DE20321614U1 - Licht emittierende Diode - Google Patents
Licht emittierende Diode Download PDFInfo
- Publication number
- DE20321614U1 DE20321614U1 DE20321614U DE20321614U DE20321614U1 DE 20321614 U1 DE20321614 U1 DE 20321614U1 DE 20321614 U DE20321614 U DE 20321614U DE 20321614 U DE20321614 U DE 20321614U DE 20321614 U1 DE20321614 U1 DE 20321614U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- sealant
- substrate
- emitting
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 1,3,2,4$l^{2}-dioxathiaplumbetane 2,2-dioxide Chemical compound [Pb+2].[O-]S([O-])(=O)=O KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical group O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Licht
emittierende Diode, die aufweist:
– ein Substrat;
– ein Paar von Elektroden, die auf dem Substrat vorgesehen sind;
– ein Licht emittierendes Element, das auf dem Substrat angebracht ist und elektrisch mit den Elektroden verbunden ist, und das eine Licht emittierende Oberfläche aufweist;
– ein Dichtmittel, das auf dem Substrat vorgesehen ist, um die Elektroden und das Licht emittierende Element abzudichten; und
– eine Licht streuende Schicht, die auf einer äußersten Oberfläche des Dichtmittels gegenüber der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elements ausgebildet ist; wobei
– die Licht streuende Schicht eine große Anzahl von Licht streuenden Partikeln aufweist, die darin verteilt sind, um von dem Licht emittierenden Element ausgestrahltes Licht zu streuen;
– wobei die Licht streuenden Partikel feine Partikel aus Siliziumdioxid oder Titanoxid aufweisen.
– ein Substrat;
– ein Paar von Elektroden, die auf dem Substrat vorgesehen sind;
– ein Licht emittierendes Element, das auf dem Substrat angebracht ist und elektrisch mit den Elektroden verbunden ist, und das eine Licht emittierende Oberfläche aufweist;
– ein Dichtmittel, das auf dem Substrat vorgesehen ist, um die Elektroden und das Licht emittierende Element abzudichten; und
– eine Licht streuende Schicht, die auf einer äußersten Oberfläche des Dichtmittels gegenüber der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elements ausgebildet ist; wobei
– die Licht streuende Schicht eine große Anzahl von Licht streuenden Partikeln aufweist, die darin verteilt sind, um von dem Licht emittierenden Element ausgestrahltes Licht zu streuen;
– wobei die Licht streuenden Partikel feine Partikel aus Siliziumdioxid oder Titanoxid aufweisen.
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Licht emittierende Diode und insbesondere auf eine Licht emittierende Diode, die die Zerstreuung von Licht verbessert, welches durch ein Licht emittierendes Element erzeugt wird, um eine gleichförmige, helle Beleuchtung in einem großen Winkelbereich zu erzeugen.
- Beschreibung der verwandten Technik
- Ein Beispiel einer bekannten herkömmlichen Licht emittierenden Diode ist in
1 gezeigt (siehejapanische Patentveröffentlichung Nr. 2000-124507 1 weist ein Substrat2 auf, weiter ein Paar von Elektroden3a ,3b , die auf beiden Seiten des Substrates2 gebildet sind, ein Licht emittierendes Element4 , welches auf dem Substrat2 angeordnet ist, Verbindungskabel5 , die elektrisch das Licht emittierende Element4 mit den gepaarten Elektroden3a ,3b verbinden, und ein Harz-Dichtungsmittel6 , welches auf dem Substrat2 vorgesehen ist, um das Licht emittierende Element4 und die Verbindungskabel5 abzudichten. Kleine Licht zerstreuende Partikel sind in dem gesamten Harz-Dichtmittel6 verteilt, um Licht zu zerstreuen und dadurch die Helligkeit des erzeugten Lichtes zu steigern. - Die Licht emittierende Diode
1 , die wie oben beschrieben aufgebaut ist, hat jedoch den folgenden Nachteil. Da die Licht zerstreuenden Partikel7 gleichförmig im gesamten Inneren des Harz-Dichtmittels6 verteilt sind, hat eine Oberseite des Harz-Dichtmittels6 (die Licht projizierende Oberfläche8 ) gegenüberliegend zu einer Licht emittierenden Oberfläche (Oberseite) des Licht emittierenden Elementes4 eine verbesserte Helligkeit, und zwar wegen der Lichtzerstreuung durch die Licht zerstreuenden Partikel7 , während die Seitenflächen9 , des Harz-Dichtmittels6 , die nicht zu der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elementes4 weisen, einen kleinen Lichtzerstreuungseffekt durch die Licht zerstreuenden Partikel7 haben, und daher eine geringe Helligkeit. Es ist daher nicht möglich, eine gleichförmige helle Beleuchtung in einem breiten Winkelbereich zu erzeugen. - Zusammenfassung der Erfindung
- Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Licht emittierende Diode vorzusehen, die die Zerstreuung des Lichtes verbessern kann, die durch ein Licht emittierendes Element erzeugt wird, um die Helligkeit nicht nur an einer Oberseite sondern auch an den Seitenflächen eines Dichtmittels zu verbessern, welches das Licht emittierende Element abdeckt, wodurch eine hohe, gleichförmige Helligkeit in einem breiteren Winkelbereich erzeugt wird.
