Las tansteuerungs Schaltung in einem Kraftfahrzeugsteuergerät
Die Erfindung betrifft eine Lastansteuerschaltung gemäß Anspruch 1.
Es sind Schaltungsanordnungen zur Stromregelung innerhalb von elektronischen Bremsensteuergeräten für Kraftfahrzeuge bekannt, mit denen der Strom von induktiven Lasten, wie zum Beispiel Ventilspulen oder Pumpenmotoren geregelt werden kann. Da in einem Kraftfahrzeug die Energie normalerweise aus einer Batterie zur Verfügung gestellt wird, muss der Stromregler einen je nach Art der Batterie relativ weiten Spannungsbereich abdecken. Aber auch der Spannungsbreich der Last selbst muss so ausgelegt sein, dass diese bei einer Versorgungsspannung am unteren Ende des spezifizierten Eingangsspannungsbereich noch ihre vorgesehene Funktion erfüllt. Dies führt zum Teil zu konstruktiven Kompromissen, welche zusätzliche Kosten verursachen. Das Problem wird dadurch verschärft, dass bei Automobilanwendungen im Span- nungsversorgungspfad häufig ein Verpolschutz benötigt wird, welcher je nach elektronischer Konzeptionierung zusätzliche Spannungsverluste hervorrufen kann, zum Beipsiel wenn eine Halbleiterdiodenanordnung hierzu verwendet wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine an sich bekannte Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last (Lastansteuerschaltung) , insbesondere eine Laststromreglerschaltung, in einem Steuergerät weiter zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Lastan- steuerungsschaltung gemäß Anspruch 1.
Gemäß der Erfindung erfolgt eine Lastansteuerung mit einem oder mehreren Stromreglern. Die Erfindung setzt sich unter anderem mit dem Gedanken auseinander, die Eingangsspannung für diesen bzw. die Laststromregler bzw. für die Lasten, auf
ein Spannungsniveau zu regeln, welches zumindest unterhalb, höchstens gleich ist im Vergleich zum Spannungsniveau, das der aktuellen Batteriespannung unter Last entspricht. Im beispielgemäßen Fall eines Bremsensteuergeräts kann es sich bei der angesteuerten Last beipielsweise um eine Magnetventilspule eines Hydraulikventils handeln. Werden die Magnetventile gemäß dem Stand der Technik quasi direkt mit einer Ansteuerung versorgt, also ohne Herabsetzung der Spannung mit einem Tiefsetzsteller, müssen diese, je nach Batterietyp und Spezifikation des Fahrzeugs, für einen relativ hohen Spannungsbereich ausgelegt werden. Der Einsatz eines Tief- setzstellers erlaubt den vorteilhaften Betrieb der Last in einem kleineren Spannungsbereich, wodurch die Konstruktionsanforderungen an die Lasten und damit häufig auch die Herstellungskosten in vielen Fällen geringer sind.
Die Lastansteuerschaltung umfasst bevorzugt auch eine Ver- polschutzschaltung . Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst das Steuergerät eine mit einem oder mehreren Steuerelementen steuerbare Verpolschutz- schaltung. Die Verpolschutzschaltung umfasst darin zumindest ein zumindest in eine Stromrichtung sperrendes Element. Die Besonderheit der besonders bevorzugten Schaltung ist, dass das oder die auf die Verpolschutzschaltung wirkende/n Steu- erelement/e auch für die Funktion des oder der Tiefsetzsteller genutzt werden kann/können.
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die Lastansteuerungsschaltung einen oder mehrere DC/DC- Wandler, welcher vorzugsweise mittels einer getakteten Stufe einen Energiespeicher, insbesondere eine Spule oder einen Kondensator, auflädt.
Bevorzugt erfolgt die Taktansteuerung nach Maßgabe des Lade-
zustands des Energiespeichers, der im Tiefsetzsteiler vorhandenen ist.
Die Modifikation der Taktung erfolgt bevorzugt durch eine Anpassung des Ansteuerungsmusters der bei Taktung angesteuerten aktiven Bauelemente.
Die Erfindung betrifft außerdem einen Tiefsetzsteiler gemäß Anspruch 13.
Weitere bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand von Figuren.
Es zeigen
Fig. 1 einen getakteten Tiefsetzsteiler,
Fig. 2 eine Schaltung zur Entlastung des Schalters im Tiefsetzsteiler gemäß Fig. 1,
Fig. 3 einen EMV-optimierten, verlustarmen Tiefsetzstel- ler,
Fig. 4 verschiedene Schaltphasen einer gegenüber Fig. 3 weiter verbesserten Schaltungsanordnung für einen Tiefsetzsteiler und
Fig. 5 eine Ladezustandsmessschaltung.
