ES2202291T3 - Nanomaterial. - Google Patents
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Abstract
Método para hacer un nanomaterial en forma de película delgada, comprendiendo el método el paso de depositar simultáneamente átomos de una sustancia ferromagnética junto con agregados de una sustancia amagnética sobre una superficie, produciendo con ello un nanomaterial en forma de película delgada que comprende una matriz policristalina de granos de la sustancia ferromagnética rodeados por agregados de átomos de la sustancia amagnética.
Description
Nanomaterial.
La presente invención se refiere a un
nanomaterial, y en particular a un nanomaterial hecho en forma de
película delgada.
Han venido siendo fabricados nanomateriales en
muchos laboratorios en todo el mundo. En general se considera que
un nanomaterial policristalino es un nanomaterial en el cual el
tamaño del grano del material policristalino es de 100 nanómetros o
menos. Un nanomaterial puede hacerse en forma de una película
delgada que comprende típicamente una capa de material de menos de
100 nanómetros de espesor. Un nanomaterial en forma de película
delgada puede hacerse usando por ejemplo la deposición química en
fase de vapor o la deposición atómica.
Los nanomateriales son objeto de gran cantidad de
trabajos de investigación. Es sabido que las propiedades de un
material serán considerablemente modificadas cuando el mismo sea
estructurado a una escala nanométrica. Por ejemplo, tienen lugar
espectaculares incrementos de la dureza cuando el tamaño del grano
de un material policristalino es reducido a una escala nanométrica.
Además es sabido que la banda prohibida de un semiconductor
policristalino aumentará al ser reducido el diámetro de los
cristales semiconductores hasta menos de aproximadamente 4
nanómetros.
Es un objetivo de la presente invención aportar
un nuevo método para producir un nanomaterial en forma de película
delgada.
Según un primer aspecto de la invención, se
aporta un método para hacer un nanomaterial, comprendiendo el
método el paso de depositar simultáneamente átomos de una sustancia
ferromagnética junto con agregados de átomos de una sustancia
amagnética sobre una superficie, haciendo con ello un nanomaterial
que comprende una matriz policristalina de granos de la sustancia
ferromagnética rodeados por agregados de átomos de la sustancia
amagnética.
La simultánea deposición atómica y de agregados
de los materiales magnético y amagnético permite controlar
minuciosamente la morfología del material resultante.
El nanomaterial puede hacerse en forma de una
película delgada que tiene típicamente un espesor de 100 nanómetros
o menos.
Los nanomateriales hechos según la invención son
ventajosos porque los agregados de sustancia amagnética impiden la
formación de grandes granos cristalinos de la sustancia
ferromagnética. Los agregados amagnéticos rodean los granos
magnéticos limitando el tamaño del grano de la sustancia
ferromagnética, en comparación con el tamaño de grano que se daría
si la sustancia hubiese sido producida usando la deposición atómica
directa. Con la presente invención el tamaño del grano del material
magnético puede ser reducido hasta cerca del límite
superparamagnético. La reducción del tamaño del grano tiene varios
efectos ventajosos, particularmente cuando el material es usado
como un soporte magnético utilizado por ejemplo para almacenar
datos.
El reducido tamaño del grano proporciona una
inversión más rápida del magnetismo de cada grano de la sustancia
ferromagnética, puesto que se ven reducidos los momentos magnéticos
que son requeridos para invertir el magnetismo. Esto permite una más
rápida grabación y lectura cuando el material es usado como soporte
magnético de almacenamiento de datos. La incrementada densidad de
granos ferromagnéticos que resulta del reducido tamaño del grano
permite también que sea almacenada una incrementada densidad de
datos. Además, la separación de los granos magnéticos por parte de
los agregados amagnéticos desacopla magnéticamente hasta cierto
punto los granos adyacentes.
El reducido tamaño del grano incrementa también
considerablemente la dureza del nanomaterial. Esto puede ser
ventajoso para incrementar la resistencia al desgaste,
particularmente cuando el material es hecho en forma de una película
delgada para ser por ejemplo usado en calidad del soporte de
almacenamiento de datos de un disco duro de un ordenador, pudiendo
no ser necesarios adicionales recubrimientos protectores.
Preferiblemente, los agregados amagnéticos quedan
embebidos con una densidad de menos de un 20% volumétrico en la
matriz de sustancia ferromagnética, y con la máxima preferencia con
una densidad de menos de un 10% volumétrico.
Preferiblemente, los de una mayoría de los
agregados amagnéticos tienen diámetros de menos de 10 nanómetros, y
por ejemplo de entre 1 y 7 nanómetros.
Preferiblemente, los de una mayoría de los granos
de la sustancia ferromagnética tienen un diámetro de menos de 20
nanómetros. Por ejemplo, el tamaño del grano puede ser del orden de
10 nanómetros de diámetro, viniendo el tamaño mínimo determinado por
el límite superparamagnético de la sustancia magnética que se use en
concreto.
Preferiblemente, la sustancia ferromagnética es
cobalto. Puede ser sin embargo usada cualquier otra sustancia
ferromagnética adecuada, como por ejemplo el hierro.
Preferiblemente, la sustancia amagnética es una
sustancia que no se disolverá en la sustancia ferromagnética. Puede
ser usada cualquier sustancia amagnética elemental que sea
inmiscible en la sustancia ferromagnética.
Preferiblemente, la sustancia amagnética es
cobre. Se prefiere el cobre porque el mismo no se disuelve en
cobalto, pero se comprenderá que hay otras sustancias que podrían
ser usadas.
La superficie puede ser la de cualquier sustrato
adecuado tal como un sustrato de silicio o un sustrato de un metal,
a pesar de que puede usarse cualquier sustrato adecuado. El
nanomaterial de la película delgada puede ser depositado
directamente sobre la superficie de un disco duro de ordenador
convencional, por ejemplo.
El nanomaterial realizado en forma de película
delgada puede comprender una sola capa de un material
multicapas.
Preferiblemente, los átomos de la sustancia
ferromagnética y los agregados de la sustancia amagnética son
generados en fuentes independientes.
Preferiblemente, los átomos de la sustancia
ferromagnética son generados en un primer magnetrón. Los átomos son
preferiblemente dirigidos a la superficie en un haz de átomos de
argón. Ésta es deposición atómica.
Preferiblemente, los átomos de la sustancia
amagnética son generados en un segundo magnetrón y se agrupan para
formar agregados en una cámara refrigerada. Los agregados son
preferiblemente dirigidos a la superficie en un haz de átomos de
argón.
Según un segundo aspecto de la invención, se
aporta un nanomaterial en forma de película delgada que comprende
una matriz policristalina de granos ferromagnéticos rodeados por
agregados de átomos de una sustancia amagnética.
Se describe a continuación una realización
específica de la invención haciendo referencia a la figura
acompañante, que muestra esquemáticamente un aparato que es capaz de
producir el nanomaterial en forma de película delgada según la
invención.
En un ejemplo de la invención, agregados de cobre
que tienen diámetros de entre 1,5 nanómetros y 7 nanómetros son
embebidos en una matriz de cobalto ferromagnético. Estos agregados
impiden la formación de grandes granos cristalinos de cobalto,
siendo los granos típicamente de menos de unos 20 nanómetros de
diámetro, en lugar de los 50 a 60 nanómetros que se formarían en
ausencia de los agregados de cobre. Una ventaja adicional de tales
pequeños granos de cobalto, además de las mencionadas anteriormente,
es la de que los mismos son estables, en comparación con los granos
de cobalto de 50 a 60 nanómetros de diámetro que es probable que
crezcan al verse sometidos a un campo magnético.
Los nanomateriales magnéticos según la presente
invención son particularmente adecuados para ser usados como
soportes de almacenamiento magnético.
Como se ha mencionado anteriormente, la
incrementada densidad de granos de cobalto permite que sea
almacenada una incrementada densidad de datos, y lo que es quizá
más importante, el reducido tamaño del grano da lugar a una
inversión más rápida del magnetismo de cada grano de cobalto,
puesto que se ven reducidos los momentos magnéticos que son
necesarios para invertir el magnetismo. Esto permite una más rápida
lectura y grabación del soporte de almacenamiento de datos.
Otras ventajas del cobalto y del cobre de la
película de la presente invención incluyen un mejoramiento de la
estabilidad y la dureza.
Está ilustrado en la Figura 1 un aparato de
deposición catódica de magnetrones que puede ser usado para
producir la película de cobalto y cobre. Un primer magnetrón 1
produce un haz de cobalto atómico 2, y un segundo magnetrón 3
produce un haz de agregados de cobre 4.
Dentro del primer magnetrón 1 hay una placa que
tiene cobalto (no ilustrada). Un imán (no ilustrado) situado detrás
de la placa produce un campo magnético delante de la placa. La
placa forma un cátodo, y están puestos en torno a la placa ánodos
adecuadamente situados (no ilustrados). Es introducido en el
magnetrón en una corriente continua 8 gas argón a baja presión. El
gas argón es ionizado por el campo eléctrico dentro del magnetrón 1,
y los electrones que son separados de los átomos de argón golpean
la placa del cátodo, desprendiendo con ello átomos de cobalto de la
placa. Estos átomos de cobalto son átomos que son depositados por
deposición catódica. Los átomos de cobalto son sacados del magnetrón
1 por un haz de átomos de argón, de tal manera que el haz de
cobalto atómico 2 comprende de hecho cobalto atómico y argón
atómico. La presencia del argón en el haz 2 puede ser ignorada
puesto que el argón es inerte.
El segundo magnetrón 3 está hecho de manera
similar al primer magnetrón 1, siendo también en este caso
introducida en el magnetrón 3 una corriente constante de gas argón
8 a baja presión. Sin embargo, en este caso la placa (no ilustrada)
tiene cobre en lugar de cobalto.
El haz de cobalto atómico 2 es producido en un
vacío de 10^{-3} torr. En contraste con esto, el segundo
magnetrón 3 está situado dentro de una cámara 5 que contiene una
mezcla de helio y argón a una presión de entre 0,1 y 1,5 mbares
(típicamente 1 torr). La cámara 5 es refrigerada mediante nitrógeno
líquido. Los átomos de cobre son emitidos por el segundo magnetrón
al interior de la cámara 5 y tienen una movilidad restringida debido
a la presencia de los átomos de helio y argón. Los átomos de cobre
tienden a reunirse y quedar adheridos, formando con ello agregados,
siendo éste un proceso al que se denomina agregación en estado
gaseoso. Los agregados de cobre abandonan la cámara 5 con los
átomos de helio y los átomos de argón en un haz supersónico. Está
previsto un separador 6 para separar el helio, que se expande
rápidamente al abandonar la cámara refrigerada 5, dejando con ello
un haz 4 de agregados de cobre y átomos de argón. También en este
caso puede ignorarse la presencia de los átomos de argón en el haz
4, puesto que los mismos son inertes.
No son necesarias lentes de enfoque para producir
el haz de agregados de cobre 4. En lugar de las mismas, se usa un
orificio 9 apropiadamente embudado. Tanto el haz de átomos de
cobalto 12 como el haz de agregados de cobre 4 puede ser obturado
usando obturadores 11.
Los agregados de cobre son depositados junto con
los átomos de cobalto sobre un adecuado sustrato 7, el cual es un
proceso conocido como deposición en fase de vacío. El sustrato es
mantenido a un vacío de 10^{-8} torr para impedir que se depositen
impurezas sobre el sustrato 7.
La deposición del cobalto atómico y la deposición
de los agregados de cobre tienen lugar al mismo tiempo, con lo cual
crece en torno a los agregados de cobre depositados una matriz de
cobalto. El haz atómico de cobalto es aproximadamente de diez a
veinte veces más intenso que el haz de agregados de cobre. Las
velocidades de deposición son supervisadas utilizando un supervisor
de espesores de cristal oscilante estabilizado (no ilustrado).
Mediante un apropiado ajuste del aparato, el
tamaño de los agregados de cobre que son producidos por el aparato
de la Figura 1 puede ser seleccionado para que quede situado dentro
de la gama de tamaños que va desde 1,5 nanómetros hasta 7
nanómetros. El semimáximo a todo lo ancho de la distribución del
tamaño de agregados es de aproximadamente un 30% del tamaño de
promedio. La velocidad de deposición para los agregados es de hasta
5 A/seg. La velocidad de deposición producida por el aparato se ve
limitada en última instancia tan sólo por la fuente del haz de
cobalto atómico 2.
Es sabido que la naturaleza de un sustrato puede
afectar a la naturaleza de una película delgada de material
ferromagnético producida sobre ese sustrato. A este respecto,
eligiendo un sustrato determinado que actúe como un formador para
dirigir el crecimiento de los granos de cobalto en una dirección
específica, puede hacerse que el magnetismo del cobalto quede
orientado en el plano o fuera del plano de la capa.
Las propiedades de la película de cobalto y cobre
pueden ser manipuladas fácilmente y de manera sistemáticamente
repetible a base de controlar minuciosamente el tamaño y la
densidad de los agregados de cobre.
La película de cobalto y cobre es dura porque el
tamaño del grano del cobalto queda limitado a menos de
aproximadamente 20 nanómetros. Las películas de cobalto existentes,
que no incluyen agregados de cobre, tienen un tamaño de grano de 50
a 60 nanómetros, y en consecuencia son bastante menos duras. Los
discos duros magnéticos convencionales comprenden una película de
aleación de cobalto que tiene un tamaño de grano de menos de 50 a 60
nanómetros, e incluyen una capa protectora sobre la película de
cobalto a fin de impedir que la película de cobalto pueda ser
dañada por la cabeza grabadora. Un disco duro magnético hecho a base
de usar la película de cobalto y cobre según la invención no
requeriría una capa protectora y sería por consiguiente de
fabricación más sencilla y económica en comparación con los discos
duros magnéticos existentes.
A fin de evitar que se vean afectadas
negativamente las propiedades magnéticas de la película, se
requiere una baja densidad de agregados de cobre, que debe ser del
orden de un 10% o menos (en volumen). Se prefiere una densidad de
agregados de cobre de un 5% a un 10%. Una densidad de agregados de
más de un 20% puede inhibir considerablemente la capacidad de la
película para registrar información magnética.
El sustrato 7 puede ser de cualquier sustancia
adecuada, como por ejemplo vidrio o silicio (o alguna otra oblea
semiconductora o un metal). Se contempla que en la fabricación de
discos duros magnéticos los agregados de cobre y los átomos de
cobalto serán depositados directamente sobre un disco duro.
Usando el aparato que está ilustrado en la Figura
1 pueden hacerse materiales multicapas en los que una capa contenga
agregados. Puede usarse para producir átomos para deposición en
fase de vacío de una capa que no contenga agregados una fuente
atómica térmica, como por ejemplo una célula K (célula de Knudsen)
10.
Los tamaños de los agregados de cobre pueden ser
variados ajustando dentro del segundo magnetrón 3 parámetros tales
como la presión de los gases de helio y argón y el posicionamiento
del segundo magnetrón 3 dentro de la cámara refrigerada 5.
La velocidad de deposición es dependiente de la
fuente de átomos y de la fuente de agregados. Las velocidades de
deposición anteriormente indicadas son para un aparato
experimental. Si el aparato fuese realizado a escala industrial para
efectuar el recubrimiento de discos duros, las velocidades de
deposición serán entonces incrementadas para quedar por ejemplo
situadas dentro de la gama de velocidades de 50-100
A/seg.
A pesar de que la invención ha sido escrita con
referencia al cobalto, podrían ser usados otros materiales
magnéticos. El cobalto predomina sin embargo actualmente en la
producción de soportes magnéticos de almacenamiento de datos.
Análogamente, podrían usarse en lugar del cobre otros materiales
amagnéticos tales como el oro y el cromo. Éstos son ejemplos no
limitativos.
Claims (16)
1. Método para hacer un nanomaterial en forma de
película delgada, comprendiendo el método el paso de depositar
simultáneamente átomos de una sustancia ferromagnética junto con
agregados de una sustancia amagnética sobre una superficie,
produciendo con ello un nanomaterial en forma de película delgada
que comprende una matriz policristalina de granos de la sustancia
ferromagnética rodeados por agregados de átomos de la sustancia
amagnética.
2. Método según la reivindicación 1, en el que
los agregados amagnéticos son embebidos con una densidad de menos
de un 20% volumétrico en la matriz de sustancia ferromagnética.
3. Método según la reivindicación 2, en el que
los agregados amagnéticos son embebidos con una densidad de menos
de un 10% volumétrico en la matriz de sustancia ferromagnética.
4. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que los de una mayoría de los agregados
amagnéticos tienen diámetros de menos de 10 nanómetros.
5. Método según la reivindicación 4, en el que
los de una mayoría de los agregados amagnéticos tienen diámetros de
menos de 7 nanómetros.
6. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que los de una mayoría de los granos de la
sustancia ferromagnética son de menos de 20 nanómetros de
diámetro.
7. Método según la reivindicación 6, en el que
los de una mayoría de los granos de la sustancia ferromagnética
tienen un diámetro del orden de 10
nanómetros.
nanómetros.
8. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que la sustancia ferromagnética es cobalto.
9. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que la sustancia amagnética es una sustancia que
no se disolverá en la sustancia ferromagnética.
10. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que los agregados amagnéticos son de cobre.
11. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que la superficie es un sustrato de silicio,
vidrio o un metal.
12. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que el nanomaterial en forma de película delgada
comprende una sola capa de un material multicapas.
13. Método según cualquier reivindicación
precedente, en el que los átomos de la sustancia ferromagnética y
los agregados de la sustancia amagnética son generados en fuentes
independientes.
14. Método según la reivindicación 13, en el que
los átomos de la sustancia ferromagnética son generados en un
primer magnetrón.
15. Método según la reivindicación 13 ó 14, en el
que los átomos de la sustancia amagnética son generados en un
segundo magnetrón y se agrupan para formar agregados en una cámara
refrigerada.
16. Nanomaterial en forma de película delgada que
comprende una matriz policristalina de sustancia ferromagnética
rodeada por agregados de una sustancia amagnética.
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