- Um die obigen Ziele zu erreichen weist eine Licht emittierende Diode der vorliegenden Erfindung Folgendes auf: ein Substrat; ein Paar von Elektroden, die auf dem Substrat vorgesehen sind; ein Licht emittierendes Element, welches auf dem Substrat montiert ist und elektrisch mit den Elektroden verbunden ist; ein Dichtmittel, welches auf dem Substrat vorgesehen ist, um die Elektroden und das Licht emittierende Element abzudichten; und eine Licht zerstreuende Schicht, die auf einer äußersten Schicht von mindestens einer Oberfläche des Dichtmittels ausgebildet ist.
- Da die Licht zerstreuende Schicht auf der äußersten Schicht des Dichtmittels ausgebildet ist, wie oben beschrieben, wird das Licht, welches von dem Licht emittierenden Element erzeugt wird, stark durch die Licht zerstreuende Schicht gebrochen, und die Licht strahlen, die zurück in das Innere des Dichtmittels reflektiert werden, werden ebenfalls innerhalb des Dichtmittels zerstreuen, was somit eine verbesserte Lichtzerstreuungswirkung zur Folge hat. Dies verbessert den Beleuchtungspegel nicht nur an der Oberseite des Dichtmittels sondern auch an seinen Seitenflächen, was somit eine helle, gleichförmige Beleuchtung in einem großen Winkelbereich erzeugt.
- In einem Ausführungsbeispiel wird das Dichtmittel aus einem Harz-Material gebildet, welches transparent ist oder eine Lichtdurchlässigkeit hat, und die Licht zerstreuende Schicht ist aus einem Farbfilm gebildet, der eine große Anzahl von Licht zerstreuenden Partikeln besitzt, die darin verteilt sind, oder aus einem Flächenelement mit einer großen Anzahl von Licht zerstreuenden Partikeln, die darin vermischt sind. Der Farbfilm ist auf der Oberseite des Dichtmittels durch Aufdrucken ausgebildet, und das Flächenelement ist an der Oberseite des Dichtmittels durch Aufkleben bzw. eine Verbindung ausgebildet.
- Die Licht zerstreuenden Partikel, die in der Licht zerstreuenden Schicht verteilt sind, sind feine Partikel aus Siliziumsdioxid oder Titanoxid. Irgend ein erwünschter Beleuchtungspegel kann erreicht werden durch Einstellung eines Durchmessers und einer Menge der feinen Partikel, die zu verteilen sind, und zwar entsprechend der Anwendung der Licht emittierenden Diode.
- Die Licht zerstreuenden Partikel stehen von der Oberfläche der Licht zerstreuenden Lage vor, um irgend welche Vorsprünge und Ausnehmungen in der Oberfläche zu bilden, d. h. die Oberfläche aufzurauhen oder wellig zu machen, um weiter die Lichtzerstreuungswirkung zu verbessern.
