JP2014187837A - 電力変換器の保護システム - Google Patents
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Abstract
【課題】電力変換器のスイッチング素子に過大な電流が流れる状況が発生した場合に、該スイッチング素子に流れる電流の増加を早期に抑制する。
【解決手段】スイッチング素子4の検知された電流値が第1閾値を超える大きさになった場合に、スイッチング素子4に付与する電圧信号をスイッチング素子4をオフ状態にする電圧信号に強制的に変化させる第1の保護回路部14と、スイッチング素子4の検知された電流微分値が第2閾値を超える大きさになった場合に、スイッチング素子4に付与する電圧信号を正常時のオン制御用電圧信号よりも小さく、且つ、スイッチング素子4の通電が可能となる大きさの電圧信号に強制的に変化させる第2の保護回路部15とを備える。
【選択図】図2
【解決手段】スイッチング素子4の検知された電流値が第1閾値を超える大きさになった場合に、スイッチング素子4に付与する電圧信号をスイッチング素子4をオフ状態にする電圧信号に強制的に変化させる第1の保護回路部14と、スイッチング素子4の検知された電流微分値が第2閾値を超える大きさになった場合に、スイッチング素子4に付与する電圧信号を正常時のオン制御用電圧信号よりも小さく、且つ、スイッチング素子4の通電が可能となる大きさの電圧信号に強制的に変化させる第2の保護回路部15とを備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、インバータ回路等の電力変換器の保護システムに関する。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(所謂、IGBT)等の複数のスイッチング素子を相互に接続して構成されるインバータ回路等の電力変換器では、負荷の短絡時(出力端子間の短絡時)等にスイッチング素子に過大な電流が流れて、該スイッチング素子等の損傷を生じる虞がある。
このため、この種の電力変換器では、各スイッチング素子に過大な電流が流れるのを防止するための保護システムが付設されているものが従来より知られている。
例えば特許文献1には、IGBTのコレクタ電流の大きさを示すコレクタ・エミッタ間電圧が所定値以上の過大なものとなったときに、IGBTのゲート電圧を低電圧に制限することで、IGBTのコレクタ電流の増加を抑制するようにしたものが提案されている。
電力変換器の負荷の短絡等が発生した場合であっても、IGBT等のスイッチング素子に流れる電流は、該スイッチング素子がオン状態に制御された時に、瞬時に(ステップ状に)過大な電流に立ち上がるものではなく、通常、若干の時間をかけて増加していく。従って、該電流がゼロから十分に大きな電流まで上昇するには、ある程度の時間を要する。
また、スイッチング素子に流れる電流が、過大な電流であるか否かを判定するための所定の閾値以上の大きさに達したときに、スイッチング素子に流れる電流の増加を抑制するように、該スイッチング素子のオンオフ制御用の電圧信号(例えばIGBTのゲート電圧)の大きさを低下させるようにしても、該スイッチング素子に流れる電流は、その後も、ある程度上昇する。
さらに、スイッチング素子に流れる電流が過大なものとなったときに、スイッチング素子に流れる電流の増加を抑制するための該スイッチング素子のオンオフ制御用電圧信号の制御をできるだけ早期に行うようにするために、該電流の検出値と比較する上記閾値を小さめに設定しておくと、スイッチング素子に流れる電流が正常なものであっても、上記オンオフ制御用信号の制御が行われてしまいやすくなる。
このため、前記特許文献1のものでは、負荷の短絡等によりスイッチング素子に過大な電流が流れる状況が発生した場合に、スイッチング素子の電流が到達するピーク値を十分に低く抑えることが困難である。ひいては、スイッチング素子の熱損失が大きなものとなりやすいと共に、スイッチング素子の高い耐熱性が必要となって、該スイッチング素子の小型化もしくは低コスト化が困難となる。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、電力変換器のスイッチング素子に過大な電流が流れる状況が発生した場合に、該スイッチング素子に流れる電流の増加を早期に抑制して、該電流が到達するピーク値の大きさを小さめに抑制することができる保護システムを提供することを目的とする。
本発明の電力変換器の保護システムは、かかる目的を達成するために、複数のスイッチング素子を有する電力変換器の保護システムであって、
前記各スイッチング素子をオン状態にするために該スイッチング素子に付与する所定の大きさのオン制御用電圧信号と該スイッチング素子をオフ状態にするために該スイッチング素子に付与する所定の大きさのオフ制御用電圧信号とを選択的に出力することにより該スイッチング素子のオンオフを制御するオンオフ制御部と、
