FI114835B - Epäresiprookkinen piirielementti - Google Patents

Description

114835 EPÄRESIPROOKKINEN PIIRIELEMENTTI Esillä oleva keksintö liittyy epäresiprookkiseen piirielementtiin (esim. isolaattoriin tai kiertoelimeen), jota käytetään matkapuhelimen tai kannettavan puhelimen 5 kaltaisessa tietoliikennelaitteessa.

Yleensä epäresiprookkiset piirielementit kuten isolaat-torit ja kiertoelimet toimivat siten, että ne päästävät lävitseen signaaleja ainoastaan lähetyssuuntaan ja estävät etenemisen vastakkaiseen suuntaan. Näitä epäresiprookkisia 10 piirielementtejä käytetään siirrettävien tietoliikennelaitteiden kuten matkapuhelinten lähetinpiiriosissa. Näiden siirrettävien tietoliikennelaitteiden tullessa pienemmiksi kasvaa pienempien ja ohuempien epäresiprookkisten piiriele-menttien tarve.

15 Yhden tällaisen isolaattorin rakenne on esitetty kuvissa 4 ja 5. Isolaattorin koko rakenne on esitetty kuvan 4 perspektiivisessä irto-osakuvassa. Kuva 5 on perspektiivinen irto-osakuva dielektrisestä monikerrossubstraatista, joka muodostaa osan isolaattorista. Mukana seuraavissa 20 piirustuksissa pinta, jolle elementit ladotaan, osoittaa ylöspäin. Ne alueet, joihin lukuisat elektrodit muodostetaan kuviointitekniikoilla (patterning techniques), on esitetty varj ostettuina.

'·"· Kuvan 4 mukaisesti tähän isolaattoriin kuuluu alempi 25 kehys (yoke) 11, johon kuuluu pohjaseinä, jolle ferriittipa-. la 12 sijoitetaan. Dielektrinen monikerrossubstraatti, joka on merkitty numerolla 13, on varustettu keskistetysti : syvennyksellä, johon ferriittipala 12 asennetaan siten, että substraatti peittää ferriittipalan 12. Isolaattoriin 30 edelleen kuuluu ylempi kehys 15, jonka sisäseinän pintaan on kiinnitetty kestomagneetti 14. Ylempi kehys 15 on asennettu alempaan kehykseen 11 suljetun magneettipiirin muodostamiseksi. Kestomagneetti 14 synnyttää DC-magneettikentän ’··· ferriittipalaan 12. Alempi kehys 11 ja ylempi kehys 15 ·.· 35 tehdään magneettisesta metallista ja niiden pinnat päällys- : tetään Agrlla (hopealla) tai vastaavalla.

.···. Tämä monikerrossubstraatti 13 valmistetaan tavalla, 2 114835 joka kuvataan seuraavaksi. Kuten kuvassa 5 on esitetty, valmistetaan joukko dielektrisiä keraamisia raakalevyjä (green sheets), joiden paksuus on kymmenien mikrometrien kokoluokkaa. Lukuisat elektrodit painetaan levyjen pintoihin 5 kuvioimalla tai muilla tekniikoilla. Nämä levyt laminoidaan, puristetaan toisiaan vasten, ja sintrataan yhteen, jotta täten muodostetaan monikerrossubstraatti 13. Lukuisat levyihin muodostetut elektrodit liitetään toisiinsa halutuissa kohdissa läpivientireikiä (through-holes) tai 10 läpivientraukkoja (via holes) käyttämällä.

Tarkemmin sanottuna maadoituselektrodit 1, porttielekt-rodit 2a, 2b, 2c ja liitinelektrodit muodostetaan levyihin 21-26. Täten muodostetaan monikerrossubstraatin 13 otto/läh-tö-osat.

15 Kapasitiiviset elektrodit 3a, 3b ja 3c muodostetaan levylle 32. Maadoituselektrodit 1 muodostetaan levyihin 31 ja 33, vastaavasti. Sovituskapasitanssit, jotka on kytketty niitä vastaavien keskuselektrodien 4a, 4b ja 4c yksiin päätyihin, muodostetaan kapasitansseilla, jotka luodaan 20 kapasitiivisten elektrodien 3a-3c ja maadoituselektrodien 1 välille.

