ES2850351T3 - Procedimiento de detección de un cortocircuito en un circuito eléctrico que comprende un transistor del tipo IGBT y dispositivo de control asociado - Google Patents

Procedimiento de detección de un cortocircuito en un circuito eléctrico que comprende un transistor del tipo IGBT y dispositivo de control asociado Download PDF

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Abstract

Procedimiento de detección de un cortocircuito (100) en un circuito eléctrico (10) que comprende un transistor (14) del tipo IGBT, incluyendo el transistor (14) una puerta (G), un colector (C) y un emisor (E), y definiendo un estado de conducción, en el que una corriente principal (IC) discurre entre el colector (C) y el emisor (E), y un estado de corte, en el que el colector (C) está aislado eléctricamente del emisor (E); el procedimiento de detección (100) comprende la observación del signo de la derivada temporal (dIC/dt) de la corriente principal (IC) en una ventana temporal de observación (Tobs) de longitud predeterminada y la detección de un cortocircuito dentro de esta ventana temporal de observación (Tobs) en función del signo de la derivada temporal (dIC/dt) de la corriente principal (IC); comprendiendo el procedimiento de detección las siguientes etapas: - observar (110) el signo de la derivada temporal (dIC/dt) de la corriente principal (IC) en la ventana temporal de observación (Tobs); correspondiéndose el inicio de la ventana temporal de observación (Tobs) con el inicio de una fase de conmutación a encendido, consistente en conmutar el transistor (14) del estado de corte hacia el estado de conducción; - cuando la derivada temporal (dIC/dt) de la corriente principal (IC) permanece estrictamente positiva durante un período de prueba (Tt) predeterminado, detectar (120) la presencia de un cortocircuito.

Description

DESCRIPCIÓN
Procedimiento de detección de un cortocircuito en un circuito eléctrico que comprende un transistor del tipo IGBT y dispositivo de control asociado
La presente invención concierne a un procedimiento de detección de un cortocircuito en un circuito eléctrico que comprende un transistor del tipo IGBT y un dispositivo de control asociado.
De manera en sí conocida, un transistor del tipo IGBT (del inglés “Insulated Gate Bipolar Transistor’), también denominado transistor bipolar de puerta aislada, comprende tres terminales o contactos eléctricos, a saber, una puerta, un colector y un emisor.
Un transistor del tipo IGBT es utilizable particularmente como interruptor eléctrico. En efecto, tal transistor define un estado de conducción, en el que el colector está conectado eléctricamente al emisor, y un estado de corte, en el que se hallan aislados eléctricamente uno del otro.
La conmutación entre los dos estados se gobierna mediante una tensión de consigna aplicada en la puerta por unos medios de mando adaptados.
En particular, la conmutación entre el estado de corte y el estado de conducción comprende una fase de conmutación a encendido, consistente en conmutar el transistor del estado de corte hacia el estado de conducción, y una fase de conmutación a corte, consistente en conmutar el transistor del estado de conducción hacia el estado de corte.
Generalmente, el funcionamiento de un transistor del tipo IGBT se controla mediante un dispositivo de control adaptado que especialmente permite detectar un cortocircuito en el seno del circuito eléctrico en el que se utiliza el transistor.
Tal cortocircuito es susceptible de aparecer, por ejemplo, entre el colector y el emisor de un transistor IGBT complementario en un brazo en una fase de conmutación a encendido del transistor de que se trate y puede dañar gravemente este último.
Para detectar un cortocircuito, los dispositivos de control existentes llevan a la práctica un procedimiento de detección que comprende el análisis de las medidas de la tensión entre el colector y el emisor y la detección de un cortocircuito en función de estas medidas.
Son asimismo conocidos métodos de detección de un cortocircuito en los transistores IGBT, tales y como se describen en los documentos US 2012/182031 A1, US 2004/240240 A1 o en el artículo "Open- and Short-Circuit Switch Fault Diagnosis for Nonisolated DC DC Converters Using Field Programmable Gate Array", M. Shahbazi et al., IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 60, no. 9, pp. 4136-4146, September 2013.
No obstante, los dispositivos de control existentes, así como los procedimientos de detección de un cortocircuito puestos en práctica por estos dispositivos no son del todo satisfactorios.
En particular, se suele necesitar una gran precisión en las medidas de la tensión para detectar eficazmente un cortocircuito. Este problema adquiere su particular entidad para transistores que operan en condiciones de alta tensión, como por ejemplo los utilizados en el campo ferroviario.
La presente invención tiene por finalidad proponer un procedimiento de detección de un cortocircuito en un circuito eléctrico que comprende un transistor del tipo IGBT, que permite detectar eficazmente un cortocircuito sin que se necesiten medidas precisas de la tensión en el transistor.
A tal efecto, la invención tiene por objeto un procedimiento de detección conforme a la reivindicación 1.
Según otros aspectos ventajosos de la invención, el procedimiento comprende una o varias de las características de las reivindicaciones 2 a 4.
Es asimismo objeto de la invención un dispositivo de control conforme a la reivindicación 5.
Estas características y ventajas de la invención se irán poniendo de manifiesto con la lectura de la subsiguiente descripción, dada únicamente a título de ejemplo no limitativo y llevada a cabo con referencia a los dibujos que se acompañan, en los cuales:
- la figura 1 es una vista esquemática de un circuito eléctrico que integra especialmente un transistor del tipo IGBT y un dispositivo de control de este transistor según la invención;
- la figura 2 es un organigrama de un procedimiento de detección de un cortocircuito puesto en práctica por el dispositivo de control de la figura 1; y
- la figura 3 es una vista esquemática que ilustra el procedimiento de detección de un cortocircuito de la figura 2.
El circuito eléctrico 10 de la figura 1 es utilizable para comandar al menos en parte el funcionamiento de un componente de potencia 12 que especialmente incluye dos terminales Eaux y Ep.
El circuito eléctrico 10 y el componente de potencia 12 son especialmente utilizables en el campo ferroviario y se hallan a bordo, por ejemplo, de un vehículo ferroviario.
