ES2622331T3 - Dispositivo luminoso de luz blanca por LED de corriente alterna - Google Patents
Dispositivo luminoso de luz blanca por LED de corriente alterna Download PDFInfo
- Publication number
- ES2622331T3 ES2622331T3 ES11839740.5T ES11839740T ES2622331T3 ES 2622331 T3 ES2622331 T3 ES 2622331T3 ES 11839740 T ES11839740 T ES 11839740T ES 2622331 T3 ES2622331 T3 ES 2622331T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- light
- weight
- light emitting
- led
- white
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003669 SrAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
- H05B45/42—Antiparallel configurations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
Una unidad de diodo emisor de luz (LED) blanca, que comprende un chip LED (2) capaz de emitir luz ultravioleta con una longitud de onda en el intervalo de 254 nm a 365 nm y un material emisor de luz (1) capaz de emitir luz cuando es excitado por el chip LED, en el que el chip LED (2) solo comprende una unión PN de emisión de luz, la vida media luminosa del material emisor de luz (1) es de 10 a 30 ms, el brillo luminoso en una condición de corriente no constante se compensa a través de la luminosidad remanente del material emisor de luz (1), y la luz emitida por el chip LED (2) se mezcla con la luz emitida por el material emisor de luz (1) para formar luz blanca, caracterizado porque el material emisor de luz es uno seleccionado entre a) una combinación de 45 % en peso de Zn2P2O7:Tm3+ y 55 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+; b) una combinación de 15 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ y 30 % en peso de Sr4Al14O25:Eu2+, Dy3+, B3+ y 15 % en peso de Ca4O(PO4)2:Eu2+ y 40 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+, Ga3+; o c) una combinación del 10 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ y 30 % en peso de Sr4Al14O25:Eu2+ y 60 % en peso de Y2O2S:Eu3+.
Description
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
DESCRIPCION
Dispositivo luminoso de luz blanca por LED de corriente alterna Campo de la invencion
La presente invencion se refiere a un dispositivo de diodo emisor de luz (LED) blanco de corriente alterna (CA), que pertenece al campo tecnico de la fabricacion de LED blancos, y particularmente, a un dispositivo LED blanco de CA fabricado de un material emisor de luz que tenga una vida media espedfica.
Antecedentes de la invencion
Actualmente, el LED se usa en los campos de la iluminacion, visualizacion, retroiluminacion, etc., y atrae una amplia atencion debido a sus ventajas tales como ahorro de energfa, duracion y carencia de contaminacion. Hay muchas soluciones para implementar el LED blanco, y actualmente la solucion tecnica mas madura para la fabricacion del LED blanco es implementar la emision de luz blanca mediante la combinacion de un chip LED de luz azul con polvo fluorescente amarillo. El documento Appl. Phys. Lett. publicado en 1967 (se hace referencia al volumen 11, pagina 53) informa sobre un material emisor de luz YaAlsO-^: Ce3+ que emite luz amarilla, con una longitud de onda maxima de emision de luz de 550 nm y una vida media de menos de 100 ns. El documento Appl. Phys. A publicado en 1997 (se hace referencia al volumen 64, pagina 417) informa de que una emision de luz blanca de un LED se implementa usando la luz amarilla emitida por el YaAlsO-^: Ce3+ y luz azul de nitruro de galio, que es la solucion tecnica mas madura para la fabricacion del LED blanco hasta el momento. Pero en aplicaciones practicas, con el incremento de la temperatura del dispositivo de trabajo, las intensidades luminosas del chip LED de luz azul y el polvo fluorescente disminuyen, en el que la intensidad luminosa del polvo fluorescente obviamente disminuye, por ello queda afectada la utilizacion del LED.
El LED convencional es accionado por corriente continua (CC), pero la mayor parte de la electricidad domestica, industrial, comercial o publica se suministra en la forma de CA, por ello debe acompanarse un transformador - rectificador para la conversion CA-CC cuando se usa el LED para iluminacion, etc. Pero en el procedimiento de la conversion CA-CC, se producira una perdida de potencia del 15~30 %. Ademas, el dispositivo de conversion tiene una corta vida util y un alto coste, en tanto que requiere mucho trabajo y tiempo de instalacion, de modo que la eficiencia es baja.
La Patente Americana US 7.489.086 B2 “AC LIGHT EMITTING DIODE AND AC LED DRIVE METHODS AND APPARATUS” proporciona un dispositivo de LED de CA, que permite principalmente que un dispositivo de LED en paquete integrado funcione con una frecuencia mas alta de 100 Hz, de modo que compense el efecto estroboscopico de la emision de luz del dispositivo LED en una situacion de funcionamiento en CA con un efecto de persistencia para el ojo desnudo. La Patente China N.° 200910307357.3 desvela un material emisor de luz Y2O3^Al2O3^SiO2: Ce^Na^P con un largo fenomeno de luminosidad remanente amarilla y un dispositivo de LED blanco que usa el mismo.
