EP2118005A2

EP2118005A2 - Installation d'affinage de silicium

Info

Publication number: EP2118005A2
Application number: EP08762072A
Authority: EP
Inventors: Christophe Lafon; Roger Boen; Lionel Bruguiere; Christophe Girold; Florent Lemort; Armand Bonnetier; Pascal Rivat; Jean-Pierre Del Gobbo; Daniel Delage
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA; EFD Induction SAS
Current assignee: EFD Induction SAS; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2007-02-14
Filing date: 2008-02-12
Publication date: 2009-11-18
Also published as: AU2008220638B2; FR2912397B1; CN101646621B; ZA200906337B; JP2010517924A; JP5415285B2; FR2912397A1; CN101646621A; AU2008220638A1; WO2008104702A3; US20130133373A1; WO2008104702A2

Abstract

L'invention concerne l'installation pour l'affinage d'une charge de silicium (s) comportant un creuset (5) comprenant au moins une sole (20) constitué d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur; un moyen de refroidissement (26, 28) de la sole; un élément de protection (30) constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur et destiné à être interposé entre le creuset et la charge; et un moyen de chauffage par induction (23, 24) de la charge comprenant un enroulement (23) disposé dans ou sous la sole.

Description

INSTALLATION D'AFFINAGE DE SILICIUM

Domaine de l'invention

La présente invention concerne la fabrication de sili^¬ cium pour constituer des cellules de production d'énergie électrique par effet photovoltaïque. Ce silicium de qualité supé- rieure au silicium métallurgique est généralement désigné sous le vocable silicium photovoltaïque (Solar Grade ou SoG en anglais) . Exposé de l'art antérieur

Actuellement, le silicium destiné aux techniques photovoltaïques est essentiellement constitué des rebuts de l'industrie microélectronique, car le silicium utilisé pour des applications photovoltaïques peut contenir une proportion d'impuretés (de l'ordre d'une partie par million) moins critique que le niveau d'impuretés (de l'ordre d'une partie par milliard) qui est généralement requis en microélectronique.

Comme deuxième source de silicium pour produire du silicium adapté aux produits photovoltaïques, on a déjà proposé d'affiner le silicium fabriqué pour des applications métal^¬ lurgiques. Le silicium utilisé en métallurgie contient à la base plusieurs pourcents d'impuretés parmi lesquelles le fer, le titane, le bore, le phosphore, etc. qu'il est nécessaire d'éli^¬ miner (jusqu'à des teneurs nettement inférieures). Par exemple, le document EP-A-O 459 421 décrit un procédé de purification du silicium consistant à diriger un plasma d'arc vers la surface d'un bain de silicium contenu dans un creuset chaud à paroi de silice (SiC>2) • La vitesse élevée du plasma provoque un mouvement du bain dont l'intensité dépend de la puissance du plasma. Un creuset chaud à paroi en matériau réfractaire constitue une forme de creuset industriel couramment utilisé dans l'industrie métallurgique.

Un inconvénient de cette technique est que le silicium déjà chauffé par l'excitation électromagnétique de la bobine entourant le creuset chaud subit un échauffement supplémentaire dû au plasma. Cet échauffement supplémentaire est typiquement de plusieurs centaines de degrés et entraîne que le bain de silicium atteint la température de fusion de la paroi de silice. En effet, la température de fusion de la silice est de l'ordre de 200⁰C supérieure à celle du silicium. Sous l'effet de la fusion des parois, il y a donc un risque du point de vue de la sécurité de l'installation en raison de la fuite possible de métal liquide. On aurait pu penser accroître l'épaisseur des parois de silice. Toutefois, cela écarte l'enroulement inductif d'excitation qui sert au chauffage du silicium et pose alors des problèmes de rendement. En pratique, un creuset chaud a une épaisseur de paroi limite de moins de quelques centimètres. Un autre inconvénient des creusets chauds, qui sont généralement monoblocs pour des questions d'étanchéité, est qu'en cas de solidification accidentelle du silicium fondu à l'intérieur du creuset, l'expansion du silicium liée au refroidissement provoque une casse du creuset qui n'est alors pas réparable. Cet inconvénient est particulièrement gênant dans des applications industrielles. En effet, le silicium a pour caractéristique d'être un des rares métaux qui se dilate de façon importante lors de son refroidissement et notamment lors de son passage de la phase liquide à la phase solide. Sa densité passe de 2,6 à l'état liquide à environ 2,34 à l'état solide. La dilatation qui en découle lors du refroidissement est suffisamment importante pour provoquer la casse d'un creuset.

