CN1312959A - 光电元件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 5
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 claims description 2
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 claims description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims 18
- 230000004087 circulation Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 17
- 239000011149 active material Substances 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KZMAWJRXKGLWGS-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-[4-(4-methoxyphenyl)-1,3-thiazol-2-yl]-n-(3-methoxypropyl)acetamide Chemical compound S1C(N(C(=O)CCl)CCCOC)=NC(C=2C=CC(OC)=CC=2)=C1 KZMAWJRXKGLWGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- -1 aminomethyl phenyl Chemical group 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000975 bioactive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUUSWXBAUSDNRJ-UHFFFAOYSA-N CC(=C)C([O])=O Chemical compound CC(=C)C([O])=O DUUSWXBAUSDNRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000082204 Phyllostachys viridis Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- OLNXARFGZAXAHP-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[In+3].[Sb+3] OLNXARFGZAXAHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- HZBAVWLZSLOCFR-UHFFFAOYSA-N oxosilane Chemical compound [SiH2]=O HZBAVWLZSLOCFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002848 poly(3-alkoxythiophenes) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及一种光电元件及其制造方法。该元件至少包括一个象素,该象素包括用于电耦合的第一电极(302)和第二电极(310),和电极之间的光电活性材料(304,306,308),该光电活性材料是混合溶胶－凝胶玻璃,其化学地加成在影响光电特性的材料上。元件制造是通过在第一电极(310)上敷涂光电活性混合溶胶－凝胶,通过射线硬化混合溶胶－凝胶玻璃,及在光电活性混合溶胶－凝胶玻璃(304)上形成第二电极(302)。
Description
本发明涉及一种与电磁辐射相互配合元件，以及制造这种元件的方法。本发明的构造特别是涉及发射和检测光辐射的有机半导体器件。
有机材料、发光微象素和利用溶胶凝胶玻璃材料组成的发光二极管(LED)结构通常用于制造光、有效的器件和元件，这种器件和元件能在低压下操作并用于不同的光波长。有机电发光元件典型地基于半导体薄膜的叠层结构，所述半导体薄膜位于两个电极之间。众所周知，这种薄膜能用各种各样的半导体有机材料制造，所述半导体有机材料能进行电磁辐射。在制造有机发光器件(OLED)中能被采用的半导体有机材料包括聚合物和分子，此分子轨道的结构能使电子激发到较高的激发态，其后所述结构以电磁辐射的形式放电。
半导体有机材料包括包含芳香族的几种化合物和它们的具有无机离子的合成物，例如：三(8-羟基喹啉合)铝(Alq3)；三(8-羟基喹啉合)铕(Euq3)；三(8-羟基喹啉合)镓(Gaq3)；N,N′-二苯基-N,N-双(3甲基苯基)1,1′联苯基-4,4-二胺(TPD)；5,6,11,12-亚四苯基-萘(红荧烯)；1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯(PPCP)；2-(-联苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，三(对甲苯基)胺(amone)(TTA)等。