Der Tiefsetzsteiler in Fig. 1 umfasst einen getakteten DC/DC-Abwärtswandler mit einer Spule Ll als Energiespeicher. Die Taktung wird mit Halbleiterschalter Ml vorgenommen, welcher abwechselnd geschlossen und geöffnet wird. Durch Öffnen
und Schließen des Schalters und geeignete Wahl der Schaltfrequenz wird Spule Ll bis zu einer gewünschten Spannung geladen. Eine Entladung der Spule durch eine angeschlossene Last Rl erfolgt bei geöffnetem Schalter Ml durch eine Entladung von Spule Ll, wobei der Strom über Diode D3 fließt. Hinter der Spule, parallel zur Last, ist ein Kondensator C zur Glättung des periodischen Spulenstroms ähnlich einem Tiefpass 2. Ordnung angeordnet.
Die Schaltentlastung in Fig. 2 dient dem Zweck, die Verlustleistung beim Öffnen des Halbleiterschalters Ml zu verringern. Hierzu befindet sich ein Kondensator Cl im Pfad parallel zu Schalter Ml. In Reihe zu Cl befindet sich eine Diode Dl, welche in Stromflussrichtung der Spannungsversorgung gepolt ist. Parallel zu Diode Dl ist ein Widerstand R angeordnet. Ein Nachteil dieser Schaltung ist, dass in Widerstand R ein unerwünschter Anteil der in die Schaltung eingebrachten Leistung in Verlustwärme umgewandelt wird.
Der Tiefsetzsteller in Fig. 3 umfasst bis auf Widerstand R die Schaltungselemente der Figuren 1 und 2, jedoch erweitert um Halbleiterschalter M2 und Diode D2. D2 ist in Reihe von Schalter Ml in Stromflussrichtung der Versorgung geschaltet. Die Kathode von Diode D2 ist über Schalter M2 mit dem der Kathode von Diode Dl zugewandten Pol von Kondensator Cl verbunden. Der andere Pol von Kondensator Cl ist mit der Anode von Diode D2 und Schalter Ml verbunden.
Die vorstehend beschriebene Schaltung in Fig. 3 ermöglicht ein geglättetes Schalten von Schalter Ml und somit eine erhebliche Verringerung von EMV-Belastungen . Gegenüber der Schaltung in Fig. 2 werden zusätzlich die Verluste merklich reduziert. Schalter M2 wird geschlossen, wenn Ml geöffnet wird, so dass der in der vorhergehenden Schaltphase geladene
Kondensator Cl in der Ausschaltphase von Ml wieder entladen werden kann, wobei die gespeicherte Energie in den Lastkreis abgegeben wird.
Die Figuren 4a) bis 4d) zeigen verschiedene Schaltphasen einer gegenüber Fig. 3 modifizierten Schaltungsanordnung, bei der die Dioden Dl, D2 und D3 durch Halbleiterschalter ersetzt worden sind (Die Symbole Dl und D2 werden weiterhin verwendet) . Die mit Pfeilen versehenen dickeren Linien symbolisieren die in der jeweiligen Schaltphase stromführenden Leitungen. Die Symbole S, G und D bezeichnen die MOSFET- Anschlüsse Source, Gate und Drain. In Fig. 4a) sind die Schalter Ml und M2 eingeschaltet (Schaltzustand A) . Die Gate-Spannungen für die MOSFETs Ml und M2 werden durch Spannungsgenerator U_rect erzeugt. Die Gates der Schalter Dl, D2 und D3 sind mit dem Bezugspotential (GND bzw. "0") verbunden. Die Schalter Dl und D2 sind eingeschaltet. Schalter D3, welcher sich parallel zur Last befindet, ist ausgeschaltet. Der Strom fließt von Batterie Ub über Schalter Ml und M2 sowie die Dioden Dl und D2 in die Last Rl, Ll. In Fig. 4b) sind die Schalter Ml und M2 ausgeschaltet. Die Schalter Dl und D2 sind eingeschaltet. Schalter D3 ist ausgeschaltet (Schaltzustand B) . Während Schaltzustand B wird Kondensator Cl geladen. In Fig. 4c) sind die Schalter Ml und M2 sowie Dl und D2 ausgeschaltet. Schalter D3 ist eingeschaltet, so dass ein Rezirkulationsstrom durch die Last fließen kann (Schaltzustand C) . In Fig. 4d) sind die Schalter Ml und M2 geschlossen. Die Schalter Dl, D2 und D3 sind geöffnet (Schaltzustand D) . Der Strom fließt in dieser Schaltphase von der Batterie Ub über die Schalter Ml, M2 und Kondensator Cl in die Last.
Neben der hier dargestellten Variante können mit separater induktiver (realer) Last (ersatzweise vereinfacht darstell-
bar als Induktivität Ll und Innenwiderstand Rl) auch Lasten mit überlagerter Spannungsquelle (z.B. EMK bei einem Gleichstrommotor) geregelt werden.
Für bestimmte Anforderungen kann es zweckmäßig sein, die geregelte Spannung U Last mit einem kapazitiven Glied, zum Beispiel parallel zu Rl zu glätten.
Es kann weiterhin zweckmäßig sein, die im Kondensator Cl gespeicherte Energie in einer anderen Last zu verbrauchen. Eine Kombination mehrerer der oben definierten Tiefsetzsteller stellt eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung dar. Es ist sinnvoll, in einer spezifischen Implementierung in Abhängigkeit der Last die Kapazität von Cl je nach Anforderung geeignet zu wählen. Als MOSFETs können alternativ auch FETs oder bipolare Transistoren eingesetzt werden. Die Schaltungsgruppe mit den Bauelementen Ml, M2, Dl, D2 und Cl kann sowohl an positivem, negativem als auch an Bezugspotential (GND) betrieben werden. Die zuvor bezeichnete Schaltungsgruppe kann auch zur Darstellung anderer EMV-opti- mierter Schaltungen mit Rückspeisung der gepufferten Energie dienen, wie zum Beispiel in einem Hochsetzsteller, worin die beschriebene Baugruppe zum Aufladen der hochsetzerspezifi- schen Induktivität dient. Die Schaltung kann diskret oder integriert aufgebaut sein. Die Schaltung kann außerdem in Wechselspannungsnetzen eingesetzt werden, wenn ein Gleichrichter vorgeschaltet wird.
Die Ladezustandsmessschaltung in Fig. 5 kann beispielsweise zur Bestimmung des Ladezustands von Kondensator Cl in den Schaltungen gemäß den Figuren 3 und 4 eingesetzt werden. Die Schaltung umfasst einen Transistor Q20, dessen Basis über Widerstand R19 mit einem ersten Pol 1 des Kondensators Cl (Energiespeicher des DC/DC-Wandlers in Fig. 3 und 4) verbun-
den ist. Der Emitter des Transistors Q20 ist mit dem anderen Pol 2 des Kondensators Cl verbunden. Der Kollektor von Transistor Q20 führt über Widerstand R21 zur Basis von Transistor Q21 und Kondensator C20. Der Emitter von Transistor Q21 führt zu einem Masseanschluss, wie auch der andere Pol von Kondensator C20. Parallel zu Kondensator C20 ist Widerstand R20 angeordnet. Der Kollektor von Transistor Q21 bildet das Steuersignal für die Taktansteuerung. Dieser Anschluss ist über Widerstand R22 mit dem ersten Pol 1 des Kondensators Cl verbunden .
Solange Kondensator Cl eine positive Ladung besitzt (Spannung am ersten Pol 1 höher als am zweiten Pol 2 und Differenz größer als die Basis-Emitterspannung von Transistor Q20), ist Transistor Q20 durchgesteuert. Transistor Q21 sorgt für eine Anpassung des Signals auf einen Logikpegel. Die Widerstände R21, R20 und Kondensator C20 ermöglichen eine Anpassung der Laufzeit, so dass die Schaltzeiten unterschiedlicher FET-Typen berücksichtigt werden können. Eine optimale Ansteuerung der Schalter MDl, MD2 sowie Dl und D2 in Fig. 3 und 4 wird genau dann erreicht, wenn der Zeitpunkt der Ansteuerung mit einer Kondensatorspannung auf einen Wert nahe bei 0 V (Kondensator vollständig entladen) abgesunken ist. Bei Abweichungen des Ansteuerzeitpunkts in Richtung verspäteter Ansteuerung entstehen bei einem über die an den Kondensator angeschlossenen Schalter pulsierende unerwünschte Kurzschluss- bzw. Kreisströme. Bei zu früher Ansteuerung der Halbleiterschalter erhöht bei den sich im Diodenbetrieb befindenden Schaltelemente Dl und D2 lediglich der Innenwiderstand, wodurch Verluste entstehen. Insgesamt lässt sich somit durch geeignete Wahl des Ansteuerzeitpunkts in Abhängigkeit des Ladezustands des Kondensators Cl die Verlustleitung verringern und die EMV-Charakteristik der Schaltung noch weiter verbessern.