EP3676581A1 - Optoelektrischer chip - Google Patents

Optoelektrischer chip

Info

Publication number
EP3676581A1
EP3676581A1 EP18753173.6A EP18753173A EP3676581A1 EP 3676581 A1 EP3676581 A1 EP 3676581A1 EP 18753173 A EP18753173 A EP 18753173A EP 3676581 A1 EP3676581 A1 EP 3676581A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
light
photoelectric element
filter
opto
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP18753173.6A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Markus Schmid
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vc Viii Polytech Holding Aps
Original Assignee
fos4X GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by fos4X GmbH filed Critical fos4X GmbH
Publication of EP3676581A1 publication Critical patent/EP3676581A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
    • G01J9/0246—Measuring optical wavelength
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/0256—Compact construction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J2003/1213—Filters in general, e.g. dichroic, band

Definitions

  • Embodiments of the disclosure relate to an opto-electrical chip, a measuring system with an opto-electrical chip and a method for evaluating a reflection spectrum of a fiber Bragg grating which uses an opto-electrical chip.
  • spectral properties of optical elements eg. B. influenced by optical gratings such as fiber Bragg gratings, and it is evaluated the spectral properties of the light, which has been subjected to such influence.
  • the spectral properties of the light include, for example, a wavelength-dependent intensity minimum or maximum.
  • Optoelectronic chips are known, on or in which optical elements and electrical or electronic elements in the form of a mixed optical and electrical system are arranged and interconnected, typically on or in a common wafer for the respective optical and electrical components. electronic elements.
  • Fig. 4 shows an example of a conventional opto-electric chip 101.
  • an optical waveguide 110 is inserted, the inserted end of which forms a light entrance opening 111 for incoming light 150.
  • the incoming light 150 is, for example, light which has been changed in its propagation path from a light source (not shown) to the light entrance opening 111 in its spectral properties, with some or all further elements of the chip 101 serving to measure spectral properties or spectral property changes of interest.
  • a wavelength-related maximum of the intensity of the incoming light 150 has been affected by a fiber Bragg grating (not shown) formed in the optical fiber 110.
  • the light 150 which has entered the chip 101 is split in a beam splitter 120 into a first light component 151 and a second light component 152.
  • the first light portion 151 Then, in transmission, an optical filter 130, which performs a wavelength-dependent filtering of the light, occurs.
  • the filtered light 153 exiting the optical filter 130 strikes a filter photodiode 140 where it generates an electrical measurement signal according to its intensity.
  • the second light portion 152 strikes a reference photodiode 160 and generates there an electrical reference signal according to its intensity.
  • the second light portion 152 is unfiltered.
  • the value of the measurement signal is divided by the value of the reference signal, for example in an evaluation circuit (not shown).
  • a calibration model of the optical filter 130 can be used to deduce the wavelength of the fiber Bragg grating in the optical waveguide 110 from the quotient thus obtained.
  • the opto-electrical chip 101 is constructed relatively complex, inter alia, by the beam splitter 120, and the sensitivity is low by the beam splitter 120.
  • a solution is desirable in which the complexity of an opto-electrical chip 101 is reduced and / or the sensitivity is improved.
  • Embodiments of the present disclosure provide an opto-electrical chip having the features of claim 1. Further, embodiments of the present disclosure provide a measuring system having the features of claim 8 using an opto-electrical chip disclosed herein. Further, embodiments of the present disclosure provide a method of evaluating a reflection spectrum of a fiber Bragg grating having the features of claim 9, in which method an opto-electrical chip disclosed herein is used.
  • an opto-electrical chip comprising: a light entrance aperture; a wavelength-sensitive optical filter; a first photoelectric element for measuring a first light intensity, in particular a first photo diode, the first photoelectric element being arranged such that light entering the optoelectrical chip through the light inlet opening and which transmits the filter strikes the first photoelectric element; and a second photoelectric element for measuring a second light intensity, in particular a second photodiode, wherein the second photoelectric element is arranged such that through the Light entrance opening into the opto-electric chip entering light, which is reflected at the filter, meets the second photoelectric element.
  • a measuring system disclosed herein comprises an opto-electrical chip described herein and an optical waveguide coupled to the light entrance aperture, wherein the optical waveguide comprises at least one fiber Bragg grating.
  • a method disclosed herein of evaluating a reflection spectrum of a fiber Bragg grating wherein the fiber Bragg grating is provided in an optical waveguide, and wherein an end of the optical waveguide is inserted into the light entrance aperture of an optoelectric chip described herein Measuring a transmission intensity of the light incident through the light entrance opening and passing through the optical filter with the first photoelectric element; Measuring a reflection intensity of the light incident through the light entrance opening and reflected on the optical filter with the second photoelectric element; Dividing the transmission intensity by the reflection intensity to obtain a ratio value; and relating the ratio value to a model of the optical filter to obtain a value related to the reflection spectrum.
  • the filter element d. H.
  • the wavelength-sensitive optical filter is therefore used both in transmission and in reflection.
  • the light reflected at the filter element is used directly to measure a reference intensity.
  • the filter surface thus acts as a beam splitter.
  • the incident through the sunken through the light inlet opening and the optical filter light passed together with the sunken through the light inlet opening and reflected at the optical filter light is subject to conservation of energy.
  • the efficiency of the optoelectric chip described herein is doubled over a conventional optoelectric chip.
  • the saved beam splitter also reduces manufacturing costs, such as the cost of materials and any labor costs in the production of the chip.
  • the transfer function with respect to the wavelength present on the first photoelectric element is applied in a wavelength-inverse manner to the second photoelectric element.
  • the optical filter is a wavelength-sensitive transmission filter or edge filter.
  • a reflection surface of the optical filter is inclined relative to the propagation direction of the light entering through the light entrance opening into the opto-electrical chip light, in particular in an angular range of 10 ° to 80 ° with respect inclined to a vertical orientation of the reflection surface with respect to the propagation direction.
  • An inclination of the reflection surface of the optical filter can make it possible to arrange the second photoelectric element to save space in or on the opto-electrical chip, for example, adjacent to an inserted optical waveguide.
  • the light path from the light inlet opening to the filter, the light path from the filter to the first photoelectric element and the light path from the filter to the second photoelectric element are each free of further optical elements.
  • the intensity of the light, whose spectral properties are evaluated in the opto-electrical chip, is thus not subjected to appreciable attenuation, as is the case, for example, with a separately provided beam splitter. This can improve the sensitivity.
  • the opto-electrical chip further comprises an evaluation circuit.
  • the evaluation circuit is supplied with a first measurement signal from the first photoelectric element and a second measurement signal from the second photoelectric element.
  • the respective values of the measurement signals are related to the respective measured light intensities.
  • the evaluation circuit is configured to divide the value of the first measurement signal by the value of the second measurement signal to obtain a ratio value.
  • An evaluation circuit which is integrated with the optoelectronic chip can contribute to a further simplification and / or compaction in an optoelectrical measuring system.
  • the evaluation circuit is configured to relate the ratio value to a model of the optical filter to obtain a value related to a spectrum of the light entering through the light entry port.
  • the value indicates a frequency-dependent intensity maximum or an intensity minimum of the light entering through the light inlet opening.
  • the model of the optical filter is typically a model that is suitable for calibration purposes of the filter.
  • a calibration model of the optical filter typically includes a look-up table. With the ratio value can z. B. be deduced to a wavelength or wavelength shift of a fiber Bragg grating, which is formed in the optical waveguide.
  • Fig. 1 is a schematic representation of an opto-electrical chip according to an embodiment, with inserted optical waveguide;
  • FIG. 2 is a block diagram of an opto-electrical chip according to an embodiment, which further includes an evaluation circuit;
  • FIG. 3 is a flowchart of a method for evaluating a reflection spectrum of a fiber Bragg grating according to an embodiment
  • Fig. 4 is a schematic representation of a conventional opto-electrical chip.
  • Fig. 1 shows a schematic representation of an opto-electrical chip, which is generally designated 1, according to one embodiment.
  • the optoelectric chip 1 one end of an optical waveguide 10 is inserted, and the chip 1 and the optical waveguide 10th together form a measuring system with which, for example, a reflection spectrum of a (not shown) fiber Bragg grating can be evaluated, which is formed in the optical waveguide 10.
  • An end face of the inserted end of the optical waveguide 10 is for coupling light into the opto-electric chip 1.
  • this end face constitutes a light entrance opening 11 for light 50 entering the opto-electric chip 1.
  • the chip 1 forms insofar an opto-electric free-jet system.
  • the incoming light 50 propagates along a direction of propagation A and impinges on an optical transmission filter 20, which is wavelength-sensitive and transmits only certain spectral components of the light 50 as transmitted light 51.
  • the non-transmitted portion of the light 50 is reflected on a reflection surface 21 of the optical filter 20.
  • At least the reflection surface 21 of the optical filter 20 is inclined relative to the propagation direction A.
  • An example of an angle range of the inclination angle ⁇ of the reflection surface 21 is a range between 10 ° and 80 °.
  • the transmitted light 51 impinges on a first photoelectric element 30, which is formed for example as a first photodiode.
  • a first photoelectric element 30 include a phototransistor or other photosensitive semiconductor device.
  • the transmitted light 51 generates in the first photoelectric element 30 an electrical signal corresponding to the intensity.
  • the electrical signal is - possibly amplified - output from the first photoelectric element 30 as a first measurement signal 61, as will be explained with reference to FIG. 2.
  • the reflected light 52 strikes a second photoelectric element 40, which in turn is formed, for example, as a second photodiode. Also include here other examples of a second photoelectric element 40 include a phototransistor or other photosensitive semiconductor device. Again, the reflected light 52 generates an electrical signal, here in the second photoelectric element 40, corresponding to the intensity of the reflected light 52. The electrical signal is - possibly amplified - output from the second photoelectric element 40 as a second measurement signal 62, as below Referring to Fig. 2 will be explained.
  • the light path between the light entrance opening 11 and the filter 20 is free of optical elements.
  • the light path between the filter 20 and the first photoelectric element 30 is free of optical elements.
  • the light path between the filter 20, more specifically, between the reflection surface 21 and the second photoelectric element 40 is free of optical elements.
  • the entered light 50, the transmitted light 51 and the reflected light 52 thus propagate uninfluenced.
  • the intensity is influenced by the filter 20, which also acts as a beam splitter. Further influencing by optical elements, with the exception of a medium-dependent attenuation during propagation, does not take place.
  • the transmission function with respect to the wavelength at the first photoelectric element 30 is applied to the second photoelectric element 40 in a wavelength-inverse manner by the reflection at the filter 20.
  • Fig. 2 shows a block diagram of an opto-electrical chip 1, in which additionally an evaluation circuit 60 is integrated.
  • the evaluation circuit 60 is supplied with the first measurement signal 61 from the first photoelectric element 30 and the second measurement signal 62 from the second photoelectric element 40.
  • the evaluation circuit 60 divides the value of the first measurement signal 61 by the value of the second measurement signal 62.
  • the second measurement signal 62 serves as the reference signal.
  • the quotient thus obtained is a ratio 63.
  • the ratio 63 can be output directly as shown in FIG.
  • the ratio value 63 may also be used internally in the evaluation circuit 60 to refer the ratio value 63 to a model of the filter 20 to obtain a value related to a spectrum of the light 50 entering through the light entrance opening 11.
  • the model of the filter 20 is a calibration model.
  • the value thus obtained may, for. B. directly or indirectly the wavelength of the fiber Bragg grating in the optical waveguide 10 indicate. This value can be output, for example, additionally or alternatively to the ratio 63.
  • the ratio 63 results in an improved signal-to-noise ratio compared to the conventional chip 101.
  • Fig. 3 shows a flow chart for a method for evaluating a reflection spectrum of a fiber Bragg grating, wherein the fiber Bragg grating is provided in an optical waveguide 10, and wherein one end of the optical waveguide optically to the light entrance opening 11th of the opto-electrical chip 1 according to an embodiment described herein, for example, is introduced.
  • a transmission intensity of the light 50 incident through the light entry opening is first measured in 1001, which has passed through the optical filter 20 and impinges on the first photoelectric element 30 as transmitted light 51.
  • a reflection intensity of the light 50 incident through the light entrance opening 50 which has been reflected on the reflection surface 21 of the optical filter 20 and impinges on the second photoelectric element 40 as reflected light 52 is measured.
  • the transmission intensity is divided by the reflection intensity to obtain a ratio value.
  • the ratio value is related to a model of the optical filter 20 to obtain a value related to the reflection spectrum.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)

Abstract

Es wird ein optoelektrischer Chip (1) angegeben, der Folgendes umfasst: eine Lichteintrittsöffnung (11); ein wellenlängensensitives optisches Filter (20); ein erstes fotoelektrisches Element (30) zum Messen einer ersten Lichtintensität, insbesondere eine erste Fotodiode, wobei das erste fotoelektrische Element (30) derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretendes Licht (50), welches das Filter transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element (30) trifft; und ein zweites fotoelektrisches Element (40) zum Messen einer zweiten Lichtintensität, insbesondere eine zweite Fotodiode, wobei das zweite fotoelektrische Element (40) derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretende Licht (50), welches am Filter (20) reflektiert wird, auf das zweite fotoelektrische Element (40) trifft.

Description

OPTOELEKTRISCHER CHIP
TECHNISCHES GEBIET
[0001] Ausführungsformen der Offenbarung betreffen einen optoelektrischen Chip, ein Messsystem mit einem optoelektrischen Chip sowie ein Verfahren zum Auswerten eines Reflexions Spektrums eines Faser-Bragg-Gitters, das einen optoelektrischen Chip verwendet.
[0002] Bei messtechnischen Anwendungen unter Verwendung von Licht ist es vielfach notwendig, ein Reflexions spektrum oder ein Transmissions spektrum des zur Messung verwendeten Lichts auszuwerten. Beispielsweise wird Licht in seinen spektralen Eigenschaften von optischen Elementen, z. B. von optischen Gittern wie Faser-Bragg-Gittern beeinflusst, und es werden die spektralen Eigenschaften des Lichts ausgewertet, das einer solchen Beeinflussung unterzogen wurde. Die spektralen Eigenschaften des Lichts umfassen beispielsweise ein wellenlängenabhängiges Intensitätsminimum oder -maximum.
STAND DER TECHNIK
[0003] Es sind optoelektrische Chips bekannt, auf bzw. in welchen optische Elemente und elektrische bzw. elektronische Elemente in Form eines gemischten optischen und elektrischen Systems angeordnet und verschaltet sind, typischerweise auf bzw. in einem gemeinsamen Wafer für die jeweiligen optischen und elektrischen/elektronischen Elemente.
[0004] Fig. 4 zeigt ein Beispiel für einen herkömmlichen optoelektrischen Chip 101. In den Chip 101 ist ein Lichtwellenleiter 110 eingeführt, dessen eingeführtes Ende eine Lichteintritts Öffnung 111 für eintretendes Licht 150 bildet. Das eintretende Licht 150 ist beispielsweise Licht, das auf seinem Ausbreitungsweg von einer (nicht dargestellten) Lichtquelle bis zur Lichteintrittsöffnung 111 in seinen spektralen Eigenschaften verändert wurde, wobei einige oder alle weiteren Elemente des Chips 101 zur Messung interessierender spektraler Eigenschaften bzw. spektraler Eigenschaftsveränderungen dienen. Typischerweise wurde ein wellenlängenbezogenes Maximum der Intensität des eintretenden Lichts 150 durch ein (nicht dargestelltes) Faser-Bragg-Gitter, das im Lichtwellenleiter 110 ausgebildet ist, beeinflusst bzw. verschoben.
[0005] Das in den Chip 101 eingetretene Licht 150 wird in einem Strahlteiler 120 in einen ersten Lichtanteil 151 und einen zweiten Lichtanteil 152 aufgeteilt. Der erste Lichtanteil 151 passiert anschließend in Transmission ein optisches Filter 130, das eine wellenlängenabhängige Filterung des Lichts vornimmt. Das aus dem optischen Filter 130 austretende gefilterte Licht 153 trifft auf eine Filter-Fotodiode 140 und erzeugt dort ein elektrisches Messsignal entsprechend seiner Intensität.
[0006] Der zweite Lichtanteil 152 trifft auf eine Referenz-Fotodiode 160 und erzeugt dort ein elektrisches Referenzsignal entsprechend seiner Intensität. Der zweite Lichtanteil 152 ist ungefiltert. Der Wert des Messsignals wird durch den Wert des Referenzsignals dividiert, beispielsweise in einer (nicht dargestellten) Auswertungsschaltung. Über ein Kalibriermodell des optischen Filters 130 kann aus dem so erhaltenen Quotienten auf die Wellenlänge des Faser-Bragg-Gitters im Lichtwellenleiter 110 geschlossen werden.
[0007] Der optoelektrische Chip 101 ist unter anderem durch den Strahlteiler 120 relativ komplex aufgebaut, und die Empfindlichkeit ist durch den Strahlteiler 120 niedrig. Es ist eine Lösung wünschenswert, bei welcher die Komplexität eines optoelektrischen Chips 101 verringert und/oder die Empfindlichkeit verbessert ist.
ZUSAMMENFASSUNG
[0008] Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen einen optoelektrischen Chip mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bereit. Ferner geben Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Messsystem mit den Merkmalen des Anspruchs 8 an, welches einen hierin offenbarten optoelektrischen Chip verwendet. Des Weiteren stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zum Auswerten eines Reflexions Spektrums eines Faser-Bragg-Gitters mit den Merkmalen des Anspruchs 9 bereit, in welchem Verfahren ein hierin offenbarter optoelektrischen Chip verwendet wird.
[0009] Gemäß einer Ausführungsform wird ein optoelektrischer Chip angegeben, der Folgendes umfasst: eine Lichteintrittsöffnung; ein wellenlängensensitives optisches Filter; ein erstes fotoelektrisches Element zum Messen einer ersten Lichtintensität, insbesondere eine erste Fotodiode, wobei das erste fotoelektrische Element derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintritts Öffnung in den optoelektrischen Chip eintretendes Licht, welches das Filter transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element trifft; und ein zweites fotoelektrisches Element zum Messen einer zweiten Lichtintensität, insbesondere eine zweite Fotodiode, wobei das zweite fotoelektrische Element derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintritts Öffnung in den optoelektrischen Chip eintretende Licht, welches am Filter reflektiert wird, auf das zweite fotoelektrische Element trifft.
[0010] Ein hierin offenbartes Messsystem weist einen hierin beschriebenen optoelektrischen Chip und einen an die Lichteintritts Öffnung gekoppelten Lichtwellenleiter auf, wobei der Lichtwellenleiter mindestens ein Faser-Bragg-Gitter umfasst.
[0011] Ein hierin offenbartes Verfahren zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eines Faser-Bragg-Gitters, wobei das Faser-Bragg-Gitter in einem Lichtwellenleiter bereitgestellt ist, und wobei ein Ende des Lichtwellenleiters in die Lichteintritts Öffnung eines hierin beschriebenen optoelektrischen Chips eingeführt ist, umfasst Folgendes: Messen einer Transmissionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen und das optische Filter durchlaufenen Lichts mit dem ersten fotoelektrischen Element; Messen einer Reflexionsintensität des durch die Lichteintritts Öffnung eingefallenen und am optischen Filter reflektierten Lichts mit dem zweiten fotoelektrischen Element; Dividieren der Transmissionsintensität durch die Reflexionsintensität, um einen Verhältniswert zu erhalten; und Beziehen des Verhältniswerts auf ein Modell des optischen Filters, um einen Wert zu erhalten, der mit dem Reflexions spektrum zusammenhängt.
[0012] Das Filterielement, d. h. das wellenlängensensitive optische Filter, wird demnach sowohl in Transmission, als auch in Reflexion genutzt. Das am Filterelement reflektierte Licht wird direkt zur Messung einer Referenzintensität genutzt. Die Filteroberfläche fungiert somit als Strahlteiler.
[0013] Das durch die durch die Lichteintritts Öffnung eingefallene und das optische Filter durchlaufene Licht zusammen mit dem durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen und am optischen Filter reflektierten Licht unterliegt der Energieerhaltung. Dadurch, dass kein separater Strahlteiler oder ein ähnliches die Lichtintensität abschwächendes optisches Element verwendet wird, wird der Wirkungsgrad des hierin beschriebenen optoelektrischen Chips gegenüber einem herkömmlichen optoelektrischen Chip verdoppelt.
[0014] Das eingesparte Strahlteilerelement verringert zudem die Herstellungskosten, beispielsweise die Materialkosten und eventuelle Arbeitskosten bei der Herstellung des Chips.
[0015] Die Übertragungsfunktion bezüglich der Wellenlänge, die am ersten fotoelektrischen Element vorliegt, wird wellenlängen-invers an das zweite fotoelektrische Element angelegt. Bei einer Division der beiden Intensitäten, die an den jeweiligen fotoelektrischen Elementen gemessen werden, kann sich daher ein verbessertes Signal-zu-Rauschen-Verhältnis ergeben.
[0016] Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens ist das optische Filter ein wellenlängensensitives Transmissionsfilter oder Kantenfilter.
[0017] Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens ist eine Reflexionsoberfläche des optischen Filters relativ zur Ausbreitungsrichtung des durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretenden Lichts geneigt ist, insbesondere in einem Winkelbereich von 10° bis 80° in Bezug auf eine senkrechte Ausrichtung der Reflexionsoberfläche gegenüber der Ausbreitungsrichtung geneigt.
[0018] Eine Neigung der Reflexionsfläche des optischen Filters kann es ermöglichen, das zweite fotoelektrische Element platzsparend im bzw. am optoelektrischen Chip anzuordnen, beispielsweise benachbart zu einem eingeführten Lichtwellenleiter.
[0019] Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens sind der Lichtweg von der Lichteintritts Öffnung zum Filter, der Lichtweg vom Filter zum ersten fotoelektrischen Element und der Lichtweg vom Filter zum zweiten fotoelektrischen Element jeweils frei von weiteren optischen Elementen. Die Intensität des Lichts, dessen spektrale Eigenschaften im optoelektrischen Chip bewertet werden, wird dadurch keiner nennenswerten Dämpfung unterworfen, wie sie sich beispielsweise bei einem separat vorgesehenen Strahlteiler ergibt. Dadurch kann die Empfindlichkeit verbessert werden.
[0020] Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens umfasst der optoelektrische Chip ferner eine Auswertungsschaltung. Der Auswertungsschaltung werden ein erstes Messsignal vom ersten fotoelektrischen Element und ein zweites Messsignal vom zweiten fotoelektrischen Element zugeführt. Die jeweiligen Werte der Messsignale hängen mit den jeweiligen gemessenen Lichtintensitäten zusammen. Die Aus wertungs Schaltung ist dazu konfiguriert, den Wert des ersten Messsignals durch den Wert des zweiten Messsignals zu dividieren, um einen Verhältniswert zu erhalten. [0021] Eine Aus wertungs Schaltung, die mit dem optoelektnschen Chip integriert ist, kann zu einer weiteren Vereinfachung und/oder Kompaktierung in einem optoelektrischen Messsystem beitragen.
[0022] Typischerweise ist die Auswertungsschaltung dazu konfiguriert, den Verhältniswert auf ein Modell des optischen Filters zu beziehen, um einen Wert zu erhalten, der mit einem Spektrum des durch die Lichteintrittsöffnung eintretenden Lichts zusammenhängt. Beispielsweise gibt der Wert ein frequenzabhängiges Intensitätsmaximum oder ein Intensitätsminimum des durch die Lichteintrittsöffnung eintretenden Lichts an. Das Modell des optischen Filters ist typischerweise ein Modell, das zu Kalibrierungszwecken des Filters geeignet ist. Ein Kalibrierungsmodell des optischen Filters umfasst typischerweise eine Look- up-Tabelle. Mit dem Verhältniswert kann z. B. auf eine Wellenlänge bzw. Wellenlängenverschiebung eines Faser-Bragg-Gitters rückgeschlossen werden, das im Lichtwellenleiter ausgebildet ist.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
[0023] Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines optoelektrischen Chips gemäß einer Ausführungsform, mit eingeführtem Lichtwellenleiter;
Fig. 2 ein Blockschaltbild eines optoelektrischen Chips gemäß einer Ausführungsform, der ferner eine Aus wertungs Schaltung umfasst;
Fig. 3 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eine Faser-Bragg-Gitters gemäß einer Ausführungsform; und
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines herkömmlichen optoelektrischen Chips.
[0024] Nachstehend werden Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert. Die Zeichnungen dienen der Veranschaulichung eines oder mehrerer Beispiele von Ausführungsformen der Erfindung.
[0025] Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektrischen Chips, der insgesamt mit 1 bezeichnet ist, gemäß einer Ausführungsform. In den optoelektrischen Chip 1 ist ein Ende eines Lichtwellenleiters 10 eingeführt, und der Chip 1 sowie der Lichtwellenleiter 10 bilden gemeinsam ein Messsystem, mit welchem beispielsweise ein Reflexions spektrum eines (nicht dargestellten) Faser-Bragg-Gitters ausgewertet werden kann, das im Lichtwellenleiter 10 ausgebildet ist.
[0026] Eine Endfläche des eingeführten Endes des Lichtwellenleiters 10 dient zum Einkoppeln von Licht in den optoelektrischen Chip 1. Diese Endfläche stellt in der vorliegenden Ausführungsform eine Lichteintrittsöffnung 11 für in den optoelektrischen Chip 1 eintretendes Licht 50 dar. Es ist auch möglich, eine Lichteintritts Öffnung 11 in einer anderen Ausgestaltung vorzusehen und den Lichtwellenleiter 10 bzw. dessen Endfläche in entsprechender Weise an eine solche Lichteintritts Öffnung 11 anzukoppeln, so dass sich das eintretende Licht 50 im optoelektrischen Chip 1 ausbreiten kann. Der Chip 1 bildet insoweit ein optoelektrisches Freistrahl-System.
[0027] Das eintretende Licht 50 breitet sich entlang einer Ausbreitungsrichtung A aus und trifft auf ein optisches Transmissionsfilter 20, das wellenlängensensitiv ist und nur bestimmte spektrale Anteile des Lichts 50 als transmittiertes Licht 51 hindurchlässt. Der nicht transmittierte Anteil des Lichts 50 wird an einer Reflexionsoberfläche 21 des optischen Filters 20 reflektiert.
[0028] In der dargestellten Ausführungsform ist zumindest die Reflexionsoberfläche 21 des optischen Filters 20 relativ zur Ausbreitungsrichtung A geneigt. Das reflektierte Licht 52, d. h. der Anteil des Lichts 50, der nicht als transmittiertes Licht 51 hindurchgelassen wurde, breitet sich demnach in einer Richtung aus, die sich aufgrund des Neigungswinkels α der Reflexionsoberfläche 21 ergibt. Ein Beispiel für einen Winkelbereich des Neigungswinkels α der Reflexionsoberfläche 21 ist ein Bereich zwischen 10° und 80°.
[0029] Das transmittierte Licht 51 trifft auf ein erstes fotoelektrisches Element 30, das beispielsweise als eine erste Fotodiode ausgebildet ist. Weitere Beispiele für ein erstes fotoelektrisches Element 30 umfassen einen Fototransistor oder ein anderweitiges fotosensitives Halbleiterbauelement. Das transmittierte Licht 51 erzeugt im ersten fotoelektrischen Element 30 ein elektrisches Signal entsprechend der Intensität. Das elektrische Signal wird - ggf. verstärkt - aus dem ersten fotoelektrischen Element 30 als ein erstes Messsignal 61 ausgegeben, wie noch unter Bezugnahme auf Fig. 2 erläutert wird.
[0030] Das reflektierte Licht 52 trifft auf ein zweites fotoelektrisches Element 40, das wiederum beispielsweise als eine zweite Fotodiode ausgebildet ist. Auch hier umfassen weitere Beispiele für ein zweites fotoelektrisches Element 40 einen Fototransistor oder ein anderweitiges fotosensitives Halbleiterbauelement. Wiederum erzeugt das reflektierte Licht 52 ein elektrisches Signal, hierbei im zweiten fotoelektrischen Element 40, entsprechend der Intensität des reflektierten Lichts 52. Das elektrische Signal wird - ggf. verstärkt - aus dem zweiten fotoelektrischen Element 40 als ein zweites Messsignal 62 ausgegeben, wie noch unter Bezugnahme auf Fig. 2 erläutert wird.
[0031] In der Ausführungsform ist der Lichtweg zwischen der Lichteintritts Öffnung 11 und dem Filter 20 frei von optischen Elementen. Ebenso ist der Lichtweg zwischen dem Filter 20 und dem ersten fotoelektrischen Element 30 frei von optischen Elementen. Zudem ist der Lichtweg zwischen dem Filter 20, genauer zwischen der Reflexionsoberfläche 21, und dem zweiten fotoelektrischen Element 40 frei von optischen Elementen. Das eingetretene Licht 50, das transmittierte Licht 51 und das reflektierte Licht 52 breiten sich damit jeweils unbeeinflusst aus. Eine Beeinflussung der Intensität erfolgt allenfalls durch das Filter 20, das zugleich als Strahlteiler fungiert. Eine weitere Beeinflussung durch optische Elemente, mit Ausnahme einer mediums abhängigen Dämpfung bei der Ausbreitung, erfolgt nicht.
[0032] Die Übertragungsfunktion bezüglich der Wellenlänge am ersten fotoelektrischen Element 30 wird durch die Reflexion am Filter 20 wellenlängen-invers am zweiten fotoelektrischen Element 40 angelegt.
[0033] Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild eines optoelektrischen Chips 1, in welchem zusätzlich eine Auswertungsschaltung 60 integriert ist. Der Auswertungsschaltung 60 werden das erste Messsignal 61 aus dem ersten fotoelektrischen Element 30 und das zweite Messsignal 62 aus dem zweiten fotoelektrischen Element 40 zugeführt. Die Auswertungsschaltung 60 dividiert den Wert des ersten Messsignals 61 durch den Wert des zweiten Messsignals 62. Das zweite Messsignal 62 dient dabei als Referenzsignal. Der so erhaltene Quotient ist ein Verhältniswert 63.
[0034] Der Verhältnis wert 63 kann direkt ausgegeben werden, wie in Fig. 2 dargestellt. Der Verhältniswert 63 kann aber auch intern in der Auswertungsschaltung 60 dazu verwendet werden, um den Verhältniswert 63 auf ein Modell des Filters 20 zu beziehen, um einen Wert zu erhalten, der mit einem Spektrum des durch die Lichteintrittsöffnung 11 eintretenden Lichts 50 zusammenhängt. Beispielsweise ist das Modell des Filters 20 ein Kalibrierungsmodell. Der so erhaltene Wert kann z. B. direkt oder indirekt die Wellenlänge des Faser-Bragg-Gitters im Lichtwellenleiter 10 angeben. Dieser Wert kann beispielsweise zusätzlich oder alternativ zum Verhältniswert 63 ausgegeben werden.
[0035] Weil kein weiteres Strahlteiler-Element im Lichtweg vorhanden ist und das reflektierte Licht 52 sowie das transmittierte Licht 51 der Energieerhaltung unterliegen, ergibt sich für den Verhältniswert 63 ein im Vergleich zum herkömmlichen Chip 101 verbessertes Signal- zu-Rauschen- Verhältnis .
[0036] Fig. 3 zeigt ein Ablaufdiagramm für ein Verfahren zum Auswerten eines Reflexions Spektrums eines Faser-Bragg-Gitters, wobei das Faser-Bragg-Gitter in einem Lichtwellenleiter 10 bereitgestellt ist, und wobei ein Ende des Lichtwellenleiters optisch an die Lichteintritts Öffnung 11 des optoelektrischen Chips 1 gemäß einer hierin beschriebenen Ausführungsform gekoppelt ist, beispielsweise eingeführt ist.
[0037] In 1001 wird gemäß dem Verfahren zunächst eine Transmissionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen Lichts 50 gemessen, das das optische Filter 20 durchlaufen hat und als transmittiertes Licht 51 auf das erste fotoelektrische Element 30 trifft.
[0038] In 1002 wird eine Reflexionsintensität des durch die Lichteintritts Öffnung eingefallenen Lichts 50 gemessen, das an der Reflexionsoberfläche 21 des optischen Filters 20 reflektiert wurde und als reflektiertes Licht 52 auf das zweite fotoelektrische Element 40 trifft.
[0039] In 1003 wird die Transmissionsintensität durch die Reflexionsintensität dividiert, um einen Verhältniswert zu erhalten.
[0040] In 1004 wird der Verhältniswert auf ein Modell des optischen Filters 20 bezogen, um einen Wert zu erhalten, der mit dem Reflexions spektrum zusammenhängt.
[0041] Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass die hierin beschriebenen Aspekte und Ausführungsformen angemessen miteinander kombinierbar sind, und dass einzelne Aspekte dort weggelassen werden können, wo es im Rahmen des fachmännischen Handelns sinnvoll und möglich ist. Abwandlungen und Ergänzungen der hierin beschriebenen Aspekte sind dem Fachmann geläufig.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektrischer Chip (1), umfassend: eine Lichteintritts Öffnung (11); ein wellenlängensensitives optisches Filter (20); ein erstes fotoelektrisches Element (30) zum Messen einer ersten Lichtintensität, insbesondere eine erste Fotodiode, wobei das erste fotoelektrische Element (30) derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintritts Öffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretendes Licht, welches das Filter (20) transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element (30) trifft; ein zweites fotoelektrisches Element (40) zum Messen einer zweiten Lichtintensität, insbesondere eine zweite Fotodiode, wobei das zweite fotoelektrische Element (40) derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretende Licht, welches am Filter (20) reflektiert wird, auf das zweite
fotoelektrische Element (40) trifft.
2. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 1, wobei das optische Filter (20) ein
wellenlängensensitives Transmissionsfilter oder Kantenfilter ist.
3. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Reflexionsoberfläche (21) des optischen Filters (20) relativ zur Ausbreitungsrichtung des durch die
Lichteintritts Öffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretenden Lichts geneigt ist, insbesondere in einem Winkelbereich von 10° bis 80° in Bezug auf eine senkrechte Ausrichtung der Reflexionsoberfläche gegenüber der Ausbreitungsrichtung geneigt ist.
4. Optoelektrischer Chip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der
Lichtweg von der Lichteintritts Öffnung (11) zum Filter (20), der Lichtweg vom Filter (20) zum ersten fotoelektrischen Element (30) und der Lichtweg vom Filter (20) zum zweiten fotoelektrischen Element (40) jeweils frei von weiteren optischen Elementen,
insbesondere frei von Strahlteilern sind.
5. Optoelektrischer Chip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine Aus wertungs Schaltung (60), welcher ein erstes Messsignal (61) vom ersten fotoelektrischen Element (30) und ein zweites Messsignal (62) vom zweiten fotoelektrischen Element (40) zugeführt werden, wobei die jeweiligen Werte der
Messsignale (61, 62) mit den jeweiligen gemessenen Lichtintensitäten zusammenhängen, wobei die Auswertungsschaltung dazu konfiguriert ist, den Wert des ersten Messsignals (61) durch den Wert des zweiten Messsignals (62) zu dividieren, um einen Verhältniswert (63) zu erhalten.
6. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 5, wobei die Auswertungsschaltung (60) ferner dazu konfiguriert ist, den Verhältniswert (63) auf ein Modell des optischen Filters (20) zu beziehen, um einen Wert zu erhalten, der mit einem Spektrum des durch die Lichteintritts Öffnung (11) eintretenden Lichts (50) zusammenhängt.
7. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 6, wobei das Modell des optischen Filters (20) ein Kalibrierungsmodell, insbesondere eine Look-up-Tabelle umfasst.
8. Messsystem mit einen optoelektrischen Chip (1) nach einem der vorhergehenden
Ansprüche und einem an die Lichteintritts Öffnung (11) gekoppelten Lichtwellenleiter (10), wobei der Lichtwellenleiter (10) mindestens ein Faser-Bragg-Gitter umfasst.
9. Verfahren zum Auswerten eines Reflexions Spektrums eines Faser-Bragg-Gitters, wobei das Faser-Bragg-Gitter in einem Lichtwellenleiter (10) bereitgestellt ist, und wobei ein Ende des Lichtwellenleiters (10) optisch an die Lichteintrittsöffnung (11) eines optoelektrischen Chips nach einem der Ansprüche 1 bis 7 gekoppelt ist, wobei das Verfahren umfasst:
Messen einer Transmissionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung (11)
eingefallenen und das optische Filter durchlaufenen Lichts (51) mit dem ersten
fotoelektrischen Element (30);
Messen einer Reflexionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung (11) eingefallenen und am optischen Filter (20) reflektierten Lichts (52) mit dem zweiten fotoelektrischen Element;
Dividieren der Transmissionsintensität durch die Reflexionsintensität, um einen
Verhältniswert zu erhalten; und Beziehen des Verhältnis werts auf ein Modell des optischen Filters (20), um einen Wert zu erhalten, der mit dem Reflexions spektrum zusammenhängt.
EP18753173.6A 2017-08-29 2018-08-10 Optoelektrischer chip Pending EP3676581A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017119810.5A DE102017119810B4 (de) 2017-08-29 2017-08-29 Optoelektrischer Chip
PCT/EP2018/071790 WO2019042748A1 (de) 2017-08-29 2018-08-10 Optoelektrischer chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP3676581A1 true EP3676581A1 (de) 2020-07-08

Family

ID=63168433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP18753173.6A Pending EP3676581A1 (de) 2017-08-29 2018-08-10 Optoelektrischer chip

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11237060B2 (de)
EP (1) EP3676581A1 (de)
CN (1) CN111051829B (de)
DE (1) DE102017119810B4 (de)
WO (1) WO2019042748A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019123468B3 (de) 2019-09-02 2021-01-07 Fisens Gmbh Vorrichtung für optische Anwendungen
WO2023213851A1 (de) 2022-05-04 2023-11-09 Gts Deutschland Gmbh Messverfahren zur erfassung von einer auf einen gegenstand einwirkenden mechanischen kraft, messvorrichtung mit faseroptischer sensoreinheit

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2862391D1 (de) * 1977-10-26 1984-04-26 Post Office Control apparatus for a semi-conductor laser device
JPS55142220A (en) 1979-04-24 1980-11-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Device for measuring wavelength
DE4018998A1 (de) * 1990-06-13 1992-01-02 Dynisco Geraete Gmbh Faseroptischer drucksensor
JP2989775B2 (ja) * 1997-01-21 1999-12-13 サンテック株式会社 レーザ光源の波長安定化装置
CA2262764A1 (en) * 1998-03-12 1999-09-12 Joseph Earl Ford Spectrometer for monitoring optical telecommunications signals
EP0966079B1 (de) * 1998-06-17 2003-05-07 Santec Corporation Laserlichtquelle
JP2001223642A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信装置
US6738140B2 (en) * 2000-09-19 2004-05-18 Lambda Control, Inc. Wavelength detector and method of detecting wavelength of an optical signal
DE10061147C2 (de) 2000-11-30 2002-10-24 Univ Dresden Tech Anordnung zur Bestimmung der Reflexionswellenlänge von Faser-Bragg-Gittern
JP3896905B2 (ja) * 2002-06-18 2007-03-22 住友電気工業株式会社 光通信装置
US7079228B2 (en) * 2004-04-15 2006-07-18 Rosemount Aerospace Inc. Combined laser altimeter and ground velocity measurement apparatus
US20060024067A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Koontz Elisabeth M Optical I/O chip for use with distinct electronic chip
CN1789936A (zh) * 2004-12-15 2006-06-21 亚洲光学股份有限公司 波长检测装置及其方法
US20070280605A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Mendoza Edgar A Fiber bragg grating sensor interrogator and manufacture thereof
FR2908888B1 (fr) * 2006-11-21 2012-08-03 Centre Nat Rech Scient Dispositif pour la detection exaltee de l'emission d'une particule cible
JP5393888B2 (ja) * 2010-06-28 2014-01-22 株式会社フジクラ 超電導線材の常電導転移の検出方法
GB2486715A (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Oclaro Technology Ltd Wavelength locker
DE102012103686B4 (de) * 2012-04-26 2021-07-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Epitaxiesubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat
US9267878B2 (en) * 2013-03-06 2016-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Acoustic signal receiving apparatus and photo-acoustic tomography
US9739709B2 (en) * 2013-05-08 2017-08-22 Colorado State University Research Foundation Hydrocarbon sensing methods and apparatus
US10472947B2 (en) * 2014-06-30 2019-11-12 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Deformation measurement method and apparatus
CA2977137A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 East Carolina University Multi-wavelength beam splitting systems for simultaneous imaging of a distant object in two or more spectral channels using a single camera
US9887773B2 (en) * 2015-09-30 2018-02-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wavelength division multiplexing transistor outline (TO)-can assemblies for use in optical communications and optical communications module incorporating same
US11346689B2 (en) * 2015-12-02 2022-05-31 Danmarks Tekniske Universitet Optical measuring system with an interrogator and a polymer-based single-mode fibre-optic sensor system

Also Published As

Publication number Publication date
US11237060B2 (en) 2022-02-01
CN111051829B (zh) 2022-12-27
DE102017119810A1 (de) 2019-02-28
WO2019042748A1 (de) 2019-03-07
DE102017119810B4 (de) 2019-05-09
CN111051829A (zh) 2020-04-21
US20200300709A1 (en) 2020-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3733464C2 (de)
DE102008016167A1 (de) Farbsensor mit Infrarotkorrektur
EP3676581A1 (de) Optoelektrischer chip
WO2013182567A2 (de) Optisches messsystem mit polarisationskompensation, sowie entsprechendes verfahren
DE102008057115A1 (de) Verfahren zur quantitativen Bestimmung der Konzentration von Fluorophoren einer Substanz in einer Probe und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE102009014478B4 (de) Vorrichtung zum Umsetzen eines optischen Eingangssignals in ein elektrisches Ausgangssignal und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
EP1233256B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Messen der chromatischen Dispersion einer optischen Übertragungsstrecke
EP3857165A1 (de) Faseroptischer sensor, datenhandschuh und verfahren zur erfassung einer krümmung
DE2834983B2 (de) Meßkopf für Beleuchtungsstärke-Meßgeräte
EP3665504A1 (de) Verfahren zur bereitstellung eines detektionssignals für zu detektierende objekte
DE102015214749B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung einer Last sowie mechanische Komponente
DE112004001453B4 (de) Fotometer
DE112015007099T5 (de) Verfahren zur messung eines lichtdämpfungsgrads und system zur lichtintensitätsmessung
DE102020122393A1 (de) Messgerät und Verfahren einer Papierbahn
DE102008063464A1 (de) Verfahren zur Erkennung von Streulichteffekten bei der Erfassung eines Intensitätsspektrums und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102017131446B3 (de) Vorrichtung zur faseroptischen Messung, Verfahren zur Kalibrierung und Verfahren zur faseroptischen Messung
WO2019120356A1 (de) Interrogator für zwei faser-bragg-gitter-messstellen
EP0380779A2 (de) Verfahren zur Ermittlung von optischen Verlusten in Lichtleiterfasern im reflektierten Licht
DE102004001157A1 (de) Vorrichtung zur Detektion und/oder Charakterisierung von einzelnen sich bewegenden Objekten mit sehr kleinen Abmessungen
DE102005040835B3 (de) Anordnung zur Erhöhung der Messgenauigkeit von Fasergitter-Sensorsystemen
DE102022004473A1 (de) Sensoranordnung zum Erfassen mindestens einer ersten Torsion eines Rotorblatts einer Windkraftanlage
DE102017011652A1 (de) Interrogator für zwei Faser-Bragg-Gitter Messstellen
DE102022120283A1 (de) Vorrichtung zur interferometrischen Prüfung von optischen Flächen
WO2021018617A1 (de) Optoelektronische messvorrichtung zur frequenzaufgelösten messung einer intensität einer elektromagnetischen strahlung
EP1645861A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Messen der chromatischen Dispersion einer optischen Übertragungsstrecke

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20200311

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20220805

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: VC VIII POLYTECH HOLDING APS