在OLED的制造中适宜的聚合物包括聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)及其衍生物，如聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH+PPV)；聚(3-烷基噻吩)(P3AT)；聚乙烯基咔唑(PVK)；聚(氰基苯邻二亚甲基(cyanphthalylidene))(PCP)；聚[p-亚苯基-2,6-苯并二(噁唑)](PBO)；聚[(1-十二烷氧基-4-甲基-1,3-亚苯基-(2,5″-terthienylene)](mPTTh)；聚乙炔(PA)；聚笨胺(PANI)；聚噻吩(PT)；聚吡咯(Ppy)等。
其它种类的化合物可以用于OLED的制造，所述化合物的分子轨道的结构能使化合物受激激发并能以电磁辐射形式从激发态放电。这种化合物例子包括fullerene(C60)、铜酞箐(CuPc)等。
通常采用的光电活性半导体分子为TPD和Alq3，以及分子之间的结合物作为基于电发光的LED操作。早期的象素LED通过首先从溶胶凝胶玻璃形成用于象素的位置而制备，例如所述位置位于玻璃衬底上的电极之上，所述电极如氧化铟锑(ITO)，在这种方法下，电极用气态或液态溶胶-凝胶玻璃覆盖。溶胶-凝胶玻璃此后按其最后形状被稳固并/或硬化以使玻璃覆盖除了象素之外的整个电极。在位于象素位置处并且由溶胶-凝胶玻璃环绕的空凹槽中，具有典型微米量级深度的凹槽由半导体材料的结合物形成，所述结合物如TPD和Alq3之间的结合物。此后第二电极在整个表面或者至少由半导体结合物组成的象素上典型地在气态下被生长，假如需要，电极也由衬底支撑。这种元件的提出，例如，在由Rantala等的“混合溶胶-凝胶玻璃阵列上的有机发光微象素”(Proceedings of Finnish Optics Days,p42,1998,ISBN 951-42-4944-5)中，在此将参照其相关内容。当控制的偏压提供给电极，最好具有低功函数的电子就从第一电极被注入，并且最好具有高功函数的空穴就从第二电极被注入。当电子和空穴汇合时，用作发光材料的有机半导体转换为激发态，当其放电时就发射电磁辐射。因此通过使用有机半导体材料如TPD和Alq3分子确定LED发射的波长，通常波长是在电磁辐射的光带之内，即，紫外线、可见光、红外线。
现有技术构造的问题是元件的稳定性较差，其结果是例如电极材料的粘结性差。另一个问题是复杂的制造工艺。
本发明的目的是提供一种防止上述问题的元件及制造方法。这通过一种光电元件来实现，该光电元件由至少一个用于电藕合的第一和第二电极组成的象素组成，并且在电极之间具有光电活性材料。根据本发明的元件中，光电活性材料是混合溶胶-凝胶，该溶胶-凝胶以化学方法与一种材料联接，该材料为影响光电特性的材料和对辐射敏感的聚合物材料，并且光电活性材料利用下述的至少一种方法被硬化并构图：UV射线，X-射线，电子射线和化学处理。
这些问题同样能通过制造光电元件的方法来解决，该方法利用至少第一和第二电极以及介于两者之间的光电活性材料。根据本发明的制造方法包含制备光电活性材料，该光电活性材料通过以化学方法添加具有影响光电特性的材料和对辐射敏感的聚合物材料，因而将溶胶凝胶改变为混合溶胶-胶；在第一电极上涂敷光电活性混合溶胶-凝胶；利用下述的至少一种方法硬化混合溶胶-凝胶：UV射线，X-射线，电子射线和化学处理；在光电活性混合溶胶-凝胶上形成第二电极。
根据本发明的元件和制造方法具有几种优点。因为仅基于经济并易于控制的已知的制造技术，所以工艺简单。例如，氧化层通常形成在金属表面并在溶胶-凝胶材料中构成强的粘结。因此元件稳定并耐用。
本发明将联系以下的优选实施例、参照附图进行详细的描述，在附图中
图1A表示光电活性TPD材料的化学结构；
图1B表示光电活性Alq3材料的化学结构；
图1C表示作为例子的混合溶胶-凝胶材料；
图2A表示有机LED组成的矩阵的现有制造技术；
图2B表示有机LED组成的矩阵的现有制造技术；
图2C表示有机LED组成的矩阵的现有制造技术；
图3A表示有机二极管的结构；
图3B表示有机二极管的掺杂面积；
图4更详细表示有机二极管的结构；
图5A表示多个象素二极管矩阵的制造；
图5B表示多个象素二极管矩阵的制造；
图5C表示多个象素二极管矩阵的制造；
图5D表示多个象素二极管矩阵的制造；
图6A表示利用电极的矩阵象素；
图6B表示象素组的控制；
图7表示由透镜覆盖每个象素的LED矩阵；
图8表示从LED光辐射连接到光纤的LED；
图9表示一个电极为非-透明的LED；
图10表示通过封装保护的LED。
