CN101909819B - 制造极疏水性表面的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及在材料上产生疏水性表面的方法和设备。本发明包括:将用于使表面结构化的颗粒喷雾导向待结构化的表面以便将该表面结构化,并且用疏水性材料涂覆该结构化表面。根据本发明,通过至少一个冲击喷嘴(7、11)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离出,并将所述颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞,在其上产生结构。接着,通过气相沉积方法涂覆该结构化表面,其中对该结构化表面进行起始材料的交替表面反应。
Description
技术领域
本发明涉及产生接触角大于120度的极疏水性表面的方法,特别是在材料上产生极疏水性表面的方法,该方法包括将用于使表面结构化的颗粒喷雾导向待结构化的表面以便将该表面结构化,并且用疏水性材料涂覆该结构化表面。本发明还涉及产生接触角大于120度极疏水性表面的设备,特别是用于在材料上生产极疏水性表面的设备,所述设备包括用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面以便将该表面结构化的装置和用于涂覆该结构化表面的涂覆装置。
背景技术
就若干产品的性能而言,表面结构起重要作用。已知的例子是Lotus表面,其中疏水性表面转变为极疏水性表面,这是因为表面提供有彼此以20-40微米的距离间隔开的突出部,并且还因为整个表面含有尺寸为200-2000纳米的蜡晶。最通常地,可以称通过改变表面的微/纳米结构,初始亲水性或疏水性的表面可以转变为极亲水性或极疏水性的表面。当制造自清洁表面或保持易于清洁的表面时极亲水性和/或极疏水性的表面在经济上有重要意义。
在本上下文中,超疏水性表面定义为水滴的接触角大于120°的表面。
1967年11月21日公开的E.I.du Pont de Nemours and Company的美国专利No.3 354 022披露了一种拒水性表面,其拒水性是基于提供有彼此以最多1000微米的平均距离间隔开且具有所述平均距离至少一半的高度的突出部的表面。
2004年11月2日公开的Creavis Gesellschaft für Technologieund Innovation GmbH的美国专利No.6 811 856 B2披露了具有通过表面上的高度差异(其通过将颗粒贴附到表面产生)形成的疏水性表面结构的自清洁表面。颗粒尺寸为20-500nm。
除自清洁能力外,疏水性表面特别当设法降低通道流动阻力时具有明显的流控性(fluidics)。2005年2月8日公开的Entegris,Inc.的美国专利No.6 852 390 B2披露了通过均匀成型的与表面的微或纳米尺度差异产生的超疏水性表面。在Physics of Fluids,vol.16,no.12,2004年12月,Jia Ou,Blair Perot&Jonathan P.Rothstein,“Laminardrag reduction in microchannels usingul trahydrophobicsurfaces”,4635-4643页,显示了如果流动通道的表面具有均匀的微米尺度结构,则可以很大地降低层状流动通道的流动阻力。
自清洁表面例如在窗玻璃中具有很大的经济重要性。2006年2月14日公开的Ferro Corporation的美国专利No.6 997 018B2披露了一种将玻璃表面微米和纳米结构化的方法。该方法是基于当玻璃产品的温度在700-1200℃范围内时将直径小于400nm的无机颗粒贴附到玻璃表面。
可以将表面均匀或非均匀地(即无规律地)结构化。实际上,无规律结构化的表面更有意义,这是因为它们制造成本较低。通过若干方法如光刻、蚀刻、微冲压、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)在表面上制造微米和纳米结构。
2001年10月30日公开的Studiengesellschaft Kohle mbH的美国专利No.6 309 798 B1披露了一种将表面纳米结构化的光刻方法。该光刻方法需要多阶段表面处理,因此对于将大表面结构化不是有利的方法。
