ES2258216T3 - Procedimiento para la fabricacion de silicio. - Google Patents
Procedimiento para la fabricacion de silicio.Info
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- C01B33/033—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by reduction of silicon halides or halosilanes with a metal or a metallic alloy as the only reducing agents
Abstract
Procedimiento para la fabricación de silicio con las siguientes etapas: a. Hacer reaccionar SiO2 o silicatos con fluoruro de hidrógeno o un fluoruro de un metal del grupo I o II del sistema periódico para dar SiF4 con desprendimiento de H2O; b. Hacer reaccionar el SiF4 conseguido según la etapa a. con un metal del grupo I o II del sistema periódico para dar Si y un fluoruro metálico; c. Disociar el fluoruro metálico obtenido según b. con ácido sulfúrico para dar HF y un sulfato metálico; d. Usar el HF conseguido según la etapa c. en la etapa a. para la obtención de SiF4; y e. Hacer reaccionar el sulfato metálico conseguido según la etapa c. para dar metal, que se utiliza como metal en la etapa b., así como para dar ácido sulfúrico, que se utiliza en la etapa c.
Description
Procedimiento para la fabricación de silicio.
La presente invención se refiere a un
procedimiento para la fabricación de silicio.
Se conoce fabricar silicio por metalotermia, es
decir, por reducción de dióxido (o de halogenuros de Si) con
magnesio o aluminio. En la técnica se reduce cuarzo o cuarcita con
ayuda de carbón en hornos de arco eléctrico. El silicio puro se
consigue después de la reducción de clorosilanos por medio de
H_{2}, entre otros, mediante fusión por zonas o diferentes
procedimientos de cultivo de monocristales. Además, se conoce la
fabricación de silicio elemental por reducción de tetrafluoruro de
silicio con potasio metálico.
En la solicitud de patente alemana 10121477.4 ya
se propuso la reacción de SiO_{2} y/o silicatos, inclusive
fluorosilicatos, con ácido fluorhídrico para dar SiF_{4} y de aquí
la obtención de Si. En este procedimiento pueden utilizarse todas
las fuentes de SiO_{2} en las que no interfieran las impurezas, ya
que tiene lugar una "autodepuración" mediante condensación de
SiF_{4}. Del SiF_{4} obtenido puede producirse Si,
preferiblemente termolíticamente, catalíticamente o por reducción de
metales.
Además, en esta publicación se propone la
reducción de SiO_{2} y/o silicatos con carbono para dar Si y la
reacción electrolítica de SiO_{2} y/o silicatos para la obtención
de Si.
La presente invención se basa en el objetivo de
indicar un procedimiento para la fabricación de silicio que
represente un proceso de producción cerrado en sí, en el que se
originen los menos productos secundarios posibles y en el que los
participantes de la reacción necesarios para la reacción se obtengan
en gran parte de los reactantes del procedimiento.
Este objetivo se alcanza según la invención
mediante un procedimiento con las siguientes etapas:
a. Hacer reaccionar SiO_{2} o silicatos con
fluoruro de hidrógeno o un fluoruro de un metal del grupo I o II del
sistema periódico para dar SiF_{4} con desprendimiento de
H_{2}O;
b. Hacer reaccionar el SiF_{4} conseguido según
la etapa a. con un metal del grupo I y II del sistema periódico para
dar Si y un fluoruro metálico;
c. Disociar el fluoruro metálico obtenido según
la etapa b. con ácido sulfúrico para dar HF y un sulfato
metálico;
d. Usar el HF conseguido según la etapa c. en la
etapa a. para la obtención de SiF_{4}; y
e. Hacer reaccionar el sulfato metálico
conseguido según c. para dar metal, que se utiliza como metal en la
etapa b., así como para dar ácido sulfúrico, que se utiliza en la
etapa c.
Se reconoce sin más que, en el procedimiento
según la invención, las sustancias necesarias para la reacción de
SiO_{2} para dar Si se obtienen por sí mismas de los productos del
procedimiento fluoruro de hidrógeno (HF) y metal del grupo I o II,
así como el ácido sulfúrico necesario para disociar el fluoruro
metálico obtenido según la etapa b. Por tanto, existe un proceso de
producción cerrado en sí (circuito) en el que no se origina ningún
producto secundario (se supone una reutilización adicional de los
productos secundarios formados según formas de realización
especiales del procedimiento según la invención) y todos los
reactantes se recuperan en el procedimiento de reciclado, cuando se
suponen rendimientos cuantitativos de las reacciones por separado y
no se consideran pérdidas por reutili-
zación.
zación.
El material base SiO_{2} (dióxido de silicio)
necesario para la fabricación de Si puede proporcionarse de fuentes
de SiO_{2} existentes en la tierra (especialmente arena de
desierto, arena de mar). Esta arena, que está compuesta en gran
parte por SiO_{2}, se hace reaccionar (externamente) según la 1ª
alternativa directamente con fluoruro de hidrógeno (HF),
expulsándose SiF_{4} (tetrafluoruro de silicio) mediante adición
de ácido sulfúrico al ácido hexafluorosilícico formado
(H_{2}SiF_{6}).
\vskip1.000000\baselineskip
El SiO_{2} se mezcla con HF y el
H_{2}SO_{4} se instila con agitación. Dependiendo de la
velocidad de adición, se forma SiF_{4} entre 0°C y temperatura
ambiente. Mediante un aumento de la temperatura hasta
aproximadamente 80°C se completa la expulsión de SiF_{4} de un
depósito de alimentación. El SiF_{4} obtenido se origina como gas
incoloro que puede purificarse adicionalmente mediante
recondensación por encima de su punto de sublimación (-95,5°C).
Todos los fluoruros alcalinos, alcalinotérreos, de Al, entre otros,
resultantes de las impurezas de la arena (SiO_{2}) quedan como
productos sólidos de la reacción de HF y/o reaccionan con el
H_{2}SO_{4} añadido para dar los sulfatos y pueden separarse
como sólidos (después de la reutilización pueden introducirse usos
específicos de productos).
En la 2ª alternativa se mezcla arena (SiO_{2})
con un fluoruro de un metal del grupo I o II, preferiblemente un
fluoruro de metal alcalino (AF), especialmente fluoruro sódico, y se
gotea ácido sulfúrico (procedimiento in situ). En esto se
forma el HF in situ y reacciona inmediatamente con el
SiO_{2} para dar SiF_{4} y sulfato metálico, preferiblemente
sulfato de metal alcalino, especialmente sulfato sódico.
En lo que se refiere a la etapa b. del
procedimiento según la invención, entonces en el presente documento
puede utilizarse el metal del grupo I o II del sistema periódico en
forma sólida o líquida, o se trabaja en fase gaseosa. Otra
alternativa prevé que reaccione en disolución según la etapa b.
En una forma de realización especial, en la etapa
b. del procedimiento según la invención se hace reaccionar el
SiF_{4} obtenido después de la "autodepuración" en un reactor
(reactor rotatorio, evaporador de película, procedimiento en
contracorriente) con metal brillante, preferiblemente metal alcalino
(A), especialmente sodio, o con vapor metálico (preferiblemente
vapor de metal alcalino, especialmente vapor de sodio) con exclusión
de oxígeno y exclusión de agua (a veces con aparición de llama). En
este sentido, dependiendo de las cantidades de la mezcla básica, se
eligen las siguientes condiciones:
Para mezclas básicas más pequeñas en una reacción
líquido/gas (sodio líquido, SiF_{4} gaseoso), presiones entre 350
y 760 Torr (47.285 y 101.325 Pa) a temperaturas de reacción entre
150 y 250°C. En este sentido, la temperatura de reacción aumenta
hasta aproximadamente 900°C. Las plantas técnicas operan entre 500 y
1000°C (reacción vapor/vapor). En esto se forma silicio amorfo
marrón grisáceo, finamente pulverizado, y fluoruro sódico. Mediante
la fusión de la mezcla de reacción hasta aproximadamente 1000°C
(P.f. de NaF 993°C) y prensado y/o centrifugado del fluoruro sódico
fundido o lavado con agua se separan el fluoruro alcalino (fluoruro
sódico, muy soluble en agua) y el polvo de Si (no soluble en agua),
dado el caso también se reutiliza de manera ligeramente ácida. De
la disolución se separa agua por destilación (o se separa por
condensación a vacío), y queda fluoruro de metal alcalino sólido
(fluoruro sódico). El polvo de Si se seca y se introduce en el uso
posterior, dependiendo del fin de uso, dado el caso se purifica
adicionalmente.
Si se hace reaccionar según la etapa b. en
disolución, se utiliza preferiblemente un disolvente apolar.
El término "disolvente" usado en el presente
documento se quiere referir a un agente que está en condiciones de
fabricar una dispersión de metal en "disolvente", es decir,
este término también debe comprender meros dispersantes. Un
disolvente "apolar o no polar" no presenta ningún grupo polar o
grupo funcional cuyas distribuciones electrónicas características
concedan un momento dipolar eléctrico considerable a la molécula, de
manera que tales grupos condicionan la afinidad por otros compuestos
químicos polares.
Según la invención se comprobó que mediante la
utilización de un disolvente apolar en el procedimiento de reducción
precedentemente indicado se consigue silicio amorfo puro que posee
un color negro. Este silicio amorfo no está "superficialmente
ocupado" y destaca por una capacidad de reacción especialmente
alta. Este está en oposición con el silicio amorfo obtenido de
manera habitual que se origina como polvo marrón y, como han
mostrado las investigaciones, está "superficialmente ocupado",
por ejemplo está ocupado con Cl, cloruro de sililo u O_{2} o
HO.
Preferiblemente se usan disolventes orgánicos, no
coordinantes, como xileno, tolueno.
Como metal se usa un metal del grupo I o II del
sistema periódico. Se prefiere sodio, pero también se obtuvieron
buenos resultados con magnesio.
El metal se funde preferiblemente en disolvente
para fabricar una dispersión del metal en el disolvente. No es
indispensable una fusión de este tipo, mejor dicho, también pueden
utilizarse finos metálicos, polvos metálicos, etc. Es esencial que
el metal esté a disposición en un estado con superficie activada
para la reacción.
Si el metal debe fundirse en el disolvente,
preferiblemente se usa un disolvente apolar cuyo punto de ebullición
sea superior al punto de fusión del metal usado y se trabaja con una
temperatura de reacción superior a la temperatura de fusión del
metal (sodio = 96°C) e inferior al punto de ebullición del
disolvente apolar utilizado. También puede trabajarse a altas
presiones.
De manera apropiada, el procedimiento según la
invención se realiza a condiciones de reflujo para el
disolvente.
En el procedimiento según la invención se origina
el silicio amorfo no cubierto en mezcla con un fluoruro metálico.
Esta mezcla ya posee, con respecto al silicio amorfo, una
reactividad muy alta, de manera que puede utilizarse para las
reacciones posteriores deseadas. Pero el silicio amorfo también
puede aislarse mediante un procedimiento de separación de la mezcla,
pudiéndose utilizar para esto cualquier procedimiento de separación
físico o químico. Entonces pueden utilizarse, por ejemplo,
procedimientos de separación físicos como fusión, prensado,
centrifugado, procedimientos de sedimentación, procedimientos de
flotación, etc. Como procedimiento químico puede realizarse un
lavado del silicio amorfo con un disolvente o mezcla de disolventes
que disuelve el halogenuro metálico, pero no reacciona de manera
irreversible con el silicio. Por ejemplo, con amoniaco líquido se
obtiene un silicio ocupado con amoniaco, pudiéndose preparar el
silicio amorfo puro deseado de color negro mediante bombeo del
amoniaco.
La temperatura de reacción por encima del punto
de fusión del metal no es válida para, por ejemplo, fino de Na, que
también reacciona a temperatura ambiente. La temperatura de reacción
por debajo del punto de ebullición sólo debería mantenerse para
silanos gaseosos para garantizar una presión parcial suficiente del
silano durante la dispersión y por tanto para alcanzar tiempos de
reacción justificables.
Además, en el procedimiento según la invención se
disocia el fluoruro metálico obtenido según la etapa b.,
preferiblemente fluoruro de metal alcalino AF, especialmente NaF,
con ácido sulfúrico para dar HF y un sulfato metálico,
preferiblemente A_{2}SO_{4}, especialmente sulfato sódico. El HF
obtenido en este procedimiento se incorpora de nuevo en el circuito
y se utiliza en la etapa a. del procedimiento según la invención
para la obtención de SiF_{4}.
Por tanto, del fluoruro metálico, preferiblemente
fluoruro de metal alcalino, se recupera el fluoruro de hidrógeno
mediante reacción con ácido sulfúrico:
2 AF +
H_{2}SO_{4} \rightarrow A_{2}SO_{4} + 2
HF,
especialmente
2 NaF +
H_{2}SO_{4} \rightarrow Na_{2}SO_{4} + 2
HF.
Además, previamente se coloca fluoruro metálico
sólido (fluoruro de metal alcalino) y se gotea con agitación ácido
sulfúrico concentrado. En esto emana HF gaseoso y se condensa
mediante un condensador. Se queda el sulfato metálico sólido
(sulfato de metal alcalino) y el HF se incorpora de nuevo en el
circuito.
En la etapa e. del procedimiento según la
invención, el sulfato metálico conseguido según la etapa c. se hace
reaccionar para dar metal, que se utiliza como metal en la etapa b.,
así como para dar ácido sulfúrico, que se utiliza en la etapa c. En
este sentido, preferiblemente se hace reaccionar el A_{2}SO_{4}
conseguido según la etapa c. para dar ACl y sulfato de metal
alcalinotérreo, ocurriendo esto preferiblemente con ayuda de un
cloruro de metal alcalinotérreo. Del ACl obtenido se consigue A,
preferiblemente Na, que se utiliza como metal alcalino (A) en la
etapa b. del procedimiento según la invención. Además, del sulfato
de metal alcalinotérreo se obtiene ácido sulfúrico que se utiliza en
la etapa e. del procedimiento según la invención. Esta parte del
procedimiento se explica más detalladamente más
adelante.
adelante.
El sulfato de metal alcalino formado se hace
reaccionar preferiblemente como disolución acuosa con disolución
acuosa de cloruro cálcico. El sulfato de calcio difícilmente soluble
(yeso) precipita y el cloruro sódico permanece en disolución.
Especialmente tiene lugar la siguiente reacción:
Na_{2}SO_{4} +
CaCl_{2} \rightarrow CaSO_{4} + 2
NaCl
El sólido y la disolución se separan el uno del
otro mediante procedimientos de separación físicos, especialmente
filtración.
Preferiblemente se disocia electrolíticamente el
agua producida según la etapa a. del procedimiento según la
invención en O_{2} y H_{2} y el H_{2} obtenido se utiliza para
la fabricación de HCl (cloruro de hidrógeno), que se hace reaccionar
con un óxido de metal alcalinotérreo para dar cloruro de metal
alcalinotérreo, que se usa con el A_{2}SO_{4} conseguido según
la etapa e. para la obtención de ACl.
El ACl conseguido, preferiblemente NaCl
(disolución de cloruro sódico), se libera del agua mediante
destilación/condensación y el ACl sólido, especialmente NaCl, se
somete en la masa fundida a la electrólisis cloro-álcali
habitual:
2 NaCl
\rightarrow 2 Na +
Cl_{2}
Con esto se incorpora de nuevo en el circuito el
metal alcalino (sodio) para la reducción de SiF_{4} según la etapa
b. del procedimiento según la invención.
El ácido sulfúrico usado según la etapa c. del
procedimiento según la invención se obtiene preferiblemente mediante
reacción del A_{2}SO_{4} conseguido según la etapa e. con un
cloruro alcalinotérreo y el sulfato de metal alcalinotérreo se
disocia en SO_{2} y O_{2} y estos dos constituyentes se hacen
reaccionar con agua para dar ácido sulfúrico. Como se menciona, se
usa preferiblemente calcio como metal alcalinotérreo. En este
sentido se descompone sulfato de calcio a temperaturas superiores a
800°C en óxido de Ca y SO_{3} y/o SO_{2}/O_{2}:
CaSO_{4}
\rightarrow CaO + SO_{3} \rightarrow CaO + SO_{2} +
^{1}/_{2}
O_{2}
La mezcla SO_{2}/O_{2} se reutiliza según el
procedimiento de cámaras de plomo o de contacto en tecnología
habitual para dar ácido sulfúrico:
SO_{2}/O_{2} +
H_{2}O \rightarrow
H_{2}SO_{4}
El óxido y/o hidróxido de metal alcalinotérreo
precedentemente conseguido, especialmente óxido de calcio y/o
hidróxido de calcio, se hace reaccionar con disolución acuosa de
ácido clorhídrico para dar cloruro de metal alcalinotérreo,
especialmente cloruro cálcico. El cloruro de metal alcalinotérreo se
usa entonces de nuevo en el proceso de la manera precedentemente
descrita. El ácido clorhídrico necesario se produce en tecnología
habitual a partir del gas cloro obtenido en la electrólisis
cloro-álcali e hidrógeno.
H_{2} + Cl_{2}
\rightarrow 2
HCl
El hidrógeno necesario para esto se incorpora en
el proceso del exterior y puede obtenerse por ejemplo a partir del
electrolizado del agua del agua de proceso producida según la etapa
a. del procedimiento según la invención:
SiO_{2} + 4 HF
\rightarrow SiF_{4} + 2
H_{2}O.
Preferiblemente, el procedimiento según la
invención se configura como proceso total, que se muestra en la
siguiente representación A.
\vskip1.000000\baselineskip
\vskip1.000000\baselineskip
\vskip1.000000\baselineskip
(Esquema pasa a página
siguiente)
\newpage
Representación
A
\newpage
Mediante este proceso se realiza en resumen la
reducción técnicamente no verificada del SiO_{2} con hidrógeno.
Las electrólisis de SiO_{2}, que (todavía) no pueden realizarse
desde el punto de vista de la tecnología de procesos, se reducen a
la electrólisis cloro-álcali madurada a escala industrial. Mediante
esto se introduce (además de la síntesis catalítica de
H_{2}SO_{4}) la energía eléctrica necesaria para el proceso
total. Debido a que el proceso Down (celda de Down: recipiente de
acero, ánodo de grafito, cátodo de hierro, voltaje de
aproximadamente 7 V, rendimiento de la corriente de aproximadamente
90%, temperaturas de reacción de aproximadamente 600 - 800°C, 10 -
11 kWh por kg de Na) transcurre a condiciones moderadas, pueden
introducirse energías eléctricas y químicas, dado el caso también
fotovoltaicas y/o solar térmicas, con aprovechamiento de energías
renovables. Lo mismo es válido para la electrolisis del agua antes
mencionada.
El proceso total también transcurre con uso de
potasio en lugar de sodio (a aproximadamente de temperatura ambiente
a 80°C para la reducción de SiF_{4}). Sin embargo, el potasio es
más caro y debe implantarse otra etapa de reacción KCl + Na
\rightarrow NaCl + K en el circuito. La ventaja aquí: de la
reacción de cloruro sódico con CaCO_{3} puede producirse sosa
interesante a escala industrial como producto secundario. 2 NaCl +
CaCO_{3} \rightarrow Na_{2}CO_{3} + CaCl_{2}. El cloruro
de Ca se recircula en el proceso.
Con este proceso se obtiene polvo de silicio
amorfo, de "calidad solar" que puede usarse para la producción
de nitruro de silicio y ácido silícico altamente disperso. Mediante
la cristalización específica está accesible silicio semiconductor.
La utilización para la síntesis de Müller-Rochow es
ventajosa. Evidentemente también puede utilizarse este silicio así
producido como "portador de energía y acumulador de
energía".
El proceso total según la invención tiene la
ventaja adicional de que en las etapas de procedimiento por separado
puede recurrirse a tecnologías nucleares conocidas y acreditadas,
concretamente:
Manejo de HF/SiF_{4}
Electrólisis del agua
Electrólisis cloro/álcali
Producción de H_{2}SO_{4}
Obtención de HCl
Tecnología del cemento.
Especialmente mediante la reacción de
Na_{2}SO_{4} con CaCl_{2} para dar cloruro sódico se logra la
acreditada electrólisis cloro/álcali.
Con el procedimiento según la invención no sólo
puede fabricarse silicio amorfo, sino también silicio cristalino
(silicio policristalino), cuando se aplican temperaturas
correspondientemente altas que están, por ejemplo por encima de
1400°C.
Puede fabricarse silicio de alta pureza,
determinándose el grado de pureza por la pureza del metal utilizado
para la reducción y del tetrafluoruro de silicio (SiF_{4})
obtenido. En la obtención de silicio de alta pureza pueden
suprimirse los procedimientos de purificación correspondientes para
procesos sucesivos correspondientes (fusión y conversión en Si para
aplicaciones solares o fotovoltaicas, silicio semiconductor).
Otro metal de reducción preferido para la etapa
a. es magnesio.
Claims (16)
1. Procedimiento para la fabricación de silicio
con las siguientes etapas:
a. Hacer reaccionar SiO_{2} o silicatos con
fluoruro de hidrógeno o un fluoruro de un metal del grupo I o II del
sistema periódico para dar SiF_{4} con desprendimiento de
H_{2}O;
b. Hacer reaccionar el SiF_{4} conseguido según
la etapa a. con un metal del grupo I o II del sistema periódico para
dar Si y un fluoruro metálico;
c. Disociar el fluoruro metálico obtenido según
b. con ácido sulfúrico para dar HF y un sulfato metálico;
d. Usar el HF conseguido según la etapa c. en la
etapa a. para la obtención de SiF_{4}; y
e. Hacer reaccionar el sulfato metálico
conseguido según la etapa c. para dar metal, que se utiliza como
metal en la etapa b., así como para dar ácido sulfúrico, que se
utiliza en la etapa c.
2. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque según la etapa a. se hace reaccionar
SiO_{2} o silicatos con ácido sulfúrico.
3. Procedimiento según la reivindicación 1 ó 2,
caracterizado porque el SiF_{4} conseguido según la etapa
a. se hace reaccionar con un metal alcalino (A) para dar Si y
AF.
4. Procedimiento según la reivindicación 3,
caracterizado porque el A_{2}SO_{4} conseguido según la
etapa c. se hace reaccionar para dar ACl y sulfato de metal
alcalinotérreo y se obtiene A de ACl, que se utiliza como metal
alcalino (A) en la etapa b., así como ácido sulfúrico del sulfato de
metal alcalinotérreo, que se utiliza en la etapa c.
5. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque según la
etapa b. se trabaja en fase gaseosa.
6. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque según la etapa
b. se hace reaccionar en disolución.
7. Procedimiento según la reivindicación 6,
caracterizado porque como disolvente se utiliza un disolvente
apolar.
8. Procedimiento según la reivindicación 6 ó 7,
caracterizado porque el metal se funde en el disolvente.
9. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el agua
producida según la etapa a. se disocia electrolíticamente en O_{2}
y H_{2}.
10. Procedimiento según la reivindicación 9,
caracterizado porque se utiliza el H_{2} obtenido para la
fabricación de HCl (cloruro de hidrógeno), que se hace reaccionar
con un óxido de metal alcalinotérreo para dar cloruro de metal
alcalinotérreo, que se usa con el sulfato metálico conseguido según
la etapa e. para la obtención de cloruro metálico.
11. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el ácido
sulfúrico usado según la etapa c. se fabrica mediante reacción del
sulfato metálico conseguido según la etapa e. con un cloruro de
metal alcalinotérreo para dar un sulfato de metal alcalinotérreo y
disociación del sulfato de metal alcalinotérreo en un óxido de metal
alcalinotérreo y SO_{2} y O_{2}, así como reacción de SO_{2} y
O_{2} con agua.
12. Procedimiento según la reivindicación 11,
caracterizado porque el metal alcalinotérreo es calcio.
13. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el sulfato
metálico conseguido según la etapa e. se hace reaccionar con un
cloruro de metal alcalinotérreo para dar un sulfato de metal
alcalinotérreo y porque el cloruro metálico formado en esta reacción
se somete a una electrólisis de cloro-metal para
conseguir el metal, especialmente metal alcalino (A), y cloro.
14. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a 13, caracterizado porque como metal
alcalino (A) se utiliza sodio.
15. Procedimiento según la reivindicación 13,
caracterizado porque el sulfato de metal alcalinotérreo
conseguido se hace reaccionar para dar óxido de metal alcalinotérreo
y el óxido de metal alcalinotérreo conseguido puede reaccionar con
HCl con desprendimiento de H_{2}O para dar cloruro alcalinotérreo,
que se hace reaccionar con el sulfato metálico conseguido según la
etapa e.
16. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque se utiliza
para fabricar silicio amorfo.
Applications Claiming Priority (4)
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| DE10201772 | 2002-01-18 | ||
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Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BRPI0813442A8 (pt) * | 2007-06-19 | 2015-12-01 | Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Solar Si | Método para produção de silício policristalino a partir de uma solução de ácido hidrosilicofluorídrico, e instalação para produção de silício policristalino a partir de uma solução de ácido fluorosilícico na forma de um pó com partículas de formato esférico |
| BRPI0814309A2 (pt) * | 2007-08-01 | 2015-02-03 | Boston Silicon Materials Llc | Processo para a produção de silíco elementar de pureza elevada |
| KR101140076B1 (ko) | 2007-08-23 | 2012-04-30 | 오브스체스트보 에스 오그라니체노이 오트베츠트벤노스츄 ＇솔라르 씨＇ | 다결정 실리콘 제조 방법 |
| RU2525415C1 (ru) * | 2012-12-28 | 2014-08-10 | Руслан Алексеевич Шевченко | Способ получения кремния и его соединений и линия для его осуществления |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4102765A (en) * | 1977-01-06 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | Arc heater production of silicon involving alkali or alkaline-earth metals |
| GB2079262B (en) * | 1980-07-02 | 1984-03-28 | Central Glass Co Ltd | Process of preparing silicon tetrafluoride by using hydrogen fluoride gas |
| US4590043A (en) * | 1982-12-27 | 1986-05-20 | Sri International | Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
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