ES2282708T3 - Componente electronico organico con capa funcional semiconductora estructurada y metodo para producir el mismo. - Google Patents
Componente electronico organico con capa funcional semiconductora estructurada y metodo para producir el mismo. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2282708T3 ES2282708T3 ES03785505T ES03785505T ES2282708T3 ES 2282708 T3 ES2282708 T3 ES 2282708T3 ES 03785505 T ES03785505 T ES 03785505T ES 03785505 T ES03785505 T ES 03785505T ES 2282708 T3 ES2282708 T3 ES 2282708T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- functional layer
- treatment
- organic
- layer
- structured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
Un circuito orgánico con varios componentes electrónicos orgánicos dispuestos contiguos, en el que los componentes comprenden una capa funcional orgánica semiconductora estructurada impresa común con un grosor menor de 100 nm, donde la estructuración de la capa funcional común se forma porque una capa funcional inferior dispuesta debajo de y limitando con la capa funcional común, solamente está recubierta parcialmente con un material funcional usado para la formación de la capa funcional común, y donde la capa funcional común, en las zonas no recubiertas de la capa funcional inferior, es discontinua, donde la discontinuidad se dispone de tal manera entre los componentes, que se evita una corriente de fuga entre los componentes contiguos.
Description
Componente electrónico orgánico con capa
funcional semiconductora estructurada y método para producir el
mismo.
La invención se refiere a un componente
electrónico orgánico, como un transistor de efecto de campo, y a un
método para producir el mismo, en el que la capa semiconductora del
componente está estructurada.
En los componentes electrónicos orgánicos, las
capas funcionales semiconductoras orgánicas se aplican habitualmente
sobre gran parte de la superficie mediante recubrimiento por
centrifugado, pulverización, racleado o similares sobre gran parte
de la superficie como capas funcionales homogéneas, sin embargo, muy
delgadas.
Esto puede provocar problemas en un circuito
integrado, ya que cuando las capas funcionales semiconductoras de
los componentes entran en contacto entre sí, se generan corrientes
de fuga desde un componente o desde un electrodo al siguiente.
Estas corrientes de fuga afectan en parte al rendimiento del
circuito de manera considerable. Por este motivo se realizan
ensayos para estructurar las capas funcionales semiconductoras y/o
reducirlas a las superficies activas, es decir, a las zonas en las
que se forman canales de corriente. Se puede conseguir esta
estructuración en componentes producidos fotolitográficamente
mediante las correspondientes máscaras de iluminación. Sin embargo,
para una utilización más amplia, los componentes producidos
fotolitográficamente son demasiado caros. Por este motivo, el
desarrollo de los elementos se centra en métodos de producción por
impresión económicos.
Sin embargo, la capa funcional semiconductora no
se puede aplicar de forma estructurada por métodos de impresión
convencionales, ya que esta capa tiene que ser muy delgada
(típicamente menor de 100 nm) para que funcione. Los grosores de
capas requeridos, por ejemplo, para la capa funcional
semiconductora, se pueden conseguir de manera convencional solamente
mediante aplicación de un barniz, como por recubrimiento,
pulverización, etc.
Es un objetivo de la presente invención hacer
posible una estructuración de una capa delgada, particularmente de
la capa funcional semiconductora, en componentes electrónicos
orgánicos producidos por impresión, sin que aumente por ello el
grosor de la capa funcional afectada respecto a una capa funcional,
por ejemplo, semiconductora, producida normalmente por aplicación de
un barniz (recubrimiento, pulverización, racleado).
Es objeto de la invención un componente
electrónico orgánico con una capa funcional semiconductora
estructurada con un grosor menor de 100 nm, donde la estructuración
se produce porque una capa funcional inferior se recubre sólo
parcialmente con el material funcional orgánico de la siguiente capa
funcional. Además, es objeto de la invención un método para la
producción de un componente electrónico orgánico, en el que se
produce, por un tratamiento adecuado de una capa funcional
inferior, una capa funcional superior estructurada, a pesar de la
aplicación sobre gran parte de la superficie.
Se genera una capa semiconductora estructurada
se acuerdo con una realización del método.
De acuerdo con un ejemplo de realización, la
capa funcional inferior se cubre parcialmente con un barniz, que se
puede aplicar por impresión con un grosor de capa muy reducido.