2002年10月22日公开的Samsung SDI Co.,Ltd.的美国专利No.6468 916 B2披露了一种形成纳米尺寸的表面结构的方法。该方法包含若干步骤:形成微米结构,使碳聚合物层沉积在微米结构化表面的顶部,第一等离子体蚀刻处理,产生掩膜层,和第二反应性蚀刻。因此该方法也需要多阶段表面处理,所以其对于将大表面结构化不是有利的方法。
美国专利No.6 997 018中描述的将玻璃表面结构化的方法是用于大表面的有用结构化方法,但其限于在大于700℃的温度下将玻璃状表面结构化。
现有技术的方法不能够在材料的大表面上产生极疏水性表面。此外,已知的方法和装置不能够以使得其可用于工业规模生产的可控和可调方式产生极疏水性表面。因此,需要存在这样的方法,该方法对于实施大且在光学上无瑕疵的表面是有用和有利的。
发明内容
因此本发明的目的是提供一种方法和一种实施该方法的设备以便能够解决上述问题。
通过在材料上产生接触角大于120度的极疏水性表面的方法实现了本发明的目的,该方法包括:将用于使表面结构化的颗粒喷雾导向待结构化的表面以便将该表面结构化,并且用疏水性材料涂覆该结构化表面,其特征在于包括至少以下步骤:
通过至少一个冲击喷嘴将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离,并将这些颗粒导向待结构化的表面从而使它们与待结构化的表面碰撞,在其上产生结构;和
通过使用气相沉积方法涂覆该结构化表面,其中对该结构化表面进行起始材料的交替表面反应。
通过在材料上产生接触角大于120度的极疏水性表面的设备进一步实现了本发明的目的,该设备包括用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面从而将该表面结构化的装置和用于涂覆该结构化表面的涂覆装置,其特征在于用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面的装置包含至少一个用于将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离的冲击喷嘴,并且该设备还包括用于对结构化表面进行起始材料的交替表面反应的气相沉积装置。
本发明优选的实施方案包括以下项目:
1.一种在材料上产生接触角大于120度的极疏水性表面的方法,该方法包括:将用于使表面结构化的颗粒喷雾导向待结构化的表面以便将该表面结构化,并且用疏水性材料涂覆该结构化表面,特征在于该方法包括至少以下步骤:
通过至少一个冲击喷嘴(7、11)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞,在其上产生结构;和
通过气相沉积方法涂覆该结构化表面,其中对该结构化表面进行起始材料的交替表面反应。
2.按项目1所要求的方法,其特征在于气相沉积方法是原子层沉积(ALD)法。
3.按项目1或2所要求的方法,其特征在于使用至少铝化合物和氟化合物作为待通过气相沉积法沉积的涂层剂的起始材料。
4.按项目3所要求的方法,其特征在于氟化合物原料为氟烷基硅烷。
5.按项目1所要求的方法,其特征在于通过至少一个冲击喷嘴(7、11)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞,产生具有1-1000纳米尺度的纳米结构和/或具有1-1000微米尺度的微米结构。
6.按项目1所要求的方法,其特征在于将大于确定尺寸d2的颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们在其上磨蚀出结构。
7.按项目1所要求的方法,其特征在于将大于确定尺寸d2的颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们中的至少一些变得贴附到待结构化的表面(9),在其上沉积出结构。
8.按项目1所要求的方法,其特征在于在将大于尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离之前,将大于确定尺寸d1的颗粒从颗粒喷雾分离出,其中d1大于d2。