前記各スイッチング素子にそのオン状態で流れる電流値を検知する電流値検知部と、
前記各スイッチング素子にそのオン状態で流れる電流値の時間的変化率である電流微分値を検知する電流微分値検知部と、
前記複数のスイッチング素子のいずれかのスイッチング素子について、該スイッチング素子に対応する前記電流値検知部により検知された電流値が所定の第1閾値を超える大きさになった場合に、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、該スイッチング素子をオフ状態にする大きさの電圧信号に強制的に変化させる第1の保護回路部と、
前記複数のスイッチング素子のいずれかのスイッチング素子について、該スイッチング素子に対応する前記電流微分値検知部により検知された電流微分値が、電流値の増加を示す極性で所定の第2閾値を超える大きさになった場合に、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、前記オン制御用電圧信号よりも小さい大きさで、且つ、該スイッチング素子の通電が可能となる大きさの電圧信号に強制的に変化させる第2の保護回路部とを備えることを特徴とする(第1発明)。
前記各スイッチング素子をオン状態にするために該スイッチング素子に付与する所定の大きさのオン制御用電圧信号と該スイッチング素子をオフ状態にするために該スイッチング素子に付与する所定の大きさのオフ制御用電圧信号とを選択的に出力することにより該スイッチング素子のオンオフを制御するオンオフ制御部と、
前記各スイッチング素子にそのオン状態で流れる電流値を検知する電流値検知部と、
前記各スイッチング素子にそのオン状態で流れる電流値の時間的変化率である電流微分値を検知する電流微分値検知部と、
前記複数のスイッチング素子のいずれかのスイッチング素子について、該スイッチング素子に対応する前記電流値検知部により検知された電流値が所定の第1閾値を超える大きさになった場合に、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、該スイッチング素子をオフ状態にする大きさの電圧信号に強制的に変化させる第1の保護回路部と、
前記複数のスイッチング素子のいずれかのスイッチング素子について、該スイッチング素子に対応する前記電流微分値検知部により検知された電流微分値が、電流値の増加を示す極性で所定の第2閾値を超える大きさになった場合に、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、前記オン制御用電圧信号よりも小さい大きさで、且つ、該スイッチング素子の通電が可能となる大きさの電圧信号に強制的に変化させる第2の保護回路部とを備えることを特徴とする(第1発明)。
かかる第1発明によれば、前記電流値検知部を介して各スイッチング素子を流れる電流値を監視する前記第1の保護回路部に加えて、前記電流微分値検知部を介して各スイッチング素子の電流微分値(電流の時間的変化率)を監視する第2の保護回路部を備えている。
ここで、本願発明者の各種実験、検討によれば、電力変換器の負荷の短絡、あるいは上アーム及び下アームのいずれかのスイッチング素子のオン故障(オン状態に維持される故障)等により、スイッチング素子に過大な電流が流れることとなる状況では、通常、該スイッチング素子に流れる電流は、該スイッチング素子がオン状態に制御された直後に、該電流の大きさ(電流値)自体が比較的小さい状態(電流の立ち上がり初期の状態)でも、比較的大きな増加率で増加する。
このため、該スイッチング素子に対応する電流値検知部により検知される電流値が前記第1閾値に達する前に、該スイッチング素子に対応する電流微分値検知部により検知される電流微分値(電流の増加を示す極性の電流微分値)が、前記第2閾値を超える大きさに増加する。
そして、第2の保護回路部は、検知された電流微分値(電流の増加を示す極性の電流微分値)が第2閾値を超える大きさに増加すると(以降、この時刻を時刻taということがある)、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、前記オン制御用電圧信号よりも小さい大きさで、且つ、該スイッチング素子の通電が可能となる大きさの電圧信号に強制的に変化させる。これにより、該スイッチング素子に流れる電流の急激な増加が時刻ta以前よりも抑制される。
なお、この状況では、該スイッチング素子には電流が流れるので、電力変換器の出力電力を負荷側に供給することができる。
また、電力変換器の負荷の短絡、あるいは、上アーム及び下アームのいずれかのスイッチング素子のオン故障(オン状態に維持される故障)等により、スイッチング素子に過大な電流が流れることとなる状況では、該スイッチング素子に流れる電流は、上記時刻taの後に、該スイッチング素子のオン状態でさらに増加する。ひいては、該スイッチング素子に対応する電流値検知部により検知される電流値が前記第1閾値を超える大きさに増加する。