Como capas funcionales estructuradas superiores
se pueden producir mediante el método capas funcionales orgánicas
semiconductoras, aislantes y/o conductoras, sin embargo,
evidentemente también capas funcionales inorgánicas, como por
ejemplo delgadas capas metálicas estructuradas.
La capa funcional inferior, según la
construcción del componente electrónico orgánico y la capa superior
del sustrato, es una capa funcional conductora, etc.
Se denomina "tratamiento adecuado" el
recubrimiento parcial y/o la modificación local de la capa funcional
inferior, que provoca que, en zonas determinadas de la capa
funcional inferior, durante la aplicación de barniz se produzca o
se evite el recubrimiento (es decir, se produzca "recubrimiento
parcial"), se puede producir mediante un método de impresión,
por tratamiento con láser, tratamiento con calor, otros tratamientos
físicos, eléctricos o químicos, sin embargo, siempre parcialmente y
con una resolución en el intervalo de \mum. Se menciona, a modo de
ejemplo, el contacto parcial con un ácido/una base o con otras
sustancias químicas reactivas, efectos físicos como luz, calor,
frío, y finalmente, el tratamiento mecánico como la fricción. En
cualquier caso, la consecuencia del tratamiento es que la siguiente
capa funcional, en las zonas tratadas, no se recubre o solamente se
recubre en las mismas.
Las expresiones "material orgánico" y/o
"polímero funcional" comprenden, en este documento, todos los
tipos de plásticos orgánicos, metalorgánicos y/o inorgánicos, que en
inglés se denominan, por ejemplo, "plastics". Se trata de
todos los tipos de sustancias con excepción de los semiconductores,
que forman los diodos clásicos (germanio, silicio), y los
conductores metálicos típicos. Por tanto, no se prevé una limitación
en sentido dogmático de material orgánico como el material que
contiene carbono, más bien también se considera el uso amplio de,
por ejemplo, siliconas. Además, la expresión no se tiene que someter
a ninguna limitación respecto al tamaño molecular, particularmente
de materiales poliméricos y/u oligoméricos, sino que es posible el
empleo de "moléculas pequeñas".
A continuación se describe la invención mediante
dos figuras que muestran una vista en planta y un corte transversal
por un ejemplo de realización de un componente electrónico orgánico
de acuerdo con la invención:
La Figura 1 muestra una vista en planta sobre un
circuito con una capa funcional semiconductora estructurada. Se
observa un circuito orgánico que se construye sobre un sustrato
(oculto). Varios elementos activos, como transistores de efecto de
campo orgánicos, dispuestos contiguos, y se observan respectivamente
los electrodos Fuente/Drenador 2. La zona sombreada muestra la capa
semiconductora orgánica 1, que está estructurada y tiene zonas
parciales 3 que están desprovistas de material funcional
semiconductor. Por la zona desprovista 3 ("desprovista"
significa, en este documento, no recubierta de material conductor ni
semiconductor) se evita una corriente de fuga desde la zona
izquierda del circuito a la derecha.
La Figura 2 muestra un OFET con el sustrato 4 y
los electrodos Fuente/Drenador 2. Sobre la capa funcional
conductora, los electrodos Fuente/Drenador 2, se sitúa la capa
funcional semiconductora estructurada 1, que no se extiende sobre
toda la superficie de la capa funcional conductora 2, sino que
recubre de manera discontinua, es decir, de forma estructurada,
solamente las superficies activas, es decir, las superficies por
encima de los electrodos Fuente/Drenador, debido al barniz 6, que
protege el sustrato 4 parcialmente frente al recubrimiento con la
capa funcional semiconductora 1. A su vez, la capa funcional
semiconductora está recubierta con la capa funcional aislante 5,
sobre la que se sitúan los electrodos
Puerta 7.
Puerta 7.
La invención se refiere a un componente
electrónico orgánico como un transistor de efecto de campo orgánico,
y a un método para producir el mismo, en el que una capa delgada,
como la capa semiconductora del componente, está estructurada, a
pesar de que el componente se puede producir mediante un método de
impresión económico. Para conseguirlo se prepara la capa funcional
inferior mediante un tratamiento, de manera que tenga zonas
parciales sobre las que, en la siguiente etapa del proceso, se
produce recubrimiento, y zonas parciales en las que no se produce
recubrimiento.
