ES2626791T3 - Procedimiento para la producción de polisilicio granular - Google Patents

Procedimiento para la producción de polisilicio granular Download PDF

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ES2626791T3 ES14726337.0T ES14726337T ES2626791T3 ES 2626791 T3 ES2626791 T3 ES 2626791T3 ES 14726337 T ES14726337 T ES 14726337T ES 2626791 T3 ES2626791 T3 ES 2626791T3
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Abstract

Un procedimiento para la producción de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partículas de silicio mediante un gas de fluidización aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperatura de 600-1.200°C, añadir un gas de reacción que contiene silicio y depositar silicio sobre las partículas de silicio, con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuación es retirado desde el reactor, así como retirar gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha con el fin de calentar al gas de fluidización o al gas de reacción mediante un intercambiador de calor de doble tubo o de haz de tubos.

Description

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DESCRIPCION
Procedimiento para la produccion de polisilicio granular
El invento se refiere a un procedimiento para la produccion de polisilicio granular.
Un granulado de silicio policristalino o, abreviadamente, granulado de polisilicio es una alternativa al polisilicio producido en el procedimiento de Siemens. Mientras que el polisilicio resulta en el procedimiento de Siemens como una barra cilmdrica de silicio, que antes de su elaboracion ulterior debe de ser desmenuzada de un modo costoso en cuanto a tiempo y gastos para formar un producto denominado “Chippoly” y eventualmente debe de ser purificada y limpiada de nuevo, un granulado de polisilicio posee propiedades de material a granel y se puede emplear directamente como material en bruto p.ej. para la produccion de monocristales para la industria fotovoltaica y electronica.
Un granulado de polisilicio se produce en un reactor de capa turbulenta. Esto se realiza por fluidizacion de partfculas de silicio mediante un flujo de gas en una capa turbulenta, siendo calentada esta a altas temperaturas mediante un dispositivo de calefaccion. Por adicion de un gas de reaccion que contiene silicio, se efectua una reaccion de pirolisis junto a la superficie caliente de las partfculas. En este caso se deposita silicio elemental sobre las partfculas de silicio y las partfculas individuales van creciendo en el diametro. Mediante la retirada regular de partfculas crecidas y la adicion de partfculas de silicio mas pequenas como partfculas de nucleacion (en la evolucion ulterior del documento denominadas "seed" [nucleos]), el procedimiento se puede realizar de un modo continuo, con todas las ventajas que estan vinculadas con ello. Como gas de eductos que contiene silicio se describen unos compuestos halogenados de silicio (p.ej. clorosilanos o bromosilanos), el monosilano (SiH4), asf como unas mezclas de estos gases con hidrogeno. Tales procedimientos de deposicion y unos dispositivos apropiados para ello se conocen por ejemplo a partir del documento de patente de los EE.UU. US 4786477 A.
La deposicion de silicio en un reactor de capa turbulenta con silanos (SiHnXU-n con X = un halogeno; n = 0-4) tiene lugar usualmente a unas temperaturas comprendidas entre 600°C y 1.200°C. Las corrientes de gas de entrada se deben de calentar, las corrientes de gas de salida y el producto solido (un granulado policristalino) se deben de enfriar para la purificacion y limpieza o respectivamente para el tratamiento ulterior.
Puesto que al realizar la produccion de polisilicio los costos de produccion estan ganando una importancia cada vez mayor, sena deseable ahorrar energfa de calefaccion. A este respecto, en el estado de la tecnica ya se han hecho algunas propuestas.