Con referencia a la figura 1, el circuito eléctrico 10 comprende un transistor 14 conectado al componente de potencia 12 y un dispositivo de control 20 del transistor 14 según la invención.
El transistor 14 es un transistor del tipo IGBT (del inglés “Insulated Gate Bipolar Transistor’), también denominado transistor bipolar de puerta aislada.
El transistor 14 es en sí conocido y en particular incluye tres terminales o contactos eléctricos, a saber, una puerta G, un colector C y un emisor E.
El emisor E está conectado especialmente al terminal Eaux del componente de potencia 12.
El transistor 14 define un estado de conducción, en el que una corriente eléctrica Ic , en lo sucesivo denominada corriente principal, discurre entre el colector C y el emisor E, y un estado de corte, en el que el colector C está aislado eléctricamente del emisor E.
Por otro lado, el diodo 15 permite el paso de una corriente eléctrica del emisor E hacia el colector C, cualquiera que sea el estado del transistor 14.
El módulo de medición de tensión 16 está conectado, por una parte, a la puerta G y, por otra parte, al emisor E del transistor 14 y permite medir una tensión Vge entre la puerta G y el emisor E.
El módulo de medición de tensión 16 presenta, por ejemplo, un voltímetro de tipo adaptado.
El módulo de medición de cambio de corriente 18 está conectado entre los terminales Eaux y Ep del componente de potencia 12 y permite detectar todo cambio de la intensidad de la corriente principal Ic que pasa por el componente eléctrico 12.
En otras palabras, el módulo 18 permite detectar todo crecimiento o todo decrecimiento de valores de intensidad de la corriente principal Ic a lo largo del tiempo.
Aún en otras palabras, el módulo 18 permite detectar el signo de la derivada temporal dIc /dt de la corriente principal Ic .
Para hacer esto, el módulo 18 es apto para medir la tensión U entre los terminales Eaux y Ep del componente de potencia 12. El signo de la derivada temporal dIc /dt de la corriente principal Ic viene determinado por el signo de la tensión U, pues la derivada temporal dIc /dt y la tensión U son linealmente dependientes. En efecto, la tensión U es igual al producto de la derivada temporal dIc /dt y de la inductancia del componente de potencia 12.
El dispositivo de control 20 está conectado a la puerta G del transistor 14 y es apto para gobernar el funcionamiento de este transistor 14 aplicando una tensión de consigna y una corriente de consigna en la puerta G.
El dispositivo de control 20 es apto, además, para llevar a la práctica un procedimiento de detección de un cortocircuito 100 descrito en lo sucesivo con mayor detalle.
El dispositivo de control 20 está además conectado a los módulos 16 y 18 para recoger medidas, respectivamente, de la tensión Vge y del signo de dIc /dt y a una fuente de alimentación (no ilustrada) que proporciona una tensión de consigna positiva y una tensión de consigna negativa.
La tensión de consigna positiva es, por ejemplo, sensiblemente igual a 15 V.
La tensión de consigna negativa es, por ejemplo, sensiblemente igual a -15 V.
El dispositivo de control 20 comprende, por ejemplo, un circuito de mando y un computador conectado al circuito de mando y que permite procesar digitalmente unas medidas procedentes de los módulos 16 y 18 para llevar a la práctica al menos ciertas etapas del procedimiento de detección 100.
Por último, el dispositivo de control 20 es apto para recibir una orden de encendido y una orden de corte del transistor 14 procedentes, por ejemplo, de un computador central (no ilustrado).
Se explicará a partir de ahora el funcionamiento del circuito eléctrico 10 y en particular del transistor 14.
El control del funcionamiento del transistor 14 puesto en práctica por el dispositivo de control 20 comprende una fase de conmutación a encendido, una fase de encendido, una fase de conmutación a corte y una fase de corte.
En la fase de encendido, el dispositivo de control 20 mantiene el transistor 14 en estado de conducción aplicando la tensión de consigna positiva en la puerta G.
En la fase de corte, el dispositivo de control 20 mantiene el transistor 14 en estado de corte aplicando la tensión de consigna negativa en la puerta G.
La fase de conmutación a encendido es una fase transitoria entre la fase de corte y la fase de encendido y especialmente permite hacer pasar el transistor 14 del estado de corte al estado de conducción.
La fase de conmutación a corte es una fase transitoria entre la fase de encendido y la fase de corte y especialmente permite hacer pasar el transistor 14 del estado de conducción al estado de corte.
Las fases de conmutación a encendido y a corte comprenden varias etapas de conmutación. En estas etapas, el dispositivo de control 20 genera una corriente de consigna cuya intensidad en la puerta del transistor 14 toma valores de consigna diferentes en función de la etapa de conmutación en desarrollo.
