Publication date
US3176153A (en) 1965-03-30
DE1210084B (de) 1966-02-03
FR79267E (fr) 1962-11-09
FR80293E (fr) 1963-04-05
NL269345A (fr)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1308466A (fr) Superconducteurs améliorés et procédé de fabrication de ceux-ci
FR1313638A (fr) Procédé de fabrication de réseaux semi-conducteurs et réseaux obtenus
CH370488A (fr) Transistor unipolaire à effet de champ et à structure concentrique plane et procédé de fabrication de ce transistor
FR1276019A (fr) Transistors à effet de champ de type &lt;mésa&gt; à couche diffusée et procédé de fabrication
CH377003A (fr) Transistor et procédé de fabrication dudit transistor
CH397877A (fr) Corps semi-conducteur monocristallin et procédé de fabrication dudit corps
FR1180762A (fr) Transistor à diffusion et son procédé de fabrication
FR1335696A (fr) Corps à revêtement pelliculaire et son procédé de fabrication
FR1211393A (fr) Dispositifs semi-conducteurs et procédé de fabrication de ces derniers
FR1182597A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de ce dispositif
CH361059A (fr) Transistor et procédé de fabrication de celui-ci
FR1360373A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de ce dispositif
FR1307940A (fr) Agglomérés de graphite et de verre et procédé de fabrication
FR1235720A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de celui-ci
CH397873A (fr) Circuit semi-conducteur et procédé de fabrication de ce circuit
CH345080A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de celui-ci
CH358868A (fr) Transistor unipolaire à effet de champ et procédé de fabrication de celui-ci
FR1336812A (fr) Diode à semi-conducteur et procédé de fabrication
FR1320577A (fr) Dispositif et procédé de fabrication de semiconducteurs
FR1336407A (fr) Pellicule photoconductrice et semi-conductrice et son procédé de formation
FR1314392A (fr) Photo-réserves et procédé de fabrication des photo-réserves
FR1223841A (fr) Patin de glissement, et en particulier ski et procédé de fabrication
FR1275836A (fr) Dispositifs à semi-conducteur et méthode de fabrication
FR1217639A (fr) Construction de transistors à rainures et procédé de fabrication
CH401276A (fr) Corps semi-conducteur du type P et procédé de fabrication de ce corps