El documento de patente de los EE.UU. US 6827786 B2 divulga un reactor para la produccion de polisilicio granular, que comprende una zona de calefaccion situada por debajo de la zona de reaccion con uno o varios tubos, que son calentados por uno o varios elementos calefactores, un mecanismo que deja moverse de modo pulsante en vaiven al granulado de silicio entre la zona de calefaccion y la de reaccion, comprendiendo esta una entrada por separado para la incorporacion de un gas libre de silicio en la zona de calefaccion, una entrada por separado para la incorporacion de un gas que contiene silicio en la zona de reaccion, y un medio de calefaccion, con el fin de calentar el gas libre de silicio hasta una temperatura de reaccion. Es conocido que se puede recuperar calor a partir del granulado derivado mediante un intercambiador de calor mediante el recurso de que son calentados los silanos entrantes. Sin embargo, en este caso constituye un problema la produccion de una incrustacion y deposicion sobre las paredes mediante el gas que contiene silicio, cuando la temperatura de las paredes es demasiado alta. El granulado, tambien por contacto directo con el gas que contiene silicio, puede entregar el calor a este.
El documento de solicitud de patente de los EE.UU. US 2011212011 A1 divulga un procedimiento para la produccion de un granulado de silicio policristalino, en el que el calor del gas de salida se utiliza para calentar partfculas de nucleos mediante unos intercambiadores de calor.
El documento US 2012207662 A1 divulga un reactor para la produccion de silicio policristalino (procedimiento de Siemens, barras de silicio cilmdricas), en el que se recupera calor de un medio de refrigeracion para el enfriamiento del reactor. Mediante la utilizacion de agua caliente con una temperatura situada por encima del punto de ebullicion del medio de refrigeracion y una reduccion de la presion del agua caliente, una parte del agua caliente se saca en forma de vapor desde el reactor y se aprovecha como fuente de calefaccion para otros usos.
El documento de patente alemana DE 38 42 099 A1 divulga un procedimiento para la produccion de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partfculas de silicio mediante un gas de fluidizacion aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperatura de 600-1.200°C, anadir un gas de reaccion que contiene silicio y depositar silicio sobre las partfculas de silicio, con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuacion es retirado desde el reactor, asf como una retirada de un gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha para calentar a un medio acuoso en un intercambiador de calor.
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A partir de la problematica descrita se establecio el planteamiento de la mision del invento.
El problema planteado es resuelto mediante un procedimiento para la produccion de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partfculas de silicio mediante un gas de fluidizacion aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperature de 600-1.200°C, anadir un gas de reaccion que contiene silicio y depositar silicio sobre las partfculas de silicio, con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuacion es retirado desde el reactor, asf como retirar un gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha con el fin de calentar, mediante un intercambiador de calor de doble tubo o de haz de tubos, a un gas de fluidizacion o a un gas de reaccion.
El problema planteado es resuelto ademas mediante un procedimiento para la produccion de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partfculas de silicio mediante un gas de fluidizacion aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperatura de 600-1.200°C, anadir un gas de reaccion que contiene silicio y depositar silicio sobre las partfculas de silicio, con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuacion es retirado desde el reactor, asf como retirar un gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha con el fin de calentar en un intercambiador de calor a un medio acuoso, utilizandose el medio acuoso calentado para producir corriente electrica o vapor de agua o calentar a otro medio con una temperatura mas baja que la del medio acuoso calentado.
Preferiblemente, como gas de fluidizacion se emplea H2, N2, Ar o SiCl4. En el caso del gas de reaccion que contiene silicio se trata preferiblemente de un silano SiH4-nCln, n = 0-4 o de una mezcla de un silano y H2, N2, Ar o SiCU.
Preferiblemente, el gas de salida calienta en un intercambiador de calor a una corriente de agua de refrigeracion, que seguidamente se utiliza para producir corriente electrica o calentar a un medio con una temperatura mas pequena, o que seguidamente es evaporada. Preferiblemente, el gas retirado se aprovecha con el fin de calentar en un intercambiador de calor a una corriente de agua de refrigeracion.
Ademas el polisilicio granular retirado se utiliza preferentemente para calentar al gas de fluidizacion.
Para esto, de manera especialmente preferida, alrededor del polisilicio granular circula una corriente del gas de fluidizacion en un recipiente o en una conduccion tubular y en tal caso aquel entrega calor al gas de fluidizacion en contacto directo.
