EP3046895A1 - Substrat à revêtement peu perméable pour solidification de silicium - Google Patents

Substrat à revêtement peu perméable pour solidification de silicium

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EP3046895A1
EP3046895A1 EP14780618.6A EP14780618A EP3046895A1 EP 3046895 A1 EP3046895 A1 EP 3046895A1 EP 14780618 A EP14780618 A EP 14780618A EP 3046895 A1 EP3046895 A1 EP 3046895A1
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EP
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barrier layer
substrate
layer
silica
barrier
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Withdrawn
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EP14780618.6A
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Jean-Paul Garandet
Denis Camel
Béatrice Drevet
Nicolas Eustathopoulos
Charles Huguet
Johann Testard
Rayisa VOYTOVYCH
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Abstract

La présente invention concerne un substrat caractérisé en ce qu'il est revêtu au moins partiellement en surface, d'un revêtement contenant au moins une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, Si3N4, couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.

Description

Substrat à revêtement peu perméable pour solidification de silicium
La présente invention se rapporte à un substrat possédant un revêtement particulier, destiné à être mis en contact avec un silicium fondu.
La présente invention se rapporte plus particulièrement à un creuset utile pour la solidification d'un lingot de silicium à partir de silicium à l'état fondu.
Elle concerne également un procédé de préparation d'un tel creuset ainsi que l'utilisation d'un tel creuset pour la solidification de silicium.
Les creusets selon l'invention sont notamment utilisables dans des procédés de fusion et de solidification de silicium, à des fins par exemple d'obtention de silicium de haute pureté pour des applications dans la génération d'énergie photovoltaïque. Ainsi, les cellules photovoltaïques sont, pour l'essentiel, fabriquées à partir de silicium mono- ou poly-cristallin, obtenu à partir de la solidification de silicium liquide dans des creusets. Ce sont les plaquettes découpées dans le lingot formé au sein du creuset qui servent de base à la fabrication des cellules.
Les creusets considérés pour la croissance du lingot sont généralement des creusets en silice, revêtus d'une couche de nitrure de silicium oxydé pour éviter l'adhérence du lingot au creuset après solidification.
Plus précisément, le comportement anti-adhérent repose pour l'essentiel sur la présence de nitrure de silicium, S13N4, à l'état de poudres oxydées, en surface des parois internes des creusets auxquelles adhère le silicium au cours de son refroidissement. En refroidissant, le lingot de silicium se détache de ces parois par rupture cohésive au sein de la couche de nitrure de silicium, relaxant ainsi les contraintes mécaniques issues de la différence de coefficients d'expansion thermique.
Toutefois, cette technique ne permet pas de prévenir une contamination du silicium par les impuretés présentes dans la poudre de nitrure de silicium.
En outre, ce revêtement ne peut pas être utilisé sur tous types de creusets notamment sur les creusets en céramique tels que le carbure ou le nitrure de silicium. En effet, ces céramiques étant chimiquement réductrices, elles vont avoir pour effet de désoxyder le revêtement, ce qui peut conduire à une délamination de ce dernier.
Une solution naturelle serait de réaliser une couche barrière de silice, afin d'empêcher que les gaz produits lors du traitement thermique s'échappent et ainsi d'empêcher la délamination du revêtement. Malheureusement le phénomène de dilatation différentielle fait qu'une couche de silice pure ne résiste pas au cyclage thermique.
Par ailleurs, du fait de transformations de forme et de structure au cours du cycle de fusion-solidification du silicium, les creusets utilisés dans l'industrie ne sont pas toujours réutilisables.
Il demeure par conséquent à ce jour un besoin de substrats notamment de creusets possédant un revêtement assurant une barrière étanche aux gaz, ces substrats étant susceptibles de subir plusieurs cycles thermiques consécutifs et à ce titre réutilisables.
Il demeure également un besoin de substrats notamment de creusets permettant un détachement aisé du lingot de silicium après son refroidissement, tout en limitant la contamination de ce lingot par le revêtement anti-adhérent.
Enfin, dans la perspective d'une production à l'échelle industrielle, il est souhaitable de disposer d'un procédé de fabrication de creusets par des techniques à bas coût et ne nécessitant que peu d'étapes de mise en œuvre.
