ES2629782T3 - Procedimiento para transferir una nanocapa - Google Patents
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Abstract
Procedimiento para transferir una nanocapa (1) desde un primer sustrato (5, 105) a un segundo sustrato (30, 130), comprendiendo la nanocapa (1) un monoestrato autoagregante con unidades de fenilo reticuladas y/o una capa de grafito monoatómica (grafeno) y presentando el procedimiento las siguientes etapas: a. aplicación de un medio de transferencia (20, 120) sobre la nanocapa (1), transformándose el medio de transferencia (20, 120), en esta etapa o después, de una fase líquida o gaseosa a una fase sólida; b. desprendimiento del medio de transferencia (20, 120) y de la nanocapa (1) desde el primer sustrato (5, 105); c. aplicación del medio de transferencia (20, 120) y de la nanocapa (1) sobre el segundo sustrato (30, 130); y d. eliminación del medio de transferencia (20, 120).
Description
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DESCRIPCION
Procedimiento para transferir una nanocapa
1. Campo tecnico
La invencion se refiere a un procedimiento para transferir una nanocapa desde un primer sustrato a un segundo sustrato as! como a un sustrato de MET (microscopla electronica de transmision) cubierto con una nanocapa con este procedimiento.
2. Estado de la tecnica
La produccion y el uso de objetos con dimensiones en el intervalo nanometrico son la finalidad de la nanotecnologla. Se conocen, por ejemplo, nanoesferas, nanoalambres o incluso los denominados «nanotubos», que se elaboran a partir de carbono. Los ultimos son un ejemplo de que los objetos de la nanotecnologla pueden presentar dimensiones absolutamente macroscopicas en una dimension, mientras que estan limitados a extensiones en el intervalo nanometrico en una o varias de otras direcciones espaciales.
Otro ejemplo tecnicamente importante son las nanocapas. En lo sucesivo, entre ellas se entiende una capa de cualquier material que presenta dimensiones macroscopicas en dos direcciones espaciales, es decir, en el intervalo micrometrico o superior, mientras que el grosor de la capa esta limitado como maximo a 10 nm. A este respecto, la nanocapa no tiene estar conformada homogeneamente, sino que puede estar estructurada, por ejemplo, con orificios, llneas o similares.
Se conocen en si desde hace tiempo posibilidades para preparar tales nanocapas, por ejemplo, con ayuda de la conocida tecnica de Langmuir-Blodgett. Otra formula son monocapas autoagregantes a partir de moleculas organicas muy ordenadas que estan quimiosorbidas sobre una superficie de sustrato. La preparacion de tales capas se describe, por ejemplo, en el documento DE 199 45 935 A1. Aparte de eso, tambien se pueden preparar nanocapas de capas de grafito monoatomicas que se generan, por ejemplo, por pirolisis, cf., por ejemplo, Berger C. et al., Science 312, 1191 (2006), Rolling E, Gweon GH, Zhou SY, et al., Journal of Physics and Chemistry of Solids 67, 2172 (2006) as! como Hass et al. en Appl. Phys. Lett. 89, 143106 (2006)
Sin embargo, todas estas capas solo adquieren importancia tecnica cuando se logra que sean manipulables de manera sencilla, es decir, transferir la capa fundamentalmente sin destruirla desde una base (sustrato) a otra base. En la publicacion «Freestanding Nanosheets from Crosslinked Biphenyl Self-Assembled Monolayers» en Adv. Mater. 2005, vol. 17, pag. 2583-2587 se describe un procedimiento en el que la nanocapa puede liberarse por separacion del enlace al sustrato o por disolucion del sustrato. No obstante, con ello no se posibilita aun ninguna transferencia controlada sobre otro sustrato. Ademas, por la publicacion de Meitl. et al. en Nature Materials, vol. 5, 2006, pag. 32 se conoce un procedimiento con el que, entre otras cosas, pueden transferirse capas finas desde un sustrato a otro con ayuda de un sello de polidimetilsiloxano. Puesto que la adhesion entre el sello y el sustrato se determina fundamentalmente por la velocidad a la que se mueve el sello relativamente al sustrato, este procedimiento solo se puede ajustar tecnicamente hasta cierto punto.