9.按项目1所要求的方法,其特征在于在大于尺寸d2的颗粒与待结构化的表面碰撞之前,将小于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离出。
10.按项目1所要求的方法,其特征在于通过虚拟冲击器将小于尺寸d2的颗粒分离。
11.按项目1所要求的方法,其特征在于大于确定尺寸d2的颗粒的平均速度高于这些颗粒和待结构化表面的临界速度特性,以低于临界速度的速度运动的颗粒变得贴附到待结构化的表面。
12.按项目11所要求的方法,其特征在于通过增大冲击喷嘴中或喷嘴后颗粒的速度,将大于确定尺寸d2的颗粒的速度提高到高于临界速度。
13.按项目1所要求的方法,其特征在于所用颗粒(3)具有与球形颗粒不同的形状。
14.按项目1所要求的方法,其特征在于所用颗粒(3)为氧化物、碳化物或氮化物颗粒。
15.按项目1所要求的方法,其特征在于通过所述方法在待结构化的表面(9)上首先产生微米结构和随后的纳米结构。
16.按项目15所要求的方法,其特征在于通过第一冲击喷嘴(5)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离出,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞并在其上磨蚀出基本上微米结构,通过第二冲击喷嘴(7)将大于确定尺寸d4的颗粒从颗粒喷雾分离出,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞并在其上磨蚀出基本上纳米结构,其中d4<d2。
17.一种在材料上产生接触角大于120度的极疏水性表面的设备,该设备包括用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面(9)从而将该表面结构化的装置(1)和用于涂覆该结构化表面的涂覆装置,其特征在于用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面(9)的装置(1)包括至少一个用于将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离的冲击喷嘴(7),并且该设备还包括用于对结构化表面进行起始材料的交替表面反应的气相沉积装置。
18.按项目17所要求的设备,其特征在于气相沉积装置包括用于涂覆结构化表面的原子层沉积反应器。
19.按项目17或18所要求的设备,其特征在于将该表面结构化的装置(1)包括至少一个用于将大于确定尺寸d1的颗粒从颗粒喷雾分离的其它冲击喷嘴(5),d1>d2。
20.按项目17所要求的设备,其特征在于将该表面结构化的装置(1)包括至少一个用于将小于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离的虚拟冲击喷嘴(11)。
21.按项目17所要求的设备,其特征在于将该表面结构化的装置(1)包括用于提高冲击喷嘴(5、7、11)中或其后的颗粒喷雾速度的装置。
22.按项目17所要求的设备,其特征在于将所述设备整合到处于玻璃温度低于玻璃冷却下限位置的平板玻璃的制造或加工线中。
23.按项目17所要求的设备,其特征在于将设备整合到金属产品的制造或加工线中。
根据本发明,通过冲击器可首先将大于直径d1的颗粒从颗粒组G0中分离出。接着,让颗粒组通过后续的冲击器喷嘴,并让大于直径d2的颗粒与待改性的表面碰撞,于是它们给表面提供了尺寸取决于直径d1和d2的结构。通过颗粒d2在表面上产生的结构至少是纳米结构,但是其还可以包含纳米结构和微米结构两种。另外,通过冲击器可以将大于直径d3的颗粒从同一颗粒组中分离出,其后还将大于直径d4(<d3)的颗粒分离出并让其通过后续的冲击喷嘴且使其与待改性的表面碰撞,所述颗粒给表面提供了尺寸取决于直径d3和d4并且尺度小于取决于直径d1和d2的结构的尺度的结构。优选地,可以在移动腹板(web)的表面上产生所述结构,所述移动腹板能够在同一处理期间在相同表面上产生不同尺度的结构。对于本领域技术人员明显的是,根据该方法的结构化还可以分多于两个阶段产生,并且直径d2和d3还可以尺寸相等。根据上述,本发明的方法首先使能够在待结构化的表面上产生微米结构和随后的纳米结构。这通过在给定的时间适当地选择与待结构化的表面碰撞的颗粒的尺寸得以实现。