Claims (4)
1. Un circuito orgánico con varios
componentes electrónicos orgánicos dispuestos contiguos, en el que
los componentes comprenden una capa funcional orgánica
semiconductora estructurada impresa común con un grosor menor de
100 nm, donde la estructuración de la capa funcional común se forma
porque una capa funcional inferior dispuesta debajo de y limitando
con la capa funcional común, solamente está recubierta parcialmente
con un material funcional usado para la formación de la capa
funcional común, y donde la capa funcional común, en las zonas no
recubiertas de la capa funcional inferior, es discontinua, donde la
discontinuidad se dispone de tal manera entre los componentes, que
se evita una corriente de fuga entre los componentes contiguos.
2. Un método para la producción de un
circuito orgánico de acuerdo con la reivindicación 1,
caracterizado porque se realiza un tratamiento adecuado de la
capa funcional inferior para la producción de los componentes
electrónicos orgánicos, de manera que la capa funcional inferior
solamente se puede recubrir parcialmente con el material funcional
orgánico usado para la formación de la capa funcional común, porque
el material funcional orgánico, para la formación de una capa
funcional superior, se aplica sobre gran parte de la superficie de
la capa funcional inferior, por lo que se forma una capa funcional
superior, que, a pesar de la aplicación sobre gran parte de la
superficie, se produce estructurada, y que forma la capa funcional
orgánica estructurada.
3. El método de acuerdo con la
reivindicación 2, caracterizado porque el tratamiento
adecuado de la capa funcional inferior se realiza por una aplicación
parcial de barniz mediante impresión sobre la capa funcional
inferior.
4. El método de acuerdo con una de las
reivindicaciones 2 ó 3, caracterizado porque el tratamiento
adecuado de la capa funcional inferior se realiza por un tratamiento
parcial físico, eléctrico o químico, particularmente por un
tratamiento con láser, tratamiento con calor, tratamiento con frío,
tratamiento con ácido/base, tratamiento con luz o tratamiento
por
fricción.
fricción.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10253953 | 2002-11-19 | ||
| DE10253953 | 2002-11-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2282708T3 true ES2282708T3 (es) | 2007-10-16 |
Family
ID=32318542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES03785505T Expired - Lifetime ES2282708T3 (es) | 2002-11-19 | 2003-11-13 | Componente electronico organico con capa funcional semiconductora estructurada y metodo para producir el mismo. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7442954B2 (es) |
| EP (1) | EP1563553B1 (es) |
| AT (1) | ATE354182T1 (es) |
| DE (1) | DE50306538D1 (es) |
| ES (1) | ES2282708T3 (es) |
| WO (1) | WO2004047144A2 (es) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015264A2 (de) | 2000-08-18 | 2002-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
| DE10226370B4 (de) | 2002-06-13 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) |
| EP1525630A2 (de) | 2002-07-29 | 2005-04-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu |
| DE10340643B4 (de) | 2003-09-03 | 2009-04-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht |
| US7244626B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-07-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method |
| DE102004040831A1 (de) | 2004-08-23 | 2006-03-09 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Funketikettfähige Umverpackung |
| DE102004059465A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Erkennungssystem |
| DE102004059464A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbauteil mit Modulator |
| GB0427563D0 (en) | 2004-12-16 | 2005-01-19 | Plastic Logic Ltd | A method of semiconductor patterning |
| DE102004063435A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-27 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organischer Gleichrichter |
| DE102005009819A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe |
| GB0506896D0 (en) * | 2005-04-05 | 2005-05-11 | Plastic Logic Ltd | Stack ablation |
| DE102005017655B4 (de) | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
| DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
| DE102005035589A1 (de) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| DE102005044306A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
| DE102006047388A1 (de) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung |
| US7723153B2 (en) * | 2007-12-26 | 2010-05-25 | Organicid, Inc. | Printed organic logic circuits using an organic semiconductor as a resistive load device |
| US7704786B2 (en) * | 2007-12-26 | 2010-04-27 | Organicid Inc. | Printed organic logic circuits using a floating gate transistor as a load device |
| DE102009009442A1 (de) | 2009-02-18 | 2010-09-09 | Polylc Gmbh & Co. Kg | Organische Elektronikschaltung |
Family Cites Families (96)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3512052A (en) * | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
| US3769096A (en) * | 1971-03-12 | 1973-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Pyroelectric devices |
| JPS543594B2 (es) * | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
| JPS54101176A (en) * | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
| US4442019A (en) * | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
| DE3321071A1 (de) | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Basf Ag | Druckschalter |
