ES2230418T3 - Oscilador multifrecuencia con resonador dielectrico. - Google Patents
Oscilador multifrecuencia con resonador dielectrico.Info
- Publication number
- ES2230418T3 ES2230418T3 ES02011450T ES02011450T ES2230418T3 ES 2230418 T3 ES2230418 T3 ES 2230418T3 ES 02011450 T ES02011450 T ES 02011450T ES 02011450 T ES02011450 T ES 02011450T ES 2230418 T3 ES2230418 T3 ES 2230418T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- resonator
- interfering
- conductors
- cavity
- interfering conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Circuito oscilador que incluye un resonador dieléctrico (DR) situado próximo a un conductor de acoplamiento (CL) que segura el acoplamiento con el resto del circuito oscilador, estando situado dicho resonador (DR) y dicho conductor de acoplamiento (CL) en el interior de una cavidad (CAV) caracterizado porque incluye: - al menos un par de conductores interferentes (30, 31) situados en la cavidad (CAV) próximos al resonador (DR), - unos medios de conmutación (33, Z1, Z2, control) que pueden o no establecer un contacto eléctrico entre los conductores interferentes (30, 31).
Description
Oscilador multifrecuencia con resonador
dieléctrico.
La invención se refiere a un oscilador
multifrecuencia con resonador dieléctrico y, más especialmente, a
osciladores que operan en frecuencias de microondas.
Los osciladores de microondas se utilizan en
sistemas de transmisión y, más especialmente, próximos a la antena a
fin de efectuar una transposición de frecuencias entre una banda de
frecuencias intermedia y una banda de frecuencias de transmisión.
La transposición de frecuencias se debe a la utilización de dos
unidades, una que por lo general está situada en el interior de un
edificio, y la otra que suele estar situada en el exterior próximo
a la antena. Las unidades interior y exterior están conectadas
mediante un conductor eléctrico, por ejemplo un cable coaxial, lo
que implica elevadas pérdidas a las frecuencias de transmisión
utilizadas, por ejemplo superiores a 10 GHz.
Los sistemas de comunicación utilizan con cada
vez más frecuencia elevadas frecuencias de transmisión, así como
unas bandas de frecuencia cada vez más amplias. Una sola
transposición de frecuencias implica la utilización de una banda que
es igual de amplia para las frecuencias intermedias que para la
frecuencia de transmisión. Sin embargo, el uso de un ancho de banda
de frecuencias intermedias mayor de un GHz presenta problemas de
realización. Esto se debe a que las pérdidas en el cable coaxial que
conecta las unidades interior y exterior varían significativamente
a lo largo del ancho de banda intermedio. Además, resulta costoso
producir un sintetizador de frecuencias que sea capaz de
proporcionar la agilidad necesaria en términos de frecuencia que se
precisa para explorar unas bandas de frecuencias intermedias muy
amplias.
A fin de obtener una banda de frecuencias
intermedias que sea más estrecha que la banda de transmisión es
posible segmentar la banda de transmisión antes de proceder a su
transposición. Esta segmentación puede llevarse a cabo utilizando
varios osciladores conmutados en la unidad externa. Dependiendo del
oscilador seleccionado, la banda de frecuencias intermedias recibe
tan sólo parte de la banda de transmisión, correspondiendo dicha
parte a la frecuencia seleccionada.
Los osciladores de resonador dieléctrico suelen
utilizarse normalmente en unidades con sistemas de transmisión
externos. Los resonadores dieléctricos suelen utilizarse en un
bucle de realimentación, por ejemplo como el mostrado en una de las
figuras 1A o 1B. El acoplamiento entre el resonador dieléctrico DR
y el circuito eléctrico se produce aproximando un resonador
dieléctrico DR y un conductor CL del circuito eléctrico, siendo el
conductor, por ejemplo, una línea de microbanda. La situación del
resonador dieléctrico ejercerá un efecto directo sobre el grado de
acoplamiento, la potencia de salida del oscilador, la estabilidad
de frecuencias y la frecuencia del oscilador.
La frecuencia de oscilación de un oscilador con
resonador dieléctrico depende de sus dimensiones y de las
propiedades electromagnéticas de su entorno. Para poder controlar
estos factores, el resonador se sitúa en una cavidad apantallada a
través de la cual pasa el conductor. La figura 2 muestra una
realización de este tipo en la cual una línea de microbanda CL
atraviese una cavidad apantallada CAV en cuyo interior se encuentra
un resonador dieléctrico DR. El resonador DR está sujeto en la
cavidad mediante arandelas (no mostradas). Para conocer más
detalles sobre la fabricación de osciladores con resonador
dieléctrico, cualquier persona versada en la materia puede remitirse
al libro titulado "Dielectric Resonators", 2ª edición,
de Darko Kajfez y Pierre Guillon, publicado en 1998 por Noble
Publishing Corporation.
Una solución conocida para obtener diversas
frecuencias a partir de osciladores con resonador dieléctrico
consiste en utilizar varios osciladores y conmutar sus salidas. El
aumento del número de osciladores implica un aumento de las
dimensiones de los circuitos situados en la unidad externa. Otra
solución conocida, publicada en US-4733199 A,
utiliza un solo oscilador con varios circuitos con resonador
dieléctrico conmutados.
La invención tiene por objeto reducir las
dimensiones de las unidades externas utilizando varias frecuencias
de transposición. Para ello, la invención proporciona un oscilador
con resonador dieléctrico cuya frecuencia de oscilación puede
adoptar diversos valores. El dispositivo de la invención utiliza
conductores conmutados interferentes, próximos al resonador
dieléctrico a fin de variar la frecuencia del oscilador utilizando
un solo resonador. Los conductores interferentes se comportan bien
como dos conductores independientes o como un plano metálico.
La invención consiste en un circuito oscilador
que incluye un resonador dieléctrico situado próximo a un conductor
de acoplamiento que facilita el acoplamiento con el resto del
circuito oscilador, estando situados dicho resonador y dicho
conductor de acoplamiento en una cavidad. El circuito oscilador
comprende al menos un par de conductores interferentes situados en
la cavidad cercana al resonador. Mediante unos medios de
conmutación se puede o no establecer un contacto eléctrico entre los
conductores interferentes.
La invención se comprenderá mejor, y otras
características y ventajas específicas se harán más evidentes,
mediante la lectura de la siguiente descripción, la cual hace
referencia a los dibujos adjuntos, entre los cuales:
Las figuras 1A y 1B muestran diagramas de
circuito de osciladores con resonador dieléctrico.
La figura 2 muestra el conjunto de un resonador
de acuerdo con la técnica anterior.
Las figuras 3 a 5 detallan el conjunto de un
resonador dieléctrico desde diferentes vistas y aspectos de acuerdo
con la invención.
La figura 6 muestra una mejora en el conjunto
mostrado en las figuras 3 a 5.
La figura 7 muestra una variante de la
invención.
Como se ha indicado anteriormente, las figuras 1A
y 1B muestran circuitos osciladores con resonador dieléctrico. Estos
circuitos osciladores eléctricos pueden utilizarse con la invención
y con otros circuitos conocidos en los cuales la frecuencia del
oscilador tan sólo está determinada por el resonador DR y su
entorno.
La figura 3 muestra en perspectiva el conjunto
del resonador dieléctrico DR en las cercanías de la línea
conductora CL del circuito oscilador de una de las figuras 1A o 1B.
La figura 4 muestra una vista lateral del conjunto.
Una cavidad apantallada CAV rodea al resonador DR
a fin de aislarlo frente a interferencias electromagnéticas
externas. La cavidad CAV consiste, por ejemplo, en una cubierta
metálica conectada a tierra. Un sustrato 10 cierra la cavidad
apantallada CAV. El sustrato 10 comprende, en la cara situada en el
interior de la cavidad CAV, el conductor CL fabricado, por ejemplo,
mediante una línea de microbanda. En la cara del sustrato 10
situada en el exterior de la cavidad, un plano de tierra proporciona
el sellado electromagnético. Los orificios 15 situados en cualquiera
de los lados de la cavidad CAV permiten que la atraviese el
conductor CL. El sustrato 10 se extiende más allá de la cavidad y
soporta el resto del circuito oscilador.
Un segundo sustrato 20 se mantiene, por ejemplo,
mediante pegamento en el interior de la cavidad CAV. El resonador DR
está pegado sobre una de las caras del segundo sustrato 20. El
resonador DR está situado en el segundo sustrato 20 y el segundo
sustrato 20 se encuentra en la cavidad CAV para garantizar el
acoplamiento entre el resonador DR y el conductor CL de acuerdo con
una técnica conocida.
El segundo sustrato 20 incluye en la cara opuesta
al resonador dos conductores interferentes 30 y 31. Los conductores
interferentes 30 y 31 se producen, por ejemplo, utilizando líneas
impresas. A fin de prevenir el acoplamiento parásito entre los
conductores interferentes 30 y 31 y el conductor CL, los conductores
interferentes 30 y 31 se encuentran preferiblemente orientados a lo
largo de unos planos perpendiculares al conductor CL. Las líneas
del campo magnético del resonador DR, en el segundo sustrato 20, son
preferiblemente perpendiculares a dicho sustrato.
La figura 5 muestra los aspectos operativos de la
invención. Los conductores interferentes 30 y 31 se encuentran
situados simétricamente por encima del resonador DR. La longitud de
los conductores interferentes es sustancialmente equivalente a la
mitad de la longitud de onda de la frecuencia más baja que se desea
obtener, teniendo en cuenta la longitud de onda del medio de
propagación de la onda, que en el ejemplo descrito es el sustrato.
El resonador DR debería estar centrado con respecto a los
conductores interferentes 30 y 31. Los conductores interferentes 30
y 31 se encuentran situados en cualquiera de los lados del
resonador DR para no tapar la mayor parte de la superficie del
resonador DR. Además, la combinación de los conductores
interferentes 30 y 31 define una superficie cuyas dimensiones son
superiores a las de la superficie del resonador DR.
El conductor interferente 30 está conectado a
tierra mediante la correspondiente impedancia Z1. El conductor
interferente 31 está conectado a una línea de control mediante la
correspondiente impedancia Z2. Las correspondientes impedancias Z1 y
Z2 se comportan como filtros paso-bajo que son
equivalentes a cortocircuitos a baja frecuencia y a circuitos
abiertos en las gamas de frecuencia del oscilador. Los conductores
interferentes 30 y 31 están conectados entre sí, preferiblemente en
su parte central, mediante un diodo 33, por ejemplo del tipo PIN.
La línea de control puede adoptar dos estados correspondientes a un
primer y a un segundo estados de control. Las impedancias Z1 y Z2,
el diodo 33 y la línea de control forman un circuito de conmutación
que se sitúa en el segundo sustrato 20.
En un primer estado de control, la línea de
control está a un potencial tal que el diodo 33 está desconectado.
En este primer estado de control, los conductores interferentes 30
y 31 son eléctricamente independientes. El campo magnético se
propaga a través del segundo sustrato hasta la superficie superior
de la cavidad. El acoplamiento del campo magnético desarrollado por
el resonador DR será entonces máximo entre los conductores
interferentes 30 y 31. La frecuencia de oscilación corresponde a una
frecuencia de funcionamiento baja cuyo valor depende de la longitud
y de la anchura de los conductores interferentes en el espacio
situado entre los conductores interferentes y del tamaño de la
cavidad.
En un segundo estado de control, la línea de
control está a un voltaje positivo que es suficiente para que el
diodo 33 pase a ser conductor. El diodo 33 se conecta y los
conductores interferentes 30 y 31 se encuentran eléctricamente
conectados. Entonces, los dos conductores interferentes 30 y 31 se
comportan como un plano de metal interferente con una anchura L. El
plano metálico interferente desconecta el campo magnético del
resonador DR a una distancia virtualmente cero correspondiente al
espesor del sustrato. La frecuencia de oscilación se corresponde
con la frecuencia máxima del resonador DR. El potencial entre los
conductores interferentes 30 y 31 se corresponde con el voltaje
umbral del diodo 33, si bien a las frecuencias de oscilación, las
variaciones en el potencial son las mismas en ambos conductores
interferentes.