- Eine solche Licht zerstreuende Schicht wird beispielsweise auf der Licht projizierenden Oberfläche des Dichtmittels ausgebildet, die der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elementes gegenüber liegt. Mit der Licht zerstreuenden Schicht, die auf der Licht projizierenden Oberfläche des Dichtmittels vorgesehen ist, kann das Licht, welches aus der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elementes ausgestrahlt wurde, effektiv zerstreut und reflektiert werden, was somit eine verbesserte Zerstreuung des Lichtes in einem großen Winkelbereich zur Folge hat.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine Querschnittsansicht einer herkömmlichen Licht emittierenden Diode, die zeigt, wie Licht zerstreut wird. -
2 ist eine perspektivartige Gesamtansicht einer Licht emittierenden Diode der vorliegenden Erfindung. -
3 ist eine Querschnittsansicht der Licht emittierenden Diode, aufgenommen entlang der Linie A-A der2 . -
4 ist eine Querschnittsansicht einer Licht emittierende Diode gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels dieser Erfindung, welches der3 ähnlich ist, jedoch ein Flächenelement besitzt, welches an einer Oberseite des Harz-Dichtmittels gebunden ist. - Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
- Nun werden die Licht emittierenden Dioden, die die vorliegende Erfindung verkörpern, im Detail durch Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
-
2 und3 zeigen ein Ausführungsbeispiel einer Licht emittierenden Diode gemäß dieser Erfindung. Die Licht emittierende Diode21 hat ein Substrat22 , welches aus einem Glas-Epoxyd-Harz oder aus einem BT-Harz (BT = Bismaleimid Triazin) hergestellt ist, weiter ein Paar von Elektroden23a ,23b , die an dem Substrat22 angebracht sind, weiter ein Licht emittierendes Element24 , welches an dem Substrat22 montiert ist, Verbindungskabel25 zur elektrischen Verbindung des Licht emittierenden Elementes24 mit den Elektroden23a ,23b , ein Harz-Dichtmittel26 zur Abdichtung des Licht emittierenden Elementes24 , der Verbindungskabel25 und auch der Verbindungsteil zwischen den Elektroden23a ,23b und den Verbindungskabeln25 , und eine Licht zerstreuende Schicht30 , die auf einer äußersten Schicht des Harz-Dichtmittels26 ausgebildet ist. - Die Elektroden
23a ,23b können auf einem äußeren Substrat montiert sein, wie beispielsweise auf einer nicht gezeigten Hauptplatine. - Das Licht emittierende Element
24 ist beispielsweise aus einem kleinen würfelförmigen Silizium-Chip gebildet. Das Licht emittierende Element24 ist an seiner Unterseite mit dem Substrat22 durch ein isolierendes Verbindungsmittel28 verbunden. Das Licht emittierende Element24 hat ein Paar von Elektroden29a ,29b (Anode und Kathode) die an seiner Oberseite ausgebildet sind. - Eines der Verbindungskabel
25 ist an einem Ende mit der Elektrode29a des Elementes verbunden, und am anderen Ende mit der Elektrode23a auf dem Substrat22 . Das andere Verbindungskabel25 ist an seinem einen Ende mit der Elektrode29b des Elementes verbunden und ist am anderen Ende mit der Elektrode23b auf dem Substrat verbunden. - Das Harz-Dichtmittel
26 ist eine fast würfelförmige Abdeckung auf dem Substrat22 und an dem Licht emittierenden Element24 zentriert. Das Harz-Dichtmittel26 ist aus einem transparenten oder milchweißen Epoxyd-Harz mit einer Lichtdurchlässigkeit gebildet, und kann Licht übertragen, welches von dem Licht emittierenden Element24 erzeugt wird. Das Harz-Dichtmittel26 wird hergestellt durch Gießen eines Harz-Materials in eine Form mit einer erwünschten Form und dann durch Aushärtung davon. - Die Oberseite des Harz-Dichtmittels
26 weist zu der Licht emittierenden Oberfläche (Oberseite) des Licht emittierenden Elementes24 und wirkt als eine Licht projizierende Oberfläche27 . Die Licht projizierende Oberfläche27 wird so gebildet, dass die Licht zerstreuende Schicht30 über ihre gesamte äußere Schicht läuft. Die Licht zerstreuenden Schicht30 auf der Licht projizierenden Oberfläche27 hat eine vorbestimmte Dicke und enthält eine große Anzahl von gleichförmig verteilten Licht zerstreuenden Partikeln7 . - Wie bei den Licht zerstreuenden Partikeln