在这种情形中,第一冲击喷嘴用于将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离出,所述颗粒导向待结构化的表面从而使它们与待结构化的表面碰撞并且在其上磨蚀出基本上微米结构,第二冲击喷嘴用于将大于确定尺寸d4(d4<d2)的颗粒从颗粒喷雾分离出,所述颗粒导向待结构化的表面从而使它们与待结构化的表面碰撞并且在其上磨蚀出基本上纳米结构。换言之,在根据本发明的设备和方法中,可以串联设置冲击喷嘴使得在第一冲击喷嘴中,由颗粒喷雾产生较粗的颗粒分布,让例如小于尺寸d2的颗粒从其到达用于产生较细颗粒分布的后续冲击喷嘴,等等。
根据该方法,表面可以提供有通常具有1-1000微米尺度的微米结构和/或通常具有1-1000纳米尺度的纳米结构。在该方法中,与待结构化的表面碰撞的颗粒在表面上磨蚀出结构,在该情况中一旦颗粒与待结构化的表面碰撞则它们弹离该表面,或者,替代地,至少一些与待结构化的表面碰撞的颗粒变得贴附到该表面,在待结构化的表面上沉积出结构。在一些情形中还应注意,待结构化表面的磨蚀和沉积还可以至少部分地同时进行。是否通过磨蚀或沉积发生表面结构化的事实主要取决于表面材料和其次取决于所用颗粒的性能例如颗粒的运动量和尺寸。
在结构化后,将具有结构化表面的产品置于气相沉积装置例如原子层沉积装置内,在该装置中对结构化表面进行起始材料的交替表面反应从而使疏水性涂层沉积在结构化表面上。表面结构和涂层疏水性的组合作用使最终的表面极其疏水。
优选地,将根据本发明的设备整合到例如如下的产品制造或处理过程中:浮法玻璃制造装置、平板玻璃回火装置、金属片生产或处理装置、塑料膜对辊式(roller-to-roller)处理装置、塑料产品挤出工艺、陶瓷砖生产过程等。对于本领域技术人员明显的是,这些仅仅是将装置整合的优选方式的例子,它们并不限制根据本发明的装置在其它应用中的使用。
根据本发明的方法和实施该方法的设备使能够以可控和可调的方式产生极疏水性表面。此外,本发明能够在大表面上产生极疏水性表面,因此能够按工业规模产生极疏水性表面。
附图说明
现结合优选实施方案并参考附图更为详细地描述本发明,其中
图1显示了本发明的实施方案并且描述了根据本发明的将表面结构化的方法;
图2显示了本发明的另一个实施方案,其中在将表面结构化之前从气溶胶中除去最小颗粒;和
图3显示了在表面的ALD涂覆后结构化表面的疏水性。
具体实施方式
图1显示了根据本发明方法的实施方案的单阶段结构化设备1的示意性横截面,该图描述了根据本发明的方法。优选地,设备1包括用于将含有颗粒3的气溶胶给进到设备1中的装置2、用于控制室4内气溶胶压力的装置(未显示)、冲击喷嘴5、收集器基材6、用于将气溶胶输送到另一个冲击喷嘴7的装置、用于将气溶胶输送到到待结构化的表面9的装置8、用于将气溶胶从待结构化的表面9输送走的装置10和用于控制气溶胶排放通道的压力的装置(未显示)。在最简单的情况下,气溶胶的流速可充当压力控制器,但是在必要时,可以使室4内的压力提高到高于正常的空气压力,和/或气溶胶排放通道10可以具有低于正常的空气压力的压力。将包含颗粒3的气溶胶给进到该设备的室4中,让气溶胶通过第一冲击喷嘴5。将收集器基材6沿流动方向设置在该第一冲击喷嘴5后,在所述基材上捕获/贴附大于尺寸d1的颗粒,而使小于d1的颗粒向前到达第二冲击喷嘴7从而使大于确定尺寸d2的颗粒能够从颗粒喷雾分离出,这些颗粒被输送到待结构化的表面9从而使它们与该待结构化的表面9碰撞。冲击喷嘴的操作通常基于的事实是,经过冲击喷嘴的喷嘴狭口的颗粒速度根据颗粒的性能以及喷嘴狭口的尺寸和性能而加速,由此所述颗粒在经过喷嘴狭口时获得一定动量。当喷嘴的下游侧提供有来自冲击喷嘴的颗粒喷雾朝向导向的基材时,具有足够动能的颗粒与基材表面碰撞而使不具有足够动量的颗粒远离基材的表面从而使它们不与表面碰撞。因此,大于确定尺寸D的颗粒获得用于它们与基材碰撞的足够动量,而小于所述尺寸D的颗粒不与基材碰撞。
对于本领域技术人员明显的是,如果给进到设备1的气溶胶不含有大于尺寸d1的颗粒,则冲击喷嘴5和收集器基材6可以从设备1中省除。
待供给到设备1的气溶胶含有可以是任意形状的颗粒3。优选地,所述颗粒的形状与球形不同并且颗粒的表面提供有棱边等。
