CN105897232A - 驱动装置 - Google Patents

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CN105897232A CN201610084909.9A CN201610084909A CN105897232A CN 105897232 A CN105897232 A CN 105897232A CN 201610084909 A CN201610084909 A CN 201610084909A CN 105897232 A CN105897232 A CN 105897232A
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Abstract

一种驱动装置(1)包括：逆导晶体管(14)，其包括晶体管(13)和与所述晶体管反并联连接的第一二极管(11)，晶体管(13)和第一二极管(11)设置在公共的半导体基板(10)上；第二二极管(12)，其包括连接至晶体管的集电极的阴极，第二二极管设置在半导体基板上；以及检测部(26)，其被配置为经由第二二极管的阳极来检测晶体管的集电极与发射极之间的电压。

Description

驱动装置
技术领域
本发明涉及一种驱动装置。
背景技术
例如，众所周知驱动装置包括逆导晶体管，该逆导晶体管具有晶体管和与所述晶体管反并联连接的第一二极管，晶体管和第一二极管设置在公共的半导体基板上，以及具有连接至所述晶体管的集电极的阴极的第二二极管(例如，参见公开号为2014-216932的日本专利申请(JP 2014-216932 A))。该驱动装置具有这样的配置：在所述配置中晶体管的集电极与发射极之间的电压VCE经由第二二极管的阳极来检测。
然而，第一二极管的正向电压和第二二极管的正向电压分别具有随着温度而改变的特性(温度特性)。因而，当第一二极管的温度和第二二极管的温度彼此独立地变化时，第一二极管的正向电压和第二二极管的正向电压也彼此独立地改变并且电压VCE的检测值因此宽泛地变化。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种驱动装置，在所述驱动装置中，集电极与发射极之间的电压的检测值并不宽泛地变化。
根据本发明的方案的驱动装置包括：逆导晶体管，其包括晶体管和与所述晶体管反并联连接的第一二极管，晶体管和第一二极管设置在第一半导体基板上；第二二极管，其包括连接至所述晶体管的集电极的阴极，第二二极管设置在第一半导体基板上；以及检测部，被配置为经由第二二极管的阳极来检测晶体管的集电极与发射极之间的电压。
根据上述方面，因为第一二极管和第二二极管设置在第一半导体基板上，第一二极管的温度与第二二极管的温度之间的差减小并且这些温度以近似相似的方式变化。因而，甚至当第一二极管的正向电压和第二二极管的正向电压中的每个都随着温度的变化而改变时，相比于其中第一二极管的温度和第二二极管的温度彼此独立地变化的情况，晶体管的集电极与发射极之间的电压的检测值的变化也减小。
附图说明
以下将参照附图来描述本发明的示例性实施例的特征、优点、以及技术和工业意义，其中相同的附图标记指代相同的元件，并且在附图中：
图1为示出驱动装置的配置的一个示例的示意图；
图2为示出驱动装置的配置的另一示例的示意图；
图3为示出驱动装置的配置的另一示例的示意图；
图4为示出第二二极管的排列位置的一个示例的示意图；以及
图5为示出配备有多个驱动装置的电力变换器的配置的一个示例的示意图。
具体实施方式
下文中参照附图来描述本发明的实施例。
图1为示出根据第一实施例的驱动装置1的配置的一个示例的示意图。例如，驱动装置1为通过逆导晶体管14的开/关驱动来驱动连接至第一电流路径15或第二电流路径16的电感性负载(诸如电感器、电动机或类似物)的半导体器件。
例如，第一电流路径15为导电地连接至诸如电源的正极的高源电位部的源电压VH的电气布线。第一电流路径15可以经由另一开关元件或负载间接连接至高源电位部的源电压VH。例如，第二电流路径16为导电地连接至诸如电源的负极(例如，地)的低源电位部的电气布线。第二电流路径16可以经由另一开关元件或负载间接连接至低源电位部。
例如，其中使用一个或多个驱动装置1的设备的一个示例为通过逆导晶体管14的开关驱动来变换输入与输出之间电力的电力变换器。电力变换器的具体示例包括升高或降低DC电力的电压的变换器，以及执行DC电力与AC电力之间的电力变换的逆变器。