そして、前記第1の保護回路部は、検知された電流値が第1閾値を超える大きさに増加すると(以降、この時刻を時刻tbということがある)、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、該スイッチング素子をオフ状態にする大きさの電圧信号に強制的に変化させる。これによりスイッチング素子がオフ状態に制御され、ひいては、該スイッチング素子の通電が遮断される。
この場合、該スイッチング素子を流れる電流が、上記時刻tbから瞬時的に遮断されるわけではなく、該電流は、通常、時刻tbから若干遅れてピーク値に達した後に、減少する。
ここで、第1発明によれば、前記したように、該スイッチング素子の電流値が第1閾値を超える前の時刻taで、該スイッチング素子の電流微分値が前記第2閾値を超えることに応じて、該スイッチング素子に流れる電流の急激な増加が抑制されるように該スイッチング素子に付与する電圧信号の大きさが制御されている。このため、該スイッチング素子を流れる電流値が前記時刻tbの後に最終的に到達するピーク値は、該スイッチング素子に付与する電圧信号の大きさを第2の保護回路部により制御しない場合に比べて小さいピーク値に抑制されることとなる。
従って、第1発明によれば、電力変換器のスイッチング素子に過大な電流が流れる状況が発生した場合に、該スイッチング素子に流れる電流の増加を早期に抑制して、該電流が到達するピーク値の大きさを小さめに抑制することができる。
また、該スイッチング素子に流れる電流のピーク値の大きさを小さめに抑制できることから、該スイッチング素子での熱損失が低減されると共に、該スイッチング素子に対する耐熱性の要求が軽減される。このため、該スイッチング素子のさらなる小型化もしくは低コスト化を図ることができる。
上記第1発明では、前記第2閾値は、前記電力変換器から負荷への通電状態が正常である場合に、各スイッチング素子に対応する前記電流微分値検知部により検知される電流微分値が、該第2閾値以下に収まるようにあらかじめ設定されていることが好ましい(第2発明)。
この第2発明によれば、前記電力変換器から負荷への通電状態が正常である場合には、各スイッチング素子の電流微分値が前記第2閾値を超えることがないようにすることができる。このため、当該正常時には、各スイッチング素子には、そのオン状態で通常の大きさのオン制御用電圧信号が付与されることとなるので、該スイッチング素子に、負荷の作動のために適切な電流が流れるようにすることができる。
本発明の一実施形態を以下に説明する。図1に示すように、本実施形態における電力変換器1は、直流電力を交流電力に変換するインバータ装置である。
図示例の電力変換器1は、3相の交流電力を出力するために、上アーム2及び下アーム3の組を3組(3相分)備える。
各相の上アーム2及び下アーム3のそれぞれは、スイッチング素子4と、該スイッチング素子4に並列接続されたダイオード5とを有する。スイッチング素子4は、半導体スイッチング素子、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)により構成される。以降、スイッチング素子4をIGBT4という。
そして、各相の上アーム2のIGBT4及びダイオード5の並列回路と、下アーム3のIGBT4及びダイオード5の並列回路とが、直流電圧印加端子6a,6b間に直列に接続されている。
また、各相の上アーム2と下アーム3との間の中点にそれぞれ導通する端子7u,7v,7wが同期電動機等の負荷(3相の交流電力の供給対象)に接続される。
図2に示すように、電力変換器1には、各IGBT4毎に、負荷の短絡時等に該IGBT4に過大な電流(コレクタ電流)が流れるのを防止するための保護システム10が備えられている。
保護システム10は、IGBT4のオンオフ制御のためのオンオフ制御用電圧信号を出力するオンオフ制御部11と、IGBT4に流れる電流値を検知する電流値検知部12と、IGBT4の流れる電流値の時間的変化率である電流微分値を検知する電流微分値検知部13と、電流値検知部12により検知される電流値に応じてIGBT4に過大な電流が流れるのを防止するための保護動作を行う第1の保護回路部14と、電流微分値検知部13により検知される電流微分値に応じてIGBT4に過大な電流が流れるのを防止するための保護動作を行う第2の保護回路部15とを備える。
オンオフ制御部11は、IGBT4をオン状態とすべきかオフ状態とすべきかを規定する指令信号が入力される。そして、オンオフ制御部11は、その入力信号に応じて、高低2値レベルのオンオフ制御電圧信号を出力し、該オンオフ制御電圧信号を抵抗素子16(以降、ゲート接続抵抗素子16という)を介してIGBT4のゲートに付与する。
この場合、オンオフ制御部11は、IGBT4をオン状態にするときには、所定の大きさの高レベルの電圧信号(例えばオンオフ制御部11の電源電圧VDDにほぼ一致する電圧値の電圧信号)をオン制御用電圧信号として出力する。また、オンオフ制御部11は、IGBT4をオフ状態にするときには、所定の大きさの低レベルの電圧信号(例えば約0[V]の電圧信号)をオフ制御用電圧信号として出力する。