本申请中给出的数学等式来自William C.Hinds,AerosolTechnology,Properties,Behavior and Measurement of AirborneParticles,第2版,John Wiley&Sons,Inc.,New York,1999。
冲击喷嘴5的狭口的宽度是将大于尺寸d1的颗粒收集到收集器基材6上的重要参数。收集器基材6的收集有效性Ef取决于斯托克斯数(Stokes number)(Stk),对于冲击喷嘴的矩形狭口其通过下式确定:
其中τ为驰豫时间,U为气体速度,H为冲击喷嘴6狭口的宽度,ρp为颗粒密度,dp为颗粒直径,Cc为Cunningham修正系数,η为粘度。气体速度U基本上受室4和排放通道10的压力的影响。
如果颗粒不是球形的,则等式1的颗粒尺寸必须通过动力尺寸系数x(其通常为1-2)修正。
小于颗粒尺寸d1的颗粒进入冲击喷嘴7(其中颗粒的速度加速)而大于尺寸d2的颗粒与待结构化的表面9碰撞。该方法的目的是,与待结构化的表面9碰撞的颗粒弹离表面9,在表面9上留下掩膜,该掩膜使表面结构化,或者,替代地,变得贴附到表面9,在其上沉积出结构。对于较大的颗粒和较高的颗粒速度以及对于由硬材料构成的颗粒,颗粒弹离表面的现象更为可能。为了磨蚀表面9,优选使用氧化物颗粒如氧化铝、碳化物颗粒如碳化硅或氮化物颗粒如氮化硼作为用于设备1的颗粒。另外,颗粒弹离表面受待结构化表面的材料和初始结构的影响,在将该方法用于将平滑、坚硬和洁净的表面例如玻璃或金属表面结构化时,最优选使用该方法。因此,与待结构化的表面碰撞的颗粒在待结构化的表面上至少产生纳米结构。换言之,在本发明中纳米结构通过给待结构化的表面提供更多材料、或者通过从待结构化的表面除去材料、或者通过使颗粒与其碰撞使待结构化的表面改性而产生。
如果颗粒速度没有超过下式定义的临界速度Vc,则不发生颗粒弹起,
其中b是常数,其取决于所用材料(颗粒和表面)和几何形状,并且其通常为1-100×10-6m2/s,da为颗粒的空气动力学直径。
图2显示了根据本发明另一个实施方案的单阶段结构化设备1的示意性横截面。优选地,设备1包括用于将含有颗粒3的气溶胶给进到设备1中的装置2、用于控制室4内气溶胶压力的装置(图中没有描绘压力控制装置)、虚拟冲击器11(其使小于和大于尺寸d2的颗粒分离)、用于将小于颗粒尺寸d2的颗粒从设备12输送走的装置、将气溶胶输送到待结构化表面9的装置8、将气溶胶从待结构化表面9输送走的设备10和用于控制气溶胶排放通道压力的装置(未显示)。在最简单的情况下,气溶胶的流速可充当压力控制器,但是在必要时,可以使室4内的压力提高到高于正常的空气压力,和/或气溶胶排放通道10可具有低于正常的空气压力的压力。根据该实施方案的设备提供了在小于颗粒尺寸d2的颗粒与待结构化的表面9碰撞之前可从气流中除去小于颗粒尺寸d2的颗粒的优点。因为该气流的绝大部分通到通道12,使虚拟冲击器的出口13收缩以提高颗粒的速度。在所有实施方案中,还可以例如借助于电场或以其它方式通过在冲击喷嘴后提供另外的气流来提高颗粒的速度。
通过实施例研究了根据本发明的方法在室温玻璃或铝表面上产生的结构。通过穿孔装置由铝箔制造具有25mm直径的球形片件,并将该片件负载到DekatiOy制造的冲击器(BLPI)内,对于不同的冲击器等级,在30纳米-10微米尺寸范围内。另外,替代标准的收集器基材,相同的冲击器提供有定制的收集器基材并且在该收集器基材中安装由钠玻璃制成的球形片件。通过根据芬兰的专利No.98832的液体火焰喷雾设备产生纳米尺寸的氧化铝颗粒(Al2O3)。在液体火焰喷雾中,使用原料溶液(其中将64g硝酸铝溶解于76g甲醇中)。以17ml/min的速度将该溶液给进到液体火焰喷雾中。类似地,为了产生火焰,将氢气以50ml/min的体积流速和将氧气以25l/min的体积流速给进到液体火焰喷雾中。使该原料溶液在液体火焰喷雾中蒸发并气化,产生小铝颗粒。当与液体火焰喷雾喷嘴的前表面的收集距离为100mm时,则将所述颗粒中的一些收集到上述冲击器中。在第一测量中,测定颗粒尺寸分布的峰,该峰在约110nm处。回收测量中所用的铝基材用于SEM测量。接着,将定制的基材和玻璃样品放置在设定于尺寸分布峰的冲击器处,并且使同一样品穿过冲击器。在所述轮次后用餐具洗涤剂和水洗涤该样品。然后通过扫描电子显微镜(放大倍率为60 000×并且加速电压为10kV)分析所述样品。根据所述测试,观察到的是,对于根据实施例的参数,根据本发明的方法在玻璃表面上产生长度约100nm和厚度为若干纳米的刮痕。纳米尺寸的颗粒基本上没有变得贴附到玻璃的表面。根据所述测试,观察到通过与相对软的铝表面紧密碰撞产生颗粒的方法所处理的铝表面,在其上产生纳米结构。换言之,颗粒贴附到铝表面,在其上沉积出结构。