驱动装置1包括半导体基板10，以及与半导体基板10分离的驱动电路板20。例如，半导体基板10为具有逆导晶体管14，以及保护二极管12的芯片。例如，驱动电路板20为具有检测部21、判定部31，以及驱动部27的集成电路(IC)。
逆导晶体管14为具有一起设置在公共的半导体基板10上的晶体管13和续流二极管(flyback diode)11的逆导晶体管的一个示例。晶体管13具有栅极G、集电极C，以及发射极E。续流二极管11具有使用晶体管13的发射极E作为阳极的电极，以及使用晶体管13的集电极C作为阴极的电极。换而言之，逆导晶体管14为具有其中形成有用作晶体管13的发射极E和用作续流二极管11的阳极的公共电极以及用作晶体管13的集电极C和续流二极管11的阴极的公共电极的结构的开关元件。续流二极管11为与晶体管13反并联连接的第一二极管的一个示例。
例如，逆导晶体管14为使用晶体管13作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的逆导绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)。RC-IGBT有时称作内置二极管IGBT。
保护二极管12为设置在其上设置有逆导晶体管14的公共半导体基板10上的第二二极管的一个示例。保护二极管12具有连接至晶体管13的集电极C的阴极，以及连接至驱动电路板20的检测部21的阳极。保护二极管12能够保护驱动电路板20(具体地，检测部21)免于具有增加的电压值的电压Vce的损坏。电压Vce为晶体管13的集电极C与发射极E之间的电压。
检测部21为通过经由保护二极管12的阳极检测电压Vce来检测续流二极管11是否通电的检测部的一个示例。例如，检测部21具有电压源25、电阻24，以及监视电路26。
保护二极管12的阳极经由电阻24与电压源25的电压VB处于上拉连接。电阻24可以为输出恒流的恒流源。电压源25与驱动电路板20共享地。驱动电路板20的地导电地连接至晶体管13的发射极E。保护二极管12的阳极与电阻24之间的连接点连接至监视电路26，并且输入电压Vin经由连接点输入到监视电路26中。换而言之，输入电压Vin对应于电压Vce的检测值的一个示例。检测部21基于输入到监视电路26中的输入电压Vin的电压值来检测续流二极管11是否通电。
例如，当续流二极管11通电时，正向电流流经续流二极管11并且电压Vce因此等于-VF11(晶体管13的发射极E被定义为具有零基准电位并且VF11被定义为续流二极管11的正向电压)。因为此时的电压Vce(＝-VF11)低于电压VB，所以保护二极管12沿正向方向通电。因而，当续流二极管11通电时，输入电压Vin等于“-VF11+VF12”，其比电压Vce高出了保护二极管12的正向电压VF12的量。
当续流二极管11没有通电时，如果晶体管13通电，则电压Vce等于晶体管13的导通电压Von。导通电压Von为当晶体管13通电时集电极C与发射极E之间产生的电压。因为此时的电压Vce(＝Von)也低于电压VB，所以保护二极管12沿正向方向通电。因而，当续流二极管11没有通电而晶体管13通电时，输入电压Vin等于“Von+VF12”，其比电压Vce高出了保护二极管12的正向电压VF12的量。
当续流二极管11和晶体管13都没有通电时，电压Vce近似等于直接或间接连接至第一电流路径15的高源电位部的源电压VH。因为此时的电压Vce(＝VH)高于电压VB，所以保护二极管12没有通电。因而，当续流二极管11和晶体管13都没有通电时，输入电压Vin等于“电压VB”。应该注意电压VB被设定为高于“Von+VF12”并且低于源电压VH的电压值。
如上所述，输入到检测部21的监视电路26中的输入电压Vin的电压值根据续流二极管11是否通电而改变。因而，检测部21能够通过检测输入到监视电路26中的输入电压Vin的电压值的差异来检测续流二极管11是否通电。
然而，续流二极管11的正向电压VF11和保护二极管12的正向电压VF12都具有随温度改变的特性(温度特性)。因而，当续流二极管11的温度和保护二极管12的温度彼此独立地变化时，正向电压VF11和正向电压VF12彼此独立地改变并且输入电压Vin的电压值因此宽泛地变化。结果，通过检测部21的监视电路26检测续流二极管11是否通电的检测精度降低。