A modo de ejemplo, el acoplamiento de un
resonador dieléctrico con una frecuencia nominal de 9,9 GHz con
unos conductores interferentes realizados utilizando líneas de
microbanda con una longitud de 9,1 mm, una anchura de 3,5 mm y una
separación de 2,5 mm permite obtener una baja frecuencia de 9 GHz y
una alta frecuencia de 10,9 GHz.
Para obtener diferentes frecuencias con el mismo
resonador, es posible desplazar el plano en el cual se encuentran
situados los conductores interferentes a fin de reducir la
frecuencia más alta. También es posible dimensionar de forma
diferente los conductores interferentes a fin de variar la
frecuencia más baja.
Para reducir las limitaciones de diseño y las
dimensiones del dispositivo de la invención, es posible recurrir a
unos tornillos de ajuste. La figura 6 muestra una posible forma de
colocar los tornillos permitiendo el ajuste de las frecuencias
superior e inferior. Un primer tornillo 40 atraviesa la cavidad CAV
situada en la parte superior a través del eje magnético del
resonador DR. Un segundo tornillo 50 atraviesa la cavidad a través
de una pared lateral perpendicular al eje magnético del resonador
DR, estando situado el resonador DR a lo largo del eje del
tornillo. El primer y el segundo tornillo permiten el ajuste
independiente de la frecuencia superior y de la frecuencia
inferior.
En el segundo estado de control, los conductores
interferentes 30 y 31 forman un plano metálico por encima del
resonador DR. El primer tornillo 40 resulta ineficaz. La frecuencia
superior puede ajustarse utilizando el segundo tornillo 50.
En el primer estado de control, los conductores
interferentes 30 y 31 permiten que el campo magnético atraviese la
parte superior de la cavidad que forma un plano metálico visible.
El grado de inserción del primer tornillo perturba el campo
magnético, lo que permite el ajuste de la frecuencia inferior.
La invención también hace posible obtener un
oscilador conmutado que puede suministrar más de dos frecuencias. La
figura 7 muestra una realización en la cual un tercer sustrato 39
se encuentra situado por encima del segundo sustrato 20. El tercer
sustrato 39 incluye dos conductores interferentes 41 y 42 y un
circuito de conmutación similar al mostrado en la figura 5. Los
conductores interferentes 41 y 42 son paralelos a los conductores
interferentes 30 y 31. El conductor 41, situado por encima del
conductor interferentes 30, está conectado a tierra. Dependiendo de
los diversos estados de control de los circuitos de conmutación,
existen tres posibilidades de funcionamiento.
De acuerdo con un primer estado, los conductores
interferentes 30 y 31 forman un primer plano metálico que se
corresponde con una frecuencia de funcionamiento elevada. Este
estado es independiente de los conductores 41 y 42.
De acuerdo con un segundo estado, los conductores
30 y 31 no están eléctricamente conectados y los conductores 41 y
42 forman un plano metálico a una distancia diferente del resonador
DR. Este estado se corresponde con una frecuencia de funcionamiento
intermedia.
De acuerdo con un tercer estado, los conductores
30, 31, 41 y 42 se hacen independientes. Este estado se corresponde
con una baja frecuencia de funcionamiento.
La adición de otros sustratos que soporten otros
conductores interferentes permite la obtención de otras frecuencias
de funcionamiento. Para n sustratos, se obtienen n + 1 frecuencias
de funcionamiento.
Son posibles otras realizaciones.
Las realizaciones precedentes describen un
sustrato 20 que soporta por una parte al resonador DR y, por otra
parte, a los conductores 30 y 31 obtenidos mediante líneas impresas
en cobre. Esta solución es sencilla y eficaz. No obstante, es
posible sujetar el resonador utilizando espaciadores distintos del
sustrato. También es posible recurrir a conductores distintos de
las líneas impresas y sujetos en la cavidad mediante cualquier
medio. De igual modo, no es necesario que los conductores 30 y 31
estén situados en un plano perpendicular a las líneas del campo
magnético procedentes del resonador DR. La conmutación de dos
conductores lineales que puede o no crear un plano metálico hace
posible disponer de dos frecuencias de funcionamiento distintas. La
realización propuesta resulta ser la solución más fácil de
realizar.
De igual modo, la figura 5 muestra los
conductores interferentes con el circuito de conmutación. Este
circuito se ajusta en función del diodo y de los voltajes de
control que se desean utilizar. El comportamiento a baja frecuencia
de las impedancias puede ser equivalente a una resistencia de
polarización que actúa limitando la intensidad. Asimismo, se ha
elegido conectar Z1 a tierra, lo que permite desconectar el diodo
mediante un voltaje de control cercano a cero voltios. No es
necesario decir que son posibles otras opciones. De forma más
general, puede utilizarse cualquier otro tipo de circuito de
conmutación siempre y cuando permita que los dos conductores
interferentes estén conectados eléctricamente al menos para las
frecuencias altas.
En la realización descrita, la cavidad CAV está
cerrada mediante el sustrato 10 que está cubierto con un plano de
tierra y que soporta al conductor CL. Como variante, es posible
utilizar una cavidad metálica cerrada a través de la cual
simplemente pasa un hilo conductor.
En la presente descripción, la cavidad tiene
forma rectangular. No es necesario decir que pueden utilizarse
otras formas de cavidad, especialmente cavidades cilíndricas.
Claims (8)
1. Circuito oscilador que incluye un resonador
dieléctrico (DR) situado próximo a un conductor de acoplamiento
(CL) que segura el acoplamiento con el resto del circuito
oscilador, estando situado dicho resonador (DR) y dicho conductor de
acoplamiento (CL) en el interior de una cavidad (CAV)
caracterizado porque incluye:
- -
- al menos un par de conductores interferentes (30, 31) situados en la cavidad (CAV) próximos al resonador (DR),
- -
- unos medios de conmutación (33, Z1, Z2, control) que pueden o no establecer un contacto eléctrico entre los conductores interferentes (30, 31).
2. Circuito de acuerdo con la reivindicación 1,
caracterizado porque los medios de conmutación (33, Z1, Z2,
control) incluyen un diodo (33) situado entre los conductores
interferentes (30, 31).
3. Circuito de acuerdo con la reivindicación 2,
caracterizado porque el punto de contacto entre el diodo
(33) y cada uno de los conductores interferentes (30, 31) está
situado en el centro de cada uno de los conductores interferentes
(30, 31).
4. Circuito de acuerdo con una de las
reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque la longitud de
los conductores interferentes (30, 31) es sustancialmente idéntica a
la mitad de la longitud de onda de la frecuencia más baja que el
circuito oscilador puede proporcionar.
5. Circuito de acuerdo con una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque incluye
un sustrato (20) con dos caras opuestas, estando el resonador (DR)
pegado a una de dichas caras, y los conductores interferentes (30,
31) están realizados en la otra cara mediante líneas impresas.
6. Circuito de acuerdo con una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el
conductor de acoplamiento (CL) y los conductores interferentes (30,
31) son rectilíneos y porque los conductores interferentes (30, 31)
son perpendiculares al conductor de acoplamiento (CL).
7. Circuito de acuerdo con una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque incluye
un segundo par de conductores interferentes (41, 42) situados en la
cavidad (CAV) y unos segundos medios de conmutación para poder
conmutar el segundo par de conductores interferentes (41,
42).
42).
8. Circuito de acuerdo con una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado porque los
conductores interferentes (30, 31) están situados en un plano
perpendicular al campo magnético procedente del resonador
dieléctrico (DR).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0107581A FR2825854B1 (fr) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | Oscillateur multi-frequences a resonateur dielectrique |
| FR0107581 | 2001-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2230418T3 true ES2230418T3 (es) | 2005-05-01 |
Family
ID=8864149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES02011450T Expired - Lifetime ES2230418T3 (es) | 2001-06-07 | 2002-05-24 | Oscilador multifrecuencia con resonador dielectrico. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6756855B2 (es) |
| EP (1) | EP1267481B1 (es) |
| JP (1) | JP4405136B2 (es) |
| CN (1) | CN100459439C (es) |
| DE (1) | DE60201709T2 (es) |
| ES (1) | ES2230418T3 (es) |
| FR (1) | FR2825854B1 (es) |
| MX (1) | MXPA02005552A (es) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9445729B2 (en) * | 2012-07-20 | 2016-09-20 | Resmed Sensor Technologies Limited | Range gated radio frequency physiology sensor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4733199A (en) * | 1985-12-16 | 1988-03-22 | Avantek, Inc. | Multi-frequency dielectric resonator oscillator using parallel feedback |
| US6069543A (en) * | 1995-09-19 | 2000-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator capable of varying resonant frequency |
| JP3489004B2 (ja) * | 1999-10-07 | 2004-01-19 | 株式会社村田製作所 | 発振器および無線装置 |
| US6538536B1 (en) * | 2000-09-27 | 2003-03-25 | Motorola, Inc. | Dielectric resonator oscillator and methods of assembly therefor |
-
2001
- 2001-06-07 FR FR0107581A patent/FR2825854B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-24 ES ES02011450T patent/ES2230418T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-24 DE DE60201709T patent/DE60201709T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-24 EP EP20020011450 patent/EP1267481B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-04 US US10/161,894 patent/US6756855B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-04 JP JP2002163094A patent/JP4405136B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-05 MX MXPA02005552A patent/MXPA02005552A/es active IP Right Grant
- 2002-06-07 CN CNB02121896XA patent/CN100459439C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1391355A (zh) | 2003-01-15 |
| EP1267481A1 (en) | 2002-12-18 |
| US20020186093A1 (en) | 2002-12-12 |
| JP2003008346A (ja) | 2003-01-10 |
| EP1267481B1 (en) | 2004-10-27 |
| DE60201709D1 (de) | 2004-12-02 |
| CN100459439C (zh) | 2009-02-04 |
| DE60201709T2 (de) | 2005-10-06 |
| FR2825854A1 (fr) | 2002-12-13 |
| MXPA02005552A (es) | 2005-09-08 |
| FR2825854B1 (fr) | 2003-09-05 |
| US6756855B2 (en) | 2004-06-29 |
| JP4405136B2 (ja) | 2010-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2955728T3 (es) | Estructura de antena y terminal de comunicación | |
| US6762723B2 (en) | Wireless communication device having multiband antenna | |
| ES2325320T3 (es) | Disposicion de antena controlable. | |
| US4821006A (en) | Dielectric resonator apparatus | |
| US6753825B2 (en) | Printed antenna and applications thereof | |
| ES2672936T3 (es) | Circulador de conmutación de ferrita con una banda de frecuencia operativa seleccionable electrónicamente | |
| KR100304151B1 (ko) | 무선통신장치용안테나 | |
| CN101320843B (zh) | 缝隙天线装置 | |
| US6452552B1 (en) | Microstrip antenna | |
| NO320721B1 (no) | Antenneenhet med overflatemontert antenne, og telekommunikasjonsapparat med slik enhet | |
| SE525359C2 (sv) | Flerbandsantenn | |
| ES2635130T3 (es) | Disposición de transceptor | |
| ES2425369T3 (es) | Dispositivo de antena | |
| BR112020001302A2 (pt) | Antena e terminal móvel | |
| CN102280706A (zh) | 天线以及天线装置 | |
| ES2934053T3 (es) | Sistema modular de antena de múltiples etapas y componente para comunicaciones inalámbricas | |
| ES2302387T3 (es) | Resonador de cavidad coaxial. | |
| US8862191B2 (en) | Communication device | |
| JP2007531370A (ja) | アンテナ構成 | |
| US11450956B2 (en) | Antenna phase shifter with integrated DC-block | |
| KR20060048273A (ko) | Ｆｉｎｌｉｎｅ 타입의 마이크로파 대역통과 필터 | |
| ES2230418T3 (es) | Oscilador multifrecuencia con resonador dielectrico. | |
| JP2002280817A (ja) | 同軸ケーブル付小型アンテナ及びそれを用いた情報端末 | |
| JP2004128600A (ja) | 指向性可変型誘電体アンテナ | |
| ES2321891T3 (es) | Antena selectiva con conmutacion de frecuencia. |