De acuerdo con un ejemplo de realización, los momentos de transición entre las etapas de conmutación vienen determinados en función del signo de la derivada temporal dIC/dt de la corriente principal Ic , de las medidas de la tensión Vge entre la puerta G y el emisor y/o de la duración máxima aceptable de las correspondientes etapas. De acuerdo con otro ejemplo de realización, estos momentos de transición vienen determinados en función de las medidas de la tensión entre el colector y el emisor y de la intensidad de la corriente eléctrica que pasa a través del colector.
En la fase de conmutación a encendido, el dispositivo de control 20 lleva a la práctica el procedimiento de conmutación de detección de un cortocircuito 100.
En particular, este procedimiento 100 comprende varias etapas cuyo organigrama se ilustra en la figura 2.
En una etapa 110, el dispositivo de control 20 observa el signo de la derivada temporal dIc/dt de la corriente principal Ic en una ventana temporal de observación Tobs.
El inicio de la ventana temporal de observación Tobs se corresponde con el inicio de la fase de conmutación a encendido.
Si la derivada temporal dIc /dt de la corriente principal Ic es estrictamente positiva en un período de prueba Tt predeterminado, el dispositivo 20 detecta la presencia de un cortocircuito en una etapa 120. En caso contrario, el dispositivo de control 20 deduce que no puede estar teniendo lugar un cortocircuito.
Ventajosamente, el procedimiento además comprende una etapa 130 con la cual el dispositivo 20 confirma la presencia del cortocircuito detectado.
En particular, en esta etapa 130, el dispositivo de control 20 confirma la presencia del cortocircuito cuando la derivada temporal dIc/dt de la corriente principal Ic permanece superior o igual a cero durante un período complementario siguiente al período de prueba Tt . En caso contrario, el dispositivo de control 20 deduce que no ha tenido lugar el cortocircuito.
El período complementario da comienzo al final del período de prueba Tt y acaba, por ejemplo, con la ventana temporal de observación Tobs.
Cuando se ha detectado un cortocircuito, el dispositivo de control 20 señaliza entonces un cortocircuito y mantiene el transistor 14 en estado de corte al menos durante un período de corte predeterminado.
El período de prueba Tt es parametrizable por el dispositivo de control 20 y regulable con anterioridad a la puesta en práctica del procedimiento 100, por ejemplo entre 1 ps y 10 ps.
La longitud de la ventana de observación Tobs es parametrizable por el dispositivo de control 20 y regulable con anterioridad a la puesta en práctica del procedimiento 100, por ejemplo entre 1 ps y 20 ps.
El período de prueba Tt y el período complementario están comprendidos dentro de la ventana de observación Tobs. La figura 3 ilustra el comportamiento de la corriente principal Ic y de la derivada temporal dIc /dt de la corriente principal Ic en dos ejemplos de la puesta en práctica de la fase de conmutación a encendido.
En el primer ejemplo, correspondiente a las líneas continuas de las curvas Ic y dIc /dt, no se ha producido ningún cortocircuito. En este caso, la derivada dIc /dt ha cambiado de signo en el período de prueba Tt, por lo que el dispositivo de control 20 no ha detectado ningún cortocircuito.
En el segundo ejemplo, correspondiente a las líneas de trazos de las curvas Ic y dIc /dt, ha aparecido un cortocircuito. En este caso, la derivada dIc /dt ha sido estrictamente positiva en el período de prueba Tt y positiva fuera de este período. Por lo tanto, el dispositivo de control 20 ha detectado un cortocircuito.
Se concibe entonces que la presente invención presenta cierto número de ventajas.
El procedimiento de detección según la invención permite detectar un cortocircuito en el transistor utilizando únicamente el análisis del signo de la derivada dIc /dt de la corriente principal Ic en diferentes períodos temporales. Es de señalar que no se necesita ninguna medida del valor de la corriente principal Ic ni el de su derivada dIc /dt para llevar a la práctica el procedimiento. De este modo, para el procedimiento de detección solo importa el signo de la derivada dIc /dt, lo cual permite simplificar los requerimientos impuestos a diferentes medios de medición en el circuito eléctrico.
Esto es particularmente ventajoso para los transistores que operan en condiciones de alta tensión, especialmente como los utilizados en el campo ferroviario.
Por último, es de señalar que para detectar un cortocircuito, no se necesita ningún circuito de realimentación negativa y, en particular, ningún circuito relacionado con la tensión en bornes del componente de potencia, para limitar la sobretensión a corte. Esto constituye, entonces, una ventaja particular de la invención.