なお、オンオフ制御部11は、第1の保護回路部14の後述する論理回路部24から出される信号に応じて、該オンオフ制御部11の出力がハイインピーダンスとなる状態(以降、ハイインピーダンス状態という)に動作し得るように構成されている。
電流値検知部12は、IGBT4にそのオン状態で流れる電流値をこれに比例する大きさ電圧値の信号に変換する電流検知用抵抗素子17を備える。ここで、本実施形態では、IGBT4は、コレクタ電流の一部(コレクタ電流の一定割合の電流)を流す電流検知用端子4sを有しており、この電流検知用端子4sと接地部18との間に電流検知用抵抗素子17が接続されている。
従って、電流検知用抵抗素子17には、IGBT4のオン状態で、電流検知用端子4sを流れる電流がそのまま流れるようになっている。ひいては、電流検知用抵抗素子17の発生電圧VsがIGBT4に流れる電流に比例するものとなる。そこで、電流値検知部12は、電流検知用抵抗素子17の発生電圧VsをIGBT4に流れる電流値を示す信号として出力する。
電流微分値検知部13は、コンデンサ19及び抵抗素子20により構成された微分回路である。この電流微分値検知部13(微分回路)は、電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vsが入力され、該発生電圧Vsの微分値に比例する電圧Voを抵抗素子20に発生するように、電流検知用抵抗素子17に接続されている。そして、該電流微分値検知部13は、抵抗素子20の発生電圧Voを、IGBT4を流れる電流の微分値を示す信号として出力する。なお、コンデンサ19の容量値をC、抵抗素子20の抵抗値をRとおくと、抵抗素子20の発生電圧Voは、Vo=C・R・(dVs/dt)により与えられる。また、本実施形態では、Voは、IGBT4を流れる電流の増加時(Vsの増加時)に正極性となる。
第1の保護回路部14は、電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vsをあらかじめ定められた所定の閾値Vs_THと比較する電流値比較部21と、抵抗素子22及びスイッチング素子23と、論理回路部24とを備える。スイッチング素子23は、例えば半導体スイッチング素子としてのMOSFETにより構成される。
抵抗素子22(以降、第1保護用抵抗素子22という)及びスイッチング素子23(以降、第1保護用スイッチング素子23という)は、IGBT4のゲートと、前記ゲート接続抵抗素子16との間の箇所と、接地部18との間に直列に接続されている。
電流値比較部21は、例えばコンパレータにより構成されており、本実施形態では、電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vsが、抵抗素子31及びコンデンサ32により構成されたローパス特性のフィルタ33により高周波成分が除去された後に入力されるようになっている。そして、電流値比較部21は、フィルタ33から入力される電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vsが所定の閾値Vs_TH以下の大きさから、該閾値Vs_THを超える大きさに増加すると、そのことを示す信号を出力する。
より具体的には、電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vsが所定の閾値Vs_TH以下の大きさである場合には、電流値比較部21は、例えば所定の低レベルの出力電圧を発生する。そして、VsがVs_THを超える大きさの電圧値に増加すると、電流値比較部21は、所定の高レベルの出力電圧を発生する。
この場合、電流値比較部21は、ラッチ機能を有しており、高レベルの出力電圧を発生した場合には、その後に、VsがVs_TH以下に低下しても、高レベルの電圧信号を継続的に出力する。
なお、電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vsは、IGBT4に流れる電流値に比例するので、VsがVs_THを超えるということは、IGBT4に流れる電流値が、Vs_THに比例定数を乗算してなる閾値(これは本発明における第1閾値に相当する)を超える過大な電流値であることを意味する。
論理回路部24は、電流値比較部21の出力電圧に応じて、第1保護用スイッチング素子23のオンオフを制御するゲート信号を発生する。この場合、電流値比較部21の出力電圧が低レベルの電圧値である場合(すなわち、Vs≦Vs_THである場合)には、論理回路部24は、第1保護用スイッチング素子23をオフ状態にする電圧値(低レベル)のゲート信号を出力する。
また、電流値比較部21の出力電圧が高レベルの電圧値である場合(すなわち、Vs>Vs_THとなった場合)には、論理回路部24は、第1保護用スイッチング素子23をオン状態にする電圧値(高レベル)のゲート信号を出力する。
ここで、本実施形態では、論理回路部24から上記の如く出力されるゲート信号は、第1保護用スイッチング素子23のゲートに付与されると共に、オンオフ制御部11にも出力されるようになっている。
そして、論理回路部24から第1保護用スイッチング素子23をオン状態にするゲート信号が出力された場合には、オンオフ制御部11の出力がハイインピーダンス状態となるようにオンオフ制御部11が構成されている。
このため、IGBT4がオン状態となっている状況で、論理回路部24から第1保護用スイッチング素子23をオン状態にするゲート信号が出力された場合には、IGBT4のゲート電荷が第1保護用抵抗素子22とオン状態の第1保護用スイッチング素子23とを通って放電することで、IGBT4のゲート電圧が低下して、該IGBT4がオフ状態になる(ターンオフする)ようになっている。
そして、この場合、第1保護用スイッチング素子23がオフ状態となっている状況でのIGBT4の通常のターンオフの場合よりも、IGBT4のゲート電荷の放電を緩やかに(相対的に長い時定数で)行わせる(換言すれば、IGBT4のゲート電圧を徐々に低下させる)ようにするために、第1保護用抵抗素子22の抵抗値は、ゲート接続抵抗素子16の抵抗値よりも大きい抵抗値に設定されている。
このため、IGBT4がオン状態となっている状況で、論理回路部24から第1保護用スイッチング素子23をオン状態にするゲート信号が出力された場合には、IGBT4が通常のターンオフよりも緩やかなソフトターンオフが行われるようになっている。
なお、電流値比較部21から直接的に第1保護用スイッチング素子23のゲート信号を出力するようにしてもよい。
第2の保護回路部15は、電流微分値検知部13(微分回路)の出力電圧Voをあらかじめ定められた所定の閾値Vo_THと比較する電流微分値比較部25と、抵抗素子26及びスイッチング素子27と、論理回路部28とを備える。スイッチング素子27(以降、第2保護用スイッチング素子27という)は、第1保護用スイッチング素子23と同様に、例えばMOSFETにより構成される。
抵抗素子26(以降、第2保護用抵抗素子26という)及び第2保護用スイッチング素子27は、IGBT4のゲートと、前記ゲート接続抵抗素子16との間の箇所と、接地部18との間に直列に接続されている。このため、オンオフ制御部11が、オン制御用電圧信号(高レベルの電圧信号)を出力している状態で、第2保護用スイッチング素子27をオン状態に制御したときには、オン制御用電圧信号の電圧値を、ゲート接続抵抗素子16と第2保護用抵抗素子26とにより分圧してなる電圧(=第2保護用抵抗素子26の発生電圧)がIGBT4のゲートに強制的に印加されるようになっている。
この場合、ゲート接続抵抗素子16の抵抗値に対する第2保護用抵抗素子26の抵抗値の比率は、IGBT4のゲートに印加される第2保護用抵抗素子26の発生電圧が、IGBT4が通電可能となる(オフ状態とならない)大きさの電圧値となり、且つ、前記オン制御用電圧信号よりも低い大きさの電圧値になるように設定されている。
電流微分値比較部25は、例えばコンパレータにより構成されており、電流値検知部12の出力電圧Vsの増加時(IGBT4を流れる電流の増加時)において、電流微分値検知部13の出力電圧Voが所定の閾値Vo_TH(>0)以下の大きさから、該閾値Vo_THを超える大きさに増加すると、そのことを示す信号を出力する。
より具体的には、電流微分値検知部13の出力電圧Voが所定の閾値Vo_TH以下の大きさである場合には、電流微分値比較部25は、例えば所定の低レベルの出力電圧を発生する。そして、VoがVo_THを超える大きさの電圧値に増加すると、電流微分値比較部25は、所定の高レベルの出力電圧を発生する。
なお、電流微分値検知部13の出力電圧Voは、IGBT4に流れる電流値の微分値(時間的変化率)に比例するので、VoがVo_THを超えるということは、IGBT4に流れる電流値の微分値が、電流値の増加を示す極性で、Vo_THに比例定数を乗算してなる閾値(これは本発明における第2閾値に相当する)を超えることを意味する。
また、電流微分値検知部13の出力電圧Voと比較する閾値Vo_THは、IGBT4に正常な大きさの(過大でない)電流が流れる状況では、該出力電圧Voが閾値Vo_TH以下に収まるように、あらかじめ実験等に基づいて設定されている。
論理回路部28は、電流微分値比較部25の出力電圧に応じて、第2保護用スイッチング素子27のオンオフを制御するゲート信号を発生する。この場合、電流微分値比較部25の出力電圧が低レベルの電圧値である場合(すなわち、Vo≦Vo_THである場合)には、論理回路部28は、第2保護用スイッチング素子27をオフ状態にする電圧値(低レベル)のゲート信号を出力する。また、電流微分値比較部25の出力電圧が高レベルの電圧値である場合(すなわち、Vo>Vo_THである場合)には、論理回路部28は、第2保護用スイッチング素子27をオン状態にする電圧値(高レベル)のゲート信号を出力する。
