DE102017119810B4 - Optoelektrischer Chip - Google Patents

Optoelektrischer Chip Download PDF

Info

Publication number
DE102017119810B4
DE102017119810B4 DE102017119810.5A DE102017119810A DE102017119810B4 DE 102017119810 B4 DE102017119810 B4 DE 102017119810B4 DE 102017119810 A DE102017119810 A DE 102017119810A DE 102017119810 B4 DE102017119810 B4 DE 102017119810B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
chip
photoelectric element
filter
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102017119810.5A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102017119810A1 (de
Inventor
Markus Schmid
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vc Viii Polytech Holding Aps Dk
Original Assignee
fos4X GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by fos4X GmbH filed Critical fos4X GmbH
Priority to DE102017119810.5A priority Critical patent/DE102017119810B4/de
Priority to EP18753173.6A priority patent/EP3676581A1/de
Priority to CN201880055141.XA priority patent/CN111051829B/zh
Priority to PCT/EP2018/071790 priority patent/WO2019042748A1/de
Priority to US16/643,525 priority patent/US11237060B2/en
Publication of DE102017119810A1 publication Critical patent/DE102017119810A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102017119810B4 publication Critical patent/DE102017119810B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G01J9/02Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
    • G01J9/0246Measuring optical wavelength
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0256Compact construction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J2003/1213Filters in general, e.g. dichroic, band

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Es wird ein optoelektrischer Chip (1) angegeben, der Folgendes umfasst: eine Lichteintrittsöffnung (11); ein wellenlängensensitives optisches Filter (20); ein erstes fotoelektrisches Element (30) zum Messen einer ersten Lichtintensität, insbesondere eine erste Fotodiode, wobei das erste fotoelektrische Element (30) derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretendes Licht (50), welches das Filter transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element (30) trifft; und ein zweites fotoelektrisches Element (40) zum Messen einer zweiten Lichtintensität, insbesondere eine zweite Fotodiode, wobei das zweite fotoelektrische Element (40) derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretende Licht (50), welches am Filter (20) reflektiert wird, auf das zweite fotoelektrische Element (40) trifft.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Ausführungsformen der Offenbarung betreffen einen optoelektrischen Chip, ein Messsystem mit einem optoelektrischen Chip sowie ein Verfahren zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eines Faser-Bragg-Gitters, das einen optoelektrischen Chip verwendet.
  • Bei messtechnischen Anwendungen unter Verwendung von Licht ist es vielfach notwendig, ein Reflexionsspektrum oder ein Transmissionsspektrum des zur Messung verwendeten Lichts auszuwerten. Beispielsweise wird Licht in seinen spektralen Eigenschaften von optischen Elementen, z. B. von optischen Gittern wie Faser-Bragg-Gittern beeinflusst, und es werden die spektralen Eigenschaften des Lichts ausgewertet, das einer solchen Beeinflussung unterzogen wurde. Die spektralen Eigenschaften des Lichts umfassen beispielsweise ein wellenlängenabhängiges Intensitätsminimum oder -maximum.
  • STAND DER TECHNIK
  • Es sind optoelektrische Chips bekannt, auf bzw. in welchen optische Elemente und elektrische bzw. elektronische Elemente in Form eines gemischten optischen und elektrischen Systems angeordnet und verschaltet sind, typischerweise auf bzw. in einem gemeinsamen Wafer für die jeweiligen optischen und elektrischen/elektronischen Elemente.
  • Die DE 100 61 147 A1 beschreibt eine Anordnung zur Bestimmung von Reflexionswellenlängen von in Reihe geschalteten Faser-Bragg-Gittern. Eine Lichtwellenleiter-Faser ist in einen Schmelzkoppler geführt. Ein von den Faser-Bragg-Gittern rückreflektiertes Signal wird aus dem Schmelzkoppler in einen Gradientenindex-Linsen-Koppler geleitet. Ein Teil des Lichts verlässt den Gradientenindex-Linsen-Koppler durch einen ersten Ausgang, ein anderer Teil durch einen zweiten Ausgang. Hinter den Ausgängen ist jeweils eine Fotodiode gefolgt von einer Auswertungsschaltung angeordnet.
  • 4 zeigt ein Beispiel für einen herkömmlichen optoelektrischen Chip 101. In den Chip 101 ist ein Lichtwellenleiter 110 eingeführt, dessen eingeführtes Ende eine Lichteintrittsöffnung 111 für eintretendes Licht 150 bildet. Das eintretende Licht 150 ist beispielsweise Licht, das auf seinem Ausbreitungsweg von einer (nicht dargestellten) Lichtquelle bis zur Lichteintrittsöffnung 111 in seinen spektralen Eigenschaften verändert wurde, wobei einige oder alle weiteren Elemente des Chips 101 zur Messung interessierender spektraler Eigenschaften bzw. spektraler Eigenschaftsveränderungen dienen. Typischerweise wurde ein wellenlängenbezogenes Maximum der Intensität des eintretenden Lichts 150 durch ein (nicht dargestelltes) Faser-Bragg-Gitter, das im Lichtwellenleiter 110 ausgebildet ist, beeinflusst bzw. verschoben.
  • Das in den Chip 101 eingetretene Licht 150 wird in einem Strahlteiler 120 in einen ersten Lichtanteil 151 und einen zweiten Lichtanteil 152 aufgeteilt. Der erste Lichtanteil 151 passiert anschließend in Transmission ein optisches Filter 130, das eine wellenlängenabhängige Filterung des Lichts vornimmt. Das aus dem optischen Filter 130 austretende gefilterte Licht 153 trifft auf eine Filter-Fotodiode 140 und erzeugt dort ein elektrisches Messsignal entsprechend seiner Intensität.
  • Der zweite Lichtanteil 152 trifft auf eine Referenz-Fotodiode 160 und erzeugt dort ein elektrisches Referenzsignal entsprechend seiner Intensität. Der zweite Lichtanteil 152 ist ungefiltert. Der Wert des Messsignals wird durch den Wert des Referenzsignals dividiert, beispielsweise in einer (nicht dargestellten) Auswertungsschaltung. Über ein Kalibriermodell des optischen Filters 130 kann aus dem so erhaltenen Quotienten auf die Wellenlänge des Faser-Bragg-Gitters im Lichtwellenleiter 110 geschlossen werden.
