FI109944B - Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande - Google Patents

Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande Download PDF

Info

Publication number
FI109944B
FI109944B FI981731A FI981731A FI109944B FI 109944 B FI109944 B FI 109944B FI 981731 A FI981731 A FI 981731A FI 981731 A FI981731 A FI 981731A FI 109944 B FI109944 B FI 109944B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
component
gel
optical
sol
electrode
Prior art date
Application number
FI981731A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI981731A (sv
FI981731A0 (sv
Inventor
Juha Rantala
Pentti Karioja
Harri Kopola
Jouko Vaehaekangas
Original Assignee
Valtion Teknillinen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Valtion Teknillinen filed Critical Valtion Teknillinen
Priority to FI981731A priority Critical patent/FI109944B/sv
Publication of FI981731A0 publication Critical patent/FI981731A0/sv
Priority to US09/762,635 priority patent/US6586268B1/en
Priority to CNB998095060A priority patent/CN1303701C/zh
Priority to DE69941874T priority patent/DE69941874D1/de
Priority to EP99938411A priority patent/EP1110245B1/en
Priority to JP2000565570A priority patent/JP2002522890A/ja
Priority to PCT/FI1999/000663 priority patent/WO2000010206A2/en
Publication of FI981731A publication Critical patent/FI981731A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI109944B publication Critical patent/FI109944B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Claims (27)