なお、本実施形態では、第1の保護回路部14の論理回路部24は、第1保護用スイッチング素子23のオンオフの制御状態を示す信号を第2の保護回路部15の論理回路部28に出力する。そして、第2の保護回路部15の論理回路部28は、第1の保護回路部14の論理回路部24が、第1保護用スイッチング素子23をオン状態に制御しているときには、電流微分値比較部25の出力電圧によらずに、第2保護用スイッチング素子27をオフ状態に保持するように、低レベルのゲート信号を出力する。
次に、本実施形態の保護システム10の作動を説明する。
オンオフ制御部11が、入力される指令信号に応じてオフ制御用電圧信号をIGBT4のゲートに出力している状態では、IGBT4のゲート電圧は、0[V]もしくはほぼ0[V]に維持される。このため、IGBT4がオフ状態に保たれる。
また、この状態では、IGBT4には電流が流れないので、電流検知用抵抗素子17の発生電圧Vs(電流値検知部12の出力電圧)と、電流微分値検知部13の出力電圧Voはいずれも、0[V]又はほぼ0[V]に保たれる。
次に、オンオフ制御部11が入力される指令信号に応じてオン制御用電圧信号をIGBT4のゲートに出力すると、IGBT4がオフ状態からオン状態になって、該IGBT4に電流(コレクタ電流)が流れる。
このとき、保護システム10は、図3のフローチャートで示すように作動する。具体的には、STEP1で示すように、電流値検知部12が、IGBT4の電流に応じて電流検知用抵抗素子17に発生する電圧Vsを出力する。
さらに、STEP2で示すように、電流微分値検知部13が、IGBT4の電流の微分値に応じて抵抗素子20に発生する電圧Voを出力する。
STEP3〜5で示す第2の保護回路部15の作動と、STEP6〜8で示す第1の保護回路部14の作動とが並行して行われる。
第2の保護回路部15においては、STEP3で示すように、電流微分値検知部13の出力電圧Voが電流微分値比較部25において所定の閾値Vo_THと比較される。
ここで、電力変換器1の負荷への通電が正常に行われており、IGBT4の電流の時間的変化率(単位時間当たりの増加量)はさほど過大なものとはならない状況では、STEP3の比較において、Vo≦Vo_THとなる。
この場合には、第2の保護回路部15の論理回路部28から第2保護用スイッチング素子27のゲートに付与される電圧は、低レベルの電圧値に維持される。
このため、STEP4で示すように、第2保護用スイッチング素子27は、オフ状態に維持される。ひいては、IGBT4のゲート電圧は、オン制御用電圧信号の電圧値から低下することなく、該オン制御用電圧信号の電圧値に維持される。
一方、電力変換器1の負荷の短絡、あるいは、いずれかのIGBT4のオン故障(該IGBT4がオン状態に維持される故障)等により、オン状態に制御された正常なIGBT4に過大な電流が流れる状況では、オンオフ制御部11からIGBT4のゲートへのオン制御用電圧信号の付与が開始された直後にIGBT4に流れる電流が急激に増加する。そして、この場合、IGBT4の電流の増加開始直後におけるSTEP3の比較において、Vo>Vo_THとなる。
例えば、IGBT4に流れる電流に対応する電流値検知部12の出力電圧Vs(電流検知用抵抗素子17の発生電圧)は、図4の第1段目(最上段)のグラフで示すように、IGBT4のゲートへのオン制御用電圧信号の付与の開始時刻t0から大きな増加率で急激に増加していく。そして、この場合、図4の第2段目のグラフで示すように、時刻t0の直後の時刻t1でVoが閾値Vo_THを超える。
そして、Vo>Vo_THになると、電流微分値比較部25の出力が、図4の第3段目のグラフで示す如く、低レベルの電圧値から高レベルの電圧値に変化するので、第2の保護回路部15の論理回路部28から第2保護用スイッチング素子27のゲートに付与される電圧も、高レベルの電圧値に変化する。
この結果、図3のSTEP5で示す如く、あるいは、図4の第4段目のグラフ(時刻t1前後のグラフ)で示す如く、第2保護用スイッチング素子27は、オフ状態からオン状態に切替わる。このため、IGBT4のゲートには、オンオフ制御部11が出力するオン制御用電圧信号の電圧を、ゲート接続抵抗素子16と第2保護用抵抗素子26とで分圧した電圧(≒第2保護用抵抗素子26の発生電圧)が付与されるようになる。
ひいては、IGBT4のゲートに付与される電圧が図4の第6段目のグラフで(時刻t1前後のグラフ)示すように、オン制御用電圧信号の電圧値から低下する。
このため、図4の第1段目の実線のグラフで例示されるように、IGBT4に流れる電流の単位時間当たりの増加率(換言すれば、Vsの単位時間当たりの増加率)が、Vo>Vo_THとなる前(図4の時刻t1以前)よりも低下することとなる。すなわち、IGBT4の電流の急激な増加が抑制される。