La présente invention vise précisément à proposer de nouveaux substrats, notamment de nouveaux creusets utiles pour la solidification d'un lingot de silicium à partir de silicium à l'état fondu satisfaisant ces besoins.
Ainsi la présente invention concerne un substrat revêtu au moins partiellement en surface, d'un revêtement contenant au moins une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, S13N4, couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.
De manière surprenante et avantageuse, les inventeurs ont, en effet, découvert que les problèmes développés ci-dessus peuvent être résolus en recouvrant au moins partiellement la surface d'un substrat dédié à contenir ou supporter du silicium fondu, d'un revêtement faiblement perméable formé de silice et d'un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, S13N4, dans des proportions déterminées.
Le revêtement formé dans le cadre de la présente invention dans lequel la couche barrière est en contact direct avec le substrat, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de couche intermédiaire entre le substrat et la couche barrière, est avantageux à plusieurs titres. Il manifeste simultanément des bonnes propriétés d'adhésion au substrat, des propriétés « barrière » aux gaz satisfaisantes.
Les expressions « compris entre... et ... », « allant de... à... » sont équivalentes et, sauf mention contraire, doivent s'entendre bornes incluses. Selon une variante, ledit revêtement est constitué par ladite couche barrière.
Selon cette mise en œuvre, la couche barrière constitue la couche externe du substrat, en contact direct avec l'atmosphère ou le contenant du substrat, c'est-à-dire que la couche barrière n'est pas recouverte d'une couche additionnelle.
Selon une autre variante, ledit revêtement n'est formé qu'en partie par la couche barrière à laquelle peut être superposée une couche annexe, de préférence ladite couche annexe est une couche anti-adhérente.
Ladite couche adhérente est alors avantageusement obtenue en oxydant la surface externe de la couche barrière.
Selon une première variante, le revêtement formé selon la présente invention comprend au moins une couche barrière formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice.
Dans ce cas la cohésion des grains est généralement obtenue par frittage de la silice.
Selon une autre variante, le revêtement formé selon la présente invention comprend au moins une couche barrière se présentant sous la forme d'une matrice de silice dans laquelle sont incorporés des grains d'un ou plusieurs matériau(x) X.
Plus particulièrement les grains d'un ou plusieurs matériau(x) X sont revêtus au moins en partie d'une couche nanométrique de silice.
Avantageusement, l'épaisseur de la couche « barrière» est comprise entre 10 et 100 μπι, entre 20 et 50 μιη.
Pour ce qui est de l'enveloppe de silice c'est-à-dire la couche de silice formée en surface des grains de matériau(x) X, elle peut posséder une épaisseur variant de 2 à 100 nm, et notamment de 10 à 30 nm. Avantageusement, le substrat est un creuset, en particulier utile pour la solidification de silicium.
Il peut également s'agir d'une partie d'un creuset qui par assemblage avec une ou plusieurs autres pièces, permet précisément de former ledit creuset. La présence du revêtement selon l'invention permet d'obtenir un creuset qui est réutilisable sous réserve uniquement de déposer la couche annexe, c'est-à-dire sans requérir une ou plusieurs étapes de traitement préalables avant réutilisation.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui suit. Cette description correspond à un mode de mise en œuvre particulier de l'invention et est donnée à titre purement illustratif et non limitatif.
Comme indiqué précédemment, le substrat selon l'invention est revêtu au moins partiellement, et de préférence entièrement, en surface, d'un revêtement formé d'au moins une couche dite « barrière ».
Au regard de sa composition et de sa perméabilité, la couche barrière selon l'invention permet de conserver l'intégrité du substrat.
Sans vouloir être lié à une quelconque théorie, il semble que les produits gazeux susceptibles d'être générés à l'interface substrat/couche barrière, lors des traitements thermiques (SiO, CO) ne vont pas pouvoir s'évacuer à travers le revêtement. On s'affranchit ainsi des problèmes liés à la délamination du revêtement et à son infiltration par le silicium liquide au cours de différents cycles.
Ainsi, la couche barrière comprend, voire est constituée de, silice et d'un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, S13N4, et est telle que la quantité massique de X dans la couche barrière varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière.
En conséquence, la quantité massique de silice dans la couche barrière varie avantageusement de 50% à 75% par rapport à la masse totale de la couche barrière.
Selon une première variante de l'invention, la couche barrière comprend, voire est constituée de, un mélange de silice et de carbure de silicium (SiC).
Selon une deuxième variante de l'invention, la couche barrière comprend, voire est constituée de, un mélange de silice et de silicium (Si).
Selon une troisième variante préférée de l'invention, la couche barrière comprend, voire est constituée de, un mélange de silice et de nitrure de silicium (Si3N4).
Selon une quatrième variante de l'invention, la couche barrière comprend, voire est constituée de, un mélange de silice et de deux matériaux X choisis parmi SiC, Si, S13N4. Selon une cinquième variante de l'invention, la couche barrière comprend, voire est constituée de, un mélange de silice et des trois matériaux X suivants SiC, Si, Si3N4.
Les particules de matériaux inorganiques X mises en œuvre dans le procédé de préparation du revêtement selon l'invention, comme décrit plus particulièrement par la suite, se présentent de préférence sous la forme de poudres, ayant de préférence une taille ou un diamètre moyen allant de 500 nm à 5 microns, de préférence de 0,8 microns à 2 microns.
Selon une variante de réalisation, il peut s'agir de poudres disponibles commercialement. A titre d'exemple de telles poudres, on peut citer le nitrure de silicium (S13N4) sous forme de grains de taille micronique et commercialisé sous la référence S E10® par la société UBE,
Selon une autre variante de réalisation, les particules de matériaux inorganiques X peuvent être préparées préalablement à la formation du revêtement selon l'invention. L'homme du métier est à même de mettre en œuvre les méthodes adaptées à la préparation des particules convenant à l'invention.
Avantageusement, la perméabilité de la couche barrière est inférieure à 10"15 m , de préférence inférieure à 10 8 m2.
La perméabilité de cette couche traduit son aptitude à se laisser traverser par un fluide de référence sous l'effet d'un gradient de pression.
La perméabilité (intrinsèque ou spécifique) d'un substrat et plus généralement d'un milieu peut être obtenue à partir de l'équation de Darcy : dans laquelle dP/dx est le gradient de pression dans la direction du flux et μ est la viscosité dynamique du fluide.
Ainsi la perméabilité intrinsèque ou spécifique K est indépendante de la nature du fluide mais dépend de la géométrie du milieu, et elle s'exprime en m2. Dans le cas d'un flux en phase simple (single-phase flow), la perméabilité intrinsèque ou spécifique K est simplifiée en « perméabilité ».
La perméabilité est mesurée au moyen d'un perméamètre tel que décrit dans le brevet US 5 361 625 ou dans la demande de brevet EP 1 821 093 A2. Ces perméamètres sont des dispositifs de mesure de perméation de gaz à travers un matériau (M), ils comprennent une enceinte de perméation comprenant une première et une deuxième chambre séparée par un matériau (M). Le matériau M correspond au matériau dont on cherche à mesurer la perméabilité.
Généralement, un gaz ou mélange de gaz est introduit dans la première chambre puis collecté dans la deuxième chambre où ils sont analysés par un détecteur approprié. Le processus de perméation d'un gaz à travers un matériau repose sur les différences de pressions partielles de ce gaz, appelé aussi perméant, de part et d'autre du matériau M. La pression partielle de chacun des gaz ayant traversé l'échantillon augmente jusqu'à se stabiliser quand le matériau M est saturé en perméant.
A partir du flux de perméation ainsi calculé, on déduit la perméabilité du matériau au gaz considéré en considérant l'épaisseur de l'échantillon.
La couche barrière présente préférentiellement la propriété d'être très peu poreuse : elle présente une porosité ouverte allant de 0 à 5%, de préférence allant de 0 à 2%.
Cette porosité peut être mesurée par la méthode d'analyse d'image par MEB.
Dans le cas d'une porosité inférieure à 2%, le revêtement peut être qualifié de revêtement à porosité sensiblement fermée.
En outre, avantageusement, la surface spécifique de la couche barrière est comprise entre 5 cm2/g et 5 m2/g, en particulier entre 100 cm2/g et 1 m2/g.
Selon un mode préféré de l'invention, le revêtement comprend, en outre, en surface de la couche barrière, une couche anti-adhérente, généralement une couche antiadhérente classique.
Cette couche anti-adhérente peut être avantageusement obtenue en oxydant la surface externe de la couche barrière notamment par un recuit sous air à une température allant de 600°C à 900°C.
Ladite couche anti-adhérente est particulièrement avantageuse lorsque le substrat est destiné à la formation de lingots de silicium à partir de silicium fondu.
Contrairement à la couche barrière, la couche anti-adhérente est poreuse.
II relève des compétences de l'homme du métier d'ajuster la durée et la température de l'étape de recuit oxydant permettant d'obtenir une surface anti-adhérente appropriée. Procédé
Selon un autre de ses aspects, l'invention vise à proposer un procédé de préparation d'un substrat selon l'invention revêtu au moins partiellement en surface par un revêtement formant barrière aux gaz, ledit procédé comprenant au moins les étapes consistant à :
a) disposer d'un milieu fluide comprenant un ou plusieurs matériau(x) X choisi parmi SiC, Si, Si3N4 ;
b) appliquer ledit milieu fluide sur la surface du substrat en une quantité suffisante pour y former un dépôt,
c) traiter ledit dépôt sous atmosphère oxydante, à une température comprise entre 1000 °C et 1300 °C et dans des conditions suffisantes pour former une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, Si3N4, couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse total de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.
Plus particulièrement le substrat est un creuset revêtu au moins partiellement sur sa surface interne.
Plus particulièrement, le milieu fluide utilisé à l'étape a) comprend un ou plusieurs matériau(x) X en une quantité allant de 15 à 35 % en poids par rapport au poids total dudit fluide.
Avantageusement, le milieu fluide utilisé à l'étape a) comprend de la silice. Ainsi, la quantité de silice dans le milieu fluide peut aller de 0% à 15% en poids par rapport au poids total dudit fluide. Elle a de préférence une taille ou diamètre moyen inférieur à 2 microns.
La perméabilité de la couche barrière est avantageusement inférieure à 10"15 m2, elle peut être contrôlée par la morphologie des poudres initiales et les caractéristiques des traitements thermiques utilisés
Le ou les matériau(x) X présents dans le milieu fluide sont généralement des dérivés du silicium sous la forme de poudres. Les matériau(x) X possèdent généralement une taille d'ordre micronique. Généralement, les poudres de dérivés du silicium X sont de taille allant de 500 nm à 5 microns, de préférence de 0,8 microns à 2 microns.
Le milieu liquide utilisé à l'étape a), outre le ou les matériaux inorganiques X et éventuellement la silice, contient avantageusement une quantité efficace d'au moins un liant organique.
Un tel composé a généralement pour fonction de faciliter l'application du mélange liquide de revêtement en utilisant des équipements traditionnels.
Ainsi le liant organique considéré dans la cadre de la présente invention peut être choisi parmi l'alcool polyvinylique, le polyéthylèneglycol ou encore la carboxyméthylcellulose.
Par exemple le rapport du mélange « silice et matériau X » / liant(s) peut être d'au moins 3 : 1 et plus particulièrement 5: 1.
Le milieu fluide comprend en outre généralement de l'eau.
D'une manière générale, le milieu fluide dédié à former le revêtement conforme à l'invention associe de 0 à 20 % en poids d'au moins un liant par rapport au poids total du milieu fluide, de 10 à 50 % en poids d'un mélange de silice et de matériau(x) inorganique(s) X en poids par rapport au poids total du milieu liquide, le complément à 100 % en poids étant de l'eau.
Ce mélange peut bien entendu contenir d'autres additifs destinés soit à améliorer ces qualités au moment de la pulvérisation et/ou l'application, soit pour conférer au revêtement correspondant des propriétés annexes requises.
Il peut par exemple s'agir d'agents dispersants.
