EP2550675A1 - Procede de realisation d'une electrode metallique a la surface d'un materiau hydrophobe - Google Patents

Procede de realisation d'une electrode metallique a la surface d'un materiau hydrophobe

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EP2550675A1
EP2550675A1 EP11713677A EP11713677A EP2550675A1 EP 2550675 A1 EP2550675 A1 EP 2550675A1 EP 11713677 A EP11713677 A EP 11713677A EP 11713677 A EP11713677 A EP 11713677A EP 2550675 A1 EP2550675 A1 EP 2550675A1
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EP
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capillary
fluid
substrate
hydrophobic material
electrode
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EP11713677A
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Gilgueng Hwang
Dogan Sinan Haliyo
Stéphane Regnier
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Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite Pierre et Marie Curie
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Universite Pierre et Marie Curie
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a metal electrode on the surface of a hydrophobic material.
  • Hydrophobic materials are known which may have interesting physical characteristics for the field of electronics. Graphene, for example, has photonic characteristics that could greatly contribute to the field of optoelectronics. However, it is difficult to produce a quality electronic device from a hydrophobic material. It is particularly complex to deposit an electrode on a pure hydrophobic material.
  • a method of producing a metal electrode comprising the step of approaching a hydrophobic material with an end of a capillary, containing a fluid which comprises metal particles in solution.
  • the deposition of a drop of fluid on the surface of the material is then caused by the Electrospray Ionization (ESI) technique: the end of the capillary and the surface of the material are subjected to an electric field very important by means of an electrode in contact with the end of the capillary and an electrode in contact with the surface of the hydrophobic material so that an electric current is established between the electrodes.
  • the metal particles contained in the fluid of the capillary then migrate under the effect of the electric field towards the electrode in contact with the surface of the material.
  • the invention relates to a method of producing a metal electrode on the surface of a hydrophobic material to overcome the aforementioned drawbacks.
  • a method for producing a metal electrode on the surface of a hydrophobic material comprising the steps of:
  • the laser radiation thus creates electrostatic charges by local ionization of the hydrophobic material. Electrostatic forces between charged particles contained in the material and charged particles contained in the metal particles of the fluid are thus exerted. These electrostatic forces create an electric field between the end of the capillary and the surface of the material. Under the action of the electric field, free charges contained in the fluid at the end of the capillary move this which causes a macroscopic movement of the fluid. Such a phenomenon is called the phenomenon of electroosmosis. Thus, the movement of the fluid causes the formation and flow of drops at the end of the capillary. The laser radiation then makes it possible to form the metal electrode once the drop has been deposited on the surface of the material.
  • the end of the capillary is thus in no way subjected to a high voltage so that the invention prevents local evaporation of the fluid at the end of the capillary.
  • FIG. 1 is a schematic representation of an operating device implementing the method according to the invention
  • FIG. 2 is a schematic representation of the various steps (a, b, c, d) of the method according to the invention.
  • the method according to the invention is intended to be implemented in an operating device comprising a computer 1 making it possible to control an inverted microscope 2 to which a laser 3 is connected, the inverted microscope 2 and the laser 3 forming a fixed set.
  • the computer 1 also controls a first manipulator arm 4 that can in operation move a capillary 5 relative to the microscope 2 and the laser 3 along two axes X, Y of translation in a plane and a translation axis Z perpendicular to this plane.
  • the computer 1 also controls a manipulator (not shown here) that can in service move a sample 6, with respect to the microscope 2 and the laser 3 along the two axes X, Y of translation in the plane and the translation axis Z perpendicular to this plane.
  • the capillary 5 contains a fluid which comprises metal particles, here gold particles, dissolved in a solvent.
  • Sample 6 comprises a first thin layer of a hydrophobic material 7 deposited on a suitable substrate 8. According to a preferred embodiment, the first layer
  • the substrate 8 is borosilicate glass.
  • the substrate 8 faces the laser 3 and the first layer 7 faces the capillary 5.
  • the sample 6 is for example prepared as follows. A thick layer of the hydrophobic material is placed against a surface of the substrate 8. The substrate 8 is then raised to a high temperature which causes the substrate 8 to dissociate the oxides it contains. The substrate 8 and the thick layer 10 are then subjected to an electric field by means of an electrode in contact with the substrate 8 and an electrode in contact with the thick layer 10. The dissociation of the oxides in the substrate 8 makes the substratum
  • step (b) of FIG. 2 it suffices then to eliminate most of the thick layer 10 to leave only the first thin layer 7 bonded to the substrate 8 and thus form the sample 6.