上述实施方案中公开的溶液可以彼此组合,并且有可能与不同尺寸的设备串联配合使得第一设备在表面上产生微米结构和第二设备在该微米结构的上面产生纳米结构。本发明的方法和设备不受所用颗粒的尺寸和/或导向待结构化表面的颗粒的尺寸的限制,这是因为由与其碰撞的颗粒引起的待结构化表面的磨蚀或者沉积在所述表面上的结构取决于待结构化表面的材料和性能以及取决于颗粒的材料和性能。因此,提供在各个待结构化表面上的结构是与表面碰撞的颗粒的性能和待结构化表面本身的性能组合作用的结果。
在结构化后,通过气相沉积方法涂覆所述表面,其中对结构化表面进行起始材料的交替表面反应。一种这样的气相沉积方法是原子层沉积法。疏水性涂层可以通过原子层沉积(ALD)法例如通过铝化合物和氟化合物工艺如TMA(三甲基铝)/氟烷基硅烷工艺制得。在该过程中,反应室(Beneq TFS500 ALD反应器)的温度为70℃,起始材料温度对于氟烷基硅烷(CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3)为50℃,对于TMA为20℃,对于水为20℃。过程循环如下:
H2O脉冲60秒
N2冲洗脉冲60.5秒
20次循环包括:
○TMA脉冲250毫秒
○N2冲洗脉冲5.5秒
○H2O脉冲250毫秒
○N2冲洗脉冲5.5秒
TMA脉冲2秒
N2冲洗脉冲500毫秒
氟烷基硅烷脉冲20分钟
N2冲洗脉冲500毫秒
在涂覆后,产品具有通过本发明方法产生的极疏水性表面。
后涂覆产品的疏水性可以通过在表面上设置一滴水来证明。图3显示了水滴相对于该表面的接触角使得该表面具有极疏水性。
当玻璃表面足够硬时,可以将根据本发明的方法和设备用于通过磨蚀将玻璃表面结构化。当玻璃温度低于冷却下限例如在钠玻璃低于490℃的情形中时该条件得到满足。因此,可以将根据本发明的设备整合到玻璃生产线(浮法玻璃生产线)中或者在玻璃加工线的玻璃温度低于冷却下限的位置处。应注意的是当玻璃表面是软的时,该条件当玻璃温度高于冷却极限时得到满足,根据本发明的方法可以用于提供具有结构的玻璃表面,所述结构不是由表面磨蚀作用(如在硬玻璃的情形中)而是通过纳米材料沉积作用引起的。
优选地,根据本发明的方法还可以用于将例如金属表面结构化,如在生产用于指纹拒绝(rejecting)金属表面的纳米结构化的表面时。
对于本领域技术人员明显的是,随着技术进展,本发明的基本思想可以按许多不同方式实施。因此本发明及其实施方案不限于上述实施例,而是可以在权利要求的范围内改变。
Claims (23)
1.一种在材料上产生接触角大于120度的极疏水性表面的方法,该方法包括:将用于使表面结构化的颗粒喷雾导向待结构化的表面以便将该表面结构化,并且用疏水性材料涂覆该结构化表面,特征在于该方法包括至少以下步骤:
通过至少一个冲击喷嘴(7、11)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞,在其上产生结构;和
通过气相沉积方法涂覆该结构化表面,其中对该结构化表面进行起始材料的交替表面反应。
2.按权利要求1所要求的方法,其特征在于气相沉积方法是原子层沉积(ALD)法。
3.按权利要求1或2所要求的方法,其特征在于使用至少铝化合物和氟化合物作为待通过气相沉积法沉积的涂层剂的起始材料。
4.按权利要求3所要求的方法,其特征在于氟化合物原料为氟烷基硅烷。
5.按权利要求1所要求的方法,其特征在于通过至少一个冲击喷嘴(7、11)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞,产生具有1-1000纳米尺度的纳米结构和/或具有1-1000微米尺度的微米结构。
6.按权利要求1所要求的方法,其特征在于将大于确定尺寸d2的颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们在其上磨蚀出结构。