| DE3338597A1 (de) | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
| EP0239808B1 (en) * | 1986-03-03 | 1991-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detecting device |
| EP0268370B1 (en) | 1986-10-13 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device |
| GB2215307B (en) * | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
| DE68912426T2 (de) | 1988-06-21 | 1994-05-11 | Gec Avery Ltd | Herstellung von tragbaren elektronischen Karten. |
| US5892244A (en) * | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
| US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
| US5206525A (en) | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
| FI91573C (sv) | 1990-01-04 | 1994-07-11 | Neste Oy | Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar |
| FR2664430B1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
| FR2673041A1 (fr) * | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
| EP0501456A3 (en) | 1991-02-26 | 1992-09-09 | Sony Corporation | Video game computer provided with an optical disc drive |
| US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
| US5173835A (en) * | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
| DE59105477D1 (de) * | 1991-10-30 | 1995-06-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
| JP2709223B2 (ja) * | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
| DE4243832A1 (de) | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Daimler Benz Ag | Tastsensoranordnung |
| JP3457348B2 (ja) * | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| FR2701117B1 (fr) * | 1993-02-04 | 1995-03-10 | Asulab Sa | Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose. |
| US5567550A (en) * | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
| AU7563294A (en) * | 1993-08-24 | 1995-03-21 | Metrika Laboratories, Inc. | Novel disposable electronic assay device |
| JP3460863B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| FR2710413B1 (fr) * | 1993-09-21 | 1995-11-03 | Asulab Sa | Dispositif de mesure pour capteurs amovibles. |
| US5556706A (en) * | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
| IL111151A (en) | 1994-10-03 | 1998-09-24 | News Datacom Ltd | Secure access systems |
| WO1995031833A2 (en) * | 1994-05-16 | 1995-11-23 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with an organic semiconductor material |
| JP3246189B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
| US5574291A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
| US5630986A (en) * | 1995-01-13 | 1997-05-20 | Bayer Corporation | Dispensing instrument for fluid monitoring sensors |
| JP3068430B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US5652645A (en) * | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
| GB2310493B (en) * | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
| DE19629656A1 (de) * | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Boehringer Mannheim Gmbh | Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe |
| US6344662B1 (en) * | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
| US5946551A (en) * | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
| KR100248392B1 (ko) * | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
| WO1999010939A2 (en) * | 1997-08-22 | 1999-03-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials |
| BR9811636A (pt) * | 1997-09-11 | 2000-08-08 | Precision Dynamics Corp | Etiqueta de identificação de rádio freqâência em substrato flexìvel |
| US6251513B1 (en) * | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
| JPH11142810A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
| US5997817A (en) * | 1997-12-05 | 1999-12-07 | Roche Diagnostics Corporation | Electrochemical biosensor test strip |
| EP0958663A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-11-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
| US6083104A (en) * | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
| JP2002515641A (ja) * | 1998-01-28 | 2002-05-28 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法 |
| US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
| US6045977A (en) * | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
| DE19816860A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-11-18 | Deutsche Telekom Ag | Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte |
| US6033202A (en) * | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
| GB9808061D0 (en) * | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
| GB9808806D0 (en) * | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
| US5967048A (en) * | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
| US6215130B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
| US6506438B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
| US6321571B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
| US6517955B1 (en) * | 1999-02-22 | 2003-02-11 | Nippon Steel Corporation | High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof |
| WO2000052457A1 (en) * | 1999-03-02 | 2000-09-08 | Helix Biopharma Corporation | Card-based biosensor device |
| US6180956B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
| US6207472B1 (en) * | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
| DE19921024C2 (de) | 1999-05-06 | 2001-03-08 | Wolfgang Eichelmann | Videospielanlage |
| US6383664B2 (en) * | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