  • the method of depositing a metal electrode then proceeds as follows. With reference to step (c) of FIG. 2, once the sample is in place in the device of FIG. 1, one end of the capillary 5 is approached near an area of the first layer 7.
  • the laser 3 then illuminates the zone of the first layer 7 which causes a creation of electrostatic charges by local ionization of the first layer 7. Electrostatic forces are thus exerted between charged particles in the first layer 7 and charged particles contained in the particles metal of the fluid. These electrostatic forces thus create an electric field between the end of the capillary 5 and the zone of the first layer 7.
  • the electric field causes, by electroosmosis, a movement of the fluid contained in the capillary 5 which in turn causes the formation and the flow of a drop 9 at the end of the capillary 5. By falling on the area of the first layer 7, the drop 9 forms a fluid deposit.
  • the fluid contained in the capillary 5 is thus simply deposited on the first layer thanks to the electrostatic forces created between charged particles contained in the first layer 7 and charged particles contained in the metal particles of the fluid as well as to the electro-osmotic field created in the capillary 5.
  • the area where the drop 9 is made is defined by moving the sample 6 relative to the capillary 5. Similarly, the dimensions of said deposit are controlled by bringing the sample 6 closer to or away from the capillary 5.
  • the laser illuminates through the substrate 8 the zone where the drop 9 has been deposited so as to warm up locally. said area.
  • the drop 9 is thus also heated which causes the progressive evaporation of the solvent contained in the drop 9, the laser 3 concentrating the gold particles in the center of the drop 9. Simultaneously, the heating of the drop 9 causes annealing of the particles.
  • metal particles on the surface of the first layer 7 thus forming a metal electrode on the surface of the first layer 7.
  • the radiation of the laser 3 passes through the substrate 8 to illuminate the area of the first layer 7, it will of course be possible to directly illuminate the zone of the first layer 7 without passing through the substrate by directly illuminating the free face of the hydrophobic material.

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Abstract

L'invention concerne un procédé de réalisation d'une électrode métallique à la surface d'un matériau hydrophobe (7), comportant les étapes de: approcher d' une zone de la surface du matériau (7) une extrémité d'un capillaire (5) contenant un fluide qui comporte des particules métalliques en solution dans un solvant; éclairer ladite zone au moyen d' un rayonnement laser (3) de façon à provoquer tout à la fois l'écoulement d'une goutte de fluide du capillaire, le dépôt de la goutte sur la zone, une évaporation du solvant contenu dans la goutte, et un recuit des particules métalliques sur la surface du matériau pour former l'électrode.

Description

Procédé de réalisation d'une électrode métallique à la surface d'un matériau hydrophobe
L'invention concerne un procédé de réalisation d'une électrode métallique à la surface d'un matériau hydrophobe.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION
On connaît des matériaux hydrophobes susceptibles de présenter des caractéristiques physiques intéressantes pour le domaine de l'électronique. Le graphène, par exemple, possède des caractéristiques photoniques qui pourraient apporter grandement au domaine de l'optoélectronique. Cependant, il s'avère complexe de produire un dispositif électronique de qualité à partir d'un matériau hydrophobe. Il est particulièrement complexe de déposer une électrode sur un matériau hydrophobe pur.
Il a été pensé un procédé de réalisation d'une électrode métallique comportant l'étape d'approcher d'un matériau hydrophobe une extrémité d'un capillaire, contenant un fluide qui comporte des particules métalliques en solution. Le dépôt d'une goutte de fluide à la surface du matériau est alors provoqué grâce à la technique d' ionisation par électrospray (ElectroSpray Ionization ou ESI en anglais) : l'extrémité du capillaire et la surface du matériau sont soumises à un champ électrique très important au moyen d'une électrode en contact avec l'extrémité du capillaire et une électrode en contact avec la surface du matériau hydrophobe de sorte qu'un courant électrique s'établisse entre les électrodes. Les particules métalliques contenues dans le fluide du capillaire migrent alors sous l'effet du champ électrique vers l'électrode en contact avec la surface du matériau. Du fait de l'importance du champ électrique, les particules métalliques sont violemment expulsées dans des gouttes de fluide vers la surface du matériau. Le solvant s'évapore alors naturellement lors de cette expulsion dans l'air ambiant, l' évaporation pouvant être favorisée par la présence d'un gaz comme l'azote. Cependant, un tel procédé requiert un champ électrique tellement important qu'il provoque, par échauffement , une évaporation locale du fluide dans l'extrémité du capillaire. Seules restent les particules métalliques qui viennent alors boucher l'extrémité du capillaire, empêchant ainsi la formation de gouttes.
OBJET DE L' INVENTION
L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une électrode métallique à la surface d'un matériau hydrophobe permettant d'obvier aux inconvénients précités.
BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION
En vue de la réalisation de ce but, on propose un procédé de réalisation d'une électrode métallique à la surface d'un matériau hydrophobe, comportant les étapes de :
Approcher d' une zone de la surface du matériau une extrémité d'un capillaire contenant un fluide qui comporte des particules métalliques en solution dans un solvant ;
Eclairer ladite zone au moyen d' un rayonnement laser de façon à provoquer tout à la fois l'écoulement d'une goutte de fluide du capillaire, le dépôt de la goutte sur la zone, une évaporation du solvant contenu dans la goutte, et un recuit des particules métalliques sur la surface du matériau pour former l'électrode.
Le rayonnement laser créé ainsi des charges électrostatiques par ionisation locale du matériau hydrophobe. Des forces électrostatiques, entre des particules chargées contenues dans le matériau et des particules chargées contenues dans les particules métalliques du fluide, sont ainsi exercées. Ces forces électrostatiques créent un champ électrique entre l'extrémité du capillaire et la surface du matériau. Sous l'action du champ électrique, des charges libres contenues dans le fluide à l'extrémité du capillaire se déplacent ce qui provoque un mouvement macroscopique du fluide. Un tel phénomène est appelé phénomène d' électro-osmose . Ainsi, le mouvement du fluide provoque la formation et l'écoulement de gouttes à l'extrémité du capillaire. Le rayonnement laser permet alors de former l'électrode métallique une fois la goutte déposée sur la surface du matériau.
L'extrémité du capillaire n'est ainsi aucunement soumise à une forte tension de sorte que l' invention prévient une évaporation locale du fluide à l'extrémité du capillaire .
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description qui suit d'un mode de réalisation particulier non limitatif de l'invention. Il sera fait référence aux dessins annexés, parmi lesquels :
- la figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif opératoire mettant en œuvre le procédé selon 1' invention;
- la figure 2 est une représentation schématique des différentes étapes (a,b,c,d) du procédé selon l'invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION
En référence à la figure 1, le procédé selon l'invention est destiné à être mis en œuvre dans un dispositif opératoire comportant un ordinateur 1 permettant de contrôler un microscope inversé 2 auquel est connecté un laser 3, le microscope inversé 2 et le laser 3 formant un ensemble fixe. L'ordinateur 1 contrôle également un premier bras manipulateur 4 pouvant en service déplacer un capillaire 5 par rapport au microscope 2 et au laser 3 selon deux axes X, Y de translation dans un plan et un axe de translation Z perpendiculaire à ce plan. L'ordinateur 1 contrôle également un manipulateur (non illustré ici) pouvant en service déplacer un échantillon 6, par rapport au microscope 2 et au laser 3 selon les deux axes X, Y de translation dans le plan et l'axe de translation Z perpendiculaire à ce plan.
Le capillaire 5 contient un fluide qui comporte des particules métalliques, ici des particules d'or, en solution dans un solvant.
L'échantillon 6 comporte une première fine couche d'un matériau hydrophobe 7 déposée sur un substrat 8 approprié. Selon un mode de réalisation privilégié, la première couche
7 est du graphène et le substrat 8 du verre borosilicaté . Dans le dispositif opératoire, le substrat 8 est orienté face au laser 3 et la première couche 7 orientée face au capillaire 5.
En référence à l'étape (a) de la figure 2, l'échantillon 6 est par exemple préparé comme suit. Une couche épaisse du matériau 10 hydrophobe est placée contre une surface du substrat 8. Le substrat 8 est ensuite porté à haute température ce qui provoque dans le substrat 8 une dissociation des oxydes qu'il comporte. Le substrat 8 et la couche épaisse 10 sont alors soumis à un champ électrique au moyen d'une électrode en contact avec le substrat 8 et d'une électrode en contact avec la couche épaisse 10. La dissociation des oxydes dans le substrat 8 rend le substrat
8 faiblement conducteur, suffisamment pour que, sous l'application du champ électrique, un courant électrique s'établisse entre les électrodes. Sous l'effet du champ électrique, les ions mobiles migrent vers l'électrode en contact avec le substrat 8, laissant sur place les ions de charge opposée immobiles qui créent une charge électrique à l'interface entre le substrat 8 et la couche épaisse 10. Au bout d'un certain temps d'application du champ électrique, la surface de la couche épaisse 10 en contact avec le substrat 8 se lie fortement au substrat 8.
En référence à l'étape (b) de la figure 2, il suffit alors d'éliminer la majeure partie de la couche épaisse 10 pour ne laisser que la première fine couche 7 liée au substrat 8 et ainsi former l'échantillon 6.
Le procédé de dépôt d'une électrode métallique se déroule alors comme suit. En référence à l'étape (c) de la figure 2, une fois l'échantillon en place dans le dispositif de la figure 1, une extrémité du capillaire 5 est approchée près d'une zone de la première couche 7. Le laser 3 éclaire alors la zone de la première couche 7 ce qui provoque une création de charges électrostatiques par ionisation locale de la première couche 7. Des forces électrostatiques s'exercent ainsi entre des particules chargées dans la première couche 7 et des particules chargées contenues dans les particules métalliques du fluide. Ces forces électrostatiques créent ainsi un champ électrique entre l'extrémité du capillaire 5 et la zone de la première couche 7. Le champ électrique provoque, par électro-osmose, un mouvement du fluide contenu dans le capillaire 5 qui à son tour provoque la formation et l'écoulement d'une goutte 9 à l'extrémité du capillaire 5. En tombant sur la zone de la première couche 7, la goutte 9 forme un dépôt de fluide.
Le fluide contenu dans le capillaire 5 est ainsi simplement déposé sur la première couche grâce aux forces électrostatiques créées entre des particules chargées contenues dans la première couche 7 et des particules chargées contenues dans les particules métalliques du fluide ainsi qu'au champ électro-osmotique créé dans le capillaire 5. La zone où est effectué le dépôt de la goutte 9 est définie en déplaçant l'échantillon 6 par rapport au capillaire 5. De même, les dimensions dudit dépôt sont contrôlées en rapprochant ou en éloignant l'échantillon 6 du capillaire 5.
En référence à l'étape (d) de la figure 2, le laser éclaire à travers le substrat 8 la zone où a été effectué le dépôt de la goutte 9 de sorte à échauffer localement ladite zone. La goutte 9 est ainsi également chauffée ce qui provoque 1 ' évaporation progressive du solvant contenu dans la goutte 9, le laser 3 concentrant les particules d'or au centre de la goutte 9. Simultanément, le chauffage de la goutte 9 provoque un recuit des particules métalliques sur la surface de la première couche 7 formant ainsi une électrode métallique à la surface de la première couche 7.
L'éclairage laser joue ainsi plusieurs rôles :
- il contribue à créer les charges électrostatiques par ionisation locale du matériau hydrophobe ;
- il provoque l' évaporation progressive du solvant contenu dans la goutte, et concentre les particules d'or ;
- il permet un recuit des particules et leur fixation sur le matériau hydrophobe.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée au mode de mise en œuvre décrit et est susceptible de variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications.
En particulier, bien qu'ici le rayonnement du laser 3 traverse le substrat 8 pour éclairer la zone de la première couche 7, on pourra bien entendu éclairer directement la zone de la première couche 7 sans traverser le substrat en éclairant directement la face libre du matériau hydrophobe.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation d'une électrode métallique à la surface d'un matériau hydrophobe (7), comportant les étapes de :
Approcher d' une zone de la surface du matériau (7) une extrémité d'un capillaire (5) contenant un fluide qui comporte des particules métalliques en solution dans un solvant ;
Eclairer ladite zone au moyen d'un rayonnement laser (3) de façon à provoquer tout à la fois l'écoulement d'une goutte de fluide du capillaire, le dépôt de la goutte sur la zone, une évaporation du solvant contenu dans la goutte, et un recuit des particules métalliques sur la surface du matériau pour former l'électrode.
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau (7) est du graphène.
3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les particules métalliques sont des particules d'or.
4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau (7) a été préalablement fixé à un substrat (8) .
5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le substrat (8) est du verre borosilicaté .
6. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le rayonnement laser traverse le substrat (8) pour éclairer la zone du matériau (7).
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109087B2 (en) * 2003-10-03 2006-09-19 Applied Materials, Inc. Absorber layer for DSA processing
JP4741218B2 (ja) * 2003-10-28 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法、並びに液晶テレビ受像機
JP2006310346A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Seiko Epson Corp 機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターンの形成方法及び電子機器
JP2007115743A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Seiko Epson Corp パターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器
JP4732118B2 (ja) * 2005-10-18 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2010043346A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Autonetworks Technologies Ltd 導電性パターンの形成方法及びめっき端子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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