例如，因为驱动电路板20的工艺成本低于其上设置有逆导晶体管14的半导体基板10的工艺成本，所以假设这样的情况，在该情况下，能够保护检测部21的保护二极管12，与检测部21一起，设置在驱动电路板20上。然而，因为作为热源的逆导晶体管14设置在半导体基板10上，当续流二极管11和保护二极管12设置在不同的基板上时，续流二极管11的温度和保护二极管12的温度彼此独立地变化。结果，输入电压Vin的电压值宽泛地变化，并且，因此，检测续流二极管11是否通电的检测精度降低。
与此相反，在本实施例中，因为保护二极管12设置在其上设置有续流二极管11的公共半导体基板10上，所以续流二极管11的温度和保护二极管12的温度并不彼此独立地变化而是以近似相似的方式变化。因而，即使当正向电压VF11和正向电压VF12随着温度变化而独立地改变时，与其中续流二极管11的温度和保护二极管12的温度彼此独立地变化的情况相比，输入电压Vin的电压值的变化也减小。结果，能够提高由检测部21的监视电路26检测续流二极管11是否通电的检测精度。
另外，因为保护二极管12的阴极连接至反并联连接有续流二极管11的晶体管13的集电极，续流二极管11的正向方向和保护二极管12的正向方向彼此相反。换而言之，续流二极管11的阴极和保护二极管12的阴极彼此连接。因此，因为正向电压VF11随温度的变化和正向电压VF12随温度的变化几乎完全抵消，所以输入电压Vin的电压值的变化减小。结果，能够提高由检测部21的监视电路26检测续流二极管11是否通电的检测精度。
续流二极管11和保护二极管12可以为不同类型的二极管，但是优选为相同类型的二极管。当两个二极管为相同类型时，两个二极管的正向电压的温度特性能够相同。在该情况下，因为正向电压VF11随温度的变化和正向电压VF12随温度的变化能够均等，所以输入电压Vin的电压值的变化进一步减小。结果，能够进一步提高由检测部21的监视电路26检测续流二极管11是否通电的检测精度。
检测部21输出检测信号Vd，其基于输入电压Vin的电压值来指示来自监视电路26的续流二极管11是否通电的检测结果。例如，监视电路26具有比较器22、和阈值电压产生部23，以便输出指示续流二极管11是否通电的检测结果的检测信号Vd。
比较器22具有连接至保护二极管12的阳极与电阻24之间的连接点的非反相输入，以及连接至阈值电压产生部23的反相输入。阈值电压产生部23使用驱动电路板20的地作为地基准产生阈值电压Vth，并且提供阈值电压Vth至比较器22的反相输入。比较器22比较输入电压Vin与阈值电压Vth之间的大小关系以检测续流二极管11是否通电。
阈值电压Vth被设定为高于“-VF11+VF12”并且低于“Von+VF12”的电压值。因而，当比较器22检测到输入电压Vin低于阈值电压Vth时，比较器22输出指示续流二极管11通电的低电平检测信号Vd。另一方面，当比较器22检测到输入电压Vin高于阈值电压Vth时，比较器22输出指示续流二极管11没有通电的高电平检测信号Vd。
例如，当“VF11＝VF12＝Von＝1[V]”时，阈值电压Vth被设定为高于0[V]并且低于2[V]的电压值，这是因为“-VF11+VF12＝0[V]”并且“Von+VF12＝2[V]”。在该情况下，即使当略微高于0安培的微小电流流经续流二极管11时，检测部21也能够检测到续流二极管11通电。
判定部31基于由检测部21检测续流二极管11是否通电的检测结果来判定是否允许晶体管13导通。当检测部21检测到续流二极管11通电时(例如，当低电平检测信号Vd被输入到判定部31中时)，判定部31禁止晶体管13导通。另一方面，当检测部21检测到续流二极管11没有通电时(例如，当高电平检测信号Vd被输入到判定部31时)，判定部31允许晶体管13导通。
例如，判定部31具有其中输入有命令信号Vg和检测信号Vd的与(AND)电路(与门)。例如，命令信号Vg为从驱动电路板20外部的控制器提供的脉宽调制(PWM)信号。高电平命令信号Vg代表对于晶体管13的导通命令，而低电平命令信号Vg代表对于晶体管13的关断命令。例如，输出命令信号Vg的控制器为包括中央处理装置(CPU)的微电脑。应该注意，输出命令信号Vg的控制器可以设置在驱动电路板20上。
当由判定部31禁止晶体管13导通时，驱动部27将晶体管13的栅极电压Vge维持在即使输入命令晶体管13导通的命令信号Vg，晶体管13也固定在关断状态下的电压值处。另一方面，当由判定部31允许晶体管13导通时，驱动部27根据命令信号Vg来使晶体管13导通或关断。换而言之，驱动部27在命令信号Vg为对于晶体管13的导通命令时将栅电压Vge改变为晶体管13导通时所处的电压值，并且在命令信号Vg为对于晶体管13的关断命令时将栅极电压Vge改变为晶体管13关断时所处的电压值。
