EP2932597A1 - Schaltnetzteil mit einer kaskodenschaltung - Google Patents

Schaltnetzteil mit einer kaskodenschaltung

Info

Publication number
EP2932597A1
EP2932597A1 EP13792904.8A EP13792904A EP2932597A1 EP 2932597 A1 EP2932597 A1 EP 2932597A1 EP 13792904 A EP13792904 A EP 13792904A EP 2932597 A1 EP2932597 A1 EP 2932597A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
power supply
bipolar transistor
switching power
switching
transformer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP13792904.8A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hartmut Henkel
Michael Heinemann
Guido Remmert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Phoenix Contact Power Supplies GmbH
Phoenix Contact GmbH and Co KG
Original Assignee
Phoenix Contact GmbH and Co KG
Aptronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Phoenix Contact GmbH and Co KG, Aptronic AG filed Critical Phoenix Contact GmbH and Co KG
Publication of EP2932597A1 publication Critical patent/EP2932597A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0424—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit by the use of a transformer
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
    • H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
    • H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/107—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
    • H02M1/0054—Transistor switching losses
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K2017/6875—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using self-conductive, depletion FETs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Definitions

  • Switching power supplies have a switching element with which a rectified as well
  • the object is achieved by a switching power supply with a
  • the switching element is a bipolar transistor and a
  • the field effect transistor is a self-conducting field effect transistor. Also, the technical advantage is achieved that an available in large quantities and high quality electronic component can be used.
  • a switched-mode power supply transformer is provided for latching, which has a center tap, which is electrically conductive with the
  • the transformer has a winding which is electrically conductively connected to the switching element, wherein the center tap of the winding
  • the switched-mode power supply has a transformer which has an input which is electrically conductively connected to an output of the switching element.
  • the switched-mode power supply has an output rectifier which has an input which is electrically conductive with an output of the transformer connected is.
  • the object is achieved by the use of a
  • Bipolar transistor namely, to have high reverse voltages can be combined. This minimizes the switching losses.
  • the object is achieved by a method for driving a cascode circuit. This achieves the technical advantage that the advantages of a field-effect transistor, namely to switch quickly, and the advantages of a
  • Bipolar transistor namely, to have high reverse voltages can be combined. This minimizes the switching losses.
  • Fig. 1 is a perspective view of an electrical assembly
  • FIG. 2 is a perspective view of a carrier with a power supply component
  • Fig. 3 is a schematic representation of a switched mode power supply
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a cascode of the switched mode power supply of FIG. 3;
  • FIG. 1 shows a switched-mode power supply as an exemplary embodiment of an electrical subassembly 100.
  • the electrical subassembly 100 has a housing 102 which is in the present embodiment
  • Embodiment on its back 104 has a latching device 106, with which it is locked on a DIN rail 108.
  • FIG. 2 shows an exemplary embodiment of a power supply component 200 of the electrical assembly 100.
  • the power supply component 200 is designed as a switched-mode power supply 202 in the present exemplary embodiment.
  • the power supply component 200 includes in the present embodiment, a plurality of electrical components 204, which are arranged in the present embodiment on a support 206 and connected accordingly.
  • the switched-mode power supply 202 has a mains connection 330 for connection to a
  • Mains voltage e.g. 230 volts, 50 Hz, and an output terminal 332, to which an electrical load (not shown) can be connected.
  • the switching power supply 202 has in the present embodiment a
  • Input rectifier 300 which rectifies and smooths the mains voltage.
  • the input rectifier 300 in the present embodiment a line filter 302, a diode 304 or a bridge rectifier and a smoothing capacitor 306, such as a Elko on.
  • the rectified and smoothed electrical voltage is then chopped.
  • the switching power supply 202 in the present embodiment a switching element 308, which has an input 334 which is electrically connected to an output 336 of the input rectifier 300.
  • the chopped electrical voltage is then transformed by a transformer 312.
  • the transformer 312 in the present embodiment has an input 338, which is electrically conductively connected to an output 340 of the switching element 308.
  • the transformer 312 has a ferrite core Transformer 314 on.
  • the transformed electrical voltage is rectified and smoothed by an output rectifier 316 again.
  • the output rectifier 316 has an input 342, which is electrically connected to an output 310 of the transformer 312.
  • the output rectifier 316 has a diode 318 or a bridge rectifier and a second smoothing capacitor 320, such as, for example, FIG. an Elko, up.
  • the switched-mode power supply 202 has a regulator 322 in the present exemplary embodiment.
  • the controller 322 ensures in the present embodiment by means of pulse width modulation or pulse phase control that, apart from losses in the switching power supply 202 itself, only as much energy flows into the switching power supply 202 as is passed on to an electrical consumer.