La patente china CN100464111C desvela una lampara LED de CA que usa chips LED de diferentes colores de emision conectados en paralelo a una fuente de alimentacion de CA, y describe principalmente diferentes colores de los chips LED usados conjuntamente para la emision de luz blanca, y los circuitos espedficos de los mismos, tales como chips emisores de luz roja, verde y azul. La patente internacional WO2004/023568A1 “LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS” propone instalar una pluralidad de pequenas matrices de chips LED sobre un sustrato de zafiro, de modo que proporcione un dispositivo emisor de luz que pueda accionarse mediante una fuente de alimentacion en CA. Basandose en ideas similares, el Seoul Semiconductor of South Korea y el Industrial Technology Research Institute de Taiwan, empaquetaron de modo integrado un monton de granos LED superfinos sobre un sustrato denominado como el chip LED de CA. El nucleo de la tecnologfa LED de CA anterior es la tecnologfa de procesamiento de circuitos microelectronicos que empaquetan de modo integrado un monton de microgranos, por ejemplo, el chip LED de CA fabricado por el Industrial Technology Research Institute de Taiwan empaqueta de modo integrado centenares de pequenos lEd en un area de 1 mm2. Pero es diffcil procesar el chip LED de CA, y se produciran problemas tales como una pobre disipacion de calor cuando el gran numero de microchips se integran en un espacio de sustrato estrecho.
El documento US 2008/211421 A1 se refiere a un dispositivo emisor de luz para funcionamiento con alimentacion en CA. El dispositivo emisor de luz emplea una variedad de medios mediante los que se prolonga el tiempo de emision de luz durante 1/2 ciclo en respuesta a un cambio de fase de una fuente de alimentacion en CA y puede reducirse el efecto de parpadeo. Por ejemplo, los medios pueden sor bloques de conmutacion conectados respectivamente a nodos entre celulas emisoras de luz, bloques de conmutacion conectados a una pluralidad de matrices, o un fosforo de retardo. Por ejemplo, cuando el dispositivo emisor de luz emplea un fosforo de retardo, la luz se emite incluso mientras las celulas emisoras de luz permanecen en estado apagado. Por ello, aunque hay un cambio en la intensidad luminosa, el tiempo durante el que no se emite la luz se hace mas corto, y el dispositivo emisor de luz emite continuamente luz si el tiempo de decaimiento del fosforo de retardo es largo.
En un artfculo titulado “Mechanism of Phosphorescence Appropriate for the Long-Lasting Phosphors Eu2+-Doped SrAl2O4 with Codopants Dy3+ and B3+” (Chemistry of materials, vol. 17, n.° 15, 1 de julio de 2005, paginas 3904-
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3912) de F. Clabau et al., se desvela un material tal como el SrA^O^Eu, Dy.
El documento DE 203 21 614 U1 desvela una capa de cobertura de gma de luz.
En un artfculo titulado “Potential white-light long-lasting phosphor: Dy3+-doped aluminate” (APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, Estados Unidos, vol. 86, n.° 19, 5 de mayo de 2005, pagina 191111) de LIU BO et al., se desvela un material emisor de luz tal como CaA^O^Dy3*.
Para permitir que el dispositivo LED blanco supere el efecto estroboscopico bajo el modo de fuente de alimentacion de cA y mejore la disipacion de calor, los expertos en la materia realizan siempre incansables esfuerzos.
Sumario de la invencion
El problema tecnico a resolver por la presente invencion es proporcionar un nuevo dispositivo de LED blanco, de modo que supere una serie de deficiencias tales como el efecto estroboscopico en el modo de fuente de alimentacion de CA y la dificultad en la disipacion de calor del dispositivo LED blanco existente. Las soluciones tecnicas de la presente invencion son las siguientes: una unidad de diodo emisor de luz (LED) blanco comprende un chip LED capaz de emitir luz ultravioleta con una longitud de onda en el intervalo de 254 nm a 365 nm y un material emisor de luz capaz de emitir luz cuando es excitado por el chip LED. El chip LED solo comprende una union PN de emision de luz. La vida media luminosa del material emisor de luz es de 10 a 30 ms. El brillo luminoso del chip no excitado bajo una condicion de corriente no constante se compensa por la luminosidad remanente del material emisor de luz, y la luz emitida por el chip LED se mezcla con la luz emitida por el material emisor de luz para formar luz blanca. El material emisor de luz es uno seleccionado entre
a) una combinacion de 45 % en peso de Zn2P2O7:Tm3+ y 55 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+;
b) una combinacion de 15 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ y 30 % en peso de Sr4Al-i4O25:Eu2+, Dy3+, B3+ y 15 % en peso de Ca4O(PO4)2:Eu2+ y 40 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+, Ga3+; o
c) una combinacion del 10 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ y 30 % en peso de Sr4Al-i4O25:Eu2+ y 60 % en peso de Y2O2S:Eu3+.
De acuerdo con la definicion de luminiscencia, la vida media luminosa del material emisor de luz es el tiempo para que la disminucion de la intensidad luminosa en el material sea 1/e de la intensidad maxima en la excitacion.
El brillo luminoso del chip no alimentado bajo una condicion de corriente no constante puede compensarse con un efecto de luminosidad remanente del material emisor de luz, de modo que la conduccion en CA sea mas practica.
La unidad de LED blanco de la presente invencion supera el efecto estroboscopico provocado por la fuente de alimentacion de CA mediante el uso de un chip LED de union PN simple normal, en lugar del chip LED de AC que integra una pluralidad de microgranos, por ello es de produccion simple y el coste es bajo.
En la presente invencion, el material emisor de luz emite luz cuando es excitado por el chip LED, y el efecto visual global de la luz emitida es luz blanca, o el efecto visual global de la luz emitida por el material emisor de luz y la luz emitida por el chip es una luz blanca.
En la unidad de LED blanco de la presente invencion, cada chip LED solo incluye una union PN emisora de luz.
El dispositivo de LED blanco de la presente invencion comprende la unidad de LED blanca y un circuito de accionamiento. El circuito de accionamiento que acciona en CA es un circuito serie unidireccional, un circuito paralelo invertido o un circuito rectificador en puente, como se ilustra en las Figs. 1 a 4, o combinaciones arbitrarias de los mismos. La frecuencia del circuito de accionamiento accionado en CA no es mayor de 100 Hz.
Ademas, el dispositivo de LED blanco de la presente invencion puede comprender adicionalmente una capa de cobertura de gma de luz, que es una estructura de gma de luz no plana. A traves de la capa de cobertura de gma de luz, la luz emitida por el chip LED y la luz emitida por el material emisor de luz es reflejada, refractada, difundida, sesgada y finalmente mezclada para producir una salida de luz uniforme. En la que, la capa de cobertura de gma de luz es una lente u otra capa de cobertura transparente, que puede estar dopada con partfculas de material no emisor de luz con un diametro menor de 5 pm, de modo que la luz procedente del chip se difunda mas uniformemente.
La presente invencion tiene los siguientes efectos beneficiosos:
El dispositivo LED blanco de la tecnica anterior usa YAG: Ce como el material emisor de luz, lo que provocara un fenomeno de lampara estroboscopica debido al cambio de los ciclos de CA a la frecuencia de alimentacion por debajo de 100 Hz. La presente invencion puede mantener la emision de luz cuando la fuente de luz de excitacion desaparece dado que se usa un material emisor de luz que tiene una vida media espedfica, por ello en un dispositivo LED blanco de CA basado en la solucion de la presente invencion, cuando alternan los ciclos de corriente, la emision de luz del material emisor de luz puede mantenerse durante un cierto tiempo en el ciclo, compensando de ese modo el efecto estroboscopico del chip LED provocado por la fluctuacion de la CA, y manteniendo una produccion de luz estable desde el dispositivo LED blanco en el ciclo de CA. Ademas, dado que el chip LED no funciona en una mitad del ciclo de Ca, disminuye el efecto termico, lo que es beneficioso
5
10
15
20
25
30
para superar la serie de dificultades provocadas por el calentamiento del chip en el dispositivo LED blanco de la tecnica anterior.
Breve descripcion de los dibujos
La Fig. 1 ilustra un diagrama esquematico de un circuito serie unidireccional de un dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion;
la Fig. 2 ilustra un diagrama esquematico de un circuito paralelo invertido de un dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion;
la Fig. 3 ilustra un diagrama esquematico de un circuito rectificador en puente que tiene un chip LED conducido normal de un dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion;
la Fig. 4 ilustra un diagrama esquematico de un circuito rectificador un puente que tiene un chip LED conducido normal de un dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion;
la Fig. 5 ilustra un diagrama esquematico de la constitucion de una unidad de LED blanco, en el que 1 representa un material emisor de luz o una capa emisora de luz fabricada de un material emisor de luz y un medio transparente, y 2 representa un chip LED; y
la Fig. 6 ilustra puntos de color de los Ejemplos 1 a 8 en el diagrama cromatico CIE1931, en el que las cifras 1 a 8 corresponden a los Ejemplos 1 a 8, respectivamente.