在逆导晶体管14中，当晶体管13导通同时电流流经续流二极管11时，正向电压VF11升高并且续流二极管11的正向损耗增加。该现象有时称作“栅极干扰(gate interference)”。然而，当由判定部31禁止晶体管13导通时，即使输入命令晶体管13导通的命令信号Vg，晶体管13也维持在关断状态下。因而，能够防止续流二极管11的正向损耗的增加。例如，这能够导致驱动装置1的功耗的减少，并且，结果，有助于提高配备有驱动装置1的车辆的燃料效率。
图2为示出根据第二实施例的驱动装置2的配置的一个示例的示意图。关于与上述驱动装置1相同的配置和效果，并入驱动装置1的描述。驱动装置2具有在配置上不同于驱动装置1的监视电路26。驱动装置2的监视电路26具有ADC 32和处理电路28以便输出指示检测续流二极管11是否通电的检测结果的检测信号Vd。
ADC 32为具有连接至保护二极管12的阳极与电阻24之间的连接点的输入的AD(模拟到数字)转换器。ADC 32将输入电压Vin的模拟值转换为数字值并且输出数字值至处理电路28。处理电路28比较输入电压Vin的数字值与阈值电压Vth的数字值之间的大小关系，并且输出指示续流二极管11是否通电的检测结果的检测信号Vd。
图3为示出根据第三实施例的驱动装置3的配置的一个示例的示意图。关于与上述驱动装置1相同的配置和效果，并入驱动装置1的描述。驱动装置3具有在配置上与驱动装置1不同的监视电路26。驱动装置3的监视电路26具有缓冲电路29以便输出指示续流二极管11是否通电的检测结果的检测信号Vd。
缓冲电路29具有连接至保护二极管12的阳极与电阻24之间的连接点的输入。缓冲电路29的输入的阈值被设定为阈值电压Vth。缓冲电路29比较输入电压Vin与阈值电压Vth之间的大小关系，并且输出指示续流二极管11是否通电的检测结果的检测信号Vd。
图4为示出保护二极管12的排列位置的一个示例的示意图。图4为示意性地示出半导体基板10的平面图。半导体基板10具有逆导晶体管14位于其中的元件有源区域17和18。在所示情况下，保护二极管12位于矩形半导体基板10的中央部34处(具体地，在第一元件有源区域17与第二元件有源区域18之间的区域中)。中央部34与元件有源区域17和18之间的温度差比较小。
因而，因为当保护二极管12位于中央部34处时续流二极管11与保护二极管12之间的温度差小，所以两个二极管的温度并不彼此独立地变化，而是以近似相似的方式变化。因而，因为输入电压Vin的电压值的变化减小，所以能够进一步提高由检测部21的监视电路26检测续流二极管11是否通电的检测精度。
应该注意保护二极管12不一定必须位于半导体基板10的中央部34处而是可以位于不同于中央部34的区域中(例如，在元件有源区域与半导体基板10的边缘之间的区域中)。
图5为示出配备有多个驱动装置的电力变换器101的配置的一个示例的示意图。关于与上述驱动装置1的相同的配置和效果，并入驱动装置1的描述。电力变换器101包括一对驱动装置1L和1H，其中每个驱动装置均具有与驱动装置1相同的配置。电力变换器101包括在相对于中间节点19的低侧上设置的驱动装置1L，以及在相对于中间节点19的高侧上设置的驱动装置1H。电感性负载30连接至中间节点19。
电流路径15L经由逆导晶体管14H连接至源电压VH的高源电位部，而电流路径16L连接至地。电流路径15H连接至源电压VH的高源电位部，而电流路径16H经由逆导晶体管14L连接至地。
电力变换器101包括臂电路33，在所述臂电路33中，驱动装置1L的逆导晶体管14L和驱动装置1H的逆导晶体管14H串联连接。当用作驱动三相电动机的逆变器时，电力变换器101包括并联设置的三个臂电路33，即，与三相电动机的相位数一样多的臂电路33。
驱动装置1L包括半导体基板10L，以及驱动电路板20L。半导体基板10L为具有逆导晶体管14L和保护二极管12L的芯片。电压Vcel为晶体管13L的集电极C与发射极E之间的电压。另一方面，驱动装置1H包括半导体基板10H，以及驱动电路板20H。半导体基板10H为具有逆导晶体管14H和保护二极管12H的芯片。电压Vceh为晶体管13H的集电极C与发射极E之间的电压。