  • Der optoelektrische Chip 101 ist unter anderem durch den Strahlteiler 120 relativ komplex aufgebaut, und die Empfindlichkeit ist durch den Strahlteiler 120 niedrig. Es ist eine Lösung wünschenswert, bei welcher die Komplexität eines optoelektrischen Chips 101 verringert und/oder die Empfindlichkeit verbessert ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen einen optoelektrischen Chip mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bereit. Ferner geben Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Messsystem mit den Merkmalen des Anspruchs 8 an, welches einen hierin offenbarten optoelektrischen Chip verwendet. Des Weiteren stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eines Faser-Bragg-Gitters mit den Merkmalen des Anspruchs 9 bereit, in welchem Verfahren ein hierin offenbarter optoelektrischen Chip verwendet wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird ein optoelektrischer Chip angegeben, der Folgendes umfasst: eine Lichteintrittsöffnung; ein wellenlängensensitives optisches Filter; ein erstes fotoelektrisches Element zum Messen einer ersten Lichtintensität, insbesondere eine erste Fotodiode, wobei das erste fotoelektrische Element derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretendes Licht, welches das Filter transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element trifft; und ein zweites fotoelektrisches Element zum Messen einer zweiten Lichtintensität, insbesondere eine zweite Fotodiode, wobei das zweite fotoelektrische Element derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretende Licht, welches am Filter reflektiert wird, auf das zweite fotoelektrische Element trifft.
  • Ein hierin offenbartes Messsystem weist einen hierin beschriebenen optoelektrischen Chip und einen an die Lichteintrittsöffnung gekoppelten Lichtwellenleiter auf, wobei der Lichtwellenleiter mindestens ein Faser-Bragg-Gitter umfasst.
  • Ein hierin offenbartes Verfahren zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eines Faser-Bragg-Gitters, wobei das Faser-Bragg-Gitter in einem Lichtwellenleiter bereitgestellt ist, und wobei ein Ende des Lichtwellenleiters in die Lichteintrittsöffnung eines hierin beschriebenen optoelektrischen Chips eingeführt ist, umfasst Folgendes: Messen einer Transmissionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen und das optische Filter durchlaufenen Lichts mit dem ersten fotoelektrischen Element; Messen einer Reflexionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen und am optischen Filter reflektierten Lichts mit dem zweiten fotoelektrischen Element; Dividieren der Transmissionsintensität durch die Reflexionsintensität, um einen Verhältniswert zu erhalten; und Beziehen des Verhältniswerts auf ein Modell des optischen Filters, um einen Wert zu erhalten, der mit dem Reflexionsspektrum zusammenhängt.
  • Das Filterielement, d. h. das wellenlängensensitive optische Filter, wird demnach sowohl in Transmission, als auch in Reflexion genutzt. Das am Filterelement reflektierte Licht wird direkt zur Messung einer Referenzintensität genutzt. Die Filteroberfläche fungiert somit als Strahlteiler.
  • Das durch die durch die Lichteintrittsöffnung eingefallene und das optische Filter durchlaufene Licht zusammen mit dem durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen und am optischen Filter reflektierten Licht unterliegt der Energieerhaltung. Dadurch, dass kein separater Strahlteiler oder ein ähnliches die Lichtintensität abschwächendes optisches Element verwendet wird, wird der Wirkungsgrad des hierin beschriebenen optoelektrischen Chips gegenüber einem herkömmlichen optoelektrischen Chip verdoppelt.
  • Das eingesparte Strahlteilerelement verringert zudem die Herstellungskosten, beispielsweise die Materialkosten und eventuelle Arbeitskosten bei der Herstellung des Chips.
  • Die Übertragungsfunktion bezüglich der Wellenlänge, die am ersten fotoelektrischen Element vorliegt, wird wellenlängen-invers an das zweite fotoelektrische Element angelegt.
  • Bei einer Division der beiden Intensitäten, die an den jeweiligen fotoelektrischen Elementen gemessen werden, kann sich daher ein verbessertes Signal-zu-Rauschen-Verhältnis ergeben.
  • Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens ist das optische Filter ein wellenlängensensitives Transmissionsfilter oder Kantenfilter.
  • Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens ist eine Reflexionsoberfläche des optischen Filters relativ zur Ausbreitungsrichtung des durch die Lichteintrittsöffnung in den optoelektrischen Chip eintretenden Lichts geneigt ist, insbesondere in einem Winkelbereich von 10° bis 80° in Bezug auf eine senkrechte Ausrichtung der Reflexionsoberfläche gegenüber der Ausbreitungsrichtung geneigt.
  • Eine Neigung der Reflexionsfläche des optischen Filters kann es ermöglichen, das zweite fotoelektrische Element platzsparend im bzw. am optoelektrischen Chip anzuordnen, beispielsweise benachbart zu einem eingeführten Lichtwellenleiter.
  • Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens sind der Lichtweg von der Lichteintrittsöffnung zum Filter, der Lichtweg vom Filter zum ersten fotoelektrischen Element und der Lichtweg vom Filter zum zweiten fotoelektrischen Element jeweils frei von weiteren optischen Elementen. Die Intensität des Lichts, dessen spektrale Eigenschaften im optoelektrischen Chip bewertet werden, wird dadurch keiner nennenswerten Dämpfung unterworfen, wie sie sich beispielsweise bei einem separat vorgesehenen Strahlteiler ergibt. Dadurch kann die Empfindlichkeit verbessert werden.
  • Bei Ausführungsformen des optoelektrischen Chips, des Messsystems und/oder des Verfahrens umfasst der optoelektrische Chip ferner eine Auswertungsschaltung. Der Auswertungsschaltung werden ein erstes Messsignal vom ersten fotoelektrischen Element und ein zweites Messsignal vom zweiten fotoelektrischen Element zugeführt. Die jeweiligen Werte der Messsignale hängen mit den jeweiligen gemessenen Lichtintensitäten zusammen. Die Auswertungsschaltung ist dazu konfiguriert, den Wert des ersten Messsignals durch den Wert des zweiten Messsignals zu dividieren, um einen Verhältniswert zu erhalten.
  • Eine Auswertungsschaltung, die mit dem optoelektrischen Chip integriert ist, kann zu einer weiteren Vereinfachung und/oder Kompaktierung in einem optoelektrischen Messsystem beitragen.
  • Typischerweise ist die Auswertungsschaltung dazu konfiguriert, den Verhältniswert auf ein Modell des optischen Filters zu beziehen, um einen Wert zu erhalten, der mit einem Spektrum des durch die Lichteintrittsöffnung eintretenden Lichts zusammenhängt. Beispielsweise gibt der Wert ein frequenzabhängiges Intensitätsmaximum oder ein Intensitätsminimum des durch die Lichteintrittsöffnung eintretenden Lichts an. Das Modell des optischen Filters ist typischerweise ein Modell, das zu Kalibrierungszwecken des Filters geeignet ist. Ein Kalibrierungsmodell des optischen Filters umfasst typischerweise eine Lookup-Tabelle. Mit dem Verhältniswert kann z. B. auf eine Wellenlänge bzw. Wellenlängenverschiebung eines Faser-Bragg-Gitters rückgeschlossen werden, das im Lichtwellenleiter ausgebildet ist.
  • Figurenliste
  • Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung eines optoelektrischen Chips gemäß einer Ausführungsform, mit eingeführtem Lichtwellenleiter;
    • 2 ein Blockschaltbild eines optoelektrischen Chips gemäß einer Ausführungsform, der ferner eine Auswertungsschaltung umfasst;
    • 3 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eine Faser-Bragg-Gitters gemäß einer Ausführungsform; und
    • 4 eine schematische Darstellung eines herkömmlichen optoelektrischen Chips.
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert. Die Zeichnungen dienen der Veranschaulichung eines oder mehrerer Beispiele von Ausführungsformen der Erfindung.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung eines optoelektrischen Chips, der insgesamt mit 1 bezeichnet ist, gemäß einer Ausführungsform. In den optoelektrischen Chip 1 ist ein Ende eines Lichtwellenleiters 10 eingeführt, und der Chip 1 sowie der Lichtwellenleiter 10 bilden gemeinsam ein Messsystem, mit welchem beispielsweise ein Reflexionsspektrum eines (nicht dargestellten) Faser-Bragg-Gitters ausgewertet werden kann, das im Lichtwellenleiter 10 ausgebildet ist.
  • Eine Endfläche des eingeführten Endes des Lichtwellenleiters 10 dient zum Einkoppeln von Licht in den optoelektrischen Chip 1. Diese Endfläche stellt in der vorliegenden Ausführungsform eine Lichteintrittsöffnung 11 für in den optoelektrischen Chip 1 eintretendes Licht 50 dar. Es ist auch möglich, eine Lichteintrittsöffnung 11 in einer anderen Ausgestaltung vorzusehen und den Lichtwellenleiter 10 bzw. dessen Endfläche in entsprechender Weise an eine solche Lichteintrittsöffnung 11 anzukoppeln, so dass sich das eintretende Licht 50 im optoelektrischen Chip 1 ausbreiten kann. Der Chip 1 bildet insoweit ein optoelektrisches Freistrahl-System.
  • Das eintretende Licht 50 breitet sich entlang einer Ausbreitungsrichtung A aus und trifft auf ein optisches Transmissionsfilter 20, das wellenlängensensitiv ist und nur bestimmte spektrale Anteile des Lichts 50 als transmittiertes Licht 51 hindurchlässt. Der nicht transmittierte Anteil des Lichts 50 wird an einer Reflexionsoberfläche 21 des optischen Filters 20 reflektiert.
  • In der dargestellten Ausführungsform ist zumindest die Reflexionsoberfläche 21 des optischen Filters 20 relativ zur Ausbreitungsrichtung A geneigt. Das reflektierte Licht 52, d. h. der Anteil des Lichts 50, der nicht als transmittiertes Licht 51 hindurchgelassen wurde, breitet sich demnach in einer Richtung aus, die sich aufgrund des Neigungswinkels α der Reflexionsoberfläche 21 ergibt. Ein Beispiel für einen Winkelbereich des Neigungswinkels α der Reflexionsoberfläche 21 ist ein Bereich zwischen 10° und 80°.
  • Das transmittierte Licht 51 trifft auf ein erstes fotoelektrisches Element 30, das beispielsweise als eine erste Fotodiode ausgebildet ist. Weitere Beispiele für ein erstes fotoelektrisches Element 30 umfassen einen Fototransistor oder ein anderweitiges fotosensitives Halbleiterbauelement. Das transmittierte Licht 51 erzeugt im ersten fotoelektrischen Element 30 ein elektrisches Signal entsprechend der Intensität. Das elektrische Signal wird - ggf. verstärkt - aus dem ersten fotoelektrischen Element 30 als ein erstes Messsignal 61 ausgegeben, wie noch unter Bezugnahme auf 2 erläutert wird.