El contenido anterior de la presente invencion se describe adicionalmente en detalle a traves de las siguientes realizaciones. Pero no se considerara que el alcance de la materia objeto de la presente invencion esta limitado a las mismas. Cualquier tecnologfa implementada basandose en los conceptos anteriores de la presente invencion debera caer dentro del alcance de la presente invencion. Particularmente, acerca de la constitucion del circuito basico, las realizaciones de la presente invencion solo dan el circuito paralelo invertido mas simple, el dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion no esta limitado al mismo, e incluye adicionalmente por ejemplo un circuito serie unidireccional y un circuito rectificador en puente.
Descripcion detallada de las realizaciones preferidas
Los Ejemplos 1 a 8 superan el efecto estroboscopico mediante la implementacion del dispositivo LED blanco fabricado de un material emisor de luz mostrado en la Tabla 1 y que comercializa chip LED normal en una tecnologfa de empaquetamiento general, sin el uso de un chip integrado dedicado al LED de CA.
Los Ejemplos 2 y 5 - 8 no caen bajo la presente invencion.
Ejemplos 1 a 8
Tabla 1
- Ejemplo
- Chip LED (longitud de onda de emision de luz) Material emisor de luz Tiempo de vida del material emisor de luz (ms)
- 1
- Ultravioleta (254nm) 45 % en peso de Zn2P2O7:Tm3+ 55 % en peso de Zna(PO4)2:Mn2+,Ga3+ 10
- 2
- Ultravioleta (254nm) CaAhO4:Dy3+ 25
- 3
- Ultravioleta (310nm) 15 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ 30 % en peso de Sr4Al-i4O25:Eu2+,Dy3+,B3+15 % en peso de Ca4O(PO4)2:Eu2+, 40 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+ 30
- 4
- Ultravioleta (365nm) 10 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+,Y3+ 30 % en peso de Sr4Al-i4O25:Eu2+ 60 % en peso de Y2O2S:Eu3+ 14
- 5
- Luz morada (400nm) 50 % en peso de SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+ 50 % en peso de Ca4O(PO4)2:Eu2+ 4
- 6
- Luz morada (400nm) 40 % en peso de Sr4Al-i4O25:Eu2+ 60 % en peso de Y2O2S:Eu3+ 1
- 7
- Luz azul (450nm) 30 % en peso de SrAhO4:Eu2+,B3+ 70 % en peso de CaS:Eu2+ 100
- 8
- Luz azul (460nm) 60 % en peso de Y2O2S:Mg2+,Ti3+ 40 % en peso de SrAl2O4:Eu2+ 48
Ejemplo de ensayo 1: propiedades de luminiscencia del dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion
La Tabla 2 muestra el brillo luminoso del disparo de fotos durante 20 ms del dispositivo LED blanco de CA accionado bajo 50 Hz en CA usando una camara cientifica de alta velocidad Sarnoff CAM512 que toma 300 fotos por segundo.
5 La referencia 1 es un dispositivo LED blanco accionado en CA fabricado de la misma manera que los Ejemplos 1 a 8 usando el chip de luz azul de 460 nm comercial empaquetado con un material emisor de luz amarilla YAG: Ce (la vida media luminosa es de 100 ns). La referencia 2 es un dispositivo LED blanco accionado en CA fabricado de la misma manera que los Ejemplos 1 a 8 usando el chip de luz azul de 460 nm comercial empaquetado con materiales de larga vida Sr SrA12O4: Eu, Dy y Y2O2S: Eu, Mg, Ti (la vida media luminosa es mayor de 1 s). En la Tabla 2, los 10 datos de brillo son el brillo relativo sin dimensiones. Los ejemplos de brillo 2 y 5 - 8 no caen bajo la presente invencion.
Tabla 2
- Tiempo
- 3,33 ms 6,66 ms 9,99 ms 13,32 ms 16,65 ms 19,98 ms
- Brillo de referencia 1
- 2265 3466 0 2153 3570 0
- Brillo de referencia 2
- 746 998 670 702 965 712
- Brillo de ejemplo 1
- 2931 3025 1455 3187 3443 1665
- Brillo de ejemplo 2
- 3140 3373 1654 2884 3437 1877
- Brillo de ejemplo 3
- 3200 3423 1506 3135 3362 1656
- Brillo de ejemplo 4
- 2910 3190 1652 2723 3245 1850
- Brillo de ejemplo 5
- 2250 2734 1468 2114 2800 1420
- Brillo de ejemplo 6
- 2109 2636 1150 2213 2858 1163
- Brillo de ejemplo 7
- 2017 2420 1569 2115 2654 1510
- Brillo de ejemplo 8
- 1879 2000 1270 1746 2123 1303
La Tabla 3 da el valor normalizado el brillo luminoso maximo de cada muestra en los ejemplos de la Tabla 2. Los 15 ejemplos 2 y 5 - 8 no caen bajo la presente invencion.
Tabla 3
- Tiempo Relacion de brillo^v normalizada
- 3,33 ms 6,66 ms 9,99 ms 13,32 ms 16,65 ms 19,98 ms
- Referencia 1
- 0,63445 0,97087 0 0,60308 1 0
- Referencia 2
- 0,74749 1 0,67134 0,70341 0,96693 0,71343
- Ejemplo 1
- 0,85129 0,87859 0,4226 0,92565 1 0,48359
- Ejemplo 2
- 0,91359 0,98138 0,48123 0,8391 1 0,54612
- Ejemplo 3
- 0,93485 1 0,43996 0,91586 0,98218 0,48379
- Ejemplo 4
- 0,89676 0,98305 0,50909 0,83914 1 0,57011
- Ejemplo 5
- 0,80357 0,97643 0,52429 0,755 1 0,50714
- Ejemplo 6
- 0,73793 0,92232 0,40238 0,77432 1 0,40693
- Ejemplo 7
- 0,75998 0,91183 0,59118 0,79691 1 0,56895
- Ejemplo 8
- 0,88507 0,94206 0,59821 0,82242 1 0,61375
Como puede verse por las Tablas 2 y 3, la luminiscencia de la presente invencion es estable y fluctua ligeramente en el ciclo de CA. Pero acerca de la referencia 1, es decir un dispositivo LED blanco fabricado del chip de luz azul
5
10
15
20
25
comercial empaquetado con el material emisor de luz amarilla convencional YAG: Ce que tiene un tiempo de vida luminosa corto, la luminiscencia es inestable y fluctua grandemente en el ciclo de CA. Es claro que la presente invencion supera efectivamente y a bajo coste el efecto estroboscopico del LED de CA.
Aunque se ha ilustrado por la referencia 2, la luminiscencia del dispositivo de LED blanco fabricado con el material emisor de luz con tiempo de vida luminosa largo es tambien ligeramente fluctuante en el ciclo de CA, la energfa obtenida por el material cuando existe luz de excitacion no puede liberarse rapidamente, de modo que la luz es debil (en referencia la Tabla 1), lo que es desventajoso para usarse como un material emisor de luz.
La Tabla 4 muestra las coordenadas de color y las temperaturas de color de los ejemplos de la Tabla 1 (medidos usando el colonmetro de Minolta CS-100A). Los Ejemplos 2 y 5 - 8 no caen bajo la presente invencion.
Tabla 4. Coordenadas de color CIE y temperaturas de color
- Coordenadas de color
- ClEx ClEy Temperatura de color relacionada
- Ejemplo 1
- 0,4076 0,3807 3312K
- Ejemplo 2
- 0,3410 0,3102 4997K
- Ejemplo 3
- 0,3279 0,2939 5725K
- Ejemplo 4
- 0,3320 0,3210 5496K
- Ejemplo 5
- 0,3802 0,3566 3815K
- Ejemplo 6
- 0,3503 0,3002 4441K
- Ejemplo 7
- 0,3104 0,3154 6746K
- Ejemplo 8
- 0,3484 0,3516 4867K
Como puede verse por la Tabla 4, los ejemplos anteriores permiten que el dispositivo de LED blanco emita luz blanca. Las posiciones del punto de color en las emisiones de luz de los ejemplos respectivos en el diagrama de cromaticidad CIE1931 se muestran en la Fig. 6.
Ejemplo de ensayo 2: la atenuacion de luz del dispositivo LED blanco de CA de la presente invencion
La Tabla 5 muestra los datos de atenuacion de luz de los ejemplos 1 a 18 y la referencia. La referencia es un dispositivo de LED blanco obtenido mediante la instalacion de un chip LED blanco fabricado del chip de luz azul de 460 nm comercial empaquetado con YAG: Ce en el modo de fuente de alimentacion en CC general hasta el momento. El procedimiento de ensayo es como sigue: electrificacion del dispositivo LED blanco de CA del ejemplo y el dispositivo de referencia, y medicion de su brillo luminoso en un cierto intervalo con el colonmetro Minolta CS-100. Los resultados se muestran en la Fig. 5. Los datos de la Fig. 5 son el brillo relativo sin dimension, y los datos iniciales se normalizan. Los ejemplos de brillo 2 y 5 - 8 no caen bajo la presente invencion.
Tabla 5
- Tiempo
- 1 h 1.000 h 1.500 h 2.500 h
- Brillo de referencia
- 100 98 97,1 96,3
- Brillo de ejemplo 1
- 100 99,8 99,5 99,1
- Brillo de ejemplo 2
- 100 99,5 99,4 99,3
- Brillo de ejemplo 3
- 100 99,6 99,5 99
- Brillo de ejemplo 4
- 100 99,7 99,3 99
- Brillo de ejemplo 5
- 100 99,8 99,4 98,6
- Brillo de ejemplo 6
- 100 99,5 99 98
- Brillo de ejemplo 7
- 100 99,4 99 98,3
- Brillo de ejemplo 8
- 100 99,3 99 98
Como puede verse a partir de los datos de la Fig. 5, el dispositivo de LED blanco de CA de la presente invencion tiene una atenuacion de luz menor que el dispositivo de LED blanco de CA de la tecnica anterior.
