FI123967B - Järjestelmät, menetelmät ja laitteet suuritehoisia komplementaarisia metallioksidipuolijohde (CMOS) antennikytkimiä varten, käyttäen runkokytkentää ja ulkopuolista komponenttia monipinoisena rakenteena - Google Patents
Järjestelmät, menetelmät ja laitteet suuritehoisia komplementaarisia metallioksidipuolijohde (CMOS) antennikytkimiä varten, käyttäen runkokytkentää ja ulkopuolista komponenttia monipinoisena rakenteena Download PDFInfo
- Publication number
- FI123967B FI123967B FI20085844A FI20085844A FI123967B FI 123967 B FI123967 B FI 123967B FI 20085844 A FI20085844 A FI 20085844A FI 20085844 A FI20085844 A FI 20085844A FI 123967 B FI123967 B FI 123967B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- switch
- transistor
- antenna
- source
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K2017/066—Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0018—Special modifications or use of the back gate voltage of a FET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
Järjestelmät, menetelmät ja laitteet suuritehoisia komplementaarisia me-tallioksidipuolijohde (CMOS) antenni kytkimiä varten, käyttäen runkokyt-kentää ja ulkopuolista komponenttia monipinoisena rakenteena 5
KEKSINNÖN ALA
Keksintö kohdistuu yleisesti antennikytkimiin ja täsmällisemmin CMOS (komplementaarinen metalli-oksidi-puolijohde) -antennikytkimiin.
10
KEKSINNÖN TAUSTA
Matkaviestinteollisuus on kasvanut viimeisen vuosikymmenen aikana räjähdysmäisesti, mikä on puolestaan kiihdyttänyt integroitujen piirien (IC) tekniikan kehittymis-15 tä. Integroitujen piirien alalla erikoisesti monet matkaviestinsovelluksien järjestelmät, kuten Pienikohinaiset vahvistimet (LNA), sekoittimet ja jänniteohjatut oskillaattorit (VCO), on integroitu CMOS-tekniikalla. Kahta merkittävää matkaviestimissä sovellettavaa komponenttia - tehovahvistimia ja radiotaajuuskytkimiä - ei ole vielä integroitu CMOS-tekniikalla kaupallisesti.
20
Integroitujen piirien tekniikka on kuitenkin kehittymässä nopeasti kohti CMOS-tekniikalla integroitua tehovahvistinta. Tämän hetkinen tutkimus on esimerkiksi osoittanut, että CMOS-tehovahvistin saattaa olla mahdollista toteuttaa ja että se kykenee antamaan merkittävästi tehoa, ehkä jopa 2W asti, matkaviestintekniikkaa varten.
25 Siten kun tehovahvistin onnistutaan integroimaan CMOS-tekniikalla, tullaan tarviten semaan CMOS-tekniikalla integroitu radiotaajuuskytkin.
i t~ Nykyisen CMOS-teknologian soveltamisessa radiotaajuuskytkimiin on kuitenkin eri- x laisia vaikeuksia. Erikoisesti CMOS-materiaaliominaisuudet, muun muassa häviölliset
CC
30 substraatit, jotka johtuvat elektronien alhaisesta liikkuvuudesta, ja pienet läpilyönti- ^ jännitteet, jotka johtuvat p-n-liitoksen hot carrier -ilmiöistä, ovat estäneet CMOS- m § teknologian käytön radiotaajuuskytkimissä, joilta edellytetään monikaistatoimintaa, o 00 suuria tehotasoja ja/tai integrointia muihin laitteisiin ja piireihin.
2
KEKSINNÖN LYHYT YHTEENVETO
Keksinnön suoritusmuotojen avulla voidaan aikaansaada CMOS-radiotaajuuskytki-miä, joita voidaan kutsua CMOS SPDT -kytkimeksi. Keksinnön erään suoritusmuodon 5 mukaan CMOS-radiotaajuuskytkin voidaan valmistaa käyttämällä standardityyppistä 0,18 pm -prosessia, vaikka myös muita prosesseja voidaan käyttää keksinnön piiristä poikkeamatta. Suuren tehonkäsittelykyvyn saavuttamiseksi CMOS-radiotaajuus-kytkimen monikaistatoiminnassa (esim. noin 900 MHz, 1,9 GHz, 2,1 GHz) vastaanot-tokytkimessä voidaan käyttää pinorakenteessa olevia transistoreja ja substraattirun-10 gon kytkentää. Keksinnön erään suoritusmuodon mukaan radiotaajuisella CMOS-kytkimellä voidaan saavuttaa sekä suuri tehon estokyky ja pieni vuotovirta vastaanottimen suuntaan lähetystoimintamuodossa (Tx-toimintamuoto) että pieni väliinkyt-kentävaimennus vastaanottotoimintamuodossa (Rx-toimintamuoto) monikaistatoiminnassa (esim. 900 MHz, 1,9 GHz, 2,1 GHz).
15
Keksinnön eräs muoto kohdistuu CMOS-antennikytkimeen. CMOS-antennikytkin voi sisältää useammalla kuin yhdellä radiotaajuuskaistalla toimivan antennin, antenniin yhteydessä olevan lähetyskytkimen ja antenniin yhteydessä olevan vastaanottokyt-kimen, jolloin vastaanottokytkin sisältää joukon transistoreja. CMOS-antennikytkin 20 voi sisältää myös ensimmäisen ulkoisen komponentin transistorien joukon ensimmäistä transistoria varten, jolloin ensimmäisessä transistorissa on ensimmäinen lähde ja ensimmäinen hila ja ensimmäinen ulkoinen komponentti yhdistää ensimmäisen lähteen ja ensimmäisen hilan, ja toisen ulkoisen komponentin transistorien joukon toista transistoria varten, jolloin toisessa transistorissa on toinen hila, toinen nielu ja 25 toinen runkosubstraatti, jolloin toinen ulkoinen komponentti yhdistää toisen hilan ja o toisen nielun ja jolloin toinen runkosubstraatti on kytkettävissä valinnaisesti vastuk- -A seen tai maahan.
i x Keksinnön toinen muoto, kohdistuu menetelmään CMOS-antennikytkintä varten.
CC
30 Menetelmä voi sisältää useammalla kuin yhdellä radiotaajuuskaistalla toimivan an-^ tennin aikaansaamisen, lähetyskytkimen ja vastaanottokytkimen kytkemisen sähköi-
LO
§ sesti antenniin, jolloin vastaanottokytkimessä on joukko transistoreja, ja ensimmäi- o 00 sen ulkoisen komponentin aikaansaamisen transistorien joukon ensimmäistä transis toria varten, jolloin ensimmäisessä transistorissa on ensimmäinen lähde ja ensim- 3 mainen hila ja jolloin ensimmäinen ulkoinen komponentti yhdistää ensimmäisen lähteen ja ensimmäisen hilan. Menetelmä voi sisältää myös toisen ulkoisen komponentin aikaansaamisen transistorien joukon toista transistoria varten, jolloin toisessa transistorissa on toinen hila, toinen nielu ja toinen runkosubstraatti, jolloin 5 toinen ulkoinen komponentti yhdistää toisen hilan ja toisen nielun ja jolloin toinen runkosubstraatti on kytkettävissä valinnaisesti vastukseen tai maahan.
Keksinnön vielä eräs muoto kohdistuu CMOS-antennikytkimeen. CMOS-antennikytkin voi sisältää useammalla kuin yhdellä radiotaajuuskaistalla toimivan antennin, anten-10 niin yhteydessä olevan lähetyskytkimen ja antenniin yhteydessä olevan vastaanotto-kytkimen, jolloin vastaanottokytkin käsittää joukon transistoreja, joihin sisältyy ensimmäinen transistori, jossa on ensimmäinen lähde ja ensimmäinen hila, ja toinen transistori, jossa on toinen hila, toinen nielu ja toinen runkosubstraatti. CMOS-antennikytkin voi sisältää myös välineet ensimmäisen lähteen ja ensimmäisen hilan 15 yhdistämiseksi sähköisesti, välineet toisen hilan ja toisen nielun yhdistämiseksi sähköisesti ja välineet toisen runkosubstraatin kytkemiseksi valinnaisesti vastukseen tai maahan.
PIIRUSTUSTEN KUVIOIDEN LYHYT SELITYS
20
Edellä olevan keksinnön yleisen selityksen jälkeen seuraavassa viitataan oheisiin piirustuksiin, joita ei ole välttämättä piirretty mittakaavassa ja joissa:
Kuviot IA, IB ja 1C esittävät yksinkertaistettua esimerkkiä keksinnön erään suori-25 tusmuodon mukaisen vastaanottokytkimen toiminnoista, jossa käyte- o tään erästä esimerkkiä rungonkytkentätekniikasta.
i T“ Kuvio 2A esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen johtamattomassa x tilassa olevan transistorin, jonka runko kelluu, keskitetyillä piirivakioilla
CC
30 esitettyä ekvivalenttista mallia.