根据本发明的构造尤其适用于基于有机材料的LED和二极管型检测器，然而并不限定于此。根据本发明的发光元件能应用于不同的显示器(及透明的显示器)，例如，应用于钟、电视、移动电话、照相机和工业上的品质控制中。
让我们更详细的检验基于本发明构造的溶胶-凝胶材料。溶胶-凝胶材料通过制备胶状悬浮液(溶胶)获得的无机网状物组成，胶化所述胶状悬浮液以形成液态(凝胶)。在这种胶体的合成物中采用的初始材料包括由不同的活性基环绕的金属或者非金属元素。因为烷氧基金属易与水反应，所以它们被广泛地应用。通常采用的大多数金属烷氧化物包括烷氧基硅烷，如四甲氧基硅烷(TMOS)和四乙氧基硅烷(TEOS)。其它烷氧化物，如铝酸盐、钛酸盐、硼酸盐、烷氧化锗和烷氧化锆，以及它们的不同的化合物也能被采用。二氧化硅在本发明中为优选的载流子材料。
在本发明中，能光刻的光敏混合溶胶-凝胶材料通过选出的烷氧基金属或非金属元素或它们的混合物的水解和浓缩以及依据常规的溶胶-凝胶方法制备的未饱和的有机聚合物来制备。这种方法描述在SPIE vol.CR68中由Andrews,M.P.等的“Passive and Active Sol-GelMaterials and Device S”，以及Najafi.S.I和Andrews,M.P.(eds.)的Sol-Gel and Polymer Photonic Devices,pp.253-285(1997)，在此将参照其相关内容。有机聚合物能用其它适合的材料代替，所述其它适合的材料能通过光实现交联，如异丁烯酰基氧丙基三甲基氧硅烷。为了使获得的混合物材料通过化学键与有机半导体材料联接，如氢键，或通过范德华力，共价键或适合的键合分子或原子，如氮原子。键合有机半导体材料到混合物材料能产生非常大的复合，因为电子和空穴不仅在材料的结合中而且在整个混合物矩阵中交联。因为在较低的电流密度下可获得足够的发光度，所以特别地产生较高的量子效率并且可获得设备的较长的使用寿命。
另一方面，环绕的混合物材料保护敏感的有机半导体材料以防止湿气和氧化。当光活性半导体材料与化学无机材料框架交联时，材料将非常稳固而防止再结晶。进一步讲，混合物材料是公知的非常有效地在不同的物质特别是金属中防止扩散的材料。因此混合溶胶-凝胶框架防止扩散。
使用在本发明中的混合溶胶-凝胶技术比常规的有机LED具有另一个突出的优点，即，可采用与常规的刻蚀工艺完全相同的工艺。因而可以适合大规模生产并能制造微型LED象素。微型象素化依次能使单独的光发射区隔离，因此矩阵结构的生产变得容易。此后矩阵结构通常用于制造高分辨率的显示器，其代替目前所使用的液晶显示器和显示照明的结合。
发射的光的波长能通过在矩阵象素中使用的材料的选择进行调整，因此彩色矩阵显示器成为可能。因为在矩阵中每个单独的象素作为分离的单元操作，所以矩阵结构也使设备更可靠。因此，当有机LED出现故障时发生的典型的连锁反应在设备的整个结构中并不发生，而仅限定在微型象素内，矩阵的其余部分并不受损害。在这种反应中分解的活性分子可以形成基本损坏的活性分子以至在材料中分解象链式反应一样传送。通过单个的微象素的毁坏导致的损坏仅在微米量级计算并且不能通过肉眼观测到。相同的结构提供到检测结构。
因为混合物材料能被掺杂，即，各种所需的分子能被添加，所以也能附加一种具有发射不同波长的有机半导体分子的矩阵从而获得化合物，该化合物发射所需颜色的精确的光，包括白光。环绕在象素周围的惰性混合物材料类似玻璃并且是透明的。从象素发出的光也能在惰性区传送，从而导致的光散射，因此分离的散射体就不需要提供背景光。相应地，惰性区也可以制成非透明或足够的宽度以至在象素之间没有串扰产生并且不能检测到光散射影响。
制造微象素的工艺基于通常的光刻工艺，用有机半导体掺入混合物材料是在半导体电极材料或者相应地在金属电极上低温下(0-200℃)生长。所需图形通过UV光和接触掩膜的方法在混合物材料上刻蚀，因而添加电极材料之一作为一个电极。另一个即透明电极可以由ITO或混合凝胶材料组成。
由于混合物材料的扩散保护特性、强耐化学性、强耐热性和强机械张力，因此在溶胶-凝胶材料上生长的电极可以通过光刻蚀、化学和/或干法腐蚀技术等刻图。因此形成具有作为分离元件控制单独的象素的布线是可能的，并制造活性显示器结构。为了减少布线的密度，在发光材料生长之前相对电极同样被刻图。
有机二极管的光电活性材料将参照图1A-1C举例说明。图1A表示TPD，由六个苯环100组成。位于链的端部的位置的苯环对通过氮键(N)连接在链上。TPD分子的活性部分由CH3(甲基)基组成。
图1B表示Alq3，其包括三个喹啉分子101，通过氮和氧键(N、O)与铝(Al)交联。Alq3在OLED元件中作为电子载流子。
图1C表示包括有机和无机元件的混合溶胶-凝胶材料。例如，无机载流子材料是二氧化态下的硅(Si)，并且有机材料为聚合物102和/或前述的半导体有机材料104，其在二氧化硅中代替四个氧键中的两个键。因此溶胶-凝胶材料包括载流子材料(例如二氧化硅)和光电活性分子104。混合溶胶-凝胶材料也包括聚合物102，所述聚合物易于硬化和构图。其它载流子材料除了硅之外包括铝、锗和钽。有机半导体材料，即光电活性材料，由化学键如氢键通过范德华力或共价键或适合的分子键的方法与混合物材料交联。
