ES2291239T3 - Circuito de proteccion de estado solido para aparatos electricos. - Google Patents

Circuito de proteccion de estado solido para aparatos electricos. Download PDF

Info

Publication number
ES2291239T3
ES2291239T3 ES01109766T ES01109766T ES2291239T3 ES 2291239 T3 ES2291239 T3 ES 2291239T3 ES 01109766 T ES01109766 T ES 01109766T ES 01109766 T ES01109766 T ES 01109766T ES 2291239 T3 ES2291239 T3 ES 2291239T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
current
threshold
semiconductor switch
signal
magnitude
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES01109766T
Other languages
English (en)
Inventor
Jerome K. Hastings
Karen Sjaarda Bland
James E. Hansen
Scott A. Reid
David J. Gritter
Edward L. Wellner
Engelbert Hetzmannseder
William E. Berkopec
Birger Pahl
Thomas E. Strunsee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eaton Corp
Original Assignee
Eaton Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eaton Corp filed Critical Eaton Corp
Application granted granted Critical
Publication of ES2291239T3 publication Critical patent/ES2291239T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/093Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current with timing means
    • H02H3/0935Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current with timing means the timing being determined by numerical means
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H1/00Details of emergency protective circuit arrangements
    • H02H1/04Arrangements for preventing response to transient abnormal conditions, e.g. to lightning or to short duration over voltage or oscillations; Damping the influence of dc component by short circuits in ac networks
    • H02H1/043Arrangements for preventing response to transient abnormal conditions, e.g. to lightning or to short duration over voltage or oscillations; Damping the influence of dc component by short circuits in ac networks to inrush currents

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

Aparato (10) para la protección de una carga eléctrica (14) contra una corriente excesiva, aparato el cual comprende: un conmutador semiconductor (18) para conectar la carga eléctrica a una fuente de corriente (12) y provisto de una entrada de control; un sensor de corriente (24) acoplado al conmutador semiconductor (18) y que produce una señal del sensor indicativa de la magnitud de la corriente que fluye a la carga eléctrica (14); y un circuito de control (26) conectado al sensor de corriente (24) y al conmutador semiconductor (18) y que responde a la señal del sensor produciendo una señal de control que se aplica a la entrada de control, caracterizado porque: el circuito de control dispone de un primer modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es inferior a un primer umbral en el que el conmutador semiconductor (18) se mantiene en un estado conductor continuo, un segundo modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es mayor que el primer umbral e inferior que un segundo umbral en el que el conmutador semiconductor (18) se hace no conductor después de un período de tiempo previamente definido, y un tercer modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es mayor que el segundo umbral en el que el conmutador semiconductor (18) es impulsado alternativamente para que sea conductor y no conductor para limitar la corriente a través de la carga (14) para que sea inferior al segundo umbral.

Description

Circuito de protección de estado sólido para aparatos eléctricos.
Antecedentes de la invención
La presente invención se refiere a mecanismos que protegen los equipos de daños debidos a fallos eléctricos y a cortocircuitos y particularmente a aquellos dispositivos los cuales supervisan electrónicamente el comportamiento de los equipos eléctricos y adoptan una acción protectora en el caso de un fallo, un cortocircuito o una sobrecarga.
Es importante que los aparatos eléctricos estén protegidos de daños cuando concurran fallos eléctricos. Por ejemplo, los fusibles convencionales y los disruptores de circuitos electromecánicos se utilizan comúnmente para desconectar equipos de una fuente de suministro eléctrico al detectar una corriente excesiva cuando ocurre un cortocircuito. Sin embargo, estos dispositivos de protección convencionales son relativamente lentos en la desconexión del flujo de corriente al aparato que está siendo protegido. Como consecuencia, suficiente corriente eléctrica excesiva puede fluir en el interior del equipo causando daños durante un fallo.
Adicionalmente, diversos aparatos eléctricos requieren diferentes características de respuesta para el dispositivo de protección. Por ejemplo, los equipos electrónicos pueden extraer un nivel de corriente sustancialmente constante de desde el arranque inicial a través de una interrupción normal y ser muy intolerantes a niveles de corriente excesivos incluso de corta duración. El dispositivo de protección para un equipo de este tipo tiene que responder muy rápidamente incluso en condiciones de sobrecorriente relativamente pequeñas. Otros tipos de equipos eléctricos extraen grandes niveles de corriente instantánea en ciertos momentos, tal como por ejemplo en el arranque, en comparación con el nivel de corriente extraído durante el resto de su funcionamiento. Por lo tanto, un dispositivo de protección de un circuito que responde demasiado rápidamente a una condición de alta corriente puede desconectar la corriente inadvertidamente al equipo durante acontecimientos que ocurren normalmente. Como consecuencia, el dispositivo de protección para este tipo de equipo debe responder de una manera que tolere breves corrientes elevadas. La manera en la cual un dispositivo de protección responde a sobrecorrientes es referida como la característica de respuesta de desconexión o curva de desconexión y se tiene que acoplar al tipo particular de aparato eléctrico que va a
ser protegido.
Esto normalmente significa que un fabricante de dispositivos de protección debe diseñar, fabricar y almacenar en inventario, una gran variedad de dispositivos de protección que tengan diferentes características de respuesta de desconexión en términos de nivel de la corriente y duración. Por lo tanto, es deseable proporcionar una configuración básica de un dispositivo de protección la cual pueda ser adaptada fácilmente con diferentes características de respuesta de desconexión.
En el documento US-A-5 216 352 se expone un procedimiento y un aparato para la protección de una carga eléctrica contra una corriente excesiva como se define en las partes precaracterizantes de las reivindicaciones 1 y 13. En este aparato, el circuito de control, en respuesta a señales desde el sensor de corriente, genera periódicamente una señal de interrupción para interrumpir la trayectoria de corriente entre la fuente y la carga durante intervalos prescritos de tal forma que la corriente recibida por la carga está controlada entre niveles de corriente máximo y mínimo prescritos.
Resumen de la invención
La invención es un aparato para la protección de una carga eléctrica contra una corriente excesiva como se define en las reivindicaciones 1 y un procedimiento para la protección de una carga eléctrica contra una magnitud excesiva de corriente como se define en la reivindicación 13.