00 m § Kuvio 2B esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen johtamattomassa o ^ tilassa olevan transistorin, jonka runko on maadoitettu, keskitetyillä pii rivakioilla esitettyä ekvivalenttista mallia.
4
Kuvio 3 esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen olevan johtavassa tilassa olevan transistorin, jonka runko kelluu, keskitetyillä piirivakioilla esitettyä ekvivalenttista mallia.
5
Kuviot 4A, 4B ja 4C esittävät esimerkkejä keksinnön suoritusesimerkkien mukaisten vastaanottokytkimien yksinkertaistetuista toiminnoista.
Kuvio 5 esittää keksinnön erään suoritusmuodon mukaisen vastaanottokytki-10 men, jossa käytetään rungon kytkentätekniikkaa ja ulkoisia kompo nentteja, kuten kondensaattoreita, pinorakenteen keskitetyillä vakioilla esitettyä ekvivalenttista mallia.
Kuvio 6 esittää mekanismia, joka kytkee esillä olevan keksinnön erään suori-15 tusesimerkin mukaisen johtamattomassa tilassa olevan kytkimen joh tavaksi, kun sille syötetään suuritehoinen signaali,
Kuvio 7 esittää esimerkkinä esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisen vastaanottokytkimen simulaatiotuloksista johtamattomassa ti-20 lassa olevan laitteen kapasitanssia tulotehotason funktiona.
Kuvio 8A esittää esimerkkinä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen vas taanottokytkimen simulointituloksista johtamattomassa tilassa olevan laitteen impedanssia.
25
CO
δ Kuvio 8B esittää esimerkkinä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen vas-
C\J
-A taanottokytkimen simulointituloksista johtamattomassa tilassa olevan t“ laitteen impedanssia.
CC
30 Kuvio 9 esittää esimerkkinä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen vas- ^ taanottokytkimen simulointituloksista vastaanottimen suuntaan kulke- m § vaa vuotovirtaa.
o
CVJ
5
Kuvio 10 esittää esimerkkinä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen lähe-tyskytkimen simulointituloksista tehonkäsittelykykyä.
Kuvio 11 esittää esimerkkinä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen lähe-5 tyskytkimen simulointituloksista toisen harmonisen suoritusarvoja.
Kuvio 12 esittää esimerkkinä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen lähe-tyskytkimen simulointituloksista kolmannen harmonisen suoritusarvoja.
10 KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN SELITYS
Keksintöä selitetään täydellisemmin seuraavassa viittaamalla oheisiin piirustuksiin, joissa on esitetty joitakin mutta ei kaikkia keksinnön suoritusmuotoja. Tämä keksintö voidaan toteuttaa monissa eri muodoissa eikä sen tule katsoa rajoittuvan tässä 15 esitettyihin suoritusmuotoihin, vaan nämä suoritusmuodot on esitetty, jotta tämä selitys täyttäisi sovellettavan lain vaatimukset. Samankaltaiset elementit on osoitettu kaikkialla samoilla viitenumeroilla.
Keksinnön suoritusmuotojen avulla voidaan aikaansaada radiotaajuisia CMOS-anten-20 nikytkimiä, joita voidaan kutsua myös SPDT CMOS -kytkimiksi. Keksinnön suoritusmuotojen mukaisilla radiotaajuisilla CMOS-antennikytkimillä voidaan saavuttaa yksi tai useampi seuraavista, monikaistatoiminta, suurten tehotasojen käsittelykykyjä integrointi muihin laitteisiin ja piireihin. Radiotaajuinen CMOS-antennikytkin voi yleensä sisältää vastaanottokytkimen ja lähetyskytkimen. Vastaanottokytkimessä 25 voidaan käyttää yhtä tai useampaa kytkettyä substraatti runkoa ja ulkoisia kom-o ponentteja, kuten kondensaattoreita nielun ja hilan välillä ja lähteen ja hilan välillä A pinorakenteessa, jota selitetään myöhemmin yksityiskohtaisemmin. Lisäksi lähetys- . kytkimessä voidaan käyttää substraattirungon viritystekniikkaa, jota myös selitetään x myöhemmin yksityiskohtaisemmin.
cc 30 ^ I. Radiotaajuisen CMOS-antennikytkimen ensimmäinen suoritusmuoto
ID
CO
o o ^ Seuraavassa selitetään keksinnön erään suoritusmuodon mukaista radiotaajuista CMOS-antennikytkintä kuvioihin 1-3 viitaten. On selvää, että vaikka kuvioissa 1-3 6 on esitetty radiotaajuisen CMOS-antennikytkimen eräs tietty suoritusmuoto, tätä esitettyä radiotaajuista CMOS-antennikytkintä voidaan muunnella keksinnön piiristä poikkeamatta.
5 Kuvio IA esittää yksinkertaistettuna keksinnön erään suoritusesimerkin mukaista radiotaajuista CMOS-antennikytkintä ja sen toimintaa. Radiotaajuinen CMOS-anten-nikytkin voi sisältää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan lähetyskytkimen 102 ja vastaanottokytkimen 104. Radiotaajuinen CMOS-antennikytkin voi sisältää lisäksi antennin 100, joka on yhteydessä ainakin jompaan kumpaan, lähetyskytkimeen 102 10 tai vastaanottokytkimeen 104. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan antennina 100 voi olla yksi monitaajuinen monitoimi- (esim. vastaanotto-ja lähetys-) antenni, vaikka keksinnön toisten suoritusmuotojen mukaan voidaan käyttää useita eri antenneja. Vastaanottokytkin 104 voi muodostua kaskadi- tai pinokytketyistä transistoreista 108,110,112 ja 106, jotka voivat olla keksinnön erään suoritusesimerkin 15 mukaan komplementaarisia CMOS (metalli-oksidi-puolijohde) -transistoreja. Transistori 108 voi sisältää lähteen 108a, hilan 108b, nielun 108c ja runkosubstraatin 108d. Transistori 110 voi sisältää lähteen 110a, hilan 110b, nielun 110c ja runkosubstraatin llOd. Transistori 112 voi sisältää lähteen 112a, hilan 112b, nielun 112c ja runkosubstraatin 112d. Transistori 106 voi sisältää lähteen 106a, hilan 106b, nielun 20 106c ja runkosubstraatin (ei esitetty).
Transistorin 108 nielu 108c voi olla kytketty transistorin 110 lähteeseen 110a. Lisäksi transistorin 110 nielu 110c voi olla kytketty transistorin 112a lähteeseen. Transistorin 112 nielu 112c voi olla kytketty vastaanottolohkoon (Rx-lohko) antennista 100 25 vastaanotettujen signaalien käsittelemiseksi. Lisäksi transistorin 112 runkosubstraat-δ ti 112a voi olla kytketty transistorin 106 lähteeseen 106a. Transistorin 106 nielu C\1 A 106c voi olla kytketty maahan. Kuten myöhemmin selitetään yksityiskohtaisemmin, -r- erään runkokytkentätekniikkaesimerkin mukaan substraatti runkoon 112d voi olla x muodostettu ainakin yksi transistori 106, joka voi toimia transistorin 112 substraatti-
CC
30 runkokytkimenä. Täsmällisemmin esitettynä tämä ainakin yksi transistori 106 voi- -'t daan kytkeä johtavaan tilaan tai johtamattomaan tilaan riippuen siitä onko toimin-
LO
§ nassa lähetystoimintamuoto (Tx) vai vastaanottotoimintamuoto (Rx). Kuten myö- o hemmin selitetään yksityiskohtaisemmin, keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kuvion IA vastaanottokytkimen 104 vastinpiirit voivat olla erilaisia riippuen siitä on 7 ko vastaanottokytkin 104 johtamattomassa tilassa, kuten kuviossa IB on esitetty, vai johtavassa tilassa, kuten kuviossa 1C on esitetty.
A. Lähetystoimintamuoto 5
Kuvio IB esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen vastaanottokytkimen 104 vastinpiiriä johtamattomassa (esim. esto-, sulku- jne.) tilassa. Kuviossa IB vastaanottokytkin 104 voidaan asettaa johtamattomaan tilaan lähetyskytkimestä 102 erottamista varten. Kun vastaanottokytkin 104 on johtamattomassa tilassa, lähetys-10 lohkosta (Tx-lohko) voidaan syöttää lähetyssignaali antennille 100. Kuten kuviossa IB on esitetty, kun vastaanottokytkin 104 on johtamattomassa tilassa, pinoraken-teen transistorit 108,110,112 voidaan asettaa johtamattomaan (esim. avattuun) tilaan, jolloin saadaan suurempi impedanssi. Pinorakenteen transistori 106 voidaan asettaa johtavaan (esim. suljettuun) tilaan 114, mikä oikosulkee transistorin 112 15 substraattirungon H2d maahan ja vähentää lähteestä 112a nieluun 112c kulkevan vuotovirran signaaliteitä.