7.按权利要求1所要求的方法,其特征在于将大于确定尺寸d2的颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们中的至少一些变得贴附到待结构化的表面(9),在其上沉积出结构。
8.按权利要求1所要求的方法,其特征在于在将大于尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离之前,将大于确定尺寸d1的颗粒从颗粒喷雾分离出,其中d1大于d2。
9.按权利要求1所要求的方法,其特征在于在大于尺寸d2的颗粒与待结构化的表面碰撞之前,将小于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离出。
10.按权利要求1所要求的方法,其特征在于通过虚拟冲击器将小于尺寸d2的颗粒分离。
11.按权利要求1所要求的方法,其特征在于大于确定尺寸d2的颗粒的平均速度高于这些颗粒和待结构化表面的临界速度特性,以低于临界速度的速度运动的颗粒变得贴附到待结构化的表面。
12.按权利要求11所要求的方法,其特征在于通过增大冲击喷嘴中或喷嘴后颗粒的速度,将大于确定尺寸d2的颗粒的速度提高到高于临界速度。
13.按权利要求1所要求的方法,其特征在于所用颗粒(3)具有与球形颗粒不同的形状。
14.按权利要求1所要求的方法,其特征在于所用颗粒(3)为氧化物、碳化物或氮化物颗粒。
15.按权利要求1所要求的方法,其特征在于通过所述方法在待结构化的表面(9)上首先产生微米结构和随后的纳米结构。
16.按权利要求15所要求的方法,其特征在于通过第一冲击喷嘴(5)将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离出,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞并在其上磨蚀出基本上微米结构,通过第二冲击喷嘴(7)将大于确定尺寸d4的颗粒从颗粒喷雾分离出,并将这些颗粒导向待结构化的表面(9)从而使它们与待结构化的表面(9)碰撞并在其上磨蚀出基本上纳米结构,其中d4<d2。
17.一种在材料上产生接触角大于120度的极疏水性表面的设备,该设备包括用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面(9)从而将该表面结构化的装置(1)和用于涂覆该结构化表面的涂覆装置,其特征在于用于将颗粒喷雾导向待结构化的表面(9)的装置(1)包括至少一个用于将大于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离的冲击喷嘴(7),并且该设备还包括用于对结构化表面进行起始材料的交替表面反应的气相沉积装置。
18.按权利要求17所要求的设备,其特征在于气相沉积装置包括用于涂覆结构化表面的原子层沉积反应器。
19.按权利要求17或18所要求的设备,其特征在于将该表面结构化的装置(1)包括至少一个用于将大于确定尺寸d1的颗粒从颗粒喷雾分离的其它冲击喷嘴(5),d1>d2。
20.按权利要求17所要求的设备,其特征在于将该表面结构化的装置(1)包括至少一个用于将小于确定尺寸d2的颗粒从颗粒喷雾分离的虚拟冲击喷嘴(11)。
21.按权利要求17所要求的设备,其特征在于将该表面结构化的装置(1)包括用于提高冲击喷嘴(5、7、11)中或其后的颗粒喷雾速度的装置。
22.按权利要求17所要求的设备,其特征在于将所述设备整合到处于玻璃温度低于玻璃冷却下限位置的平板玻璃的制造或加工线中。
23.按权利要求17所要求的设备,其特征在于将设备整合到金属产品的制造或加工线中。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20070955A FI123691B (fi) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Menetelmä erittäin hydrofobisen pinnan tuottamiseksi |
FI20070955 | 2007-12-10 | ||