  • Das reflektierte Licht 52 trifft auf ein zweites fotoelektrisches Element 40, das wiederum beispielsweise als eine zweite Fotodiode ausgebildet ist. Auch hier umfassen weitere Beispiele für ein zweites fotoelektrisches Element 40 einen Fototransistor oder ein anderweitiges fotosensitives Halbleiterbauelement. Wiederum erzeugt das reflektierte Licht 52 ein elektrisches Signal, hierbei im zweiten fotoelektrischen Element 40, entsprechend der Intensität des reflektierten Lichts 52. Das elektrische Signal wird - ggf. verstärkt - aus dem zweiten fotoelektrischen Element 40 als ein zweites Messsignal 62 ausgegeben, wie noch unter Bezugnahme auf 2 erläutert wird.
  • In der Ausführungsform ist der Lichtweg zwischen der Lichteintrittsöffnung 11 und dem Filter 20 frei von optischen Elementen. Ebenso ist der Lichtweg zwischen dem Filter 20 und dem ersten fotoelektrischen Element 30 frei von optischen Elementen. Zudem ist der Lichtweg zwischen dem Filter 20, genauer zwischen der Reflexionsoberfläche 21, und dem zweiten fotoelektrischen Element 40 frei von optischen Elementen. Das eingetretene Licht 50, das transmittierte Licht 51 und das reflektierte Licht 52 breiten sich damit jeweils unbeeinflusst aus. Eine Beeinflussung der Intensität erfolgt allenfalls durch das Filter 20, das zugleich als Strahlteiler fungiert. Eine weitere Beeinflussung durch optische Elemente, mit Ausnahme einer mediumsabhängigen Dämpfung bei der Ausbreitung, erfolgt nicht.
  • Die Übertragungsfunktion bezüglich der Wellenlänge am ersten fotoelektrischen Element 30 wird durch die Reflexion am Filter 20 wellenlängen-invers am zweiten fotoelektrischen Element 40 angelegt.
  • 2 zeigt ein Blockschaltbild eines optoelektrischen Chips 1, in welchem zusätzlich eine Auswertungsschaltung 60 integriert ist. Der Auswertungsschaltung 60 werden das erste Messsignal 61 aus dem ersten fotoelektrischen Element 30 und das zweite Messsignal 62 aus dem zweiten fotoelektrischen Element 40 zugeführt. Die Auswertungsschaltung 60 dividiert den Wert des ersten Messsignals 61 durch den Wert des zweiten Messsignals 62. Das zweite Messsignal 62 dient dabei als Referenzsignal. Der so erhaltene Quotient ist ein Verhältniswert 63.
  • Der Verhältniswert 63 kann direkt ausgegeben werden, wie in 2 dargestellt. Der Verhältniswert 63 kann aber auch intern in der Auswertungsschaltung 60 dazu verwendet werden, um den Verhältniswert 63 auf ein Modell des Filters 20 zu beziehen, um einen Wert zu erhalten, der mit einem Spektrum des durch die Lichteintrittsöffnung 11 eintretenden Lichts 50 zusammenhängt. Beispielsweise ist das Modell des Filters 20 ein Kalibrierungsmodell. Der so erhaltene Wert kann z. B. direkt oder indirekt die Wellenlänge des Faser-Bragg-Gitters im Lichtwellenleiter 10 angeben. Dieser Wert kann beispielsweise zusätzlich oder alternativ zum Verhältniswert 63 ausgegeben werden.
  • Weil kein weiteres Strahlteiler-Element im Lichtweg vorhanden ist und das reflektierte Licht 52 sowie das transmittierte Licht 51 der Energieerhaltung unterliegen, ergibt sich für den Verhältniswert 63 ein im Vergleich zum herkömmlichen Chip 101 verbessertes Signal-zu-Rauschen-Verhältni s.
  • 3 zeigt ein Ablaufdiagramm für ein Verfahren zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eines Faser-Bragg-Gitters, wobei das Faser-Bragg-Gitter in einem Lichtwellenleiter 10 bereitgestellt ist, und wobei ein Ende des Lichtwellenleiters optisch an die Lichteintrittsöffnung 11 des optoelektrischen Chips 1 gemäß einer hierin beschriebenen Ausführungsform gekoppelt ist, beispielsweise eingeführt ist.
  • In 1001 wird gemäß dem Verfahren zunächst eine Transmissionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen Lichts 50 gemessen, das das optische Filter 20 durchlaufen hat und als transmittiertes Licht 51 auf das erste fotoelektrische Element 30 trifft.
  • In 1002 wird eine Reflexionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung eingefallenen Lichts 50 gemessen, das an der Reflexionsoberfläche 21 des optischen Filters 20 reflektiert wurde und als reflektiertes Licht 52 auf das zweite fotoelektrische Element 40 trifft.
  • In 1003 wird die Transmissionsintensität durch die Reflexionsintensität dividiert, um einen Verhältniswert zu erhalten.
  • In 1004 wird der Verhältniswert auf ein Modell des optischen Filters 20 bezogen, um einen Wert zu erhalten, der mit dem Reflexionsspektrum zusammenhängt.
  • Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass die hierin beschriebenen Aspekte und Ausführungsformen angemessen miteinander kombinierbar sind, und dass einzelne Aspekte dort weggelassen werden können, wo es im Rahmen des fachmännischen Handelns sinnvoll und möglich ist. Abwandlungen und Ergänzungen der hierin beschriebenen Aspekte sind dem Fachmann geläufig.