Claims (5)

REIVINDICACIONES
1. Procedimiento de detección de un cortocircuito (100) en un circuito eléctrico (10) que comprende un transistor (14) del tipo IGBT, incluyendo el transistor (14) una puerta (G), un colector (C) y un emisor (E), y definiendo un estado de conducción, en el que una corriente principal (IC) discurre entre el colector (C) y el emisor (E), y un estado de corte, en el que el colector (C) está aislado eléctricamente del emisor (E);
el procedimiento de detección (100) comprende la observación del signo de la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (IC) en una ventana temporal de observación (Tobs) de longitud predeterminada y la detección de un cortocircuito dentro de esta ventana temporal de observación (Tobs) en función del signo de la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Ic);
comprendiendo el procedimiento de detección las siguientes etapas:
- observar (110) el signo de la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Ic) en la ventana temporal de observación (Tobs); correspondiéndose el inicio de la ventana temporal de observación (Tobs) con el inicio de una fase de conmutación a encendido, consistente en conmutar el transistor (14) del estado de corte hacia el estado de conducción;
- cuando la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Ic) permanece estrictamente positiva durante un período de prueba (Tt) predeterminado, detectar (120) la presencia de un cortocircuito.
2. Procedimiento según la reivindicación 1, que comprende además una etapa de confirmación (130) de la presencia de un cortocircuito consistente en confirmar la presencia de un cortocircuito cuando la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Ic) permanece superior o igual a cero durante un período complementario siguiente al período de prueba (Tt).
3. Procedimiento (100) según una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, que comprende además el mantenimiento del transistor (14) en estado de corte en caso de detección de un cortocircuito.
4. Procedimiento (100) según una cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la longitud de la ventana de observación (Tobs) está comprendida entre 1 ps y 20 ps.
5. Dispositivo de control (20) de un transistor (14) del tipo IGBT, incluyendo el transistor (14) una puerta (G), un colector (C) y un emisor (E), y definiendo un estado de conducción, en el que una corriente principal (Io ) discurre entre el colector (C) y el emisor (E), y un estado de corte, en el que el colector (C) está aislado eléctricamente del emisor (E);
estando el dispositivo (20) configurado para observar el signo de la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Io ) en una ventana temporal de observación (Tobs) de longitud predeterminada y para detectar un cortocircuito dentro de esta ventana temporal de observación (Tobs) en función del signo de la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Ic);
- observar el signo de la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Io ) en la ventana temporal de observación (Tobs); correspondiéndose el inicio de la ventana temporal de observación (Tobs) con el inicio de una fase de conmutación a encendido, consistente en conmutar el transistor (14) del estado de corte hacia el estado de conducción;
- cuando la derivada temporal (dIo/dt) de la corriente principal (Io ) permanece estrictamente positiva durante un período de prueba (Tt) predeterminado, detectar la presencia de un cortocircuito.
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Families Citing this family (1)

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Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5121766A (en) * 1974-08-16 1976-02-21 Hitachi Ltd Sairisutahenkankino hogosochi
JPH08251907A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Toshiba Corp 半導体遮断器
SE520005C2 (sv) 2001-09-21 2003-05-06 Abb Ab Strömriktare samt förfarande för styrning av en strömriktare
US7679874B2 (en) * 2005-07-25 2010-03-16 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power overload detection method and structure therefor
US7357019B2 (en) * 2005-11-30 2008-04-15 Gm Global Technology Operations, Inc. Faulty lifter oil manifold assembly solenoid diagnostic system
AT508193B1 (de) * 2009-05-08 2015-05-15 Fronius Int Gmbh Verfahren und vorrichtung zum schutz von transistoren
JP5503427B2 (ja) 2010-06-22 2014-05-28 本田技研工業株式会社 ゲート駆動回路
JP5547579B2 (ja) * 2010-08-02 2014-07-16 株式会社アドバンテスト 試験装置及び試験方法
JP2014187837A (ja) 2013-03-25 2014-10-02 Honda Motor Co Ltd 電力変換器の保護システム
EP3039701B1 (en) * 2013-08-30 2021-03-31 Eaton Intelligent Power Limited Circuit breaker with hybrid switch
FR3013919B1 (fr) * 2013-11-22 2016-01-08 Continental Automotive France Detection de court-circuit dans une structure de commutation

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