FI123691B - Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi - Google Patents

Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI123691B
FI123691B FI20070955A FI20070955A FI123691B FI 123691 B FI123691 B FI 123691B FI 20070955 A FI20070955 A FI 20070955A FI 20070955 A FI20070955 A FI 20070955A FI 123691 B FI123691 B FI 123691B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
particles
structured
particle beam
certain size
separated
Prior art date
Application number
FI20070955A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20070955A (fi
FI20070955A0 (fi
Inventor
Markku Rajala
Milja Maekelae
Juha Kauppinen
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20070955A priority Critical patent/FI123691B/fi
Publication of FI20070955A0 publication Critical patent/FI20070955A0/fi
Priority to CN2008801238109A priority patent/CN101909819B/zh
Priority to JP2010537479A priority patent/JP5284366B2/ja
Priority to PCT/FI2008/050718 priority patent/WO2009074715A1/en
Priority to EP08859887.5A priority patent/EP2234759A4/en
Priority to US12/741,691 priority patent/US8557335B2/en
Publication of FI20070955A publication Critical patent/FI20070955A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI123691B publication Critical patent/FI123691B/fi

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/06—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for producing matt surfaces, e.g. on plastic materials, on glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/12—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by mechanical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
    • B05D5/083—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface involving the use of fluoropolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/08—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially adapted for abrasive blasting of travelling stock or travelling workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/08—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially adapted for abrasive blasting of travelling stock or travelling workpieces
    • B24C3/10—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially adapted for abrasive blasting of travelling stock or travelling workpieces for treating external surfaces
    • B24C3/12—Apparatus using nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
    • C03C17/30—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45531—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making ternary or higher compositions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2202/00—Metallic substrate
    • B05D2202/20—Metallic substrate based on light metals
    • B05D2202/25—Metallic substrate based on light metals based on Al
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2203/00—Other substrates
    • B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
    • B05D2203/35—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/76—Hydrophobic and oleophobic coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/31—Pre-treatment