Asimismo, es preferido que el gas de salida se utilice para calentar partfculas de silicio, efectuandose el intercambio de calor por el recurso de que alrededor de las partfculas de silicio circula una corriente del gas de salida en un recipiente o en una conduccion tubular y en tal caso ellas recogen calor del gas de salida en contacto directo.
En una preferida forma de realizacion, el gas de salida calienta a ambas corrientes gaseosas aportadas, a saber la del gas de fluidizacion y la del gas de reaccion, pasando a emplearse dos intercambiadores de calor.
Como intercambiador de calor se prefiere un intercambiador de calor de doble tubo o de haz de tubos.
El calor retirado desde el reactor a traves del gas de salida se puede utilizar con el fin de calentar a una o varias corrientes de gas de entrada y adicionalmente calentar al material de nucleos.
Puesto que la corriente de gas de salida contiene tambien silicio en forma de polvo, que en intercambiadores de calor tiene tendencia a depositarse sobre las paredes, al efectuar la eleccion de los intercambiadores de calor hay que preferir unos aparatos con grandes secciones transversales de circulacion. Al efectuar el calentamiento de un gas de eductos con el gas de salida se emplean unos intercambiadores de calor de doble tubo o de haz de tubos.
El calor del gas de salida se puede aprovechar mediante el recurso de que el gas de salida circula a traves de un recipiente en el que estan presentes partfculas de nucleos, con lo cual son calentadas las partfculas de nucleos. En vez de un recipiente se puede utilizar tambien una conduccion tubular, a traves de la cual ambas corrientes de sustancias se ponen en contacto directo y fluyen en contracorriente predominantemente a traves de esta.
El invento preve tambien aprovechar el calor del gas de salida con el fin de calentar al gas de entrada o producir vapor de agua. Ademas de ello, el invento preve usar el granulado para la produccion de vapor de agua.
Se ha mostrado que el aprovechamiento del calor del gas de salida para el calentamiento de los medios o para la produccion de vapor de agua contribuye manifiestamente mas a la eficiencia energetica del proceso que el aprovechamiento del calor del gas de salida del granulado.
El invento se explica seguidamente con ayuda de Ejemplos y con ayuda de las Fig. 1-4.
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Lista de los signos de referencia utilizados
1 corriente 1 de gas de entrada
2 corriente 2 de gas de entrada
3 intercambiador de calor 1
4 intercambiador de calor 2
5 reactor de capa turbulenta
6 gas de salida desde el reactor
7 nucleos
8 granulado de producto
9 agua de refrigeracion
Breve descripcion de la Figuras
La Fig. 1 muestra esquematicamente como, en el caso de un reactor de capa turbulenta, se utiliza el gas de salida para calentar corrientes de gas de entrada.
La Fig. 2 muestra esquematicamente como, en el caso de un reactor de capa turbulenta, se utiliza el gas de salida para calentar partfculas de nucleos.
La Fig. 3 muestra esquematicamente como, en el caso de un reactor de capa turbulenta, se utiliza el granulado de producto para calentar el gas de fluidizacion.
La Fig. 4 muestra esquematicamente como, en el caso de un reactor de capa turbulenta, se utiliza el gas de salida para calentar el agua de refrigeracion.
Ejemplos
Se toma en consideracion un proceso realizado en capa turbulenta para la deposicion de silicio a partir de triclorosilano con H2 como gas secundario (gas de fluidizacion).
El proceso de deposicion tiene lugar a una temperatura de 1.000°C y a una presion de 6 bares (absolutos).
El caudal de sustancia de H2 es de 24,66 kg/h.
Una mezcla de triclorosilano y H2 con una proporcion molar de 70 % de TCS se anade como gas primario (gas de reaccion) con un caudal masico de 875,55 kg/h.
Esta se debe de precalentar a como maximo 350 °C con el fin de evitar deposiciones de silicio en las conducciones de aportacion.
En el equilibrio qmmico se establece a partir de ello, en el caso de un caudal masico de 860,81 kg/h de un gas de salida, un caudal de deposicion neto de 33,85 kg/h, perdiendose un 5 % como deposicion sobre las paredes en el reactor y como polvo fino a lo largo del camino del gas de salida.
Queda un caudal de deposicion neto de 32,16 kg/h de silicio. Las partfculas de nucleos se anaden dosificadamente al reactor con un caudal de 5 kg/h.
Se supone que el gas de salida es enfriado desde 1.000 °C hasta 850 °C en el tubo para el gas de salida mediante diversas construcciones internas enfriadas y perdidas de calor.
Al realizar el calculo de los valores de k*A para intercambiadores de calor se toma como base en cada caso el modelo del intercambiador de calor en contracorriente.
Ejemplo 1
En esta forma de realizacion, que se representa esquematicamente en la Fig. 1, el gas de salida 6 calienta a ambas corrientes gaseosas 1 y 2 aportadas. Para esto pasan a emplearse dos intercambiadores de calor 3 y 4.
La corriente de H2 1 no esta sujeta a ningun lfmite superior de temperaturas, por lo cual esta es calentada en un primer intercambiador de calor 3 a un nivel mas alto de temperaturas.
A continuacion, el gas de salida 6 calienta a la mezcla gaseosa de TCS y H2 (corriente 2 de gas de entrada) mediante el intercambiador de calor 4 a una temperature de aproximadamente 350°C.
En total se puede aportar al proceso una cantidad de calor de 136,9 kW.
Unos valores exactos acerca de los intercambiadores de calor 3,4 se pueden tomar de la Tabla 1 y de la Tabla 2.
5 La Tabla 1 muestra datos del intercambiador de calor 3.
Tabla 1
Temperatura de entrada del gas de salida
850,00 °C
Temperatura de salida del gas de salida
584,12 °C
Temperatura de entrada H2
20,00 °C
Temperatura de salida H2
800,00 °C
Calor intercambiado
78,50 kW
Delta T log
212,16 °C
k*A del intercambiador de calor
370,00 W/K
La Tabla 2 muestra datos del intercambiador de calor 4. 10 Tabla 2
Temperatura de entrada del gas de salida
584,12 °C
Temperatura de salida del gas de salida
381,60 °C
Temperatura de entrada H2/TCS
20,00 °C
Temperatura de salida H2/TCS
350,00 °C
Calor intercambiado
58,37 kW
Delta T log
293,26 °C
k*A del intercambiador de calor
199,03 W/K
Puesto que el gas de salida 6 puede contener tambien polvo fino de silicio, los intercambiadores de calor 3, 4 no debenan tener formas geometricas con unas secciones transversales demasiado estrechas. Se emplea un intercambiador de doble tubo o de haz de tubos.
Ejemplo 2
15 En esta forma de realizacion, que se representa esquematicamente en la Fig. 2, el gas de salida 6 calienta previamente a los nucleos 7 aportados.
Se necesita solamente una minima cantidad de calor de 1,02 kW.
El calor puede ser intercambiado por ejemplo barriendo a traves del recipiente con nucleos 7 con el gas de salida caliente 6.
20 La Tabla 3 muestra datos del intercambiador de calor.
Tabla 3
Temperatura de entrada del gas de salida
850,00 °C
Temperatura de salida del gas de salida
846,58 °C
Temperatura de entrada de nucleos
20,00 °C
Temperatura de salida de nucleos
835,00 °C
Calor intercambiado
1,02 kW
Delta T log
202,43 °C
k*A del intercambiador de calor
5,04 W/K
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Ejemplo 3
Este Ejemplo se representa esquematicamente en la Fig. 3. El no es objeto de la patente, sino que se expone solamente para la comparacion con los otros escenarios.
El granulado de producto 8 con un caudal masico de 37,16 kg/h (32,16 kg/h de deposicion neta + 5 kg/h de nucleos) calienta a la corriente de gas de entrada de H21.
Se supone que el silicio granular 8 enfna desde 1.000 °C hasta 900 °C mediante diversas construcciones internas y en el camino hasta el intercambiador de calor 3.
En el intercambiador de calor 3 se intercambia una cantidad de calor de 8,22 kW.