  • the switching power supply 202 has a controller 328 which controls the switching element 308 to bring the switching element 308 from a conductive state into a blocking state and vice versa.
  • the switching element 308 is in the primary circuit of the ferrite core transformer 314, so that it is in the switching power supply 202 in
  • the switching element 308 may be disposed in the secondary circuit of the ferrite core transformer 314, so that it is a secondary clocked switching power supply.
  • FIG. 4 shows the switching element 308, which has a cascode 400 in the present exemplary embodiment.
  • the cascode 400 has in the present embodiment, a bipolar transistor 402 and a field effect transistor 404, which are connected in series.
  • the bipolar transistor 402 has a collector terminal 406, a base terminal 408 and an emitter terminal 410.
  • the field effect transistor 404 has a drain terminal 412, a gate terminal 414 and a source terminal 416.
  • the bipolar transistor 402 is an npn transistor.
  • the bipolar transistor 402 has an electrical blocking voltage of 400 to 1000 VDC.
  • the field effect transistor 404 is in the present embodiment, an n-type field effect transistor, such as a MOSFET.
  • the field effect transistor 404 has an electrical blocking voltage of 10 to 30 VDC. For putting in the field effect transistor 404 in the present embodiment of the self-conductive type.
  • the emitter terminal 410 of the bipolar transistor 402 and the drain terminal 412 of the field-effect transistor 404 are directly electrically conductively connected to one another in the present exemplary embodiment.
  • collector terminal 406 is electrically connected to the output 336 of the first rectifier 300, and the source terminal 416 is electrically connected to an input 342 of the ferrite core transformer 314 of the transformer 312.
  • the bipolar transistor 402 is driven by the controller 328 to be in a conductive state.
  • the cascode 400 is self-conducting, since the
  • Field effect transistor 404 is of the normally-on type. In order to bring the cascode 400 into a blocking state, the controller 328 controls the field effect transistor 404 so that the electrical drain voltage and thus the emitter voltage of the
  • Bipolar transistor 402 rises to a value which is above the voltage applied to the base terminal 408 electrical voltage (to ground). As a result, the base of the bipolar transistor 402 is cleared of charge carriers, so that the
  • Bipolar transistor 402 changes to the blocking state and the high reverse voltage takes over.
  • 5 shows a further exemplary embodiment of a cascode 400.
  • the cascode 400 shown in FIG. 5 has the same structure as the cascode 400 illustrated in FIG. 4, except that the emitter terminal 410 of the bipolar transistor 402 is electrically conductively connected to an input 500 of a winding 502 of an auxiliary transformer 504. Furthermore, the drain terminal 412 is electrically conductively connected to an output 506 of the winding 502 of the auxiliary transformer 504. Of the
  • Auxiliary transformer 504 has in the present embodiment, a second winding 508, which is magnetically coupled to the first winding 502.
  • the second winding 508 is electrically conductively connected to a transducer unit 510, which converts the voltage induced in the second coil 508 electrical voltage and optionally smoothes.
  • the converter unit 510 has an output 512, which is electrically conductively connected to the base terminal 408 of the bipolar transistor 402.
  • Transducer unit 510 is converted and the base terminal 408 of the bipolar transistor 402 is supplied, which causes as a drive signal that the bipolar transistor 402 remains in the conductive state.
  • the cascode 400 is operated in a self-holding.
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment of the switched-mode power supply 202.
  • the switched-mode power supply 202 illustrated in FIG. 5 has the same construction as the switched-mode power supply 202 illustrated in FIG. 3, except that the transformer 312 has a switched mode power transformer 600 with a first winding 602 and with a second winding 604, wherein present embodiment, the first winding 602 has an additional center labgriff 606, which is electrically connected to the converter unit 510, whose output 512 is in turn connected electrically conductively. Consequently In contrast to the previous embodiment shown in FIG. 5, this exemplary embodiment does not have an auxiliary transformer 504.
  • the cascode 400 In operation, when the cascode 400 is in the conducting state, an electrical current flows through the first winding 602 of the transformer, such that an electrical voltage is induced in the second winding 604 of the switched mode power transformer 600, which is converted by the converter unit 510 and the Base terminal 408 of the bipolar transistor 402 is supplied, which causes as a drive signal that the bipolar transistor 402 remains in the conductive state.
  • the cascode 400 is also operated here in a latching. Otherwise, the operation of this embodiment corresponds to the embodiment shown in Fig. 4.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schaltnetzteil (202), mit einem Schaltelement (308), wobei das Schaltelement (308) einen NPN-Bipolartransistor (402) und einen selbstleitenden Feldeffekttransistor (404) aufweist, wobei der Bipolartransistor (402) und der Feldeffekttransistor(404) zu einer Kaskode (400) verschaltet sind, wobei ein Anschluss des Bipolartransistors (402) mit einer Wicklung (502) eines Transformators (504) elektrisch leitend verbunden ist, und wobei eine weitere Wicklung (508) des Transformators (504) elektrisch leitend mit einem Basisanschluss (408) des Bipolartransistors (402) verbunden ist.

Description

Schaltnetzteil mit einer Kaskodenschaltung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schaltnetzteil.
Schaltnetzteile weisen ein Schaltelement auf, mit dem eine gleichgerichtete sowie
gegebenenfalls geglättete elektrische Spannung zerhackt wird, bevor diese zerhackte elektrische Spannung transformiert und wieder gleichgerichtet sowie gegebenenfalls zusätzlich geglättet wird.
Als Schaltelemente für elektrische Spannungen im Bereich von 100 - 1000 VDC werden als Hochspannungsschalter einzelne Schalter oder mehrere parallelgeschaltet Schalter verwendet. Dabei kommen alle Arten von MOSFETS, IGBTs und Bipolartransistoren zum Einsatz. Die heutigen Hochvoltmosfets weisen jedoch bei einem Betrieb mit
Schaltfrequenzen im Bereich von 20 kHz bis 200 kHz mit zunehmender Frequenz stark zunehmende Schalt- und Leitungsverluste auf.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Schaltnetzteil mit geringeren Schaltverlusten bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand mit den Merkmalen nach dem unabhängigen Anspruch gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen
Ansprüche, der Beschreibung und der Zeichnungen.
Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass durch eine Kombination unterschiedlicher Transistortypen die Schaltverluste minimiert werden können, ohne die Leitendverluste nennenswert zu erhöhen.
Gemäß einem ersten Aspekt wird die Aufgabe durch ein Schaltnetzteil mit einem
Schaltelement gelöst, wobei das Schaltelement einen Bipolartransistor und einen
Feldeffekttransistor aufweist, wobei der Bipolartransistor und der Feldeffekttransistor zu einer Kaskode verschaltet sind. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass die Vorteile eines Feldeffekttransistors, nämlich schnell zu schalten, und die Vorteile eines
Bipolartransistors, nämlich hohe Sperrspannungen aufzuweisen, kombiniert werden. So werden die Schaltverluste minimiert. In einer vorteilhaften Ausführungsform ist der Bipolartransistor ein npn-Transistor. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass ein in großen Stückzahlen und hoher Qualität verfügbares elektronisches Bauteil verwendet werden kann.
In einer vorteilhaften Ausführungsform ist der Feldeffekttransistor ein selbstleitender Feldeffekttransistor. Auch dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass ein in großen Stückzahlen und hoher Qualität verfügbares elektronisches Bauteil verwendet werden kann.
In einer vorteilhaften Ausführungsform ist ein Emitteranschluss des Bipolartransistors elektrisch leitend mit einem Drainanschluss des Feldeffekttransistors verbunden . Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass der Feldeffekttransistor und der Bipolartransistor in Reihe geschaltet sind. So wird eine Kaskode mit nur geringfügig erhöhtem elektrischen Innenwiderstand bereitgestellt, da der elektrische Innenwiderstand des Feldeffekttransistors (Rdson) sehr gering ist. Er beträgt z.B. weniger als 1 mQ. In einer vorteilhaften Ausführungsform befindet sich die Kaskode im leitenden Zustand in Selbsthaltung. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass, um ein Wechseln der Kaskode vom sperrenden Zustand in den leitenden Zustand zu bewirken, lediglich ein kurzzeitiges, von einer Steuerung bereitzustellendes Wechselsignal nötig ist. In einer vorteilhaften Ausführungsform ist zur Selbsthaltung ein Emitteranschluss des
Bipolartransistors mit einer Wicklung eines Hilfstransformator elektrisch leitend verbunden, und wobei eine weitere Wicklung des Hilfstransformators ist elektrisch leitend mit einem Basisanschluss des Bipolartransistors verbunden. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass mit dem Hilfstransformator eine elektrische Spannung zur Ansteuerung des Bipolartransistors gewonnen werden kann. Daher ist keine separate Energiequelle nötig, die eine derartige elektrische Spannung bereitstellt.
In einer vorteilhaften Ausführungsform ist zwischen der weiteren Wicklung und dem
Basisanschluss eine Wandlereinheit elektrisch leitend eingeschleift. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass eine an den Bipolartransistor angepasste und
gegebenenfalls geglättete und/oder gepufferte elektrische Spannung bereitgestellt wird. So wird ein besonders zuverlässiger Betrieb des Schaltnetzteils möglich. In einer vorteilhaften Ausführungsform ist zur Selbsthaltung ein Schaltnetzteiltransformator vorgesehen, welcher einen Mittelabgriff aufweist, der elektrisch leitend mit der
Wandlereinheit verbunden ist. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass lediglich ein modifizierter Übertrager, aber kein zusätzlicher Transformtor, nötig ist. So wird der Aufbau weiter vereinfacht.
In einer vorteilhaften Ausführungsform weist der Übertrager eine Wicklung auf, die elektrisch leitend mit dem Schaltelement verbunden ist, wobei der Mittelabgriff der Wicklung