有机分子结构，如Alq3，提供二极管的光操作。聚合物依次胶化混合溶胶-凝胶，以至聚合物能均匀地分布在电极上。本发明中使用的聚合物包括前述的能激活的聚合物。其它采用的聚合物包括丙烯酸和甲基丙烯酸等聚合物。
涂敷采用本身为熟知的方法进行，例如旋涂、喷涂或浸涂。当采用聚合物最好对紫外线敏感，混合溶胶-凝胶能通过UV光构图和硬化。溶胶-凝胶和混合溶胶-凝胶玻璃同样能通过X射线或电子射线构图和硬化。进一步讲，硬化后的溶胶-凝胶同样能通过腐蚀或机械抛光构图。
图2A到图2C表示现有技术OLED矩阵的制造。图2A表示衬底202，电极204和光电非活性溶胶-凝胶薄膜206。溶胶-凝胶材料206作为薄膜涂敷在电极204上。光电非活性溶胶-凝胶材料缺乏光电活性分子104。电极204可以为例如ITO薄膜，所述电极在光波长宽范围内是透明的。ITO电极可以被现有技术中的导电透明电极材料如聚苯胺替代。衬底202是例如玻璃。可选择地，也能采用其它适合的衬底材料如各种塑料和陶瓷材料。图2B中，溶胶-凝胶薄膜206被光掩膜208覆盖，从而采用所需的方法，通常采用UV辐射方法，构图和硬化溶胶-凝胶薄膜。在暴光之后未暴光的溶胶-凝胶薄膜206部分能容易地去除，所述暴光部分作为玻璃层与电极204粘结。图2C中，溶胶-凝胶薄膜206相对于光掩膜208构图设置，并且除了象素之外的所有位置电极被溶胶-凝胶覆盖。现有技术因此利用光电非活性溶胶-凝胶材料环绕OLED元件。然而，现有技术并未教导在制造光电元件中溶胶-凝胶材料的使用，即，在这种情况下的矩阵象素。
图3A表示依据本发明的常规的光电元件如OLED的结构。用作检测器的依据本发明的构造具有相似的结构。图3表示阵列或矩阵结构的一个元件或一个象素，包括第一电极302、光电活性溶胶-凝胶材料层304和第二电极310。光电活性溶胶-凝胶层包括两部分。在第一部分306中，例如有机Alq3分子被化学地添加到溶胶-凝胶材料中，并且在第二部分308中，例如TPD分子被化学地添加到溶胶-凝胶材料中。然而，也可仅有一种光电活性有机分子被添加到溶胶-凝胶材料304中。为了保证二极管型光电操作，在此情况下这是重要的，即第一层306掺杂为p型层(容纳过量的空穴)，并且第二层308掺杂为n型层(电子的过量)。当用于操作的所需电场通过电源藕合到电极302和310时，光电操作开始。当元件是LED时，它发射的光射线的波长由彩色分子确定。当元件为二极管检测器时，通过元件的电流量依据在元件上提供的光射线而变化，即，元件检测到的它接收到的射线。特别是作为检测器的元件对彩色分子确定的光射线的范围敏感。PIN二极管和雪崩二极管两者执行是可能的。元件的尺寸(或象素)由制造技术限制。例如，在光刻工艺中UV射线的波长确定了可能的最少尺寸。元件最好工作在光射线的范围内即波长在40nm至1mm之间，但是，精确的工作范围通过使用的半导体材料确定。因此，在本应用中提到的光电工作范围同样能由相对稍宽的电磁射线范围组成。
图3B表示溶胶-凝胶材料实现的半导体器件中的p型和n型结的形成。特别是检测器可以包括在p型和n型结之间的未掺杂层。掺杂区的形成可以有很大程度上的不同。最小掺杂p型和n型区仅由一个分子构成。
图4表示依据本发明的元件的更详细结构。元件包括：第一电极402，增强层404,Alq3溶胶-凝胶层406,TPD溶胶-凝胶层408,第二电极410和衬底412。增强层404的作用是为了增强量子效率和提高LED操作的发光量，所述增强层404由例如氟化锂构成。TPD层408等能并在衬底上制造的发光材料上形成为均匀的层。在本例子中，第一电极302是薄的铝膜，铝膜同样支撑单独元件或象素的结构。支撑同样通过作为衬底412的玻璃板提供。
图5A至5D表示多个象素元件的制造。此例子中，使用在三中不同波长上操作的象素。图5A中，例如红光操作的一个或几个象素504形成在电极502上，如位于坚固衬底上的支撑金属电极或导电薄膜，从光电活性溶胶-凝胶材料在本身为熟知的方法下，如通过光刻工艺。因为依据本发明的元件完全同光刻工艺相一致，所以元件具有适合大规模生产的优点。因此采用相应的方法能形成在其它波长上操作的象素。图5B中，例如，绿光操作的一个或几个象素506形成在电极502上。图5C中，例如，蓝光操作的一个或几个象素508形成在电极502上。当象素形成后，它们被光电非活性溶胶-凝胶材料从侧边环绕，因此电极形成在象素上以控制象素的光电操作。然而，根据本发明的元件依次制造所需的薄膜是不必要的，而可以自由的选择顺序。象素504、506和508能通过例如UV射线、X射线或电子射线硬化和构图。电极能通过熟知的方法形成，例如通过液相、气相(蒸气、喷射)、接触压力、导电绘制或电极印刷。象素为发光微LED时，例如，形成彩色电视的平面显示是可能的。相应地，象素作为检测器时，例如，一种矩阵能作为彩色录象机的一部分。