なお、仮に第2の保護回路部15が備えられていない場合には、図4の第1段目の二点鎖線のグラフで示すように、IGBT4の電流は、第2の保護回路部15を備える本実施形態の場合(実線のグラフ)よりも急激に増加していく。
第2の保護回路部15による上記の作動と並行して、第1の保護回路部14の作動が次のように行われる。
すなわち、第1の保護回路部14においては、図3のSTEP6で示すように、電流値検知部12の出力電圧Vs(より詳しくは、電流検知用抵抗素子17の発生電圧をフィルタ33を通した後の電圧)が電流値比較部21において所定の閾値Vs_THと比較される。
ここで、電力変換器1の負荷側の短絡等が発生していない正常時には、IGBT4の電流のピーク値は、上記閾値Vs_THに対応する電流値以下の電流値に収まる。このため、STEP6の比較において、Vs≦Vs_THとなる。
この場合には、第1の保護回路部14の論理回路部24から第1保護用スイッチング素子23のゲートに付与される電圧は、低レベルの電圧値に維持される。
このため、STEP8で示すように、第1保護用スイッチング素子23は、オフ状態に維持される。ひいては、IGBT4はオン状態に維持される。
なお、この場合、Vs≦Vs_THとなっている状況で、Vo>Vo_THとなって、第2保護用スイッチング素子27がオン状態になっている場合もあり得る。ただし、この場合、IGBT4のゲートに付与される電圧は、IGBT4の通電を行い得る電圧値であるので、IGBT4がオフ状態となることはなく、該IGBT4の通電が継続する。
一方、電力変換器1の負荷の短絡、あるいは、いずれかのIGBT4のオン故障(該IGBT4がオン状態に維持される故障)等により、オン状態に制御された正常なIGBT4に過大な電流が流れる状況では、IGBT4の電流は、第2保護用スイッチング素子27がオン状態に切替わった後もさらに増加する。そして、IGBT4の電流のピーク値は、上記閾値Vs_THに対応する電流値を超えるような過大なものとなる。このため、STEP6の比較において、やがてVs>Vs_THとなる。
例えば、IGBT4に流れる電流に対応する電流値検知部12の出力電圧Vsは、図4の第1段目(最上段)の実線のグラフで示すように、第2保護用スイッチング素子27がオン状態に切替わる時刻t1の後の時刻t2において、閾値Vs_THを超える。
そして、Vs>Vs_THになると、電流値比較部21の出力が低レベルの電圧値から高レベルの電圧値に変化するので、第1の保護回路部14の論理回路部24から第1保護用スイッチング素子23のゲートに付与される電圧も、高レベルの電圧値に変化する。
この結果、図3のSTEP7で示す如く、あるいは、図4の第5段目のグラフ(時刻t2前後のグラフ)で示す如く、第1保護用スイッチング素子23は、オフ状態からオン状態に切替わる。さらに、第1の保護回路部14の論理回路部24の出力電圧の上記の変化に応じて、オンオフ制御部11の出力がハイインピーダンス状態に切替わる。
同時に、第1の保護回路部14の論理回路部24から第2の保護回路部15の論理回路部28に与えられる信号に応じて、論理回路部28は電流微分値比較部25の出力によらずに、第2保護用スイッチング素子27のゲートの低レベルの信号を付与する。これにより、図4の第4段目のグラフ(時刻t2以後のグラフ)で示しように、第2保護用スイッチング素子27がオフ状態となる。
このため、前記したように、IGBT4のゲート電荷が、第1保護用抵抗素子22及び第1保護用スイッチング素子23を通して徐々に放電する。ひいては、IGBT4のゲートに付与される電圧が、IGBT4のゲート容量と第1保護用抵抗素子22の抵抗値とに応じた時定数で徐々に低下して、該IGBT4のソフトターンオフが行われる。
この結果、図4の第1段目の実線のグラフで示すように、IGBT4に流れる電流が、時刻t2よりも若干遅れた時刻から減少していく。
なお、仮に第2の保護回路部15が備えられていない場合には、図4の第1段目の二点鎖線のグラフで示すように、IGBT4の電流は、第2の保護回路部15を備える本実施形態の場合(実線のグラフ)よりも高いピーク値まで上昇した後に減少していく。
補足すると、IGBT4のゲート・エミッタ間電圧は、IGBT4のゲート・エミッタ間の容量の影響によって、例えば、図4の第7段目の実線のグラフで示すように変化する。この場合、ゲート・エミッタ間付与電圧は、Vs>Vs_THとなる時刻t2以後に減少していく。なお、仮に第2の保護回路部15が備えられていない場合には、IGBT4のゲート・エミッタ間電圧は、例えば、図4の第7段目(最下段)の二点鎖線のグラフで示すように、第2の保護回路部15を備える本実施形態の場合(実線のグラフ)よりも高いピーク値まで上昇した後に減少していく。
以上説明した実施形態によれば、各IGBT4毎に、該IGBT4に対応する電流微分値検知部13の出力電圧Voが所定の閾値Vo_TH(>0)を超える大きさになった時点で、第2の保護回路部15の作動により、IGBT4のゲートに付与する電圧信号をオン制御用電圧信号よりも小さい電圧値の信号に変化させる。このため、IGBT4を流れる電流値そのものが過大になっていない状況(Vs≦Vs_THとなっている状況)で、IGBT4を流れる電流が急激に増加するのを抑制するようにすることができる。
すなわち、IGBT4に流れる電流が過大なものなる可能性が高い状況で、早期に、IGBT4を流れる電流が急激に増加するのを抑制するようにすることができる。
そして、その後に、IGBT4に流れる電流が過大なものなって、Vs>Vs_THとなると、第1の保護回路部14の作動によって、IGBT4が強制的にオフ状態に制御される。
このため、電力変換器1の負荷の短絡、あるいは、いずれかのIGBT4のオン故障(該IGBT4がオン状態に維持される故障)等により、オン状態に制御された正常なIGBT4に過大な電流が流れることとなる状況で、IGBT4に流れる電流のピーク値を、第2の保護回路部15を備えない場合よりも小さくすることができる。
ひいては、IGBT4の熱損失を低減できると共に、IGBT4の耐熱性の要求を軽減して、IGBT4の小型化もしくは低コスト化を図ることができる。
なお、以上説明した実施形態では、電力変換器1が3相のインバータである場合を例にとって説明したが、該電力変換器は、2相のインバータでもよく、あるいは、AC−ACコンバータ、DC−DCコンバータ等であってもよい。
また、電力変換器のスイッチング素子は、MOSFET等、IGBT以外の半導体スイッチング素子であってもよい。
また、本実施形態では、スイッチング素子は、電流検知用端子4sを有するIGBT4であるが、電流検知用端子4sを有しないものであってもよい。その場合には、スイッチグ素子に流れる電流値を検知するための適宜の検出器を別途備えるようにすればよい。
1…電力変換器、4…IGBT(スイッチング素子)、10…保護システム、11…オンオフ制御部、12…電流値検知部、13…電流微分値検知部、14…第1の保護回路部、15…第2の保護回路部。
Claims (2)
- 複数のスイッチング素子を有する電力変換器の保護システムであって、
前記各スイッチング素子をオン状態にするために該スイッチング素子に付与する所定の大きさのオン制御用電圧信号と該スイッチング素子をオフ状態にするために該スイッチング素子に付与する所定の大きさのオフ制御用電圧信号とを選択的に出力することにより該スイッチング素子のオンオフを制御するオンオフ制御部と、
前記各スイッチング素子にそのオン状態で流れる電流値を検知する電流値検知部と、
前記各スイッチング素子にそのオン状態で流れる電流値の時間的変化率である電流微分値を検知する電流微分値検知部と、
前記複数のスイッチング素子のいずれかのスイッチング素子について、該スイッチング素子に対応する前記電流値検知部により検知された電流値が所定の第1閾値を超える大きさになった場合に、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、該スイッチング素子をオフ状態にする大きさの電圧信号に強制的に変化させる第1の保護回路部と、
前記複数のスイッチング素子のいずれかのスイッチング素子について、該スイッチング素子に対応する前記電流微分値検知部により検知された電流微分値が、電流値の増加を示す極性で所定の第2閾値を超える大きさになった場合に、該スイッチング素子に付与する電圧信号を、前記オン制御用電圧信号よりも小さい大きさで、且つ、該スイッチング素子の通電が可能となる大きさの電圧信号に強制的に変化させる第2の保護回路部とを備えることを特徴とする電力変換器の保護システム。 - 請求項1記載の電力変換器の保護システムにおいて、
前記第2閾値は、前記電力変換器から負荷への通電状態が正常である場合に、各スイッチング素子に対応する前記電流微分値検知部により検知される電流微分値が、該第2閾値以下に収まるようにあらかじめ設定されていることを特徴とする電力変換器の保護システム。
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JP2013062113A JP2014187837A (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 電力変換器の保護システム |
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JP2018050453A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | アルストム・トランスポール・テクノロジーズ | Igbt型トランジスタを備える電気回路網における短絡の検出方法および関連する制御装置 |
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2013
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