Description

Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi
Keksinnön ala
Esillä olevan keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen menetelmä ja patenttivaatimuksen 15 johdannon mukainen lait-5 teisto erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi siten, että pinta ensin strukturoidaan ainakin nanostruktuurilla ja sen jälkeen pinnoitetaan atomikerroskasva-tusmenetelmällä.
Ongelman kuvaus ja tunnetun tekniikan taso ^ Pinnan struktuurilla on merkitystä useiden tuotteiden ominaisuuk- 10 siin. Tunnettu esimerkki on Lotus-pinta, jossa hydrofobinen pinta muuntuu erittäin hydrofobiseksi johtuen siitä, että pinnassa on 20-40 mikrometrin välein kohoumia ja lisäksi koko pinnalla on 200 - 2000 nanometrin kokoisia vahakiteitä. Yleisimmin voidaan todeta, että pinnan mikro/nanostruktuuria muuttamalla voidaan alunperin hydrofiilinen tai hydrofobinen pinta muuttaa erittäin hydrofiili-15 seksi tai erittäin hydrofobiseksi. Erittäin hydrofiilinen ja/tai erittäin hydrofobinen pinta on taloudellisesti merkittävä valmistettaessa helposti puhtaana pysyviä tai itsepuhdistuvia pintoja.
Erittäin hydrofobinen pinta määritellään tässä yhteydessä pinnaksi, jolla vesipisaran kontaktikulma on suurempi kuin 120°. i 20 Patenttijulkaisussa US 3,354,022, julk. 21.11.1967, E.l. du Pont de
Nemours and Company esitellään vettä hylkivä pinta, jonka vedenhylkivyys pe-cvj rustuu pinnassa oleviin kokoumiin, joiden keskimääräinen etäisyys toisistaan ° on korkeintaan 1000 mikrometriä ja joiden korkeus on vähintään puolet keski- o määräisestä etäisyydestä.
o 25 Patenttijulkaisussa US 6,811,856 B2, julk. 2.11.2004, Creavis Ge- | sellschaft fOr Technologie und Innovation GmbH esitellään itsepuhdistuva pin- lo ta, jolla on hydrofobinen pintarakenne, joka on saatu aikaan pinnalla olevilla o korkeuseroilla, jotka on saatu aikaan pintaan kiinnitetyillä hiukkasilla. Hiukkas- o ten koko on 20 - 500 nm.
CVJ
30 Itsepuhdistuvuuden lisäksi hydrofobisilla pinnoilla on merkitys flui- distiikassa, erityisesti pyrittäessä pienentämään kanavien virtausvastusta. Pa- 2 tenttijulkaisussa US 6,852,390 B2, julk. 8.2.2005, Entegris, Inc. Esitellään uit-rafobinen pinta, joka on saatu aikaan säännöllisen muotoisilla mikro- tai nano-skaalan poikkeamilla pinnasta. Julkaisussa Physics of Fluids, voi. 16, n:o 12, joulukuu 2004, Jia Ou, Blair Perot & Jonathan P. Rothstein, "Laminar drag re-5 duction in microchannels using ultrahydrophobic surfaces”, s. 4635 - 4643 osoitetaan, että laminaarivirtauskanavan virtausvastusta voidaan oleellisesti pienentää, mikäli virtauskanavan pintaan on tuotettu säännöllinen mikroskaa-lan struktuuri.
Itsepuhdistuvilla pinnoilla on suuri taloudellinen merkitys esimerkiksi 10 ikkunoissa. Patenttijulkaisussa US 6,997,018 B2, julk. 14.2.2006, Ferro Corporation, esitellään menetelmä lasipinnan mikro- ja nanostrukturoimiseksi. Menetelmä perustuu halkaisijaltaan alle 400 nm suuruisten epäorgaanisten hiukkasten kiinnittämiseen lasin pintaan lasituotteen lämpötilan ollessa 700 - 1200 °C.
Pinta voidaan strukturoida joko säännölliseksi tai säännöttömäksi, 15 eli satunnaiseksi. Satunnaisesti struturoidut pinnat ovat käytännön kannalta enemmän relevantteja, koska ne niiden valmistaminen on halvempaa. Pintojen mikro- ja nanostruktuureja on valmistettu usealla tavalla, kuten litografialla, et-saamalla, mikroleimauksella, kemiallisella kaasufaasikasvatuksella (CVD) ja fysikaalisella kaasufaasikasvatuksella (PVD).
20 Patenttijulkaisussa US 6,309,798 B1, julk. 30.10.2001, Studien- gesellschaft Kohle mbH, on esitelty litografinen menetelmä pinnan nanostrukturoimiseksi. Litografinen menetelmä vaatii monivaiheisen pinnan käsittelyn, ou eikä siten ole edullinen suurten pintojen strukturointimenetelmä.