Le milieu liquide utilisé à l'étape a) est généralement une barbotine constituée d'un ou plusieurs matériau(x) inorganique(s) X, d'eau et éventuellement de silice et d'au moins un liant.
La barbotine est généralement préalablement tamisée par passage dans un broyeur afin de réduire les agglomérats de poudres. Le procédé selon l'invention comprend une étape b) d'application du milieu fluide sur la surface à traiter en une quantité suffisante pour former un dépôt. L'utilisation d'un milieu fluide permet de réaliser un dépôt présentant un très bon état de surface.
Par exemple, un tel pistolet, muni d'une buse de 0,4 mm, peut être utilisé à une pression d'air comprimé de 2,5 bars.
Cette application du mélange liquide de revêtement peut être également effectuée par d'autres modes d'application, tels que par exemple le pinceau, ou encore par trempage des pièces dans un bain.
Ces techniques d'application relèvent clairement des compétences de l'homme de l'art et ne sont pas décrites ici de manière détaillée.
L'application du mélange fluide destiné à former le revêtement peut être réalisé à température ambiante ou à une température supérieure. La surface à traiter peut être chauffée de manière à être propice à un séchage rapide de la couche de revêtement appliquée.
Dans ce mode de réalisation, au moins la surface à traiter, voire l'ensemble du matériau, peut être chauffée à une température variant de 25 à 80°C, notamment de 30 à
50 °C, conduisant ainsi à l'évaporation du solvant.
Le mélange liquide dédié à former le revêtement est appliqué en surface de la surface à traiter avec une épaisseur adaptée pour empêcher tout craquage durant le séchage, par exemple comprise entre 20 et 100 μιη.
Si nécessaire, il est possible de procéder à un ou plusieurs autre(s) dépôt(s) de mélange fluide sur le premier dépôt formé à l'issue de l'étape (b). Dans ce cas le(s) autres dépôts, postérieurs, auront lieu après application et séchage du premier dépôt.
Ainsi selon un mode particulier du procédé selon l'invention, l'étape b) est renouvelée plusieurs fois avant la mise en œuvre de l'étape c).
Selon un autre mode particulier, le procédé selon l'invention comprend entre l'étape b) de formation d'un dépôt et l'étape c) de traitement sous atmosphère oxydante, au moins une étape de séchage à une température inférieure à 50°C et de préférence allant de
20°C et 50°C.
Le procédé selon l'invention comprend en outre une étape c) de chauffage en atmosphère oxydante, à une température et dans un délai suffisants pour permettre la formation de la couche barrière attendue. Le traitement thermique de l'étape c) est réalisé en atmosphère oxydante, plus particulièrement en présence l'air.
Avantageusement, cette étape est réalisée en atmosphère oxydante à une température allant de 1100 °C à 1300 °C, et plus particulièrement de 1150 à 1200 °C.
Plus particulièrement cette étape est effectuée pendant une durée allant de 1 heure à 5 heures, de préférence allant de 2 heures à 3 heures.
Dans le cadre de la présente invention, ce traitement thermique est en effet réalisé à une température ajustée pour permettre l'obtention d'un frittage et notamment d'un frittage de l'oxyde de silicium, ce qui permet d'obtenir la perméabilité dans la gamme adéquate. A l'issue de ce traitement thermique, la pièce est laissée refroidir à température ambiante.
A l'issue de ce traitement, on obtient la couche barrière attendue qui se présente généralement comme une matrice de silice dans laquelle est incorporée la partie non oxydée des grains de X. Cette couche peut également être caractérisée par une fraction massique en oxygène, évaluée selon la technique IGA, allant de 25% à 40%.
Selon une autre variante, le procédé selon l'invention peut comprendre après le traitement sous atmosphère oxydante réalisé à l'étape c), une étape de traitement en présence d'un gaz neutre à une température comprise entre 1400°C et 1500°C.
Une telle étape a pour effet de réduire encore la porosité par fluage de la silice.
La présente invention a également pour objet les substrats possédant un revêtement obtenu par le procédé tel que décrit précédemment.
Dans le cas de creusets dédié à la fabrication de lingots, il est particulièrement avantageux de superposer une couche anti-adhérente sur la couche barrière.
Le substrat traité selon l'invention est avantageusement un creuset ou un moule.
Un des avantages de la présente invention est que le revêtement selon l'invention peut être utilisé sur tous types de substrats tels que creusets, moules ou encore plaquettes, feuillets, de toute nature et connus de l'homme du métier pour être compatible avec la fusion du silicium sans risques de d'interactions préjudiciables entre le substrat et son contenu notamment entre le creuset et le silicium liquide.
De manière préférée, le substrat est formé par un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC, le nitrure de silicium S13N4, les composites comprenant du graphite et du carbure de silicium ou comprenant du graphite et du nitrure de silicium et le graphite siliciuré.
Selon un autre de ses aspects, l'invention concerne aussi l'utilisation d'un creuset selon l'invention ou préparé selon le procédé de l'invention notamment pour la solidification de silicium.
L'invention va maintenant être décrite au moyen de l'exemple suivant donné bien entendu à titre illustratif et non limitatif de l'invention.
Exemple
Une barbotine, constituée à 23 % d'un mélange de poudre de S13N4, 4 % d'alcool polyvinylique PVA et 73 % d'eau en pourcentages massiques, est passée dans un broyeur planétaire rempli de billes en carbure de silicium ou en agate.
L'objectif des billes en carbure de silicium ou en agate n'étant que de réduire les agglomérats de poudre, des billes en nitrure de silicium sont également envisageables, le risque de pollution à l'azote étant très limité.
Le milieu fluide ainsi formé est ensuite pistoletté (pression d'air comprimé de 2,5 bars, buse de 0,4 mm placée à une trentaine de centimètres du substrat) sur la totalité de la surface interne d'un creuset à revêtir.
Le dépôt ainsi obtenu est séché à l'air chaud à une température inférieure à
50 °C.
On obtient ainsi une sous-couche d'une épaisseur de l'ordre de 50 μπι constituée de poudres liées par le PVA.
Cette couche est ensuite soumise à un palier de 3h à 1100 °C sous air pour déliantage et oxydation des poudres.
Une fois ce traitement d'oxydation réalisé, la fraction massique d'oxygène dans le revêtement est de 29% mesurée par la technique IGA (Interstitial Gas Analysis). Cette technique, bien connue de l'homme de l'art, permet d'établir que la fraction volumique de silice correspondante est de 64%, ce qui correspond à une teneur en silice de 56% en poids par rapport au poids total du revêtement. La quantité massique de Si3N4 par rapport à la masse totale du mélange de silice et Si3N4, est donc de 44%.
En figure 1 est présenté le revêtement obtenu à l'issue de l'exemple 1. Ce revêtement se présente comme une matrice de S1O2 dans laquelle sont incorporés des grains de Si3N4 non oxydés.

Claims

REVENDICATIONS
1. Substrat caractérisé en ce qu'il est revêtu au moins partiellement en surface, d'un revêtement contenant au moins une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, S13N4, couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.
2. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche barrière présente une porosité ouverte allant de 0 à 5%.
3. Substrat selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche barrière présente une perméabilité inférieure à 10"15 m2.
4. Substrat selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche barrière se présente sous la forme d'une matrice de silice dans laquelle sont incorporés des grains d'un ou plusieurs matériau(x) X.
5. Substrat selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche barrière comprend entre 50% et 75% de silice en poids par rapport à son poids total.
6. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche « barrière» est comprise entre 10 μιη et 100 μιη et préférentiellement entre 20 μιη et 50 μιη.
7. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la surface spécifique de la couche barrière est comprise entre 5 cm2/g et 5 m2/g, en particulier entre 100 cm2/g et 1 m2/g.
8. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement comprend, en outre, en surface de la couche barrière, une couche antiadhérente.
9. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'il est formé par un matériau choisi parmi le carbure de silicium SiC, le nitrure de silicium S13N4, les composites comprenant du graphite et du carbure de silicium ou comprenant du graphite et du nitrure de silicium et le graphite siliciuré.
10. Substrat selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il s'agit d'un creuset pour la solidification de silicium.