La solicitud PCT WO 2005 / 033 189 A1 revela un procedimiento para aplicar una pellcula fina estructurada sobre un sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas: tratar un sustrato con un plasma; aplicar una sustancia de recubrimiento llquida que comprende uno o varios compuestos que se seleccionan del grupos de los pollmeros de organopolisiloxano, oligomeros de organopolisiloxano, resinas de siloxano y polisilanos, sobre la superficie del sustrato por una tecnica de impresion litografica blanda, preferentemente una impresion de microcontacto, para formar una pellcula estructurada sobre la superficie del sustrato. En caso necesario, puede eliminarse la sustancia de recubrimiento residual de la superficie del sustrato. El proceso no exige que la sustancia de recubrimiento llquida pase por una etapa de curado, como se exige, por ejemplo, en la tecnica de microlitografla de transferencia de calcomanla (decal transfer microlithography). Pueden usarse formas adecuadas del tratamiento de plasma antes de la impresion para activar el sustrato.
Por eso, la presente invencion se basa en el problema de indicar un procedimiento con el que pueda transferirse de manera sencilla una nanocapa desde un primer sustrato a un segundo sustrato.
3. Resumen de la invencion
Este problema se resuelve de acuerdo con un aspecto de la presente invencion mediante un procedimiento con las caracterlsticas segun la reivindicacion 1. El procedimiento presenta las siguientes etapas:
a. aplicacion de un medio de transferencia sobre la nanocapa, transformandose el medio de transferencia, en esta etapa o despues, de una fase llquida o gaseosa a una fase solida;
b. desprendimiento del medio de transferencia y de la nanocapa del primer sustrato; y
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c. aplicacion del medio de transferencia y de la nanocapa sobre el segundo sustrato; y
d. eliminacion del medio de transferencia.
Por lo tanto, al contrario que en el estado de la tecnica anteriormente explicado, se usa la transicion de fases de un medio de transferencia para el manejo de la nanocapa. Tras la transicion a la fase solida, el medio de transferencia es preferentemente estable con respecto a las otras etapas de proceso, pero puede disolverse en si en otra etapa de proceso o eliminarse de la nanocapa de otra manera. Para esto, el medio de transferencia puede comprender, por ejemplo, una sustancia fotorresistente.
La etapa b. en el procedimiento indicado puede comprender la disolucion de una capa sacrificial dispuesta entre el primer sustrato y la nanocapa. En el caso de la capa sacrificial, puede tratarse de cualquier capa que pueda retirarse por procedimientos qulmicos o flsicos adecuados y que posibilite con ello el desprendimiento de la nanocapa del primer sustrato. Sin embargo, en principio tambien son concebibles otras maneras de proceder para retirar el enlace entre el primer sustrato y la nanocapa.
En un ejemplo de realization, el medio de transferencia desprendido en la etapa b. y la nanocapa, antes de la aplicacion sobre el segundo sustrato, se sumergen en un llquido, especialmente agua, flotando el medio de transferencia y la nanocapa preferentemente sobre la superficie del llquido. El segundo sustrato se sumerge preferentemente en el llquido en la etapa c., de manera que el medio de transferencia y la nanocapa pueden depositarse encima. No obstante, el medio de transferencia y la nanocapa tambien pueden aplicarse primero sobre un sustrato intermedio en un primer llquido y a continuation volver a desprenderse del sustrato intermedio en un segundo llquido.
El procedimiento descrito adquiere importancia especial en la preparation de sustratos para la microscopla electronica de transmision (MET). Para esto, resulta ventajoso si el segundo sustrato es especialmente una rejilla de MET sobre la que esta dispuesta la nanocapa con el procedimiento explicado. Una tal rejilla de MET presenta entonces un gran numero de nanomembranas que aseguran un alto grado de contraste durante la microscopla electronica de transmision de objetos dispuestos encima.
4. Breve descripcion de los dibujos
En la siguiente descripcion detallada se explican con mas detalle ejemplos de realizacion de la presente invention con referencia a las Figuras adjuntas. Estas Figuras muestran:
Fig. 1: una representation esquematica de un ejemplo de realizacion del procedimiento de acuerdo con la invencion;
Fig. 2: una toma de MET de un ejemplo de realizacion de una rejilla de MET de acuerdo con la presente invencion; y
Fig. 3: una representacion esquematica de un dispositivo para la realizacion en su mayor parte automatizada de un ejemplo de realizacion de la invencion.
5. Descripcion detallada de ejemplos de realizacion preferentes
Primero, se explica en general mediante la Figura 1 una realizacion de la presente invencion, antes de explicar con mas detalle realizaciones concretas con los Ejemplos 1 a 4. Con el procedimiento descrito puede desprenderse cualquier nanocapa de cualquier sustrato portador y transferirse a cualquier otra superficie.
Como puede reconocerse en la Fig. 1, el punto de partida del procedimiento explicado es una nanocapa 1 que esta dispuesta sobre un sustrato 5. Entre el sustrato 5 y la nanocapa 1 se encuentra una capa intermedia que se disuelve en el transcurso del procedimiento y, por eso, se denomina capa sacrificial 10. Hay que considerar que la representacion en la Fig. 1 es esquematica y que el grosor de la nanocapa esta muy exagerado con respecto al grosor de las otras capas. Como ya se ha mencionado previamente, la nanocapa 1 puede disponerse sobre el sustrato 5 y la capa sacrificial 10 con una pluralidad de tecnicas. Aparte de eso, es concebible que la nanocapa se haya estructurado de manera deseada por mecanizado fotolitografico u otros metodos. Aparte de eso, es posible funcionalizar qulmicamente la nanocapa antes de iniciar la transferencia, por ejemplo, para aplicaciones biologicas posteriores.
En el caso del sustrato 5, puede tratarse de una superficie que es especialmente muy adecuada para la preparacion de la nanocapa, por ejemplo, una superficie de Au, Ag, Si, Si3N4, SiO2, Fe o incluso otros materiales de sustrato adecuados. No obstante, el estado inicial de la Fig. 1 tambien podrla haberse conseguido por otras etapas de proceso anteriores.
En la primera etapa del procedimiento representado en la Fig. 1, el medio de transferencia 20 se aplica sobre el
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sustrato portador 5 con la capa sacrificial 10 y la nanocapa 1. En el ejemplo de realizacion de la Fig. 1, el medio de transferencia 20 es primero liquido o gaseoso. Durante la disposicion sobre la nanocapa 1 o inmediatamente despues de esta etapa, se transforma a la fase solida.
En la siguiente etapa, se disuelve la capa sacrificial 10, por ejemplo, por un disolvente adecuado u otra manera de proceder quimica o fisica. Con ello, la nanocapa 1 se separa del sustrato portador 5. La estabilidad mecanica de la nanocapa 1 se garantiza en este estado por el medio de transferencia 20. No obstante, es absolutamente posible aplicar no solo un unico medio de transferencia 20 que garantice la estabilidad mecanica, sino varios o incluso un sistema de capa apropiado, por ejemplo, por ejemplo un agente adhesivo y despues una capa de material especialmente estable (no representa en la Fig. 1).
Tambien es posible prescindir de una capa sacrificial y provocar una separacion de la nanocapa del sustrato portador por otro metodo. Asi, por ejemplo, los enlaces quimicos entre la nanocapa y el sustrato portador pueden romperse por un reactivo adecuado (por ejemplo, gaseoso).
En la siguiente etapa, el medio de transferencia 20 con la nanocapa 1 se transfiere al sustrato diana 30 (o un sustrato intermedio, no representado en la Fig. 1). Esta etapa de proceso se facilita o en general solo se posibilita por la estabilidad mecanica aumentada y el tamano del medio de transferencia 20 con respecto a la transferencia de una nanocapa 1 pura. En la ultima etapa del ejemplo de realizacion de la Fig. 1, se elimina finalmente el medio de transferencia 20, por ejemplo, al disolverse.
En lo sucesivo se indican ejemplos concretos de nanocapas que se transfieren de un sustrato a otro con el procedimiento explicado.
Ejemplo 1:
Transferencia de un monoestrato reticulado de 4'-[(3-trimetoxisilil)propoxi]-[1,1'-bifenil]-4-carbonitrilo (en lo sucesivo, monoestrato (I)) sobre una rejilla de MET. Un tal monoestrato tiene ventajas significativas para la microscopia electronica. El grosor de la capa esta indicado por la longitud de los monomeros a partir de los que se forma el monoestrato. Por eso, en su mayor parte es homogeneo y asciende a aproximadamente 1,5 nm. Por el contrario, los sustratos de MET convencionales son considerablemente mas gruesos, lo cual da como resultado un contraste de muestra menor en la imagen de MET. Sobre el monoestrato (I) puede llevarse a cabo nanolitografia quimica, cf. Biebricher A. et al., Journal of Biotechnology 112, 97 (2004). Con ello, pueden unirse, por ejemplo, moleculas organicas en posiciones bien definidas sobre el monoestrato (I).
Para producir la rejilla de MET recubierta, el monoestrato (I) se prepara primero sobre un sustrato de silicio recubierto con nitruro de silicio. El silicio se usa en este ejemplo como sustrato portador; la capa de nitruro de silicio sirve como capa sacrificial y el monoestrato (I) es la nanocapa que va a transferirse. Como medio de transferencia se emplea una sustancia fotorresistente (por ejemplo, AR-P 3510 de la empresa All-resist GmbH,
www.allresist.de). La sustancia protectora se recubre por centrifugacion sobre el sustrato portador y se cura sobre una placa calentadora. Un tratamiento posterior con acido fluorhidrico (48 %) disuelve la capa sacrificial, es decir, el nitruro de silicio. Con ello, la sustancia fotorresistente con el monoestrato (I) solo se encuentra aun suelta sobre el silicio. Por la retirada y reinmersion cuidadosas (preferentemente en agua), la sustancia fotorresistente se desprende del silicio y flota sobre la superficie del Kquido. A continuacion, se usa una rejilla de MET como sustrato diana y se sumerge en el agua con pinzas. La sustancia fotorresistente flotante se «pesca» con el sustrato diana. Como ultima etapa, el barniz fotosensible se disuelve en acetona (4.a etapa).
www.allresist.de). La sustancia protectora se recubre por centrifugacion sobre el sustrato portador y se cura sobre una placa calentadora. Un tratamiento posterior con acido fluorhidrico (48 %) disuelve la capa sacrificial, es decir, el nitruro de silicio. Con ello, la sustancia fotorresistente con el monoestrato (I) solo se encuentra aun suelta sobre el silicio. Por la retirada y reinmersion cuidadosas (preferentemente en agua), la sustancia fotorresistente se desprende del silicio y flota sobre la superficie del Kquido. A continuacion, se usa una rejilla de MET como sustrato diana y se sumerge en el agua con pinzas. La sustancia fotorresistente flotante se «pesca» con el sustrato diana. Como ultima etapa, el barniz fotosensible se disuelve en acetona (4.a etapa).
En la Fig. 2 esta mostrada una rejilla de MET (rejilla de Au de 1500 de malla) con monoestrato (I) tensado encima. La superficie transferible solo esta limitada por el tamano de la rejilla. Se reconoce que el monoestrato solo presenta defectos 200 en algunos lugares (que aparecen mas oscuros en la imagen).
Por la transferencia descrita del monoestrato (I) a rejillas de MET estandar (por ejemplo, una rejilla Quantifoil de la empresa Quantifoil Micro Tools GmbH,
www.quantifoil.com) pueden generarse de una vez mas de 10 000 membranas sobre una rejilla de MET, que son suficientemente estables. El tamano de las superficies de membrana individuales se puede variar de manera sencilla usando distintas rejillas de MET. Puesto que las rejillas de MET son relativamente economicas, con el procedimiento explicado se pueden producir de manera asequible sustratos de MET para un alto contraste de muestra.
www.quantifoil.com) pueden generarse de una vez mas de 10 000 membranas sobre una rejilla de MET, que son suficientemente estables. El tamano de las superficies de membrana individuales se puede variar de manera sencilla usando distintas rejillas de MET. Puesto que las rejillas de MET son relativamente economicas, con el procedimiento explicado se pueden producir de manera asequible sustratos de MET para un alto contraste de muestra.
En el uso de MET, tales rejillas de MET provistas de una nanocapa resultan ventajosas con respecto a rejillas de MET recubiertas con carbono tanto en cuanto a su estabilidad mecanica como a la capacidad de resistir a haces de electrones con energias de hasta 200 keV. Otra ventaja es el bajo contraste de fondo durante la microscopia electronica de transmision con alta resolucion.
El procedimiento propuesto en el ejemplo 1 se puede adaptar con medios relativamente sencillos a una produccion automatizada. Para esto, puede usarse, por ejemplo, el sistema representado esquematicamente en la Fig. 3. A este respecto, se trata de un recipiente 100 resistente al acido fluorhidrico con varias camaras y afluencias y desagues
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para agua y acido fluorhldrico. La verdadera camara de grabado 101 esta dimensionada de manera que su superficie solo es ligeramente mayor que la del sustrato portador 105. Con eso, el lugar del barniz fotosensible flotante esta suficientemente definido.
Todo el proceso de transferencia se puede llevar a cabo como sigue con esta estructura:
en la primera etapa se aplica la sustancia fotorresistente 120 como ya se ha explicado sobre el sustrato portador 105. En la segunda etapa, esta muestra, como se muestra en la Fig. 3, se introduce en el recipiente. Se incorpora el acido fluorhldrico y con ello la capa sacrificial (no representada en la Fig. 3) se disuelve. Se evacua el acido fluorhldrico e inmediatamente despues el recipiente se llena de agua. A este respecto, la sustancia fotorresistente se desprende del silicio y flota sobre la superficie del agua. Ahora puede eliminarse la muestra de silicio e introducirse el sustrato diana 130. Despues de que el sustrato diana haya ocupado el mismo lugar que el sustrato portador (no representado en la Fig. 3), el agua puede volver a evacuarse. Para finalizar, debe disolverse el barniz fotosensible, por ejemplo, con acetona.
Ejemplo 2:
Transferencia de un monoestrato (I) estructurado sobre un sustrato de oro:
Pueden prepararse nanocapas de monoestratos autoagregantes (SAM, por sus siglas en ingles) de una pluralidad de sustratos. Para esto, debe conocerse una combinacion apropiada de sustrato de SAM. El monoestrato puede usarse, por ejemplo, como sustancia protectora para el grabado qulmico humedo o para la deposition de metales. Ademas, se pueden acoplar (bio)moleculas por «litografla qulmica».
Sin embargo, para un sustrato dado no siempre esta presenta una molecula adecuada para generar monoestratos. Especialmente, se necesita mucho esfuerzo para obtener y caracterizar una nueva combinacion de sustrato de SAM. Por regla general, para procesos litograficos es necesario ademas que el sustrato sea plano.
Sin embargo, con la transferencia de monoestratos de acuerdo con la invention es posible usar combinaciones de sustrato de SAM conocidas. La estructuracion litografica precedente puede realizarse sobre un sustrato plano. La transferencia puede realizarse tanto sobre superficies curvadas como sobre sustratos sobre los que en si no puede formarse ningun SAM.
El ejemplo 2 se realiza como sigue: el monoestrato (I) se prepara sobre un sustrato de silicio recubierto con nitruro de silicio y se estructura con metodos fotolitograficos (deposicion, exposition a la luz y revelation de la sustancia fotorresistente, tratamiento con plasma de oxlgeno, disolucion de la sustancia fotorresistente). Como alternativa, la estructuracion tambien puede realizarse por litografla de electrones. Las etapas de proceso adicionales estan descritas en el Ejemplo 1. Sin embargo, en lugar de una rejilla de MET se usa una superficie de oro como sustrato diana y se sumerge en el agua con pinzas. La sustancia fotorresistente flotante se «pesca» con el sustrato diana. Para finalizar, el barniz fotosensible se disuelve en acetona.
Con la manera de procedimiento de acuerdo con el segundo ejemplo puede prepararse un monoestrato (I) (estructurado) sobre sustratos de oro, lo cual no es posible sin el proceso de transferencia explicado.
Ejemplo 3:
Transferencia de un monoestrato de 1,1 '-bifenil-4-tiol (en lo sucesivo, monoestrato (II)) a un sustrato de oxido de silicio
En este ejemplo, el monoestrato (II) se prepara primero sobre un sustrato de mica recubierta con oro. La mica sirve en este caso como sustrato portador, el oro sirve como capa sacrificial y el monoestrato (II) es la monocapa que va a transferirse. Como medio de transferencia se emplea una sustancia fotorresistente (por ejemplo, AR-P 3510 de la empresa All-resist GmbH,
www.allresist.de). La sustancia protectora se recubre por centrifugation sobre el sustrato portador y se cura sobre una placa calentadora.
www.allresist.de). La sustancia protectora se recubre por centrifugation sobre el sustrato portador y se cura sobre una placa calentadora.
En la siguiente etapa, el sustrato de mica se retira por capas con cinta adhesiva (por ejemplo, cinta adhesiva Scotch, de la empresa 3M) pero, como alternativa, tambien puede disolverse en acido fluorhldrico. A continuation, se elimina el oro (capa sacrificial) (por ejemplo, con una solution de yodo/yoduro de potasio o solution de cianuro de potasio), al permitir que la muestra flote sobre la solucion de grabado. Con unas pinzas se puede sumergir ahora una muestra de oxido de silicio en la solucion y, con ello, «pescar» el monoestrato (II) con la sustancia fotorresistente. Opcionalmente, el monoestrato (II) con la sustancia fotorresistente se puede «pescar» de la solucion de grabado previamente con un sustrato auxiliar y sumergirse en agua, de manera que la transferencia al sustrato diana no tiene que suceder fuera de la solucion de grabado. Para finalizar, tambien en este caso la sustancia fotorresistente se disuelve en acetona. La ventaja en este ejemplo tambien esta en que el monoestrato (II) especlfico no puede prepararse sobre sustratos de oxido de silicio sin el procedimiento descrito.
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Ejemplo 4:
Transferencia de grafeno (capa de grafito monoatomica) sobre portador de muestra de MET.
Se prepararon capas de grafeno silueteadas a partir de Geim et. al. (Meyer et al. Nature 2007 (446) 60)). Para esto, se selecciona una pieza adecuada de grafeno mediante controles opticos y entonces se aplica encima un enrejado metalico mediante litografla de electrones. Despues, se disuelve el sustrato, de manera que el enrejado metalico permanece con el grafeno. No obstante, la estructuracion con litografla de haces de electrones y la aplicacion posterior de metal resulta muy costoso en cuanto a la tecnologla de procesos y especialmente no es factible para grandes superficies.
Con el metodo descrito en el Ejemplo 1 tambien se puede transferir grafeno por una gran superficie. Para esto, podrla usarse como material de partida una capa de grafeno preparada por pirolisis sobre SiC. El SiC sirve en este caso simultaneamente como sustrato portador y capa sacrificial. Tras la aplicacion del medio de transferencia (por ejemplo, una sustancia fotorresistente), el SiC se disuelve por grabado fotoelectroqulmico en HF (vease M. Kohler, «Atzverfahren fur die Mikrotechnik», editorial WILEY-VCH, Weinheim, 1998, ISBN 3-527-28869-4, pagina 331). En este procedimiento de grabado son posibles tasas de grabado de hasta 1,7 pm/s. A continuacion, el medio de transferencia con la nanocapa puede transferirse con ayuda de un sustrato intermedio (por ejemplo, Si) de la solucion de grabado de HF a una superficie de agua. Las etapas adicionales se llevan a cabo de manera analoga al Ejemplo 1.
Ejemplo 5:
Preparacion de sistemas nanoelectromecanicos (SNEM)
El monoestrato (I) tambien puede transferirse con el procedimiento descrito en el Ejemplo 1 sobre una estructura de SNEM correspondientemente prefabricada como elemento activo. Con ello, podrla prepararse, por ejemplo, un sensor acustico o un nanomicrofono. La ventaja de este procedimiento consiste en la compatibilidad aumentada respecto a procedimientos existentes para la preparacion de circuitos integrados. En la primera etapa, el chip portador de SNEM se prepara con los circuitos correspondientes. En la segunda etapa, se transfiere el monoestrato. A este respecto, no hay ningun requisito especial sobre la resistencia del chip portador de SNEM, por ejemplo, frente a acidos, puesto que el chip esta expuesto unicamente a agua durante la transferencia del monoestrato (I).
Claims (15)
- 510152025303540455055REIVINDICACIONES1. Procedimiento para transferir una nanocapa (1) desde un primer sustrato (5, 105) a un segundo sustrato (30, 130), comprendiendo la nanocapa (1) un monoestrato autoagregante con unidades de fenilo reticuladas y/o una capa de grafito monoatomica (grafeno) y presentando el procedimiento las siguientes etapas:a. aplicacion de un medio de transferencia (20, 120) sobre la nanocapa (1), transformandose el medio de transferencia (20, 120), en esta etapa o despues, de una fase llquida o gaseosa a una fase solida;b. desprendimiento del medio de transferencia (20, 120) y de la nanocapa (1) desde el primer sustrato (5, 105);c. aplicacion del medio de transferencia (20, 120) y de la nanocapa (1) sobre el segundo sustrato (30, 130); yd. eliminacion del medio de transferencia (20, 120).
- 2. Procedimiento segun la reivindicacion 1, comprendiendo la etapa b. la disolucion de una capa sacrificial (10) dispuesta entre el primer sustrato (5, 105) y la nanocapa.
- 3. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, sumergiendose el medio de transferencia (20, 120) desprendido en la etapa b. y la nanocapa (1), antes de la aplicacion sobre el segundo sustrato (30, 130), en un llquido, especialmente agua.
- 4. Procedimiento segun la reivindicacion 3, en donde el medio de transferencia (20, 120) y la nanocapa (1) flotan sobre la superficie del llquido.
- 5. Procedimiento segun una de las reivindicaciones 3 o 4, sumergiendose el segundo sustrato (30, 130) en el llquido en la etapa c., de manera que el medio de transferencia (20, 120) y la nanocapa (1) pueden depositarse encima.
- 6. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, eliminandose por disolucion el medio de transferencia (20, 120) en la etapa d.
- 7. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, comprendiendo el medio de transferencia una sustancia fotorresistente (20, 120).
- 8. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, estructurandose la nanocapa (1) antes de la etapa a., especialmente por procedimientos fotolitograficos o de litografla de electrones.
- 9. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, que presenta ademas las etapas de la aplicacion del medio de transferencia (20, 120) y de la nanocapa (1) sobre un sustrato intermedio en un primer llquido y el desprendimiento del medio de transferencia (20, 120) del sustrato intermedio en un segundo llquido.
- 10. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, comprendiendo la nanocapa un monoestrato autoagregante con unidades de bifenilo o terfenilo reticuladas.
- 11. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, comprendiendo la nanocapa (1) una capa de grafito monoatomica (grafeno) que se genera por pirolisis.
- 12. Procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores, siendo el segundo sustrato (30, 130) un sustrato para la microscopla electronica de transmision (MET), especialmente una rejilla de MET.
- 13. Sustrato de MET (30, 130), especialmente rejilla de MET, con una nanocapa dispuesta encima, preparado segun el procedimiento segun la reivindicacion 12.
- 14. Sistema nanoelectromecanico, especialmente sensor acustico, con una nanomembrana preparada con un procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores 1 a 11.
- 15. Cubierta de aberturas moldeadas arbitrariamente, con una nanomembrana preparada con un procedimiento segun una de las reivindicaciones anteriores 1 a 11.
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