° Patenttijulkaisussa US 6,468,916 B2, julk. 22.10.2002, Samsung o 25 SDI Co., Ltd. on esitelty menetelmä nanokokoisen pintastruktuurin muodosta- o miseksi. Menetelmässä on useita vaiheita: mikrostruktuurin muodostaminen, | hiilipolymeerikerroksen kasvattaminen mikrostrukturoidun pinnan päälle, en- lo simmäinen plasmaetsausprosessi, maskikerroksen luominen ja toinen reaktii-
LO
o vinen etsaus. Tämäkin menetelmä vaatii siten monivaiheisen pinnan käsittelyn, o 30 eikä ole edullinen suurten pintojen strukturointimenetelmä.
C\J
3
Patenttijulkaisussa US 6,997,018 kuvattu menetelmä lasin pinnan struturoimiseksi on käyttökelpoine suuren pinnan strukturointimenetelmä, mutta se on rajoittunut lasimaisen pinnan strukturoimiseksi yli 700°C lämpötilassa.
Tunnetun tekniikan mukaisissa menetelmissä ei ole käsitelty erittäin 5 hydrofobisten pintojen aikaansaamista suurille pinnoille siten että pintaan tuotettaisiin ensin satunnainen nanostruktuuri, jonka jälkeen pinta pinnoitetaan oleellisesti konformaalisen pinnoitteen aikaansaavalla atomi kerros kasvatusmenetelmällä. On siis olemassa tarve tällaiselle menetelmälle, joka menetelmä olisi myös käyttökelpoinen ja edullinen suurten ja optisesti virheettömien pinto-..j lo jen toteuttamiseksi.
Keksinnön yhteenveto
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on aikaansaada menetelmä ja laite, joka täyttää edellä esitetyt vaatimukset. Keksinnön tavoitteet saavutetaan patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan mukaisella menetelmällä ja patentti-15 vaatimuksen 15 tunnusmerkkiosan mukaisella laitteistolla.
Keksinnön mukaisesti hiukkasjoukosta G0 voidaan erotella ensin impaktorilla halkaisijaa di suuremmat hiukkaset. Tämän jälkeen hiukkasjoukko ohjataan seuraavan impaktiosuuttimen läpi ja halkaisijaa d2 suurempien hiukkasten annetaan törmätä muokattavaan pintaan, jolloin ne aiheuttavat pintaan 20 struktuurin, jonka koko riippuu halkaisijoista di ja d2. Hiukkasten d2 avulla pintaan muodostettu struktuuri on ainakin nanostruktuuri, mutta se voi käsittää myös sekä nanostruktuuri n että mikrosiru ktuurin. Edelleen samasta hiukkasen g joukosta voidaan erotella impaktorilla halkaisijaa d3 suuremmat hiukkaset, en ^ minkä jälkeen erotellaan vielä halkaisijaa d4 (<d3) suuremmat hiukkaset johde- o ^ 25 taan seuraavan impaktiosuuttimen läpi ja niiden annetaan törmätä muokatta- o x vaan pintaan, jolloin ne aiheuttavat pintaan struktuurin, jonka koko riippuu hai-
CC
kaisijoista d3 ja d4 ja struktuurin mittakaava on pienempi kuin halkaisijoista di ja
LO
d2 riippuvan struktuurin mittakaava. Edullisesti struktuuri voidaan aikaansaada o £ liikkuvan rainan pinnalle, joiioin eri mittakaavaiset struktuurit saadaan tuotettua o 00 30 samaan pintaan samassa prosessissa. Alan ammattimiehelle on selvää, että menetelmän kaltainen strukturointi voidaan tuottaa myös useammassa kuin 4 kahdessa vaiheessa ja että halkaisijat d2 ja d3 voivat olla myös samansuuruiset.
Menetelmän mukaisesti pintaan voidaan tuottaa mikrostruktuuri, jonka mittakaava on tyypillisesti 1 - 1000 mikrometriä ja/tai nanostruktuuri, 5 jonka mittakaava on tyypillisesti 1 - 1000 nanometriä.
Strukturoinnin jälkeen strukturoidun pinnan omaava tuote asetetaan atomikerroskasvatuslaitteeseen, jossa strukturoidulle pinnalle kasvatetaan atomikerroskasvatusmenetelmällä hydrofobinen pinnoite. Pinnan struktuurin ja pinnoitteen hydrofobisuudern yhteisvaikutuksesta lopullisesta pinnasta tulee 10 erittäin hydrofobinen.
Piirustusten kuvaus
Kuva 1 esittää erästä keksinnön suoritusmuotoa ja havainnollistaa keksinnön mukaista menetelmää pinnan strukturoimiseksi.