11. Procédé de préparation d'un substrat selon l'une des revendications précédentes, ledit substrat étant revêtu au moins partiellement en surface par un revêtement formant barrière aux gaz, caractérisé en ce que ledit procédé comprend au moins les étapes consistant à :
a) disposer d'un milieu fluide comprenant au moins un ou plusieurs matériau(x) X choisi parmi SiC, Si, Si3N4,
b) appliquer ledit milieu fluide sur la surface du substrat, en une quantité suffisante pour y former un dépôt,
c) traiter ledit dépôt sous atmosphère oxydante, à une température comprise entre 1000 °C et 1300 °C et dans des conditions suffisantes pour former une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, Si3N4, couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.
12. Procédé selon la revendication 1 1 dans lequel le milieu fluide comprend en outre de la silice.
13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce qu'il comprend, entre l'étape b) de formation d'un dépôt et l'étape c) de traitement sous atmosphère oxydante, au moins une étape de séchage à une température inférieure à 50°C et de préférence allant de 20°C et 50°C.
14. Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, dans lequel l'étape de traitement sous atmosphère oxydante est effectuée à une température allant de 1100°C à
1300°C et de préférence entre 1150°C et 1200°C.
15. Procédé selon l'une des revendications 11 à 14, dans lequel l'étape c) de traitement sous atmosphère oxydante est effectuée pendant une durée allant de 1 heure à 5 heures, de préférence allant de 2 heures à 3 heures.
16. Procédé selon l'une des revendications 11 à 15 comprenant, après le traitement sous atmosphère oxydante, une étape de traitement en présence d'un gaz neutre à une température comprise entre 1400°C et 1500°C.
17. Procédé selon la revendication 11 dans lequel l'étape b) est renouvelée plusieurs fois avant la mise en œuvre de l'étape c).
18. Procédé selon l'une des revendications 1 1 à 17 dans lequel le milieu fluide utilisé à l'étape a) comprend un ou plusieurs matériau(x) X en une quantité allant de 15 à 35 % en poids par rapport au poids total dudit fluide.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3065464B1 (fr) * 2017-04-21 2019-06-28 Total Marketing Services Bitume solide a temperature ambiante
DE102018206982A1 (de) * 2018-05-04 2019-11-07 Alzchem Trostberg Gmbh Tiegel zur Herstellung von multikristallinem Silicium mittels gerichteter Erstarrung, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung, sowie Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silicium mittels gerichteter Erstarrung
FR3126999A1 (fr) 2021-09-10 2023-03-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’un lingot de silicium à partir de germes oxydés en surface

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014004496A1 (fr) * 2012-06-25 2014-01-03 Silicor Materials Inc. Revêtement de surfaces d'un creuset réfractaire pour la purification de silicium et procédé de purification de la masse fondue de silicium au moyen de ce ou de ces creusets en vue d'une fusion et d'une solidification directionnelle ultérieure

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02167067A (ja) * 1988-12-21 1990-06-27 Kirin Brewery Co Ltd シート状培地
US5361625A (en) 1993-04-29 1994-11-08 Ylvisaker Jon A Method and device for the measurement of barrier properties of films against gases
CN1946881B (zh) * 2004-04-29 2010-06-09 维苏维尤斯·克鲁斯布公司 用于硅结晶的坩埚
EP1821093B1 (fr) 2006-02-15 2018-04-04 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Procédé et dispositif de mesure de perméation
FR2935618B1 (fr) * 2008-09-05 2011-04-01 Commissariat Energie Atomique Procede pour former un revetement anti-adherent a base de carbure de silicium
CN101844935A (zh) * 2010-05-31 2010-09-29 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种多晶硅或单晶硅用坩埚涂层及其制备方法
WO2012092369A2 (fr) * 2010-12-30 2012-07-05 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Corps de creuset et procédé de formation de celui-ci

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014004496A1 (fr) * 2012-06-25 2014-01-03 Silicor Materials Inc. Revêtement de surfaces d'un creuset réfractaire pour la purification de silicium et procédé de purification de la masse fondue de silicium au moyen de ce ou de ces creusets en vue d'une fusion et d'une solidification directionnelle ultérieure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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