图6A表示OLED象素矩阵的控制。图6A中，光电活性溶胶-凝胶材料位于两个网状电板结构之间。在此构造中，溶胶-凝胶薄膜不必是象素，而是未分开的平滑薄膜。当电控制功率藕合到电极602和604时，在电极602和604的结中溶胶-凝胶尖端被光活性。假如讨论中的元件是LED，溶胶-凝胶尖端发出光射线。另一方面，假如它是二极管检测器，溶胶-凝胶尖端就是检测光射线的二极管。图6B表示OLED象素矩阵，象素组的位置分享电源。该例子中，象素矩阵包括具有四个象素的组608和612。组中的象素是，例如，蓝色象素B、红色象素R和绿色象素G。每个象素组通过分离的电源610和614激发，所述电源提供典型值为几伏到几十伏之间的不同的直流或交流电压。当象素组608被激发时，它根据操作发射或接收蓝、红或绿光。
图7表示依据本发明的构造，来自象素或象素组702的射线直接通过光学元件704，所述元件最好集成到象素或矩阵中。没有光学元件的控制的发光的象素二极管是Lambertian发射器，这种发射器并非在所有应用中需要(例如，出纳机器中显示器的观察角就通常狭小)。例如，由象素706发出的光线最好用透镜聚焦。透镜可以是，例如，双透镜、多能级衍射透镜或折射透镜。由象素708发射的光线依次用透镜校准。透镜和其它光学元件同样影响用作检测器的象素的操作。
图8表示光电元件800与光纤808连接的情况。这可达到目的，例如，使得光电元件800的溶胶-凝胶LED结构804发出的光线从没有电极802和806的光电元件800的末端传送到光纤808。
图9表示依据本发明的OLED，该OLED包括电极902和906以及溶胶-凝胶LED结构904组成。例如，上电极902是支撑OLED元件结构的非透明的金属电极；下电极906是透明ITO电极，该ITO电极最好形成在透明玻璃或塑料薄板上(图中未示出)。因此，由LED904产生的射线首先直接通过下电极906。
图10表示根据本发明的元件的封装结构。结构包括：第一电极1002，光电活性层1004，第二电极1006，第一接触布线1008，第二接触布线1010，以及光电非活性封壳1012，例如，封壳1012可以由溶胶-凝胶玻璃、塑料或光环氧树脂制成。封壳1012几乎密封地保护电极1002和1006以及溶胶-凝胶二极管结构。根据本发明构造的阵列和矩阵结构同样可以用相似的封装。
即使本发明是参照实施例根据附图进行上述描述的，但是显然本发明并不局限于此，在附加的权利要求中公开的本发明的思想的范围内可以进行几种方式的修改。
Claims (27)
1．至少包括一个象素的光电元件，所述象素包括用于电藕合的第一电极(310,410,806,906,1006)和第二电极(302,402,802,902,1002)，以及电极之间的光电活性材料(304,406,408,804,904,1004)，其特征在于：光电活性材料(304,406,408,804,904,1004)是混合溶胶-凝胶，所述混合溶胶-凝胶化学地添加在影响光电特性的材料(104)和射线敏感聚合物材料(102)上，以及光电活性材料(304,406,408,804,904,1004)采用至少下述的一种方法被硬化和构图：UV射线，X射线，电子射线和化学处理。
2．根据权利要求1所述元件，其特征在于：对光射线敏感的聚合物(102)化学地加成在混合溶胶-凝胶材料上以便利用光射线硬化和构图溶胶-凝胶。
3．根据权利要求1所述元件，其特征在于：影响光特性的材料(104)是有机半导体。
4．根据权利要求3所述元件，其特征在于：有机半导体是Alq3,TPD等。
5．根据权利要求1所述元件，其特征在于：光电元件是二极管型半导体器件。
6．根据权利要求1所述元件，其特征在于：光电活性材料(304,406,408,804,904,1004)设有包括几个象素(504,506,508)的图形。
7．根据权利要求1所述元件，其特征在于：光电元件是光源。
8．根据权利要求1所述元件，其特征在于：光电元件用于光射线的检测器。
9．根据权利要求1所述元件，其特征在于：光电元件至少包括成一排的两个象素(504,506,508)。
10．根据权利要求9所述元件，其特征在于：光电元件包括成一排以上的象素(504,506,508)。
11．根据权利要求1所述元件，其特征在于：光电元件包括位于象素(504,506,508)的光操作表面上的光元件(704)。
12．根据权利要求11所述元件，其特征在于：位于象素(504,506,508)的光操作表面上的光元件(704)是透镜。
13．根据权利要求1所述元件，其特征在于：位于象素(504,506,508)的光作用表面的光元件是光纤(808)。
14．根据权利要求1所述元件，其特征在于：元件通过具有光电非活性溶胶-凝胶材料(1012)等的封装受保护。
15．根据权利要求1所述元件，其特征在于：由元件采用的发光区中至少一个电极(906)是透明的，并且与元件光学影响的射线被布置为穿过透明电极(906)。
16．根据权利要求1所述元件，其特征在于：电极是不透明的，以及元件被布置为传送或接收来自仅一个或来自几个没有电极的侧边的射线。
17．根据权利要求1所述元件，其特征在于：元件是在显示单元中被采用。