Se puede concebir, analogamente al Ejemplo 2, el empleo de un recipiente para el producto, en el que el granulado caliente que sale del reactor es recorrido por una corriente preferiblemente de H2.
Puede verse que mediante el aprovechamiento del calor de gas de salida para el calentamiento previo de la alimentacion se puede devolver una cantidad de energfa que es mas alta en un orden de magnitud que mediante la devolucion del calor de salida del granulado 8.
La Tabla 4 muestra datos del intercambiador de calor.
Tabla 4
Temperatura de entrada del H2
20,00 °C
Temperatura de salida del H2
104,65 °C
Temperatura de entrada del granulado
900,00 °C
Temperatura de salida del granulado
25,00 °C
Calor intercambiado
8,22 kW
Delta T log
155,91 °C
k*A del intercambiador de calor
52,74 W/K
Ejemplo 4
El caudal masico de gas de salida 6 calienta en un intercambiador de calor a una corriente de agua de refrigeracion 9.
Esta se encuentra bajo de una presion de 10 bares (abs) y es calentada hasta 170°C (temperatura de ebullicion: 180°C).
El agua de refrigeracion calentada puede ser utilizada posteriormente por ejemplo para el calentamiento de unos medios con un pequeno nivel de temperaturas.
De igual manera, en una subsiguiente evaporacion repentina de la corriente de agua o mediante entrega del calor en un evaporador a una corriente de agua con menor presion, se puede producir vapor de agua para la obtencion de corriente electrica.
Con una cantidad de 211 kW se puede intercambiar mucha cantidad de calor en comparacion con los otros Ejemplos. Por lo tanto, esta forma de realizacion es especialmente preferida.
La Tabla 5 muestra datos del intercambiador de calor.
Tabla 5
Caudal masico del agua de refrigeracion
1.075 kg/h
Temperatura de entrada del agua de refrigeracion
20,00 °C
Temperatura de salida del agua de refrigeracion
170,00 °C
Temperatura de entrada del gas de salida
850,00 °C
Temperatura de salida del gas de salida
123,17 °C
Calor intercambiado
210,51 kW
Delta T log
305,89 °C
k*A
688,18 W/K

Claims (12)

  1. 5
    10
    15
    20
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    35
    40
    REIVINDICACIONES
    1. Un procedimiento para la produccion de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partfculas de silicio mediante un gas de fluidizacion aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperatura de 600-1.200°C, anadir un gas de reaccion que contiene silicio y depositar silicio sobre las partfculas de silicio, con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuacion es retirado desde el reactor, asf como retirar gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha con el fin de calentar al gas de fluidizacion o al gas de reaccion mediante un intercambiador de calor de doble tubo o de haz de tubos.
  2. 2. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 1, empleandose como gas de fluidizacion H2, N2, Ar o SiCU y como gas de reaccion un silano (SiH4-nXn, n = 0-4, X = un halogeno) o una mezcla de un silano y H2, N2, Ar o SiCU.
  3. 3. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 1 o la reivindicacion 2, utilizandose ademas el polisilicio granular retirado con el fin de calentar al gas de fluidizacion.
  4. 4. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 3, circulando alrededor del polisilicio granular una corriente del gas de fluidizacion en un recipiente o en una conduccion tubular y entregando calor aquel en tal caso al gas de fluidizacion en contacto directo.
  5. 5. Un procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 4, utilizandose el gas de salida para calentar partfculas de silicio, efectuandose el intercambio de calor mediante el recurso de que alrededor de las partfculas de silicio circula en un recipiente o en una conduccion tubular una corriente del gas de salida y en tal caso estas absorben calor desde el gas de salida en contacto directo.
  6. 6. Un procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 1 hasta 2, calentando el gas de salida a ambas corrientes gaseosas aportadas, a saber al gas de fluidizacion y al gas de reaccion, pasando a emplearse dos intercambiadores de calor de doble tubo o de haz de tubos.