7 können in vorteilhafterweise feine Partikel von Materialien mit hoher Reflektivität verwendet werden, wie beispielsweise Silizium Dioxid (SiO2) und Titan Dioxid (TiO2). Die Größe der einzelnen Licht zerstreuenden Partikel7 kann auf ungefähr einen Mikrometer im durchschnittlichen Durchmesser bezüglich des Reflektionseffektes und der einfachen Handhabung eingestellt werden, obwohl dies nicht auf irgend einen speziellen Wert eingeschränkt ist. - Ein Verfahren zum Formen der Licht zerstreuenden Schicht
30 kann beispielsweise sein, die Licht projizierende Oberfläche27 des Harz-Dichtmittels26 mit einer Farbe zu bedrucken, in eine entsprechende Menge von Licht zerstreuenden Partikeln7 in einem Farbmaterial verteilt aufweist und dann die gedruckte Schicht auszuhärten. Dieses Verfahren gestattet, dass die Licht zerstreuende Schicht30 leicht gebildet wird und ihre Dicke leicht eingestellt wird. Die Lichtzerstreuung wird durch den Durchmesser und durch die Menge der Licht zerstreuenden Partikel7 bestimmt, die in das Farbmaterial gemischt sind. Das heißt, die Licht zerstreuende Wirkung wird verbessert durch Vergrößerung der Dichte der eingemischten Licht zerstreuenden Partikel7 . Jedoch haben zu viele der Licht zerstreuenden Partikel7 einer Verringerung der Durchlässigkeit des Harz-Dichtmittels26 zur Folge und somit muss ein entsprechender Ausgleich in Betracht gezogen werden. Die Dicke der Licht zerstreuenden Schicht30 wird durch eine Dicke des aufgedruckten Films bestimmt. Obwohl dieses nicht auf irgend einen speziellen Wert eingeschränkt ist, kann die Dicke der Licht zerstreuenden Schicht30 vorzugsweise auf 10–20% der Gesamtdicke des Harz-Dichtmittels26 eingestellt werden, wobei in diesem Fall die Lichtzerstreuung am effektivsten ist. - Das Farbmaterial kann eine Epoxydharz-Farbe verwenden, die transparent ist oder eine Lichtdurchlässigkeit hat. Wenn die Licht zerstreuende Schicht
30 , wie oben beschrieben, aufgedruckt wurde, wird die Oberseite der Licht zerstreuenden Schicht30 durch die vorstehenden Licht zerstreuenden Partikel7 wellig gemacht, wie in2 und3 gezeigt. Wenn daher das Licht, welches von dem Licht emittierenden Element24 ausgesandt wurde, durch das Harz-Dichtmittel26 läuft und aus der Licht projizierenden Oberfläche27 rausgeht, wird es stark und zufällig gebrochen und an der welligen Oberfläche reflektiert, was weiter das Licht zerstreut und die Helligkeit steigert. - Als Nächstes wird die Beleuchtungswirkung der Licht emittierenden Diode
21 der obigen Konstruktion durch Bezugnahme auf3 erklärt. - Bei dieser Licht emittierenden Diode
21 wird das Licht emittierende Element24 erregt, um Licht zu erzeugen, wenn ein elektrischer Strom an die Elektroden23a ,23b angelegt wird, die an dem Substrat22 angebracht sind. Die meisten Lichtstrahlen, die so erzeugt werden, laufen zu der Oberseite des Harz-Dichtmittels26 , d. h. zu der Licht projizierenden Oberfläche27 , die der Licht emittierenden Oberfläche (Oberseite) des Licht emittierenden Elementes24 gegenüber liegt, und wird von der Licht zerstreuenden Schicht30 gebrochen oder reflektiert, die auf der Licht projizierenden Oberfläche27 ausgebildet ist. Die gebrochenen oder reflektierten Strahlen werden nach außen zerstreut oder werden in die Innenseite des Harz-Dichtmittels26 zurück reflektiert. Die Strahlen, die zurück in die Innenseite des Harz-Dichtmittels26 reflektiert werden, werden darin zerstreut, bis sie aus dem Harz-Dichtmittel26 herausgehen, und zwar hauptsächlich von den Seitenflächen33 davon. Reflektierte Strahlen gehen auch oft aus den Seitenflächen33 des Harz-Dichtmittels26 heraus, nachdem sie weiter von der Oberseite des Substrates22 reflektiert wurden. Da wiederholte unregelmäßige Reflexionen von Licht innerhalb des Harz-Dichtmittels26 oder von der Oberseite des Substrates22 , wie oben beschrieben, die Zerstreuung des Lichtes innerhalb des Harz-Dichtmittels26 einleiten. Dies wiederum steigert die Menge des Lichtes, die von den Seitenflächen33 des Harz-Dichtmittels26 abgegeben wird, was die Helligkeit an den Seitenflächen33 verbessert. Gleichzeitig nimmt die Menge der zerstreuten Strahlen zu, die aus der Licht projizierenden Oberfläche27 des Harz-Dichtmittels26 kommen, und verbessert dadurch die Helligkeit an der Oberseite. Als eine Folge verbessert sich die Helligkeit der Licht emittierenden Diode21 insgesamt und sieht eine gleichförmige Beleuchtung in einem großen Winkelbereich vor. -
4 zeigt eine beispielhafte Konstruktion, bei der die Licht zerstreuende Schicht30 durch Aufkleben bzw. Anbindung eines Flächenelementes32 gebildet wird. Bei einer Licht emittierenden Diode31 dieses Ausführungsbeispiels wird das Flächenelement32 , in welches die Licht zerstreuenden Partikel7 gemischt sind, mit der Licht projizierenden Oberfläche27 des Harz-Dichtmittels26 verbunden, welches das Licht emittierende Element24 abdeckt. Das Flächenelement32 wird vorzugsweise aus einem Epoxydharz gebildet, welches transparent ist oder eine Lichtdurchlässigkeit hat, und zwar das gleiche Material, welches für das Harz-Dichtmittel26 verwendet wird. Das Flächenelement32 wird hergestellt durch Vermischung einer entsprechenden Menge von feinen Partikeln aus Silizium-Dioxid (SiO2) oder Titan-Oxid (TiO2) in einem Harzmaterial. Die Licht zerstreuende Wirkung des Flächenelementes32 variiert abhängig von der Dicke des Flächenelementes und von dem Gehalt an Licht zerstreuenden Partikeln7 . Die Dicke des Flächenelementes und der Gehalt der Licht zerstreuenden Partikel kann auf einen erwünschten Wert eingestellt werden. - Die Licht zerstreuende Schicht
30 kann beispielsweise einfach durch Verbindung bzw. Ankleben mit einem transparanten Klebemittel an der Unterseite des Flächenelementes32 an die Licht projizierende Oberfläche27 des Harz-Dichtmittels26 gebildet werden, welches auf dem Substrat22 vorgesehen wird. Wie bei der Licht zerstreuenden Schicht30 , die in2 und in3 gezeigt wird, können die Licht zerstreuenden Partikel7 geringfügig von der Oberseite des Flächenelementes32 vorstehen, um die Oberfläche des Flächenelementes wellig zu machen, was somit eine effektive Lichtzerstreuungswirkung sicherstellt. - Es gibt andere Verfahren wie jene, die in den
2 bis4 gezeigt wurden. Beispielsweise kann eine Schicht aus Licht zerstreuenden Partikeln7 auf einer Unterseite einer Form ausgelegt werden, die verwendet wird, um das Harz-Dichtmittel26 vor dem Gießen zu formen. Das Formen des Harz-Dichtmittels26 wird automatisch die Licht zerstreuende Schicht30 bilden. Bei der Licht emittierenden Diode, die in dieser Weise hergestellt wurde, ist die Licht zerstreuenden Schicht30 integral mit dem Harz-Dichtmittel26 ausgebildet, so dass die Licht zerstreuenden Schicht30 nicht abgeschält wird oder verschoben wird, auch wenn sie äußeren Stößen oder Temperaturveränderungen unterworfen wird. Es ist daher möglich, die Qualität der Licht emittierenden Diode für eine lange Zeitperiode aufrecht zu erhalten. - Während bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen die Licht zerstreuende Schicht
30 so gezeigt wurde, dass sie auf der Licht projizierenden Oberfläche27 vorgesehen wurde, nämlich der Oberseite des Harz-Dichtmittels26 , ist es auch möglich, eine ähnliche Licht zerstreuende Schicht auf den Seitenflächen des Harz-Dichtmittels26 vorzusehen. Wenn weiterhin die Licht projizierende Oberfläche an den Seitenflächen des Harz-Dichtmittels26 gelegen ist, kann die Licht zerstreuende Schicht nur auf jenen Seitenflächen vorgesehen werden. - Weiterhin ist das Harz-Dichtmittel