Keskuselektrodit 4a, 4b ja 4c muodostetaan levyille 41, 42 ja 43 vastaavassa järjestyksessä siten, että yksi : keskuselektrodi muodostetaan yhdelle levylle. Levyt asete- :.i. 25 taan toistensa päälle siten, että keskuselektrodit 4a, 4b ja : 4c muodostavat 120 asteen kulman suhteessa toisiinsa. Kunkin tällaisen keskuselektrodin yksi pää on kytketty sitä • .·· vastaavaan yhteen porttielektrodiin 2a, 2b ja 2c. Toiset päät kytketään maadoituselektrodeihin 1 läpivientiaukkojen 30 kautta.

Päätevastus R painetaan tai muodostetaan muulla tavoin porttielektrodin 2c ja maadoituselektrodin 1, jotka kumpikin on muodostettu levyn 51 takapintaan, väliin. Päätevastus R päällystetään epoksihartsilla tai muulla hartsilla.

'.· 35 Tunnetun tekniikan isolaattorissa keskusjohtimilla 4a, • :* 4b ja 4c porttien ympärillä on sama liuskaleveys (strip ."· width) ja sama liuskaetäisyys (strip spacing).

3 114835

Edellä kuvatussa rakenteessa keskuselektrodin ja alemman kehyksen (tai maadoituspinnan) tai ylemmän kehyksen välinen etäisyys vaihtelee portista porttiin. Näin ollen, kun porttien ympärillä olevat keskuselektrodit on suunnitel-5 tu siten, että niillä on sama liuskaleveys ja sama liuska-etäisyys kuten tunnetuissa tekniikoissa, keskuselektrodin ominaisimpedanssi vaihtelee portista porttiin. Tämä tarkoittaa, että induktanssi vaihtelee portista porttiin. Tämän seurauksena nämä portit ilmentävät huonoa symmetriaa. Täten 10 isolaattorin suorituskyky huononee. Lisäksi vierekkäisten keskuselektrodien väliset kapasitanssit eroavat toisistaan.

Tämä edelleen huonontaa porttien symmetriaa.

YHTEENVETO KEKSINNÖSTÄ 15 Esillä olevan keksinnön tavoitteena on saada aikaan suorituskyvyltään hyvä, pienikokoinen epäresiprookkinen piirielementti, joka ei kärsi edellä mainituista tunnettujen tekniikoiden ongelmista. Tämä tavoite saavutetaan asettamalla liuskaleveydet tai liuskaetäisyydet porttien ympärillä 20 olevissa keskuselektrodeissa erisuuruisiin arvoihin siten, että keskusporttien reaktanssit ovat yhdenmukaiset kullekin portille. Tuloksena väliinkytkemisvaimennus vähenee. Myös isolaatio-ominaisuudet paranevat.

• Edellä oleva tavoite saavutetaan patenttivaatimuksessa 25 1 määritellyllä epäresiprookkisella piirielementillä. Tässä : piirielementissä on joukko keskuselektrodeja järjestettynä keskinäisesti toisiaan leikkaaviin suuntiin. Sovituspiiri on kytketty kunkin keskuselektrodin yhteen päähän toisen pään ollessa maadoitettu. Tälle epäresiprookkiselle piirielemen-30 tille on tunnusomaista, että keskuselektrodien liuskale-veydet asetetaan erillisesti yksittäisiä portteja varten.

Patenttivaatimuksen 2 mukaisessa epäresiprookkisessa piirielementissä on joukko keskuselektrodeja järjestettynä keskinäisesti toisiaan leikkaaviin suuntiin. Sovituspiiri on 35 kytketty kunkin keskuselektrodin yhteen päähän toisen pään ; ollessa maadoitettu. Tälle epäresiprookkiselle piirielemen- .·” tille on tunnusomaista, että kukin keskuselektrodi koostuu 4 114835 useista liuskoista (plural strips) ja että liuskaetäisyydet keskuselektrodeissa asetetaan erillisesti yksittäisiä portteja varten.