18．根据权利要求1所述元件，其特征在于：元件是作为背光使用。
19．一种制造光电元件的方法，该方法至少利用第一电极(310,410,806,906,1006)和第二电极(302,402,802,902,1002)以及两者之间的光电活性材料(304,406,408,804,904,1004)，其特征在于：
预先制备光电活性材料(304,406,408,804,904,1004)，这通过化学加成具有影响光电特性的材料(104)和射线敏感聚合物材料(102)的溶胶-凝胶，因此溶胶-凝胶改变为混合溶胶-凝胶；
在第一电极上涂敷光电活性混合溶胶-凝胶；
采用至少下述的一种方法硬化混合溶胶-凝胶：UV射线，X射线，电子射线和化学处理。
在光电活性混合溶胶-凝胶上形成第二电极。
20．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：在光电元件中通过构图混合溶胶-凝胶形成象素(504,506,508)。
21．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：在电极上利用旋涂、喷涂或浸涂等涂敷混合溶胶-凝胶作为薄膜。
22．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：第二电极通过液相，气相、接触重量、导电绘图、电极印刷等方法形成。
23．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：元件中的象素(504,506,508)的所有表面，除了电极接触面积之外，受到光电非活性溶胶-凝胶的保护，这通过涂敷和硬化在第一电极(502)之上并在象素四周的溶胶-凝胶实现。
24．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：当不同波长操作的几个象素(504,506,508)形成时，光电活性混合溶胶-凝胶几次涂敷和硬化，以及不同波长操作的光电活性混合溶胶-凝胶材料在涂敷和硬化的不同循环下使用。
25．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：将光电元件的光操作连接到光纤(808)。
26．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：将光电元件(800)的光操作连接到光元件(704)。
27．根据权利要求19所述制造方法，其特征在于：通过具有光电非活性溶胶-凝胶材料(1012)等的封装保护元件。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI981731 | 1998-08-11 | ||
| FI981731A FI109944B (fi) | 1998-08-11 | 1998-08-11 | Optoelektroninen komponentti ja valmistusmenetelmä |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1312959A true CN1312959A (zh) | 2001-09-12 |
| CN1303701C CN1303701C (zh) | 2007-03-07 |
Family
ID=8552288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB998095060A Expired - Fee Related CN1303701C (zh) | 1998-08-11 | 1999-08-10 | 光电元件及其制造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6586268B1 (zh) |
| EP (1) | EP1110245B1 (zh) |
| JP (1) | JP2002522890A (zh) |
| CN (1) | CN1303701C (zh) |
| DE (1) | DE69941874D1 (zh) |
| FI (1) | FI109944B (zh) |
| WO (1) | WO2000010206A2 (zh) |
Cited By (3)
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| US7802978B2 (en) | 2006-04-03 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Imprinting of partial fields at the edge of the wafer |
| US8142850B2 (en) | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