Kuva 2 esittää erästä keksinnön toista suoritusmuotoa, missä pie-15 nimmät hiukkaset poistetaan aerosolista ennen pinnan strukturointia.
Keksintöä kuvataan seuraavassa tarkemmin piirustuksiin viitaten.
Keksinnön yksityiskohtainen kuvaus
Kuvassa 1 on esitetty periaatteellinen poikkileikkaus keksinnön mukaisen menetelmän erään suoritusmuodon mukaisesta yksiasteisesta strutu-20 rointilaitteesta 1, mikä kuva havainnollistaa keksinnön mukaista menetelmää. Laitteeseen 1 kuuluu edullisesti välineet 2 aerosolin, joka sisältää hiukkasia 3 cv syöttämiseksi laitteeseen 1, välineet aerosolin paineen kontrolloimiseksi kam- 0 cv miossa 4 (paineen kontrollointivälineitä ei ole piirretty kuvaan), impaktiosuutin r^.
9 5, keruulevy 6, välineet aerosolin johtamiseksi toiselle impaktiosuuttimeiie 7,
Tj- ° 25 välineet 8 aerosolin johtamiseksi struturoitavalle pinnalle 9, välineet 10 ae- 1 rosolin johtamiseksi pois strukturoitavalta pinnalta 9 ja välineet aerosolin pois- [£ tokanavan paineen kontrolloimiseksi (ei piirretty kuvaan). Yksinkertaisimmil- σ> ° laan paineen konrollointina voi toimia aerosolin virtausmäärä, mutta tarvittaes- o ^ sa painetta voidaan nostaa normaali-ilmanpaineen yläpuolelle kammiossa 4 30 ja/tai aerosolin poistokanavassa 10 voi olla normaali-ilmanapainetta alempi paine.
5
Alan ammattimiehelle on ilmeistä, että mikäli laitteeseen 1 syötettävä aerosoli ei sisällä kokoa d-ι suurempia hiukkasia, voidaan impaktiosuutin 5 ja keruulevy 6 jättää pois laitteesta.
Laitteeseen johdettava aerosoli sisältää hiukkasia 3, joiden muoto 5 voi olla mielivaltainen. Edullisesti hiukkasten muoto poikkeaa pyöreästä ja hiukkasten pinnalla on särmiä tai vastaavia.
Tässä hakemuksessa esitetyt matemaattiset yhtälöt on esitetty julkaisussa William C. Hinds, Aerosol Technology, properties, Behavior, and Measurement of Airborne Particles, 2nd Edition, John Wiley & Sons, Inc., New 10 York, 1999.
Impaktiosuuttimen 5 raon leveys on oleellinen parametri kokoa di suurempien hiukkasten keräämiseksi keruulevylle 6. Keruulevyn 6 keruutehok-kuus Ef riippuu Stokesin numerosta (Stk) , joka määritellään suorakaiteen muotoiselle impaktiosuuttimen raolle: 15
Stk = — = PrdrUCc (1)
HI 2 9ηH
Missä τ on relaksaatioaika, U on kaasun nopeus, H on impaktiosuuttimen 6 raon leveys, pp on hiukkasen tiheys, dp on hiukkasen halkaisija, 20 Cc on Cunninghamin korjauskerroin ja η on viskositeetti. Kaasun nopeuteen U vaikutetaan oleellisesti kammion 4 ja ja poistokanavan 10 paineella.
Mikäli hiukkaset eivät ole pyöreitä, on kaavan 1 hiukkaskokoa kor-
C\J
o jättävä dynaamisella kokotekijällä χ, joka tyypillisesti vaihtelee välillä 1-2.
^ Hiukkaskokoa di pienemmät hiukkaset etenevät impaktiosuuttimelle g 25 7, jossa hiukkasten nopeus kiihtyy ja kokoa d2 suuremmat hiukkaset iskeytyvät x strukturoitavalle pinnalle 9. Menetelmän tarkoituksena on, että mahdollisimman
CL
moni strukturoitavalle pinnalle 9 iskeytyvistä hiukkasista kimpoaa pois pinnasta
LO
g 9 jättäen pintaan 9 sitä struturoivan jäljen. Hiukkasen kimpoaminen pinnasta g on todennäköisempää suuremmilla hiukkasilla, suuremmilla hiukkasnopeuksil- C\] 30 la ja kovaa materiaalia olevilla hiukkasilla. Täten on edullista käyttää laitteen 1 hiukkasina oksidihiukkasia, kuten alumiinioksidia, karbidihiukkasia, kuten pii- 6 karbidia tai nitridihiukkasia, kuten boorinitridiä. Edelleen hiukkasten kimpoamiseen pinnasta vaikuttaa strukturoitavan pinnan materiaali ja alku struktuuri, ja menetelmän käyttö on edullisinta, kun sillä strukturoidaan sileitä, kovia ja puhtaita pintoja, esimerkiksi lasi- tai metallipintaa.