26 nicht auf eine würfelförmige Formen eingeschränkt sondern kann irgend eine erwünschte Formen annehmen, solange diese das Licht emittierende Element24 und seine assoziierten Teile abdecken kann. - Wie oben beschrieben, wird das Licht, welches von dem Licht emittierenden Element erzeugt wird, bei der Licht emittierenden Diode dieser Erfindung stark durch die Licht zerstreuende Schicht gebrochen und in einem großen Winkelbereich zerstreut, da die Licht zerstreuende Schicht auf der äußersten Lage des Harz-Dichtmittels ausgebildet ist, welches das Licht emittierende Element abgedichtet, und gleichzeitig werden Strahlen zurück in das innere des Harz-Dichtmittels reflektiert und darin zerstreut. Diese effektiven Lichtzerstreuungswirkungen verbessern eine Helligkeit nicht nur an der Oberseite des Harz-Dichtmittels sondern auch an seinen Seitenflächen, was wiederum einen gesamten Beleuchtungspegel der Licht emittierenden Diode in einem großen Winkelbereich verbessert und die Helligkeit gleichförmig macht.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - JP 2000-124507 [0002]
Claims (7)
- Licht emittierende Diode, die aufweist: – ein Substrat; – ein Paar von Elektroden, die auf dem Substrat vorgesehen sind; – ein Licht emittierendes Element, das auf dem Substrat angebracht ist und elektrisch mit den Elektroden verbunden ist, und das eine Licht emittierende Oberfläche aufweist; – ein Dichtmittel, das auf dem Substrat vorgesehen ist, um die Elektroden und das Licht emittierende Element abzudichten; und – eine Licht streuende Schicht, die auf einer äußersten Oberfläche des Dichtmittels gegenüber der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elements ausgebildet ist; wobei – die Licht streuende Schicht eine große Anzahl von Licht streuenden Partikeln aufweist, die darin verteilt sind, um von dem Licht emittierenden Element ausgestrahltes Licht zu streuen; – wobei die Licht streuenden Partikel feine Partikel aus Siliziumdioxid oder Titanoxid aufweisen.
- Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei das Dichtmittel aus einem Harz-Material gebildet wird, welches transparent oder lichtdurchlässig ist.
- Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Licht streuende Schicht ein Farbfilm ist, der durch Aufdrucken einer mit Licht streuenden Partikeln vermischten Farbe auf die Oberfläche des Dichtmittels gebildet ist.
- Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Licht streuende Schicht ein Flächenelement ist, welches mit der Oberfläche des Dichtmittels verklebt ist, und wobei in das Flächenelement Licht streuende Partikel eingemischt sind.
- Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Licht streuende Schicht eine durch eine große Anzahl von vorstehenden, Licht streuenden Partikeln aufgeraute oder gewellte Oberfläche aufweist.
- Licht emittierende Diode, die aufweist: – ein Substrat; – ein Paar von Elektroden, die auf dem Substrat vorgesehen sind; – ein Licht emittierendes Element, das auf dem Substrat angebracht ist und elektrisch mit den Elektroden verbunden ist, und das eine Licht emittierende Oberfläche aufweist, die in eine erste Richtung weist; and – ein transparentes oder lichtdurchlässiges Dichtmittel, das auf dem Substrat vorgesehen ist, und das die Elektroden und das Licht emittierende Element abdichtet; wobei – das Dichtmittel eine Licht streuende Schicht auf Oberflächen des Dichtmittels aufweist; – wobei die Licht streuende Schicht eine große Anzahl von Licht streuenden Partikeln aufweist, die darin verteilt sind, und weitere streuende Partikel an einer oberen Fläche des transparenten oder lichtdurchlässigen Dichtmittels angeordnet sind, das Licht, das in der ersten Richtung von dem Licht emittierenden Element ausgestrahlt wird, an anderen Oberflächen des Dichtmittels erhält; – wobei die Licht streuenden Partikel feine Partikel aus Siliziumdioxid oder Titanoxid aufweisen.