| US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
| US8012395B2 (en) | 2006-04-18 | 2011-09-06 | Molecular Imprints, Inc. | Template having alignment marks formed of contrast material |
| KR101014339B1 (ko) | 2008-01-10 | 2011-02-15 | 고려대학교 산학협력단 | 발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US9520378B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-12-13 | Intel Corporation | Thermal matched composite die |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5130397A (en) | 1990-02-13 | 1992-07-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Hybrid sol-gel optical materials |
| US5608287A (en) * | 1995-02-23 | 1997-03-04 | Eastman Kodak Company | Conductive electron injector for light-emitting diodes |
| JP3787185B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2006-06-21 | アヴェンティス・リサーチ・ウント・テクノロジーズ・ゲーエムベーハー・ウント・コー・カーゲー | 配線基板の配線の欠陥を検出する装置 |
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| JPH09279135A (ja) * | 1996-04-17 | 1997-10-28 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電界発光素子 |
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-
1998
- 1998-08-11 FI FI981731A patent/FI109944B/fi active
-
1999
- 1999-08-10 DE DE69941874T patent/DE69941874D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-10 WO PCT/FI1999/000663 patent/WO2000010206A2/en active Application Filing
- 1999-08-10 EP EP99938411A patent/EP1110245B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-10 US US09/762,635 patent/US6586268B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-10 JP JP2000565570A patent/JP2002522890A/ja active Pending
- 1999-08-10 CN CNB998095060A patent/CN1303701C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69941874D1 (de) | 2010-02-11 |
| FI981731A (fi) | 2000-02-12 |
| JP2002522890A (ja) | 2002-07-23 |
| EP1110245A2 (en) | 2001-06-27 |
| US6586268B1 (en) | 2003-07-01 |
| EP1110245B1 (en) | 2009-12-30 |
| FI981731A0 (fi) | 1998-08-11 |
| CN1303701C (zh) | 2007-03-07 |
| WO2000010206A2 (en) | 2000-02-24 |
| FI109944B (fi) | 2002-10-31 |
| WO2000010206A3 (en) | 2000-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070307 Termination date: 20100810 |