Patenttivaatimuksen 3 mukaisessa epäresiprookkisessa 5 piirielementissä on joukko keskuselektrodeja järjestettynä keskinäisesti toisiaan leikkaaviin suuntiin. Sovituspiiri on kytketty kunkin keskuselektrodin yhteen päähän toisen pään ollessa maadoitettu. Tälle epäresiprookkiselle piirielemen-tille on tunnusomaista, että kukin keskuselektrodi koostuu 10 useista liuskoista (plural strips) ja että liuskaleveydet ja liuskaetäisyydet keskuselektrodeissa asetetaan erillisesti yksittäisiä portteja varten.

Patenttivaatimuksen 4 mukainen epäresiprookkinen piirielementti pohjautuu mihin tahansa patenttivaatimukseen 15 1-3 ja sille on tunnusomaista, että kaikki tai jotkut mainituista keskuselektrodeista, mainituista sovituspiireis-tä ja otto/lähtö-osista muodostetaan monikerrossubstraattiin tai monikerrossubstraatille (in or on a multilayer substrate) .

20 Edellä kuvatussa rakenteessa epäresiprookkisen pii rielimen muodostavien porttien ympärillä olevien keskuselek-trodien liuskaleveydet tai liuskaetäisyydet asetetaan erillisesti yksittäisiä portteja varten. Täten keskuselekt-rodien reaktanssit voidaan tehdä yhdenmukaisiksi kullekin ''I'· 25 portille. Koska keskuselektrodit, sovituspiirit jne.

valmistetaan monikerrossubstraatista, saavutetaan edelleen koon pienennystä.

: .· Muut keksinnön tavoitteet ja piirteet tulevat ilmi · · jatkossa seuraavasta keksinnön kuvauksesta.

30

LYHYT KUVAUS PIIRUSTUKSISTA

Kuva 1 on perspektiivinen irto-osakuva esillä olevan keksinnön ensimmäisen esimerkin muodostavan isolaattorin pääosista.

v 35 Kuva 2 on perspektiivinen irto-osakuva esillä olevan • * : .· keksinnön toisen esimerkin muodostavasta isolaattorista, ,··· jossa esitetään isolaattorin koko rakenne.

5 114835

Kuva 3 on perspektiivinen irto-osakuva kuvassa 2 esitetyn isolaattorin pääosista.

Kuva 4 on perspektiivinen irto-osakuva, joka esittää tunnetun tekniikan tason isolaattorin koko rakenteen.

5 Kuva 5 on perspektiivinen irto-osakuva monikerrossubst- raatista, jota käytetään tunnetun tekniikan isolaattorissa.

YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS PARHAANA PIDETYISTÄ SUORITUSMUODOISTA 10 Tapaa, jolla liuskaleveydet ja liuskaetäisyydet keskuselektrodeissa asetetaan, jotta keskuselektrodien reaktanssit tehdään yhdenmukaisiksi kullekin portille esillä olevan keksinnön mukaisesti, kuvataan tästä eteenpäin viittaamalla mukana seuraaviin piirustuksiin. Piirustuksissa 15 samoja komponentteja merkitään samoilla viitenumeroilla eri piirustuksissa.

Ensimmäisen keksinnön esimerkin muodostavan isolaattorin pääosien rakenne on esitetty kuvassa 1, joka on perspektiivinen irto-osakuva, joka esittää monikerrossubstraattiin 20 sisällytettyjen keskuselektrodien asemallisia suhteita ferriittipalaan nähden. Tämän esimerkin isolaattori ja monikerrosrakenteen koko rakenne ovat samanlaisia kuin niiden vastinosat kuvissa 4 ja 5, joten niitä ei kuvata :**' tässä.