1. Optoelektronisk komponent omfattande atminstone en pixel, som omfattar en första (310, 410, 806, 906, 1006) och en andra elektrod (302, 402, 802, 902, 1002) för elektrisk koppling och mellan elektrodema ett optoelektro- 5 niskt aktivt ämne (304, 406, 408, 804, 904, 1004), kännetecknad avatt det optoelektroniskt aktiva ämnet (304, 406, 408, 804, 904, 1004) är ett hy-bridsol-gel, i vilket man kemiskt bundit ett ämne (104) som päverkar de opto-elektroniska egenskapema och ett strälningskänsligt polymermaterial (102), och det optoelektroniskt aktiva ämnet (304, 406, 408, 804, 904, 1004) härdas 10 och mönstras genom att använda atminstone ett av följande förfaranden: ultra-violett straining, röntgensträlning, elektronsträlning och kemisk behandling.
2. Komponent enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d av att en för optisk straining känslig polymer (102) bundits kemiskt tili hybridsol-gel-materialet för härdning och mönstring av sol-gelet genom optisk straining.
3. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att äm net (104) som päverkar de optiska egenskapema är en organisk halvledare.
4. Komponent enligt patentkrav 3, kännetecknad av att den ...: organiska halvledaren är Alq3, TPD eller motsvarande.
• · • · · : *" 5. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den ·"’·· 20 optoelektroniska komponenten är en halvledarkomponent av diodtyp.
6. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att det I optoelektroniskt aktiva ämnet (304, 406, 408, 804, 904, 1004) är försett med • · « *·* ‘ ett mönster bestäende av flera pixlar (504, 506, 508).
:'·. 7. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den • · .···. 25 optoelektroniska komponenten är en optisk stralningskälla. M ♦
8. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den : * * *: optoelektroniska komponenten är en detektor för optisk straining. • · · :.v
9. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den ·:··: optoelektroniska komponenten omfattar atminstone tvä pixlar (504, 506, 508) i 30 en rad. 17 109944
10. Komponent enligt patentkrav 9,kännetecknad avattden optoelektroniska komponenten omfattar pixlar (504, 506, 508) i tier än en rad.
11. Komponent enligt patentkrav 1,kännetecknad avatt den optoelektroniska komponenten omfattar en optisk komponent (704) som är be- 5 lägen pa pixelns (504, 506, 508) optiska funktionsyta.
12. Komponent enligt patentkrav 11, kännetecknad avatt den optisk komponenten (704) pä pixelns (504, 506, 508) optiska funktionsyta är en lins.
13. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad avatt den 10 optisk komponenten som är belägen pä pixelns (504, 506, 508) optiska växel- verkanyta är en optisk fiber (808).
14. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att komponenten skyddats genom att kapsla in komponenten med ett optoelek-troniskt inaktivt sol-gelmaterial (1012) eller motsvarande.
15. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att ät- minstone en elektrod (906) är transparent i det av komponenten använda strälningsomrädet, och strälningen som är i optisk växelverkan med kompo-nenten är anordnad att passera genom den transparenta elektroden (906). I f
· • · · ··.* 16. Komponent enligt patentkrav 1,kännetecknad av att elek- . 20 troderna är icketransparenta och komponenten är anordnad att sända eller motta straining fran endast en eller flera sidor som inte omfattar en elektrod. • · · • ·
17. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att komponenten används i en indikatorenhet.
• · • · · *;/ 18. Komponent enligt patentkrav 1, kännetecknad av att ···’ 25 komponenten används som bakgrundsljus.
• · ♦ *... 19. Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent, i ·”' vilket förfarande ätminstone en första (310, 410, 806, 906, 1006) och en andra :Y: elektrod (304, 402, 802, 902, 1002) används och mellan dem ett optoelektro- •: · ·: niskt aktivt ämne (304, 406, 408, 804, 904,1004), kännetecknat av att 30 det optoelektroniskt aktiva ämnet (302, 406, 408, 804, 904, 1004) 18 109944 framställs genom att tili sol-gelet kemiskt binda ett ämne (104) som paverkar de optoelektroniska egenskaperna och ett strälningskänsligt polymermaterial (102), varvid sol-gelet ändras tili hybridsol-gel; det optoelektroniskt aktiva hybridsol-gelet utbreds pä den första 5 elektroden; hybridsol-gelet härdas genom att använda ätminstone ett av följan-de förfaranden: ultraviolett straining, röntgensträlning, elektronsträlning och kemisk behandling, den andra elektroden formas pä det optoelektroniskt aktiva hybridit) sol-gelet.
20. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck-n a t av att pixlar (504, 506, 508) bildas i den optoelektroniska komponenten genom mönstring av hybridsol-gelet.
21. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck-15 n a t av att hybridsol-gelet utbreds pä elektroden som en tunnfilm genom spinning, sprayning, doppning eller motsvarande.
22. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck-n a t av att den andra elektroden bildas med hjälp av en vätskefas, gasfas, en :··· kontaktvikt, ledande mälarfärg, printning av elektroder eller motsvarande. •» · «« · ;_ ·* 20
23. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck- ! ' “ n a t av att alla ytorna av pixlarna (504, 506, 508) i komponenten, förutom kon- taktytorna för elektroderna, skyddas med optoelektroniskt inaktivt sol-gel (510) :.v genom att utbreda och härda det optoelektroniskt inaktiva sol-gelet (510) pä den första elektroden (502) och omkring pixlarna. . . 25
24. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck- » I t n at av att dä flera pixlar (504, 506, 508) som fungerar pä olika väglängder ···* bildas, utbreds och härdas det optoelektroniskt aktiva hybridsol-gelet flera ganger och optoelektroniskt aktivt hybridsol-gel som fungerar pä olika väg-: . längder används vid olika utbrednings- och härdningsgänger. :V: 30
25. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck- •: · ·: n a t av att den optoelektroniska komponentens optiska funktion kopplas tili en optisk fiber (808). 109944 19
26. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck-n a t av att den optoelektroniska komponentens (800) optiska funktion kopplas tili en optisk komponent (704).
27. Framställningsförfarande enligt patentkrav 19, känneteck-5 n a t av att komponenten skyddas genom att kapsla in komponenten med ett optoelektroniskt inaktivt sol-gelmaterial (1012) eller motsvarande. • · ·
FI981731A 1998-08-11 1998-08-11 Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande FI109944B (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI981731A FI109944B (sv) 1998-08-11 1998-08-11 Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande
US09/762,635 US6586268B1 (en) 1998-08-11 1999-08-10 Optoelectronic component and manufacturing method
CNB998095060A CN1303701C (zh) 1998-08-11 1999-08-10 光电元件及其制造方法
DE69941874T DE69941874D1 (de) 1998-08-11 1999-08-10 Optielektronisches bauelement und herstellungsverfahren
EP99938411A EP1110245B1 (en) 1998-08-11 1999-08-10 Optoelectronic component and manufacturing method
JP2000565570A JP2002522890A (ja) 1998-08-11 1999-08-10 光電子部品およびその製造方法
PCT/FI1999/000663 WO2000010206A2 (en) 1998-08-11 1999-08-10 Optoelectronic component and manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI981731A FI109944B (sv) 1998-08-11 1998-08-11 Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande
FI981731 1998-08-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI981731A0 FI981731A0 (sv) 1998-08-11
FI981731A FI981731A (sv) 2000-02-12
FI109944B true FI109944B (sv) 2002-10-31