PCT/FI2008/050718 WO2009074715A1 (en) | 2007-12-10 | 2008-12-09 | Method for manufacturing an extremely hydrophobic surface |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101909819A CN101909819A (zh) | 2010-12-08 |
CN101909819B true CN101909819B (zh) | 2013-01-23 |
Family
ID=38951491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008801238109A Active CN101909819B (zh) | 2007-12-10 | 2008-12-09 | 制造极疏水性表面的方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8557335B2 (zh) |
EP (1) | EP2234759A4 (zh) |
JP (1) | JP5284366B2 (zh) |
CN (1) | CN101909819B (zh) |
FI (1) | FI123691B (zh) |
WO (1) | WO2009074715A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI122502B (fi) * | 2007-12-20 | 2012-02-29 | Beneq Oy | Menetelmä ja laite lasin pinnoittamiseksi |
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KR102199814B1 (ko) | 2014-02-27 | 2021-01-08 | 엘지전자 주식회사 | 부유미생물 측정장치 및 그 측정방법 |
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-
2007
- 2007-12-10 FI FI20070955A patent/FI123691B/fi active IP Right Grant
-
2008
- 2008-12-09 CN CN2008801238109A patent/CN101909819B/zh active Active
- 2008-12-09 WO PCT/FI2008/050718 patent/WO2009074715A1/en active Application Filing
- 2008-12-09 EP EP08859887.5A patent/EP2234759A4/en not_active Withdrawn
- 2008-12-09 JP JP2010537479A patent/JP5284366B2/ja active Active
- 2008-12-09 US US12/741,691 patent/US8557335B2/en active Active
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EP2234759A1 (en) | 2010-10-06 |
FI20070955A (fi) | 2009-06-11 |
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FI20070955A0 (fi) | 2007-12-10 |
CN101909819A (zh) | 2010-12-08 |
FI123691B (fi) | 2013-09-30 |
EP2234759A4 (en) | 2014-03-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
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|
TR01 | Transfer of patent right |