5 Hiukkasen kimpoamista ei tapahdu, mikäli hiukkasen nopeus jää al le kriittisen nopeuden Vc, joka määritellään (2) da ) to Missä b on vakio, joka riippuu käytetyistä materiaaleista (hiukkaset ja pinta) ja geometriasta ja on tyypillisesti välillä 1 -100 x 10'6 m2/s ja da on hiukkasen aerodynaaminen halkaisija.
Kuvassa 2 on esitetty periaatteellinen poikkileikkaus keksinnön mukaisen menetelmän erään toisen suoritusmuodon mukaisesta yksiasteisesta 15 struturointilaitteesta 1. Laitteeseen 1 kuuluu edullisesti välineet 2 aerosolin, joka sisältää hiukkasia 3 syöttämiseksi laitteeseen 1, välineet aerosolin paineen kontrolloimiseksi kammiossa 4 (paineen kontrollointivälineitä ei ole piirretty kuvaan), virtuaali-impaktori 11, joka erottelee hiukkaskokoa d2 pienemmät ja suuremmat hiukkaset, välineet hiukkaskokoa d2 pienempien hiukkasten johtami-20 seksi pois laitteesta 12, välineet 8 aerosolin johtamiseksi struturoitavalle pinnalle 9, välineet 10 aerosolin johtamiseksi pois strukturoitavalta pinnalta 9 ja ^ välineet aerosolin poistokanavan paineen kontrolloimiseksi (ei piirretty ku- ^ vaan). Yksinkertaisimmillaan paineen konrollointina voi toimia aerosolin vir- i £ tausmäärä, mutta tarvittaessa painetta voidaan nostaa normaali-ilmanpaineen i 3 25 yläpuolelle kammiossa 4 ja/tai aerosolin poistokanavassa 10 voi olla normaalini ilmanapainetta alempi paine. Tämän suoritusmuodon mukaisella laitteella saa-
CL
Lo vutetaan se etu, että hiukkaskokoa d2 pienemmät hiukkaset saadaan poistet- m o tua kaasuvirtauksesta ennen niiden iskeytymistä muokattavalle pinnalle 9.
o Koska valtaosa virtauksesta kulkee kanavaan 12, on virtuaali-impaktorin ulos-
CVJ
30 tulo 13 kuristettu hiukkasten nopeuden kasvattamiseksi. Hiukkasten nopeutta voidaan kaikissa suoritusmuodoissa kasvattaa myös esimerkiksi tuomalla lisä- 7 kaasuvirtausta impaktiosuuttimen jälkeen, sähkökentän avulla, tai muulla tavoin.
Edellä mainituissa suoritusmuodoissa esitettyjä pinnan strukturointi-ratkaisuja voidaan yhdistää keskenään ja että eri tavalla mitoitettuja menetel-5 män suoritusmuotoja on mahdollista kytkeä sarjaan siten, että ensimmäinen vaihe tuottaa pintaan mikrostruktuurin ja toinen vaihe mikrostruktuurin päälle nanostruktuurin.
Strukturoinnin jälkeen pinta pinnoitetaan atomikerroskasvatusmene-telmällä. Hydrofobinen pinnoite saadaan atomikerroskasvatusmenetelmällä 10 (ALD) aikaan esimerkiksi alumiiniyhdisteen ja fluoriyhdisteen prosessilla, kuten TMA(trimetyylialumiini)/fluoroalkyylisilaani -prosessilla. Prosessissa reak-tiokammion (Beneq TFS500 ALD-reaktori)lämpötila oli 70°C, ja lähtöaineläm-pötilat fluoroalkyylisilaani (CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3) 50°C, TMA 20°C ja vesi 20°C. Prosessisykli oli seuraava: 15 - H20 —pulssi 60 s - N2 -huuhtelupulssi 60,5 s - 20 sykliä koostuen: o TMA -pulssi 250 ms o N2 -huuhtelupulssi 5,5 s 20 o H20 -pulssi 250 ms 5 o N2 -huuhtelupulssi 5,5 s - TMA -pulssi 2 s cvj - N2 -huuhtelupulssi 500 ms ^ - Fluoroalkyylisilaani —pulssi 20 min έ 25 - N2 -huuhtelupulssi 500 ms o c Pinnoituksen jälkeen tuotteessa on keksinnön mukaisella menetel-
CL J
m mällä tuotettu erittäin hydrofobinen pinta.
LO
o Keksinnön mukaista menetelmää voidaan käyttää esimerkiksilasin h-- o 30 pinnan strukturoimiseksi lasin pinnan ollessa riittävän kovaa. Tämä ehto täyt tyy, kun lasin lämpötila on alle alemman jäähdytysrajan, esimerkiksi soodalasil-la alle 490°C. Täten keksinnön mukainen laite voidaan integroida lasin tuotan- 8 tolinjaan (float-linjaan) tai lasin prosessointilinjaan kohtaan, jossa lasin lämpötila on tuon alemman jäähdytysrajan alapuolella.
Keksinnön mukaista menetelmää voidaan edullisesti käyttää myös esimerkiksi metallipintojen strukturointiin, esimerkiksi tuotettaessa nanoraken-5 teinen pinta sormenjälkiä hylkivää metallipintaa varten,
CVJ
δ c\j o o
X
CC
CL
m m O) o o o
CVJ