Kuvion IB konfiguraatiossa voidaan maksimoida lähetyssignaalin (Tx) teho (ja lähe-tyslohkon tehonkäsittelykyky). Lähetyskytkimen 102 tehonkäsittelykyky voidaan 20 määrätä asettelemalla johtamattomassa tilassa olevaa vastaanottokytkintä 104 kohti suuntautuvaa vuotovirtaa sekä vastaanottokytkimen 104 kaskadikytkettyjen kytkinten 108,110 ja 112 lähde-nielu-läpilyöntijännitettä. Lähetyskytkimen 102 maksimi-lähetysteho voi siten riippua vastaanottokytkimen 104 ominaisuuksista.
25 On selvää, että lähetyskytkimen 102 tehonkäsittelykyvyn kasvattamiseksi voidaan o lisätä pinorakenteen transistorien 108,110, 112 lukumäärää kunkin transistorin 108, A 110,112 läpilyöntikuormituksen pienentämiseksi. Keksinnön toisen suoritusmuodon mukaan voidaan kytkeä kaskadiin enemmän kolme transistoria 108,110 ja 112.
x Lisäksi on selvää, että antennista 100 katsottuna viimeinen transistori 112 voi kont- cr 30 rolloida vastaanottokytkimen 104 vuotovirtaa. Jos vastaanottojen johtamattomassa ^ tilassa olevien kytkimien 108,110 ja 112 suuntaan kulkeva vuotavitta minimoidaan, m § tällöin lähetyslohkosta voidaan syöttää maksimiteho antenniin 100. Kuten edellä on o ^ selitetty, maan ja transistorin 112 runkosubstraatin 112d välille kytkettyä runkokyt- kentätransistoria 106 voidaan käyttää kontrolloimaan vuotovirtaa vastaanottokytki- 8 messä 104. Täsmällisemmin esitettynä asettamalla runkokytkentätransistori 106 johtavaan tilaan 114, antennista 100 vastaanottolohkoon päin katsottuna viimeisen transistorin 112 substraatti runko 112d voidaan maadoittaa, mikä vähentää lähteestä 112a nieluun 112c kulkevia vuotovirran signaaliteitä.
5
Kuten kuviosta IB edelleen ilmenee, kun vastaanottokytkin 104 on johtamattomassa tilassa, pinon transistorit 108,110 voivat olla kelluvarunkoisia, kun taas pinon transistorin 112 runko voi olla maadoitettu. Kuviossa 2A on esitetty keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen kelluvarunkoisen sulkutilassa olevan transistorin, kuten 10 kuvion IB transistorien 108,110, keskitetyillä vakioilla esitetty ekvalenttinen malli 200. Kuviossa 2B on esitetty keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen maadoitettu run koi sen sulkutilassa olevan transistorin, kuten kuvion IB transistorin 112, keskitetyillä vakioilla esitetty ekvalenttinen malli 202. Kuvioiden 2A ja 2B ekvivalent-tiset mallit sisältävät keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kondensaattorit 15 212, 214, 216, 218 sekä p-n-liitosdiodit 204, 260.
Kun vastaanottokytkin 104 vastaanottaa antennin 100 jännitteenvaihtelun, tämä jännitteenvaihtelu voi jakautua pinotransistorien 108,110 ja 112 kesken. Viimeiseen transistoriin 112 voi siten kohdistua vain kolmannes antennin koko jännitteenvaihte-20 lusta, mikä pienentää lähde-nielu-läpilyöntijännitteen esiintymisen todennäköisyyttä transistorissa 112. On kuitenkin selvää, että jännitteen vaihtelu viimeisessä transistorissa 112 voi olla muunlainen ja esimerkiksi pienempi, jos keksinnön muiden suoritusmuotojen mukaan käytetään useampia aikaisempia transistoreja pinotransistorei-hin 108,110,112 kohdistuvan kuormituksen pienentämiseksi.
25
CO
o Transistorit 108,110 voivat olla kuviossa 2A esitetyn mukaisia kelluvarunkoisia tran- -A sistoreita. Vastaanottolohkoon virtaavan vuotovirran pienentämiseksi ja lähetysloh- T“ kon antennille 100 antaman tehon käsittelykyvyn maksimoimiseksi runkokytkentä- x transistori 106 voidaan kuitenkin asettaa johtavaan tilaan 114 substraattirungon
CC
30 112d kytkemiseksi maahan. Transistorin 112 runko voidaan siten maadoittaa, kuten 't ^ kuviossa 2B on esitetty, mikä vähentää lähteestä 112a nieluun 112c kulkevia vuoto-
LO
§ virran signaaliteitä.
o
CVJ
9
Kun vastaanottokytkimeen 104 kohdistuu negatiivinen jänniteheilahdus, transistorin 112 p-n-liitosdiodit 204,206 voivat kytkeytyä johtaviksi, niin että p-n-liitosdiodien 204, 206 kautta kulkeva virta voi aiheuttaa vuotovirtoja. Johtavaksi kytkeytyvän p-n-diodin 204, 206 eräänä seurauksena voi olla negatiivisen jänniteheilahduksen 5 mahdollinen leikkautuminen, mikä voi rajoittaa lähetyslohkon antennille 100 antaman tehon käsittelykykyä. Tämän johtamattomassa tilassa olevan laitteen 112 muodostaman kanavan kehittämän vuotovirran estää kuitenkin se, että p-n-liitosdiodin 204 kynnysjännite asettaa jännitetason pisteessä 112a kiinteäksi. Johtamattomassa tilassa olevat pinotransistorit 108,110 ja 112 voivat jakaa antenniportin jännitehei-10 lahtelun, niin että viimeiseen sulkutilassa olevaan transistoriin 112 ja siten p-n-liitos-diodeihin 204, 206 kohdistuu vain kolmannes antennin 100 jännitteenheilahtelusta. Antenniportissa oleva täysi jännitteenvaihtelu ei siten välttämättä riitä kytkemään johtavaksi viimeisen transistorin 112 p-n-liitosdiodeja 204, 206.
15 B. Vastaanottotoimintamuoto
Kuvio 1C esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen johtavassa (esim. sallinta-, vastaanotto-jne.) tilassa olevan vastaanottokytkimen 104 vastinpiiriä. Kuviossa 1C vastaanottokytkin 104 voi olla asetettu johtavaan tilaan, jotta vastaanotto-20 lohko (Rx-lohko) voi vastaanottaa signaalin antennista 100. Kun vastaanottokytkin 104 on johtavassa tilassa, lähetyskytkin 103 voidaan asettaa johtamattomaan (esim. esto-, sulku-) tilaan lähetyskytkimen 102 erottamiseksi vastaanottokytkimestä 104. Kuten kuviossa 1C on esitetty, kun vastaanottokytkin 104 on johtavassa tilassa, pi-norakenteen transistori 106 voi olla asetettu johtamattomaan tilaan 116, mikä muo-25 dostaa ekvivalenttisen vastuksen transistorin 112 runkosubstraatin 114d ja maan o välille (ts. rungon kellutus). Tämän avulla voidaan pienentää vastaanottotien väliin- A kytkentähäviöitä antennista 100 vastaanottolohkoon.
i x Kuvio 3 esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen johtavassa tilassa ole-
IX
30 van kelluvarunkoisen transistorin keskitetyillä vakioilla esitettyä ekvivalenttista mallia 't ^ 300. Kuten edellä on selitetty, transistori 106 voi olla asetettu johtamattomaan ti-
LO
§ laan 116 kelluvarunkoisen transistorin aikaansaamiseksi, kuten kuvion 3 keskitetyillä o ™ vakioilla esitetty ekvivalenttien malli osoittaa. Kuviossa 3 transistorin 112 koon kas vaessa loiskapasitanssit 304, 306, 308, 310 voivat muodostaa johtavassa tilassa 300 10 toisen signaalitien. Täsmällisemmin esitettynä kuvion 3 transistorin johtavassa tilassa signaaliteinä voivat olla johtavan tilan resistanssi 302, hila-nielu-kapasitanssi 308 ja hila-lähde-kapasitanssi 310 sekä nielu-runko-kapasitanssi 304 ja runko-lähde-kapasitanssi 306. Jos runkosubstraatti maadoitetaan, tällöin kapasitanssien 304, 306 5 kautta kulkeva toinen signaalitie voi poistua, mikä suurentaa väliinkytkentävaimen-nusta. Siten kun vastaanottokytkin 104 on johtavassa tilassa, viimeisen transistorin 112 on oltava tilassa, jossa runko kelluu, (esim. siten, että transistori 106 on johtavassa tilassa 116) väliinkytkentävaimennuksen minimoimiseksi.
10 II. Radiotaajuisen CMOS-antennikytkimen toinen suoritusmuoto
[0042] Seuraavassa tarkastellaan kuvioihin 4A - 6 viitaten radiotaajuisen CMOS-antennikytkimen erästä vaihtoehtoista suoritusmuotoa, jolla on suurempi tehonkä-sittelykyky. Yleisesti tähän tehonkäsittelykyvyltään parannettuun radiotaajuiseen 15 CMOS-antennikytkimeen voi sisältyä ulkoisia komponentteja, kuten kondensaattoreita, CMOS-antennikytkimen tehon käsittelyn parantamiseksi.
Kuviossa 4A radiotaajuinen CMOS-antennikytkin voi sisältää lähetinkytkimen 402 ja vastaanottokytkimen 404. Lisäksi antenni 400 voi olla yhteydessä ainakin jompaan-20 kumpaan, lähetyskytkimeen 402 ja vastaanottokytkimeen 404. Vastaanottokytkin 404 voi sisältää pinorakenteiset transistorit 408, 410, 412 ja 406, jotka voivat olla keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan CMOS-transistoreja. Vastaanottokytkin 404 voi sisältää lisäksi kondensaattorit 418, 420. Transistori 408 voi sisältää lähteen 408a, hilan 408b, nielun 408c ja runkosubstraatin 408d. Transistori 410 voi sisältää 25 lähteen 410a, hilan 410b, nielun 410c ja runkosubstraatin 410d. Transistori 412 voi δ sisältää lähteen 412a, hilan 412b, nielun 412c ja runkosubstraatin 412d. Transistori A 406 voi sisältää lähteen 406a, hilan 406b, nielun 406c ja runkosubstraatin (ei esitet- ^ ty).
X
X
30 Kuten kuviossa 4A on esitetty, transistorin 408 lähteen 408a ja hilan 408b välillä voi ^ olla ulkoinen komponentti, kuten kondensaattori 418. Transistorin 408 lähde 408a m § (tai nielu 408c) voi lisäksi olla kytketty transistorin runkosubstraatti in 408d. Transis- o 00 torin 408 nielu 408c voi olla kytketty transistorin 410 lähteeseen 410a. Lisäksi tran sistorin 410 lähde 410a (tai nielu 410) voi olla kytketty transistorin runkosubstraat- 11 tiin 410d. Transistorin 410 nielu 410c voi olla kytketty transistorin 412 lähteeseen 412a. Transistorin 412 hilan 412b ja nielun 412c välille voi olla sijoitettu toinen ulkoinen komponentti, kuten kondensaattori 420. Lisäksi transistorin 412 runkosubst-raatti 412a voi olla kytketty transistorin 406 lähteeseen 406a. Transistorin 406 nielu 5 406c voi olla kytketty maahan. Samoin kuin edellä on selitetty, transistori 406 voi toimia transistorin 412 substraattirunkokytkimenä.
A. Lähetystoi m intamuoto 10 Kuvio 4B esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen vastaanottokytkimen 404 vastinpiiriä johtamattomassa (esim. esto-, sulku- jne.) tilassa. Kuviossa IB vastaa nottokytki n 404 voi olla asetettu johtamattomaan tilaan lähetyskytkimestä 102 erottamista varten. Kun vastaanottokytkin 404 on johtamattomassa tilassa, lähetys-lohkosta (Tx-lohko) voidaan syöttää lähetyssignaali antennille 400. Kuten kuviossa 15 4B on esitetty, kun vastaanottokytkin 404 on johtamattomassa tilassa, pinoraken-teen transistorit 408,410,412 voidaan asettaa johtamattomaan (esim. avattuun) tilaan, jolloin saadaan suurempi impedanssi. Pinorakenteen transistori 406 voidaan asettaa johtavaan (esim. suljettuun) tilaan 414, mikä oikosulkee transistorin 412 substraattirungon 412d maahan ja vähentää lähteestä 412a nieluun 412c kulkevan 20 vuotovirran signaaliteitä.
Lähetyskytkimen 402 tehonkäsittelykyky voi riippua vastaanottokytkimen, kuten vastaanottokytkimen 404 johtamattoman tilan ominaisuuksista. CMOS-kytkinraken-teelle voidaan saada suuri tehokäsittelykyky antenniportin 400 suuren jännitevaihte-25 lun kestolla/käsittelykyvyllä, säilyttämällä vastaanottokytkimen 404 johtamattoman o tilan impedanssi suurena ja estämällä substraatin liitosdiodien johtaminen negatiivi- A sella jänniteheilahduksella vastaanottokytkimessä 404.
i x Antenniportissa 400 esiintyviin suuriin jänniteheilahteluihin liittyvä kysymys voidaan
CC
30 ratkaista osittain käyttämällä pinorakenteisia transistoreja 408,410,412, kuten vas- ^ taa nottokytki messä 404. Antenniportissa 400 esiintyvät suuret jännitteenheilahtelut m § voidaan nimittäin jakaa pinorakenteen transistorien 408,410,412 kesken samoin o ^ kuin edellä on selitetty. On selvää, että keksinnön suoritusmuodoista poikkeamatta voidaan käyttää useampaa kuin kolmea pinokytkettyä transistoria. Vastaavasti kek- 12 sinnön erään suoritusmuodon mukaan johtamattomassa tilassa olevan vastaanotto-kytkimen 404 impedanssia voidaan parantaa käyttämällä edellä selitettyä rungon-kytkentätekniikkaa. Täsmällisemmin esitettynä rungonkytkentätekniikkaa käytettäessä transistori 406 voidaan asettaa johtavaan tilaan, joka kytkee transistorin 412 5 runkosubstraatin 412d maahan ja vähentää signaaliteitä, joita pitkin vuotavilta voi kulkea lähteestä 112a nieluun 112c.
Negatiivisessa navassa esiintyvien negatiivisten jänniteheilahdusten osalta radiotaajuisessa CMOS-antennikytkimessä voidaan käyttää ulkoisia komponentteja, kuten 10 kohdensaattoreita 418, 420 vuotovirran pienentämiseen estämällä kanavan muodostuminen transistorissa (esim. transistoreissa 408,412) johtamattomassa tilassa. Tällaisten ulkoisten komponenttien, kuten kondensaattorien 418,420, käyttämistä johtamattomassa tilassa olevan vastaanottokytkimen 404 vuotovirtojen pienentämiseen selitetään seuraavassa yksityiskohtaisemmin kuvioihin 5 ja 6 liittyen.
15
Kuvio 5 esittää kuvion 4B mukaisen vastaanottokytkimen 404 pinorakenteen keskitetyillä piirivakioilla esitettyä ekvivalenttista mallia. Kuvion 5 keskitetyillä piirivakioilla esitetyssä ekvivalenttisessa mallissa transistorit 408,410, 412 ovat johtamattomassa tilassa ja transistori 406 on johtavassa tilassa. Kuten kuviossa 5 on esitetty, tran-20 sistorin 408a keskitetyillä piirivakioilla esitetty ekvivalenttinen malli sisältää kondensaattorit 502a, 504a, 506a ja p-n-liitosdiodin 508a. Transistorin 410 keskitetyillä piirivakioilla esitetty ekvivalenttien malli sisältää kondensaattorit 502b, 504b, 506b ja p-n-liitosdiodin 508b. Vastaavasti transistorin 412 keskitetyillä piirivakioilla esitetty ekvivalentti nen malli sisältää kondensaattorit 502c, 504c, 506c ja p-n-liitosdiodit 25 508, 512.
CO ' δ
CvJ
A On huomattava, että johtamattomassa tilassa olevien transistorien 408, 410, 412 τΐ kondensaattorien 502a-c, 504a-c ja 506a-c kapasitanssit voivat keksinnön erään x suoritusesimerkin mukaan vaihdella syötetystä jännitteenvaihtelusta riippuvaisesti.
CC
30 Lisäksi jos ulkoisia komponentteja, kuten kondensaattoreita 418, 412, ei käytetä, ^ johtamattomassa tilassa olevat transistorit 408, 410, 412 eivät todellisuudessa vält-
LO
§ tämättä pysy johtamattomassa tilassa kaikilla antenniportin 400 jännitteenvaihteluil- o ^ la. Kun lähetyskytki meitä 402 syötetään antenni portti in 400 suuritehoinen signaali, antenniportin 400 suuri jänniteheilahdus voi vaikuttaa johtamattomassa tilassa ole- 13 viin transistoreihin 408,410,412. Tässä tilanteessa johtamattomassa tilassa olevat transistorit 408,410,412 voivat kytkeytyä johtaviksi, jonka seurauksena vastaanot-tokytkimessä 404 voi alkaa kulkea ei toivottu vuotovirta. Tämä ei toivottu vuotovirta voi huonontaa lähetyssignaalin ominaisuuksia sekä tuhota vastaanottolohkon (Rx-5 lohkon) Pienikohinaiset vahvistimet ja sekoittimet. Sitä vastoin kuten seuraavassa selitetään yksityiskohtaisemmin kuvioon 6 liittyen, ulkoisten komponenttien, kuten kondensaattorien 418,420, käyttäminen voi estää yhden tai ueamman johtamattomassa tilassa olevan transistorin 408,410, 412 kytkeytymisen johtavaksi.
10 Kuviossa 6 on esitetty keksinnön erään suoritusmuodon mukainen CMOS-transis-torin 600, kuten johtamattomassa tilassa olevan transistorin 408, 410, vastinpiiri. Johtamattomassa tilassa oleva transistori 600 voidaan kuvata käyttämällä loiskon-densaattoreita, kuten hila-nielu-kondensaattoria Cgd 602, hila-lähde-kondensaattoria Cgs 604, runko-lähde-kondensaattoria CbS 606 ja runko-nielu-kondensaattoria Cbci 15 608. Keksinnön erään suoritusmuodon mukaan johtamattomassa tilassa oleva CMOS-transistori 600 vaatii nollaesijännitteen 614 hilalla, nielussa ja lähteessä pysyäkseen johtamattomassa tilassa. Kun nieluun vaikuttaa pieni signaalin 616 jännite-vaihtelu, lähde ja nielu pysyvät noin nollaesijännitteessä, niin että johtamattomassa tilassa oleva transistori 600 ei kytkeydy johtavaksi. Sen sijaan jos nieluun vaikuttaa 20 suuri signaalin jännitteenvaihtelu 618, signaalin suuren jännitteenvaihtelun 618 negatiivinen jakso 620 voi asettaa nielun hilaa alempaan jännitteeseen, niin että lähteestä nieluun voi kulkea virta 624. Signaalin suuren jännitteenvaihtelun 618 positiivisen jakson 622 aikana hilan jännite voi määräytyä hila-nielu-kondensaattorin Cgd 602 ja hila-lähde-kondensaattorin Cgs 604 kapasitanssien perusteella kaavan Vg = Vd 25 Cgd(Cgd + CgS). Kun hilalla on jännite, virta 626 voi kulkea nielusta lähteeseen, δ
C\J
-A Keksinnön suoritusmuotojen mukaan ei toivottujen virtojen 624, 626 estämiseen t” jännitteenvaihtelujen negatiivisen jakson 620 ja positiivisen jakson 622 aikana voi- x daan käyttää ulkoisia komponentteja, kuten yhtä tai kahta ulkoista kondensaattoria cc 30 418, 420. Keksinnön erään suoritusmuodon mukaan erikoisesti hilan ja nielun väliin ^ voidaan kytkeä ulkoinen komponentti, kuten ulkoinen kondensaattori 420, niin että m § hilan jännite on melkein sama kuin nielun jännite, niin että johtamattomassa tilassa o ^ oleva transistori 600 ei kytkeydy johtavaksi jännitteenvaihtelun negatiivisen jakson 620 aikana. Vastaavasti hilan ja lähteen välille voidaan kytkeä ulkoinen komponentti, 14 kuten ulkoinen kondensaattori 418, niin että hilan jännite on melkein sama kuin lähteen jännite, niin että johtamattomassa tilassa oleva transistori 600 ei kytkeydy johtavaksi jännitteenvaihtelun positiivisen jakson aikana. Nämä antenniportista 400 nielulle tulevan jännitteenvaihtelun negatiivisen 620 ja positiivisen jakson 622 vas-5 takkaiset vaatimukset voidaan siten ratkaista keksinnön erään suoritusmuodon vas-taanottokytkimessä 404 käyttämällä ulkoisia komponentteja, kuten kondensaattoreita 418, 420.
Yhteenvetona voidaan todeta, että johtamattomassa tilassa oleva vastaanottokytkin 10 404 voi sisältää pinorakenteen transistorit 408,410,412 jännitekuorman jakamisek si kullekin transistorille antenniportissa 400 esiintyvien suurten jännitteenvaihtelujen tapauksessa. Johtamattomassa tilassa olevassa vastaanottokytkimessä 404 voidaan lisäksi käyttää rungonkytkentätekniikkaa 406 pinorakenteen transistorissa 412 johtamattoman tilan impedanssin maksimoimiseksi ja vuotovirtojen pienentämiseksi.
15 Lopuksi joko lähteen ja hilan tai nielun ja hilan väille voidaan lisätä ulkoisia komponentteja, kuten ulkoiset kondensaattorit 418, 420, estämään vastaanottokytkimen 404 johtamattomassa tilassa olevien laitteiden kytkeytyminen johtavaan tilaan antenniportissa 400 esiintyvän negatiivisen tai positiivisen jänniteheilahduksen aikana.
20 B. Vastaanottotoimintamuoto
Kuvio 4C esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen vastaanottokytkimen 404 vastinpiiriä johtamattomassa (esim. esto-, sulku- jne.) tilassa. Kuviossa 4C vastaanottokytkin 404 voi olla asetettu johtavaan tilaan, jotta vastanottolohko voi vas-25 taanottaa signaalin antennista 400. Kun vastaanottokytkin 404 on johtavassa tilassa, o lähetyskytkin 402 voidaan asettaa johtamattomaan (esim. esto-, sulku-) tilaan lähe- t“ tyskytkimen 402 erottamiseksi vastaanottokytkimestä 404. Kuten kuviossa 4C on τΐ esitetty, kun vastaanottokytkin 404 on johtavassa tilassa, pinorakenteen transistori x 406 voidaan asettaa johtamattomaan tilaan 416 ekvivalenttisen vastuksen muodos-
CC
30 tamiseksi tämän avulla transistorin 412 runkosubstraatin 112d ja maan välille (ts.
^ rungon kellutusta varten). Tällä tavalla voidaan pienentää antennista 400 vastaanot in § tolohkoon johtavan vastaanottojen väliinkytkentävaimennusta.
o
C\J
15 C. Kapasitanssien/impedanssien vaihtelu
Kuvion 7 esittää kokonaiskapasitanssin vaihtelua pinorakenteessa tulotehon kasvaessa nieluportissa. Loiskapasitanssiarvot (esim. Cgd 602, Cgs 604, Cbs 606 ja Cbd 608) 5 voivat vaihdella riippuen siitä onko transistori johtavassa tilassa tai johtamattomassa tilassa. Jos nieluun syötetty suuri jännitevaihtelu alkaa ohjata vastaanottokytkimen johtamattomassa tilassa olevaa transistoria johtavaksi, tällöin johtamattoman tilan transistorin kokonaiskapasitanssiarvo voi kasvaa vastaavasti. Kuten kuvion 7 kapasitanssi 702 esittää, sellaisesta vastaanottokytkimestä, jossa käytetään vain run-10 gonkytkentää (esim. kuvio IB) mutta ei ulkoisia komponentteja, kuten kuvion 4B kondensaattoreita 418, 420, voi olla tuloksena, että vastaanottokytkimellä on suuri kapasitanssi 702 suurella tuloteholla. Tämä suuri kapasitanssi 702 voi merkitä vastaanottokytkimen johtamattomassa tilassa olevien transistorien kytkeytymistä virheellisesti johtaviksi. Sen sijaan käyttämällä kuvion 4B mukaisesti rungonkytkentää 15 ja ulkoisia komponentteja, kuten kondensaattoreita 418,420, myös suurella tuloteholla voidaan saada pieni kapasitanssi 704. Pieni kapasitanssi 704 suurella tuloteholla merkitsee siten sitä, että johtamattomassa tilassa olevat transistorit pysyvät johtamattomina myös suurella tuloteholla. Johtavassa tilassa olevan pinorakenteinen vastaanottokytkin, jossa käytetään sekä rungonkytkentätekniikkaa että ulkoisia 20 komponentteja, voi olla stabiilimpi kuin sellainen johtamattomassa tilassa oleva pinorakenteinen vastaanottokytkin, jossa käytetään vain rungonkytkentätekniikkaa.
Kuviot 8A ja 8B esittävät johtamattoman tilan impedanssin eroja sellaisen pinora-kenteisen vastaanottokytkimen, jossa käytetään rungonkytkentätekniikkaa, ja sellai-25 sen vastaanottokytkimen, jossa käytetään sekä rungonkytkentätekniikkaa että ulkoi-o siä komponentteja, kuten kondensaattoreita 418, 420, välillä. Johtamattomassa ti- A lassa olevan vastaanottokytkimen transistorikytkimen johtamattoman tilan impe- t“ danssi voi riippua toimintataajuudesta sekä tulotehon tasosta. Erikoisesti toiminta- x taajuus voi muuttaa johtamattoman tilan transistorin loiskondensaattoreiden (esim.
CC
30 loiskondensaattoreiden 602, 604, 608, 610) impedanssia. Vastaanottokytkimen joh- 't ^ tamattoman tilan impedanssivaihtelu voi vaikuttaa lähetyskytkimen tehonkäsittely-
LO
§ kykyyn ja harmonisten suoritusarvoihin. Kuvio 8A esittää johtamattoman tilan impe- o ^ dansseja, jotka perustuvat piensignaalisimulaatioon, joka on suoritettu pyyhkäise mällä taajuuksia kiinteällä tuloteholla. Kuten kuviosta 8 näkyy, piensignaalisimulaati- 16 on tapauksessa pelkkää rungonkytkentekniikkaa käyttävän vastaanottokytkimen impedanssi 802 voi olla samanlainen kuin lisäksi rungonkytkentätekniikkaa käyttävän vastaanottokytkimen impedanssi 804. Johtamattoman tilan impedanssit voivat kuitenkin olla erilaisia suursignaalisimuloinnissa, jossa tulotehoja pyyhkäistään kiin-5 teällä taajuudella. Erikoisesti kuten kuviosta 8B näkyy, pelkkää rungonkytkentää käyttävän johtamattomassa tilassa olevan vastaanottokytkimen impedanssi 806 voi olla suurella tuloteholla pienempi kuin rungonkytkentää ja ulkoisia komponentteja käyttävän johtamattoman tilan vastaanottokytkimen impedanssi 808. Rungonkytkentää ja ulkoisia komponentteja käyttävällä johtamattoman tilan vastaanottokytki-10 mellä voi siten olla suurempi tehonkäsittelykyky ja paremmat harmoniset suoritusarvot.
III. Simulointitulokset 15 Kuvio 9 esittää simulointituloksia keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisten monikaistaisten (esim. 900 MHz, 1.9 GHz, 2,1 GHz) vastaanottokytkimien vuotovirralle. Kuten kuviosta 9 näkyy, pelkkää rungonkytkentää käyttävän pinorakenteisen vastaanottokytkimen vuotovirta 902 voi olla olennaisesti suurempi kuin sekä rungonkytkentää että ulkoisia komponentteja käyttävän pinorakenteisen vastaanottokytkimen 20 vuotovirta 904.
Kuvio 10 esittää simulointituloksia keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisten monikaistaisten vastaanottokytkimien tehonkäsittelykyvylle. Kuten kuviosta 10 näkyy, pelkkää rungonkytkentää käyttävän pinorakenteisen vastaanottokytkimen te-25 honkäsittelykyky 1002 voi olla olennaisesti huonompi kuin sekä rungonkytkentää o että ulkoisia komponentteja käyttävän pinorakenteisen vastaanottokytkimen tehon- A käsittelykyky 1004.
i x Kuvio 11 esittää simulointituloksia keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisten
CC
30 monikaistaisten vastaanottokytkimien toisen harmonisen suoritusarvoille. Kuten ku- 't ^ viosta 11 näkyy, pelkkää rungonkytkentää käyttävän pinorakenteisen vastaanotto-
LO
§ kytkimen toisen harmonisen suoritusarvot 1102 voivat olla olennaisesti huonompia o ^ kuin sekä rungonkytkentää että ulkoisia komponentteja käyttävän pinorakenteisen vastaanottokytkimen toisen harmonisen suoritusarvot 1104.
17
Kuvio 12 esittää simulointituloksia keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisten monikaistaisten vastaanottokytkimien kolmannen harmonisen suoritusarvoille. Kuten kuviosta 12 näkyy, pelkkää rungonkytkentää käyttävän pinorakenteisen vastaanot-tokytkimen kolmannen harmonisen suoritusarvot 1202 voivat olla olennaisesti huo-5 nompia kuin sekä rungonkytkentää että ulkoisia komponentteja käyttävän pinorakenteisen vastaanottokytkimen kolmannen harmonisen suoritusarvot 1204.
Keksinnön kohteen tekniikan alan asiantuntijalle on ilmeistä löytää monia tässä esitettyjen keksintöjen muutoksia ja muita suoritusmuotoja edellä esitetyssä selitykses-10 sä ja siihen liittyvissä piirustuksissa esitettyjen ajatusten avulla. Tämän vuoksi on selvää, että keksintö ei rajoitu esitettyihin tiettyihin suoritusmuotoihin ja että oheisten patenttivaatimusten on tarkoitus kattaa tällaiset muutokset ja muut suoritusmuodot. Vaikka tässä on käytetty spesifisiä termejä, niitä on käytetty vain geneeri-sessä ja selittävässä merkityksessä eikä keksinnön rajoittamista varten.
15
CO
δ
(V
X
IX
Q.
''t
CO
m co o o
C\J
Claims (21)
1. CMOS-antennikytkin, joka käsittää: 5 useammalla kuin yhdellä radiotaajuuskaistalla toimivan antennin (400), antenniin yhteydessä olevan lähetyskytkimen (402) ja antenniin yhteydessä olevan vastaanottokytkimen (404), tunnettu siitä, että vas-10 taanottokytkin käsittää joukon transistoreja (408,410,412,406), ja että antenni-kytkin käsittää lisäksi ensimmäisen ulkoisen komponentin (418) transistorien joukon ensimmäistä transistoria (408) varten, jolloin ensimmäisessä transistorissa on ensimmäinen lähde (408a) ja ensimmäinen hila (408b) ja ensimmäinen ulkoinen komponentti (418) yhdistää ensimmäisen lähteen (408a) ja ensimmäisen hilan (408b), 15 ja toisen ulkoisen komponentin (420) transistorien joukon toista transistoria (412) varten, jolloin toisessa transistorissa on toinen hila (412b), toinen nielu (412c) ja toinen runkosubstraatti (412d), jolloin toinen ulkoinen komponentti (420) yhdistää toisen hilan (412b) ja toisen nielun (412c) ja jolloin toinen runkosubstraatti on kytkettävissä valinnaisesti vastukseen tai maahan. 20
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että ainakin jompikumpi, ensimmäinen komponentti (418) tai toinen komponentti (420), on kondensaattori.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että siinä on li- o saksi runkosubstraattikytkin (406) toisen transistorin (412) toisen runkosubstraatin A (412d) kytkemiseksi valinnaisesti vastukseen tai maahan. i
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että lähetystoi- CC 30 mintamuodon aikana lähetyskytkin (402) on sallintatilassa, vastaanottokytkin (404) S on estotilassa ja runkosubstraattikytkin (406) on sallittuna toisen runkosubstraatin LO g (412d) kytkemiseksi maahan, mikä vähentää vastaanottokytkimeen (404) liittyvän o 00 vastaanottolohkon (Rx) suuntaan kulkevaa vuotovirtaa. 19
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että runkosubst-raattikytkin (406) asetetaan toimimaan ensimmäisessä tilassa toisen runkosubstraa-tin (412d) kytkemiseksi maahan ja jossa runkosubstraattikytkin (406) asetetaan tämän jälkeen toimimaan toisessa tilassa, joka on erilainen kuin ensimmäinen tila, 5 vastuksen muodostamiseksi toisen runkosubstraatin ja maan välille.
6. Patenttivaatimuksen 3 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että runkosubstraattikytkin (406) käsittää kolmannen transistorin, jossa on kolmas lähde (406a) ja kolmas nielu (406c), jolloin kolmas lähde (406a) on kytketty sähköisesti toisen tran- 10 sistorin (412) toiseen runkosubstraattiin (412d) ja kolmas nielu (406c) on kytketty sähköisesti maahan.
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että vastaanotto-toimintamuodon aikana lähetyskytkin (402) on estotilassa, vastaanottokytkin (404) 15 on sallintatilassa ja runkosubstraattikytkin (406) on estotilassa vastuksen muodostamiseksi toisen runkosubstraatin (412d) ja maan välille.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että toisessa transistorissa (412) on toinen lähde (412a), jolloin vastaanottokytkimen (404) toisen 20 transistorin vastinpiiri käsittää nielu-runko-kondensaattoriyhteyden ja runko-lähde-kondensaattoriyhteyden ja jolloin kun vastaanottokytkin (404) on sallintatilassa, nielu-runko-kondensaattoriyhteys ja runko-lähde-kondensaattoriyhteys muodostavat ainakin osan antennista (400) tulevasta signaalitiestä.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että transistorien o joukko (408,410, 412, 406)) käsittää keskenään kaskadiin kytkettyjä CMOS- -A transistoreja. i
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen antennikytkin, tunnettu siitä, että ensimmäi- tr 30 nen transistori (408) sisältää lisäksi ensimmäisen nielun (408c) ja ensimmäisen run- ^ kosubstraatin (408d) ja jossa on lisäksi kolmas transistori (410), jossa on kolmas m § lähde (410a), kolmas nielu (410c) ja kolmas runkosubstraatti (410d), jolloin ensim- o ^ mäinen nielu (408c) on kytketty kolmanteen lähteeseen (410a) ja kolmas nielu (410c) on kytketty toiseen lähteeseen (412a). 20
11. Menetelmä CMOS-antennikytkintä varten, joka menetelmä käsittää: useammalla kuin yhdellä radiotaajuuskaisialla toimivan antennin (400) aikaansaami-5 sen, lähetyskytkimen (402) ja vastaanottokytkimen (404) kytkemisen sähköisesti antenniin (400), jossa vastaanottokytkimessä (404) on joukko transistoreja (408, 410, 412, 406), tunnettu siitä, että menetelmään kuuluu ensimmäisen ulkoisen kom-10 ponentin (418) aikaansaaminen transistorien joukon ensimmäistä transistoria (408) varten, jolloin ensimmäisessä transistorissa on ensimmäinen lähde (408a) ja ensimmäinen hila (408b) ja jolloin ensimmäinen ulkoinen komponentti (418) yhdistää ensimmäisen lähteen (408a) ja ensimmäisen hilan (408b), 15 toisen ulkoisen komponentin (420) aikaansaaminen transistorijoukon toista transistoria (412) varten, jolloin toisessa transistorissa on toinen hila (412b), toinen nielu (412c) ja toinen runkosubstraatti (412d), jolloin toinen ulkoinen komponentti (420) yhdistää toisen hilan (412b) ja toisen nielun (412c) ja jolloin toinen runkosubstraatti (412d) on kytkettävissä valinnaisesti vastukseen tai maahan. 20
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäisen ulkoisen komponentin (418) ja toisen ulkoisen komponentin (420) aikaansaaminen käsittää ainakin yhden kondensaattorin aikaansaamisen ensimmäistä ulkoista komponenttia tai toista ulkoista komponenttia varten. 25 CO δ
13. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että se käsittää CvJ ' A lisäksi: x runkosubstraattikytkimen (406) aikaansaamisen toisen transistorin (412) toisen run- CC 30 kosubstraatin (412d) kytkemiseksi valinnaisesti vastukseen tai maahan. CO m
§ 14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että lähetystoi- o 00 mintamuodon aikana lähetyskytkin (402) on sallintatilassa, vastaanottokytkin (404) on estotilassa ja runkosubstraatti kytki n (406) on sallittuna toisen runkosubstraatin 21 (412d) kytkemiseksi maahan, mikä vähentää vastaanottokytkimeen (404) liittyvän vastaanottolohkon (Rx) suuntaan kulkevaa vuotovirtaa.
15. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että runkosubst-5 raattikytkin (406) asetetaan toimimaan ensimmäisessä tilassa toisen runkosubstraa-tin (412d) kytkemiseksi maahan ja jossa runkosubstraattikytkin (406) asetetaan tämän jälkeen toimimaan toisessa tilassa, joka on erilainen kuin ensimmäinen tila, vastuksen muodostamiseksi toisen runkosubstraatin (412d) ja maan välille.
16. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että runkosubst raattikytkin (406) käsittää kolmannen transistorin, jossa on kolmas lähde (406a) ja kolmas nielu (406c), jolloin kolmas lähde (406a) on kytketty sähköisesti toisen transistorin (412) toiseen runkosubstraattiin (412d) ja kolmas nielu (406c) on kytketty sähköisesti maahan. 15
17. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vastaanotto-toimintamuodon aikana lähetyskytkin (402) on estotilassa, vastaanottokytkin (404) on sallintatilassa ja runkosubstraattikytkin (406) on estotilassa vastuksen muodostamiseksi toisen runkosubstraatin (412d) ja maan välille. 20
18. Patenttivaatimuksen 17 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toisessa transistorissa (412) on toinen lähde (412a), jolloin vastaanottokytkimen (404) toisen transistorin vastinpiiri käsittää nielu-runko-kondensaattoriyhteyden ja runko-lähde-kondensaattoriyhteyden ja jolloin kun vastaanottokytkin (404) on sallintatilassa, 25 nielu-runko-kondensaattoriyhteys ja runko-lähde-kondensaattoriyhteys muodostavat o ainakin osan antennista (400) tulevasta signaalitiestä. i τΐ
19. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, jossa transistorien joukko (408, x 410,412,406) käsittää keskenään kaskadiin kytkettyjä CMOS-transistoreja. CC “ 30
^ 20. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäi- ΙΓ) § nen transistori (408) sisältää lisäksi ensimmäisen nielun (408c) ja ensimmäisen run- o ^ kosubstraatin (408d) ja jossa on lisäksi kolmas transistori (410), jossa on kolmas lähde (410a), kolmas nielu (410c) ja kolmas runkosubstraatti (410d), jolloin ensim- 22 mainen nielu (408c) on kytketty kolmanteen lähteeseen (410a) ja kolmas nielu (410c) on kytketty toiseen lähteeseen (412a).
21. CMOS-antennikytkin, joka käsittää: 5 useammalla kuin yhdellä radiotaajuuskaistalla toimivan antennin (400), antenniin yhteydessä olevan lähetyskytkimen (402), 10 antenniin yhteydessä olevan vastaanottokytkimen (404), tunnettu siitä, että vastaa nottokytki n (404) käsittää joukon transistoreja (408, 410,412, 406), joihin sisältyy ensimmäinen transistori (408), jossa on ensimmäinen lähde (408a) ja ensimmäinen hila (408b), ja toinen transistori (412), jossa on toinen hila (412b), toinen nielu (412c) ja toinen runkosubstraatti (412d), 15 välineet (418) ensimmäisen lähteen (408a) ja ensimmäisen hilan (408b) yhdistämiseksi sähköisesti, välineet (420) toisen hilan (412b) ja toisen nielun (412c) yhdistämiseksi sähköisesti 20 ja välineet (406) toisen runkosubstraatin (412d) kytkemiseksi valinnaisesti vastukseen tai maahan. CO δ C\J X X Q_ 00 LO CO o o C\J 23
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US85595007 | 2007-09-14 | ||
| US11/855,950 US7738841B2 (en) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | Systems, methods and apparatuses for high power complementary metal oxide semiconductor (CMOS) antenna switches using body switching and external component in multi-stacking structure |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20085844A0 FI20085844A0 (fi) | 2008-09-10 |
| FI20085844A FI20085844A (fi) | 2009-03-15 |
| FI123967B true FI123967B (fi) | 2014-01-15 |
Family
ID=40446132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20085844A FI123967B (fi) | 2007-09-14 | 2008-09-10 | Järjestelmät, menetelmät ja laitteet suuritehoisia komplementaarisia metallioksidipuolijohde (CMOS) antennikytkimiä varten, käyttäen runkokytkentää ja ulkopuolista komponenttia monipinoisena rakenteena |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7738841B2 (fi) |
| KR (1) | KR101208175B1 (fi) |
| CN (1) | CN101388682A (fi) |
| DE (1) | DE102008046778A1 (fi) |
| FI (1) | FI123967B (fi) |
| FR (1) | FR2921213B1 (fi) |
| GB (1) | GB2452849B (fi) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8624678B2 (en) | 2010-12-05 | 2014-01-07 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Output stage of a power amplifier having a switched-bulk biasing and adaptive biasing |
| WO2008057524A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Compact low loss high frequency switch with improved linearity performance |
| US7843280B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-11-30 | Samsung Electro-Mechanics Company | Systems, methods, and apparatuses for high power complementary metal oxide semiconductor (CMOS) antenna switches using body switching and substrate junction diode controlling in multistacking structure |
| US8880014B2 (en) | 2010-06-07 | 2014-11-04 | Skyworks Solutions, Inc. | CMOS RF switch device and method for biasing the same |
| US8629725B2 (en) | 2010-12-05 | 2014-01-14 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Power amplifier having a nonlinear output capacitance equalization |
| US8604873B2 (en) | 2010-12-05 | 2013-12-10 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Ground partitioned power amplifier for stable operation |
| US8766724B2 (en) | 2010-12-05 | 2014-07-01 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Apparatus and method for sensing and converting radio frequency to direct current |
| US8909171B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-12-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | RF antenna switch circuit, high frequency antenna component, and mobile communication device |
| JP5585901B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2014-09-10 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
| US9373955B2 (en) * | 2012-01-09 | 2016-06-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to electrostatic discharge-protected CMOS switches |
| US8843083B2 (en) | 2012-07-09 | 2014-09-23 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | CMOS switching circuitry of a transmitter module |
| US8731490B2 (en) | 2012-07-27 | 2014-05-20 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Methods and circuits for detuning a filter and matching network at the output of a power amplifier |
| WO2014182952A1 (en) * | 2013-05-08 | 2014-11-13 | Rfaxis, Inc. | Harmonic cancellation for radio frequency front-end switches |
| KR101952857B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2019-02-27 | 삼성전기주식회사 | 스위칭 회로 및 이를 포함하는 고주파 스위치 |
| CN103795432A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-14 | 锐迪科创微电子（北京）有限公司 | 高线性度多模射频天线开关电路 |
| US10290940B2 (en) * | 2014-03-19 | 2019-05-14 | Futurewei Technologies, Inc. | Broadband switchable antenna |
| CN103973291B (zh) | 2014-04-22 | 2017-02-01 | 华为技术有限公司 | 射频天线开关 |
| KR101901694B1 (ko) | 2014-05-09 | 2018-09-27 | 삼성전기 주식회사 | 고주파 스위치 |
| US10032731B2 (en) * | 2014-09-08 | 2018-07-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Voltage compensated switch stack |
| CN107210709A (zh) | 2014-12-30 | 2017-09-26 | 天工方案公司 | 在射频设备中的集成cmos 发送/接收开关 |
| CN104682936B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-10-03 | 广东工业大学 | 一种具有体区自适应偏置功能的cmos soi射频开关结构 |
| US10389008B2 (en) * | 2015-02-26 | 2019-08-20 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | Technique for improving efficiency of on-chip antennas |
| CN106612113B (zh) * | 2015-10-21 | 2020-08-21 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路 |
| US10181828B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-01-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Active cross-band isolation for a transformer-based power amplifier |
| US10910714B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-02-02 | Qualcomm Incorporated | Configurable power combiner and splitter |
| KR20200074419A (ko) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 전자부품연구원 | 밀리미터웨이브 고출력 스위치 |
| US11437992B2 (en) | 2020-07-30 | 2022-09-06 | Mobix Labs, Inc. | Low-loss mm-wave CMOS resonant switch |
| KR102625588B1 (ko) | 2022-03-14 | 2024-01-15 | 전북대학교산학협력단 | 고선형 안테나 스위치 및 이를 포함하는 전자 통신 장치 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461265A (en) * | 1992-05-25 | 1995-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency variable impedance circuit having improved linearity of operating characteristics |
| US5430403A (en) | 1993-09-20 | 1995-07-04 | Micrel, Inc. | Field effect transistor with switchable body to source connection |
| JPH08237166A (ja) | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | Ｒｆスイッチ内蔵アンテナ共用器 |
| US5818099A (en) * | 1996-10-03 | 1998-10-06 | International Business Machines Corporation | MOS high frequency switch circuit using a variable well bias |
| JP2964975B2 (ja) * | 1997-02-26 | 1999-10-18 | 日本電気株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
| FR2783654B1 (fr) * | 1998-09-23 | 2006-07-28 | Sagem | Emetteur-recepteur bibande a double dispositif de rayonnement |
| US6111778A (en) | 1999-05-10 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Body contacted dynamic memory |
| US6396325B2 (en) * | 1999-12-03 | 2002-05-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | High frequency MOSFET switch |
| US6804502B2 (en) * | 2001-10-10 | 2004-10-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| US6882829B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-04-19 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit incorporating RF antenna switch and power amplifier |
| JP4262933B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2009-05-13 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 高周波回路素子 |
| US7092677B1 (en) * | 2002-09-05 | 2006-08-15 | Analog Devices, Inc. | 2V SPDT switch for high power RF wireless applications |
| ATE449466T1 (de) * | 2002-10-14 | 2009-12-15 | Nxp Bv | Sende- und empfangsantennenschalter |
| US7120399B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-10-10 | Broadcom Corporation | High speed CMOS transmit-receive antenna switch |
| TW200620822A (en) * | 2004-12-08 | 2006-06-16 | Airoha Tech Corp | Switching circuits |
| US7619462B2 (en) * | 2005-02-09 | 2009-11-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Unpowered switch and bleeder circuit |
| US7877063B2 (en) * | 2005-04-08 | 2011-01-25 | Panasonic Corporation | High-frequency amplifier, and transmission/reception system |
| JP2006304013A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ回路 |
| JP4724498B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-07-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
| WO2008036047A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Nanyang Technological University | Triple well transmit-receive switch transistor |
| US7890063B2 (en) * | 2006-10-03 | 2011-02-15 | Samsung Electro-Mechanics | Systems, methods, and apparatuses for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) antenna switches using body switching in multistacking structure |
| US7843280B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-11-30 | Samsung Electro-Mechanics Company | Systems, methods, and apparatuses for high power complementary metal oxide semiconductor (CMOS) antenna switches using body switching and substrate junction diode controlling in multistacking structure |
| JP4342569B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 高周波スイッチ回路 |
-
2007
- 2007-09-14 US US11/855,950 patent/US7738841B2/en active Active
-
2008
- 2008-09-10 FI FI20085844A patent/FI123967B/fi not_active IP Right Cessation
- 2008-09-11 KR KR1020080089808A patent/KR101208175B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-11 DE DE102008046778A patent/DE102008046778A1/de not_active Ceased
- 2008-09-12 GB GB0816744A patent/GB2452849B/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 FR FR0856168A patent/FR2921213B1/fr active Active
- 2008-09-16 CN CNA2008101496653A patent/CN101388682A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102008046778A1 (de) | 2009-05-28 |
| GB0816744D0 (en) | 2008-10-22 |
| FI20085844A0 (fi) | 2008-09-10 |
| FR2921213B1 (fr) | 2017-03-31 |
| KR101208175B1 (ko) | 2012-12-04 |
| GB2452849B (en) | 2010-05-12 |
| US20090073078A1 (en) | 2009-03-19 |
| GB2452849A (en) | 2009-03-18 |
| US7738841B2 (en) | 2010-06-15 |
| FI20085844A (fi) | 2009-03-15 |
| FR2921213A1 (fr) | 2009-03-20 |
| CN101388682A (zh) | 2009-03-18 |
| KR20090028446A (ko) | 2009-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI123967B (fi) | Järjestelmät, menetelmät ja laitteet suuritehoisia komplementaarisia metallioksidipuolijohde (CMOS) antennikytkimiä varten, käyttäen runkokytkentää ja ulkopuolista komponenttia monipinoisena rakenteena | |
| KR100916472B1 (ko) | 다중 스택 구조에서 바디 스위칭 및 기판 접합 다이오드제어를 이용한 고출력 상보형 금속 산화막 반도체 안테나스위치 시스템, 방법 및 장치 | |
| KR100946001B1 (ko) | 다중 스택 구조에서 바디 스위칭을 이용한 상보형 금속산화막 반도체 안테나 스위치 시스템, 방법 및 장치 | |
| US9143184B2 (en) | Radio frequency multi-port switches | |
| US7877063B2 (en) | High-frequency amplifier, and transmission/reception system | |
| KR101850769B1 (ko) | 스위치 모듈, 프론트 엔드 모듈 및 스위치 모듈의 구동 방법 | |
| KR100976627B1 (ko) | 밀리미터파 대역 제어회로용 스위치 회로 | |
| US8731485B2 (en) | RF switches | |
| US20230283245A1 (en) | Wideband Amplifier Tuning | |
| US11817830B2 (en) | Two-stage LNA with mutual coupling | |
| KR20090122965A (ko) | 저손실, 저고조파 및 향상된 선형성 성능을 가진 고주파 스위치 | |
| US20080012783A1 (en) | Switch and switching device with selective isolation for multimedia terminals | |
| US7671697B2 (en) | High-isolation switching device for millimeter-wave band control circuit | |
| Elgaard et al. | A 27 GHz adaptive bias variable gain power amplifier and T/R switch in 22nm FD-SOI CMOS for 5G antenna arrays | |
| US10985734B2 (en) | Radio frequency switch | |
| JP2002043911A (ja) | 半導体スイッチ回路および半導体装置 | |
| US8385845B1 (en) | Shunt device for switch | |
| US8039880B2 (en) | High performance microwave switching devices and circuits | |
| US20240178798A1 (en) | Amplifier with Improved Power Supply Rejection in Feedback Circuits | |
| WO2024137344A1 (en) | Multi-input lna with passive bypass gain modes | |
| Acar et al. | Large Signal and Small Signal Building Blocks for Cellular Infrastructure | |
| Acar et al. | 7 Large Signal and Small Signal Building Blocks |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 123967 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |
|
| MM | Patent lapsed |