- Licht emittierende Diode, die aufweist: – ein Substrat; – ein Paar von Elektroden, die auf dem Substrat vorgesehen sind; – ein Licht emittierendes Element, das auf dem Substrat angebracht ist und elektrisch mit den Elektroden verbunden ist, und das eine Licht emittierende Oberfläche aufweist; – ein transparentes oder lichtdurchlässiges Dichtmittel, das auf dem Substrat vorgesehen ist, und das die Elektroden und das Licht emittierende Element abdichtet; – eine Licht streuende Schicht, die auf einer äußersten Oberfläche des Dichtmittels gegenüber der Licht emittierenden Oberfläche des Licht emittierenden Elements ausgebildet ist, wobei andere Oberflächen des Dichtmittels im wesentlichen frei von der Licht streuenden Schicht sind; wobei – die Licht streuende Schicht eine große Anzahl von Licht streuenden Partikeln aufweist, die darin verteilt sind, um von dem Licht emittierenden Element emittiertes Licht zu streuen; – wobei die Licht streuenden Partikel feine Partikel aus Siliziumdioxid oder Titanoxid aufweisen.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002103237A JP2003298115A (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | 発光ダイオード |
JP2002-103237 | 2002-04-05 | ||
DE10314468A DE10314468A1 (de) | 2002-04-05 | 2003-03-31 | Licht emittierende Diode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE20321614U1 true DE20321614U1 (de) | 2008-06-12 |
Family
ID=39510145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20321614U Expired - Lifetime DE20321614U1 (de) | 2002-04-05 | 2003-03-31 | Licht emittierende Diode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE20321614U1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2308103A2 (de) * | 2008-06-26 | 2011-04-13 | 3M Innovative Properties Company | Lichtumwandlungskonstruktion |
WO2011134727A1 (de) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
EP2639839A1 (de) * | 2010-11-09 | 2013-09-18 | Sichuan Sunfor Light Co., Ltd. | Wechselstrom-led-weisslichtvorrichtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124507A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
-
2003
- 2003-03-31 DE DE20321614U patent/DE20321614U1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124507A (ja) | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2308103A2 (de) * | 2008-06-26 | 2011-04-13 | 3M Innovative Properties Company | Lichtumwandlungskonstruktion |
EP2308103A4 (de) * | 2008-06-26 | 2014-04-30 | 3M Innovative Properties Co | Lichtumwandlungskonstruktion |
WO2011134727A1 (de) * | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
US8965148B2 (en) | 2010-04-27 | 2015-02-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
EP2639839A1 (de) * | 2010-11-09 | 2013-09-18 | Sichuan Sunfor Light Co., Ltd. | Wechselstrom-led-weisslichtvorrichtung |
EP2639839A4 (de) * | 2010-11-09 | 2014-09-03 | Sichuan Sunfor Light Co Ltd | Wechselstrom-led-weisslichtvorrichtung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10314468A1 (de) | Licht emittierende Diode | |
DE102004052902B4 (de) | Aufbau zur Unterbringung eines lichtemittierenden Elements, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung | |
EP2130072B1 (de) | Anordnung mit einem halbleiterchip und einer lichtleiterschicht | |
DE102017115274A1 (de) | Beleuchtungsvorrichtung | |
DE102005036742A1 (de) | Led-Lampe | |
DE3528718A1 (de) | Lichtstreueinrichtung | |
DE202010017509U1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem | |
DE102018213317B4 (de) | Lichtleiter und Fahrzeugleuchte | |
DE102008050693A1 (de) | Lampenbefestigung mit einer Effizienz-optimierten optischen Reflexionskonstruktion | |
EP2561270A1 (de) | Flächenlichtquelle | |
DE102017111706A1 (de) | Lichtemissionsvorrichtung | |
EP2561388A2 (de) | Flächenlichtleiter und leuchte | |
DE102013109890A1 (de) | Flexibles LED-Lichtquellenmodul | |
WO2009076939A2 (de) | Polarisierte strahlung emittierendes halbleiterbauelement | |
DE112017004597B4 (de) | Licht-emittierendes Modul mit Quantenstruktur | |
DE102007006348A1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement | |
DE20321614U1 (de) | Licht emittierende Diode | |
DE102015206797A1 (de) | Leuchtmittel mit LEDs | |
DE202013101400U1 (de) | Anordnung zum Konvertieren des von einer LED-Lichtquelle emittierten Lichts | |
WO2014180460A1 (de) | Beleuchtungsanordnung | |
WO2020200753A1 (de) | Beleuchtungsvorrichtung für fahrzeuge | |
DE10032839A1 (de) | Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE202008003752U1 (de) | LED-Element | |
DE102015225602A1 (de) | Verbesserter Flachlampenaufbau | |
EP3853518A1 (de) | Lichtmodul, insbesondere zur verwendung in einer beleuchtungsvorrichtung für ein kraftfahrzeug |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20080717 |
|
R150 | Term of protection extended to 6 years |
Effective date: 20080709 |
|
R151 | Term of protection extended to 8 years |
Effective date: 20090414 |
|
R152 | Term of protection extended to 10 years | ||
R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |