EP2483935A2 - Dünnschicht-bauelement auf glas, ein verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung - Google Patents

Dünnschicht-bauelement auf glas, ein verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung

Info

Publication number
EP2483935A2
EP2483935A2 EP10751883A EP10751883A EP2483935A2 EP 2483935 A2 EP2483935 A2 EP 2483935A2 EP 10751883 A EP10751883 A EP 10751883A EP 10751883 A EP10751883 A EP 10751883A EP 2483935 A2 EP2483935 A2 EP 2483935A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
thin
electrically conductive
protective device
layer structure
film component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP10751883A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Philippe Letocart
Dang Cuong Phan
Dana Pakosch
Jean-Christophe Giron
Pascal Remy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Glass France SAS
Compagnie de Saint Gobain SA
Original Assignee
Saint Gobain Glass France SAS
Compagnie de Saint Gobain SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Glass France SAS, Compagnie de Saint Gobain SA filed Critical Saint Gobain Glass France SAS
Publication of EP2483935A2 publication Critical patent/EP2483935A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/95—Circuit arrangements
    • H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
    • H10F77/955—Circuit arrangements for devices having potential barriers for photovoltaic devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a permanently protected against moisture and high electric field strengths thin-film device on glass, a process for its preparation and its use.
  • Thin-film components are exposed to strong weathering, for example, as photovoltaic modules on free-field or roof systems at high electrical voltages of up to 1000 V.
  • Thin film photovoltaic modules typically include monolithically integrated thin film photovoltaic cells that corrode in the presence of moisture in the photovoltaic module. It is also known that electrical transients can occur due to the high electrical system voltage between the photovoltaic cells and the ground potential and the resulting high electric field strengths or that ions from the glass drift into the thin layers of the photovoltaic cells. Corrosion or delamination of the photovoltaic cells leads to a permanent performance degradation or complete failure of the photovoltaic modules.
  • Photovoltaic systems for feeding electrical energy into the public grid contain a circuit of photovoltaic modules and inverters for converting DC voltage into AC voltage.
  • photovoltaic systems with potential boosting are known from DE 10 2007 050 554 A1.
  • the potential of the positive pole of the circuit of photovoltaic modules is thereby shifted at the inverter against the ground potential, so that no uncontrolled electrical discharges from the photovoltaic module to ground occur.
  • the present invention has for its object to provide an improved thin-film component on glass, which has a high long-term stability against weathering at the same time high electrical field strengths, regardless of the inverter.
  • a layer structure and an electrically conductive protective device are applied to a layer structure and the electrically conductive protective device applied at least one dielectric protective layer and the distance between the electrically conductive protective device and the outer edge of the glass is smaller than the distance between the layer structure and the outer edge of the glass pane.
  • the thin-film components according to the invention may have external shapes, as are customary in accordance with their functionality. Layer structures may in particular have a photovoltaic, electrochromic, light-emitting or a heating function.
  • the thin-film components are preferably disk-shaped. The disk surface can be 100 cm 2 up to 18 m 2 , but preferably 0.5 m 2 to 3 m 2 .
  • the thin-film components can be made planar or curved.
  • the layer structure usually includes front electrode and back electrode layers. Between the electrode layers, a layer system is applied, which has a photovoltaic, electrochromic, light-emitting or heating function.
  • the electrode layers preferably contain silver, gold, copper, nickel, chromium, tungsten, molybdenum, tin oxide, zinc oxide, aluminum, indium tin oxide, silicon dioxide, silicon nitride and / or combinations and mixtures.
  • the layer structure is particularly preferably a monolithically integrated series electrical circuit.
  • the layer structure is preferably stripped at the edge of the glass pane circumferentially with a width of preferably 5 mm to 20 mm in order to be protected against ingress of moisture or shading by fastening elements on the edge.
  • the environment at ground potential can be represented, for example, by grounded attachment means of the thin-film component or a conductive water film with a ground fault on the thin-film component.
  • DC voltages preferably occur between the electrodes. But it can also occur electrical alternating voltages or electrical transients.
  • the electrically conductive protective device is preferably arranged between the layer structure and the outer edge of the glass edge, so that the maximum electric field strength occurs in the region of the electrically conductive protective device and not in the area of the functional layer structure. A drift of ions from the glass sheet or electrical discharges caused by the electric field is displaced from the layer structure to the electrically conductive protective device.
  • a conventional photovoltaic, electrochromic, light-emitting and / or heatable layer structure has at least two electrical poles.
  • a pole is preferably at ground potential.
  • the second pole may be positive as an anode or negative than the first pole as a cathode.
  • the electrically conductive protective device is electrically connected via at least one contact region to a pole of the layer structure. Via the galvanic connection, the electrically conductive protective device is at the electrical potential of one pole of the layer structure.
  • the electrically conductive protective device is preferably connected to a pole which has the highest negative electrical potential difference relative to the surrounding ground potential in relation to the photovoltaic module.
  • the electrically conductive protection device can also be connected to an additional external voltage source which provides an electrical potential which is equal to or greater than the maximum negative electrical potential of the layer structure.
  • the electrically conductive protective device is galvanically connected to the pole with the front electrode layer of the layer structure.
  • the electrically conductive protective device is electrically connected at the pole to the back electrode layer of the layer structure.
  • the layer structure is completely surrounded by the electrically conductive protective device and thus shields the layer structure circumferentially.
  • the electrically conductive protective device may be completely or partially covered by the fastening means and / or an opaque screen printing.
  • the line widths of the electrically conductive protective device preferably have a width of 0.5 mm to 5 mm.
  • the electrically conductive protective device may have all forms which provide an electrical field strength higher than the layer structure on the electrically conductive protective device.
  • the electrically conductive protective device is preferably linear, meandering, comb-like or shaped in the form of connected rectangles and preferably forms a frame shape in the overall unit.
  • the electrically conductive protection device is designed as a peripheral frame around the layer structure.
  • electrically conductive fastening means are attached to the thin-film component, preferably on the outer edge of the glass pane.
  • electrically conductive fastening means at least partially surround the thin-film component at the outer edge of the glass pane.
  • electrically conductive fastening means are designed as a peripheral frame along the outer edge of the thin-film component.
  • the electrically conductive attachment means may also be preferably designed as an interrupted frame, peripheral frame or as fittings. The attachment of the device to, for example, racks via screwing, clamping and / or gluing the fasteners.
  • the electrical potential of the fastening means usually corresponds to the ground potential of a reference system, preferably the potential of the earth mass or the ground potential of a vehicle casing.
  • the electrically conductive protection device may have a plurality of frames lying inside one another, which are galvanically connected to one another via a plurality of contact regions.
  • the electrically conductive protective device contains silver, gold, copper, nickel, chromium, tungsten, molybdenum, tin oxide, zinc oxide, aluminum, indium tin oxide, silicon dioxide, silicon nitride and / or combinations and mixtures thereof.
  • the electrically conductive protective device can be applied as a coating or as wires or networks of wires.
  • the electrically conductive protective device and the contact region have the same material as the front electrode layer or back electrode layer of the layer structure.
  • the electrically conductive protective device can also contain a different material than the layer structure in order to achieve a higher long-term stability against moisture, high field strengths, impurities from the glass and delamination.