Claims (20)

  1. 9
  2. 1. Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan, jossa kosketuskulma on yli 120 astetta, tuottamiseksi materiaaliin, jossa menetelmässä strukturoita- 5 vaan pintaan kohdistetaan sitä strukturoiva hiukkassuihku pinnan strukturoimiseksi ja strukturoitu pinta pinnoitetaan hydrofobisella materiaalilla, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää ainakin seuraavat vaiheet: - erotetaan hiukkassuihkusta ainakin yhden impaktiosuuttimen (7, 11) avulla määrättyä kokoa d2 suuremmat hiukkaset, jotka ohjataan strukturoi- 10 tavaan pintaan (9) siten, että ne törmäävät strukturoitavaan pintaan (9) aikaansaaden siihen struktuurin; ja - pinnoitetaan strukturoitu pinta (9) atomikerroskasvatusmenetelmäl-lä (ALD-menetelmällä).
  3. 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, et-15 tä käytetään atomikerroskasvatusmenetelmällä kasvatettavan pinnoitteen raa- ka-ainena ainakin alumiiniyhdistettä ja fiuoriyhdistettä.
  4. 3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että fluoriyhdisteen raaka-aine on fluoroalkyylisiiaani.
  5. 4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-3 mukainen menetelmä, 20 tunnettu siitä, että erotetaan hiukkassuihkusta ainakin yhden impaktiosuut- i timen (7, 11) avulla hiukkassuihkusta määrättyä kokoa d2 suuremmat hiukka set ja ohjataan ne strukturoitavaan pintaan (9) siten, että ne törmäävät struktu- ^ roitavaan pintaan (9) aikaansaaden nanostruktuurin, jonka skaala on 1 - 1000 o ^ nanometriä, ja/tai mikrostruktuurin, jonka skaala on 1 - 1000 mikrometriä. ° 25 5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 4 mukainen menetelmä, ° tunnettu siitä, että ohjataan määrättyä kokoa d2 suuremmat hiukkaset X £ strukturoitavaan pintaan (9) siten, että ne kuluttavat siihen struktuurin. to 6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 5 mukainen menetelmä, o ^ tunnettu siitä, että erotetaan hiukkassuihkusta määrättyä kokoa d-j suu- ° 30 remmat hiukkaset, di on suurempi kuin d2, ennen kokoa d2 olevien hiukkasten erottamista hiukkassuihkusta. ϊί 10 7, jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että hiukkassuihkusta erotetaan määrättyä kokoa d2 pienemmät hiukkaset ennen kokoa d2 suurempien hiukkasten osumista strukturoitavaan pintaan (9), 5 8, Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että suoritetaan kokoa d2 pienempien hiukkasten erottaminen virtuaali-impaktoriila (11).
  6. 9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että määrättyä kokoa d2 suuremmat hiukkaset ohjataan 10 strukturoivalle pinnalle (9) nopeudella, joka on suurempi kuin kyseisille hiukkasille ja strukturoitavalle pinnalle (9) ominainen kriittinen nopeus, jota kriittistä nopeutta pienemmällä nopeudella liikkuvat hiukkaset tarttuvat strukturoitavaan pintaan (9).
  7. 10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, 15 että kasvatetaan määrättyä kokoa d2 suurempien hiukkasten nopeus yli kriittisen nopeuden kiihdyttämällä hiukkasten nopeutta impaktiosuuttimessa (5, 7, 11) tai sen jälkeen.
  8. 11. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että käytettävät hiukkaset (3) poikkeavat muodoltaan 20 pyöreistä hiukkasista.
  9. 12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että käytetyt hiukkaset (3) ovat oksidi-, karbidi-, tai nitridihiukkasia. CVJ δ 13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 12 mukainen mene- 25 telmä, tunnettu siitä, että menetelmän avulla tuotetaan strukturoitavaan ^ pintaan (9) ensin mikrorakenne ja sen jälkeen nanorakenne. ° 14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, tunnettu sii- X £ tä, että ensimmäisellä impaktiosuuttimella (5) erotetaan hiukkassuihkusta mää- io rättyä kokoa d2 suuremmat hiukkaset, jotka ohjataan strukturoitavaan pintaan o 30 (9) siten, että ne törmäävät strukturoitavaan pintaan (9) kuluttaen siihen Olen in § naisesti mikrostruktuurin, ja toisella impaktiosuuttimella (7) ero-tetaan hiukkas- 00 suihkusta määrättyä kokoa d4, d4<d2, suuremmat hiukkaset, jotka ohjataan s 11 strukturoitavaan pintaan (9) siten, että ne törmäävät strukturoitavaan pintaan (9) kuluttaen siihen olennaisesti nanostruktuurin.
  10. 15, Laitteisto erittäin hydrofobisen pinnan, jossa kosketuskulma on yli 120 astetta, tuottamiseksi materiaaliin, joka laitteisto käsittää laitteen (1) 5 hiukkassuihkun kohdistamiseksi strukturoitavaan pintaan (9) sen strukturoimiseksi sekä pinnoitusvälineet strukturoidun pinnan pinnoittamiseksi, tunnettu siitä, että laite (1) hiukkassuihkun kohdistamiseksi strukturoitavaan pintaan (9) käsittää ainakin yhden impaktiosuuttimen (7), jonka avulla hiukkassuihkusta erotetaan määrättyä kokoa d2 suuremmat hiukkaset, jotka törmäävät struktu- 10 roitavaan pintaan (9), ja että laitteisto käsittää lisäksi atomikerroskasvatuslait-teen strukturoidun pinnan (9) pinnoittamiseksi.
  11. 16. Patenttivaatimuksen 15 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laite (1) käsittää ainakin yhden toisen impaktiosuuttimen (5), jonka avulla hiukkassuihkusta erotetaan määrättyä kokoa di suuremmat hiukkaset (d-i>d2).
  12. 17. Patenttivaatimuksen 15 tai 16 mukainen laitteisto, tu n n ettu siitä, että laite (1) käsittää ainakin yhden virtuaali-impaktiosuutin (11), jonka avulla hiukkassuihkusta erotetaan määrättyä kokoa d2 pienemmät hiukkaset.
  13. 18. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 15 - 17 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laite (1) käsittää välineet hiukkassuihkun nopeuden 20 nostamiseksi impaktiosuuttimessa (5, 7,11) tai sen jälkeen.
  14. 19. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 15-18 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto on integroitu tasolasin tuotanto- tai proses-sointilinjaan kohtaan, jossa lasin lämpötila on alle lasin alemman jäähdytysra-jan.
  15. 20. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 15-18 mukainen laitteis- to, t u n n e 11 u siitä, että laitteisto (1) on integroitu metallituotteen tuotanto- tai o käsittelylinjaan. i n- o o X IX Q. LO LO σ> o n- o o C\J 12
FI20070955A 2007-12-10 2007-12-10 Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi FI123691B (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20070955A FI123691B (fi) 2007-12-10 2007-12-10 Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi
CN2008801238109A CN101909819B (zh) 2007-12-10 2008-12-09 制造极疏水性表面的方法
JP2010537479A JP5284366B2 (ja) 2007-12-10 2008-12-09 極度に疎水性の表面を製造する方法
PCT/FI2008/050718 WO2009074715A1 (en) 2007-12-10 2008-12-09 Method for manufacturing an extremely hydrophobic surface
EP08859887.5A EP2234759A4 (en) 2007-12-10 2008-12-09 METHOD FOR PRODUCING AN EXTREMELY HYDROPHOBIC SURFACE
US12/741,691 US8557335B2 (en) 2007-12-10 2008-12-09 Method for manufacturing an extremely hydrophobic surface