El aparato para la protección de una carga eléctrica contra una corriente excesiva utiliza un conmutador semiconductor para conectar la carga eléctrica a una fuente de corriente. Un sensor de corriente está acoplado en serie con el conmutador semiconductor y producir una señal del sensor que indica la magnitud de la corriente que fluye a la carga eléctrica.
Un circuito de control está conectado al sensor de corriente y al conmutador semiconductor. El circuito de control responde a la señal del sensor produciendo una señal de control la cual se aplica a una entrada de control del conmutador semiconductor. En un primer modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es inferior a un primer umbral, el circuito de control mantiene el conmutador semiconductor en un estado conductor continuo. Cuando la magnitud de la corriente es mayor que el primer umbral e inferior a un segundo umbral, el circuito de control en un segundo modo de funcionamiento hace que el conmutador semiconductor sea no conductor después de un período de tiempo previamente definido. En un tercer modo de funcionamiento, cuando la magnitud de la corriente es mayor que el segundo umbral, el conmutador semiconductor es impulsado alternativamente para que sea conductor y no conductor por el circuito de control para aplicar una corriente promedio a través de la carga que esté dentro de un nivel aceptable en el cual no ocurran daños.
Breve descripción de los dibujos
La figura 1 es un diagrama de bloques de un protector de circuitos de estado sólido según la presente invención;
la figura 2 ilustra los detalles de un circuito de desconexión instantánea en el protector; y
la figura 3 es un gráfico de una característica de respuesta de desconexión ejemplar del protector de circuitos de estado sólido.
Descripción detallada de la invención
Con referencia inicial a la figura 1, un protector de circuitos de estado sólido 10 controla la aplicación de una corriente continua a una carga eléctrica 14, representada como un condensador en paralelo con una resistencia. El protector de circuitos de estado sólido 10 tiene un terminal de tensión positivo 12 el cual está conectado a la fuente eléctrica para proporcionar energía a una carga 14. La corriente fluye desde el terminal de tensión positiva a la carga a través de un fusible de seguridad 16, un conmutador semiconductor 18 y un inductor 20 hasta un terminal de carga 22. La carga está conectada entre el terminal de carga 22 y el lado negativo de suministro de tensión, representado como tierra.
El fusible de seguridad 16 es un dispositivo convencional con un conductor el cual se calienta y por último se rompe cuando fluye una corriente excesiva durante un período de tiempo determinado. Pueden utilizarse dispositivos normales, tales como los fusibles encapsulados en un tubo de vidrio o una traza apropiada sobre una tarjeta de circuito impreso, como el fusible de seguridad 16. El fusible de seguridad 16 proporciona una protección redundante en el caso en el que el conmutador semiconductor 18 falle en el estado conductor o al fallar los circuitos electrónicos que controlan el conmutador semiconductor. Como se comprenderá, el tiempo de respuesta de desconexión del fusible de seguridad es considerablemente más lento que la característica de respuesta de desconexión de la protección del circuito electrónico.
El conmutador semiconductor 18 debe ser capaz de interrumpir la corriente de carga y manejar corrientes transitorias, sobrecorrientes y de entrada a una gama de tensión funcional especifica como lo indica la carga particular 14 que se tiene que controlar. Un transistor de efecto de campo de n canales (FET - Field-Effect Transistor), tal como por ejemplo el modelo IRF 1404 de International Rectifier de El Segundo, CA 90245 USA, puede ser utilizado como el conmutador semiconductor 18. La resistencia del canal en el estado conductor tiene que ser relativamente baja para minimizar la caída de tensión a través del FET y la disipación de calor. Aunque la forma de realización preferida utiliza el conmutador semiconductor 18 entre el terminal de tensión positiva 12 y la carga 14, alternativamente el conmutador se puede colocar en el lado de tierra de la carga. Sin embargo, esta aproximación alternativa tiene la desventaja de que un fallo desde la carga a tierra quedará desprotegido.
Un sensor de tensión 28 produce una señal analógica la cual indica el nivel de la tensión en el terminal de la carga. La señal analógica se aplica a una entrada analógica de un microcontrol 26. Como se describirá, el microcontrol 26 responde a una indicación desde el sensor 28 de que la tensión a través de la carga 14 es demasiado baja desconectando el conmutador semiconductor 18.
Está previsto un sensor de corriente 24 para detectar el nivel de corriente que fluye entre el terminal de tensión positiva 12 y la carga 14. Este sensor debe tener una gama dinámica que sea suficientemente grande como para cubrir los extremos de la corriente para la característica de respuesta de desconexión deseada del dispositivo de protección y tener una respuesta transitoria que sea suficientemente rápida como para implantar la característica de respuesta de desconexión deseada. El sensor de corriente 24 puede ser un sensor de efecto Hall que produzca una tensión de salida indicativa de la magnitud de la corriente de corriente continua y una tensión de salida que pueda ser aplicada a través de la línea 31 directamente a una entrada analógica de un microcontrol 26. Otros tipos de sensores de corriente convencionales, tales como una resistencia de derivación, pueden ser utilizados para proporcionar una indicación de la magnitud de la corriente al microcontrol 26.
El microcontrol 26 se basa en un microprocesador e incluye un convertidor interno analógico a digital con una entrada multiplexada para señales desde los sensores de corriente y de tensión. Circuitos digitales de entrada/salida del microcontrol manejan señales para otros componentes del protector de circuitos de estado sólido 10. Por ejemplo, un panel de control del usuario 25 tiene un teclado 27 y emisores de luz 29, tales como diodos de emisión de luz (LED - Light-emitting diode). El teclado 27 tiene conmutadores de contacto momentáneo separados que suministran señales de entrada al microcontrol 26 para conectar y desconectar manualmente el protector de circuitos de estado sólido 10, así como restablecer la condición de desconexión. Los emisores de luz 29 son practicados a por señales desde el microcontrol para indicar los estados funcionales del protector del circuito. Uno de estos emisores de luz 29 indica cuándo se desconecta el protector de circuitos 10. El microcontrol 26 tiene también una memoria interna no volátil la cual almacena un programa de software que define la función de protección y el cual almacena datos, tales como la característica de respuesta de desconexión, para ser utilizados por el programa de software. El microcontrol 26 y el panel de control 25 ocasionalmente pueden controlar polos adicionales de un protector de circuitos como se indica mediante un segundo polo 11 dibujado en líneas de trazos.
\newpage
El microcontrol 26 acciona el conmutador semiconductor 18 a través de un circuito de desconexión 26 que genera una tensión de accionamiento la cual es adecuada para controlar el FET 19 en la forma de realización preferida del conmutador semiconductor 18. Puesto que la tensión que acciona la puerta de un FET de n canales 19 tiene que ser aproximadamente diez voltios mayor que la tensión en el electrodo de la fuente del FET, el circuito de desconexión 36 incluye a una bomba de carta o un circuito similar para generar una tensión mayor que aquella que se encuentra en el terminal de entrada positivo 12.
La figura 2 ilustra los detalles del circuito de desconexión 36 en el que la señal de salida I_{DETECTADA} en la línea 31 desde el sensor de corriente 24 se aplica a un primer comparador de la tensión 40. El nivel de la corriente detectada I_{DETECTADA} se compara con un segundo umbral I_{TH2} el cual es producido en la línea de salida analógica 37 del microcontrol 26. Un valor fijo para el segundo umbral I_{TH2} se programa dentro del microcontrol 26 dependiendo de la tolerancia a la sobrecorriente de la carga especifica 14. El resultado de esa comparación en la salida del primer comparador 40 se aplica a la entrada de RESTABLECER de un biestable 42. La entrada de restablecer también está conectada a una tensión de suministro positiva V^{+} mediante una resistencia de activación 44.
La entrada de AJUSTE del biestable 42 se conecta a la salida de una puerta NO-Y de entrada dual 46, que tiene ambas entradas ligadas juntas para funcionar como un inversor. Las entradas de la primera puerta NO-Y 46 están conectadas a una línea de salida digital 33 desde el microcontrol 26 la cual transporta una señal impulsada a una frecuencia fijada en más de 15 kilohercios, específicamente en la gama de 20-30 kilohercios y preferiblemente a 25 kilohercios. La señal impulsada tiene un sitio de trabajo fijo formando de ese modo un tren de impulsos de amplitud constante. Como se describirá más adelante en este documento, el tren de impulsos ajusta periódicamente la salida del biestable la cual está ligada a una entrada de una segunda puerta NO-Y 48 que tiene tres entradas. Otra entrada de la segunda puerta NO-Y 48 recibe una señal de CONEXIÓN en otra línea de salida digital 33 desde el microcontrol 26. El hecho de que la señal de CONEXIÓN sea activa o inactiva está determinado por el funcionamiento manual de los conmutadores en el teclado 27 del panel de control 25.
La tercera entrada de la segunda puerta NO-Y 48 recibe una señal de salida desde un mecanismo de desconexión instantánea formado por un segundo comparador de la tensión 50 y un segundo biestable 51.
Específicamente, el segundo comparador 50 compara la señal de salida del sensor de corriente I_{DETECTADA} con un tercer umbral I_{TH3}. El tercer umbral de corriente I_{TH3} es generado en otra línea de salida analógica 38 por el microcontrol 26 y está definido por un valor fijo programado dentro del circuito de protección de estado sólido 10. El tercer umbral de corriente I_{TH3} es mayor que el segundo umbral de corriente I_{TH2}. La relación precisa entre esos dos umbrales de corriente se hará evidente a partir de la descripción que sigue a continuación del funcionamiento del circuito de protección contra la corriente de estado sólido. Los umbrales de corriente segundo y tercero I_{TH2} y I_{TH3}, en lugar de ser programables, se pueden ajustar mediante divisiones de la tensión convencionales en las entradas de los comparadores respectivos 40 y 50. La salida del segundo comparador 50 está bloqueada por el segundo biestable 51 con una salida conectada a otra entrada de la segunda puerta NO-Y 48. La entrada de ajuste del segundo comparador 50 está conectada a la línea de salida de RESTABLECER 35 del microcontrol 26.
Los componentes del circuito de desconexión 36 descrito anteriormente en este documento, proporcionan señales de entrada a la segunda puerta NO-Y 48. La salida de esa puerta es alimentada a través de una tercera puerta NO-Y 52 la cual está conectada como un inversor. La señal que emana de la tercera puerta NO-Y 52 está acoplada por una resistencia 56 a un circuito de aislamiento 54, tal como por ejemplo un optoaislante normal. El circuito de aislamiento 54 produce una salida en la línea 58 que se aplica a una entrada de un circuito excitador de puerta FET convencional 60. Una bomba de carga 62 proporciona un nivel de tensión que el excitador de puerta FET 60 utiliza para desviar la puerta del FET 19 a través de la línea 39.
El funcionamiento del protector de circuitos de estado sólido 10, en la figura 1, comienza con el operario presionando un conmutador apropiado sobre el teclado 27. El microcontrol 26 responde a esta activación del conmutador aplicando un alto nivel, o señal de CONEXIÓN activa, a través de la línea 34 a la segunda puerta NO-Y 48. En este momento, el microcontrol 26 empieza también a producir un tren de impulsos sobre la línea de salida digital 33 conectada a la primera puerta NO-Y 46. Un nivel lógico alto de ese tren de impulsos causa que la salida del primer biestable 42 se haga alta, aplicando otro nivel alto a la otra entrada de la segunda puerta NO-Y 48.
Durante el funcionamiento normal de la carga 14, la señal de salida I_{DETECTADA} desde el sensor de corriente 24 es inferior al tercer umbral I_{TH3}. Como consecuencia, el segundo comparador de tensión 50 produce un nivel lógico alto en la tercera entrada de la segunda puerta NO-Y 48. De ese modo la segunda puerta NO-Y 48 produce una señal de salida de bajo nivel que, a la inversión por la tercera puerta NO-Y 52 y la conducción a través del aislante 54, activa el excitador de puerta FET 60. Esto causa que el excitador de puerta 60 desvíe la puerta del FET 19 a un estado conductor, aplicando de ese modo corriente desde el terminal de tensión positiva 12 a través del inductor 20 a la carga 14.
El nivel de corriente a través del conmutador semiconductor 18 crece rápidamente y excede pronto el segundo umbral I_{TH2}. En ese momento, la salida del primer comparador 40 se hace baja reajustando el biestable 42 y causando que la segunda puerta NO-Y 48 cambie los estados de salida. Esto da como resultado que el excitador de puerta FET 60 haga no conductor al conmutador semiconductor 18. La energía almacenada en el inductor 20 produce una corriente de decaimiento que fluye a través de la carga 14 y el diodo de retroceso 21.
Cuando ocurre el siguiente impulso positivo en el tren de impulsos sobre la línea 33 hacia la primera puerta NO-Y 46, el biestable 42 se AJUSTARÁ para producir otra salida lógica de nivel alto la cual conecta otra vez el excitador de puerta FET 60 y el conmutador semiconductor 18. Este ciclo de conexión-desconexión del conmutador semiconductor continúa troceando la corriente de al régimen de velocidad de la señal sobre la línea 33 hasta que el condensador en la carga 14 se carga adecuadamente, momento en el cual la corriente de la carga se hace sustancialmente constante a un nivel inferior al segundo umbral I_{TH2}. Por lo tanto, la corriente de la carga durante el arranque está limitada para que sea inferior al segundo umbral I_{TH2} mientras todavía se aplica corriente para iniciar la operación de carga. Una vez que las excursiones de la corriente a través del conmutador semiconductor 18 caen por debajo de este umbral, el biestable 42 deja de ser restablecido y el excitador de puerta FET 60 mantiene el conmutador semiconductor 18 en un estado conductor. Ese estado conductor continúa durante todo el tiempo en el que la carga 14 funciona normalmente.
Si existe un fallo con la carga durante el arranque, la corriente de la carga no cae por debajo del segundo umbral I_{TH2}. El troceado de la corriente puede continuar indefinidamente en este caso. Para evitar eso, la duración del troceado de la corriente se limita contando los impulsos de corriente aplicados a la carga y terminando el troceado cuando ocurre un número determinado de impulsos que normalmente es suficiente para cargar un condensador típico de una carga. Específicamente, el microcontrol 26 supervisa la línea de entrada 31 desde el sensor de corriente 24 el cual indica condiciones alternativas de corriente alta y de corriente cero y cuenta el número de impulsos de corriente alta.
Esa cuenta se compara con un número de referencia y el modo de troceado se termina cuando se llega a ese número de referencia de impulsos de corriente. En ese momento, el microcontrol 26 envía una señal lógica de nivel bajo sobre la línea 34 al circuito de desconexión 36, el cual hace que el conmutador semiconductor sea no conductor hasta que una persona presione el conmutador RESTABLECER sobre el panel de control 25 y restablece el microcontrol.
Alternativamente, el sensor de tensión 28 puede ser utilizado como salvaguarda contra el funcionamiento en el modo de troceado de la corriente durante un período de tiempo demasiado largo. Durante una condición de cortocircuito cuando la carga 14 está extrayendo corriente excesiva, la tensión a través de la carga será significativamente inferior que la tensión durante el funcionamiento normal. La tensión a través de la carga 14 es detectada por el sensor de tensión 28 el cual aplica una indicación analógica del nivel de la tensión al microcontrolador 26. Si esa tensión de la carga detectada permanece por debajo de un umbral determinado durante un tiempo superior a un intervalo de tiempo previamente definido durante el modo de troceado de la corriente, el microcontrol 26 desconecta el circuito de desconexión 36 aplicando un nivel lógico bajo, (una señal inactiva de CONEXIÓN) a la línea de CONEXIÓN/DESCONEXIÓN 34.
El funcionamiento del circuito de protección de estado sólido 10 durante una condición de sobrecorriente después de un arranque normal se podrá comprender mejor con respecto a una característica de respuesta de desconexión ejemplar, tal como la que se expone en la figura 3. Una corriente de carga la cual está por debajo de un primer umbral I_{TH1} puede ser tolerada indefinidamente por la carga 14 y por lo tanto será conducida continuamente por el conmutador semiconductor 18. El primer umbral I_{TH1} se ajusta entre el 100% y el 125% de la capacidad normal de corriente para la carga 14 que está siendo protegida. Las corrientes de la carga entre niveles I_{TH1} e I2 pueden ser toleradas por la carga durante un cierto tiempo el cual decrece linealmente con la magnitud de la corriente. En otras palabras, pequeñas desviaciones por encima del primer umbral I_{TH1} pueden ser toleradas durante un período de tiempo más largo que las sobrecorrientes que se aproximen al nivel I2. Esto produce una característica de respuesta de desconexión lineal en la parte 70 de la curva de respuesta. Esta parte de la característica de respuesta de desconexión está programada dentro del microcontrolador 26 y almacenada en su memoria tanto como una ecuación lineal como en forma de una tabla de datos. Esa tabla de datos tiene pares de valores, uno de los valores siendo una magnitud de la corriente y el otro valor definiendo el intervalo de tiempo durante el cual puede ser tolerada esa magnitud de la corriente antes de que el protector de circuitos de estado sólido 10 deba desconectar.
La corriente entre el nivel I2 y el tercer umbral I_{TH3} puede ser tolerada por la carga durante un período designado T1. La corriente por encima de ese nivel más alto I_{TH3} no puede ser tolerada por la carga 14, ni incluso momentáneamente, y por lo tanto el dispositivo de protección contra la corriente debe desconectar inmediatamente. Deben indicarse que la corriente de la carga dentro de la zona del rayado cruzado a 72 entre el segundo umbral I_{TH2} y el tercer umbral I_{TH3} aunque es tolerado por la carga 14, puede dañar al FET 19. Por lo tanto, cuando se determina que ocurra el funcionamiento dentro de esta zona, el protector de circuitos de estado sólido 10 entra en un modo de funcionamiento de troceado de la corriente. En este modo el conmutador semiconductor es impulsado a conexión y desconexión a un régimen de velocidad que produce una corriente promedio que es inferior al segundo umbral I_{TH2}. Por lo tanto la carga permanece activada de modo que el condensador de la carga se mantiene cargado, pero la corriente aplicada a la carga está limitada a ese nivel del segundo umbral.
Cuando la corriente detectada I_{DETECTADA} está entre el primer umbral I_{TH1} y un segundo umbral I_{TH2}, el circuito de desconexión 36 inicialmente mantiene el conmutador semiconductor 18 en un estado conductor porque esa corriente está por debajo de los dos umbrales del comparador I_{TH2} e I_{TH3}. Sin embargo, el microcontrol 26 recibe la señal de salida I_{DETECTADA} del sensor de corriente 24 sobre la línea 31 y utiliza la característica de respuesta de desconexión programada para la sección 70 para determinar si desconecta el conmutador semiconductor 18. Específicamente, el microcontrol 26 determina si la magnitud de la sobrecorriente ha ocurrido durante el período de tiempo definido por la característica de respuesta de desconexión. Una vez ha ocurrido eso, el microcontrol 26 desconecta el circuito de desconexión 36 aplicando un nivel lógico bajo, una señal de CONEXIÓN inactiva, a la línea digital 34. Este nivel lógico bajo constante introduce el nivel de salida desde la segunda puerta NO-Y 48 el cual desconecta el excitador de puerta FET 60 y por lo tanto el conmutador semiconductor 18. El microcontrol 26 también ilumina el emisor de luz 29 en el panel de control 25 el cual indica la condición de desconexión. La señal de DESCONEXIÓN continúa siendo aplicada por el microcontrol 26 al circuito de desconexión 36 hasta que se presiona un conmutador de restablecimiento manual sobre panel de control 25.
Cuando la señal de corriente de la carga detectada I_{DETECTADA} está entre los umbrales de corriente I_{TH2} e I_{TH3}, el microcontrol 26 no utiliza los datos de la característica de respuesta de desconexión para determinar si tiene que desconectar el circuito de desconexión 36. En cambio, el circuito de protección de estado sólido 10 introduce un modo de troceado de la corriente en el cual el FET 10 es impulsado a la conexión y la desconexión al régimen de velocidad de la señal impulsada sobre la línea 33.
Específicamente con referencia a la figura 2, cuando el sensor de corriente 24 produce una señal de salida I_{DETECTADA} en la línea 31 la cual es mayor que el segundo umbral I_{TH2} en la línea 37, la salida del primer comparador 40 se hace baja. Esa salida baja restablece el biestable 42, aplicando de ese modo un nivel lógico bajo a una entrada de la segunda puerta NO-Y 48. Esto produce un nivel lógico alto en la salida de la segunda puerta NO-Y 52 la cual es invertida por la tercera puerta NO-Y 52 aplicando de ese modo un nivel lógico bajo al opto-aislante 54. Esto a su vez desactiva el excitador de puerta FET 60 el cual hace no conductor al conmutador semiconductor 18. En ese momento la corriente desde el inductor 20 fluye a través de la carga 14 y el diodo de retroceso 21.
El conmutador semiconductor 18 permanece desconectado hasta que el siguiente impulso lógico de nivel alto en el tren de impulsos desde el microcontrol 26 es aplicado al circuito de desconexión 36 sobre la línea digital 33. Ese impulso a la inversión por parte de la primera puerta NO-Y 46 establece el biestable 42 el cual produce un nivel de salida alto que es aplicado a la segunda puerta NO-Y 48. Este nivel lógico alto activa el excitador de puerta FET 60, haciendo otra vez conductor el conmutador semiconductor 18.
Cuando el FET 19 se conecta otra vez, el inductor 20 limita el régimen de la velocidad a la cual se eleva la corriente de forma que el nivel de corriente no exceda inmediatamente del segundo umbral I_{TH2}. Por lo tanto, una pequeña cantidad de corriente será aplicada a la carga 14 y cargará su condensador. Sin embargo, la corriente a través del conmutador semiconductor 18 eventualmente se elevará por encima del segundo umbral de corriente I_{TH2} lo cual será detectado por el primer comparador 40. Cuando ocurre eso el primer comparador 40 cambia los estados de salida y restablece el biestable 42, el cual a su vez aplica una señal a la segunda puerta NO-Y 48 que por último resulta en que el excitador de puerta FET 60 desconecta el conmutador semiconductor 18. Estos ciclos de desconexión y conexión del conmutador semiconductor 18 continúan lo cual resulta en una corriente de carga promedio que está por debajo del primer umbral I_{TH1}.
Aunque el conmutador semiconductor 18 no está expuesto a un grado tan alto de tensión térmica como con la limitación de corriente lineal, todavía puede ocurrir el dañado del FET 19 o de la carga si el modo de troceado de la corriente continúa durante un período de tiempo demasiado largo. Como se ha expuesto anteriormente en este documento con respecto a la operación de arranque del protector de circuitos estado sólido 10, la duración del troceado de la corriente puede ser limitada mediante el microcontrol 26 contando el número de impulsos de corriente aplicados a la carga y enviando una señal lógica de DESCONEXIÓN de nivel bajo sobre la línea 34 al circuito de desconexión 36 cuando ha ocurrido un número determinado de impulsos. Alternativamente, el sensor de tensión 28 puede ser utilizado para detectar un cortocircuito e informar al microcontrol 26 para que desconecte el circuito de desconexión 36.
El troceado de la corriente debe asegurar que la corriente de la carga nunca exceda del nivel del tercer umbral I_{TH3}. Sin embargo, en el caso de que ocurra un mal funcionamiento, el segundo comparador 50 detecta una corriente de carga por encima de ese tercer nivel umbral I_{TH3} y produce una salida que hace continuamente no conductor al conmutador semiconductor 18. Específicamente, la salida del segundo comparador 50 se hace baja lo cual restablece el segundo biestable 51 aplicando de ese modo un nivel lógico bajo a la segunda puerta NO-Y 48. Esto resulta en la desconexión del FET.

Claims (19)

  1. \global\parskip0.950000\baselineskip
    1. Aparato (10) para la protección de una carga eléctrica (14) contra una corriente excesiva, aparato el cual comprende:
    un conmutador semiconductor (18) para conectar la carga eléctrica a una fuente de corriente (12) y provisto de una entrada de control;
    un sensor de corriente (24) acoplado al conmutador semiconductor (18) y que produce una señal del sensor indicativa de la magnitud de la corriente que fluye a la carga eléctrica (14); y
    un circuito de control (26) conectado al sensor de corriente (24) y al conmutador semiconductor (18) y que responde a la señal del sensor produciendo una señal de control que se aplica a la entrada de control, caracterizado porque:
    el circuito de control dispone de un primer modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es inferior a un primer umbral en el que el conmutador semiconductor (18) se mantiene en un estado conductor continuo, un segundo modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es mayor que el primer umbral e inferior que un segundo umbral en el que el conmutador semiconductor (18) se hace no conductor después de un período de tiempo previamente definido, y un tercer modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es mayor que el segundo umbral en el que el conmutador semiconductor (18) es impulsado alternativamente para que sea conductor y no conductor para limitar la corriente a través de la carga (14) para que sea inferior al segundo umbral.
  2. 2. Aparato (10) según la reivindicación 1 en el que el circuito de control (26) se mantiene en el segundo modo de funcionamiento hasta que es específicamente restablecido.
  3. 3. Aparato (10) según la reivindicación 1 en el que el conmutador semiconductor (18) es impulsado alternativamente para que sea conductor y no conductor durante ciclos que tienen periodos idénticos.
  4. 4. Aparato (10) según la reivindicación 1 en el que el conmutador semiconductor (18) es impulsado alternativamente para que sea conductor y no conductor a una frecuencia de por lo menos 15 kilohercios.
  5. 5. Aparato (10) según la reivindicación 1 en el que el conmutador semiconductor (18) es impulsado alternativamente para que sea conductor y no conductor a una frecuencia entre 20 kilohercios y 30 kilohercios.
  6. 6. Aparato (10) según la reivindicación 1 en el que el circuito de control (26) tiene un cuarto modo de funcionamiento cuando la magnitud de la corriente es superior a un tercer umbral que es mayor que el segundo umbral, en el que el conmutador semiconductor (18) se hace no conductor mediante la señal de control hasta que el aparato (10) es específicamente restablecido.
  7. 7. Aparato (10) según la reivindicación 1 en el que el circuito de control (26) comprende:
    un control programable (26) el cual produce una señal impulsada que tiene un ciclo de trabajo constante y una señal de CONEXIÓN;
    un excitador conmutador (60) que produce la señal de control en respuesta a una señal de activación del conmutador; y
    un circuito de desconexión (36) conectado al control programable (26), al excitador conmutador (60) y al sensor de corriente (24), dicho circuito de desconexión incluyendo un circuito lógico (40, 42, 48, 50, 51, 52) que produce la señal de activación del conmutador cuando la señal del sensor es inferior al segundo umbral y la señal de CONEXIÓN está activa y que produce una señal de activación del conmutador impulsada en respuesta a la señal impulsada cuando la señal del sensor es mayor que el segundo umbral y la señal de CONEXIÓN está activa.
  8. 8. Aparato (10) según la reivindicación 7 en el que el control programable (26) produce una señal de CONEXIÓN inactiva en respuesta a la magnitud de la corriente que es mayor que el primer umbral durante un periodo de tiempo previamente definido.
  9. 9. Aparato (10) según la reivindicación 8 en el que el control programable (26) almacena datos que especifican el período de tiempo previamente definido como una función de la magnitud de la corriente.
  10. 10. Aparato (10) según la reivindicación 7 en el que el circuito de desconexión (36) comprende:
    un primer comparador (37) que compara la señal del sensor con el segundo umbral y en respuesta a produce una primera señal de control en una salida;
    un biestable (42) que tiene una entrada (R) conectada a la salida del primer comparador (37) y otra entrada (S) conectada al control programable (26) para recibir la señal impulsada y que tiene una salida; y
    \global\parskip1.000000\baselineskip
    una puerta lógica (48) que tiene una entrada conectada a la salida del biestable (42) y otra entrada conectada al control programable (26) para recibir una señal de CONEXIÓN y que tiene una salida acoplada al excitador conmutador (60).
  11. 11. Aparato (10) según la reivindicación 10 en el que el circuito de desconexión (36) adicionalmente comprende un segundo comparador (50) que compara la señal del sensor con un tercer umbral y tiene una salida acoplada a la puerta lógica (48) para hacer no conductor el conmutador semiconductor (18) cuando la señal del sensor excede del tercer umbral.
  12. 12. Aparato (10) según la reivindicación 1 adicionalmente comprendiendo un fusible (16) en serie con el conmutador semiconductor (18).
  13. 13. Procedimiento para proteger una carga eléctrica (14) de una magnitud excesiva de corriente, procedimiento el cual comprende:
    la colocación de un conmutador semiconductor (18) en un estado conductor para aplicar corriente desde una fuente (12) a una carga eléctrica (14);
    la detección de la magnitud de la corriente;
    la comparación de la magnitud de la corriente con un primer umbral;
    la comparación de la magnitud de la corriente con un segundo umbral que es mayor que el primer umbral;
    el procedimiento estando caracterizado por:
    determinar si la magnitud de la corriente excede del primer umbral durante un período de tiempo previamente definido y, cuando eso ocurre, emitir una señal de finalización;
    en respuesta a la señal de finalización, la colocación del conmutador semiconductor (18) en un estado no conductor para finalizar la aplicación de la corriente a la carga eléctrica (14); y
    cuando la magnitud de la corriente excede del segundo umbral, colocar alternativamente el conmutador semiconductor (18) en estados conductor y no conductor para aplicar impulsos de corriente a la carga eléctrica (14) y limitar la corriente promedio a través de la carga (14) para que sea inferior al segundo umbral.
  14. 14. Procedimiento según la reivindicación 13 en el que la colocación alternativamente del conmutador semiconductor (18) en estados conductor y no conductor aplica impulsos de corriente en ciclos que tienen periodos idénticos.
  15. 15. Procedimiento según la reivindicación 13 adicionalmente comprendiendo la determinación de durante cuánto tiempo el conmutador semiconductor (18) es colocado alternativamente en los estados conductor y no conductor y la colocación del conmutador semiconductor (18) en un estado no conductor continuo después de un período de tiempo previamente definido.
  16. 16. Procedimiento según la reivindicación 13 adicionalmente comprendiendo:
    la detección de la magnitud de la tensión a través de la carga eléctrica (14);
    la comparación de la magnitud de la tensión con un umbral determinado; y
    la colocación del conmutador semiconductor (18) en un estado no conductor continuo, cuando la magnitud de la tensión es inferior al umbral determinado durante un periodo el tiempo previamente determinado.
  17. 17. Procedimiento según la reivindicación 13 adicionalmente comprendiendo:
    la comparación de la magnitud de la corriente con un tercer umbral que es mayor que el segundo umbral; y
    la colocación del conmutador semiconductor (18) en un estado no conductor continuo, cuando la magnitud de la corriente excede del tercer umbral.
  18. 18. Procedimiento según la reivindicación 13 en el que la colocación alternativamente del conmutador semiconductor (18) en estados conductor y no conductor aplica impulsos de corriente a la carga eléctrica (14) a una frecuencia de por lo menos 15 kilohercios.
  19. 19. Procedimiento según la reivindicación 13 en el que la colocación alternativamente del conmutador semiconductor (18) en estados conductor y no conductor aplica impulsos de corriente a la carga eléctrica (14) a una frecuencia entre 20 kilohercios y 30 kilohercios.
ES01109766T 2000-04-26 2001-04-20 Circuito de proteccion de estado solido para aparatos electricos. Expired - Lifetime ES2291239T3 (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US558507 2000-04-26
US09/558,507 US6356423B1 (en) 2000-04-26 2000-04-26 Soild state protection circuit for electrical apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2291239T3 true ES2291239T3 (es) 2008-03-01

Family

ID=24229816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES01109766T Expired - Lifetime ES2291239T3 (es) 2000-04-26 2001-04-20 Circuito de proteccion de estado solido para aparatos electricos.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6356423B1 (es)
EP (1) EP1150410B1 (es)
CN (1) CN1307767C (es)
AT (1) ATE371887T1 (es)
CA (1) CA2343872C (es)
DE (1) DE60130164T2 (es)
ES (1) ES2291239T3 (es)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3845261B2 (ja) * 2001-02-28 2006-11-15 矢崎総業株式会社 自動車用電気負荷駆動制御装置
DK1294069T4 (da) 2001-09-18 2015-06-15 Abb Technology Ab Elektronisk maksimalafbryder
US6590757B2 (en) 2001-09-28 2003-07-08 Eaton Corporation Method and apparatus for detecting and suppressing a parallel arc fault
US6724598B2 (en) * 2001-10-12 2004-04-20 Daniel Segarra Solid state switch with temperature compensated current limit
US7449801B2 (en) * 2002-11-28 2008-11-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor circuit arrangement for controlling a high voltage or a current of high current intensity
WO2004082091A1 (en) 2003-03-14 2004-09-23 Magnetek S.P.A. Electronic circuit breaker
US20050078024A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Honeywell International Inc. Digital current limiter
US7064946B2 (en) * 2003-12-18 2006-06-20 International Rectifier Corporation Electronic fuse
KR100622972B1 (ko) * 2005-06-17 2006-09-13 삼성전자주식회사 전력변환기의 제어장치 및 제어방법
US7810435B2 (en) * 2006-04-11 2010-10-12 Maier Lawrence C Power regulation device for model railway system
US7706116B2 (en) * 2007-01-22 2010-04-27 Honeywell International Inc. SSPC technology incorporated with thermal memory effects to achieve the fuse curve coordination
US8050806B2 (en) * 2007-03-21 2011-11-01 Honeywell International Inc. Ground fault interruption using DSP based SSPC module
US8284534B2 (en) 2007-10-30 2012-10-09 Freescale Semiconductor, Inc. Overcurrent protection circuit, integrated circuit, apparatus and computer program product
GB0812335D0 (en) 2008-07-05 2008-08-13 Qinetiq Ltd Circuit breaker
DE202009005420U1 (de) 2009-03-11 2009-06-18 Ellenberger & Poensgen Gmbh Elektronischer Schutzschalter
US8717728B2 (en) 2010-08-31 2014-05-06 Eaton Corporation High voltage electronic switches for controlling direct current arcs in high voltage direct current systems and methods of operating the same
JP2012147518A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Easymore Industrial Co Ltd 隔離型交流故障電流制限回路
DE102011088912A1 (de) * 2011-12-16 2013-06-20 Continental Automotive Gmbh Schaltungsanordnung zur Detektion eines Kurzschlusses bei einer Leistungsschalteranordnung
CN103166168B (zh) * 2011-12-19 2016-11-02 上海航空电器有限公司 一种高压直流固态功率控制器
CN103247997B (zh) * 2013-06-01 2015-08-12 重庆大学 一种电子熔断器
GB2537571A (en) * 2014-02-18 2016-10-19 Ge Aviat Systems Ltd Method for limiting current in a circuit
US10498130B2 (en) 2014-02-18 2019-12-03 Ge Aviation Systems Limited Method for limiting current in a circuit
DE102014004912A1 (de) * 2014-04-07 2015-10-08 Energijski Konduktorji D.O.O. Schutzgerät und Schutzsysteme für Stromkreise sowie Verfahren zur Steuerung des Schutzsystems
CN103983297A (zh) * 2014-04-09 2014-08-13 奇瑞汽车股份有限公司 参数值的检测方法和装置
DE102014214840A1 (de) * 2014-07-29 2016-02-04 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Vorrichtung zur Überwachung eines Hochvolt-Bordnetzes eines elektrisch betriebenen Fahrzeugs auf das Vorliegen einer Überlastung
DE202014011366U1 (de) 2014-08-28 2019-10-18 Ellenberger & Poensgen Gmbh Elektronischer Schutzschalter
DE102015211059B3 (de) 2015-06-16 2016-09-01 Ellenberger & Poensgen Gmbh Elektronischer Schutzschalter
DE102015219545B3 (de) 2015-10-08 2017-01-05 Ellenberger & Poensgen Gmbh Elektronischer Schutzschalter