  • the electrically conductive protective device can be designed as a sacrificial layer, which chemically changes or delaminates over the lifetime of the thin-film component. The function of the layer structure is not affected by this.
  • the dielectric protective layer contains silicate glass, polyvinyl butyral (PVB), polyurethane (PU), polypropylene (PP), polyacrylate, polyethylene (PE), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, polyacetate resin, casting resins, acrylates, Ethylene vinyl acetate (EVA), fluorinated ethylene propylene, polyvinyl fluoride, ethylene tetrafluoroethylene, copolymers and / or mixtures thereof.
  • PVB polyvinyl butyral
  • PU polyurethane
  • PP polypropylene
  • PP polyacrylate
  • PE polyethylene
  • PC polycarbonate
  • EVA Ethylene vinyl acetate
  • the dielectric protective layer preferably contains a composite of adhesion-promoting ethylene-vinyl acetate and polyvinyl fluoride or adhesion-promoting polyvinyl butyral in conjunction with an additional silicate glass pane.
  • the layer structure contains thin-film photovoltaic cells with silicon, chalcopyrite and / or cadmium telluride.
  • the glass pane with the layer structure and electrically conductive protective device can form the glass pane facing the light incidence or else the glass pane of the thin-film photovoltaic module facing away from the incidence of light.
  • the object of the invention is further achieved by a method for producing a thin-film component, wherein a layer structure is applied to a glass pane, an electrically conductive protective device is applied to the glass pane, at least one dielectric protective layer is applied to the layer structure and the electrically conductive protective device and the glass sheet, laminated structure, electrically conductive protective device and dielectric protective layer are bonded to form a thin film device.
  • the electrically conductive protective device is formed by laser-cut ablation or mechanical abrasion from partial regions of the layer structure with insulating lines.
  • the electrically conductive protective device is applied by printing methods such as screen printing, gravure roll printing, ink jet printing, Aerosoljet printing, flexographic printing, impulse jet printing and / or combinations thereof.
  • the electrical conductive protection device can also be made by the combination of laser cut ablation, mechanical abrasion, or the printing process.
  • fastening parts are screwed in at least part of the outer edge of the glass pane, clamped or glued.
  • the invention further relates to the use of the thin-film components as photovoltaic modules and a series connection of photovoltaic modules with a negative electrical potential to earth mass of at least -100 V and preferably at least -600 V.
  • Fig. 1 shows a cross section through an embodiment of an inventive
  • Fig. 2 is a plan view of an embodiment of the invention
  • FIG. 3 is a plan view of an alternative embodiment of the thin-film component (I) according to the invention.
  • FIG. 4 shows a plan view of a further alternative exemplary embodiment of the thin-film component (I) according to the invention
  • Fig. 5 shows an embodiment of the method according to the invention in
  • FIG. 6 shows an alternative embodiment of the method according to the invention in
  • Fig. 1 and Fig. 2 show a thin-film photovoltaic module (I) according to the invention.
  • a layer structure (2) with a number of amorphous silicon thin-film photovoltaic cells.
  • the individual strip-shaped photovoltaic cells of the layer structure (2) were monolithically integrated connected in series.
  • the layered structure (2) contained two amorphous silicon semiconductor junctions in a stacked structure as functional layers.
  • the back of the glass layer (1) back electrode layer of the layer structure (2) contained silver.
  • the layer structure (2) was mechanically abraded in the edge region at an edge (5) of the glass pane (1) with a width of 15 mm. Within the edge deletion, a 4 mm wide electrically conductive protective device (3) with silver-containing screen printing paste was printed on the glass pane (1). The electrically conductive protective device (3) completely framed the layer structure (2) at a distance of 5 mm. The electrical conductive protection device (3) and the front electrode of the thin-film photovoltaic cell were galvanically connected to the pole (2a) with the highest electrical potential of the thin-film photovoltaic module via a contact area (7) with silver screen printing.
  • the electrically conductive protective device (3) had the same electrical potential as the region (2a) of the layer structure (2).
  • the layer structure (2) and the electrically conductive protection device (3) were protected in a composite with two dielectric protection devices (4) with Polyvinylbuytral and a rear glass pane from environmental influences, in particular moisture.
  • the outer edge (5) of the thin-film photovoltaic module (I) was framed by an aluminum frame as an electrically conductive attachment (8).
  • the clamping of the mounting frame (8) was carried out with a depth of 5 mm at the surfaces of the glasses (1.4).
  • the open circuit voltage of the thin-film photovoltaic module (I) was -600 V with respect to the earth ground potential.
  • the positive pole was galvanically connected to the earth ground potential via an inverter, not shown, without isolating transformer.
  • the mounting frame (8) was also at earth ground potential.
  • the region (2a) was the negative pole of the thin-film photovoltaic module (I).
  • the region (2a) and the electric conductive protection device (3) had the highest negative potential difference to the ground potential.
  • the distance between the mounting frame (8) and the electrically conductive protective device (3) was smaller than the distance between the Mounting frame (8) and the layer structure (2).
  • FIG. 2 shows a top view of the embodiment according to the invention according to FIG. 1.
  • the thin-film photovoltaic module (I) had an area of 1.2 m ⁇ 0.6 m and was completely surrounded by a frame with aluminum as an electrically conductive attachment (FIG. 8) framed.
  • the mounting frame (8) had the potential of the earth mass.
  • the transparent glass pane (1) not shown, the likewise frame-shaped electrically conductive protective device (3) is shown, which was contacted via the contact region (7) to the pole (2a) galvanically.
  • the electrically conductive protection device (3) completely framed the layer structure (2). It can be clearly seen in the plan view that the distance between mounting frame (8) and electrically conductive protective device (3) was less than the distance between the mounting frame (8) and layer structure (2).
  • the electrically conductive protective device (3) contained a transparent conductive oxide and was formed from the development of the front electrode layer of the layer structure (2). By a edge deletion of 7 mm and circumferential insulation lines (9) with a width of 100 ⁇ and interruptions in the contact area (7), a frame-shaped region was formed as a transparent electrically conductive protection device (3). In the contact areas (7), the frame-shaped electrically conductive protective device (3) were galvanically connected to the pole (2a). In the embodiment of the invention was in a simple manner an electrically conductive Protective device (3) provided from the continuation of the electrode layer of the layer structure (2). It was surprising and clear that the drift of impurities into the layer structure (2) and the associated permanent degradation of the performance of the thin-film photovoltaic module (I) could be prevented by the inventive electrically conductive and transparent protection device (3).
  • the electrically conductive protective device (3) contained a transparent conductive oxide and was formed from the continuation of an electrode layer of the layer structure (2).
  • the electrically conductive protective device (3) By a edge deletion of 7 mm and two circumferential 100 ⁇ wide isolation lines (9) with interruptions in the contact area (7), two frame-shaped areas were formed as a transparent electrically conductive protection device (3).
  • the frame-shaped transparent electrically conductive layer device (3) was galvanically connected to the pole (2a) via a plurality of contact regions (7).
  • electrically conductive protective devices (3) were obtained in a simple manner from the development of the electrode layer of the layer structure (2).
  • the protective function for the layer structure (2) has been further increased.
  • the inner frame of the electrically conductive protection device (3) and the layer structure (2) remained functional. It was surprising and clear that the drift of impurities into the layer structure (2) and the associated permanent degradation of the thin-film photovoltaic module (I) could be prevented by the design of the electrically conductive and transparent protective device (3) according to the invention.
  • Fig. 5 shows in detail an embodiment of the inventive method for producing the thin-film component (I) according to the invention in the flow chart.
  • FIG. 6 shows in detail an alternative exemplary embodiment of the method according to the invention for producing the thin-film component (I) according to the invention in the flow chart.