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20070955A FI123691B (fi) 2007-12-10 2007-12-10 Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi
FI20070955 2007-12-10

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20070955A0 FI20070955A0 (fi) 2007-12-10
FI20070955A FI20070955A (fi) 2009-06-11
FI123691B true FI123691B (fi) 2013-09-30

Family

ID=38951491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20070955A FI123691B (fi) 2007-12-10 2007-12-10 Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8557335B2 (fi)
EP (1) EP2234759A4 (fi)
JP (1) JP5284366B2 (fi)
CN (1) CN101909819B (fi)
FI (1) FI123691B (fi)
WO (1) WO2009074715A1 (fi)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI122502B (fi) * 2007-12-20 2012-02-29 Beneq Oy Menetelmä ja laite lasin pinnoittamiseksi
US8834964B2 (en) * 2009-12-11 2014-09-16 Ngimat, Co. Process for forming high surface area embedded coating with high abrasion resistance
US8240201B2 (en) * 2010-02-22 2012-08-14 Hamilton Sundstrand Space Systems International, Inc. Air monitoring device
KR102199814B1 (ko) 2014-02-27 2021-01-08 엘지전자 주식회사 부유미생물 측정장치 및 그 측정방법
KR101641207B1 (ko) 2016-02-15 2016-07-20 한국기계연구원 비침투성과 초소수성을 갖는 폴리이미드 필름의 제조 방법
US10525671B2 (en) 2016-11-07 2020-01-07 International Business Machines Corporation Hydrophobic metallic surface with a tunable pore-size