  7. 7. Un procedimiento para la produccion de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partfculas de silicio mediante un gas de fluidizacion aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperatura de 600-1.200°C, anadir un gas de reaccion que contiene silicio y depositar silicio sobre las partfculas de silicio con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuacion es retirado desde el reactor, asf como retirar gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha con el fin de calentar a un medio acuoso en un intercambiador de calor, utilizandose el medio calentado con el fin de producir corriente electrica o vapor de agua o calentar a otro medio con una temperatura mas baja que la del medio acuoso calentado.
  8. 8. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 7, pasando a emplearse como intercambiador de calor un intercambiador de calor de doble tubo o de haz de tubos.
  9. 9. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 7 o la reivindicacion 8, empleandose como gas de fluidizacion H2, N2, Ar o SiCl4 y como gas de reaccion un silano (SiH4-nXn, n = 0-4, X = un halogeno) o una mezcla de un silano y H2, N2, Ar o SiCl4.
  10. 10. Un procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 7 hasta 9, utilizandose ademas el polisilicio granular retirado con el fin de calentar al gas de fluidizacion.
  11. 11. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicacion 10, circulando alrededor del polisilicio granular una corriente del gas de fluidizacion en un recipiente o en una conduccion tubular y entregando calor aquel en tal caso al gas de fluidizacion en contacto directo.
  12. 12. Un procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 7 hasta 11, utilizandose el gas de salida para calentar partfculas de silicio, efectuandose el intercambio de calor mediante el recurso de que alrededor de las partfculas de silicio circula una corriente del gas de salida en un recipiente o en una conduccion tubular y en tal caso ellas absorben calor desde el gas de salida en contacto directo.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015215858B4 (de) 2015-08-20 2019-01-24 Siltronic Ag Verfahren zur Wärmebehandlung von Granulat aus Silizium, Granulat aus Silizium und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
DE102015216144A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Wacker Chemie Ag Sinterfilter aus polykristallinem Silicium
KR102045615B1 (ko) * 2016-03-18 2019-11-15 주식회사 엘지화학 폴리실리콘 제조를 위한 초고온 석출 공정
DE102016204651A1 (de) 2016-03-21 2017-09-21 Wacker Chemie Ag Quetschmanschetten für die Herstellung von Polysilicium-Granulat
KR102220841B1 (ko) * 2016-12-14 2021-02-26 와커 헤미 아게 다결정 실리콘을 제조하기 위한 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR880000618B1 (ko) 1985-12-28 1988-04-18 재단법인 한국화학연구소 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법
DE3601378A1 (de) * 1986-01-18 1987-07-23 Degussa Verfahren zur reinigung von oxide des stickstoffs und schwefels enthaltenden abgasen aus verbrennungsanlagen
CA1336937C (en) * 1987-12-14 1995-09-12 Robert Nicholas Flagella Fluidized bed for production of polycrystalline silicon
JPH0680412A (ja) * 1992-08-31 1994-03-22 Toagosei Chem Ind Co Ltd 多結晶シリコンの製造方法
JPH06127924A (ja) * 1992-10-16 1994-05-10 Tonen Chem Corp 多結晶シリコンの製造方法
JPH11510560A (ja) * 1995-06-07 1999-09-14 アドバンスド シリコン マテリアルズ インコーポレーテツド 流動床反応炉におけるシリコン沈積方法及び装置
US6827786B2 (en) 2000-12-26 2004-12-07 Stephen M Lord Machine for production of granular silicon
DE102005005235B4 (de) * 2005-02-04 2007-08-09 Energy Systems & Solutions Gmbh Verfahren und Einrichtung zur Methanreaktivierung von Deponien
CN101143723B (zh) * 2007-08-08 2010-09-01 徐州东南多晶硅材料研发有限公司 制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
CN103787336B (zh) 2008-09-16 2016-09-14 储晞 生产高纯颗粒硅的方法
JP5552284B2 (ja) 2009-09-14 2014-07-16 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造システム、多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法
CA2703317A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-06 Aker Solutions Canada Inc. Shell and tube heat exchangers
JP5785789B2 (ja) * 2011-06-13 2015-09-30 パナソニック環境エンジニアリング株式会社 ボイラ廃熱利用システム

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