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Dünnschicht-Bauelement (I) wobei auf einer Glasscheibe (1) eine Schichtstruktur (2) und eine elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) aufgebracht sind, auf der Schichtstruktur (2) und der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) mindestens eine dielektrische Schutzschicht (4) aufgebracht ist und wobei der Abstand zwischen der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) und der Aussenkante (5) der Glasscheibe (1) kleiner ist als der Abstand zwischen der Schichtstruktur (2) und der Aussenkante (5) der Glasscheibe (1), sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung.

Description

Dünnschicht-Bauelement auf Glas, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen
Verwendung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein dauerhaft gegen Feuchtigkeit und hohe elektrische Feldstärken geschütztes Dünnschicht-Bauelement auf Glas, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung.
Dünnschicht-Bauelemente werden beispielsweise als Photovoltaik-Module auf Freifeldoder Dachsystemen bei hohen elektrischen Spannungen von bis zu 1000 V einer starken Bewitterung ausgesetzt. Dünnschicht-Photovoltaik-Module enthalten üblicherweise monolithisch integrierte Dünnschicht-Photovoltaik-Zellen, die unter Anwesenheit von Feuchtigkeit im Photovoltaik-Modul korrodieren. Es ist auch bekannt, dass aufgrund der hohen elektrischen Systemspannung zwischen den Photovoltaik-Zellen und dem Massepotential und den daraus resultierenden hohen elektrischen Feldstärken elektrische Transienten auftreten können oder aber Ionen aus dem Glas in die dünnen Schichten der Photovoltaik-Zellen driften. Eine Korrosion oder Delamination der Photovoltaik-Zellen führt zu einer dauerhaften Leistungsdegradation oder einem Komplett-Ausfall der Photovoltaik- Module.
Photovoltaik-Systeme zur Einspeisung von elektrischer Energie ins öffentliche Versorgungsnetz enthalten eine Schaltung von Photovoltaik-Modulen und Wechselrichter zur Wandlung von Gleichspannung in Wechselspannung.
Zur Verringerung der Leistungsdegradation im Langzeiteinsatz sind aus der DE 10 2007 050 554 A1 Photovoltaik-Systeme mit Potentialanhebung bekannt. Das Potential des Pluspols der Schaltung von Photovoltaik-Modulen wird dabei am Wechselrichter gegen das Massepotential verschoben, sodass keine unkontrollierten elektrischen Entladungen vom Photovoltaik-Modul zur Masse auftreten.
Es sind auch Wechselrichter für Photovoltaik-Systeme bekannt, die über einen Trenntrafo die Photovoltaik-Module galvanisch von dem Potential zur Erdmasse trennen, um unkontrollierte Entladungen von dem Photovoltaik-System zur Erdmasse zu verhindern. Dabei müssen allerdings aufwändig an die Photovoltaik-Module angepasste Wechselrichter verwendet werden, die einen geringen elektrischen Wirkungsgrad aufweisen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Dünnschicht- Bauelement auf Glas bereitzustellen, das unabhängig vom Wechselrichter eine hohe Langzeitstabilität gegenüber Bewitterung bei gleichzeitig hohen elektrischen Feldstärken aufweist.
Die Aufgabe wird durch die in den Patentansprüchen 1 , 13 und 17 aufgeführten Merkmale gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Dünnschicht-Bauelement sind auf einer Glasscheibe eine Schichtstruktur und eine elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung aufgebracht, auf der Schichtstruktur und der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung mindestens eine dielektrische Schutzschicht aufgebracht und der Abstand zwischen der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung und der Aussenkante der Glasscheibe ist kleiner als der Abstand zwischen der Schichtstruktur und der Aussenkante der Glasscheibe.
Die erfindungsgemäßen Dünnschicht-Bauelemente können äußere Formen aufweisen, wie sie gemäß ihrer Funktionalität üblich sind. Schichtstrukturen können insbesondere eine photovoltaische, elektrochrome, lichtemittierende oder eine Heizfunktion aufweisen. Die Dünnschicht-Bauelemente sind bevorzugt scheibenförmig. Die Scheibenfläche kann 100 cm2 bis zu 18 m2 betragen, bevorzugt aber 0,5 m2 bis 3 m2. Die Dünnschicht-Bauelemente können planar oder gebogen ausgeführt sein.
Die Schichtstruktur enthält üblicherweise Frontelektroden- und Rückelektrodenschichten. Zwischen den Elektrodenschichten ist ein Schichtsystem aufgebracht, welches eine photovoltaische, elektrochrome, lichtemittierende oder Heizfunktion aufweist. Die Elektrodenschichten enthalten bevorzugt Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Chrom, Wolfram, Molybdän, Zinnoxid, Zinkoxid, Aluminium, Indiumzinnoxid, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid und/ oder Kombinationen sowie Gemische. Die Schichtstruktur ist besonders bevorzugt eine monolithisch-integrierte elektrische Reihenschaltung. Die Schichtstruktur ist bevorzugt an der Kante der Glasscheibe umlaufend mit einer Breite von bevorzugt 5 mm bis 20 mm entschichtet um gegenüber Feuchtigkeitseintritt oder Verschattung durch Befestigungselemente am Rand geschützt zu sein.
Aufgrund unterschiedlicher elektrischer Potentiale zwischen dem Massepotential der unmittelbaren Umgebung des Dünnschicht-Bauelementes und der Schichtstruktur stellt sich ein elektrisches Feld ein. Die Umgebung auf Massepotential kann beispielsweise durch geerdete Befestigungsmittel des Dünnschicht-Bauelementes oder einen leitfähigen Wasserfilm mit Erdschluss auf dem Dünnschicht-Bauelement dargestellt sein.
Bevorzugt treten Gleichspannungen zwischen den Elektroden auf. Es können aber auch elektrische Wechselspannungen oder aber elektrische Transienten auftreten.
Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung ist erfindungsgemäß bevorzugt zwischen der Schichtstruktur und der Aussenkante der Glaskante angeordnet, sodass die maximale elektrische Feldstärke im Bereich der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung auftritt und nicht im Bereich der funktionalen Schichtstruktur. Eine durch das elektrische Feld verursachte Drift von Ionen aus der Glasscheibe oder elektrische Entladungen werden von der Schichtstruktur zur elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung verlagert.
Eine übliche photovoltaische, elektrochrome, lichtemittierende und / oder heizbare Schichtstruktur hat mindestens zwei elektrische Pole. Ein Pol liegt bevorzugt auf Massepotential. Der zweite Pol kann als Anode positiv oder als Kathode negativ gegenüber dem ersten Pol sein.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung über mindestens einen Kontaktbereich mit einem Pol der Schichtstruktur galvanisch verbunden. Über die galvanische Verbindung liegt die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung auf dem elektrischen Potential eines Pols der Schichtstruktur. Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung ist bevorzugt mit einem Pol verbunden, der bezogen auf das Photovoltaik-Modul den höchsten negativen elektrischen Potentialunterschied zum umgebenden Massepotential aufweist. Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung kann aber auch mit einer zusätzlichen äußeren Spannungsquelle verbunden werden, die ein elektrisches Potential bereitstellt, welches gleich oder größer dem maximalen negativen elektrischen Potential der Schichtstruktur ist.
Besonders bevorzugt ist die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung am Pol mit der Frontelektrodenschicht der Schichtstruktur galvanisch verbunden.
Alternativ ist die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung am Pol mit der Rückelektrodenschicht der Schichtstruktur galvanisch verbunden.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Schichtstruktur vollständig von der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung umrandet und schirmt damit die Schichtstruktur umlaufend ab. Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung kann ganz oder teilweise durch die Befestigungsmittel und / oder einen opaken Siebdruck verdeckt sein.
Die Linienbreiten der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung haben bevorzugt eine Breite von 0,5 mm bis 5 mm.
Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung kann sämtliche Formen aufweisen, die eine gegenüber der Schichtstruktur höhere elektrische Feldstärke an der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung bereitstellt. Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung ist bevorzugt linienförmig, mäanderförmig, kammartig oder in der Form von verbundenen Rechtecken geformt und bildet in der Gesamteinheit bevorzugt eine Rahmenform aus. Bevorzugt ist die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung als ein umlaufender Rahmen um die Schichtstruktur ausgestaltet.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind elektrisch leitfähige Befestigungsmittel am Dünnschicht-Bauelement, bevorzugt an der Aussenkante der Glasscheibe, angebracht.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung umranden elektrische leitfähige Befestigungsmittel an der Aussenkante der Glasscheibe das Dünnschicht-Bauelement mindestens teilweise. Bevorzugt sind elektrische leitfähige Befestigungsmittel als ein umlaufender Rahmen entlang der Aussenkante des Dünnschicht-Bauelements ausgestaltet. Die elektrisch leitfähigen Befestigungsmittel können aber auch bevorzugt als unterbrochener Rahmen, umlaufender Rahmen oder als Beschläge ausgeführt sein. Die Befestigung des Bauelements an beispielsweise Gestellen erfolgt über Verschraubung, Klemmung und / oder Klebung der Befestigungselementen. Das elektrische Potential der Befestigungsmittel entspricht üblicherweise dem Massepotential eines Bezugssystems, bevorzugt dem Potential der Erdmasse oder dem Massepotential einer Fahrzeughülle.
Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung kann mehrere ineinander liegende Rahmen aufweisen, die über mehrere Kontaktbereiche galvanisch miteinander verbunden sind.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung Silber, Gold, Kupfer, Nickel, Chrom, Wolfram, Molybdän, Zinnoxid, Zinkoxid, Aluminium, Indiumzinnoxid, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid und/ oder Kombinationen sowie Gemische davon.
Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung kann als Beschichtung oder auch als Drähte oder Netzwerke von Drähten aufgebracht sein.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung und der Kontaktbereich das gleiche Material wie die Frontelektrodenschicht oder Rückelektrodenschicht der Schichtstruktur aufweist.
Die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung kann aber auch ein anderes Material als die Schichtstruktur enthalten um eine höhere Langzeitstabilität gegenüber Feuchtigkeit, hohen Feldstärken, Verunreinigungen aus dem Glas und Delamination zu erzielen.
Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung kann als Opferschicht ausgelegt sein, die sich über die Lebensdauer des Dünnschicht-Bauelements chemisch verändert oder delaminiert. Die Funktion der Schichtstruktur wird davon nicht beeinflusst.
Die Erfindung ist besonders vorteilhaft, wenn die Glasscheibe 0,1 Gew.-% bis 20 Gew.-% und bevorzugt 10 Gew.-% bis 16 Gew.-% Alkali-Elemente, bevorzugt Na2Ü enthält. In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält die dielektrische Schutzschicht Silikatglas, Polyvinylbutyral (PVB), Polyurethan (PU), Polypropylen (PP), Polyacrylat, Polyethylen (PE), Polycarbonat (PC), Polymethylmetacrylat, Polyvinylchlorid, Polyacetatharz, Gießharze, Acrylate, Ethylenvinylacetat (EVA), Fluorinierte Ethylen- Propylene, Polyvinylfluorid, Ethylen-Tetrafluorethylen, Copolymere und / oder Gemische davon.
Bevorzugt enthält die dielektrische Schutzschicht einen Verbund aus haftvermittelnden Ethylenvinylacetat und Polyvinylfluorid oder haftvermittelndes Polyvinylbutyral in Verbindung mit einer zusätzlichen Silikatglas-Scheibe.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung enthält die Schichtstruktur Dünnschicht- Photovoltaik-Zellen mit Silizium, Chalcopyrit und / oder Kadmium-Tellurid.
Die Glasscheibe mit der Schichtstruktur und elektrisch leitfähiger Schutzvorrichtung kann die dem Lichteinfall zugewandte Glasscheibe oder aber die dem Lichteinfall abgewandte Glasscheibe des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls bilden.
Die Aufgabe der Erfindung wird weiter durch ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Bauelements gelöst, wobei eine Schichtstruktur auf eine Glasscheibe aufgebracht wird, eine elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung auf die Glasscheibe aufgebracht wird, auf die Schichtstruktur und die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung mindestens eine dielektrische Schutzschicht aufgebracht wird und die Glasscheibe, Schichtstruktur, elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung und dielektrische Schutzschicht zu einem Dünnschicht-Bauelement verbunden werden.
In einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung durch eine Laserschnitt-Ablation oder mechanische Abrasion aus Teilbereichen der Schichtstruktur mit Isolationslinien gebildet.
In einer weiteren Ausführungsform wird die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung mit Druckverfahren wie Siebdruck, Gravurwalzendruck, Tintenstrahldruck, Aerosoljet-Druck, Flexodruck, Impulsjet-Druck und/ oder Kombinationen davon aufgebracht. Die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung kann auch durch die Kombination von Laserschnitt-Ablation, mechanischer Abrasion oder den Druckverfahren hergestellt werden.
In einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden Befestigungsteile in mindestens Teilbereichen der Aussenkante der Glasscheibe angeschraubt, angeklemmt oder angeklebt.
Die Erfindung betrifft weiter die Verwendung der Dünnschicht-Bauelemente als Photovoltaik-Module und eine Reihenverschaltung von Photovoltaik-Modulen mit einem negativen elektrischen Potential zur Erdmasse von mindestens -100 V und bevorzugt mindestens -600 V.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren 1 bis 6 schematisiert dargestellt. Es zeigen
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Dünnschicht-Bauelements (I) gemäß dem Schnitt A-A der Fig. 2, Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Dünnschicht-Bauelements (I),
Fig. 3 eine Draufsicht auf ein alternatives Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Dünnschicht-Bauelementes (I),
Fig. 4 eine Draufsicht auf ein weiteres alternatives Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Dünnschicht-Bauelementes (I),
Fig. 5 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens im
Flussdiagramm zur Herstellung des Dünnschicht-Bauelementes (I) und Fig. 6 ein alternatives Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens im
Flussdiagramm zur Herstellung des Dünnschicht-Bauelementes (I).
Es folgt die Erläuterung der Erfindung anhand der Figuren nach Aufbau und gegebenenfalls auch nach Wirkweise der dargestellten Erfindung.
Fig. 1 und Fig. 2 zeigen ein erfindungsgemäßes Dünnschicht-Photovoltaik-Modul (I). Auf einer Glasscheibe (1 ) mit einem Natriumoxidgehalt von 12 Gew.-% befand sich eine Schichtstruktur (2) mit einer Anzahl von amorphen Silizium-Dünnschicht-Photovoltaikzellen. Die einzelnen streifenförmigen Photovoltaik-Zellen der Schichtstruktur (2) waren monolithisch integriert in Reihe verschaltet. Die Schichtstruktur (2) enthielt zwei amorphe Silizium-Halbleiterübergänge in einem Stapelaufbau als funktionale Schichten. Zwischen den funktionalen Schichten und der Glasscheibe (1 ) befand sich eine Frontelektrodenschicht mit fluordotiertem Zinnoxid. Die der Glasscheibe (1 ) abgewandte Rückelektrodenschicht der Schichtstruktur (2) enthielt Silber.
Die Schichtstruktur (2) war im Randbereich an einer Kante (5) der Glasscheibe (1 ) mit einer Breite von 15 mm mechanisch abrasiv entschichtet. Innerhalb der Randentschichtung war eine 4 mm breite elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) mit silberhaltiger Siebdruckpaste auf die Glasscheibe (1 ) aufgedruckt. Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) umrahmte mit einem Abstand von 5 mm die Schichtstruktur (2) vollständig. Die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) und die Frontelektrode der Dünnschicht-Photovoltaik-Zelle waren am Pol (2a) mit dem höchsten elektrischen Potential des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls über einen Kontaktbereich (7) mit Silbersiebdruck galvanisch verbunden.
Durch den Kontaktbereich (7) wies die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) das gleiche elektrische Potential wie der Bereich (2a) der Schichtstruktur (2) auf. Die Schichtstruktur (2) und die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) waren in einen Verbund mit zwei dielektrischen Schutzvorrichtungen (4) mit Polyvinylbuytral und einer Rückseiten-Glasscheibe vor Umwelteinflüssen, insbesondere Feuchtigkeit geschützt. Die Aussenkante (5) des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I) war von einem Aluminium- Rahmen als elektrische leitfähige Befestigung (8) eingerahmt. Die Klammerung des Befestigungsrahmens (8) erfolgte mit einer Tiefe von 5 mm an den Oberflächen der Gläser (1.4).
Die Leerlaufspannung des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I) betrug -600 V bezogen auf das Erd-Massepotential. Der positive Pol war über einen nicht dargestellten Wechselrichter ohne Trenntransformator mit dem Erd-Massepotential galvanisch verbunden. Der Befestigungsrahmen (8) lag ebenfalls auf Erd-Massepotential. Der Bereich (2a) war der negative Pol des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I). Der Bereich (2a) und die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) hatten die höchste negative Potentialdifferenz zum Massepotential. Der Abstand zwischen dem Befestigungsrahmen (8) und der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) war kleiner als der Abstand zwischen dem Befestigungsrahmen (8) und der Schichtstruktur (2). Aufgrund der größeren Feldstärken im Bereich der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) war die Drift von Ionen, insbesondere von positiv geladenen Natrium-Ionen, verstärkt zur elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) gerichtet. Eine Anreicherung von Verunreinigungen im Bereich der Schichtstruktur (2) wurde nicht beobachtet. Auch unter dem Eintrag von Feuchtigkeit über die Kante (8) in den Randbereich des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I) und den hohen elektrischen Feldstärken wurde keine Korrosion oder Delamination der Schichtstruktur (2) beobachtet. Nach einer Langzeitbewitterung wurde eine beginnende Delamination und Korrosion der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) beobachtet. Die Funktionalität der Schichtstruktur (2) war nicht beeinträchtigt. Es war überraschend und eindeutig, dass die Drift von Verunreinigungen in die Schichtstruktur (2) und die damit verbundene dauerhafte Leistungsdegradation des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I) unter Bewitterung bei gleichzeitig hohen elektrisch Feldstärken durch die erfindungsgemäße elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) verhindert werden konnte.
Fig. 2 verdeutlicht in einer Draufsicht das erfindungsgemäße Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 1. Das Dünnschicht-Photovoltaik-Modul (I) hatte eine Fläche von 1 ,2 m x 0,6 m und war vollständig von einem Rahmen mit Aluminium als elektrisch leitfähige Befestigung (8) eingerahmt. Der Befestigungsrahmen (8) wies das Potential der Erdmasse auf. Durch die nicht dargestellte transparente Glasscheibe (1 ) hindurch ist die ebenfalls rahmenförmige elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) gezeigt, die über den Kontaktbereich (7) mit dem Pol (2a) galvanisch kontaktiert war. Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) umrahmte die Schichtstruktur (2) vollständig. Es zeigt sich in der Draufsicht deutlich, dass der Abstand zwischen Befestigungsrahmen (8) und elektrisch leitfähiger Schutzvorrichtung (3) geringer war, als der Abstand zwischen Befestigungsrahmen (8) und Schichtstruktur (2).
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht einer alternativen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Dünnschicht-Photovoltaik-Modul (1 ). Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) enthielt ein transparent leitfähiges Oxid und war aus der Weiterbildung der Frontelektrodenschicht der Schichtstruktur (2) ausgebildet. Durch eine Randentschichtung von 7 mm und umlaufende Isolationslinien (9) mit einer Breite von 100 μηη und Unterbrechungen im Kontaktbereich (7) wurde ein rahmenförmiger Bereich als transparente elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) gebildet. In den Kontaktbereichen (7) waren die rahmenförmige elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) mit dem Pol (2a) galvanisch verbunden. In der Ausgestaltung der Erfindung wurde auf einfache Weise eine elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) aus der Fortführung der Elektrodenschicht der Schichtstruktur (2) bereitgestellt. Es war überraschend und eindeutig, dass die Drift von Verunreinigungen in die Schichtstruktur (2) und die damit verbundene dauerhafte Leistungsdegradation des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I) durch die erfindungsgemäße elektrisch leitfähige und transparente Schutzvorrichtung (3) verhindert werden konnte.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht einer weiteren alternativen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Dünnschicht-Photovoltaik-Modul (1 ). Die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) enthielt ein transparent leitfähiges Oxid und war aus der Fortführung einer Elektrodenschicht der Schichtstruktur (2) ausgebildet. Durch eine Randentschichtung von 7 mm und zwei umlaufende 100 μηη breite Isolationslinien (9) mit Unterbrechungen im Kontaktbereich (7) wurden zwei rahmenförmige Bereiche als transparente elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) gebildet. In den Kontaktbereichen (7) war die rahmenförmige transparente elektrisch leitfähige Schichtvorrichtung (3) mit dem Pol (2a) über mehrere Kontaktbereiche (7) galvanisch verbunden. In der Ausgestaltung der Erfindung wurden auf einfache Weise elektrisch leitfähige Schutzvorrichtungen (3) aus der Weiterbildung der Elektrodenschicht der Schichtstruktur (2) erhalten. Durch die Ausführung der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtungen (3) als Doppelrahmen wurde die Schutzfunktion für die Schichtstruktur (2) weiter erhöht. Bei Degradation des äußeren Rahmens der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) durch Delamination nach einem Langzeittest blieb der innere Rahmen der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) und die Schichtstruktur (2) funktionsfähig. Es war überraschend und eindeutig, dass die Drift von Verunreinigungen in die Schichtstruktur (2) und die damit verbundene dauerhafte Leistungsdegradation des Dünnschicht-Photovoltaik-Moduls (I) durch die Ausgestaltung der erfindungsgemäßen elektrisch leitfähigen und transparenten Schutzvorrichtung (3) verhindert werden konnte.
Fig. 5 zeigt detailliert ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des erfindungsgemäßen Dünnschicht-Bauelements (I) im Flussdiagramm.
Fig. 6 zeigt detailliert ein alternatives Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des erfindungsgemäßen Dünnschicht-Bauelements (I) im Flussdiagramm. Bezugszeichenliste:
(I) Dünnschicht-Bauelement
(1 ) Glasscheibe
(2) Schichtstruktur
(2a) Pol der Schichtstruktur
(3) elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung
(4) dielektrische Schutzvorrichtung
(5) Aussenkante der Glasscheibe
(7) Kontaktbereich
(8) Befestigungsmittel
(9) Isolationslinien

Claims

Patentansprüche
1. Dünnschicht-Bauelement (I) wobei auf einer Glasscheibe (1 ) eine Schichtstruktur (2) und eine elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) aufgebracht sind, auf der Schichtstruktur (2) und der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) mindestens eine dielektrische Schutzschicht (4) aufgebracht ist und wobei der Abstand zwischen der elektrisch leitfähigen Schutzvorrichtung (3) und der Aussenkante (5) der Glasscheibe (1 ) kleiner ist als der Abstand zwischen der Schichtstruktur (2) und der Aussenkante (5) der Glasscheibe (1 ).
2. Dünnschicht-Bauelement (I) nach Anspruch 1 , wobei die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) über mindestens einen Kontaktbereich (7) mit einem Pol (2a) der Schichtstruktur (2) galvanisch verbunden ist.
3. Dünnschicht-Bauelement (I) nach Anspruch 2, wobei die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) am Pol (2a) mit einer Frontelektrode der Schichtstruktur (2) galvanisch verbunden ist.
4. Dünnschicht-Bauelement (I) nach Anspruch 2, wobei die elektrische leitfähige Schutzvorrichtung (3) am Pol (2a) mit einer Rückelektrode der Schichtstruktur (2) galvanisch verbunden ist.
5. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) eine Breite von 0,5 mm bis 5 mm aufweist.
6. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) die Schichtstruktur (2) mindestens teilweise umrandet.
7. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein elektrisch leitfähiges Befestigungsmittel (8) an der Aussenkante (5) des Dünnschichtbauelements (I), bevorzugt an der Glasscheibe (1 ), angebracht ist.
8. Dünnschicht-Bauelement (I) nach Anspruch 7, wobei das elektrisch leitfähige Befestigungsmittel (8) das Dünnschicht-Bauelement (I) mindestens teilweise umrandet.
9. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) Silber, Gold, Kupfer, Wolfram, Nickel, Chrom, Molybdän, Zinnoxid, Zinkoxid, Aluminium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Indiumzinnoxid und / oder Kombination sowie Gemische davon enthält.
10. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Glasscheibe (1 ) 0,1 Gew.-% bis 20 Gew.-% und bevorzugt 10 Gew.-% bis 16 Gew.-% Alkali-Elemente enthält.
11. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die dielektrische Schutzschicht (4) Silikatglas, Polyvinylbutyral (PVB), Polyurethan (PU), Polypropylen (PP), Polyacrylat, Polyethylen (PE), Polycarbonat (PC), Polymethylmetacrylat, Polyvinylchlorid, Polyacetatharz, Gießharze, Acrylate Ethylenvinylacetat (EVA), Fluorinierte Ethylen-Propylene, Polyvinylfluorid, Ethylen- Tetrafluorethylen, Copolymere und/ oder Gemische davon enthält.
12. Dünnschicht-Bauelement (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 1 1 , wobei die Schichtstruktur (2) Dünnschicht-Photovoltaik-Zellen mit Silizium, Chalcopyrit oder Kadmium-Tellurid enthält.
13. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Bauelements (I), wobei
a. eine Schichtstruktur (2) auf eine Glasscheibe (1 ) aufgebracht wird, b. eine elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) auf die Glasscheibe (1 ) aufgebracht wird,
c. auf die Schichtstruktur (2) und die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) mindestens eine dielektrische Schutzschicht (4) aufgebracht wird und d. die Glasscheibe (1 ), Schichtstruktur (2), elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) und dielektrische Schutzschicht (4) zu einem Dünnschicht-Bauelement (I) verbunden werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) durch eine Laserschnitt-Ablation oder mechanische Abrasion aus Teilbereichen der Schichtstruktur (2) mit Isolationslinien (9) gebildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei die elektrisch leitfähige Schutzvorrichtung (3) mit Druckverfahren wie Siebdruck, Gravurwalzendruck, Tintenstrahldruck, Aerosoljet-Druck, Flexodruck, Impulsjet-Druck und/ oder Kombinationen davon aufgebracht wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei Befestigungsmittel (8) mindestens in Teilbereichen der Aussenkante (5) der Glasscheibe (1 ) angeschraubt, angeklemmt oder angeklebt werden.
17. Verwendung der Dünnschicht-Bauelemente (I) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 als Dünnschicht-Photovoltaik-Modul.
18. Verwendung der Dünnschicht-Bauelemente nach Anspruch 16 mit einem negativen elektrischen Potential zur Erdmasse von mindestens -100 V und bevorzugt mindestens -600 V.
EP10751883A 2009-09-30 2010-08-24 Dünnschicht-bauelement auf glas, ein verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung Withdrawn EP2483935A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009044142A DE102009044142A1 (de) 2009-09-30 2009-09-30 Dünnschicht-Bauelement auf Glas, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
PCT/EP2010/062295 WO2011039000A2 (de) 2009-09-30 2010-08-24 Dünnschicht-bauelement auf glas, ein verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2483935A2 true EP2483935A2 (de) 2012-08-08

Family

ID=43662556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10751883A Withdrawn EP2483935A2 (de) 2009-09-30 2010-08-24 Dünnschicht-bauelement auf glas, ein verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9099588B2 (de)
EP (1) EP2483935A2 (de)
JP (1) JP5514912B2 (de)
KR (1) KR20120080589A (de)
CN (1) CN102576713A (de)
DE (1) DE102009044142A1 (de)
WO (1) WO2011039000A2 (de)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10591795B2 (en) 2009-03-31 2020-03-17 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US10156762B2 (en) 2009-03-31 2018-12-18 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US9007674B2 (en) 2011-09-30 2015-04-14 View, Inc. Defect-mitigation layers in electrochromic devices
US12043890B2 (en) 2009-03-31 2024-07-23 View, Inc. Electrochromic devices
US9664974B2 (en) 2009-03-31 2017-05-30 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
US12353109B2 (en) * 2009-12-22 2025-07-08 View Operating Corporation Electrochromic cathode materials
US12496809B2 (en) * 2010-11-08 2025-12-16 View Operating Corporation Electrochromic window fabrication methods
WO2012125816A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Xunlight 26 Solar, Llc Intrinsically semitransparent solar cell and method of making same
CN103765599A (zh) * 2011-08-29 2014-04-30 法国圣戈班玻璃厂 具有疏水背面涂层的薄层光伏组件
DE102011082445A1 (de) * 2011-09-09 2013-03-14 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und Photovoltaikanlage
US11865632B2 (en) 2011-12-12 2024-01-09 View, Inc. Thin-film devices and fabrication
US12403676B2 (en) 2011-12-12 2025-09-02 View Operating Corporation Thin-film devices and fabrication
US12061402B2 (en) 2011-12-12 2024-08-13 View, Inc. Narrow pre-deposition laser deletion
USD933584S1 (en) 2012-11-08 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD767484S1 (en) 2014-11-19 2016-09-27 Sunpower Corporation Solar panel
USD1009775S1 (en) 2014-10-15 2024-01-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
USD750556S1 (en) * 2014-11-19 2016-03-01 Sunpower Corporation Solar panel
WO2015004247A1 (de) 2013-07-10 2015-01-15 Saint-Gobain Glass France Solarmodul mit elektrisch isoliertem befestigungselement sowie verfahren zu dessen herstellung
DE102013227174B4 (de) * 2013-12-27 2019-06-19 Fronius International Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung eines Isolationswiderstandes einer Photovoltaikanlage
USD933585S1 (en) 2014-10-15 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
USD913210S1 (en) 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
USD896747S1 (en) 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
US12235560B2 (en) 2014-11-25 2025-02-25 View, Inc. Faster switching electrochromic devices
CN107533267A (zh) 2015-03-20 2018-01-02 唯景公司 更快速地切换低缺陷电致变色窗
USD856919S1 (en) * 2017-10-16 2019-08-20 Flex Ltd. Solar module
DE102018222585A1 (de) * 2018-12-20 2020-06-25 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Reduktion der Potenzial induzierten Degradation von Solarzellen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060196535A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Swanson Richard M Preventing harmful polarization of solar cells
US20090078304A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Jack Arthur Gilmore Photovoltaic charge abatement device, system, and method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189272A (ja) * 1984-03-07 1985-09-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 太陽電池
DE3617675A1 (de) * 1985-06-15 1986-12-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Einrichtung an solargeneratoren zur verhinderung statischer aufladungen
DE3935826A1 (de) * 1989-02-17 1990-06-13 Gen Electric Solarplatte, damit ausgeruestetes raumfahrzeug und verfahren zum herstellen der solarplatte
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
FR2701786B1 (fr) * 1993-02-17 1995-09-22 Europ Agence Spatiale Cellule photovoltauique, son procede de realisation et panneau solaire comportant de telles cellules.
TW387152B (en) * 1996-07-24 2000-04-11 Tdk Corp Solar battery and manufacturing method thereof
JP3680490B2 (ja) 1997-05-29 2005-08-10 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 可撓性太陽電池モジュール
DE19802325A1 (de) * 1998-01-23 1999-08-05 Dornier Gmbh Elektrostatische Ableitung für Solarzellen
DE19954259B4 (de) * 1999-11-11 2005-09-15 Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg Dünnschicht-Photovoltaikmodul mit integrierter Flachantennenstruktur
FR2811778B1 (fr) * 2000-07-13 2003-06-20 Saint Gobain Dispositif electrochimique du type electrochrome ou dispositif photovoltaique et ses moyens de connexion electrique
DE10054776A1 (de) * 2000-08-08 2002-02-28 Astrium Gmbh Entladungsfester Raumfahrt-Solargenerator
JP2002359386A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 太陽電池ストリング、太陽電池アレイ及び太陽光発電システム
WO2005074039A1 (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置
US7608470B2 (en) 2005-06-28 2009-10-27 Intel Corporation Interconnection device including one or more embedded vias and method of producing the same
WO2007022955A1 (de) * 2005-08-22 2007-03-01 Conergy Ag Solarzelle
JPWO2007061033A1 (ja) * 2005-11-28 2009-05-07 シャープ株式会社 照明装置とその製造方法
KR20070056680A (ko) 2005-11-30 2007-06-04 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시 디바이스
FR2904437B1 (fr) 2006-07-28 2008-10-24 Saint Gobain Dispositif actif a proprietes energetiques/optiques variables
JP4762100B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
KR101301664B1 (ko) * 2007-08-06 2013-08-29 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된박막형 태양전지
DE102007050554B4 (de) 2007-10-23 2011-07-14 Adensis GmbH, 01129 Photovoltaikanlage
JP2009188357A (ja) 2008-02-08 2009-08-20 Showa Shell Sekiyu Kk 太陽電池モジュール
US20100096012A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Semiconductor device and method of producing a semiconductor device
US8647995B2 (en) * 2009-07-24 2014-02-11 Corsam Technologies Llc Fusion formable silica and sodium containing glasses

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060196535A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Swanson Richard M Preventing harmful polarization of solar cells
US20090078304A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Jack Arthur Gilmore Photovoltaic charge abatement device, system, and method

Also Published As

Publication number Publication date
CN102576713A (zh) 2012-07-11
JP5514912B2 (ja) 2014-06-04
US20120266945A1 (en) 2012-10-25
JP2013506975A (ja) 2013-02-28
DE102009044142A1 (de) 2011-03-31
US9099588B2 (en) 2015-08-04
KR20120080589A (ko) 2012-07-17
WO2011039000A2 (de) 2011-04-07
WO2011039000A3 (de) 2011-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011039000A2 (de) Dünnschicht-bauelement auf glas, ein verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung
DE69736151T2 (de) Photovoltaische Anordnung und Herstellungsverfahren
EP2537065B1 (de) Elektrochrome verglasung mit seriell verschalteten zellen, sowie herstellungsverfahren hierfür
EP2855146A1 (de) Dachscheibe mit einem integrierten photovoltaik-modul
DE4340402C2 (de) Verfahren zur Kontaktierung von Dünnschichtsolarmodulen
EP0630524A1 (de) Klimastabiles dünnschichtsolarmodul
EP2855180A1 (de) Dachscheibe mit einem integrierten photovoltaik-modul
EP2879869A1 (de) Verbundscheibe mit elektrischer kontaktierung
EP3084841B1 (de) Photovoltaikmodul
EP2751848A1 (de) Dünnschicht-photovoltaik-modul mit hydrophober rückseitenbeschichtung
DE102009007908A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik-Systems und Dünnschicht-Photovoltaik-System
DE202009018249U1 (de) Verbundsystem für Photovoltaik-Module
WO2011157340A1 (de) Anschlusseinrichtung für photovoltaikmodule und verfahren zu deren montage
EP2530742B1 (de) Solarzellenmodul
AT506684A1 (de) Photovoltaik-modul
DE112021006272T5 (de) Glasstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
EP2761673B1 (de) Solarmodul mit anschlussdose, sowie verfahren zum herstellen desselben
DE102009056128A1 (de) Rückseitenschichtsystem für Dünnschichtsolarmodule, Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenschichtsystems
DE102010017246A1 (de) Solarzellenmodul und Herstellungsverfahren hierfür
DE102013203414A1 (de) Solarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102011052318A1 (de) Solarmodul und Solarmodul-Herstellungsverfahren
DE102010006681A1 (de) Photovoltaikzelle, Photovoltaikmodul, Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikzelle und eines Photovoltaikmoduls
EP3020073A1 (de) Solarmodul mit elektrisch isoliertem modulträger sowie verfahren zu dessen herstellung
WO2025073501A1 (de) Verbundscheibe mit photovoltaikmodul
DE202024107658U1 (de) Flexibles Solarmodul mit kristallinen Siliziumsolarzellen

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20120201

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: REMY, PASCAL

Inventor name: PHAN, DANG CUONG

Inventor name: GIRON, JEAN-CHRISTOPHE

Inventor name: LETOCART, PHILIPPE

Inventor name: PAKOSCH, DANA

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20141216

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20160301