zugeordnet ist. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass ein besonders einfach modifizierter Übertrager verwendet werden kann. So wird der Aufbau nochmals vereinfacht.
In einer vorteilhaften Ausführungsform ist das Schaltnetzteil primärgetaktet. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass das Schaltnetzteil mit hohen Frequenzen betrieben werden kann und kompakte Abmessungen aufweist. In einer vorteilhaften Ausführungsform weist das Schaltnetzteil einen Eingangsgleichrichter auf, der einen Netzanschluss zum elektrisch leitenden Verbinden mit einem Netz aufweist. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass das Schaltnetzteil problemlos mit einem Netz zur Versorgung mit elektrischer Energie verbunden werden kann, das elektrische Wechselspannung liefert.
In einer vorteilhaften Ausführungsform weist das Schaltelement einen Eingang auf, der elektrisch leitend mit einem Ausgang des Eingangsgleichrichters verbunden ist. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass die vom Eingangsgleichrichter gleichgerichtete elektrische Spannung von dem Schaltelement zerhackt werden kann, sodass eine zerhackte elektrische Spannung bereitgestellt wird.
In einer vorteilhaften Ausführungsform weist das Schaltnetzteil einen Übertrager auf, der einen Eingang aufweist, der elektrisch leitend mit einem Ausgang des Schaltelements verbunden ist. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass die zerhackte elektrische Spannung auf ein anderes Spannungsniveau gehoben oder abgesenkt werden kann.
In einer vorteilhaften Ausführungsform weist das Schaltnetzteil einen Ausgangsgleichrichter auf, der einen Eingang aufweist, der elektrisch leitend mit einem Ausgang des Übertragers verbunden ist. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass mit dem Schaltnetzteil eine gleichgerichtete elektrische Spannung bereitgestellt werden kann.
Gemäß einem zweiten Aspekt wird die Aufgabe durch eine elektrische Baugruppe, aufweisend ein derartiges Schaltnetzteil, gelöst. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass die Vorteile eines Feldeffekttransistors, nämlich schnell zu schalten, und die Vorteile eines Bipolartransistors, nämlich hohe Sperrspannungen aufzuweisen, kombiniert werden. So werden die Schaltverluste minimiert.
Gemäß einem dritten Aspekt wird die Aufgabe durch die Verwendung einer
Kaskodenschaltung gelöst. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass die Vorteile eines Feldeffekttransistors, nämlich schnell zu schalten, und die Vorteile eines
Bipolartransistors, nämlich hohe Sperrspannungen aufzuweisen, kombiniert werden. So werden die Schaltverluste minimiert. Gemäß einem vierten Aspekt wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Ansteuerung einer Kaskodenschaltung gelöst. Dadurch wird der technische Vorteil erreicht, dass die Vorteile eines Feldeffekttransistors, nämlich schnell zu schalten, und die Vorteile eines
Bipolartransistors, nämlich hohe Sperrspannungen aufzuweisen, kombiniert werden. So werden die Schaltverluste minimiert.
Weitere Ausführungsbeispiele werden Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer elektrischen Baugruppe;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines Trägers mit einer Stromversorgungskomponente ;
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Schaltnetzteils;
Fig. 4 ein Schaltbild einer Kaskode des Schaltnetzteils der Fig. 3;
Fig. 5 ein weiteres Schaltbild einer Kaskode; und
. 6 eine weitere schematische Darstellung eines Schaltnetzteils. Fig. 1 zeigt ein Schaltnetzteil als Ausführungsbeispiel für eine elektrische Baugruppe 100. Die elektrische Baugruppe 100 weist ein Gehäuse 102 auf, das im vorliegenden
Ausführungsbeispiel an seiner Rückseite 104 eine Rasteinrichtung 106 aufweist, mit der es auf einer Hutschiene 108 verrastet ist.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Stromversorgungskomponente 200 der elektrischen Baugruppe 100. Die Stromversorgungskomponente 200 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel als Schaltnetzteil 202 ausgebildet. Die Stromversorgungskomponente 200 umfasst im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine Mehrzahl von elektrischen Bauteilen 204, die im vorliegenden Ausführungsbeispiel auf einem Träger 206 angeordnet und entsprechend verschaltet sind.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines schematischen Aufbaus des Schaltnetzteils 202. Das Schaltnetzteil 202 weist einen Netzanschluss 330 zum Anschluss an eine
Netzspannung, z.B. 230 Volt, 50 Hz, sowie einen Ausgangsanschluss 332 auf, an dem ein elektrischer Verbraucher (nicht dargestellt) angeschlossen werden kann.
Das Schaltnetzteil 202 weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel einen
Eingangsgleichrichter 300 auf, der die Netzspannung gleichrichtet und glättet. Hierzu weist der Eingangsgleichrichter 300 im vorliegenden Ausführungsbeispiel einen Netzfilter 302, eine Diode 304 oder einen Brückengleichrichter und einen Glättungskondensator 306, wie z.B. ein Elko, auf. Die gleichgerichtete und geglättete elektrische Spannung wird dann zerhackt. Hierzu weist das Schaltnetzteil 202 im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Schaltelement 308 auf , das einen Eingang 334 aufweist, der mit einem Ausgang 336 des Eingangsgleichrichters 300 elektrisch leitend verbunden ist. Die zerhackte elektrische Spannung wird dann durch einen Übertrager 312 transformiert. Hierzu weist der Übertrager 312 im vorliegenden Ausführungsbeispiel einen Eingang 338 auf, der elektrisch leitend mit einem Ausgang 340 des Schaltelements 308 verbunden ist. Ferner weist der Übertrager 312 im vorliegenden Ausführungsbeispiel einen Ferritkern- Transformator 314 auf. Hierdurch wird zusätzlich eine galvanische Trennung von Ausgangsund Eingangsseite des Schaltnetzteils 202 erreicht.
Die transformierte elektrische Spannung wird durch einen Ausgangsgleichrichter 316 wieder gleichgerichtet und geglättet. Der Ausgangsgleichrichter 316 weist einen Eingang 342 auf, der elektrisch leitend mit einem Ausgang 310 des Übertragers 312 verbunden ist. Hierzu weist der Ausgangsgleichrichter 316 im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine Diode 318 oder einen Brückengleichrichter und einen zweiten Glättungskondensator 320, wie z.B. ein Elko, auf. Ferner weist das Schaltnetzteil 202 im vorliegenden Ausführungsbeispiel einen Regler 322 auf. Der Regler 322 stellt im vorliegenden Ausführungsbeispiel mittels Pulsweitenmodulation oder Pulsphasensteuerung sicher, dass abgesehen von Verlusten im Schaltnetzteil 202 selbst, nur so viel Energie in das Schaltnetzgerät 202 hineinfließt wie an einen elektrischen Verbraucher weitergegeben wird.
Der Regler 322 ist in einer Regelschleife 324 angeordnet. Die Regelschleife 324 verbindet im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Ausgangs- und die Eingangsseite des Schaltnetzteils 202. Um auch die Regelschleife 324 galvanisch vom Netz zu trennen, ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Optokoppler 326 vorgesehen.
Schließlich weist das Schaltnetzteil 202 eine Steuerung 328 auf, die das Schaltelement 308 ansteuert, um das Schaltelement 308 vom einem leitenden Zustand in einen sperrenden Zustand zu bringen und umgekehrt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel befindet sich das Schaltelement 308 im Primärkreis des Ferritkern-Transformators 314, so dass es sich bei dem Schaltnetzteil 202 im
vorliegenden Ausführungsbeispiel um ein primärgetaktetes Schaltnetzteil handelt. Alternativ kann das Schaltelement 308 im Sekundärkreis des Ferritkern-Transformators 314 angeordnet sein, so dass es sich um ein sekundär getaktetes Schaltnetzteil handelt.
Fig. 4 zeigt das Schaltelement 308, das im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine Kaskode 400 aufweist. Die Kaskode 400 weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel einen Bipolartransistor 402 und einen Feldeffekttransistor 404 auf, die in Reihe geschaltet sind. Der Bipolartransistor 402 weist einen Kollektoranschluss 406, einen Basisanschluss 408 und einen Emitteranschluss 410 auf. Der Feldeffekttransistor 404 weist einen Drainanschluss 412, einen Gateanschluss 414 und einen Sourceanschluss 416 auf. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Bipolartransistor 402 ein npn-Transistor. Ferner weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel der Bipolartransistor 402 eine elektrische Sperrspannung von 400 bis 1000 VDC auf. Der Feldeffekttransistor 404 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein n-Typ- Feldeffekttransistor, z.B. ein MOSFET. Der Feldeffekttransistor 404 weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine elektrische Sperrspannung 10 bis 30 VDC auf. Au ßerdem ist der Feldeffekttransistor 404 im vorliegenden Ausführungsbeispiel vom selbstleitenden Typ.
Um den Bipolartransistor 402 und den Feldeffekttransistor 404 in Reihe zu verschalten, sind der Emitteranschluss 410 des Bipolartransistors 402 und der Drainanschluss 412 des Feldeffekttransistor 404 im vorliegenden Ausführungsbeispiel direkt elektrisch leitend miteinander verbunden.
Ferner ist der Kollektoranschluss 406 mit dem Ausgang 336 des ersten Gleichrichters 300 elektrisch leitend verbunden und der Sourceanschluss 416 ist elektrisch leitend mit einem Eingang 342 des Ferritkern-Transformators 314 des Übertragers 312 verbunden.
Au ßerdem sind im vorliegenden Ausführungsbeispiel der Basisanschluss 408 des
Bipolartransistors 402 und der Gateanschluss 414 des Feldeffekttransistors 404 elektrisch leitend mit der Steuerung 328 verbunden. Im Betrieb wird der Bipolartransistor 402 so von der Steuerung 328 angesteuert, dass er in einem leitenden Zustand ist. Somit ist die Kaskode 400 selbst leitend, da der
Feldeffekttransistor 404 vom selbstleitenden Typ ist. Um die Kaskode 400 in einen sperrenden Zustand zu bringen steuert die Steuerung 328 den Feldeffekttransistor 404 so an, dass die elektrische Drainspannung und somit die Emitterspannung des
Bipolartransistors 402 auf einen Wert steigt, der über der an dem Basisanschluss 408 anliegenden elektrischen Spannung (gegenüber Masse) liegt. Als Folge hiervon wird die Basis des Bipolartransistors 402 von Ladungsträgern ausgeräumt, so dass der
Bipolartransistor 402 in den sperrenden Zustand wechselt und die hohe Sperrspannung übernimmt. Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Kaskode 400.
Die in Fig. 5 dargestellte Kaskode 400 weist den gleichen Aufbau wie die in Fig. 4 dargestellte Kaskode 400 auf, bis auf den Unterschied, dass der Emitteranschluss 410 des Bipolartransistors 402 mit einem Eingang 500 einer Wicklung 502 eines Hilfstransformator 504 elektrisch leitend verbunden ist. Ferner ist der Drainanschluss 412 elektrisch leitend mit einen Ausgang 506 der Wicklung 502 des Hilfstransformators 504 verbunden. Der
Hilfstransformator 504 weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine zweite Wicklung 508 auf, die magnetisch mit der ersten Wicklung 502 gekoppelt ist. Die zweite Wicklung 508 ist elektrisch leitend mit einer Wandlereinheit 510 verbunden, die die in der zweiten Spule 508 induzierte elektrisch Spannung wandelt und gegebenenfalls glättet. Die Wandlereinheit 510 weist einen Ausgang 512 auf, der elektrisch leitend mit dem Basisanschluss 408 des Bipolartransistors 402 verbunden ist. Im Betrieb, wenn sich die Kaskode 400 im leitenden Zustand befindet, fließt ein elektrischer Strom durch die erste Wicklung 502 des Transformators, so dass in die zweite Wicklung 508 des Transformators 504 eine elektrische Spannung induziert wird, die von der
Wandlereinheit 510 gewandelt wird und dem Basisanschluss 408 des Bipolartransistors 402 zugeführt wird, die als Ansteuersignal bewirkt, dass der Bipolartransistor 402 im leitenden Zustand bleibt. Somit wird die Kaskode 400 in einer Selbsthaltung betrieben. Um die
Kaskode 400 aus dem sperrenden Zustand in den leitenden Zustand zu überführen ist also lediglich ein kurzzeitiges, von der Steuerung 328 bereitzustellendes Wechselsignal nötig, da die Kaskode 400 aufgrund der Selbsthaltung im leitenden Zustand bleibt. Ansonsten entspricht die Funktionsweise dieses Ausführungsbeispiels dem in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiels.
Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Schaltnetzteils 202.
Das in Fig. 5 dargestellte Schaltnetzteil 202 weist den gleichen Aufbau wie das in Fig. 3 dargestellte Schaltnetzteil 202 auf, bis auf den Unterschied, dass der Übertrager 312 einen Schaltnetzteiltransformator 600 mit einer ersten Wicklung 602 und mit einer zweiten Wicklung 604 aufweist, wobei im vorliegenden Ausführungsbeispiel die erste Wicklung 602 einen zusätzlichen Mitte labgriff 606 aufweist, der elektrisch leitend mit der Wandlereinheit 510 verbunden ist, deren Ausgang 512 wiederum elektrisch leitend verbunden ist. Somit weist dieses Ausführungsbeispiel im Unterschied zu dem vorherigen, in Fig. 5 gezeigten Ausführungsbeispiel keinen Hilfstransformator 504 auf.
Im Betrieb, wenn sich die Kaskode 400 im leitenden Zustand befindet, fließt ein elektrischer Strom durch die erste Wicklung 602 des Transformators, so dass in die zweite Wicklung 604 des Schaltnetzteiltransformators 600 eine elektrische Spannung induziert wird, die von der Wandlereinheit 510 gewandelt wird und dem Basisanschluss 408 des Bipolartransistors 402 zugeführt wird, die als Ansteuersignal bewirkt, dass der Bipolartransistor 402 im leitenden Zustand bleibt. Somit wird die Kaskode 400 auch hier in einer Selbsthaltung betrieben. Ansonsten entspricht die Funktionsweise dieses Ausführungsbeispiels dem in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel.
BEZUGSZEICHENLISTE
100 elektrische Baugruppe
102 Gehäuse
104 Rückseite
106 Rasteinrichtung
108 Hutschiene
200 Stromversorgungskomponente
202 Schaltnetzteil
204 elektrisches Bauteil
206 mehrschichtiger Träger
300 Eingangsgleichrichter
302 Netzfilter
304 Diode
306 Glättungskondensator
308 Schaltelement
310 Ausgang
312 Übertrager
314 Ferritkern-Transformator
316 Ausgangsgleichrichter
318 Diode
320 Glättungskondensator
322 Regler
324 Regelschleife
326 Optokoppler
328 Steuerung
330 Netzanschluss
332 Ausgangsanschluss
334 Eingang
336 Ausgang
338 Eingang
340 Ausgang
342 Eingang 400 Kaskode
402 Bipolartransistor
404 Feldeffekttransistor
406 Kollektoranschluss 408 Basisanschluss
410 Emitteranschluss
412 Drainanschluss
414 Gateanschluss
416 Sourceanschluss
500 Eingang
502 Wicklung
504 Hilfstransformator
506 Ausgang
508 Wicklung
510 Wandlereinheit
512 Ausgang
600 Schaltnetzteiltransformator 602 Wicklung
604 Wicklung
606 Mittelabgriff

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1 . Schaltnetzteil (202), mit:
- einem Schaltelement (308), wobei
- das Schaltelement (308) einen Bipolartransistor (402) und einen
Feldeffekttransistor (404) aufweist, wobei der Bipolartransistor (402) und der Feldeffekttransistor(404) zu einer Kaskode (400) verschaltet sind.
2. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 1 , wobei der Bipolartransistor (402) ein npn- Transistor ist.
3. Schaltnetzteil (202) Anspruch 1 oder 2, wobei der Feldeffekttransistor (404) ein selbstleitender Feldeffekttransistor ist.
4. Schaltnetzteil (202) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei ein
Emitteranschluss (410) des Bipolartransistors (402) elektrisch leitend mit einem
Drainanschluss (412) des Feldeffekttransistors (404) verbunden ist.
5. Schaltnetzteil (202) nach einem der vorstehenden Ansprüche , wobei die Kaskode (400) sich im leitenden Zustand in Selbsthaltung befindet.
6. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 5, wobei zur Selbsthaltung ein Emitteranschluss (410) des Bipolartransistors (402) mit einer Wicklung (502) eines Hilfstransformator (504) elektrisch leitend verbunden ist, und wobei eine weitere Wicklung (508) des
Hilfstransformators (504) elektrisch leitend mit einem Basisanschluss (408) des
Bipolartransistors (402) verbunden ist.
7. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 6, wobei zwischen der weiteren Wicklung (508) und dem Basisanschluss (408) eine Wandlereinheit (510) elektrisch leitend eingeschleift ist.
8. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 5, wobei zur Selbsthaltung ein
Schaltnetzteiltransformator (600) vorgesehen ist, welcher einen Mittelabgriff (606) aufweist, der elektrisch leitend mit der Wandlereinheit (510) verbunden ist.
9. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 8, wobei der Schaltnetztransformator (600) eine Wicklung (602) aufweist, die elektrisch leitend mit dem Schaltelement (308) verbunden ist, wobei der Mittelabgriff (606) der Wicklung (602) zugeordnet ist.
10. Schaltnetzteil (202) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das
Schaltnetzteil (202) primärgetaktet ist.
1 1 . Schaltnetzteil (202) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das
Schaltnetzteil (202) einen Eingangsgleichrichter (300) aufweist, der einen Netzanschluss (330) zum elektrisch leitenden Verbinden mit einem Netz aufweist.
12. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 1 1 , wobei das Schaltelement (308) einen Eingang (334) aufweist, der elektrisch leitend mit einem Ausgang (336) des Eingangsgleichrichters (300) verbunden ist.
13. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 12, wobei das Schaltnetzteil einen Übertrager (312) aufweist, der einen Eingang (338) aufweist, der elektrisch leitend mit einem Ausgang (340) des Schaltelements (308) verbunden ist.
14. Schaltnetzteil (202) nach Anspruch 13, wobei das Schaltnetzteil einen
Ausgangsgleichrichter (316) aufweist, der einen Eingang (342) aufweist, der elektrisch leitend mit einem Ausgang (310) des Übertragers (312) verbunden ist.
15. Elektrische Baugruppe (100), aufweisend das Schaltnetzteil (202) nach einem der vorstehenden Ansprüche.
EP13792904.8A 2012-12-17 2013-11-18 Schaltnetzteil mit einer kaskodenschaltung Withdrawn EP2932597A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012112391.8A DE102012112391B4 (de) 2012-12-17 2012-12-17 Schaltnetzteil mit einer Kaskodenschaltung
PCT/EP2013/074095 WO2014095201A1 (de) 2012-12-17 2013-11-18 Schaltnetzteil mit einer kaskodenschaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2932597A1 true EP2932597A1 (de) 2015-10-21

Family

ID=49622818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP13792904.8A Withdrawn EP2932597A1 (de) 2012-12-17 2013-11-18 Schaltnetzteil mit einer kaskodenschaltung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160043640A1 (de)
EP (1) EP2932597A1 (de)
CN (1) CN105229926A (de)
DE (1) DE102012112391B4 (de)
WO (1) WO2014095201A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10090766B2 (en) 2015-11-11 2018-10-02 Halliburton Energy Services, Inc. Reusing electromagnetic energy from a voltage converter downhole
CN107786073B (zh) * 2017-12-09 2023-11-07 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种开关电源标准单元电路及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2163309A (en) * 1984-08-17 1986-02-19 Lutron Electronics Co High frequency gas discharge lamp dimming ballast
EP0605925A2 (de) * 1993-01-04 1994-07-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Leistungsversorgungsschaltung

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663547A (en) 1981-04-24 1987-05-05 General Electric Company Composite circuit for power semiconductor switching
JP2855816B2 (ja) * 1990-07-25 1999-02-10 三菱電機株式会社 半導体制御装置
WO2001086795A1 (en) * 2000-05-11 2001-11-15 Sony Corporation Switching power supply
DE20109957U1 (de) * 2001-06-15 2002-07-18 Siemens AG, 80333 München Schaltungsanordnung zum Steuern der einer Last zugeführten Leistung
AT411945B (de) * 2001-07-16 2004-07-26 Siemens Ag Oesterreich Schalteinrichtung
JP2005501459A (ja) * 2001-08-23 2005-01-13 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 高周波電力増幅回路
JP3627708B2 (ja) * 2002-01-25 2005-03-09 株式会社村田製作所 スイッチング電源装置
CN1457139A (zh) * 2002-05-08 2003-11-19 精工爱普生株式会社 具有过压输出保护电路的稳压开关电源及电子设备
US6903943B2 (en) * 2002-05-10 2005-06-07 Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd. Switching circuit
DE10325872A1 (de) * 2003-06-06 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Ansteuerschaltung für den Betrieb mindestens einer Lampe in einem dazugehörigen Lastkreis
US7345894B2 (en) * 2005-09-27 2008-03-18 Carl Sawtell Cascode switch power supply
JP4414446B2 (ja) * 2007-04-13 2010-02-10 株式会社ケー・エー・シー・ジャパン スイッチング電源回路
US7911814B2 (en) * 2008-05-30 2011-03-22 Active-Semi, Inc. Constant current and voltage controller in a three-pin package with dual-use power pin
US20100309689A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 David Coulson Bootstrap Circuitry
US8248145B2 (en) * 2009-06-30 2012-08-21 Cirrus Logic, Inc. Cascode configured switching using at least one low breakdown voltage internal, integrated circuit switch to control at least one high breakdown voltage external switch
CN101662218A (zh) * 2009-09-04 2010-03-03 福建星网锐捷网络有限公司 一种开关电源、系统及保护方法
JP4787350B2 (ja) * 2009-10-14 2011-10-05 Ｓｍｋ株式会社 自励式スイッチング電源回路
DE102010027832B3 (de) * 2010-04-15 2011-07-28 Infineon Technologies AG, 85579 Halbleiterschaltanordnung mit einem selbstleitenden und einem selbstsperrenden Transistor
DE102010038623A1 (de) 2010-07-29 2012-02-02 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung und Verfahren zur Begrenzung von Stromstärke und/oder Flankensteilheit elektrischer Signale
CN102377327B (zh) * 2010-08-11 2015-11-25 快捷半导体公司 高压启动电路
US8638575B2 (en) * 2010-08-11 2014-01-28 Fairchild Semiconductor Corporation High voltage startup circuit
US8947896B2 (en) * 2011-10-11 2015-02-03 Fairchild Semiconductor Corporation Proportional bias switch driver circuit
US8981819B2 (en) * 2011-12-23 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation Proportional bias switch driver circuit with current transformer
US9013903B2 (en) * 2012-02-07 2015-04-21 Fairchild Semiconductor Corporation High side driver circuitry
US10014771B2 (en) * 2013-12-06 2018-07-03 Astec International Limited Switching shunt regulator circuits
US10050620B2 (en) * 2015-02-27 2018-08-14 Renesas Electronics America Inc. Cascode connected SiC-JFET with SiC-SBD and enhancement device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2163309A (en) * 1984-08-17 1986-02-19 Lutron Electronics Co High frequency gas discharge lamp dimming ballast
EP0605925A2 (de) * 1993-01-04 1994-07-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Leistungsversorgungsschaltung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GOODFELLOW J K ET AL: "The bipolar transistor and GTO thyristor in a high power, high frequency cascode switch configuration", 19880411; 19880411 - 19880414, 11 April 1988 (1988-04-11), pages 695 - 702, XP010070224 *
See also references of WO2014095201A1 *
TIETZE U ET AL: "FELDEFFEKTTRANSISTOREN, HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK", HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK, XX, XX, 1 January 1993 (1993-01-01), pages 83 - 84, XP002216831 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20160043640A1 (en) 2016-02-11
WO2014095201A1 (de) 2014-06-26
CN105229926A (zh) 2016-01-06
DE102012112391B4 (de) 2018-10-04
DE102012112391A1 (de) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19545154C2 (de) Stromversorgungseinrichtung
EP0172487B1 (de) Schaltnetzteil mit freischwingendem Durchflusswandler und galvanisch getrennter Regelschleife
EP2025052A1 (de) Wechselrichterschaltung und verfahren zum betreiben der wechselrichterschaltung
DE102017106424B4 (de) Leistungswandlerschaltung mit einem Hauptwandler und einem Hilfswandler
DE102012216691A1 (de) Stromrichterschaltung und Verfahren zur Steuerung der Stromrichterschaltung
EP3123603B1 (de) Modulationsverfahren für den hochsetzsteller-betrieb eines gegentaktwandlers
DE102018128705A1 (de) Verfahren und System zum Betreiben von Schaltleistungswandlern auf Basis eines Spitzenstroms durch das Schaltelement
DE102012112391B4 (de) Schaltnetzteil mit einer Kaskodenschaltung
DE102016220679A1 (de) Gleichspannungswandler und Verfahren zur Ansteuerung eines Gleichspannungswandlers
EP3286827A1 (de) Bidirektionaler gleichspannungswandler
EP1867035A1 (de) Verfahren zum betreiben eines schaltnetzteils mit rückspeisung primärseitiger streuenergie
BE1026838B1 (de) Schaltnetzteil mit gekoppelten Tiefsetzerstufen
AT399625B (de) Bidirektionale wandlerschaltung
DE60316288T2 (de) Schaltkreis mit zweitem ac/dc umwandler
EP3747239B1 (de) Synchronkonverter mit frequenzstabiler regelung
DE102009026479A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit verringerter Oszillationsneigung
EP0989653B1 (de) Schaltungsanordnung zur Gewinnung von Hilfsenergie zum Betrieb einer Steuereinheit
DE102015120658A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Steuern eines elektrischen oder elektronischen Schaltelements
DE102020200672A1 (de) Galvanisch getrenntes energietechnisches Koppeln von wenigstens zweipoligen Energieversorgungsleitungen
DE102012104103A1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zur Ansteuerung mindestens eines Schaltorgans eines Spannungswandlers
EP3673551B1 (de) Spannungsversorgungsschaltkreis
DE102010027492A1 (de) Spannungswandler
DE102024205329A1 (de) Schaltungsanordnung zur Energieversorgung eines Gate-Treibers eines Transistors, Leistungsschalteranordnung, Stromrichter, Vorrichtung zur Ansteuerung eines Stators einer elektrischen Maschine und elektrisches Antriebssystem
DE102005010927A1 (de) Verfahren zur Ansteuerung bzw. zum Betrieb eines Resonanzwandlers, eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens, eine Schaltung, insbesondere einen Resonanzwandler und ein Schaltnetzteil mit einem Resonanzwandler
DE102024131922A1 (de) Resonanzwandler, Bordladegerät sowie Verfahren zum Betreiben eines Resonanzwandlers

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20150619

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: PHOENIX CONTACT POWER SUPPLIES GMBH

Owner name: PHOENIX CONTACT GMBH & CO. KG

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20171124

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20200714

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20201126