Claims (4)
- REIVINDICACIONES1. Una unidad de diodo emisor de luz (LED) blanca, que comprende un chip LED (2) capaz de emitir luz ultravioleta con una longitud de onda en el intervalo de 254 nm a 365 nm y un material emisor de luz (1) capaz de emitir luz cuando es excitado por el chip LED, en el que el chip LED (2) solo comprende una union PN de emision de luz, la5 vida media luminosa del material emisor de luz (1) es de 10 a 30 ms, el brillo luminoso en una condicion de corrienteno constante se compensa a traves de la luminosidad remanente del material emisor de luz (1), y la luz emitida por el chip LED (2) se mezcla con la luz emitida por el material emisor de luz (1) para formar luz blanca, caracterizado porque el material emisor de luz es uno seleccionado entrea) una combinacion de 45 % en peso de Zn2P2O7:Tm3+ y 55 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+;10 b) una combinacion de 15 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ y 30 % en peso de Sr4Al-MO25:Eu2+, Dy3+, B3+ y 15 %en peso de Ca4O(PO4)2:Eu2+ y 40 % en peso de Zn3(PO4)2:Mn2+, Ga3+; oc) una combinacion del 10 % en peso de Sr2P2O7:Eu2+, Y3+ y 30 % en peso de Sr4Al-MO25:Eu2+ y 60 % en peso de Y2O2S:Eu3+.
- 2. Un dispositivo diodo emisor de luz (LED) blanca de corriente alterna (CA), caracterizado porque comprende un15 circuito de accionamiento en CA y al menos una unidad de LED blanca de acuerdo con la reivindicacion 1, en el queel circuito de accionamiento es uno de entre o combinaciones arbitrarias de un circuito en serie unidireccional, un circuito paralelo invertido y un circuito rectificador en puente.
- 3. El dispositivo de LED blanca de CA de acuerdo con la reivindicacion 2, caracterizado porque comprende adicionalmente20 una capa de cobertura de grna de luz.
- 4. El dispositivo de LED blanca de CA de acuerdo con la reivindicacion 3, en el que la capa de cobertura de grna de luzesta dopada con partfculas de material no emisor de luz con un diametro menor de 5 pm.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010537984 | 2010-11-09 | ||
CN2010105379849A CN102074644B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 交流led白光发光装置 |
PCT/CN2011/071433 WO2012062065A1 (zh) | 2010-11-09 | 2011-03-01 | 交流led白光发光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2622331T3 true ES2622331T3 (es) | 2017-07-06 |
Family
ID=44033080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES11839740.5T Active ES2622331T3 (es) | 2010-11-09 | 2011-03-01 | Dispositivo luminoso de luz blanca por LED de corriente alterna |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9185761B2 (es) |
EP (1) | EP2639839B1 (es) |
JP (1) | JP2014502419A (es) |
KR (1) | KR20130125775A (es) |
CN (2) | CN102074644B (es) |
AU (2) | AU2011328857B2 (es) |
CA (1) | CA2817167C (es) |
ES (1) | ES2622331T3 (es) |
MX (1) | MX2013005202A (es) |
RU (2) | RU2541425C2 (es) |
SG (1) | SG190239A1 (es) |
WO (1) | WO2012062065A1 (es) |
ZA (1) | ZA201303331B (es) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MX2013005202A (es) * | 2010-03-30 | 2013-11-20 | Changchn Inst Of Applied Chemistry Chinese Academy Of Sciences | Dispositivo de corriente alterna de led blanco. |
CN103545458B (zh) * | 2013-10-18 | 2019-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 照明装置及其制作方法 |
CN104449713B (zh) * | 2014-11-03 | 2016-04-20 | 天津理工大学 | 一种非稀土掺杂黄色荧光体及其制作方法和应用 |
CN105823009B (zh) * | 2015-01-09 | 2017-08-25 | 欧普照明股份有限公司 | 一种用于生鲜肉类照明的照明装置及包括该照明装置的灯具 |
DE102016217456B3 (de) | 2016-09-13 | 2017-12-21 | Te Connectivity Germany Gmbh | Anordnung für einen elektrischen Steckverbinder sowie Steckverbinder mit einem Kontaktgehäuse, Umgehäuse und Sicherungselement |
CN107101092A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-08-29 | 苏州瀚墨材料技术有限公司 | 自适应交流led芯片组合体 |
DE102017127070A1 (de) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Eaton Electrical Ip Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Überwachung wechselspannungsförmiger Signale |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW427099B (en) * | 1999-01-18 | 2001-03-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Circuit arrangement |
JP3656715B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2005-06-08 | 松下電工株式会社 | 光源装置 |
US20020043943A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Menzer Randy L. | LED array primary display light sources employing dynamically switchable bypass circuitry |