Dans un creuset chaud inductif, le nombre de tours de l'enroulement inductif autour du creuset est relativement faible. Généralement, pour une répartition homogène du champ, on prévoit d'une demi-douzaine à une douzaine de spires qui sont réparties dans la hauteur du creuset. Les spires sont espacées les unes des autres dans la hauteur du creuset, toujours pour des raisons d'homogénéité du champ, et aussi pour des raisons d'isolation électrique. Par conséquent, même si le bobinage est lui-même refroidi (par exemple, par circulation d'eau à l'intérieur des spires), cela n'est pas suffisant pour refroidir la paroi externe du creuset, ne serait-ce qu'en raison de l'écart entre les différents tours dans la hauteur de celui-ci. Pour s'affranchir des inconvénients dus à l'utili^¬ sation d'un creuset chaud inductif, on a déjà proposé d'utiliser un creuset froid inductif (ou creuset sectorisé) pour affiner du silicium. La demande de brevet français 2 871 151 au nom du CNRS décrit une installation d'affinage du silicium mettant en oeuvre un creuset froid sectorisé, entouré d'un enroulement, au moyen duquel est organisé un brassage turbulent du bain de silicium, un plasma produit par une torche à plasma inductive étant dirigé vers la surface du bain pour éliminer les impuretés . Des éléments d'un matériau réfractaire sont interposés entre le bain de silicium et le creuset froid de façon à pouvoir maintenir le bain de silicium fondu à une température élevée. Ceci permet de réduire le coût de fabrication du silicium purifié qui est essentiellement lié à la durée du traitement, et donc à la température du bain de silicium susceptible d'être obtenue. Toutefois, un inconvénient d'une telle installation d'affinage est que la réalisation d'un creuset froid sectorisé est particulièrement délicate et présente un coût important. Résumé de l'invention

La présente invention vise à proposer une installation de purification de silicium, notamment destinée à des applica- tions photovoltaïques, mettant en oeuvre un creuset froid et ne présentant pas les inconvénients d'une installation à creuset froid inductif classique.

L'invention vise également à proposer une solution compatible avec l'emploi d'une torche à plasma dirigée vers la surface du bain pour éliminer les impuretés.

L'invention vise également à améliorer la sécurité de l'installation en cas de refroidissement accidentel ou volontaire du bain de silicium entraînant sa solidification. Pour atteindre tout ou partie de ces objets ainsi que d'autres, il est prévu une installation pour l'affinage d'une charge de silicium, comportant un creuset comprenant au moins une sole constituée d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur ; un moyen de refroidissement de la sole ; un élément de protection constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur et destiné à être interposé entre le creuset et la charge ; et un moyen de chauffage par induction de la charge comprenant un enroulement disposé dans ou sous la sole. Selon un exemple de réalisation, la sole est traversée par une conduite dans laquelle est destiné à circuler un fluide de refroidissement, ladite conduite étant en le deuxième matériau réfractaire, en un troisième matériau réfractaire ou en un matériau conducteur électrique . Selon un exemple de réalisation, l'enroulement correspond à un tube creux dans lequel est destiné à circuler un fluide de refroidissement .

Selon un exemple de réalisation, l'élément de protection correspond à une poudre comprenant au moins le deuxième matériau réfractaire, l'élément de protection ayant une face en forme de poche et étant destiné à contenir la charge.

Selon un exemple de réalisation, l'élément de protection comprend, en outre, du carbone au moins au niveau de ladite face. Selon un exemple de réalisation, la sole comprend une face arrondie du côté de la charge.

Selon un exemple de réalisation, l'élément de protec^¬ tion comprend une portion recouvrant la face arrondie, ladite portion ayant une épaisseur constante à 10 % près.

Selon un exemple de réalisation, l'enroulement épouse la forme de la face arrondie.

Selon un exemple de réalisation, l'installation comprend, en outre, une torche à plasma destinée à être dirigée vers la surface libre de la charge.