EP3424066B1 (en) * 2016-03-01 2020-12-23 Atom Power, Inc. Hybrid air-gap / solid-state circuit breaker
CN109075556B (zh) * 2016-04-28 2019-12-03 罗姆股份有限公司 过电流保护电路
CN106099837A (zh) * 2016-07-25 2016-11-09 贝兹维仪器(苏州)有限公司 具有备用电路的石油测井仪器保护装置
LU93345B1 (de) 2016-12-08 2018-06-08 Phoenix Contact Gmbh & Co Kg Intellectual Property Licenses & Standards Schutzanordnung von elektrischen Verbrauchern und deren Anschlussleitungen vor Überstrom
DE102017202103B3 (de) 2017-02-09 2018-03-01 Ellenberger & Poensgen Gmbh Verfahren zum Betreiben eines elektronischen Schutzschalters und elektronischer Schutzschalter
US10804692B2 (en) * 2017-06-16 2020-10-13 Atom Powers, Inc. Hybrid diamond solid-state circuit protector
CN107317314B (zh) * 2017-08-15 2019-03-15 中国航天时代电子公司 一种带有限流保护和反时限保护功能的固态功率控制器
KR102486444B1 (ko) * 2017-09-27 2023-01-06 엘렌베르거 앤드 포엔스겐 게엠베하 전자 회로 차단기 및 전자 회로 차단기를 동작시키기 위한 방법
CN107918430B (zh) * 2017-12-07 2023-07-25 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司曲靖局 一种实现开关量回路在线检修的直流控制保护装置
US10700603B2 (en) 2017-12-13 2020-06-30 Ovh Circuit and system implementing a power supply configured for spark prevention
EP3499669A1 (en) 2017-12-13 2019-06-19 Ovh Circuit and system implementing a smart fuse for a power supply
US10747291B2 (en) * 2018-04-27 2020-08-18 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Overcurrent event power throttling
US20200203943A1 (en) * 2018-06-22 2020-06-25 Illinois Institute Of Technology Intelligent tri-mode solid state circuit breakers
EP3797460A1 (de) * 2018-07-17 2021-03-31 Siemens Energy Global GmbH & Co. KG Verfahren und vorrichtung zum erkennen eines fehlers in einer hgü-leitung und erzeugen eines auslösesignals für einen gleichstromleistungsschalter
ES2970128T3 (es) * 2018-12-10 2024-05-27 Eaton Intelligent Power Ltd Método y sistema de mitigación de corriente de fallo para disyuntor de estado sólido
DE102019101236A1 (de) * 2019-01-17 2020-07-23 Liebherr-Components Biberach Gmbh Ansteuervorrichtung zum Auslösen zumindest einer Pyrosicherung sowie Energiespeicher mit einer solchen Pyrosicherung
US11431160B2 (en) 2019-06-19 2022-08-30 Eaton Intelligent Power Limited Hybrid circuit breaker assembly
CN111697540B (zh) * 2020-06-19 2022-03-22 中煤科工集团重庆研究院有限公司 基于微分电路的变频器逆变igbt短路检测保护系统
EP3958466B1 (en) 2020-08-18 2024-05-15 Aptiv Technologies AG Triggering circuit and electronic fuse device incorporating the same
CN113452252B (zh) * 2021-06-28 2022-08-05 上海任威电子科技有限公司 串接型多路共地输出通信电源及其过流检测和保护方法
CN116666172B (zh) * 2023-06-16 2024-04-05 上海正泰智能科技有限公司 断路器控制方法以及断路器系统

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1122892B (it) * 1979-08-30 1986-04-30 Honeywell Inf Systems Alimentatore a protezione accresciuta operabile in modo diagnostico
DE3725390A1 (de) * 1987-07-31 1989-02-09 Wickmann Werke Gmbh Schaltsicherung
US5003426A (en) * 1989-06-06 1991-03-26 Sigma Instruments, Inc. Faulted current indicators and inrush restraints therefor
US5216352A (en) * 1990-11-29 1993-06-01 Square D Company Solid state current controlled interruption system
GB9819911D0 (en) * 1998-09-11 1998-11-04 Meggitt Mobrey Limited Switch control apparatus and method
US6104584A (en) * 1999-02-18 2000-08-15 Lucent Technologies, Inc. Voltage feedback inrush current limit circuit having increased tolerance for component value variation

Also Published As

Publication number Publication date
DE60130164D1 (de) 2007-10-11
EP1150410A3 (en) 2005-05-11
CN1320991A (zh) 2001-11-07
CN1307767C (zh) 2007-03-28
DE60130164T2 (de) 2008-05-21
ATE371887T1 (de) 2007-09-15
CA2343872A1 (en) 2001-10-26
US6356423B1 (en) 2002-03-12
EP1150410A2 (en) 2001-10-31
EP1150410B1 (en) 2007-08-29
CA2343872C (en) 2007-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2291239T3 (es) Circuito de proteccion de estado solido para aparatos electricos.
EP1298770B1 (en) Method and apparatus for detecting and suppressing a parallel arc fault
US5381296A (en) Short circuit limiting protector
US10044180B2 (en) Electronic circuit breaker for an electrical load in an on-board electrical system of a motor vehicle
US20190372333A1 (en) Electronic circuit-breaker for a load that can be connected to a low voltage dc-voltage network
HUP0001255A2 (hu) Visszakapcsolható elektronikus túláramvédő kapcsoló
EP0566594B1 (en) Overcurrent protection device
JPH10150354A (ja) 電力fet及び短絡認識部を有するスイツチ装置
Feng et al. SiC solid state circuit breaker with an adjustable current-time tripping profile
CN214124811U (zh) 一种驱动电路
US3691426A (en) Current limiter responsive to current flow and temperature rise
US7808757B2 (en) Power switching apparatus with overload protection
US20050135034A1 (en) Resettable circuit breaker
JP5126241B2 (ja) 過電圧保護回路、及び過電圧保護方法
EP2698892B1 (en) DC overcurrent protection device
US20140071572A1 (en) Surge protection device
CN113746063A (zh) 一种保护电路及电路保护装置
AU2021234895B2 (en) Hybrid switch and control device
CN114747106A (zh) 剩余电流断路器
ES2954246T3 (es) Disyuntor electrónico y procedimiento de funcionamiento del mismo
JPH054850B2 (es)
JPH07123351B2 (ja) 自己消弧形半導体素子の制御回路
JP2022049209A5 (es)
CN115395483A (zh) 一种断路器、电力设备和断路器的控制方法
JPH02193526A (ja) 過電圧保護装置