Claims (10)

  1. Optoelektrischer Chip (1), umfassend: eine Lichteintrittsöffnung (11); ein wellenlängensensitives optisches Filter (20); ein erstes fotoelektrisches Element (30) zum Messen einer ersten Lichtintensität, wobei das erste fotoelektrische Element (30) derart angeordnet ist, dass durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretendes Licht, welches das Filter (20) transmittiert, auf das erste fotoelektrische Element (30) trifft; ein zweites fotoelektrisches Element (40) zum Messen einer zweiten Lichtintensität, wobei das zweite fotoelektrische Element (40) derart angeordnet ist, dass das durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretende Licht, welches am Filter (20) reflektiert wird, auf das zweite fotoelektrische Element (40) trifft.
  2. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 1, wobei das optische Filter (20) ein wellenlängensensitives Transmissionsfilter oder Kantenfilter ist.
  3. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Reflexionsoberfläche (21) des optischen Filters (20) relativ zur Ausbreitungsrichtung des durch die Lichteintrittsöffnung (11) in den optoelektrischen Chip (1) eintretenden Lichts geneigt ist.
  4. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 3, wobei die Reflexionsoberfläche (21) in einem Winkelbereich von 10° bis 80° in Bezug auf eine senkrechte Ausrichtung der Reflexionsoberfläche gegenüber der Ausbreitungsrichtung geneigt ist.
  5. Optoelektrischer Chip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Lichtweg von der Lichteintrittsöffnung (11) zum Filter (20), der Lichtweg vom Filter (20) zum ersten fotoelektrischen Element (30) und der Lichtweg vom Filter (20) zum zweiten fotoelektrischen Element (40) jeweils frei von weiteren optischen Elementen sind.
  6. Optoelektrischer Chip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine Auswertungsschaltung (60), welcher ein erstes Messsignal (61) vom ersten fotoelektrischen Element (30) und ein zweites Messsignal (62) vom zweiten fotoelektrischen Element (40) zugeführt werden, wobei die jeweiligen Werte der Messsignale (61, 62) mit den jeweiligen gemessenen Lichtintensitäten zusammenhängen, wobei die Auswertungsschaltung dazu konfiguriert ist, den Wert des ersten Messsignals (61) durch den Wert des zweiten Messsignals (62) zu dividieren, um einen Verhältniswert (63) zu erhalten.
  7. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 6, wobei die Auswertungsschaltung (60) ferner dazu konfiguriert ist, den Verhältniswert (63) auf ein Modell des optischen Filters (20) zu beziehen, um einen Wert zu erhalten, der mit einem Spektrum des durch die Lichteintrittsöffnung (11) eintretenden Lichts (50) zusammenhängt.
  8. Optoelektrischer Chip (1) nach Anspruch 7, wobei das Modell des optischen Filters (20) ein Kalibrierungsmodell umfasst.
  9. Messsystem mit einen optoelektrischen Chip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche und einem an die Lichteintrittsöffnung (11) gekoppelten Lichtwellenleiter (10), wobei der Lichtwellenleiter (10) mindestens ein Faser-Bragg-Gitter umfasst.
  10. Verfahren zum Auswerten eines Reflexionsspektrums eines Faser-Bragg-Gitters, wobei das Faser-Bragg-Gitter in einem Lichtwellenleiter (10) bereitgestellt ist, und wobei ein Ende des Lichtwellenleiters (10) optisch an die Lichteintrittsöffnung (11) eines optoelektrischen Chips nach einem der Ansprüche 1 bis 8 gekoppelt ist, wobei das Verfahren umfasst: Messen einer Transmissionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung (11) eingefallenen und das optische Filter durchlaufenen Lichts (51) mit dem ersten fotoelektrischen Element (30); Messen einer Reflexionsintensität des durch die Lichteintrittsöffnung (11) eingefallenen und am optischen Filter (20) reflektierten Lichts (52) mit dem zweiten fotoelektrischen Element; Dividieren der Transmissionsintensität durch die Reflexionsintensität, um einen Verhältniswert zu erhalten; und Beziehen des Verhältniswerts auf ein Modell des optischen Filters (20), um einen Wert zu erhalten, der mit dem Reflexionsspektrum zusammenhängt.
DE102017119810.5A 2017-08-29 2017-08-29 Optoelektrischer Chip Active DE102017119810B4 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017119810.5A DE102017119810B4 (de) 2017-08-29 2017-08-29 Optoelektrischer Chip
EP18753173.6A EP3676581A1 (de) 2017-08-29 2018-08-10 Optoelektrischer chip
CN201880055141.XA CN111051829B (zh) 2017-08-29 2018-08-10 光电芯片、包括其的测量系统和用于评估光纤Bragg光栅的反射光谱的方法
PCT/EP2018/071790 WO2019042748A1 (de) 2017-08-29 2018-08-10 Optoelektrischer chip
US16/643,525 US11237060B2 (en) 2017-08-29 2018-08-10 Optoelectrical chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017119810.5A DE102017119810B4 (de) 2017-08-29 2017-08-29 Optoelektrischer Chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102017119810A1 DE102017119810A1 (de) 2019-02-28
DE102017119810B4 true DE102017119810B4 (de) 2019-05-09

Family

ID=63168433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017119810.5A Active DE102017119810B4 (de) 2017-08-29 2017-08-29 Optoelektrischer Chip

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11237060B2 (de)
EP (1) EP3676581A1 (de)
CN (1) CN111051829B (de)
DE (1) DE102017119810B4 (de)
WO (1) WO2019042748A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021043470A1 (de) 2019-09-02 2021-03-11 Fisens Gmbh Vorrichtung für optische anwendungen
WO2023213851A1 (de) 2022-05-04 2023-11-09 Gts Deutschland Gmbh Messverfahren zur erfassung von einer auf einen gegenstand einwirkenden mechanischen kraft, messvorrichtung mit faseroptischer sensoreinheit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10061147A1 (de) 2000-11-30 2002-06-13 Univ Dresden Tech Anordnung zur Bestimmung der Reflexionswellenlänge von Faser-Bragg-Gittern

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2862391D1 (de) * 1977-10-26 1984-04-26 Post Office Control apparatus for a semi-conductor laser device
JPS55142220A (en) * 1979-04-24 1980-11-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Device for measuring wavelength
DE4018998A1 (de) * 1990-06-13 1992-01-02 Dynisco Geraete Gmbh Faseroptischer drucksensor
JP2989775B2 (ja) * 1997-01-21 1999-12-13 サンテック株式会社 レーザ光源の波長安定化装置
CA2262764A1 (en) * 1998-03-12 1999-09-12 Joseph Earl Ford Spectrometer for monitoring optical telecommunications signals
EP0966079B1 (de) * 1998-06-17 2003-05-07 Santec Corporation Laserlichtquelle
JP2001223642A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信装置
US6738140B2 (en) * 2000-09-19 2004-05-18 Lambda Control, Inc. Wavelength detector and method of detecting wavelength of an optical signal
JP3896905B2 (ja) * 2002-06-18 2007-03-22 住友電気工業株式会社 光通信装置
US7079228B2 (en) * 2004-04-15 2006-07-18 Rosemount Aerospace Inc. Combined laser altimeter and ground velocity measurement apparatus
US20060024067A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Koontz Elisabeth M Optical I/O chip for use with distinct electronic chip
CN1789936A (zh) * 2004-12-15 2006-06-21 亚洲光学股份有限公司 波长检测装置及其方法
US20070280605A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-06 Mendoza Edgar A Fiber bragg grating sensor interrogator and manufacture thereof
FR2908888B1 (fr) * 2006-11-21 2012-08-03 Centre Nat Rech Scient Dispositif pour la detection exaltee de l'emission d'une particule cible
WO2012002016A1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-05 株式会社フジクラ 超電導線材の常電導転移の検出方法
GB2486715A (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Oclaro Technology Ltd Wavelength locker
DE102012103686B4 (de) * 2012-04-26 2021-07-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Epitaxiesubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat
US9267878B2 (en) * 2013-03-06 2016-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Acoustic signal receiving apparatus and photo-acoustic tomography
US9739709B2 (en) * 2013-05-08 2017-08-22 Colorado State University Research Foundation Hydrocarbon sensing methods and apparatus
CA2952651C (en) * 2014-06-30 2023-04-04 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Deformation measurement method and apparatus
EP3243106A4 (de) * 2015-03-23 2018-10-03 East Carolina University Systeme zum teilen von mehrwellenlängenstrahlen zur gleichzeitigen abbildung eines entfernten objekts in zwei oder mehreren spektralen kanälen unter verwendung einer einzigen kamera
US9887773B2 (en) * 2015-09-30 2018-02-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wavelength division multiplexing transistor outline (TO)-can assemblies for use in optical communications and optical communications module incorporating same
US11346689B2 (en) * 2015-12-02 2022-05-31 Danmarks Tekniske Universitet Optical measuring system with an interrogator and a polymer-based single-mode fibre-optic sensor system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10061147A1 (de) 2000-11-30 2002-06-13 Univ Dresden Tech Anordnung zur Bestimmung der Reflexionswellenlänge von Faser-Bragg-Gittern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021043470A1 (de) 2019-09-02 2021-03-11 Fisens Gmbh Vorrichtung für optische anwendungen
WO2023213851A1 (de) 2022-05-04 2023-11-09 Gts Deutschland Gmbh Messverfahren zur erfassung von einer auf einen gegenstand einwirkenden mechanischen kraft, messvorrichtung mit faseroptischer sensoreinheit

Also Published As

Publication number Publication date
DE102017119810A1 (de) 2019-02-28
CN111051829B (zh) 2022-12-27
CN111051829A (zh) 2020-04-21
US20200300709A1 (en) 2020-09-24
WO2019042748A1 (de) 2019-03-07
EP3676581A1 (de) 2020-07-08
US11237060B2 (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3733464C2 (de)
DE102017119810B4 (de) Optoelektrischer Chip
DE102014014983A1 (de) Optisches Filterelement für spektroskopische Einrichtungen zur Umwandlung von spektralen Informationen in Ortsinformationen
DE102008017740A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Kalibrierung eines faseroptischen Temperaturmesssystems
DE102009014478B4 (de) Vorrichtung zum Umsetzen eines optischen Eingangssignals in ein elektrisches Ausgangssignal und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE3685631T2 (de) Absorptionsmesser zur bestimmung der dicke, feuchte oder anderer parameter eines films oder einer beschichtung.
EP1089061A2 (de) Laserscanmikroskop und Verfahren zur Referenzkorrektur bei einem Laserscanmikroskop
EP3167227B1 (de) Signalgeber für eine lichtsignalanlage und lichtsignalanlage
EP3857165A1 (de) Faseroptischer sensor, datenhandschuh und verfahren zur erfassung einer krümmung
DE3506317C1 (de) Eisdetektor, insbesondere für einen Eiswarnsensor
DE102017131446B3 (de) Vorrichtung zur faseroptischen Messung, Verfahren zur Kalibrierung und Verfahren zur faseroptischen Messung
DE102021117542A1 (de) Optisches multimeter
DE102008063464A1 (de) Verfahren zur Erkennung von Streulichteffekten bei der Erfassung eines Intensitätsspektrums und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102020122393A1 (de) Messgerät und Verfahren einer Papierbahn
EP2107362B1 (de) Vorrichtung zur Messung der Streuung und/oder Absorption und/oder Refraktion einer Probe
DE112015007099T5 (de) Verfahren zur messung eines lichtdämpfungsgrads und system zur lichtintensitätsmessung
WO2005078401A1 (de) Filtereinheit mit einstellbarer wellenlänge sowie eine anordnung mit der filtereinheit
DE102004018754B4 (de) Vorrichtung für die Messung der Lichtstreuung und Lichtabsorption von Proben
DE102017011730B4 (de) Interrogator für zwei Faser-Bragg-Gitter Messstellen
DE102009040885A1 (de) Vorrichtung zum Auslesen eines spektral selektiven Messaufnehmers und Messvorrichtung
DE102005040835B3 (de) Anordnung zur Erhöhung der Messgenauigkeit von Fasergitter-Sensorsystemen
EP0380779A2 (de) Verfahren zur Ermittlung von optischen Verlusten in Lichtleiterfasern im reflektierten Licht
DE102022120283A1 (de) Vorrichtung zur interferometrischen Prüfung von optischen Flächen
DE102006002500B4 (de) Optisches Spektrometer
DE102022004473A1 (de) Sensoranordnung zum Erfassen mindestens einer ersten Torsion eines Rotorblatts einer Windkraftanlage

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative

Representative=s name: ZACCO LEGAL RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: ZACCO LEGAL RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: ZACCO LEGAL RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VC VIII POLYTECH HOLDING APS, DK

Free format text: FORMER OWNER: FOS4X GMBH, 81371 MUENCHEN, DE