: 25 Kuten kuvassa 1 on esitetty, levyt 41, 42 ja 43, jotka muodostavat tämän esimerkin monikerrossubstraatin kes- ♦ kuselektrodiosat, on varustettu keskuselektrodeilla 4a, 4b ; ,· ja 4c vastaavassa järjestyksessä siten, että yksi kes- ’"· kuselektrodi muodostetaan yhdelle levylle. Levyt asetetaan 30 toistensa päälle siten, että keskuselektrodit 4a, 4b ja 4c muodostavat 120 asteen kulman suhteessa toisiinsa. Yksittäinen ferriittipala 12, joka on sijoitettu alemman kehyksen pohjaseinälle, asetetaan levyn 41 päälle. Täten keskuselekt-rodit 4a, 4b ja 4c ovat eri etäisyyksien päässä alemmasta • · · v 35 kehyksestä, joka muodostaa maadoituspinnan. Keskuselektrodi-:,· en 4a-4c jokainen keskusosa muodostuu kahdesta liuskasta.

Kuten aikaisemmin on kuvattu, kunkin liuskan yksi pää on • * * 6 114835 kytketty vastaavaan porttielektrodiin, kun toinen pää on kytketty maadoituselektrodiin.

On oletettu, että tämän rakenteen liuskaetäisyydet Dl, D2 ja D3 keskuselektrodeissa 4a, 4b ja 4c, vastaavassa 5 järjestyksessä, ovat samoja. Tämän ehdon ollessa voimassa selitetään ensin tapa, jolla liuskaleveydet Wl, W2, ja W3 asetetaan.

Kunkin keskuselektrodin reaktanssi sisältää kes-kuselektrodin liuskojen induktanssin yhdessä vierekkäisten 10 keskuselektrodien liuskojen välisen kapasitanssin kanssa. Tavallisesti induktanssin aiheuttama reaktanssi suurempi kuin liuskojen välisen kapasitanssin aiheuttama reaktanssi, joten ensiksi käsitellään liuskojen induktanssi.

Yleensä liuskan induktanssi on suhteessa liuskan 15 ominaisimpedanssiin. Liuskan omina is impedanssi pienenee, kun se sijoitetaan lähemmäksi maata. Ominaisimpedanssi pienenee myös, kun liuskaleveys kasvaa. Tämän johdosta keskuselektro-dit, jotka sijoitetaan lähemmäksi maata, tehdään sellaisiksi, että niillä on kapeammat liuskat. Täten porttien 20 ominaisimpedanssit tehdään yhdenmukaisiksi. Tämän seurauksena porttien induktanssit voidaan tehdä yhdenmukaisiksi.

Tämä tarkoittaa, että keskuselektrodien 4a, 4b, ja 4c liuskaleveydet Wl, W2 ja W3 asetetaan siten, että suhteet :** Wl < W2 < W3 ovat voimassa. Tästä seuraa, että porttien :1 25 ympärillä olevien keskuselektrodien induktanssit voidaan • · · \ tehdä yhdenmukaisiksi.

Seuraavaksi käsitellään vierekkäisten liuskojen välistä ; ,· kapasitanssia. Koska edellä kuvattu keskuselektrodien ‘1\ liuskaleveyksien modifikaatio on vain vähäistä, vaikutetaan » · ’ 30 liuskojen välisiin kapasitansseihin vain vähän. Keskuselekt rodin 4a liuskojen välinen kapasitanssi on oleellisesti sama kuin keskuselektrodin 4c liuskojen välinen kapasitanssi. Keskuselektrodin 4b liuskojen välinen kapasitanssi on noin • · ·.· kaksi kertaa suurempi kuin keskuselektrodin 4a tai 4c • · · 35 liuskojen välinen kapasitanssi. Täten keskuselektrodin 4b i ,· liuskojen välisen kapasitanssin aiheuttama reaktanssi on t ·· suurempi kuin reaktanssi, joka aiheutuu keskuselektrodin 4a 1 · i · · · 7 114835 tai 4c liuskojen välisestä kapasitanssista. Jotta kes-kuselektrodien 4a, 4b ja 4c reaktanssit voidaan tehdä yhdenmukaisiksi, on välttämätöntä, että keskuselektrodin 4b induktanssi on pienempi kuin keskuselektrodin 4a tai 4c 5 induktanssi. Tämä vaatii, että keskuselektrodin 4b liuskale-veyttä W2 levennetään keskuselektrodin 4b ominaisimpedanssin pienentämiseksi. Tämän mukaisesti, kun laitetta suunnitellaan ottaen myös huomioon liuskojen väliset kapasitanssit, keskuselektrodien 4a, 4b ja 4c liuskaleveydet Wl, W2 ja W3, 10 vastaavassa järjestyksessä, voidaan asettaa siten, että suhteet Wl < W3 < W2 ovat voimassa.

Kun liuskaleveyksiä suunnitellaan, ja otetaan huomioon sekä keskuselektrodien induktanssit että liuskojen väliset kapasitanssit, keskuselektrodien 4a, 4b ja 4c vastaavat 15 liuskaleveydet Wl, W2 ja W3 asetetaan siten, että joko ehto Wl < W2 < W3 tai ehto Wl < W3 < W2 tulee täytetyksi.

Kuvassa 1 esitetyssä koniiguraatiossa on oletettu, että keskuselektrodien 4a, 4b ja 4c vastaavat liuskaleveydet Wl, W2 ja W3 ovat samoja. Tapaa, jolla liuskaetäisyydet Dl, D2 20 ja D3 asetetaan tämän tilanteen vallitessa, kuvataan seuraavaksi.

Yleisesti keskuselektrodin ominaisimpedanssi pienenee, kun keskuselektrodin liuskojen välinen etäisyys kasvaa.

'·" Ominaisimpedanssi vähenee myös, kun keskuselektrodi sijoite- 25 taan lähelle maadoitusta, kuten aikaisemmin on mainittu.

’·. Täten porttien ominaisuudet voidaan tehdä yhdenmukaisiksi suunnittelemalla keskuselektrodit siten, että lähemmäksi .1 maadoitusta sijoitettujen keskuselektrodien liuskaetäisyydet f I 1 ovat kapeampia. Tämä puolestaan tekee porttien induktanssit 30 yhdenmukaisiksi. Toisin sanoen keskuselektrodien 4a, 4b ja 4c vastaavat liuskaetäisyydet Dl, D2 ja D3 asetetaan siten, että suhteet Dl < D2 < D3 ovat voimassa. Tällä tavoin porttien ympärillä olevien keskuselektrodien induktanssit voidaan tehdä yhdenmukaisiksi.

35 Kun instrumenttia suunnitellaan, ja otetaan huomioon • · ; .1 liuskojen väliset kapasitanssit, liuskaetäisyydet Dl, D2 ja r 1 ,··· D3 voidaan asettaa myös siten, että Dl < D3 < D2. Tällä » • · · » · • · · t t t t i » « 1 1 1 4835 8 tavoin keskuselektrodien liuskaetäisyydet asetetaan siten, että joko ehto Dl < D2 < D3 tai ehto Dl < D3 < D2 on voimassa.

Kuvissa 2 ja 3 on esitetty esillä olevan keksinnön 5 toisen esimerkin muodostavan isolaattorin rakenne. Kuva 2 on perspektiivinen irto-osakuva, joka esittää isolaattorin koko rakenteen. Kuva 3 on perspektiivinen irto-osakuva, joka esittää monikerrossubstraatin keskuselektrodien asemalliset suhteet ferriittipalaan nähden. Tämän esimerkin isolaattorin 10 monikerrosrakenteen koko rakenne on samanlainen kuin jo kuvan 5 yhteydessä kuvattu rakenne, joten sitä ei kuvata tässä.

Kuten kuvassa 2 on esitetty, tämän esimerkin isolaatto-ri on samanlainen kuin kuvan 4 yhteydessä kuvattu isolaatto-15 ri, paitsi että ferriittipalat, joita on merkitty numerolla 12, ja maadoituslevy 16 on sijoitettu monikerrossubstraatin 13 ja kestomagneetin 14 väliin. Erityisesti, kuten kuvassa 3 on esitetty, kaksi ferriittipalaa 12 on sijoitettu isolaattorin keskuselektrodien ylä- ja alapuolelle, vastaa-20 vasti. Tässä rakenteessa maadoituspinnat, jotka vastaavat (corresponding to) keskuselektrodeja 4a, 4b ja 4c, ovat alempi kehyslevy 11 ja maadoituslevy 16. Etäisyys ylemmän maadoituspinnan ja levyn 42, jolle keskuselektrodi 4b on :*· muodostettu, välillä on oleellisesti sama kuin etäisyys 25 alemman maadoituspinnan ja levyn 42 välillä.

• * · Tässä rakenteessa, jossa liuskaetäisyydet Dl, D2 ja D3 on tehty yhdenmukaisiksi, jotta jokaisen portin keskuselekt-. rodin induktanssi tehdään yhdenmukaiseksi, liuskaleveydet i tulisi asettaa siten, että W1 = W3 < W2. Lisäksi kun otetaan 30 huomioon liuskojen väliset kapasitanssit, keskuselektrodin 4b induktanssi voidaan asettaa pienemmäksi kuin keskuselektrodien 4a ja 4c induktanssi. Jotta jokaisen portin keskuselektrodien reaktanssit olisivat yhdenmukaiset, liuskale- t; veydet Wl, W2 ja W3 voidaan asettaa siten, että ;T 35 Wl = W3 < W2.

, V Kun liuskaleveydet Wl, W2 ja W3 tehdään yhdenmukaisik- i i si, jotta keskuselektrodien reaktanssit ovat yhdenmukaiset t * I » I » • * · t 5 I > » t · 114835 9 kullekin portille, liuskaetäisyydet Dl, D2 ja D3 voidaan asettaa siten, että Dl = D3 < D2.

Kuten jo ensimmäisessä ja toisessa esimerkissä kuvattiin, liuskaleveydet tai liuskaetäisyydet monissa kes-5 kuselektrodeissa asetetaan erillisesti yksittäisiä portteja varten, jotta porttien ympärillä olevien keskuselektrodien reaktanssit saadaan yhdenmukaisiksi. Täten porttien symmetria paranee. Lisäksi voidaan vähentää väliinkytkemishäviötä.

Edelleen voidaan parantaa isolaatio-ominaisuuksia.

10 Edellä olevassa esityksessä joko liuskaleveydet tai liuskaetäisyydet tehdään yhdenmukaisiksi, ja toiset asetetaan. Keksintö ei ole rajattu tähän kaavioon. Esimerkiksi sekä liuskaleveydet että liuskaetäisyydet keskuselektrodeis-sa voidaan asettaa erillisesti yksittäisiä portteja varten.

15 Tässä tapauksessa laitteen suunnittelussa saavutetaan suurempi vapausaste. Täten laite voidaan suunnitella siten, että saavutetaan parempi suorituskyky.

Edellä olevissa esimerkeissä kukin keskuselektrodi koostuu kahdesta liuskasta. Keksintö ei rajoitettu tähän 20 rakenteeseen. Kukin keskuselektrodi voi koostua yhdestä tai kolmesta tai useammasta liuskasta. Jos kukin keskuselektrodi muodostuu yhdestä liuskasta, tällöin tietenkin asetetaan ainoastaan liuskaleveydet.

Edelleen edellä olevissa esimerkeissä isolaattori on : : 25 suunniteltu siten, että päätevastus on kytketty yhteen porttiin. Kuvassa 5 esitetty levy 51 voidaan poistaa. i Vaihtoehtoisesti kiertoelin voidaan valmistaa, ilman että : .·. päätevastus R kytketään levyyn 51.

·.·. Lisäksi edellä olevissa esimerkeissä keskuselektrodit, 30 sovituspiirit ja niin edelleen valmistetaan monikerrossubst-raatista koon pienentämiseksi edelleen. Keksintö ei ole rajoitettu tähän rakenteeseen. Keksintö on sovellettavissa rakenteeseen, jossa kukin keskuselektrodi tehdään metalli-: sesta johteesta.

•.’35 Kuten tähän mennessä on selitetty, uudessa epäresip- : rookkisessa piirielementissä liuskaleveydet tai liuskaetäi- • * · * « · · ... syydet piirielementin porttien ympärillä olevissa kes- 10 114835 kuselektrodeissa asetetaan erillisesti yksittäisiä portteja varten, jotta keskuselektrodien reaktanssit saadaan yhdenmukaisiksi kutakin porttia varten. Täten porttien symmetria paranee. Lisäksi voidaan vähentää väliinkytkemishäviötä.

5 Edelleen voidaan parantaa isolaatio-ominaisuuksia.

Lisäksi kokoa voidaan edelleen pienentää valmistamalla keskuselektrodit, sovituspiirit ja niin edelleen monikerros-substraatista.

Täten keksinnöllä saadaan aikaan pienikokoinen, 10 suorituskyvyltään parempi epäresiprookkinen piirielementti, joka tuottaa vähemmän väliinkytkemishäviötä ja jolla on parannetut isolaatio-ominaisuudet.

15 20 • · · 30 '.'35 « · · ·

Claims (4)

114835 11

1. Epäresiprookkinen piirielementti, johon kuuluu ainakin yksi maadoitustaso (11; 16) ja joukko keskuselektrodeja (4) järjestettynä eri etäisyyksille maadoi- 5 tustasosta (11; 16), jotka keskuselektrodit käsittävät kukin ensimmäisen pään, joka on kytketty sovituspiiriin (3), toisen pään kytkettynä maahan, ja ainakin yhden liuskan, ja missä mainitut keskuselektrodit ovat jäljestetty keskenään risteäviin suuntiin, tunnettu siitä, että 10 mainituista keskuselektrodeista (4) ensimmäisen liuskanleveys (W) on eri kuin mainituista keskuselektrodeista (4) toisen liuskanleveys (W), missä liuskan-leveydet eroavat, jotta saavutettaisiin olennaisesti sama reaktanssi kullekin keskuselektrodille (4), kunkin keskuselektrodin reaktanssin käsittäessä mainitun keskuselektrodin liuskoista johtuvan induktanssikomponentin ja mainitun 15 keskuselektrodin liuskan ja viereisen keskuselektrodin liuskan välisestä kapasitanssista johtuvan komponentin.

2. Epäresiprookkinen piirielementti, johon kuuluu ainakin yksi maadoitustaso (11; 16) ja joukko keskuselektrodeja (4) jäljestettynä eri etäisyyksille maadoi- . 20 tustasosta (11; 16), jotka keskuselektrodit (4) käsittävät kukin ensimmäisen ; : pään, joka on kytketty sovituspiiriin (3), toisen pään kytkettynä maahan, ja : ‘ · joukon liuskoja ja missä sanotut keskuselektrodit (4) ovat jäljestetty keskenään : : leikkaaviin suuntiin, tunnettu siitä, että 25 mainituista keskuselektrodeista (4) ensimmäisen liuskaväli (D) on erisuuri kuin : mainituista keskuselektrodeista (4) toisen liuskaväli (D) ja/tai . i : mainituista keskuselektrodeista (4) ensimmäisen liuskanleveys (W) on eri kuin ’ ; ' mainituista keskuselektrodeista (4) toisen liuskanleveys (W), missä liuskavälit , : 30 ja/tai liuskanleveydet eroavat, jotta saavutettaisiin olennaisesti sama reaktanssi kullekin keskuselektrodille (4), kunkin keskuselektrodin reaktanssin käsittäessä 12 1 1 4835 mainitun keskuselektrodin liuskoista johtuvan induktanssikomponentin ja mainitun keskuselektrodin liuskojen ja viereisen keskuselektrodin liuskojen välisestä kapasitanssista johtuvan komponentin.

3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen epäresiprookkinen piirielementti, tunnettu siitä, että jotkut tai kaikki keskuselektrodit (4), mainitut impedanssin-sovituspiirit (3) ja sisääntulo- ja lähtöelimet (2) ovat muodostettu moni-kerrossubstraatille.

4. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen epäresiprookkinen piirielementti, tunnettu siitä, että siinä on kolme keskielektrodia (4) ja ainakin yhden elektrodin (4) liuskanleveys (W) ja/tai liuskanväli (D) on eri kuin kahden muun keskuselektrodin (4) liuskanleveys (W) ja/tai liuskanväli (D). * · I · > · > · * 9 f » < » * ♦ * t 9 t 9 .! I I 9 9 ‘ 9 9 9 > 9 13 114835