在命令晶体管13L导通的高电平命令信号Vgl被输入到驱动装置1L中的同时，命令晶体管13H关断的低电平命令信号Vgh被输入到驱动装置1H中。另一方面，在命令晶体管13H导通的高电平命令信号Vgh被输入到驱动装置1H中的同时，命令晶体管13L关断的低电平命令信号Vgl被输入到驱动装置1L中。
当由驱动装置1L的判定部31禁止晶体管13L导通时，驱动装置1L的驱动部27将晶体管13L的栅极电压Vgel维持在即使输入命令晶体管13L导通的命令信号Vgl，晶体管13L也固定在关断状态下的电压值处。另一方面，当由驱动装置1L的判定部31允许晶体管13L导通时，驱动装置1L的驱动部27根据命令信号Vgl使晶体管13L导通或关断。
当由驱动装置1H的判定部31禁止晶体管13H导通时，驱动装置1H的驱动部27将晶体管13H的栅极电压Vgeh维持在即使输入命令晶体管13H导通的命令信号Vgh，晶体管13H也固定在关断状态下的电压值处。另一方面，当由驱动装置1H的判定部31允许晶体管13H导通时，驱动装置1H的驱动部27根据命令信号Vgh使晶体管13H导通或关断。
当续流二极管11L通电时，由于续流二极管11L的通电，电压Vcel等于-VF11。因为电压Vcel低于电压VB，所以保护二极管12L通电。因而，当续流二极管11L通电时，输入电压Vin等于“-VF11+VF12”。
另一方面，当续流二极管11L没有通电时，如果晶体管13L通电，则电压Vcel等于晶体管13L的导通电压Von。因为电压Vcel低于电压VB，所以保护二极管12L通电。因而，当续流二极管11L没有通电而晶体管13L通电时，输入电压Vin等于“Von+VF12”。
此外，当续流二极管11L和晶体管13L都没有通电时，由于晶体管13H的导通或续流二极管11H的通电，电压Vcel近似等于源电压VH。因为电压Vcel高于电压VB，所以保护二极管12L不通电。因而，当续流二极管11L和晶体管13L都没有通电时，输入电压Vin等于“电压VB”。
因而，驱动装置1L的检测部21能够通过检测输入到驱动装置1L的监视电路26中的输入电压Vin的电压值中的差异来检测续流二极管11L是否通电。另外，因为保护二极管12L设置在其上设置有续流二极管11L的公共半导体基板10L上，所以输入电压Vin的电压值的变化减小。结果，能够提高由驱动装置1L的检测部21的监视电路26检测续流二极管11L是否通电的检测精度。
因为驱动装置1H同样以与驱动装置1L相同的方式操作，所以能够提高由驱动装置1H的检测部21的监视电路26检测续流二极管11H是否通电的检测精度。
虽然参照之前的实施例描述了驱动装置，但本发明并不限于以上实施例。可以做出诸如与另一实施例的部分或全部组合或替换的各种修改和改进。
例如，RC-IGBT为逆导晶体管的一个示例，而逆导晶体管可以为不同类型的开关元件。
另外，检测反并联连接至晶体管的二极管是否通电的检测部不一定必须设置在与其上设置有逆导晶体管的半导体基板不同的基板上，而是可以设置在其上设置有逆导晶体管的半导体基板上。
可选地，检测部21可以通过经由保护二极管12的阳极检测电压Vce来检测逆导晶体管14的通电方向。沿从集电极到发射极的正向流经逆导晶体管14的电流流经晶体管13，而沿从发射极到集电极的负向流经逆导晶体管14的电流流经续流二极管11。因而，当流经逆导晶体管14的电流的方向为正时(换而言之，当晶体管13通电时)，输入电压Vin等于“Von+VF12”。另一方面，当流经逆导晶体管14的电流的方向为负时(换而言之，当续流二极管11通电时)，输入电压Vin等于“-VF11+VF12”。
如上所述，输入到检测部21的监视电路26的输入电压Vin的电压值根据流经逆导晶体管14的电流的方向的差异而改变。因而，检测部21能够通过检测输入到监视电路26中的输入电压Vin的电压值的差异来检测逆导晶体管14的通电方向。
例如，当比较器22检测到输入电压Vin低于第一阈值电压Vth1时，比较器22输出指示逆导晶体管14的通电方向为负(换而言之，续流二极管11通电)的低电平检测信号Vd。第一阈值电压Vth1被设定为高于“-VF11+VF12”并且低于“Von+VF12”的电压值。另一方面，当比较器22检测到输入电压Vin高于第一阈值电压Vth1并且低于第二阈值电压Vth2时，比较器22输出指示逆导晶体管14的通电方向为正(换而言之，晶体管13通电)的高电平检测信号Vd。第二阈值电压Vth2高于第一阈值电压Vth1。第二阈值电压Vth2被设定为高于“Von+VF12”并且低于“VB”的电压值。