US7336514B2 (en) * | 2001-08-10 | 2008-02-26 | Micropulse Technologies | Electrical power conservation apparatus and method |
CA2754097C (en) * | 2002-01-28 | 2013-12-10 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
DE20321614U1 (de) * | 2002-04-05 | 2008-06-12 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi | Licht emittierende Diode |
JP2003298115A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
TWI292961B (en) * | 2002-09-05 | 2008-01-21 | Nichia Corp | Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device |
RU2219622C1 (ru) * | 2002-10-25 | 2003-12-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник белого света |
US7507001B2 (en) * | 2002-11-19 | 2009-03-24 | Denovo Lighting, Llc | Retrofit LED lamp for fluorescent fixtures without ballast |
CN1536684A (zh) * | 2003-04-03 | 2004-10-13 | 诠兴开发科技股份有限公司 | 长余辉发光二极管 |
EP1644985A4 (en) * | 2003-06-24 | 2006-10-18 | Gelcore Llc | FULL SPECTRUM FLUID MIXTURES FOR WHITE GENERATION WITH LED CHIPS |
US8089093B2 (en) * | 2004-02-20 | 2012-01-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device including different concentrations of impurities |
CN1943276B (zh) * | 2004-02-25 | 2012-05-23 | 迈克尔·米斯金 | Ac发光二极管以及ac led驱动方法和装置 |
EP1733439B1 (en) * | 2004-03-18 | 2013-05-15 | Panasonic Corporation | Nitride based led with a p-type injection region |
US7391060B2 (en) * | 2004-04-27 | 2008-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same |
CN1700484A (zh) | 2004-05-17 | 2005-11-23 | 深圳大学 | 一种新型的白光led结构 |
EP2280430B1 (en) * | 2005-03-11 | 2020-01-01 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
KR100704492B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-04-09 | 한국화학연구원 | 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법 |
TW200723559A (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-16 | Ind Tech Res Inst | Alternating current (AC) light emitting assembly and AC light emitting device |
CN101865438B (zh) * | 2005-06-28 | 2014-10-22 | 首尔伟傲世有限公司 | 用于交流电力操作的发光装置 |
KR101171355B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 장치 |
EP1908124B1 (en) * | 2005-07-15 | 2015-06-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting module and corresponding circuit board |
KR101264580B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2013-05-14 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 형광체 및 그 제조방법, 및 상기 형광체를 사용한 발광장치 |
KR101055772B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
US7148515B1 (en) * | 2006-01-07 | 2006-12-12 | Tyntek Corp. | Light emitting device having integrated rectifier circuit in substrate |
US7952110B2 (en) * | 2006-06-12 | 2011-05-31 | 3M Innovative Properties Company | LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element |
KR100930171B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 |
WO2008096301A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter |
US20080258130A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Bergmann Michael J | Beveled LED Chip with Transparent Substrate |
EP2145129B1 (en) * | 2007-05-02 | 2014-12-03 | Koninklijke Philips N.V. | Solid-state lighting device |
JP2007251199A (ja) * | 2007-05-21 | 2007-09-27 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
US8648539B2 (en) * | 2007-10-06 | 2014-02-11 | Lynk Labs, Inc. | Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same |
KR20090044788A (ko) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | 서울반도체 주식회사 | 교류용 백색 발광 소자 |
KR101349409B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-02-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광장치 및 그 제조방법 |
JP5371359B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-12-18 | 豊田合成株式会社 | 蛍光体含有ガラス板及び発光装置の製造方法 |
US7989236B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-08-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of making phosphor containing glass plate, method of making light emitting device |
US8471283B2 (en) * | 2008-02-25 | 2013-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device |
WO2009158422A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Osram Sylvania, Inc. | Led lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp |
JP2008311670A (ja) * | 2008-07-18 | 2008-12-25 | Lite-On Technology Corp | 白色光発光ダイオード |
KR100924912B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2009-11-03 | 서울반도체 주식회사 | 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈 |
CN201262372Y (zh) | 2008-09-04 | 2009-06-24 | 严钱军 | 一种交流led光源器件 |
RU2511714C2 (ru) * | 2008-10-02 | 2014-04-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Компоновка схемы светоизлучающих диодов с улучшенной рабочей характеристикой мерцания |
US8471494B2 (en) * | 2009-01-29 | 2013-06-25 | Broit Light, L.L.C. | LED white-light devices for direct form, fit, and function replacement of existing fluorescent lighting devices |
CN102318442B (zh) * | 2009-02-12 | 2014-07-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光装置系统和驱动器 |
US8662732B2 (en) * | 2009-05-01 | 2014-03-04 | LED Bulb L.L.C. | Light emitting diode devices containing replaceable subassemblies |
US8803171B2 (en) * | 2009-07-22 | 2014-08-12 | Koninklijke Philips N.V. | Reduced color over angle variation LEDs |
CN101705095B (zh) * | 2009-09-21 | 2011-08-10 | 四川新力光源有限公司 | 黄光余辉材料及其制备方法和使用它的led照明装置 |
US8829804B2 (en) * | 2010-01-07 | 2014-09-09 | Koninklijke Philips N.V. | LED lighting circuit |
US8866402B2 (en) * | 2010-02-16 | 2014-10-21 | Tai-Her Yang | Current regulator drive circuit shunting current by voltage-dividing load |
US8420415B2 (en) * | 2010-03-02 | 2013-04-16 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a light conversion material |
US8384105B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation |
MX2013005202A (es) * | 2010-03-30 | 2013-11-20 | Changchn Inst Of Applied Chemistry Chinese Academy Of Sciences | Dispositivo de corriente alterna de led blanco. |
TWI455647B (zh) * | 2010-05-19 | 2014-10-01 | Univ Nat Cheng Kung | 發光二極體驅動裝置 |
-
2010
- 2010-03-30 MX MX2013005202A patent/MX2013005202A/es unknown
- 2010-11-09 CN CN2010105379849A patent/CN102074644B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-01 KR KR1020137014540A patent/KR20130125775A/ko active Search and Examination
- 2011-03-01 CA CA2817167A patent/CA2817167C/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-01 SG SG2013036132A patent/SG190239A1/en unknown
- 2011-03-01 EP EP11839740.5A patent/EP2639839B1/en not_active Not-in-force
- 2011-03-01 WO PCT/CN2011/071433 patent/WO2012062065A1/zh active Application Filing
- 2011-03-01 US US13/883,832 patent/US9185761B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-01 JP JP2013538035A patent/JP2014502419A/ja active Pending
- 2011-03-01 AU AU2011328857A patent/AU2011328857B2/en not_active Ceased
- 2011-03-01 CN CN201180053822.0A patent/CN103329289B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-01 RU RU2013125341/28A patent/RU2541425C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-03-01 ES ES11839740.5T patent/ES2622331T3/es active Active
-
2013
- 2013-05-08 ZA ZA2013/03331A patent/ZA201303331B/en unknown
-
2014
- 2014-11-28 RU RU2014148090A patent/RU2014148090A/ru not_active Application Discontinuation
-
2015
- 2015-10-02 US US14/873,937 patent/US20160029454A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-03-02 AU AU2016201343A patent/AU2016201343B2/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2639839A1 (en) | 2013-09-18 |
CN103329289B (zh) | 2017-03-15 |
AU2011328857A1 (en) | 2013-06-27 |
US20160029454A1 (en) | 2016-01-28 |
AU2016201343B2 (en) | 2017-03-30 |
CN102074644A (zh) | 2011-05-25 |
RU2014148090A (ru) | 2016-06-20 |
KR20130125775A (ko) | 2013-11-19 |
SG190239A1 (en) | 2013-07-31 |
RU2014148090A3 (es) | 2018-06-07 |
WO2012062065A1 (zh) | 2012-05-18 |
ZA201303331B (en) | 2014-07-30 |
JP2014502419A (ja) | 2014-01-30 |
EP2639839B1 (en) | 2017-02-22 |
MX2013005202A (es) | 2013-11-20 |
CA2817167A1 (en) | 2012-05-18 |
CN103329289A (zh) | 2013-09-25 |
CN102074644B (zh) | 2012-05-23 |
RU2541425C2 (ru) | 2015-02-10 |
AU2016201343A1 (en) | 2016-03-24 |
US20130221870A1 (en) | 2013-08-29 |
AU2011328857B2 (en) | 2015-12-03 |
RU2013125341A (ru) | 2014-12-20 |
US9185761B2 (en) | 2015-11-10 |
CA2817167C (en) | 2016-09-06 |
EP2639839A4 (en) | 2014-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2622331T3 (es) | Dispositivo luminoso de luz blanca por LED de corriente alterna | |
CN102468413B (zh) | 一种交流led发光装置 | |
JP2009206383A (ja) | Ledモジュール及びそれを備えるled点灯装置 | |
RU2626856C2 (ru) | Фосфор, люминесцентная смесь и люминесцентный материал | |
KR101173783B1 (ko) | 교류 발광 디바이스 | |
CA2792189C (en) | White light emitting diode (led) lighting device driven by pulse current | |
CN201936915U (zh) | 一种led封装结构及其led模组 | |
TWI413748B (zh) | Led照明燈具 |