Family

ID=8552288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI981731A FI109944B (sv) 1998-08-11 1998-08-11 Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6586268B1 (sv)
EP (1) EP1110245B1 (sv)
JP (1) JP2002522890A (sv)
CN (1) CN1303701C (sv)
DE (1) DE69941874D1 (sv)
FI (1) FI109944B (sv)
WO (1) WO2000010206A2 (sv)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI110675B (sv) * 2001-07-06 2003-03-14 Valtion Teknillinen Förfarande för att forma en organisk ljusemitterande diod
KR100581850B1 (ko) * 2002-02-27 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7417247B2 (en) * 2002-09-30 2008-08-26 Infineon Technologies, Ag Pentaarylcyclopentadienyl units as active units in resistive memory elements
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US7579775B2 (en) * 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
US7803308B2 (en) 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
US7906058B2 (en) 2005-12-01 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Bifurcated contact printing technique
CN101535021A (zh) 2005-12-08 2009-09-16 分子制模股份有限公司 用于衬底双面图案形成的方法和系统
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
US8850980B2 (en) 2006-04-03 2014-10-07 Canon Nanotechnologies, Inc. Tessellated patterns in imprint lithography
WO2007117524A2 (en) * 2006-04-03 2007-10-18 Molecular Imprints, Inc. Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and alignment marks
US7802978B2 (en) 2006-04-03 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Imprinting of partial fields at the edge of the wafer
US8142850B2 (en) 2006-04-03 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times
US8012395B2 (en) 2006-04-18 2011-09-06 Molecular Imprints, Inc. Template having alignment marks formed of contrast material
KR101014339B1 (ko) 2008-01-10 2011-02-15 고려대학교 산학협력단 발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2010034494A (ja) * 2008-06-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機光電変換素子
US9520378B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-13 Intel Corporation Thermal matched composite die
CN107731864B (zh) * 2017-11-20 2020-06-12 开发晶照明（厦门）有限公司 微发光二极管显示器和制作方法
US20220167853A1 (en) * 2019-03-28 2022-06-02 Koite Health Oy Method for plaque detection

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130397A (en) 1990-02-13 1992-07-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Hybrid sol-gel optical materials
US5608287A (en) * 1995-02-23 1997-03-04 Eastman Kodak Company Conductive electron injector for light-emitting diodes
JP3787185B2 (ja) * 1995-04-28 2006-06-21 アヴェンティス・リサーチ・ウント・テクノロジーズ・ゲーエムベーハー・ウント・コー・カーゲー 配線基板の配線の欠陥を検出する装置
EP0891686B1 (fr) * 1996-04-03 1999-10-06 Ecole Polytechnique Féderale de Lausanne (EPFL) Dispositif electroluminescent
JPH09279135A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
US5714838A (en) * 1996-09-20 1998-02-03 International Business Machines Corporation Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures
US5991493A (en) * 1996-12-13 1999-11-23 Corning Incorporated Optically transmissive bonding material
US6005692A (en) * 1997-05-29 1999-12-21 Stahl; Thomas D. Light-emitting diode constructions

Also Published As

Publication number Publication date
EP1110245A2 (en) 2001-06-27
FI981731A (sv) 2000-02-12
FI981731A0 (sv) 1998-08-11
DE69941874D1 (de) 2010-02-11
CN1303701C (zh) 2007-03-07
WO2000010206A3 (en) 2000-05-18
US6586268B1 (en) 2003-07-01
WO2000010206A2 (en) 2000-02-24
CN1312959A (zh) 2001-09-12
EP1110245B1 (en) 2009-12-30
JP2002522890A (ja) 2002-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI109944B (sv) Optoelektronisk komponent och framställningsförfarande
Kafafi Organic electroluminescence
US7554257B2 (en) Method to generate high efficient devices which emit high quality light for illumination
JP5348825B2 (ja) 光を放射するデバイス
KR101317011B1 (ko) 구조화된 발광 전환층
KR100581850B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법
US7629061B2 (en) Heterostructure devices using cross-linkable polymers
US6555840B1 (en) Charge-transport structures
US6468590B2 (en) Siloxane and siloxane derivatives as encapsulants for organic light emitting devices
US7504770B2 (en) Enhancement of light extraction with cavity and surface modification
US8269214B2 (en) Organic light emitting device with outcoupling layer for improved light extraction
US20070085086A1 (en) Organic light emitting device
US20060290272A1 (en) Enhancement of light extraction using gel layers with excavations
US8232721B2 (en) Efficiency enhancement methods for OLED light source through index bridging
US20080259987A1 (en) Enhanced Emission of Light From Organic Light Emitting Diodes
US20170012179A1 (en) Light-emitting device and method of producing a light-emitting device
JP4301260B2 (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器
US7402343B2 (en) Molecular chemical compounds with structures allowing electron displacement and capable of emitting photoluminescent radiation, and photoluminescence quenching device employing the same
KR100550252B1 (ko) 전자 이동 및 광발광이 가능한 구조를 갖는 분자 화학적화합물 및 이를 채용한 광발광 억제 소자
JP2016141044A (ja) フレキシブル基板及びその製造方法
KR20050024376A (ko) 컬러 필터를 갖는 전자발광 디바이스
KR20050016626A (ko) 개선된 광 출력을 갖는 전자발광 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
GB Transfer or assigment of application

Owner name: VALTION TEKNILLINEN TUTKIMUSKESKUS