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3354022A (en) 1964-03-31 1967-11-21 Du Pont Water-repellant surface
JP2890599B2 (ja) * 1990-02-06 1999-05-17 ソニー株式会社 加工方法
US5674592A (en) * 1995-05-04 1997-10-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Functionalized nanostructured films
FI98832C (fi) 1995-09-15 1997-08-25 Juha Tikkanen Menetelmä ja laite materiaalin ruiskuttamiseksi
DE19618447A1 (de) * 1996-05-08 1997-11-20 Studiengesellschaft Kohle Mbh Lithographisches Verfahren zur Erzeugung von Nanostrukturen auf Oberflächen
US7108894B2 (en) * 1998-09-30 2006-09-19 Optomec Design Company Direct Write™ System
JP2000230140A (ja) * 1999-02-08 2000-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 撥水塗料
JP4219476B2 (ja) * 1999-04-05 2009-02-04 パナソニック株式会社 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
KR100480772B1 (ko) * 2000-01-05 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 나노 스케일의 표면 거칠기를 가지는 마이크로 구조물의형성방법
AU5469701A (en) * 2000-03-20 2001-10-03 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Surface, method for the production thereof and an object provided with said surface
DE10016485A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Glas-, Keramik- und Metall-Substrate mit selbstreinigender Oberfläche, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
DE10118345A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-17 Creavis Tech & Innovation Gmbh Eigenschaften von Strukturbildnern für selbstreinigende Oberflächen und die Herstellung selbiger
US7553686B2 (en) * 2002-12-17 2009-06-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices
US6852390B2 (en) 2003-04-15 2005-02-08 Entegris, Inc. Ultraphobic surface for high pressure liquids
US6997018B2 (en) * 2003-06-02 2006-02-14 Ferro Corporation Method of micro and nano texturing glass
JP4318143B2 (ja) * 2004-08-03 2009-08-19 興研株式会社 超撥水性部材の製造方法
US7527832B2 (en) * 2005-04-27 2009-05-05 Ferro Corporation Process for structuring self-cleaning glass surfaces
FI117790B (fi) 2005-05-24 2007-02-28 Beneq Oy Menetelmä ja laite materiaalin pinnoittamiseksi
JP4997750B2 (ja) * 2005-12-12 2012-08-08 富士通株式会社 カーボンナノチューブを用いた電子素子及びその製造方法
FI121336B (fi) * 2006-03-27 2010-10-15 Beneq Oy Hydrofobinen lasipinta
US8084087B2 (en) * 2007-02-14 2011-12-27 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fabrication method of size-controlled, spatially distributed nanostructures by atomic layer deposition

Also Published As

Publication number Publication date
CN101909819B (zh) 2013-01-23
FI20070955A (fi) 2009-06-11
EP2234759A4 (en) 2014-03-12
US8557335B2 (en) 2013-10-15
US20100266761A1 (en) 2010-10-21
JP2011506764A (ja) 2011-03-03
FI20070955A0 (fi) 2007-12-10
WO2009074715A1 (en) 2009-06-18
JP5284366B2 (ja) 2013-09-11
CN101909819A (zh) 2010-12-08
EP2234759A1 (en) 2010-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI123691B (fi) Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi
Holman et al. A flexible method for depositing dense nanocrystal thin films: impaction of germanium nanocrystals
US9976216B2 (en) Atomic-layer deposition apparatus
US20160240419A1 (en) Atomic-layer deposition substrate
US9499906B2 (en) Coating substrate using bernoulli atomic-layer deposition
Wu et al. Hierarchical structured sol–gel coating by laser textured template imprinting for surface superhydrophobicity
Bobinski et al. Droplet bouncing on the surface with micro-structure
Chen et al. Static and dynamic characterization of robust superhydrophobic surfaces built from nano-flowers on silicon micro-post arrays
TW201321088A (zh) 用於將抗蝕劑薄層沉積於基材上之裝置及方法
WO2009074712A1 (en) Method and apparatus for structuring a vitreous surface
US9506147B2 (en) Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet
Mao et al. The fabrication of diversiform nanostructure forests based on residue nanomasks synthesized by oxygen plasma removal of photoresist
Nabesawa et al. Low-pressure plasma-etching of bulk polymer materials using gas mixture of CF4 and O2
US20130314472A1 (en) Methods and Apparatus for Manufacturing Micro- and/or Nano-Scale Features
JP2006198577A (ja) 微粒子の分級方法および成膜方法
WO2009074716A1 (en) Method and device for structuring a surface
CN108753158B (zh) 一种倍半硅氧烷超疏水涂层、其制备方法及其在防冰领域的应用
US20160237564A1 (en) Atomic-layer deposition method using compound gas jet
Al-Milaji et al. Mask-assisted electrospray for superoleophobic surfaces: An experimental and numerical study
WO2007105670A1 (ja) エアロゾルデポジション法による成膜体の製造方法
US10092926B2 (en) System and methods for deposition spray of particulate coatings
Atthi et al. Increasing active surface area to fabricate ultra-hydrophobic surface by using “black silicon” with bosch etching process
KR20170019334A (ko) 표면 코팅 방법 및 상기 방법을 실행하기 위한 장치
Zhu et al. Optimizing geometrical design of superhydrophobic surfaces for prevention of microelectromechanical system (MEMS) stiction
Qu et al. An experimental study of atomization characteristics of the ultrasonic spray nozzle

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 123691

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B