判定部31基于由检测部21检测逆导晶体管14通电方向的检测结果来判定是否允许晶体管13导通。当检测部21检测到逆导晶体管14的通电方向为负时(换而言之，续流二极管11通电)(例如，当低电平检测信号Vd被输入到判定部31中时)，判定部31禁止晶体管13导通。另一方面，当检测部21检测到逆导晶体管14的通电方向为正时(换而言之，晶体管13通电)(例如，当高电平检测信号Vd被输入到判定部31中时)，判定部31允许晶体管13导通。
可选地，检测部21可以通过经由保护二极管12的阳极检测电压Vce来检测晶体管13是否通电。当晶体管13通电时，输入电压Vin等于“Von+VF12”。另一方面，当晶体管13没有通电时，输入电压Vin等于“-VF11+VF12”或“电压VB”。
如上所述，输入到检测部21的监视电路26中的输入电压Vin的电压值根据晶体管13是否通电而改变。因而，检测部21能够通过检测输入到监视电路26中的输入电压Vin的电压值的差异来检测晶体管13是否通电。
例如，当比较器22检测到输入电压Vin低于第一阈值电压Vth1或者高于第二阈值电压Vth2时，比较器22输出指示晶体管13没有通电的低电平检测信号Vd。第二阈值电压Vth2高于第一阈值电压Vth1。第一阈值电压Vth1被设定为高于“-VF11+VF12”并且低于“Von+VF12”的电压值。第二阈值电压Vth2被设定为高于“Von+VF12”并且低于“VB”的电压值。另一方面，当比较器22检测到输入电压Vin高于第一阈值电压Vth1并且低于第二阈值电压Vth2时，比较器22输出指示晶体管13通电的高电平检测信号Vd。应该注意，在该情况下，当晶体管13没有通电时，检测信号Vd不用于由判定部31判定是否允许晶体管13导通，这是因为即使命令晶体管13导通的命令信号Vg被输入，晶体管13也不能导通。
如上所述，因为在其上设置有续流二极管11的公共半导体基板10上设置有保护二极管12，所以输入电压Vin的电压值的变化减小。另外，因为如上所述续流二极管11和保护二极管12为相同类型的二极管，所以输入电压Vin的电压值的变化减小。另外，因为保护二极管12位于半导体基板10的中央部34，所以输入电压Vin的电压值的变化减小。因而，根据该实施例，能够提高检测逆导晶体管14的通电方向的检测精度或检测晶体管13是否通电的检测精度。

Claims (8)

1.一种驱动装置，其特征在于包括：
逆导晶体管，其包括晶体管和与所述晶体管反并联连接的第一二极管，所述晶体管和所述第一二极管设置在第一半导体基板上；
第二二极管，其包括连接至所述晶体管的集电极的阴极，所述第二二极管设置在所述第一半导体基板上；以及
检测部，其被配置为经由所述第二二极管的阳极来检测所述晶体管的所述集电极和发射极之间的电压。
2.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于
所述检测部通过经由所述第二二极管的所述阳极检测所述电压来检测所述第一二极管是否通电。
3.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于
所述检测部通过经由所述第二二极管的所述阳极检测所述电压来检测所述逆导晶体管的通电方向。
4.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于
所述检测部通过经由所述第二二极管的所述阳极检测所述电压来检测所述晶体管是否通电。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的驱动装置，其特征在于
所述检测部设置在与所述第一半导体基板不同的第二半导体基板上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的驱动装置，其特征在于
所述第一二极管和所述第二二极管为相同类型的二极管。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的驱动装置，其特征在于
所述第二二极管位于所述第一半导体基板的中央部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的驱动装置，其特征在于
所述逆导晶体管为逆导绝缘栅双极型晶体管。
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