| DE19933757A1 (de) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Giesecke & Devrient Gmbh | Chipkarte mit integrierter Batterie |
| DE19935527A1 (de) | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Giesecke & Devrient Gmbh | Aktive Folie für Chipkarten mit Display |
| DE19937262A1 (de) | 1999-08-06 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Anordnung mit Transistor-Funktion |
| US6517995B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
| US6340822B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
| US6335539B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
| US6284562B1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
| AU2015901A (en) * | 1999-12-21 | 2001-07-03 | Plastic Logic Limited | Inkjet-fabricated integrated circuits |
| US6706159B2 (en) * | 2000-03-02 | 2004-03-16 | Diabetes Diagnostics | Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus |
| DE10012204A1 (de) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Siemens Ag | Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut |
| DE10033112C2 (de) * | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
| WO2002015264A2 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
| DE10120687A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
| DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
| DE10045192A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers |
| DE10047171A1 (de) | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu |
| KR20020036916A (ko) * | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
| DE10058559A1 (de) | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Interactiva Biotechnologie Gmb | System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter |
| KR100390522B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
| DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
| DE10117663B4 (de) | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
| US20020170897A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
| JP4841751B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
| US6870180B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
| JP2003089259A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
| US7351660B2 (en) * | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
| DE10219905B4 (de) | 2002-05-03 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements |
| US6812509B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
| US6870183B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
-
2003
- 2003-11-13 AT AT03785505T patent/ATE354182T1/de active
- 2003-11-13 ES ES03785505T patent/ES2282708T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-13 WO PCT/DE2003/003770 patent/WO2004047144A2/de active IP Right Grant
- 2003-11-13 US US10/535,448 patent/US7442954B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-13 EP EP03785505A patent/EP1563553B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-13 DE DE50306538T patent/DE50306538D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE50306538D1 (de) | 2007-03-29 |
| WO2004047144A2 (de) | 2004-06-03 |
| EP1563553A2 (de) | 2005-08-17 |
| ATE354182T1 (de) | 2007-03-15 |
| EP1563553B1 (de) | 2007-02-14 |
| WO2004047144A3 (de) | 2004-09-02 |
| US7442954B2 (en) | 2008-10-28 |
| US20060118779A1 (en) | 2006-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2282708T3 (es) | Componente electronico organico con capa funcional semiconductora estructurada y metodo para producir el mismo. | |
| US7384814B2 (en) | Field effect transistor including an organic semiconductor and a dielectric layer having a substantially same pattern | |
| Kymissis et al. | Patterning pentacene organic thin film transistors | |
| TW573329B (en) | Planar polymer transistor | |
| WO2003016599A1 (fr) | Element a semi-conducteur organique | |
| KR100781829B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR100816498B1 (ko) | 표면 처리된 층을 포함하는 유기 인버터 및 그 제조 방법 | |
| US7241652B2 (en) | Method for fabricating organic thin film transistor | |
| KR20080040119A (ko) | 디클로로포스포릴기를 함유하는 자기조립단분자막 형성화합물을 이용한 유기박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR101332955B1 (ko) | 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 | |
| CN1282259C (zh) | 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法 | |
| KR100603393B1 (ko) | 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 유기 박막트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치 | |
| KR100647704B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치,유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 평판 디스플레이장치의 제조방법 | |
| US20050110008A1 (en) | Organic thin film transistor comprising buffer layer | |
| JP2006135299A (ja) | 薄膜トランジスタを備えた基板の製造方法、及びそれにより製造された薄膜トランジスタを備えた基板と、平板表示装置の製造方法、及びそれにより製造された平板表示装置 | |
| JP2003229616A (ja) | 有機半導体デバイス及びその製造方法 | |
| KR100787439B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치 | |
| US20090189147A1 (en) | Organic transistor comprising a self-aligning gate electrode, and method for the production thereof | |
| KR100719546B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950034851A (ko) | 전자소자 및 그 제조방법 | |
| US20210181562A1 (en) | Air species barriers in liquid crystal display devices | |
| KR100670355B1 (ko) | 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치 | |
| JP2004061825A5 (es) | ||
| Seki et al. | Nonpolymer new organic film for local insulation in laser‐direct‐writing circuit restructuring for large‐scale integrated circuits | |
| JP2012129396A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |