EP2737497A1 - Method for producing an electrical component and electrical component - Google Patents

Method for producing an electrical component and electrical component

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EP2737497A1
EP2737497A1 EP12740158.6A EP12740158A EP2737497A1 EP 2737497 A1 EP2737497 A1 EP 2737497A1 EP 12740158 A EP12740158 A EP 12740158A EP 2737497 A1 EP2737497 A1 EP 2737497A1
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EP
European Patent Office
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layer
base body
electrical component
contacts
sloa
Prior art date
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EP12740158.6A
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German (de)
French (fr)
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EP2737497B1 (en
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Thomas Feichtinger
Sebastian Brunner
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TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
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Publication date
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Publication of EP2737497B1 publication Critical patent/EP2737497B1/en
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    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49085—Thermally variable

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an electrical component which can be used, for example, for protection against electrostatic discharge or as a sensor, and to an electrical component produced by the method.
  • Electronic circuits which are generally operated at low supply and signal voltages, may be energized when a high voltage, such as an electrostatic overvoltage, occurs
  • multilayer varistors in SMD Surface Mounted Device
  • SMD Surface Mounted Device
  • LED Light Emitting Diode
  • ESD Electrostatic Discharge
  • SMD Surface Mounted Device
  • herstel ⁇ development of SMD multilayer varistors encountered so far on technical production limits. It is desirable to provide a method for manufacturing an electrical component, with which can be produced a device which has a very low component height on ⁇ . Furthermore, it is intended to specify an electrical component produced by the method.
  • a method of manufacturing an electrical device comprises providing a ceramic semiconductive one
  • Basic body having a surface and a surface opposite the first side surface, wherein a metallic layer is contained within the base body.
  • On the side surface of the body at least two further metallic layers are arranged separately. The arrangement of the main body and the other metallic layers is sintered.
  • An electrically insulating layer is arranged on the first side surface of the base body between the at least two further metallic layers as a passivation layer.
  • On the at least two wide ⁇ ren metallic layers is in each case arranged a contact layer by a chemical process zesses. The material of the base body is removed from ⁇ continuously from the surface of the base body to not more than to the arranged within the base body by the metallic layer che ⁇ mix process.
  • the material of the base body which is on the information contained in ⁇ nergur of the main body metal layer at ⁇ sorted, a sacrificial layer is to be etched down already during the chemical process of applying the contact layers by participating in the chemical process acids / bases.
  • the first side surface, the metal of the coating applied to the first side surface and the layer are on the unpassivated Be ⁇ rich electrically insulating layer are uncovered, trenches etched into the material of the Grundgropers.
  • a chemical process for applying the contact layer may, for example, electroless plating, for example, a
  • ENIGIG electroless nickel, electroless palladium immersion gold
  • electroplating where the electrolyte may be a corrosive acid or base.
  • the trench can be etched further for separating a component from the base body and the sacrificial layer can be removed up to the metallic layer arranged within the base body.
  • the metallic layer within the main body acts as an etch stop layer, so that the underlying Ma ⁇ material of the body is not further etched. Since arranged in ⁇ nergur of the material of the base body metalli ⁇ specific layer can be placed close to the first side surface of the base body in the material of the base body, the method ER- enables the production of a component with a low overall height.
  • the electrically insulating layer between the contacts is a passivation layer, which prevents the individual of the component arranged under the electrically insulating layer material of the body is etched during the chemical process or the etching process for ⁇ Ver.
  • the passivation layer disposed between the contacts for example, a material containing glass, silicon nitride (S13N 4), silicon carbide (SiC), alumina (Al 2 O 3) or a polymer, having.
  • the contact layer may be formed as a ⁇ zelne layer, for example silver. Alternatively, the contact layer may have multiple sub-layers. th, for example, different metal sequences, such as for example ⁇ nickel, palladium, gold or tin included.
  • ESD protection devices or ceramic sensors with component heights between a metallic layer acting as an electrode and the contact layers of less than 150 ym and typically of about 50 ym.
  • the electrical component can be produced inexpensively and used for the production of ultrathin single chips as well as for arrays.
  • An electrical component produced by the method comprises a ceramic semiconductive base body having a first side surface on which at least two spaced-apart contacts are arranged, and a second side surface opposite the first side surface, on which a metallic layer is arranged.
  • Each of the contacts has a further metallic layer which is disposed on the first side surface of the base body, and a con tact ⁇ layer which is attached ⁇ arranged on the further metallic layer.
  • Between the at least two contacts is an electrically insulating layer, by which the at least two contacts are electrically isolated from each other, angeord ⁇ net.
  • the electrical component has between the metalli ⁇ rule layer and the respective contact layer contacts a component height not exceeding 150 ym, preferably 50 ym to.
  • FIG. 1A shows a transverse view of an embodiment of an electrical component
  • Figure 1B is a plan view of the embodiment of the elec ⁇ cal device
  • Figure 2A shows a manufacturing step of an embodiment of a
  • FIG. 2B shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical
  • FIG. 2C shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component
  • FIG. 2D shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component
  • FIG. 2E shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component
  • FIG. 2F shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component
  • FIG. 3A shows a transverse view of a further embodiment of an electrical component
  • FIG. 3B shows a plan view of the further embodiment of the electrical component
  • FIG. 4A shows a transverse view of a further embodiment of the electrical component
  • FIG. 4B shows a plan view of a further embodiment of an electrical component
  • FIG. 5A shows an embodiment of an electrical component for protection against electrostatic discharge or as a ceramic sensor
  • FIG. 5B shows an equivalent circuit of an embodiment of an electrical component for protection against electrostatic discharge
  • FIG. 5C shows an equivalent circuit of an embodiment of an electrical component as a ceramic sensor.
  • FIG. 1A shows an embodiment 1 of an electrical component which can be used for example for protection against electrostatic discharge or as a sensor.
  • the electrical component comprises a ceramic semiconductive base body 10.
  • the base body 10 has a side surface SlOa and a side surface SlOb opposite the side surface S1Oa.
  • a metallic layer 40 between the soflä ⁇ chen SLOA and slob.
  • the metallic layer 40 may, for example silver contained ⁇ th.
  • On the side surface SLOA are at least two from each other the spaced contacts 21 and 22 are arranged.
  • the contacts 21 and 22 each have a metallic layer 210 and ei ⁇ ne contact layer 220.
  • the metallic layer 210 of the contact 21 and the contact 22 are each arranged on the side surface SlOa of the main body 10 at a distance from one another.
  • the contact layers 220 of the contacts 21 and 22 are respectively disposed on the metallic layer 210.
  • the metallic layer 210 of the contacts 21 and 22 may contain silver, for example.
  • the contact layer 220 may, for example, a material of nickel and / or gold aufwei ⁇ sen.
  • the respective contact layer 220 of the contacts 21 and 22 may have a partial layer 221 and a partial layer 222.
  • the sub-layer 221 may be disposed on the metallic layer 210 and the sub-layer 222 may be disposed on the sub-layer 221.
  • the sub-layer 221 may comprise a nickel material and the sub-layer 222 may comprise a gold material, for example.
  • Between the contacts 21 and 22 is on the side surface
  • an electrically insulating layer 30 is arranged.
  • the electrically insulating layer 30 is formed of ⁇ art that separates both the metallic layer 210 of the contact terminals 21 and 22 and the contact layers 220 of the two contacts 21 and 22 from each other. Through the layer 30 thus the two contacts 21 and 22 are electrically isolated from each other.
  • the electrically insulating layer 30 may, for example, a material made of glass contained ⁇ th.
  • FIG. 1B shows a plan view of the embodiment 1 of the electrical component shown in FIG. 1A. Shown are the contacts 21 and 22, in particular the respective Kon- Contact layer 220 of the contacts 21 and 22, which are separated from each other by the elec ⁇ ⁇ rical insulating layer 30 and thereby electrically isolated from each other.
  • the electrical component between the metallic layer 40 and the contact surfaces 220 may have a component height H of 50 ⁇ m.
  • the width B of the component can be ⁇ example, 100 ym and the length L can be 250 ym.
  • the contact layers 220 can each have a length LI of 50 ⁇ m and the electrically insulating layer 30 have a length L2 of 150 ⁇ m.
  • Figures 2A to 2F show an embodiment of a manufacturing method for producing an electrical component, which can be used, for example, to protect against electrostatic discharge or as a sensor.
  • a ceramic semiconductive base body 10 having a surface O10 and a side surface S1Oa opposite the surface O10 is provided, wherein a metallic layer 40 is contained within the base body. The within the
  • Base 10 arranged metallic layer 40 may be interrupted at least two places Ul, U2. To the sides of the bodies at ⁇ Ul and U2 arranged portions of the metallic layer 40 belong to other components.
  • the metallic layer 40 is disposed approximately parallel to the Oberflä ⁇ che O10 or the side surface of the SLOA Grundkör ⁇ pers in the interior of the base body.
  • the main body 10 with the metallic layer 40 contained therein may be formed as a wafer.
  • the laminating, stacking and pressing of the main body 10 takes place.
  • the wafer or main body 10 is structured on the side surface S1Oa with at least two metallic layers 210, which each form part of the contacts 21 and 22 of the electrical component.
  • Layers 210 are arranged at a distance apart from each other on the side surface SlOa of the main body. For this purpose, for example, a thin layer of a Materi ⁇ al made of silver on portions of the side surface SlOa, which are spaced from each other, are attached.
  • the at least two metallic layers 210 are arranged on the side surface SlOa of the base body 10 such that a region Bl and a region B2 of the side surface SlOa of the base body 10 are uncovered by the at least two further metallic layers.
  • the areas Bl and B2 are the points Ul and U2 arranged in projection un ⁇ ter.
  • metallic layers 210 are arranged, which belong to ⁇ their components.
  • the metallic layers 210 form a passivation layer for the underlying material of the base body.
  • Figure 2D shows a further manufacturing step, which bring the on ⁇ comprises a passivation layer on a portion of the side surface SLOA between the metallic layers 210th As passivation layer, between the metallic layers 210 of the contacts 21 and 22 an electrically insulating
  • Layer 30 for example made of a material made of glass, be ⁇ introduced .
  • the electrically insulating layer 30 can be indirectly on a portion of the side surface SlOa of
  • Layers 210 are arranged.
  • the passivation layer 30 can also be applied to partial sections of the metallic layer 210.
  • the areas Bl and B2 lead ⁇ ben still uncovered by a passivation.
  • the contacts 21 and 22 are completed by applying the contact layers 220 to the metallic layers 210 in each case.
  • a material which has, for example, nickel and / or gold, can be applied to the metallic layer 210.
  • a sub-layer 221 containing nickel and subsequently to the sub-layer 221 a sub-layer 222 containing gold may be deposited.
  • the application of the contact layers 220 on the metallic layers 210 can be effected by a chemical process without current.
  • the material of the base body is etched on the non-passivated regions B1 and B2.
  • a trench G is etched into the base body.
  • the material of the base body 10 can be removed at the areas Bl and B2 so far that the surface of the trench between the metallic layer 210 and the metallic layer 40 is located. Under a region B0 of the side surface SlOa which is covered by the metallic layers 210 acting as passivation layers and the electrical insulating layer 30, the etching of the material of the base body is prevented.
  • the material of the base body in the non-passivated surface O10 is etched in the direction of the metal ⁇ metallic layer 40th
  • the O10 between the surface and the metallic layer 40 existing material of the Grundkör ⁇ pers is a sacrificial layer that is removed during the chemical process of applying the contact layers, starting from the surface to a surface O10 O10 '. If the range between the original surface O10 and the metallic layer 40 represents the initial thickness of the sacrificial layer, the surface O10 can 'the sacrificial ⁇ layer after exposure to the chemical process for applying the contact surfaces 220 between the initial surface O10 of the sacrificial layer and the metallic Layer 40 are. Thus, the layer thickness of the base body above the metallic layer 40 further decreases during the chemical process for applying the contact layer 220.
  • Figure 2F shows a further manufacturing step this purpose, in a further etching process, which takes place, for example, anisotropic, the separation of the electrical components 1 from the wafer 10, the trenches at the regions Bl and B2 formed already in the chemical process of Aufbrin ⁇ gens of the contact surfaces 220 be further etched until the material of the body is completely removed under the interruptions Ul and U2 of the metallic layer 40.
  • the material of the base body can now to min- at least to the metallic layer 40 are removed.
  • the material of the ceramic semiconducting base body which still forms over the metallic layer 40, which forms the sacrificial layer, can be etched down to the metallic layer 40.
  • the metallic layer 40 acts as egg ⁇ ne etch stop layer so that the underlying material of the base body is not etched.
  • the components can be separated from the wafer composite.
  • the separation can alternatively be effected by breaking the individual components out of the wafer composite.
  • FIG 3A shows another embodiment of the electrical component 2, which is used, for example for protection against electrostatic discharge ⁇ or as a sensor, in a transverse view.
  • the electrostatic component comprises a ceramic semiconductive base body 10 which has a surface O10 and a surface area O10 opposite Soflä ⁇ che SlOa. Inside the material of the ceramic semiconductive body 10, a metallic layer 40 is provided inside the material of the ceramic semiconductive body 10.
  • the metallic layer 40 may comprise, for example, a material of silver.
  • At least two contacts 21 and 22 are arranged on the side surface SlOa of the ceramic semiconductive base body 10 at a distance from one another. Each of the contacts 21 and 22 comprises a metallic layer 210 and a contact layer 220.
  • the metallic layer 210 of the respective contact is disposed directly on the side surface SlOa of the main body and may, for example, contain a silver material.
  • the respective contact layer 220 of each of the contacts is disposed on the respective metallic layer 210.
  • the contact layer 220 may for example comprise a material selected from Ni ⁇ ckel and / or gold.
  • the contact layer 220 may For example, have a sub-layer 221, which is disposed on the metallic layer 210 of the respective contact.
  • a further partial layer 222 of the contact layer 220 may be arranged on the partial layer 221.
  • the sub-layer 221 may, for example, 222 may include a material selected from gold, a material made of nickel and the partial ⁇ layer.
  • an electrically insulating layer 30th The electrically insulating layer 30 may be on a Ab ⁇ section of the side surface SlOa between the metallic
  • Layers 210 may be arranged.
  • the passivation layer 30 is formed such that both the metallic layer 210 and the contact layer 220 of the respective contacts 21 and 22 are electrically insulated from each other.
  • FIG. 3B shows a plan view of the embodiment of the electrical component 2 shown in FIG. 3A.
  • the contacts 21 and 22, in particular the contact layers 220 of the respective contacts 21 and 22, are arranged ⁇ lierende layer 30 are electrically isolated from each other.
  • the electrical component 2 shown in FIGS. 3A and 3B can be realized, for example, with a component height H of 50 ⁇ m measured between the surface O10 and the contact layers 220.
  • the width B of the device may be 100 ym and the length L may be 250 ym.
  • the contacts 21 and 22 each have a length LI of 50 ym and the electrically insulating layer 30 have a length L2 of 150 ym.
  • FIG. 2 shows a further embodiment of the electrical component 3, which is used, for example for protection against electrostatic discharge ⁇ or as a sensor, in a transverse view. Similar to the embodiment shown in FIG. 1, the electrical component has a ceramic semiconductive base body 10. On a side surface SlOa of the
  • Base 10 are spaced from each other at least two contacts.
  • the electrical component is formed as an array with more than two contacts.
  • the device may, for example, four contacts 21, 22, 23 and 24 have. In the transverse view shown in Figure 4A only the contacts 21 and 22 are visible.
  • Each of the contacts 21 and 22 has a metallic layer 210, for example a layer of silver, which are arranged on the side surface SlOa spaced from each other. Furthermore, the contacts each have a contact layer 220, which is arranged on the respective metallic layer 210 of the contacts.
  • the contact layer 220 may comprise a material of nickel and / or gold.
  • the contact layer 220 may include, for example, a sub-layer 221 and a sub-layer 222.
  • the sub-layer 221 is disposed directly on the metallic layer 210 of the respective contact.
  • the sub-layer 222 is arranged on the sub-layer 221 of the respective contact.
  • the sub-layer 221 may ⁇ example, a material made of nickel, and the sub-layer 222 may contain a material of gold.
  • an electrically insulating layer 30 is arranged, through which the contacts 21 and 22 and thus the respective metallic layer 210 and the respective contact layer 220 of the contacts are electrically isolated from each other.
  • the electrically insulating layer 30 may for example be arranged directly on a section of the Be ⁇ ten Design SLOA of the base body 10 between the metallic layers 210th
  • the electrically insulating layer represents a passivation layer and may, for example, comprise a material made of glass.
  • FIG. 4B shows the electrical component embodiment 3 of the electrical component shown in FIG. 4A in plan view of the contacts 21, 22, 23 and 24 and the electrically insulating layer 30. As shown in FIG. 4B, the contacts 21, 22, 23 and 24 are through the interposed electrically insulating
  • the electrical component 3 between the metallic layer 40 and the contact surfaces 220 may have a component height H of 50 ⁇ m.
  • the embodiment 3 of the electrical component has a square base.
  • the electrical component may for example have a width B and a length L of 250 ym.
  • the contacts can each have a width Bl of 100 ym and the elekt ⁇ driven insulating layer has a width B2 of 50 ym.
  • the contacts may each have a length LI of 50 ym and the electrically insulating layer may have a length L2 of 150 ym.
  • Figure 5A shows the embodiment 1 of the electrical component in the form of a passivated ceramic chip that includes the basic ⁇ body 10 which has contacts 21 and 22, the interposed electrically insulating layer 30 and the further metallic layer 40th
  • an ESD device with a Multilagenva ⁇ RISTOR or a use as a sensor device can be a multilayer NTC (negative temperature coefficient), for example - realize resistance.
  • Figure 5B shows an implementation of the device as Va ⁇ RISTOR, so that the component can be used for example as ESD protection component.
  • the base body 10 of the device contains, for example, a material made of zinc oxide, and praseodymium, wherein ⁇ play, ZnO (Pr).
  • ⁇ play ZnO
  • do ⁇ patented zinc oxide can be provided as the material of the base body 10 with praseodymium.
  • a material of zinc oxide and bismuth, for example ZnO (Bi) may be used.
  • the contacts 21 and 22 each form a terminal for applying a reference potential, for example, the ground potential.
  • the metallic layer 40 has besides the function as
  • Electrode in the form of the metallic layer 40 and the contact 22 of the ceramic semiconductive body 10 forms a further voltage-dependent resistor R2.
  • FIG. 5C shows an equivalent circuit diagram of the component, if the material of the basic body is a material with a negative Temperature coefficient, for example, an NTC material is used.
  • the device can be used as a kera ⁇ mix sensor.
  • the main body 10 forms between the contacts 21 and 22 and the metallic layer 40 each have a temperature-dependent resistor R3 and R4.
  • the contacts 21 and 22 can be used as terminals for applying a reference potential, for example, the ground potential.
  • the metallic layer 40 has the function of a current-carrying electrode during operation of the device. Between the metallic layer 40 and the contact 21 of the ceramic semiconductive body 10 forms the temperature-dependent resistor R3. Between the metallic layer 40 and the contact 22 of the ceramic semiconducting forms

Abstract

A method for producing an electrical component comprises providing a ceramic semiconducting base body (10) with a surface (O10) and a first side face (S10a) opposite the surface (O10), wherein a metal layer (40) is contained within the base body. Once at least two further metal layers (210) are arranged separately from one another on the side face (S10a) of the base body, sintering of the arrangement is performed. An electrically insulating layer (30) is arranged between the at least two further metal layers (210). In each case one contact layer (220) is arranged on the metal layers (210) by means of a chemical process. Furthermore, the material of the base body (10) is removed, starting from the surface (O10) of the base body (10) up to at most the metal layer (40) arranged within the base body.

Description

Beschreibung description
Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements und elektrisches Bauelement Method for producing an electrical component and an electrical component
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements, das beispielsweise zu einem Schutz vor elektrostatischer Entladung oder als ein Sensor einsetzbar ist, und ein durch das Verfahren hergestelltes elektri- sches Bauelement. The invention relates to a method for producing an electrical component which can be used, for example, for protection against electrostatic discharge or as a sensor, and to an electrical component produced by the method.
Elektronische Schaltungen, die im Allgemeinen bei niedrigen Versorgungs- und Signalspannungen betrieben werden, können beim Auftreten einer hohen Spannung, beispielsweise einer elektrostatischen Überspannung, an den spannungszuführendenElectronic circuits, which are generally operated at low supply and signal voltages, may be energized when a high voltage, such as an electrostatic overvoltage, occurs
Kontaktanschlüssen zerstört werden. Zum Schutz der empfindlichen Schaltungskomponenten vor einer derartigen elektrischen Überspannung können Schutzbauelemente zum Schutz vor elektrostatischer Entladung an die spannungszuführenden Kontaktan- Schlüsse angeschlossen werden, durch die hohe elektrostati¬ sche Spannungen zu einem Bezugspotential, beispielsweise ei¬ nem Massepotential abgeleitet werden können. Contact connections are destroyed. In order to protect the sensitive circuit components against such an electrical overvoltage protective components can be connected to the electrostatic discharge to the voltage-carrying Kontaktan- conclusions, can be derived by the high elektrostati ¬ cal voltages to a reference potential, for example egg ¬ nem ground potential.
Als Schutzschaltungen vor elektrostatischer Entladung können beispielsweise Vielschichtvaristoren in SMD(Surface Mounted Device) -Technik verwendet werden. Für Integrationszwecke in eine Leiterplatte oder in ein LED (Light Emitting Diode) - Gehäuse werden ESD (Electro-Static-Discharge) -Schutzbauele¬ mente benötigt, die möglichst dünn sind. In Bezug auf die Bauteilhöhe beziehungsweise Schichtdicke stößt die Herstel¬ lung von SMD-Vielschichtvaristoren bislang allerdings auf fertigungstechnische Grenzen. Es ist wünschenswert, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements anzugeben, mit dem sich ein Bauelement herstellen lässt, das eine sehr geringe Bauteilhöhe auf¬ weist. Des Weiteren soll ein mit dem Verfahren hergestelltes elektrisches Bauelement angegeben werden. As protective circuits against electrostatic discharge, for example multilayer varistors in SMD (Surface Mounted Device) technology can be used. For integration purposes in a printed circuit board or in an LED (Light Emitting Diode) - housing ESD (Electrostatic Discharge) -Schutzbauele ¬ elements are required, which are as thin as possible. Regarding the component height or thickness, however, the herstel ¬ development of SMD multilayer varistors encountered so far on technical production limits. It is desirable to provide a method for manufacturing an electrical component, with which can be produced a device which has a very low component height on ¬. Furthermore, it is intended to specify an electrical component produced by the method.
Ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements umfasst das Bereitstellen eines keramisch halbleitenden A method of manufacturing an electrical device comprises providing a ceramic semiconductive one
Grundkörpers mit einer Oberfläche und einer der Oberfläche gegenüberliegenden ersten Seitenfläche, wobei innerhalb des Grundkörpers eine metallische Schicht enthalten ist. Auf der Seitenfläche des Grundkörpers werden mindestens zwei weitere metallische Schichten getrennt voneinander angeordnet. Die Anordnung aus dem Grundkörper und den weiteren metallischen Schichten wird gesintert. Eine elektrisch isolierende Schicht wird auf der ersten Seitenfläche des Grundkörpers zwischen den mindestens zwei weiteren metallischen Schichten als Pas- sivierungsschicht angeordnet. Auf den mindestens zwei weite¬ ren metallischen Schichten wird mittels eines chemischen Pro- zesses jeweils eine Kontaktschicht angeordnet. Durch den che¬ mischen Prozess wird dabei das Material des Grundkörpers aus¬ gehend von der Oberfläche des Grundkörpers bis höchstens zu der innerhalb des Grundkörpers angeordneten metallischen Schicht entfernt. Basic body having a surface and a surface opposite the first side surface, wherein a metallic layer is contained within the base body. On the side surface of the body at least two further metallic layers are arranged separately. The arrangement of the main body and the other metallic layers is sintered. An electrically insulating layer is arranged on the first side surface of the base body between the at least two further metallic layers as a passivation layer. On the at least two wide ¬ ren metallic layers is in each case arranged a contact layer by a chemical process zesses. The material of the base body is removed from ¬ continuously from the surface of the base body to not more than to the arranged within the base body by the metallic layer che ¬ mix process.
Somit stellt das Material des Grundkörpers, das über der in¬ nerhalb des Grundkörpers enthaltenen metallischen Schicht an¬ geordnet ist, eine Opferschicht dar, die bereits während dem chemischen Vorgang des Aufbringens der Kontaktschichten durch die an dem chemischen Prozess beteiligten Säuren/Basen heruntergeätzt wird. Gleichzeitig werden an den unpassivierten Be¬ reichen der ersten Seitenfläche, die von der auf der ersten Seitenfläche aufgebrachten metallischen Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht unbedeckt sind, Gräben in das Material des Grundköpers geätzt. Als chemischer Prozess zum Aufbringen der Kontaktschicht kann beispielsweise stromloses Galvanisieren (electroless plating) , beispielsweise ein Thus, the material of the base body, which is on the information contained in ¬ nerhalb of the main body metal layer at ¬ sorted, a sacrificial layer is to be etched down already during the chemical process of applying the contact layers by participating in the chemical process acids / bases. Simultaneously, the first side surface, the metal of the coating applied to the first side surface and the layer are on the unpassivated Be ¬ rich electrically insulating layer are uncovered, trenches etched into the material of the Grundköpers. As a chemical process for applying the contact layer may, for example, electroless plating, for example, a
ENIG (electroless Nickel immersion gold) , ENEPIG (electroless Nickel, electroless Palladium immersion gold) oder Elektro- Galvanisieren, wobei der Elektrolyth eine ätzende Säure oder Base sein kann, verwendet werden. Während eines nachfolgenden Ätzprozesses kann zum Vereinzeln eines Bauelements aus dem Grundkörper der Graben weiter geätzt werden und die Opferschicht bis zu der innerhalb des Grundkörpers angeordneten metallischen Schicht abgetragen werden. Die metallische Schicht innerhalb des Grundkörpers wirkt als Ätzstoppschicht, so dass das darunter liegende Ma¬ terial des Grundkörpers nicht weiter geätzt wird. Da die in¬ nerhalb des Materials des Grundkörpers angeordnete metalli¬ sche Schicht nahe an der ersten Seitenfläche des Grundkörpers in das Material des Grundkörpers eingebracht werden kann, er- möglicht das Verfahren die Herstellung eines Bauelements mit niedriger Bauhöhe. ENIGIG (electroless nickel, electroless palladium immersion gold) or electroplating, where the electrolyte may be a corrosive acid or base. During a subsequent etching process, the trench can be etched further for separating a component from the base body and the sacrificial layer can be removed up to the metallic layer arranged within the base body. The metallic layer within the main body acts as an etch stop layer, so that the underlying Ma ¬ material of the body is not further etched. Since arranged in ¬ nerhalb of the material of the base body metalli ¬ specific layer can be placed close to the first side surface of the base body in the material of the base body, the method ER- enables the production of a component with a low overall height.
Die elektrisch isolierende Schicht zwischen den Kontakten ist eine Passivierungsschicht, die verhindert, dass während dem chemischen Prozess beziehungsweise beim Ätzprozess zum Ver¬ einzeln des Bauelements das unter der elektrisch isolierenden Schicht angeordnete Material des Grundkörpers geätzt wird. Die zwischen den Kontakten angeordnete Passivierungsschicht kann beispielsweise ein Material, das Glas, Siliziumnitrid (S13N4) , Siliziumkarbid (SiC) , Aluminiumoxid (AI2O3) oder ein Polymer enthält, aufweisen. Die Kontaktschicht kann als ein¬ zelne Schicht aus beispielsweise Silber ausgebildet sein. Die Kontaktschicht kann auch alternativ dazu mehrere Teilschich- ten, beispielsweise verschiedene Metallabfolgen, wie zum Bei¬ spiel Nickel, Palladium, Gold oder Zinn enthalten. The electrically insulating layer between the contacts is a passivation layer, which prevents the individual of the component arranged under the electrically insulating layer material of the body is etched during the chemical process or the etching process for ¬ Ver. The passivation layer disposed between the contacts, for example, a material containing glass, silicon nitride (S13N 4), silicon carbide (SiC), alumina (Al 2 O 3) or a polymer, having. The contact layer may be formed as a ¬ zelne layer, for example silver. Alternatively, the contact layer may have multiple sub-layers. th, for example, different metal sequences, such as for example ¬ nickel, palladium, gold or tin included.
Die angegebene Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines elektrischen Bauelements ermöglicht insbesondere dieThe specified embodiment of the method for producing an electrical component allows in particular the
Realisierung von ESD-Schutzbauelementen oder keramischen Sensoren mit Bauteilhöhen zwischen einer als Elektrode wirkenden metallischen Schicht und den Kontaktschichten von weniger als 150 ym und typischerweise von ungefähr 50 ym. Dabei kann das elektrische Bauelement kostengünstig hergestellt werden und für die Fertigung von ultradünnen Einzelchips wie auch für Arrays verwendet werden. Realization of ESD protection devices or ceramic sensors with component heights between a metallic layer acting as an electrode and the contact layers of less than 150 ym and typically of about 50 ym. In this case, the electrical component can be produced inexpensively and used for the production of ultrathin single chips as well as for arrays.
Ein mit dem Verfahren hergestelltes elektrisches Bauelement umfasst einen keramisch halbleitenden Grundkörper mit einer ersten Seitenfläche, auf der mindestens zwei voneinander beabstandete Kontakte angeordnet sind, und einer der ersten Seitenfläche gegenüberliegende zweiten Seitenfläche, auf der eine metallische Schicht angeordnet ist. Jeder der Kontakte weist eine weitere metallische Schicht, die auf der ersten Seitenfläche des Grundkörpers angeordnet ist, und eine Kon¬ taktschicht, die auf der weiteren metallischen Schicht ange¬ ordnet ist, auf. Zwischen den mindestens zwei Kontakten ist eine elektrisch isolierende Schicht, durch die die mindestens zwei Kontakte voneinander elektrisch isoliert sind, angeord¬ net. Das elektrische Bauelement weist zwischen der metalli¬ schen Schicht und der jeweiligen Kontaktschicht der Kontakte eine Bauteilhöhe von höchstens 150 ym und vorzugsweise von 50 ym auf. An electrical component produced by the method comprises a ceramic semiconductive base body having a first side surface on which at least two spaced-apart contacts are arranged, and a second side surface opposite the first side surface, on which a metallic layer is arranged. Each of the contacts has a further metallic layer which is disposed on the first side surface of the base body, and a con tact ¬ layer which is attached ¬ arranged on the further metallic layer. Between the at least two contacts is an electrically insulating layer, by which the at least two contacts are electrically isolated from each other, angeord ¬ net. The electrical component has between the metalli ¬ rule layer and the respective contact layer contacts a component height not exceeding 150 ym, preferably 50 ym to.
Ausführungsformen des Verfahrens zum Herstellen des elektrischen Bauelements sowie Ausführungsformen von mit dem Verfah- ren herstellbaren elektrischen Bauelementen werden anhand von Figuren nachfolgend beispielhaft erläutert. Es zeigen: Embodiments of the method for producing the electrical component as well as embodiments of the method Ren producible electrical components will be explained with reference to figures below by way of example. Show it:
Figur 1A eine Queransicht einer Ausführungsform eines elekt- rischen Bauelements, FIG. 1A shows a transverse view of an embodiment of an electrical component,
Figur 1B eine Draufsicht auf die Ausführungsform des elekt¬ rischen Bauelements, Figur 2A einen Fertigungsschritt einer Ausführungsform eines Figure 1B is a plan view of the embodiment of the elec ¬ cal device, Figure 2A shows a manufacturing step of an embodiment of a
Herstellungsverfahrens für ein elektrisches Bauele¬ ment, Manufacturing method for an electric Bauele ¬ ment,
Figur 2B einen weiteren Fertigungsschritt der Ausführungs- form des Herstellungsverfahrens für das elektrischeFIG. 2B shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical
Bauelement, component,
Figur 2C einen weiteren Fertigungsschritt der Ausführungs¬ form des Herstellungsverfahrens für das elektrische Bauelement, FIG. 2C shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component,
Figur 2D einen weiteren Fertigungsschritt der Ausführungs¬ form des Herstellungsverfahrens für das elektrische Bauelement, FIG. 2D shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component,
Figur 2E einen weiteren Fertigungsschritt der Ausführungs¬ form des Herstellungsverfahrens für das elektrische Bauelement, Figur 2F einen weiteren Fertigungsschritt der Ausführungs¬ form des Herstellungsverfahrens für das elektrische Bauelement, Figur 3A eine Queransicht einer weiteren Ausführungsform eines elektrischen Bauelements, FIG. 2E shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component, FIG. 2F shows a further production step of the embodiment of the production method for the electrical component, FIG. FIG. 3A shows a transverse view of a further embodiment of an electrical component,
Figur 3B eine Draufsicht auf die weitere Ausführungsform des elektrischen Bauelements, FIG. 3B shows a plan view of the further embodiment of the electrical component,
Figur 4A eine Queransicht einer weiteren Ausführungsform des elektrischen Bauelements, Figur 4B eine Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform eines elektrischen Bauelements, 4A shows a transverse view of a further embodiment of the electrical component, FIG. 4B shows a plan view of a further embodiment of an electrical component,
Figur 5A eine Ausführungsform eines elektrischen Bauelements zum Schutz vor elektrostatischer Entladung oder als keramischer Sensor, FIG. 5A shows an embodiment of an electrical component for protection against electrostatic discharge or as a ceramic sensor,
Figur 5B eine Ersatzschaltung einer Ausführungsform eines elektrischen Bauelements zum Schutz vor elektrostatischer Entladung, FIG. 5B shows an equivalent circuit of an embodiment of an electrical component for protection against electrostatic discharge,
Figur 5C eine Ersatzschaltung einer Ausführungsform eines elektrischen Bauelements als keramischer Sensor. FIG. 5C shows an equivalent circuit of an embodiment of an electrical component as a ceramic sensor.
Figur 1A zeigt eine Ausführungsform 1 eines elektrischen Bau- elements, das beispielsweise zum Schutz vor elektrostatischer Entladung oder als Sensor einsetzbar ist. Das elektrische Bauelement umfasst einen keramisch halbleitenden Grundkörper 10. Der Grundkörper 10 weist eine Seitenfläche SlOa und eine der Seitenfläche SlOa gegenüberliegende Seitenfläche SlOb auf. Im Material des Grundkörpers ist zwischen den Seitenflä¬ chen SlOa und SlOb eine metallische Schicht 40 angeordnet. Die metallische Schicht 40 kann beispielsweise Silber enthal¬ ten. Auf der Seitenfläche SlOa sind mindestens zwei voneinan- der beabstandete Kontakte 21 und 22 angeordnet. Die Kontakte 21 und 22 weisen jeweils eine metallische Schicht 210 und ei¬ ne Kontaktschicht 220 auf. Die metallische Schicht 210 des Kontakts 21 und des Kontakts 22 sind jeweils auf der Seiten- fläche SlOa des Grundkörpers 10 in einem Abstand zueinander angeordnet. Die Kontaktschichten 220 der Kontakte 21 und 22 sind jeweils auf der metallischen Schicht 210 angeordnet. FIG. 1A shows an embodiment 1 of an electrical component which can be used for example for protection against electrostatic discharge or as a sensor. The electrical component comprises a ceramic semiconductive base body 10. The base body 10 has a side surface SlOa and a side surface SlOb opposite the side surface S1Oa. In the material of the base body is arranged, a metallic layer 40 between the Seitenflä ¬ chen SLOA and slob. The metallic layer 40 may, for example silver contained ¬ th. On the side surface SLOA are at least two from each other the spaced contacts 21 and 22 are arranged. The contacts 21 and 22 each have a metallic layer 210 and ei ¬ ne contact layer 220. The metallic layer 210 of the contact 21 and the contact 22 are each arranged on the side surface SlOa of the main body 10 at a distance from one another. The contact layers 220 of the contacts 21 and 22 are respectively disposed on the metallic layer 210.
Die metallische Schicht 210 der Kontakte 21 und 22 kann bei- spielsweise Silber enthalten. Die Kontaktschicht 220 kann beispielsweise ein Material aus Nickel und/oder Gold aufwei¬ sen. Beispielsweise kann die jeweilige Kontaktschicht 220 der Kontakte 21 und 22 eine Teilschicht 221 und eine Teilschicht 222 aufweisen. Die Teilschicht 221 kann auf der metallischen Schicht 210 angeordnet sein und die Teilschicht 222 kann auf der Teilschicht 221 angeordnet sein. Die Teilschicht 221 kann beispielsweise ein Material aus Nickel und die Teilschicht 222 kann beispielsweise ein Material aus Gold aufweisen. Zwischen den Kontakten 21 und 22 ist auf der SeitenflächeThe metallic layer 210 of the contacts 21 and 22 may contain silver, for example. The contact layer 220 may, for example, a material of nickel and / or gold aufwei ¬ sen. For example, the respective contact layer 220 of the contacts 21 and 22 may have a partial layer 221 and a partial layer 222. The sub-layer 221 may be disposed on the metallic layer 210 and the sub-layer 222 may be disposed on the sub-layer 221. For example, the sub-layer 221 may comprise a nickel material and the sub-layer 222 may comprise a gold material, for example. Between the contacts 21 and 22 is on the side surface
SlOa des Grundkörpers 10 eine elektrisch isolierende Schicht 30 angeordnet. Die elektrisch isolierende Schicht 30 ist der¬ art ausgebildet, dass sie sowohl die metallische Schicht 210 der Kontaktanschlüsse 21 und 22 als auch die Kontaktschichten 220 der beiden Kontakte 21 und 22 voneinander trennt. Durch die Schicht 30 sind somit die beiden Kontakte 21 und 22 elektrisch voneinander isoliert. Die elektrisch isolierende Schicht 30 kann beispielsweise ein Material aus Glas enthal¬ ten . SlOa of the base 10, an electrically insulating layer 30 is arranged. The electrically insulating layer 30 is formed of ¬ art that separates both the metallic layer 210 of the contact terminals 21 and 22 and the contact layers 220 of the two contacts 21 and 22 from each other. Through the layer 30 thus the two contacts 21 and 22 are electrically isolated from each other. The electrically insulating layer 30 may, for example, a material made of glass contained ¬ th.
Figur 1B zeigt eine Draufsicht auf die in Figur 1A gezeigte Ausführungsform 1 des elektrischen Bauelements. Dargestellt sind die Kontakte 21 und 22, insbesondere die jeweilige Kon- taktschicht 220 der Kontakte 21 und 22, die durch die elekt¬ risch isolierende Schicht 30 voneinander getrennt und dadurch elektrisch voneinander isoliert sind. Bei der in den Figuren 1A und 1B gezeigten Ausführungsform 1 kann das elektrische Bauelement zwischen der metallischen Schicht 40 und den Kontaktflächen 220 eine Bauteilhöhe H von 50 ym aufweisen. Die Breite B des Bauelements kann beispiels¬ weise 100 ym und die Länge L kann 250 ym betragen. Dabei kön- nen die Kontaktschichten 220 jeweils eine Länge LI von 50 ym und die elektrisch isolierende Schicht 30 eine Länge L2 von 150 ym aufweisen. FIG. 1B shows a plan view of the embodiment 1 of the electrical component shown in FIG. 1A. Shown are the contacts 21 and 22, in particular the respective Kon- Contact layer 220 of the contacts 21 and 22, which are separated from each other by the elec ¬ ¬ rical insulating layer 30 and thereby electrically isolated from each other. In the embodiment 1 shown in FIGS. 1A and 1B, the electrical component between the metallic layer 40 and the contact surfaces 220 may have a component height H of 50 μm. The width B of the component can be ¬ example, 100 ym and the length L can be 250 ym. In this case, the contact layers 220 can each have a length LI of 50 μm and the electrically insulating layer 30 have a length L2 of 150 μm.
Die Figuren 2A bis 2F zeigen eine Ausführungsform für ein Herstellungsverfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements, das beispielsweise zum Schutz vor elektrostatischer Entladung oder als Sensor einsetzbar ist. Es wird ein keramisch halbleitender Grundkörper 10 mit einer Oberfläche O10 und einer der Oberfläche O10 gegenüberliegenden Seitenfläche SlOa bereitgestellt, wobei innerhalb des Grundkörpers eine metallische Schicht 40 enthalten ist. Die innerhalb des Figures 2A to 2F show an embodiment of a manufacturing method for producing an electrical component, which can be used, for example, to protect against electrostatic discharge or as a sensor. A ceramic semiconductive base body 10 having a surface O10 and a side surface S1Oa opposite the surface O10 is provided, wherein a metallic layer 40 is contained within the base body. The within the
Grundkörpers 10 angeordnete metallische Schicht 40 kann an mindestens zwei Stellen Ul, U2 unterbrochen sein. Die zu bei¬ den Seiten der Stellen Ul und U2 angeordneten Abschnitte der metallischen Schicht 40 gehören zu anderen Bauelementen. Die metallische Schicht 40 ist annährend parallel zu der Oberflä¬ che O10 beziehungsweise der Seitenfläche SlOa des Grundkör¬ pers im Inneren des Grundkörpers angeordnet. Der Grundkörper 10 mit der darin enthaltenen metallischen Schicht 40 kann als ein Wafer ausgebildet sein. In dem ersten in Figur 2A gezeigten Fertigungsschritt des Herstellungsverfahrens erfolgt das Laminieren, Verstapeln und Verpressen des Grundkörpers 10. In einem weiteren in Figur 2B dargestellten Fertigungsschritt wird der Wafer beziehungsweise Grundkörper 10 an der Seitenfläche SlOa mit mindestens zwei metallischen Schichten 210, die jeweils einen Teil der Kontakte 21 und 22 des elektri- sehen Bauelements bilden, strukturiert. Die metallischenBase 10 arranged metallic layer 40 may be interrupted at least two places Ul, U2. To the sides of the bodies at ¬ Ul and U2 arranged portions of the metallic layer 40 belong to other components. The metallic layer 40 is disposed approximately parallel to the Oberflä ¬ che O10 or the side surface of the SLOA Grundkör ¬ pers in the interior of the base body. The main body 10 with the metallic layer 40 contained therein may be formed as a wafer. In the first production step of the production method shown in FIG. 2A, the laminating, stacking and pressing of the main body 10 takes place. In a further production step illustrated in FIG. 2B, the wafer or main body 10 is structured on the side surface S1Oa with at least two metallic layers 210, which each form part of the contacts 21 and 22 of the electrical component. The metallic one
Schichten 210 werden dabei in einem Abstand getrennt voneinander auf der Seitenfläche SlOa des Grundkörpers angeordnet. Dazu kann beispielsweise eine dünne Schicht aus einem Materi¬ al aus Silber auf Abschnitte der Seitenfläche SlOa, die von- einander beabstandet sind, angebracht werden. Die mindestens zwei metallischen Schichten 210 werden auf der Seitenfläche SlOa des Grundkörpers 10 derart angeordnet, dass ein Bereich Bl und ein Bereich B2 der Seitenfläche SlOa des Grundkörpers 10 von den mindestens zwei weiteren metallischen Schichten unbedeckt ist. Die Bereiche Bl und B2 sind in Projektion un¬ ter den Stellen Ul und U2 angeordnet. Neben den Bereichen Bl und B2 sind metallische Schichten 210 angeordnet, die zu an¬ deren Bauelementen gehören. Die metallischen Schichten 210 bilden für das darunter liegenden Material des Grundkörpers eine Passivierungsschicht . Layers 210 are arranged at a distance apart from each other on the side surface SlOa of the main body. For this purpose, for example, a thin layer of a Materi ¬ al made of silver on portions of the side surface SlOa, which are spaced from each other, are attached. The at least two metallic layers 210 are arranged on the side surface SlOa of the base body 10 such that a region Bl and a region B2 of the side surface SlOa of the base body 10 are uncovered by the at least two further metallic layers. The areas Bl and B2 are the points Ul and U2 arranged in projection un ¬ ter. In addition to the areas Bl and B2 metallic layers 210 are arranged, which belong to ¬ their components. The metallic layers 210 form a passivation layer for the underlying material of the base body.
In einem weiteren Fertigungsschritt, der in Figur 2C gezeigt ist, wird die Anordnung aus dem Grundkörper 10 mit den darauf angebrachten strukturierten metallischen Schichten 210 gesin- tert. In a further production step, which is shown in FIG. 2C, the arrangement of the main body 10 with the structured metallic layers 210 mounted thereon is sintered.
Figur 2D zeigt einen weiteren Fertigungsschritt, der das Auf¬ bringen einer Passivierung auf einen Abschnitt der Seitenfläche SlOa zwischen den metallischen Schichten 210 umfasst. Als Passivierungsschicht kann zwischen den metallischen Schichten 210 der Kontakte 21 und 22 eine elektrisch isolierende Figure 2D shows a further manufacturing step, which bring the on ¬ comprises a passivation layer on a portion of the side surface SLOA between the metallic layers 210th As passivation layer, between the metallic layers 210 of the contacts 21 and 22 an electrically insulating
Schicht 30, beispielsweise aus einem Material aus Glas, ange¬ bracht werden. Die elektrisch isolierende Schicht 30 kann un- mittelbar auf einem Abschnitt der Seitenfläche SlOa des Layer 30, for example made of a material made of glass, be ¬ introduced . The electrically insulating layer 30 can be indirectly on a portion of the side surface SlOa of
Grundkörpers 10 zwischen den beabstandeten metallischen Main body 10 between the spaced metallic
Schichten 210 angeordnet werden. Dabei kann die Passivie- rungsschicht 30 auch auf Teilabschnitte der metallischen Schicht 210 aufgebracht werden. Die Bereiche Bl und B2 blei¬ ben weiterhin von einer Passivierung unbedeckt. Layers 210 are arranged. In this case, the passivation layer 30 can also be applied to partial sections of the metallic layer 210. The areas Bl and B2 lead ¬ ben still uncovered by a passivation.
In dem in Figur 2E gezeigten weiteren Fertigungsschritt werden die Kontakte 21 und 22 fertig gestellt, indem auf die me- tallischen Schichten 210 jeweils die Kontaktschichten 220 aufgebracht werden. Dazu kann auf der metallischen Schicht 210 ein Material, das beispielsweise Nickel und/oder Gold aufweist, aufgebracht werden. Beispielsweise kann auf jeder der metallischen Schichten 210 zunächst eine Teilschicht 221, die Nickel enthält, und auf die Teilschicht 221 nachfolgend eine Teilschicht 222, die Gold enthält, aufgebracht werden. Das Aufbringen der Kontaktschichten 220 auf die metallischen Schichten 210 kann durch einen chemischen Prozess stromlos erfolgen . In the further production step shown in FIG. 2E, the contacts 21 and 22 are completed by applying the contact layers 220 to the metallic layers 210 in each case. For this purpose, a material, which has, for example, nickel and / or gold, can be applied to the metallic layer 210. For example, on each of the metallic layers 210, first a sub-layer 221 containing nickel and subsequently to the sub-layer 221 a sub-layer 222 containing gold may be deposited. The application of the contact layers 220 on the metallic layers 210 can be effected by a chemical process without current.
Durch den chemischen Prozess zum Aufbringen der Kontaktschichten 220, an dem Säuren beziehungsweise Basen beteiligt sind, wird während des Aufbringens der Kontaktschichten 220 das Material des Grundkörpers an den nicht passivierten Be- reichen Bl und B2 geätzt. Dabei wird ausgehend von den nicht passivierten Bereichen Bl, B2 an der Seitenfläche SlOa des Grundkörpers ein Graben G in den Grundkörper geätzt. Das Ät¬ zen erfolgt beispielsweise anisotrop. Durch den chemischen Prozess des Aufbringens der Kontaktschichten 210 wird das Ma- terial des Grundkörpers bis zu einer Oberfläche OG des Gra¬ bens entfernt. Das Material des Grundkörpers 10 kann an den Bereichen Bl und B2 so weit entfernt werden, dass die Oberfläche des Grabens zwischen der metallischen Schicht 210 und der metallischen Schicht 40 liegt. Unter einem Bereich B0 der Seitenfläche SlOa, der von den als Passivierungsschichten wirkenden metallischen Schichten 210 und der elektrische isolierenden Schicht 30 bedeckt ist, ist das Ätzen des Materials des Grundkörpers verhindert. As a result of the chemical process for applying the contact layers 220, in which acids or bases are involved, during the application of the contact layers 220, the material of the base body is etched on the non-passivated regions B1 and B2. In this case, starting from the non-passivated areas Bl, B2 on the side surface SlOa of the base body, a trench G is etched into the base body. The Aet ¬ zen done, for example anisotropic. Due to the chemical process of applying the contact layers 210, the material of the main body is removed up to a surface OG of the Gra ¬ bens. The material of the base body 10 can be removed at the areas Bl and B2 so far that the surface of the trench between the metallic layer 210 and the metallic layer 40 is located. Under a region B0 of the side surface SlOa which is covered by the metallic layers 210 acting as passivation layers and the electrical insulating layer 30, the etching of the material of the base body is prevented.
Des Weiteren wird auch das Material des Grundkörpers an der nicht passivierten Oberfläche O10 in Richtung auf die metal¬ lische Schicht 40 geätzt. Das zwischen der Oberfläche O10 und der metallischen Schicht 40 vorhandene Material des Grundkör¬ pers stellt eine Opferschicht dar, die während des chemischen Prozesses des Aufbringens der Kontaktschichten ausgehend von der Oberfläche O10 bis zu einer Oberfläche O10' entfernt wird. Wenn der Bereich zwischen der ursprünglichen Oberfläche O10 und der metallischen Schicht 40 die anfängliche Dicke der Opferschicht darstellt, kann die Oberfläche O10' der Opfer¬ schicht nach dem Einwirken des chemischen Prozesses zum Aufbringen der Kontaktflächen 220 zwischen der ursprünglichen Oberfläche O10 der Opferschicht und der metallischen Schicht 40 liegen. Somit nimmt die Schichtdicke des Grundkörpers oberhalb der metallischen Schicht 40 während des chemischen Prozesses zum Aufbringen der Kontaktschicht 220 weiter ab. Furthermore, the material of the base body in the non-passivated surface O10 is etched in the direction of the metal ¬ metallic layer 40th The O10 between the surface and the metallic layer 40 existing material of the Grundkör ¬ pers is a sacrificial layer that is removed during the chemical process of applying the contact layers, starting from the surface to a surface O10 O10 '. If the range between the original surface O10 and the metallic layer 40 represents the initial thickness of the sacrificial layer, the surface O10 can 'the sacrificial ¬ layer after exposure to the chemical process for applying the contact surfaces 220 between the initial surface O10 of the sacrificial layer and the metallic Layer 40 are. Thus, the layer thickness of the base body above the metallic layer 40 further decreases during the chemical process for applying the contact layer 220.
Figur 2F zeigt als weiteren Fertigungsschritt das Vereinzeln des elektrischen Bauelemente 1 aus dem Wafer 10. Dazu können in einem weiteren Ätzprozess, der beispielsweise anisotrop erfolgt, die bereits bei dem chemischen Prozess des Aufbrin¬ gens der Kontaktflächen 220 ausgebildeten Gräben an den Bereichen Bl und B2 weiter geätzt werden, bis das Material des Grundkörpers unter den Unterbrechungen Ul und U2 der metallischen Schicht 40 komplett entfernt ist. Ausgehend von der Oberfläche OG des während des chemischen Prozesses vorgeätz¬ ten Grabens kann das Material des Grundkörpers nun bis min- destens zu der metallischen Schicht 40 entfernt werden. Des Weiteren kann das noch über der metallischen Schicht 40 vorhandene Material des keramisch halbleitenden Grundkörpers, das die Opferschicht bildet, bis auf die metallische Schicht 40 weggeätzt werden. Die metallische Schicht 40 wirkt als ei¬ ne Ätzstoppschicht, so dass das darunter liegende Material des Grundkörpers nicht weiter geätzt wird. Somit können die Bauelemente aus dem Waferverbund vereinzelt werden. Neben dem Ätzen kann das Vereinzeln alternativ durch ein Ausbrechen der einzelnen Bauelemente aus dem Waferverbund erfolgen. Figure 2F shows a further manufacturing step this purpose, in a further etching process, which takes place, for example, anisotropic, the separation of the electrical components 1 from the wafer 10, the trenches at the regions Bl and B2 formed already in the chemical process of Aufbrin ¬ gens of the contact surfaces 220 be further etched until the material of the body is completely removed under the interruptions Ul and U2 of the metallic layer 40. Starting from the surface of the floor during the chemical process vorgeätz ¬ th trench, the material of the base body can now to min- at least to the metallic layer 40 are removed. Furthermore, the material of the ceramic semiconducting base body, which still forms over the metallic layer 40, which forms the sacrificial layer, can be etched down to the metallic layer 40. The metallic layer 40 acts as egg ¬ ne etch stop layer so that the underlying material of the base body is not etched. Thus, the components can be separated from the wafer composite. In addition to the etching, the separation can alternatively be effected by breaking the individual components out of the wafer composite.
Figur 3A zeigt eine weitere Ausführungsform 2 des elektrischen Bauelements, das beispielsweise zum Schutz vor elektro¬ statischer Entladung oder als Sensor einsetzbar ist, in einer Queransicht. Das elektrostatische Bauelement umfasst einen keramisch halbleitenden Grundkörper 10, der eine Oberfläche O10 und eine der Oberfläche O10 gegenüberliegende Seitenflä¬ che SlOa aufweist. Im Inneren des Materials des keramisch halbleitenden Grundkörpers 10 ist eine metallische Schicht 40 vorgesehen. Die metallische Schicht 40 kann beispielsweise ein Material aus Silber aufweisen. Auf der Seitenfläche SlOa des keramisch halbleitenden Grundkörpers 10 sind voneinander beabstandet mindestens zwei Kontakte 21 und 22 angeordnet. Jeder der Kontakte 21 und 22 umfasst eine metallische Schicht 210 und eine Kontaktschicht 220. Die metallische Schicht 210 des jeweiligen Kontakts ist unmittelbar auf der Seitenfläche SlOa des Grundkörpers angeordnet und kann beispielsweise ein Material aus Silber enthalten. Die jeweilige Kontaktschicht 220 eines jeden der Kontakte ist auf der jeweiligen metallischen Schicht 210 angeordnet. Die Kontaktschicht 220 kann beispielsweise ein Material aus Ni¬ ckel und/oder Gold aufweisen. Die Kontaktschicht 220 kann beispielsweise eine Teilschicht 221 aufweisen, die auf der metallischen Schicht 210 des jeweiligen Kontakts angeordnet ist. Eine weitere Teilschicht 222 der Kontaktschicht 220 kann auf der Teilschicht 221 angeordnet sein. Die Teilschicht 221 kann beispielsweise ein Material aus Nickel und die Teil¬ schicht 222 kann ein Material aus Gold enthalten. Figure 3A shows another embodiment of the electrical component 2, which is used, for example for protection against electrostatic discharge ¬ or as a sensor, in a transverse view. The electrostatic component comprises a ceramic semiconductive base body 10 which has a surface O10 and a surface area O10 opposite Seitenflä ¬ che SlOa. Inside the material of the ceramic semiconductive body 10, a metallic layer 40 is provided. The metallic layer 40 may comprise, for example, a material of silver. At least two contacts 21 and 22 are arranged on the side surface SlOa of the ceramic semiconductive base body 10 at a distance from one another. Each of the contacts 21 and 22 comprises a metallic layer 210 and a contact layer 220. The metallic layer 210 of the respective contact is disposed directly on the side surface SlOa of the main body and may, for example, contain a silver material. The respective contact layer 220 of each of the contacts is disposed on the respective metallic layer 210. The contact layer 220 may for example comprise a material selected from Ni ¬ ckel and / or gold. The contact layer 220 may For example, have a sub-layer 221, which is disposed on the metallic layer 210 of the respective contact. A further partial layer 222 of the contact layer 220 may be arranged on the partial layer 221. The sub-layer 221 may, for example, 222 may include a material selected from gold, a material made of nickel and the partial ¬ layer.
Zwischen den Kontakten 21 und 22 ist wie bei der in Figur 1A und 1B gezeigten Variante des elektrischen Bauelements eine elektrisch isolierende Schicht 30 als Passivierung vorgese¬ hen. Die elektrisch isolierende Schicht 30 kann auf einem Ab¬ schnitt der Seitenfläche SlOa zwischen den metallischen Between the contacts 21 and 22 is provided as a passivation vorgese ¬ hen as that shown in Figure 1A and 1B variant of the electrical component, an electrically insulating layer 30th The electrically insulating layer 30 may be on a Ab ¬ section of the side surface SlOa between the metallic
Schichten 210 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht 30 ist derart ausgebildet, dass sowohl die metallische Schicht 210 als auch die Kontaktschicht 220 der jeweiligen Kontakte 21 und 22 voneinander elektrisch isoliert sind. Layers 210 may be arranged. The passivation layer 30 is formed such that both the metallic layer 210 and the contact layer 220 of the respective contacts 21 and 22 are electrically insulated from each other.
Figur 3B zeigt eine Draufsicht auf die in Figur 3A gezeigte Ausführungsform des elektrischen Bauelements 2. Auf der Un- terseite des elektrischen Bauelements sind die Kontakte 21 und 22, insbesondere die Kontaktschichten 220 der jeweiligen Kontakte 21 und 22, angeordnet, die durch die elektrisch iso¬ lierende Schicht 30 elektrisch voneinander isoliert sind. Das in den Figuren 3A und 3B gezeigte elektrische Bauelement 2 lässt sich beispielsweise mit einer Bauteilhöhe H von 50 ym gemessen zwischen der Oberfläche O10 und den Kontaktschichten 220 realisieren. Die Breite B des Bauelements kann 100 ym und die Länge L kann 250 ym betragen. Dabei können die Kontakte 21 und 22 jeweils eine Länge LI von 50 ym und die elektrisch isolierende Schicht 30 eine Länge L2 von 150 ym aufweisen. Das Bauelement gemäß der Ausführungsform 2 kann beispielswei¬ se dadurch hergestellt werden, indem im letzten Fertigungs- schritt der Figur 2E die über der metallischen Schicht 40 angeordnete Opferschicht des Grundkörpers 10 nicht vollständig bis auf die metallische Schicht 40 entfernt wird. Figur 4A zeigt eine weitere Ausführungsform 3 des elektrischen Bauelements, das beispielsweise zum Schutz vor elektro¬ statischer Entladung oder als Sensor einsetzbar ist, in einer Queransicht. Ähnlich der in Figur 1 gezeigten Ausführungsform weist das elektrische Bauelement einen keramisch halbleiten- den Grundkörper 10 auf. Auf einer Seitenfläche SlOa des FIG. 3B shows a plan view of the embodiment of the electrical component 2 shown in FIG. 3A. On the underside of the electrical component, the contacts 21 and 22, in particular the contact layers 220 of the respective contacts 21 and 22, are arranged ¬ lierende layer 30 are electrically isolated from each other. The electrical component 2 shown in FIGS. 3A and 3B can be realized, for example, with a component height H of 50 μm measured between the surface O10 and the contact layers 220. The width B of the device may be 100 ym and the length L may be 250 ym. In this case, the contacts 21 and 22 each have a length LI of 50 ym and the electrically insulating layer 30 have a length L2 of 150 ym. The device according to the embodiment 2 can beispielswei ¬ se be prepared by the last production 2E, the sacrificial layer of the main body 10 arranged above the metallic layer 40 is not removed completely down to the metallic layer 40. Figure 4A shows a further embodiment of the electrical component 3, which is used, for example for protection against electrostatic discharge ¬ or as a sensor, in a transverse view. Similar to the embodiment shown in FIG. 1, the electrical component has a ceramic semiconductive base body 10. On a side surface SlOa of the
Grundkörpers 10 sind voneinander beabstandet mindestens zwei Kontakte angeordnet. Bei dem in Figur 4A gezeigten Ausführungsbeispiel ist das elektrische Bauelement als ein Array mit mehr als zwei Kontakten ausgebildet. Das Bauelement kann beispielsweise vier Kontakte 21, 22, 23 und 24 aufweisen. Bei der in Figur 4A gezeigten Queransicht sind lediglich die Kontakte 21 und 22 sichtbar.  Base 10 are spaced from each other at least two contacts. In the embodiment shown in Figure 4A, the electrical component is formed as an array with more than two contacts. The device may, for example, four contacts 21, 22, 23 and 24 have. In the transverse view shown in Figure 4A only the contacts 21 and 22 are visible.
Jeder der Kontakte 21 und 22 weist eine metallische Schicht 210, beispielsweise eine Schicht aus Silber, auf, die auf der Seitenfläche SlOa beabstandet zueinander angeordnet sind. Des Weiteren weisen die Kontakte jeweils eine Kontaktschicht 220 auf, die auf der jeweiligen metallischen Schicht 210 der Kontakte angeordnet ist. Die Kontaktschicht 220 kann ein Materi- al aus Nickel und/oder Gold aufweisen. Die Kontaktschicht 220 kann beispielsweise eine Teilschicht 221 und eine Teilschicht 222 aufweisen. Die Teilschicht 221 ist unmittelbar auf der metallischen Schicht 210 des jeweiligen Kontakts angeordnet. Die Teilschicht 222 ist auf der Teilschicht 221 des jeweili- gen Kontakts angeordnet. Die Teilschicht 221 kann beispiels¬ weise ein Material aus Nickel und die Teilschicht 222 kann ein Material aus Gold enthalten. Zwischen den beiden Kontakten 21 und 22 ist eine elektrisch isolierende Schicht 30 angeordnet, durch die die Kontakte 21 und 22 und somit die jeweilige metallische Schicht 210 und die jeweilige Kontaktschicht 220 der Kontakte elektrisch von- einander isoliert sind. Die elektrisch isolierende Schicht 30 kann beispielsweise unmittelbar auf einem Abschnitt der Sei¬ tenfläche SlOa des Grundkörpers 10 zwischen den metallischen Schichten 210 angeordnet sein. Die elektrisch isolierende Schicht stellt eine Passivierungsschicht dar und kann bei- spielsweise ein Material aus Glas aufweisen. Each of the contacts 21 and 22 has a metallic layer 210, for example a layer of silver, which are arranged on the side surface SlOa spaced from each other. Furthermore, the contacts each have a contact layer 220, which is arranged on the respective metallic layer 210 of the contacts. The contact layer 220 may comprise a material of nickel and / or gold. The contact layer 220 may include, for example, a sub-layer 221 and a sub-layer 222. The sub-layer 221 is disposed directly on the metallic layer 210 of the respective contact. The sub-layer 222 is arranged on the sub-layer 221 of the respective contact. The sub-layer 221 may ¬ example, a material made of nickel, and the sub-layer 222 may contain a material of gold. Between the two contacts 21 and 22, an electrically insulating layer 30 is arranged, through which the contacts 21 and 22 and thus the respective metallic layer 210 and the respective contact layer 220 of the contacts are electrically isolated from each other. The electrically insulating layer 30 may for example be arranged directly on a section of the Be ¬ tenfläche SLOA of the base body 10 between the metallic layers 210th The electrically insulating layer represents a passivation layer and may, for example, comprise a material made of glass.
Figur 4B zeigt die in Figur 4A gezeigte Ausführungsform 3 des elektrischen Bauelements in Draufsicht auf die Kontakte 21, 22, 23 und 24 und die elektrisch isolierende Schicht 30. Wie in Figur 4B dargestellt, sind die Kontakte 21, 22, 23 und 24 durch die dazwischen angeordnete elektrisch isolierende FIG. 4B shows the electrical component embodiment 3 of the electrical component shown in FIG. 4A in plan view of the contacts 21, 22, 23 and 24 and the electrically insulating layer 30. As shown in FIG. 4B, the contacts 21, 22, 23 and 24 are through the interposed electrically insulating
Schicht 30 hochohmig voneinander getrennt beziehungsweise voneinander elektrisch isoliert. Bei der in den Figuren 4A und 4B gezeigten Ausführungsform kann das elektrische Bauelement 3 zwischen der metallischen Schicht 40 und den Kontaktflächen 220 eine Bauteilhöhe H von 50 ym aufweisen. Im Unterschied zu den Ausführungsformen 1 und 2 des elektrischen Bauelements weist die Ausführungsform 3 des elektrischen Bauelements eine quadratische Grundfläche auf. Das elektrische Bauelement kann beispielsweise eine Breite B und eine Länge L von 250 ym aufweisen. Dabei können die Kontakte jeweils eine Breite Bl von 100 ym und die elekt¬ risch isolierende Schicht eine Breite B2 von 50 ym aufweisen. Die Kontakte können jeweils eine Länge LI von 50 ym und die elektrisch isolierende Schicht kann eine Länge L2 von 150 ym aufweisen . Figur 5A zeigt die Ausführungsform 1 des elektrischen Bauelements in Form eines passivierten Keramikchips, der den Grund¬ körper 10, die Kontakte 21 und 22, die dazwischen angeordnete elektrisch isolierende Schicht 30 und die weitere metallische Schicht 40 aufweist. Mit einer derartigen Struktur lässt sich beispielsweise ein ESD-Bauelement mit einem Multilagenva¬ ristor beziehungsweise ein als Sensor einsetzbares Bauelement mit einem Multilagen-NTC (Negative Temperature Coefficient) - Widerstand realisieren. Layer 30 high impedance separated or electrically isolated from each other. In the embodiment shown in FIGS. 4A and 4B, the electrical component 3 between the metallic layer 40 and the contact surfaces 220 may have a component height H of 50 μm. In contrast to the embodiments 1 and 2 of the electrical component, the embodiment 3 of the electrical component has a square base. The electrical component may for example have a width B and a length L of 250 ym. The contacts can each have a width Bl of 100 ym and the elekt ¬ driven insulating layer has a width B2 of 50 ym. The contacts may each have a length LI of 50 ym and the electrically insulating layer may have a length L2 of 150 ym. Figure 5A shows the embodiment 1 of the electrical component in the form of a passivated ceramic chip that includes the basic ¬ body 10 which has contacts 21 and 22, the interposed electrically insulating layer 30 and the further metallic layer 40th With such a structure, an ESD device with a Multilagenva ¬ RISTOR or a use as a sensor device can be a multilayer NTC (negative temperature coefficient), for example - realize resistance.
Figur 5B zeigt eine Realisierung des Bauelements als Va¬ ristor, so dass das Bauelement beispielsweise als ESD- Schutzbauelement einsetzbar ist. Bei der Ausführungsform als Multilagenvaristor enthält der Grundkörper 10 des Bauelements beispielsweise ein Material aus Zinkoxid und Praseodym, bei¬ spielsweise ZnO(Pr). Beispielsweise kann mit Praseodym do¬ tiertes Zinkoxid als Material des Grundkörpers 10 vorgesehen werden. Es kann auch alternativ dazu ein Material aus Zinkoxid und Bismut, beispielsweise ZnO(Bi) verwendet werden. Die Kontakte 21 und 22 bilden jeweils einen Anschluss zum Anlegen eines Bezugspotentials, beispielsweise des Massepotentials. Die metallische Schicht 40 hat neben der Funktion als Figure 5B shows an implementation of the device as Va ¬ RISTOR, so that the component can be used for example as ESD protection component. In the embodiment as Multilagenvaristor the base body 10 of the device contains, for example, a material made of zinc oxide, and praseodymium, wherein ¬ play, ZnO (Pr). For example, do ¬ patented zinc oxide can be provided as the material of the base body 10 with praseodymium. Alternatively, a material of zinc oxide and bismuth, for example ZnO (Bi) may be used. The contacts 21 and 22 each form a terminal for applying a reference potential, for example, the ground potential. The metallic layer 40 has besides the function as
Ätzstopplayer während der Herstellung im späteren Betrieb des Bauelements die Funktion einer stromtragenden Elektrode. Zwi- sehen der stromtragenden Elektrode 40 und dem Kontakt 21 bil¬ det der keramisch halbleitende Grundkörper einen spannungsabhängigen Widerstand Rl aus. Zwischen der stromtragenden Ätzstopplayer during manufacture during later operation of the device, the function of a current-carrying electrode. See intermediate from the current-carrying electrode 40 and the contact 21 bil ¬ det of the semiconductive ceramic body a voltage-dependent resistor Rl. Between the current-carrying
Elektrode in Form der metallischen Schicht 40 und dem Kontakt 22 bildet der keramisch halbleitende Grundkörper 10 einen weiteren spannungsabhängigen Widerstand R2 aus. Electrode in the form of the metallic layer 40 and the contact 22 of the ceramic semiconductive body 10 forms a further voltage-dependent resistor R2.
Figur 5C zeigt ein Ersatzschaltbild des Bauelements, wenn als Material des Grundkörpers ein Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten, beispielsweise ein NTC-Material verwendet wird. In diesem Fall kann das Bauelement als ein kera¬ mischer Sensor verwendet werden. Der Grundkörper 10 bildet zwischen den Kontakten 21 und 22 und der metallischen Schicht 40 jeweils einen temperaturabhängigen Widerstand R3 und R4 aus. Die Kontakte 21 und 22 können als Anschlüsse zum Anlegen eines Bezugspotentials, beispielsweise des Massepotentials, verwendet werden. Die metallische Schicht 40 hat im Betrieb des Bauelements die Funktion einer stromtragenden Elektrode. Zwischen der metallischen Schicht 40 und dem Kontakt 21 bildet der keramisch halbleitende Grundkörper 10 den temperaturabhängigen Widerstand R3. Zwischen der metallischen Schicht 40 und dem Kontakt 22 bildet der keramisch halbleitende FIG. 5C shows an equivalent circuit diagram of the component, if the material of the basic body is a material with a negative Temperature coefficient, for example, an NTC material is used. In this case, the device can be used as a kera ¬ mix sensor. The main body 10 forms between the contacts 21 and 22 and the metallic layer 40 each have a temperature-dependent resistor R3 and R4. The contacts 21 and 22 can be used as terminals for applying a reference potential, for example, the ground potential. The metallic layer 40 has the function of a current-carrying electrode during operation of the device. Between the metallic layer 40 and the contact 21 of the ceramic semiconductive body 10 forms the temperature-dependent resistor R3. Between the metallic layer 40 and the contact 22 of the ceramic semiconducting forms
Grundkörper 10 den weiteren temperaturabhängigen Widerstand R4 aus. Base 10 from the further temperature-dependent resistor R4.
Bezugs zeichenliste Reference sign list
1, 2, 3 Ausführungsformen des elektrischen Bauelements1, 2, 3 embodiments of the electrical component
10 keramisch halbleitender Grundkörper 10 ceramic semi-conductive body
21, 22 Kontakte  21, 22 contacts
30 elektrisch isolierende Schicht  30 electrically insulating layer
40 metallische Schicht  40 metallic layer
210 metallische Schicht  210 metallic layer
220 KontaktSchicht  220 contact layer
221, 222 Teilschichten der Kontaktschicht  221, 222 partial layers of the contact layer
Rl, R2 spannungsabhängige Widerstände  Rl, R2 voltage-dependent resistors
R3, R4 temperaturabhängige Widerstände  R3, R4 temperature-dependent resistors

Claims

Patentansprüche claims
Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements, umfassend : A method of manufacturing an electrical device, comprising:
- Bereitstellen eines keramisch halbleitenden Grundkörpers (10) mit einer Oberfläche (O10) und einer der Ober¬ fläche (O10) gegenüberliegenden ersten Seitenfläche (SlOa) , wobei innerhalb des Grundkörpers eine metalli¬ sche Schicht (40) enthalten ist, - Providing a ceramic semiconducting base body (10) having a surface (O10) and a top surface ¬ (O10) opposite the first side surface (SlOa), wherein within the body a Metalli ¬ cal layer (40) is included,
- Anordnen von mindestens zwei weiteren metallischen Schichten (210) getrennt voneinander auf der Seitenflä¬ che (SlOa) des Grundkörpers, - placing at least two additional metal layers (210) separated from each other on the surface Seitenflä ¬ (SLOA) of the base body,
- Sintern der Anordnung aus dem Grundkörper (10) und den weiteren metallischen Schichten (210),  Sintering the assembly of the base body (10) and the further metallic layers (210),
- Anordnen einer elektrisch isolierenden Schicht (30) auf der ersten Seitenfläche (SlOa) zwischen den mindes¬ tens zwei weiteren metallischen Schichten (210), - arranging an electrically insulating layer (30) on the first side surface (SLOA) between the Minim ¬ least two further metallic layers (210)
- Anordnen von jeweils einer Kontaktschicht (220) auf den mindestens zwei weiteren metallischen Schichten - Arranging each of a contact layer (220) on the at least two further metallic layers
(210) mittels eines chemischen Prozesses, wobei das Ma¬ terial des Grundkörpers (10) durch den chemischen Pro- zess ausgehend von der Oberfläche (O10) des Grundkörpers(210) by means of a chemical process, wherein the Ma ¬ material of the base body (10) by the chemical process, starting from the surface (O10) of the body
(10) bis höchstens zu der innerhalb des Grundkörpers an¬ geordneten metallischen Schicht (40) entfernt wird. (10) is removed at most to the within the body to ¬ ordered metallic layer (40).
Verfahren nach Anspruch 1, Method according to claim 1,
- wobei die innerhalb des Grundkörpers (10) angeordnete metallische Schicht (40) an mindestens zwei Stellen (Ul, U2) unterbrochen ist,  - Wherein within the base body (10) arranged metallic layer (40) at at least two points (Ul, U2) is interrupted,
- wobei die mindestens zwei weiteren metallischen  - wherein the at least two further metallic
Schichten (210) auf der ersten Seitenfläche (SlOa) des Grundkörpers (10) derart angeordnet sind, dass ein ers¬ ter und zweiter Bereich (Bl, B2) der ersten Seitenfläche (SlOa) des Grundkörpers von den mindestens zwei weiteren metallischen Schichten (210) unbedeckt ist, Layers (210) on the first side surface (SlOa) of the base body (10) are arranged such that a ers ¬ ter and second region (Bl, B2) of the first side surface (SlOa) of the main body of the at least two further metallic layers (210) is uncovered,
- wobei durch den chemischen Prozess das Material des Grundkörpers (10) an den Bereichen (Bl, B2) der ersten Seitenfläche (SlOa) des Grundkörpers (10) geätzt wird. - Wherein by the chemical process, the material of the base body (10) at the areas (Bl, B2) of the first side surface (SlOa) of the base body (10) is etched.
Verfahren nach Anspruch 2, Method according to claim 2,
wobei ein Vereinzeln des elektrischen Bauelements (1, 2, 3) aus dem Material des Grundkörpers (10) durch einen auf den chemischen Prozess nachfolgenden Ätzprozess erfolgt . wherein separation of the electrical component (1, 2, 3) from the material of the base body (10) is effected by an etching process subsequent to the chemical process.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, Method according to one of claims 1 to 3,
wobei ein Ätzen des Materials des Grundkörpers an einem Bereich (B0) des Grundkörpers (10), der von den mindes¬ tens zwei weiteren metallischen Schichten (210) und von der elektrisch isolierenden Schicht (30) bedeckt ist, verhindert wird. wherein etching the material of the base body to an area (B0) of the base body (10) of the Minim ¬ least two further metallic layers (210) and the electrically insulating layer (30) is covered, is prevented.
Verfahren nach Anspruch 4, Method according to claim 4,
wobei die metallische Schicht (40) innerhalb des Grund¬ körpers derart angeordnet ist, dass das elektrische Bau¬ teil (1, 2, 3) zwischen der innerhalb des Grundkörpers (10) angeordneten metallischen Schicht (40) und den Kontaktschichten (220) eine Dicke von höchstens 150 ym und vorzugsweise von 50 ym aufweist. wherein the metallic layer (40) within the base ¬ body is arranged such that the electrical construction ¬ part (1, 2, 3) between the inside of the base body (10) arranged metal layer (40) and the contact layers (220) a Thickness of at most 150 ym and preferably of 50 ym.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, Method according to one of claims 1 to 5,
wobei der keramisch halbleitende Grundkörper (10) ein Material aus Zinkoxid und Praseodym oder ein Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten enthält. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wherein the ceramic semiconductive body (10) contains a material of zinc oxide and praseodymium or a material having a negative temperature coefficient. Method according to one of claims 1 to 6,
wobei die elektrisch isolierende Schicht (30) ein Mate¬ rial aus Glas oder Siliziumnitrid oder Siliziumkarbid oder Aluminiumoxid oder ein Polymer enthält und die me¬ tallische Schicht (40) und die weiteren metallischen Schichten (210) ein Material aus Silber enthalten. wherein the electrically insulating layer (30) comprises a mate rial ¬ contains glass or silicon nitride or silicon carbide or alumina, or a polymer and the me ¬-metallic layer (40) and the further metallic layers (210) contain a material made of silver.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, Method according to one of claims 1 to 7,
wobei die Kontaktschicht (220) ein Material aus Nickel und/oder Gold und/oder Palladium und/oder Zinn und/oder Silber enthält. wherein the contact layer (220) comprises a material of nickel and / or gold and / or palladium and / or tin and / or silver.
Elektrisches Bauelement, umfassend: Electrical component comprising:
- einen keramisch halbleitenden Grundkörper (10) mit einer ersten Seitenfläche (SlOa) , auf der mindestens zwei voneinander beabstandete Kontakte (21, 22) angeordnet sind, und einer der ersten Seitenfläche (SlOa) gegenü¬ berliegende zweite Seitenfläche (SlOb) , auf der eine me¬ tallische Schicht (40) angeordnet ist, - a ceramic semi-conductive base body (10) having a first side surface (SLOA) on which at least two spaced apart contacts (21, 22) are arranged, and one of the first side surface (SLOA) gegenü ¬ berliegende second side surface (slob) on which a ¬ me-metallic layer (40) is arranged,
- wobei jeder der Kontakte (21, 22) eine weitere metal¬ lische Schicht (210), die auf der ersten Seitenfläche (SlOa) des Grundkörpers angeordnet ist, und eine Kon¬ taktschicht (220), die auf der weiteren metallischen Schicht (210) angeordnet ist, aufweist, - each of said contacts (21, 22), a further metal ¬ metallic layer (210) (SLOA) of the base body is disposed on the first side surface, and a con ¬ clock layer (220) (on the further metallic layer 210 ),
- wobei zwischen den mindestens zwei Kontakten (21, 22) eine elektrisch isolierende Schicht (30), durch die die mindestens zwei Kontakte (21, 22) voneinander elektrisch isoliert sind, angeordnet ist,  - wherein between the at least two contacts (21, 22) an electrically insulating layer (30) through which the at least two contacts (21, 22) are electrically isolated from each other, is arranged,
- wobei das elektrische Bauelement zwischen der metalli¬ schen Schicht (40) und der jeweiligen Kontaktschicht (210) der Kontakte (21, 22) eine Bauteilhöhe (H) von höchstens 150 ym und vorzugsweise von 50 ym aufweist. Elektrisches Bauelement, umfassend: - Wherein the electrical component between the Metalli ¬ 's layer (40) and the respective contact layer (210) of the contacts (21, 22) has a component height (H) of at most 150 ym and preferably of 50 ym. Electrical component comprising:
- einen keramisch halbleitenden Grundkörper (10) mit einer Oberfläche (O10) und einer der Oberfläche (O10) ge¬ genüberliegenden ersten Seitenfläche (SlOa) , auf der mindestens zwei voneinander beabstandete Kontakte (21, 22) angeordnet sind, - a ceramic semi-conductive base body (10) having a surface (O10) and a surface (O10) ge ¬ genüberliegenden first side surface (SLOA) on which at least two spaced apart contacts (21, 22) are arranged,
- wobei innerhalb des Grundkörpers (10) eine metallische Schicht (40) angeordnet ist,  - wherein within the base body (10) a metallic layer (40) is arranged,
- wobei jeder der Kontakte (21, 22) eine weitere metal¬ lische Schicht (210), die auf der ersten Seitenfläche (SlOa) des Grundkörpers angeordnet ist, und eine Kon¬ taktschicht (220), die auf der weiteren metallischen Schicht (210) angeordnet ist, aufweist, - each of said contacts (21, 22), a further metal ¬ metallic layer (210) (SLOA) of the base body is disposed on the first side surface, and a con ¬ clock layer (220) (on the further metallic layer 210 ),
- wobei zwischen den mindestens zwei Kontakten (21, 22) eine elektrisch isolierende Schicht (30), durch die die mindestens zwei Kontakte (21, 22) voneinander elektrisch isoliert sind, angeordnet ist,  - wherein between the at least two contacts (21, 22) an electrically insulating layer (30) through which the at least two contacts (21, 22) are electrically isolated from each other, is arranged,
- wobei das elektrische Bauelement zwischen der Oberflä¬ che (O10) und der jeweiligen Kontaktschicht (210) der Kontakte (21, 22) eine Bauteilhöhe (H) von höchstens 150 ym und vorzugsweise von 50 ym aufweist. - Wherein the electrical component between the Oberflä ¬ surface (O10) and the respective contact layer (210) of the contacts (21, 22) has a component height (H) of at most 150 ym and preferably of 50 ym.
Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 9 oder 10, Electrical component according to one of claims 9 or 10,
wobei der keramisch halbleitende Grundkörper (10) ein Material aus Zinkoxid und Praseodym oder ein Material mit einem negativen Temperaturkoeffizienten enthält. wherein the ceramic semiconductive body (10) contains a material of zinc oxide and praseodymium or a material having a negative temperature coefficient.
Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 11, Electrical component according to one of Claims 9 to 11,
wobei die elektrisch isolierende Schicht (30) auf der ersten Seitenfläche (SlOa) des Grundkörpers (10) ange¬ ordnet ist. wherein the electrically insulating layer (30) on the first side surface (SlOa) of the base body (10) is arranged ¬ .
13. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 12, 13. Electrical component according to one of claims 9 to 12,
wobei die elektrisch isolierende Schicht (30) ein Mate¬ rial aus Glas oder Siliziumnitrid oder Siliziumkarbid oder Aluminiumoxid oder ein Polymer enthält. wherein the electrically insulating layer (30) contains a mate ¬ material of glass or silicon nitride or silicon carbide or aluminum oxide or a polymer.
14. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 13, 14. Electrical component according to one of claims 9 to 13,
wobei mindestens eine der metallischen und der weiteren metallischen Schichten (40, 210) ein Material aus Silber enthält .  wherein at least one of the metallic and further metallic layers (40, 210) comprises a silver material.
15. Elektrisches Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 14, 15. Electrical component according to one of claims 9 to 14,
wobei die Kontaktschicht (220) ein Material aus Nickel und/oder Gold und/oder Palladium und/oder Zinn und/oder Silber enthält.  wherein the contact layer (220) comprises a material of nickel and / or gold and / or palladium and / or tin and / or silver.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104198079A (en) 2014-07-30 2014-12-10 肇庆爱晟电子科技有限公司 Quick response thermosensitive chip with high precision and reliability and manufacturing method thereof
DE102014219913A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Surge protection device with monitoring function
USD778846S1 (en) * 2014-12-15 2017-02-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
USD778847S1 (en) * 2014-12-15 2017-02-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
WO2017036511A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Epcos Ag Electric multilayer component for surface-mount technology and method of producing an electric multilayer component
WO2018216452A1 (en) 2017-05-23 2018-11-29 株式会社村田製作所 Electronic component and method for manufacturing electronic component
DE102017111415A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 Epcos Ag Electrical component with fuse element
EP3769327A1 (en) 2018-03-19 2021-01-27 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus
JP7431798B2 (en) 2018-07-18 2024-02-15 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション Varistor passivation layer and its manufacturing method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1551999A (en) * 1967-10-20 1969-01-03
US4200970A (en) * 1977-04-14 1980-05-06 Milton Schonberger Method of adjusting resistance of a thermistor
JPH06302406A (en) * 1993-04-19 1994-10-28 Mitsubishi Materials Corp Chip-type thermistor and its manufacture
WO1995034083A1 (en) * 1994-06-09 1995-12-14 Chipscale, Inc. Resistor fabrication
DE19646441A1 (en) 1996-11-11 1998-05-14 Heusler Isabellenhuette Electrical resistance and process for its manufacture
JPH10335114A (en) * 1997-04-04 1998-12-18 Murata Mfg Co Ltd Thermistor
JPH1154301A (en) * 1997-08-07 1999-02-26 Murata Mfg Co Ltd Chip thermister
JPH11283803A (en) * 1998-03-31 1999-10-15 Murata Mfg Co Ltd Chip resistor
JP2001167908A (en) * 1999-12-03 2001-06-22 Tdk Corp Semiconductor electronic component
JP4548110B2 (en) * 2004-12-13 2010-09-22 パナソニック株式会社 Manufacturing method of chip parts
US7932806B2 (en) 2007-03-30 2011-04-26 Tdk Corporation Varistor and light emitting device
WO2011024724A1 (en) 2009-08-28 2011-03-03 株式会社村田製作所 Thermistor and method for producing same
US9076576B2 (en) * 2010-11-22 2015-07-07 Tdk Corporation Chip thermistor and thermistor assembly board
WO2012114857A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 株式会社村田製作所 Electronic-component-mounting structure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2013017531A1 *

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