Selon un exemple de réalisation, le creuset comprend, en outre, une paroi latérale métallique à la périphérie de la sole, l'installation comprenant un moyen de refroidissement de la paroi latérale. Selon un exemple de réalisation, la paroi latérale correspond à une pièce métallique monobloc comportant une cavité dans laquelle est destiné à circuler un fluide de refroi^¬ dissement.

Il est également prévu un procédé d'affinage d'une charge de silicium comportant les étapes consistant à prévoir un creuset comprenant au moins une sole d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur ; à disposer dans le creuset un élément de protection constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur ; à placer la charge sur l'élément de protection ; à refroidir la sole ; et à chauffer la charge par un moyen de chauffage par induction comprenant un enroulement disposé dans ou sous la sole.

Selon un exemple de réalisation, l'élément de protec- tion correspond à une poudre comprenant au moins le deuxième matériau réfractaire, le procédé consistant à répartir la poudre dans le creuset en formant une face en forme de poche destinée à contenir la charge. Brève description des dessins

Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d' autres seront exposés en détail dans la description suivante d'exemples de réalisation particuliers faite à titre non- limitatif en relation avec les figures 1 et 2 qui sont des coupes schématiques d'exemples de réalisation d'une installation d'affinage du silicium selon invention. Description détaillée

Par souci de clarté, les mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Seuls les constituants utiles à la compréhension de l'invention ont été représentés aux figures et seront décrits par la suite. En particulier, les détails constitutifs ainsi que les gaz employés dans la torche à plasma n'ont pas été détaillés, l'invention étant compatible avec des procédés classiques d'affinage au moyen d'une torche à plasma. De plus, les fréquences et inten^¬ sités d'excitation des enroulements inductifs n'ont pas été détaillées, l'invention étant là encore compatible avec les techniques habituelles de détermination de ces fréquences et intensités.

Une caractéristique de la présente invention est de prévoir un creuset comprenant une sole refroidie, également appelée fond ou semelle, en un matériau réfractaire et de prévoir un moyen de chauffage inductif du bain de silicium comprenant une bobine qui est disposée dans la sole ou sous la sole. La paroi latérale refroidie du creuset, lorsqu'elle est présente, peut alors être réalisée de façon non sectorisée, ce qui simplifie la réalisation du creuset. Une autre caracté^¬ ristique de la présente invention est d'interposer un élément de protection en un matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur entre le creuset froid et le bain de silicium. Ceci permet de maintenir le bain de silicium à une température élevée.

La figure 1 représente de façon schématique un exemple de réalisation d'une installation d'affinage comprenant un creuset 5 contenant un bain de silicium s. Le creuset 5 comporte une paroi latérale 10 cylindrique à base circulaire en un matériau métallique, par exemple en cuivre ou en acier inoxy^¬ dable. La paroi 10 contient une cavité 12 dans laquelle circule un fluide de refroidissement (par exemple de l'eau ou de l'air). L'installation comprend un élément 14 destiné à organiser la circulation du fluide de refroidissement dans la cavité 12. Le creuset 5 comprend, en outre, une sole 20, appelée également fond ou semelle, en un matériau réfractaire, bon conducteur de la chaleur, par exemple du ciment réfractaire à base de carbure de silicium, comprenant des faces supérieure 21 et inférieure 22 opposées et planes. La face supérieure 21 est située du côté du bain de silicium s et la face inférieure 22 est située du côté opposé au bain de silicium s. Un enroulement plat 23, ou bobine, d'un matériau bon conducteur de l'électricité, par exemple du cuivre, est disposé dans la sole 20. L'enroulement 23 est alimenté par un générateur 24 (G) basse fréquence (typiquement de quelques dizaines à quelques dizaines de milliers de hertz) . Lorsqu'un courant circule dans l'enroulement 23, on obtient un chauffage par induction du bain de silicium s. Le fait de prévoir l'enroulement 23 directement au niveau de la sole 20 permet d'obtenir un couplage électromagnétique efficace entre l'enroulement 23 et le bain de silicium s. La sole 20 peut être traversée par une conduite de refroidissement 26 dans laquelle circule un fluide de refroidissement (par exemple de l'eau). La conduite de refroidissement 26 peut être interposée entre la face supérieure 21 et l'enroulement 23 pour réduire le flux thermique parvenant jusqu'à l'enroulement 23. La conduite 26 est, par exemple, de section circulaire ou carrée et peut être réalisée en un matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur, par exemple un matériau à base de carbure de silicium. La conduite 26 est alors, de façon avantageuse, sensiblement transparente au champ électromagnétique émis par la bobine 23. Ceci permet d'améliorer le rendement du procédé d'affinage. Toutefois, pour des raisons de coûts et/ou de facilité de procédé de fabrication, la conduite 26 peut être réalisée en un matériau bon conducteur de la chaleur et de l'électricité, par exemple en cuivre ou en acier inoxydable. On prévoit alors un espacement minimum entre deux portions de la conduite 26 d'au moins deux ou trois millimètres pour limiter les perturbations du champ électromagnétique émis par la bobine 23 et obtenir un rendement satisfaisant. L'installation d'affinage comprend un élément 28 destiné à organiser la circulation du fluide de refroidissement dans la conduite 26. Selon une variante, l'enroulement 23 peut être disposé du côté de la face supérieure 21, c'est-à-dire interposé entre la face supérieure 21 et la conduite de refroidissement 26.

Selon une autre variante, l'enroulement 23 peut correspondre à un tube creux dans lequel circule un fluide de refroidissement, par exemple de l'eau. Dans ce cas, la sole 20 peut être directement refroidie par le fluide de refroidissement circulant dans l'enroulement 23. La conduite de refroidissement 26 peut alors ne pas être présente.

Selon une autre variante, l'enroulement 23 peut être disposé sous la sole 20 à proximité de la face inférieure 22 de la sole 20.

Selon une autre variante, la conduite de refroi^¬ dissement 26 peut être disposée dans la sole 20 de façon à se projeter au moins partiellement en saillie au niveau de la face supérieure 21.

Un élément de protection 30 d'un matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur est interposé entre le creuset 5 et le bain de silicium s. Le matériau constituant l'élément de protection 30 est choisi pour ne pas réagir chimiquement ou faiblement réagir avec le silicium en fusion. Il s'agit par exemple d'une poudre d'un matériau réfractaire, tel que de l'alumine, du quartz, de la zircone ou de la silice, ou un mélange de deux ou de plus de deux de ces matériaux. Un avantage à réaliser l'élément de protection 30 seulement à base de silice pour une application d'affinage du silicium et que cela minimise l'introduction, dans le bain de silicium s à traiter, d'impuretés provenant de l'élément de protection 30 lui-même. La poudre constituant l'élément de protection 30 peut être disposée dans le creuset 5 de façon manuelle ou par l'intermédiaire d'une trémie. La poudre est alors tassée de façon à être la plus compacte possible et définir une face 32 en forme de poche contenant le bain de silicium s, par exemple conique, sphérique ou elliptique, la plus continue possible. Pour ce faire, une poudre de granulométrie très fine peut être utilisée, par exemple une poudre ayant une granulométrie inférieure à 10 micromètres. Le fait que l'élément de protection 30 est constitué d'une poudre non frittée permet de faciliter la réalisation de la face 32 de l'élément de protection 30 contenant le bain de silicium s. En effet, une fois la poudre disposée dans le creuset 5, la face 32, par exemple en forme de poche, peut être réalisée très simplement par exemple par pressage de la poudre par l'intermédiaire d'un poinçon.

L'épaisseur de l'élément de protection 30 est suffisante pour limiter le flux thermique du bain de silicium s vers la sole 20 et la paroi latérale 10. A titre d'exemple, l'épaisseur minimale de la couche de protection 30 est supérieure à au moins un millimètre, de préférence supérieure à 5 millimètres. L'élément de protection 30 empêche, en outre, un contact direct entre le bain de silicium s fondu et la paroi latérale 10 et la sole 20 du creuset 5. Ceci permet de réaliser la paroi latérale

10 en un métal à bas coût, par exemple de l'acier inoxydable, tout en maintenant le bain de silicium à une température élevée. De plus, l'utilisation d'une poudre pour la réalisation de l'élément de protection 30 offre une protection en cas de refroidissement fortuit du silicium fondu. En effet, en cas de solidification, le silicium tend à augmenter de volume et à exercer une pression sur l'élément de protection 30. L'élément de protection 30, qui a une consistance poudreuse, tend à se déformer facilement, réduisant les efforts exercés sur la paroi latérale 10 et la sole 20 du creuset 5. Selon une variante, l'élément de protection 30 comprend également une poudre de carbone, par exemple du graphite, qui peut être mélangée au reste de l'élément de protection 30 ou qui peut correspondre à une couche d'une poudre de carbone pure disposée au niveau de la face 32 de l'élément de protection 30. Le carbone peut servir à piéger par capillarité certaines impuretés du silicium fondu (notamment le fer et/ou le bore) du bain de silicium s qui tendent à réagir avec le carbone. A titre d'exemple, dans le cas où le carbone est disposé sous la forme d'une couche recouvrant la face 32 de l'élément de protection 30, on peut même observer, en fonctionnement, la formation d'une couche de carbure de silicium au niveau de la face 32 de l'élément de protection 30.

Selon une autre variante, le bain de silicium s peut ne pas être en contact direct avec l'élément de protection 30. En effet, le bain de silicium s peut être contenu dans un creuset intermédiaire en un matériau réfractaire, par exemple en silice, le creuset intermédiaire étant disposé au contact de l'élément de protection 30. Le creuset intermédiaire peut être d'un seul bloc ou être constitué de plusieurs morceaux reliés les uns aux autres .

Selon une autre variante, l'élément de protection 30 peut être rigide et correspondre à une pièce monobloc ou être constitué de plusieurs morceaux reliés les uns aux autres. L'élément de protection 30 est, par exemple, obtenu par frittage d'une poudre d'un matériau réfractaire. L'élément de protection 30 est alors disposé dans le creuset 5 au contact de la paroi latérale 10 et de la sole 20 et définit un volume interne recevant le bain de silicium s. La figure 2 représente un autre exemple de réalisation du creuset 5 dans lequel la face supérieure 21 de la sole 20 a une forme arrondie, correspondant, par exemple, à une portion d'ellipsoïde, à une portion sphérique, à un cône, etc. L'élément de protection 30 peut alors correspondre à une couche d'une poudre d'un matériau réfractaire ou de plusieurs matériaux réfractaires, cette couche étant disposée uniformément sur la face supérieure 21 de la sole 20. A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche de protection 30 peut être constante à 10 % près et supérieure à au moins un millimètre et, de préférence, supérieure à 5 millimètres . Ceci présente l ' avantage de permettre un meilleur contrôle des échanges thermiques entre le bain de silicium fondu s et la sole 20. La sole 20 peut avoir une épaisseur constante de sorte que la face inférieure 22 de la sole 20 a également une forme arrondie qui reproduit la forme de la face supérieure 21.

Dans le présent exemple de réalisation, la bobine 23 est disposée sous la face inférieure 22 de la sole 20 dont elle épouse avantageusement la forme. Selon une variante, la bobine 23 est disposée dans la sole 20, par exemple à proximité de la face supérieure 21 de la sole 20 dont elle épouse la forme.

Selon une variante du présent exemple de réalisation, la courbure de la sole 20 peut être suffisante pour que la paroi latérale 10 ne soit pas présente. Le maintien du creuset 5 est alors directement réalisé au niveau de la sole 20. Dans les exemples de réalisation décrits précédemment, les dimensions du creuset 5, notamment les dimensions de l'élément de protection 30 sont telles que le bain de silicium s est globalement contenu dans un volume cylindrique de diamètre D et de hauteur h tel que le rapport entre la hauteur h et le diamètre D est inférieur à 0,5, de préférence inférieur à 0,1.

Pour les exemples de réalisation décrits précédemment, on prévoit une torche à plasma inductive 35 qui est placée de façon que la flamme f du plasma vienne lécher la surface libre du bain de silicium s. Le dispositif de maintien de la torche à plasma 35 n'est pas représenté. La fonction du plasma est de créer un milieu formé des radicaux libres et des ions du ou des gaz plasmagènes au voisinage de la surface libre du bain. L'atmosphère ainsi créée est extrêmement réactive et les impuretés présentes à la surface du bain se combinent avec le gaz réactif du plasma et deviennent volatiles (ou, à l'inverse solides) à la température de surface du bain. L'ensemble de l'installation est maintenu sous une atmosphère contrôlée, ce qui permet d'évacuer au fur et à mesure les molécules contenant les impuretés. La torche à plasma 35 comporte, par exemple, une amenée 36 de gaz réactif gr au centre de la torche, une amenée concentrique 37 d'un gaz auxiliaire ga (par exemple, de l'argon). Un gaz plasma gp (par exemple, également de l'argon) est en outre véhiculé de façon concentrique au gaz auxiliaire ga. Une bobine d'induction 38 entoure l'extrémité libre de la torche 35 de façon à créer le plasma inductif. La bobine 38 est généralement excitée par un courant alternatif à une fréquence de l'ordre du mégahertz par un générateur 39. De façon classique, différents gaz réactifs peuvent être injectés dans le plasma, soit simultanément soit successivement pour leurs actions sélectives sur les éléments indésirables.

Le creuset 5 des exemples de réalisation décrits précédemment peut comprendre un dispositif de coulée 40 situé par exemple au fond et au centre de la sole 20. Le dispositif de coulée 40 est, par exemple, constitué d'un orifice initialement obturé à l'aide d'un clapet ou d'une vanne à tiroir placé en dessous de l'élément de protection 30. L'élément de protection 30 protège avantageusement le dispositif de coulée 40 du contact direct d'avec le silicium dans les phases de fusion et de purification du silicium. Le dispositif de coulée 40 peut également comprendre un dispositif à quenouille ou une rondelle de silice frittée. A titre de variante, le dispositif de coulée 40 peut ne pas être présent. Le creuset 5 peut alors être monté sur un élément rotatif, non représenté, permettant d'en renverser le contenu.

Un exemple de procédé d'affinage du silicium pouvant être mis en oeuvre avec les exemples de réalisation d'installation d'affinage décrits précédemment va maintenant être décrit.

Au départ, l'élément de protection 30 est disposé dans le creuset 5 et mis en forme dans le cas où l'élément de protection 30 a une consistance poudreuse. L'élément de protection 30 est alors rempli d'une charge de silicium s constituée de poudre, de copeaux, ou de débris de silicium. A titre d'exemple, une charge de 200 à 400 kg peut être disposée dans l'élément de protection 30. Le silicium étant semiconducteur, il doit être préchauffé avant de devenir progressivement conducteur (autour de 800⁰C) et de pouvoir alors être chauffé par induction au moyen de la bobine 23.

Par exemple, on actionne d'abord la torche à plasma 35 pour préchauffer la charge de silicium solide et la porter à la température permettant d'obtenir un couplage avec le champ à basse fréquence créé par la bobine 23 du creuset 5. Le gaz utilisé dans cette phase de préchauffage est de préférence de l'argon. Le cas échéant, de l'hydrogène est introduit comme gaz réactif pour augmenter la conductivité thermique du plasma et accélérer ainsi le préchauffage de la charge de silicium.

A la fin de cette phase de démarrage, le silicium est entièrement fondu et l'énergie nécessaire au maintien de cet état fondu est essentiellement fournie par la bobine 23 du creuset 5.

Dans une deuxième phase, on favorise un brassage tur^¬ bulent du bain dans le sens des flèches aux figures 1 et 2 et on introduit, dans le plasma, simultanément ou séquentiellement, un ou plusieurs gaz réactifs appropriés à l'élimination des impu- retés qui, en se combinant avec un gaz réactif à la surface du bain s, forment des espèces volatiles qui sont vaporisées.

Dans une troisième phase éventuelle, on peut doper le silicium ainsi purifié par des éléments favorisant le pouvoir photovoltaïque du silicium polycristallin par passivation des défauts, par exemple, en le dopant avec de l'hydrogène.

Le silicium, une fois affiné et le cas échéant dopé, est vidé du creuset 5 par l'intermédiaire du dispositif de coulée 40 ou par inclinaison du creuset 5. Une partie du silicium fondu peut être laissée dans le creuset 5 pour favoriser la fusion de morceaux de silicium solide ajoutés au creuset 5 pour le traitement d'une nouvelle charge de silicium.

La formation d'un champ électromagnétique dans le bain de silicium liquide s qui présente une fluidité élevée (visco- site de seulement 6,88.10^"^ pa.s à 1500⁰C) permet un brassage efficace du silicium fondu qui favorise l'épuration par agré^¬ gation des impuretés puis "l'écrémage" de celles-ci en surface du bain. La demanderesse a mis en évidence par simulation que les forces électromagnétiques dans le bain de silicium fondu s sont essentiellement verticales, ce qui est favorable au brassage et donc à l'épuration du silicium. Cette remontée est également favorisée par la faible profondeur relative du bain du fait de la forme basse du creuset 5. Le diamètre D du bain de silicium s (associé à sa faible hauteur h) permet l'obtention d'une épuration par "évaporation" de surface efficace tout en permettant le traitement d'une quantité importante de silicium pour chaque charge de silicium à traiter. En outre, la faible profondeur relative du creuset 5 permet de réaliser facilement une évacuation quasi complète du silicium fondu par basculement modéré du creuset.

Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les gaz utilisés seront choisis en fonc^¬ tion des impuretés devant être éliminées. De plus, les dimen- sions des différents éléments de l'installation sont à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus et de l'application. En particulier, bien qu'un creuset cylindrique à base circulaire ait été décrit, on peut prévoir l'utilisation d'un creuset tronconique ou d'un creuset à base carré ou rectangulaire. En outre, bien qu'un procédé d'affinage mettant en oeuvre une torche à plasma ait été décrit, la purification du silicium fondu peut être réalisée par tout moyen adapté. En particulier, un système d'injection de bulles de gaz réactifs directement dans le silicium fondu peut être utilisé.

Claims

REVENDICATIONS

1. Installation pour l'affinage d'une charge de silicium (s), caractérisée en ce qu'elle comporte : un creuset (5) comprenant au moins une sole (20) constitué d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur ; un moyen de refroidissement (26, 28) de la sole ; un élément de protection (30) constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur et destiné à être interposé entre le creuset et la charge ; et un moyen de chauffage par induction (23, 24) de la charge comprenant un enroulement (23) disposé dans ou sous la sole.

2. Installation selon la revendication 1, dans laquelle la sole (20) est traversée par une conduite (26) dans laquelle est destiné à circuler un fluide de refroidissement, ladite conduite étant en le deuxième matériau réfractaire, en un troisième matériau réfractaire ou en un matériau bon conducteur électrique.

3. Installation selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle l'enroulement (23) correspond à un tube creux dans lequel est destiné à circuler un fluide de refroidissement.

4. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'élément de protection (30) correspond à une poudre comprenant au moins le deuxième matériau réfractaire, l'élément de protection ayant une face (32) en forme de poche et étant destiné à contenir la charge (s) .

5. Installation selon la revendication 4, dans laquelle l'élément de protection (30) comprend, en outre, du carbone au moins au niveau de ladite face (32) .

6. Installation selon l'une quelconque des revendi^¬ cations 1 à 5, dans laquelle la sole (20) comprend une face arrondie (21) du côté de la charge (s) .

7. Installation selon la revendication 6, dans laquelle l'élément de protection (30) comprend une portion recouvrant la face arrondie (21), ladite portion ayant une épaisseur constante à 10 % près.

8. Installation selon la revendication 6 ou 7, dans laquelle l'enroulement (23) épouse la forme de la face arrondie (21) .

9. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant, en outre, une torche à plasma (35) destinée à être dirigée vers la surface libre de la charge (s) .

10. Installation selon l'une quelconque des reven^¬ dications 1 à 9, dans laquelle le creuset (5) comprend, en outre, une paroi latérale métallique (10) à la périphérie de la sole (20), l'installation comprenant un moyen de refroidissement (12, 14) de la paroi latérale.

11. Installation selon la revendication 10, dans laquelle la paroi latérale (10) correspond à une pièce métal^¬ lique monobloc comportant une cavité (12) dans laquelle est destiné à circuler un fluide de refroidissement.

12. Procédé d'affinage d'une charge de silicium (s), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : prévoir un creuset (5) comprenant au moins une sole (20) d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur; disposer dans le creuset un élément de protection (30) constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur ; placer la charge sur l'élément de protection ; refroidir la sole ; et chauffer la charge par un moyen de chauffage par induction (23, 24) comprenant un enroulement (23) disposé dans ou sous la sole.

13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'élément de protection (30) correspond à une poudre comprenant au moins le deuxième matériau réfractaire, le procédé consistant à répartir la poudre dans le creuset (5) en formant une face (32) en forme de poche destinée à contenir la charge (s) .