EP1756797A1 - Layout de pixel oled - Google Patents

Layout de pixel oled

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Publication number
EP1756797A1
EP1756797A1 EP05857313A EP05857313A EP1756797A1 EP 1756797 A1 EP1756797 A1 EP 1756797A1 EP 05857313 A EP05857313 A EP 05857313A EP 05857313 A EP05857313 A EP 05857313A EP 1756797 A1 EP1756797 A1 EP 1756797A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
pixel
line
capacitor
electrode
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP05857313A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Walid Benzarti
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP1756797A1 publication Critical patent/EP1756797A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
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    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
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    • G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements

Definitions

  • the present invention relates to a microelectronic device for emitting light radiation and can be used for example to form a matrix of improved pixels of displays or OLED type screens (OLED for "Organic Light Emission Displays", in French displays organic electroluminescent).
  • OLED Organic Light Emission Displays
  • OLED screens are flat screens using the OLED organic diode luminescence property.
  • a pixel-integrated current addressing device is generally provided.
  • FIG. 1 An example according to the prior art of such an addressing device associated with a light-emitting diode 10, of the OLED (OLED for "Organic Light Emission Diode”) type is illustrated in FIG. 1.
  • This example of an addressing device comprises firstly a first thin film transistor or TFT (TFT for "thin film transistor”) denoted 11, functioning as a switch, and whose opening or closing is controlled by a selection signal, for example in the form of a voltage noted vlin applied to the grid of the latter.
  • TFT thin film transistor
  • the addressing device further comprises at least one second thin film transistor or TFT noted 12 making it possible to produce a current id at the input of the light-emitting diode 10, as a function of a control voltage vdat, the current id causing the emission of radiation by the diode 10.
  • the adjustment voltage vdat is a function a value of luminous intensity or luminance at which it is desired to fix the radiation emitted by the diode 10. For a certain value of the selection signal vlin, the first transistor 11 can be put in a "closed" state.
  • the control voltage vdat is then applied to the drain of the first thin-film transistor 11, and transmitted on the gate of the second thin-film transistor 12 connected to the source of the first transistor 11, the second transistor 12 then emitting the current id to the input of the light-emitting diode 10.
  • the second transistor 12 thus acts as a current modulator at the input of the diode 10.
  • the second transistor 12 is generally biased in saturation mode, by a bias voltage denoted Vdd for example of the order of + 16V, applied to the drain of the second transistor 12.
  • the first transistor 11 and the second transistor 12 may be TFT (Thin Film Transistor) type transistors. in French transistor thin layer), formed for example of a active layer based on amorphous silicon or polycrystalline silicon.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the current modulator transistor 12 of such an addressing device may be eventually replaced by two common drain transistors biased by the voltage + Vdd, and whose respective sources are connected to an electrode of the light-emitting diode 10.
  • this variant can make it possible to improve the efficiency of the method of manufacturing the OLED pixel arrays, the efficiency being defined in this case by the ratio between the number circuitry usable at the end of the manufacturing process and the total number of circuits initially subjected to the manufacturing process.
  • the addressing device also comprises a capacitor 13, called a "storage” capacitor, designed to enable the vdat control signal to be retained, when this signal is transmitted on the gate of the second thin-film transistor 12.
  • the capacitor 13 is generally arranged so that one of its electrodes marked 14 is connected to the gate of the current modulator transistor 12 and to the source of the first switch transistor 11, while the other electrode 15 is connected to a mass or at a fixed potential.
  • This mass or this fixed potential is generally provided by a line or a bus, whose role is, as described for example in the aforementioned document and the EP document.
  • the arrangement of the lines or buses used to polarize the storage capacitors Cs of the different pixels is generally such that these lines or these buses intersect other lines making it possible, for example, to route the data signals. or the biasing signals of the current modulator means may be noise source also called "cross talk".
  • the capacitance value of capacitor 13 is generally high and induces a large bulk of the latter. This congestion can limit the aperture ratio of the pixels.
  • the polarization of the second electrode of the storage capacitor Cs by a specific line and the space generated by this capacitor also makes the arrangement of the various components of the pixel relative to one another difficult.
  • the present invention proposes a microelectronic device making it possible to produce a light radiation provided with a matrix comprising a plurality of pixels, each pixel being formed of a stack of layers and comprising: electroluminescent means, capable of emitting light radiation as a function of a current received as input, current modulator means capable of modulating, as a function of a control signal carried by a data line, said input current of the electroluminescent means,
  • a selection line connected to the switch means capable of conveying said selection signal to the switch means, a polarization line connected to the current modulator means, capable of conveying a bias signal of the current modulator means, a storage capacitor , able to hold said input control signal of the current modulator means and comprising a first electrode connected to the current modulator means, the second capacitor electrode being connected to another selection line of another pixel of the matrix
  • the current modulator means may be located between the switch means and the storage capacitor in said stack of layers. Such an arrangement can make it possible to limit the number of crossings of lines or semiconductor and / or different metal zones within each pixel.
  • the current modulator means as well as at least a portion of the storage capacitor, may be located between the polarization line and the electroluminescent means.
  • said second capacitor electrode is not connected to a line or a bus whose role is specifically and solely dedicated to the polarization of the latter, but to a line having another function. , for example that of routing the selection signal of another pixel, or for example that of polarizing the current modulator means of said pixel.
  • This may in particular make it possible to facilitate the arrangement of the components of said pixel, as well as a saving of space within each pixel of the matrix.
  • This space saving can make it possible to obtain pixels of reduced size or / and to improve the aperture ratio according to the Anglo-Saxon terminology of each of said pixels.
  • This may also make it possible to reduce the number of crossings between lines likely to convey an electrical signal to the within a same pixel, and thus reduce the type of cross talk interference that can be generated by these crossings.
  • the modulator means are connected to a polarization line. This can make it possible to associate each pixel of the matrix with a standard electronic addressing circuit or to protect itself from a specific addressing circuit.
  • the modulator means comprise at least one gate capable of receiving said adjustment signal and formed from a so-called layer of gate material layer
  • the first electrode of the capacitor storage can be connected to said grid and formed from a layer called "active layer", different from the layer of gate material.
  • the second electrode of the capacitor and said other selection line of the other pixel can be connected and formed from a same layer, for example the layer of gate material.
  • Such arrangements may make it possible to limit the number of crossings between lines or semiconductor and / or metal zones carrying different signals within each pixel and to limit the noise as well as risks of short-circuiting.
  • Said electroluminescent means may comprise an electrode formed of at least one layer of organic nature. Said matrix can then be an array of OLED pixels. Said switch means may comprise at least one thin film transistor. The current modulator means may in turn comprise at least one thin film transistor. According to one possibility, the current modulator means may also comprise a thin-film transistor.
  • the current modulator means may comprise a first thin film transistor and a second thin film transistor sharing a common drain region.
  • said other pixel may be a pixel neighboring said pixel, for example located on the same vertical row of the pixel matrix as the latter .
  • the storage capacitor may be in contact with said other selection line of said neighboring pixel over a distance of at least 50 ⁇ m or half the width of the pixel.
  • the storage capacitor can take many forms. According to an advantageous embodiment, the latter may comprise a portion located between the polarization line and the electroluminescent means and another part located between the electroluminescent means and said selection line of said other pixel.
  • said storage capacitor can have an L shape, which can in particular facilitate the arrangement of components within each pixel. This particular shape may also allow when one of the bars forming the X L 'is in contact with and parallel to the selection line of another pixel, to obtain a storage capacitor having good electrical properties.
  • the storage capacitor may optionally be formed of two capacitors placed in parallel.
  • the invention also relates to a microelectronic device for producing a light radiation having a matrix comprising a plurality of pixels, each pixel being formed of a stack of layers and comprising:
  • electroluminescent means capable of emitting light radiation as a function of a current received at the input
  • modulator means of current switch means connected to said data line, able to transmit or not said adjustment signal to the current modulator means as a function of a selection signal
  • a selection line connected to the switch means adapted to convey said selection signal to the switch means, a polarization line connected to the current modulator means, adapted to convey a bias signal of the current modulator means, a capacitor capable of retaining said input signal from the current modulator means and comprising a first electrode connected to the current modulator means and a second capacitor electrode connected to said polarization line, the modulator means being situated in said stack between the storage capacitor and the switch means.
  • the modulator means may comprise at least one gate capable of receiving said adjustment signal and formed from a so-called layer of gate material layer, the first electrode of the storage capacitor being connected to said gate and formed to from a layer called "active layer", different from the layer of gate material.
  • the current modulator means and at least a portion of the storage capacitor may be located between the polarization line and the light emitting diode.
  • FIG. 1 illustrates an electrical diagram of an OLED pixel according to the prior art
  • FIGS. 2 and 3 illustrate electrical diagrams of exemplary pixel matrixes according to the invention
  • FIG. 4 illustrates an example of a stack of layers included in a matrix of pixels according to the invention
  • FIGS. 5A, 5B, 5C, 5D illustrate the patterns of different layers of such a stack
  • FIG. 6 illustrates another stack of layers included in an alternative pixel matrix according to the invention
  • FIGS. 7A, 7B, IC 1 illustrate the patterns of different layers of such another stack
  • FIGS. 8A, 8B illustrate another example of a stack of layers included in another variant of the following OLED pixel array 1 invention.
  • This device comprises a matrix of m (with m an integer) lines or "horizontal rows" (in the direction of the axis i an orthogonal reference [O; i, - j] defined in this figure) vertices “(following the direction of an axis j of the orthogonal reference [0; i; j]) of pixels or OLED-like cells (OLED for" Organic Light Emission Display ").
  • a pixel P comprising, first of all, electroluminescent means of an organic nature, for example an OLED (OLED) diode which is to be noted OEL, is particularly distinguished.
  • the OEL diode is able to emit light radiation as a function of a current supplied to it by means of current modulator means, for example in the form of a first thin-film transistor TFT2a and a second thin-film transistor noted TFT2b.
  • the respective source regions of the first thin-film transistor TFT2a and the second thin-film transistor TFT2b are each connected to the anode of the OEL diode.
  • the current modulator means are biased by a bias voltage + Vdd for example + 16V, carried by a polarization line denoted PL connected to a common drain region TFT2a transistors TFT2b and.
  • the polarization line PL extends in the same direction as that of the vertical rows of the pixel array.
  • the polarization line PL can be shared by several pixels belonging to the same vertical row as the pixel P, or even to all the pixels belonging to the same vertical row of the matrix as the pixel P.
  • the current emitted from the means of the pixel P depends in particular on a control voltage vdat conveyed by a line that will be noted DL and which will be called "data line".
  • This line of data DL extends in this example, in the direction of the vertical rows of the matrix.
  • the data line DL may be shared by several pixels, or even by all the pixels belonging to the same vertical row as the pixel P.
  • the data line DL is connected to switch means, which take the form of, for example, a thin-film transistor TFT1.
  • the source of transistor TFT1 is connected to the gates of transistors TFT2a and TFT2b.
  • the transistor TFT1 makes it possible to transmit or not on the gate of the transistor TFT2a and on the gate of the transistor TFT2b, the adjustment voltage vdat, as a function of a so-called "selection" signal noted vsel.
  • the selection signal vsel is applied for example on the gate of the transistor TFT1.
  • the selection voltage vsel of the pixel P is conveyed by a line called “selection", denoted SL, which extends in this example, in the same direction as that of the horizontal rows of the matrix.
  • the selection line SL can be shared by several pixels, or even by all the pixels belonging to the same horizontal row as the pixel P. Thus, in this example, the pixels of the matrix are addressed, horizontal row by horizontal row.
  • the pixel P furthermore comprises a so-called “storage” capacitor Cs, which makes it possible to retain the vdat adjustment signal, when this signal is transmitted to the current modulator means TFT2a and TFT2b.
  • the capacitor Cs is arranged in such a way that one of its electrodes is connected to the respective gates of the modulating transistors TFT2a and TFT2b, whereas the second electrode is connected to a line or a bus acting as a ground line or a fixed potential.
  • the modulating transistors TFT2a and TFT2b may be located between the switching transistor and the storage capacitor Cs. Such an arrangement may make it possible to reduce the so-called "cross talk" noise within the pixel.
  • the line or the bus connected to the second electrode of the capacitor Cs corresponds in this example to a selection line SL 'of another pixel P', close to the pixel P and situated on the same vertical row as the latter .
  • the selection line SL 'belonging to the neighboring pixel P' makes it possible to convey a selection signal of said neighboring pixel P '.
  • the selection line SL conveys the selection signal vsel to the pixel P, while the other selection line SL 'of said neighbor pixel P' is inactive and does not carry a selection signal.
  • P ' is preferably the neighboring pixel of the previously addressed line. Indeed, if P 'is addressed after P, the load at the terminals of the capacitor Cs may be modified during the addressing of the line that serves as an electrode. The other selection line SL 'can then act as a ground for the second electrode of the capacitor Cs. When SL 'is inactive, it is maintained at a fixed potential, for example between -2 V and + 2 V, generally close to OV.
  • a line or a bus whose role is solely and specifically dedicated to the polarization of the second electrode storage capacitor Cs.
  • This polarization is, in this example, provided by the selection line SL 'of said neighbor pixel P', which also has the role of conveying the selection signal of said neighbor pixel P '.
  • Such a pixel arrangement may be compatible with a standard electronic addressing circuit, for example a circuit of the type used for LCD (Liquid Crystal Display) dies.
  • the common drain transistors TFT2a and TFT2b may be replaced by a single thin-film transistor, the drain of which is polarized by the line PL, the source is connected to the anode of the OEL electroluminescent means, and the gate connected to the first electrode of the storage capacitor.
  • This modulator transistor may be located between the switch transistor and the storage capacitor.
  • FIG. 3 represents a variant of the exemplary device previously described. The 56
  • each storage capacitor included in each pixel of the matrix and in particular in the pixel P is this time noted C 's and comprises firstly a first electrode connected to the gates of the current modulator transistors TFT2a and TFT2b, and a second electrode connected to the polarization line PL of the pixel P.
  • a line or a bus whose role is solely and specifically dedicated to the polarization of the second electrode of the capacitor storage.
  • This polarization is provided by the line PL which also allows the polarization signal to be conveyed from the current modulating transistors TFT2a and TFT2b.
  • the arrangement within the pixel may be such that the current modulating transistors TFT2a and TFT2b are located between the switch transistor and the storage capacitor. Such an arrangement may make it possible to reduce the so-called "cross talk" noise within the pixel.
  • vdat is of the order of 10V and vsel of the order of 15 V.
  • FIG. 4 represents a technological stack or layers in top view of a portion of an array of OLED cells or pixels.
  • the pixel P is delimited in particular by a line denoted 112 belonging to it and by another line denoted 312 belonging to a neighboring pixel P "situated on the same horizontal row of the matrix as the pixel
  • the lines 112 and 312 extend in a direction parallel to the axis j of an orthogonal reference [0; /; j] defined in Figure 4, which corresponds to the same direction as that of the vertical rows of the matrix.
  • the lines 112 and 312 respectively correspond to the data line DL capable of conveying the adjustment signal vdat of the pixel P, and to a data line denoted DL '' capable of conveying the adjustment signal of the neighboring pixel P ''.
  • the pixel P is also delimited by another pair of lines of which a denoted 106 belongs to it and of which another denoted 206 belongs to another neighboring pixel P 'located on the same vertical row of the matrix as the pixel P.
  • the lines 106 and 206 extend in a direction parallel to the axis i of the orthogonal reference [0; i; j], corresponding to the same direction as that of the vertical rows of the matrix. Lines 106 and 206 respectively correspond to the selection line SL capable of conveying the selection signal
  • the arrangement of the pixel P is such that the switching transistor TFT1 is placed close to a crossing between the data line DL and the selection line SL, and in the vicinity of the current modulating transistors TFT2a and TFT2b.
  • the transistors TFT2a and TFT2b meanwhile are placed between a rectangular-shaped zone 140, which corresponds to an electrode of the light-emitting diode OEL, and a line 128, which extends in a direction parallel to the axis j of the reference [0; i, - j], and corresponding to the polarization line PL of said current modulating transistors TFT2a and TFT2b.
  • the modulating transistors TFT2a and TFT2b can also be located between the switch transistor TFT1 and the storage capacitor Cs.
  • This arrangement can make it possible to reduce the number of crossings between zones or semiconductor and / or metallic, horizontal and vertical lines of the pixel. Cross talk noise or crossover noise and the risk of short circuits can be reduced.
  • the storage capacitor of the pixel P conforms to the shape of the electrode 140 of the light-emitting diode.
  • This storage capacitor Cs comprises a first portion located between the electrode 140 of the light emitting diode and the polarization line PL, and a second portion located 19
  • Said technological stack is formed in particular of an active layer, for example based on polysilicon, the patterns of which are also shown in plan view in FIG. 5A.
  • an active layer for example based on polysilicon
  • the patterns of which are also shown in plan view in FIG. 5A.
  • a zone marked 100 of this active layer are formed in particular a drain region 100a, and a source region 100b of the switching transistor TFT1.
  • a zone denoted 102 are respectively formed a source region 102a of the first current modulator transistor TFT2a, another source region 102b of the second current modulator transistor TFT2b, and a drain region 102c common to the first and second second current modulator transistor.
  • Another area of the active layer denoted 104 corresponds in turn to a first electrode of the storage capacitor Cs.
  • This first electrode is covered with an insulator (not shown) for example based on SiO 2 , which can be formed in the same layer as the gate insulator respectively of transistors TFT1, TFT2a and TFT2b.
  • the arrangement of the zones 100, 102, 104 may be such that the zone 102 is located between the zone 100 and the zone 104.
  • the active zone of the current modulating transistors TFT2a and TFT2b is located between the active zone of the transistor TFT1 switch and the first electrode of the storage capacitor Cs.
  • a layer of gate material for example aluminum, overcomes said gate insulator and capacitor Cs.
  • the patterns of this layer based on gate material are represented in FIG. 5B and include in particular the line 106, which corresponds to the said selection line SL of the pixel P.
  • Juxtaposed zones denoted 107a, 107b, 107c are each connected to the line 106. As shown by the stack of FIG. 4, these juxtaposed zones 107a, 107b, 107c cover a portion of the zone 100 of the active layer (FIG. 5A) and form a multi-gate structure for the switching transistor TFT1.
  • the gate material-based layer also comprises portions 108 and 109, which, as shown by the stack of FIG. 4, cover portions of the zone 102 of the active layer, which respectively correspond to the gate of the first transistor switching circuit TFT2a and the gate of the second switching transistor TFT2b.
  • Another region of the gate material layer, in the form of an X L 'and denoted 110 in FIG. 5B corresponds for its part to the second electrode of the storage capacitor Cs.
  • the portions 108 and 109 of the gate material-based layer, respectively corresponding to the gate of the first switching transistor TFT2a and the gate of the second switching transistor TFT2b, are separated from the zone 110 of the material-based layer. grid.
  • the second electrode is in turn connected to the line denoted 206 which corresponds to the selection line SL 'of said neighboring pixel P'.
  • the second electrode of the capacitor and the selection line SL 'of the pixel P' can thus be connected and formed from the same layer, in particular of the layer of gate material.
  • Line 206 serves as a fixed potential line or ground line for the second capacitor electrode.
  • the pixel according to the invention does not comprise a line or zone whose role is specifically dedicated to that of line of mass or fixed potential for the second electrode of the storage capacitor.
  • line 206 plays this role and also serves as a selection line SL 'of the neighboring pixel P'.
  • a part noted 110a of the zone 110 extends in a direction parallel to the axis i of the reference [0; /; j] and constitutes the horizontal bar of the ⁇ L '.
  • This part 100a has a length d1 which can be of the order of 50 ⁇ m, for example 58 ⁇ m and which is in contact with the selection line SL 'of the neighboring pixel P', over a distance equal to the distance d1.
  • the contact distance between the second electrode of the capacitor Cs and the selection line SL 'of the neighboring pixel may vary according to the shape of the capacitor Cs.
  • the contact distance between the second electrode of the capacitor and the selection line SL ' for a pixel for example, dimensions 120 microns * 360 microns or be for example of at least l / 5 th of the pixel width and not more than 4/5 PREA of the width of the pixel.
  • the zone 110 forming the second electrode of the capacitor Cs may have a surface area, for example of the order of 3300 ⁇ m 2, for a capacitor capacitance of the order of 1.2 pF.
  • Another part denoted 110b of this zone 110 constitutes the horizontal bar of ⁇ L ', and extends in a direction parallel to the axis j of the reference [O; T; J].
  • This portion 100b has a length d2 which may be of the order of 60 microns, for example 67 microns.
  • a pixel implemented according to the invention is not limited to a shape in ⁇ L '. This 'L' shape makes it possible to maintain a large contact distance between the second electrode of the capacitor and the selection line SL 'of the neighboring pixel P' and to have a storage capacitor Cs having good electrical properties, while limiting the congestion of the latter.
  • a layer based on dielectric material is not limited to a shape in ⁇ L '. This 'L' shape makes it possible to maintain a large contact distance between the second electrode of the capacitor and the selection line SL 'of the neighboring pixel P' and to have a storage capacitor Cs having good electrical properties, while limiting the congestion of the latter.
  • a node denoted 114 belonging to this line of data DL is electrically connected, via a vertical contact or rated via 115 to the drain region
  • a second node 116, also formed in the metal layer can make it possible to provide a connection, between the source region of the switching transistor TFT1 and the gate 108 of the first current modulating transistor TFT2a, via vertical contacts or
  • a third connection node denoted 120 makes it possible, by means of vertical contacts or vias denoted 121 and 122, to electrically connect the source region of the first current modulator transistor TFT2. and the noted area 140 serving as the anode for the OEL light-emitting diode.
  • a fourth connection node denoted 124 makes it possible for it, via vertical contacts 125 and 126, to electrically connect the source region of the second current modulator transistor TFT2b with the anode zone 140 of the OEL diode.
  • a fifth connection node noted 128, also formed in the metal layer, has the role of providing a connection between the first electrode of the capacitor Cs and the gate region of the current modulator transistor TFT2a, via vertical contacts. 129 and 130.
  • the first electrode of the storage capacitor is connected to said gate of the current modulator transistor TFT2a, and thus adapted to receive the adjustment signal.
  • the first electrode of the storage capacitor and the gate of the current modulator transistor TFT2a are formed from different layers. 50456
  • the line noted 131 which corresponds to the polarization line PL of current modulating transistors TFT2a and TFT2b.
  • a connection node noted 132 belonging to this polarization line PL is electrically connected to the common drain region TFT2a and TFT2b transistors.
  • the technological stack may furthermore comprise a passivation layer, above the metal layer represented in FIG. 5B, as well as another layer represented in FIG. 5D, surmounting the passivation layer and in which zone 140 is formed forming the anode of the OEL light-emitting diode.
  • This zone 140 may be based on ITO (ITO for Indium TiN Oxide) and have for example the shape of a rectangle, of length L (defined in FIG. 5D in a direction parallel to the axis j of the reference [0; i; j]) for example of the order of 250 microns, for example 253 microns.
  • the stack shown in FIG. 4 and FIGS. 5A-5D is completed by at least one layer of organic nature of carrier injections (not shown ), for example based on Alq3, capable of emitting light radiation.
  • no specific supply or bias line is used for the second electrode of the storage capacitor Cs.
  • the number of buses in the pixel according to the invention being reduced, the number of crossings between buses or lines for conveying electrical signals within the same pixel is also this. which may allow particular phenomena of noise or "cross talk" due to these crossings.
  • FIG. 6 represents another example of a technological stack of the type of the one previously described, but which differs in particular in the constitution and the shape of the storage capacitor included in each pixel.
  • the storage capacitor Cs included in the pixel P differs from that illustrated in connection with FIG. 4, in that it is formed of two capacitors CsI and C's2 placed in parallel with each other. other.
  • the capacitor Cs is also in the form of a rectangle (whose length is parallel to the axis j of a reference [0; i; j] defined in this figure 6) and which is placed between the polarization line PL and the electrode 140 of the light emitting diode. 26
  • the technological stack of FIG. 6 notably comprises an active layer whose patterns are represented in FIG. 7A.
  • the patterns of the active layer differ from those of the active layer included in the previously described stacking example, especially at a zone 404, which forms the first electrode for the capacitor CsI, and which in this example a shape of a rectangle whose length is parallel to the axis j of a reference [0; i; j].
  • An area marked 402 of the active layer forms the active region of the modulator transistors TFT2a and TFT2b and is located between the first electrode of the capacitor CsI and another zone denoted 400 of the active layer acting as an active zone for the switching transistor TFT1.
  • the technological stack of FIG. 6 also includes a grid material layer 411 over the active layer, the patterns of which are shown in FIG. 7B. Among the patterns of the noted grate material layer
  • [0; i; j] constitutes a second electrode for the capacitor CsI.
  • This second electrode is as for the pixel example described above, connected to a selection line SL 'of another pixel P', adjacent to the pixel P and located on the same vertical row of the matrix as the latter.
  • the zone marked 410 also constitutes an electrode for the capacitor Cs2.
  • An area of the grid material layer, including first modulation transistor TFT2a and the gate of the second modulation transistor TFT2b, is located between the zone 410 and juxtaposed zones denoted 107a, 107b, 107c forming a multi-gate structure for the switching transistor TFT1.
  • the technological stack further includes a metal layer 435, located over the gate material layer 411, and whose patterns are shown in Figure 7C.
  • the metal layer 435 are formed in particular the polarization line PL, as well as the data line DL.
  • the metal layer 435 comprises in particular an additional pattern 436, in the form of a rectangle, whose length is parallel to the axis j of a orthogonal reference [0; i; j].
  • Pattern 436 forms another electrode for capacitor C's2. This second electrode is connected to the first electrode of the capacitor CsI formed in the active layer 405, via vias or vertical contacts 437.
  • the pattern 436 is also connected to another additional pattern 438 formed in the metal layer. 435 and which, via vias or vertical contacts 439, is connected to the gate of the first current modulator transistor TFT2a.
  • FIGS. 8A and 8B illustrate a technological stacking variant seen from above of a pixel, of the type of those included in the matrix previously described in connection with FIG. 3.
  • zones 500, 502, 504 formed from an active layer are shown.
  • Zone 502 serves as an active area for the current modulating transistors and is located between a zone 500 acting as an active zone for the switch transistor and a zone 504 serving as a first electrode of the storage capacitor.
  • a gate material layer 511 on the active layer and another metal layer 535, located above layer 511 are shown.
  • the layer based on gate material is formed in particular a zone 510, for example in the form of a rectangle, parallel in the direction of its length to the polarization line PL of the pixel P.
  • the polarization line PL of the pixel P is itself formed in the metal layer 535.
  • the zone 510 of the layer of gate material forms a second electrode of the storage capacitor C 's.
  • the arrangement of the polarization line PL with respect to the zone 510 is such that an orthogonal projection on the same plane of the zone 510 and of the line PL are at least partially merged.
  • the zone 510 is electrically connected to the polarization line PL via vertical contacts 532.
  • the polarization line PL serves as a fixed potential line for one of the electrodes of the capacitor C 's.
  • the other electrode of the capacitor C 's (not shown in this figure) is connected to or connected to the gate of the current modulator transistor TFT2a via an interconnection 537 formed in the metal layer 535.
  • the Current modulating transistors TFT2a and TFT2b may be located between the switch transistor and the storage capacitor Cs.
  • the current modulating transistors TFT2a and TFT2b, and the storage capacitor Cs may be located between the polarization line PL and the light emitting diode.

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Abstract

L'invention concerne un dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux utilisé notamment pour former des pixels améliorés d'écrans ou d'afficheurs par exemple de type OLED.

Description

LAYOUT DE PIXEL OLED
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
La présente invention concerne un dispositif microélectronique permettant d'émettre un rayonnement lumineux et pouvant être utilisé par exemple pour former une matrice de pixels améliorés d'afficheurs ou d'écrans de type OLED (OLED pour « Organic Light Emission Displays », en français afficheurs organiques électroluminescents) .
Les écrans de type OLED sont des écrans plats utilisant la propriété de luminescence de diodes organiques OLED. Pour régler la luminescence d'une diode OLED associée à un pixel d'écran ou d'afficheur, un dispositif d'adressage en courant, intégré au pixel est généralement prévu.
Un exemple suivant l'art antérieur d'un tel dispositif d'adressage associé à une diode électroluminescente 10, de type OLED (OLED pour « Organic Light Emission Diode ») est illustré sur la figure 1. Cet exemple de dispositif d'adressage comporte tout d'abord un premier transistor couche mince ou TFT (TFT pour « thin film transistor ») noté 11, fonctionnant comme un interrupteur, et dont l'ouverture ou la fermeture est contrôlée par un signal de sélection par exemple sous forme d'une tension notée vlin appliquée sur la grille de ce dernier.
Le dispositif d'adressage comporte en outre au moins un second transistor couche mince ou TFT noté 12 permettant de produire un courant id à l'entrée de la diode électroluminescente 10, en fonction d'une tension de réglage vdat, le courant id provoquant l'émission d'un rayonnement par la diode 10. La tension de réglage vdat est fonction d'une valeur d'intensité lumineuse ou de luminance à laquelle on souhaite fixer le rayonnement émis par la diode 10. Pour une certaine valeur du signal de sélection vlin, le premier transistor 11 peut être mis dans un état « fermé ». La tension de réglage vdat est alors appliquée sur le drain du premier transistor couche mince 11, et transmise sur la grille du second transistor couche mince 12 reliée à la source du premier transistor 11, le second transistor 12 émettant alors le courant id à l'entrée de la diode électroluminescente 10. Le second transistor 12 joue ainsi le rôle de modulateur de courant à l'entrée de la diode 10.
Afin de bénéficier d'un maximum de stabilité en courant et d'un minimum de sensibilité aux fluctuations de tension entre son drain et sa source, le second transistor 12 est généralement polarisé en régime de saturation, par une tension de polarisation notée Vdd par exemple de l'ordre de +16V, appliquée sur le drain du second transistor 12.
Dans un dispositif d'adressage de pixel d'écran ou d'afficheur du type de celui qui vient d'être décrit, le premier transistor 11 et le second transistor 12 peuvent être des transistors de type TFT (TFT pour « Thin Film Transistor » en français transistor couche mince), formés par exemple d'une couche active à base de silicium amorphe ou de silicium polycristallin.
Selon une variante, décrite notamment dans le document EP 1193741 A2 , le transistor modulateur de courant 12 d'un tel dispositif d'adressage peut être éventuellement remplacé par deux transistors de drain commun polarisés par la tension +Vdd, et dont les sources respectives sont reliées à une électrode de la diode électroluminescente 10. Comme cela est décrit dans ce document, cette variante peut permettre d'améliorer le rendement du procédé de fabrication des matrices de pixels OLED, le rendement étant défini dans ce cas par le rapport entre le nombre de circuits utilisables à la fin du procédé de fabrication et le nombre total de circuits initialement soumis au procédé de fabrication.
Le dispositif d'adressage comprend également un condensateur 13, dit « de stockage », prévu pour permettre de retenir le signal de réglage vdat, lorsque ce signal est transmis sur la grille du second transistor couche mince 12.
Le condensateur 13 est généralement agencé de manière à ce qu'une de ses électrodes notée 14 est reliée à la grille du transistor 12 modulateur de courant et à la source du premier transistor 11 interrupteur, tandis que l'autre électrode 15 est reliée à une masse ou à un potentiel fixe. Cette masse ou ce potentiel fixe est généralement assuré par une ligne ou un bus, dont le rôle est, comme le décrivent par exemple le document précité et le document EP
1298634, dédié uniquement à la polarisation de ladite seconde électrode du condensateur de stockage Cs . Dans une matrice de pixels, l'agencement des lignes ou des bus servant à polariser les condensateurs de stockage Cs des différents pixels, est généralement tel que ces lignes ou ces bus croisent d'autres lignes permettant par exemple d'acheminer les signaux de données ou les signaux de polarisation des moyens modulateurs de courant peuvent être source de bruit également appelé « cross talk » . Pour palier à des phénomènes de fuite des transistors 11 et 12 dans ce type de dispositif, la valeur de capacité du condensateur 13 est généralement élevée et induit un encombrement important de ce dernier. Cet encombrement peut limiter le taux d'ouverture (« aperture ratio ») des pixels. La polarisation de la seconde électrode du condensateur de stockage Cs par une ligne spécifique et l'encombrement que génère ce condensateur rendent par ailleurs délicat l'agencement des différents composants du pixel les uns par rapport aux autres.
On cherche continuellement à optimiser l'agencement des composants et à réduire la taille du dispositif d'adressage par rapport à celui des moyens électroluminescents dans ce type de circuit. Ainsi, il se pose le problème d'améliorer les performances des pixels d'écrans ou d'afficheurs, par exemple de type OLED, notamment en terme de taux d'ouverture. Il se pose également le problème d'améliorer les performances électriques du dispositif d'adressage de tels pixels. EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention propose un dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel étant formé d'un empilement de couches et comprenant : des moyens électroluminescents, aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée, - des moyens modulateurs de courant aptes à moduler en fonction d'un signal de réglage acheminé par une ligne de données ledit courant en entrée des moyens électroluminescents ,
- des moyens interrupteurs reliés à ladite ligne de données, aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection,
- une ligne de sélection reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de sélection vers les moyens interrupteurs, une ligne de polarisation reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant , - un condensateur de stockage, apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode reliée aux moyens modulateurs de courant, la seconde électrode du condensateur étant reliée à une autre ligne de sélection d'un autre pixel de la matrice Les moyens modulateurs de courant peuvent être situés entre les moyens interrupteurs et le condensateur de stockage dans ledit empilement de couches . Un tel agencement peut permettre de limiter le nombre de croisements de lignes ou de zones semi- conductrices et/ou métalliques différentes au sein de chaque pixel .
Selon une possibilité d'agencement du dispositif, les moyens modulateurs de courant ainsi qu'au au moins une portion du condensateur de stockage, peuvent être situés entre la ligne de polarisation et les moyens électroluminescents.
Dans une matrice de pixels suivant l'invention, ladite seconde électrode du condensateur n'est pas reliée à une ligne ou à un bus dont le rôle est spécifiquement et uniquement dédié à la polarisation de cette dernière, mais à une ligne ayant une autre fonction, par exemple celle d'acheminer le signal de sélection d'un autre pixel, ou par exemple celle de polariser les moyens modulateurs de courant dudit pixel.
Cela peut permettre notamment, de faciliter l'agencement des composants dudit pixel, ainsi qu'un gain de place au sein de chaque pixel de la matrice. Ce gain de place peut permettre d'obtenir des pixels de taille réduite ou/et d'améliorer le taux d'ouverture (« aperture ratio » selon la terminologie anglo- saxonne) de chacun desdits pixels. Cela peut permettre également de diminuer le nombre de croisements entre lignes susceptibles d'acheminer un signal électrique au sein d'un même pixel, et ainsi de diminuer les interférences de type « cross talk » pouvant être générées, par ces croisements.
Les moyens modulateurs sont reliés à une ligne de polarisation. Cela peut permettre d'associer chaque pixel de la matrice à un circuit électronique d'adressage standard ou de se prémunir d'un circuit d'adressage spécifique.
Selon une mise en œuvre du dispositif microélectronique selon l'invention, dans laquelle les moyens modulateurs comportent au moins une grille apte à recevoir ledit signal de réglage et formée à partir d'une couche dite couche de matériau de grille, la première électrode du condensateur de stockage peut être connectée à ladite grille et formée à partir d'une couche dite « couche active », différente de la couche de matériau de grille.
La seconde électrode du condensateur et ladite autre ligne de sélection de l'autre pixel peuvent être connectées et formées à partir d'une même couche, par exemple la couche de matériau de grille.
De tels agencements peuvent permettre de limiter le nombre de croisements entre des lignes ou des zones semi-conductrices et/ou métalliques acheminant des signaux différents au sein de chaque pixel et de limiter le bruit ainsi que des risques de court-circuit .
Lesdits moyens électroluminescents peuvent comprendre une électrode formée d'au moins une couche de nature organique. Ladite matrice peut être alors une matrice de pixels OLED. Lesdits moyens interrupteurs peuvent comprendre au moins un transistor couche mince. Les moyens modulateurs de courant peuvent quant à eux comprendre au moins un transistor couche mince. Selon une possibilité, les moyens modulateurs de courant peuvent également comprendre un transistor couche mince.
Selon une variante, les moyens modulateurs de courant peuvent comprendre un premier transistor couche mince et un second transistor couche mince partageant une région de drain commun.
Dans le cas où la seconde électrode du condensateur est reliée à une autre ligne de sélection d'un autre pixel, ledit autre pixel peut être un pixel voisin dudit pixel, par exemple situé sur une même rangée verticale de la matrice de pixels que ce dernier. Le condensateur de stockage peut être en contact avec ladite autre ligne de sélection dudit pixel voisin sur une distance d'au moins 50 μm ou la moitié de la largeur du pixel.
Le condensateur de stockage peut prendre plusieurs formes. Selon un mode de réalisation avantageux, ce dernier peut comprendre une partie située entre la ligne de polarisation et les moyens électroluminescents et une autre partie située entre les moyens électroluminescents et ladite ligne de sélection dudit autre pixel.
Selon un mode de réalisation particulier du dispositif suivant l'invention, ledit condensateur de stockage peut avoir une forme en L, ce qui peut permettre notamment de faciliter l'agencement des composants au sein de chaque pixel. Cette forme particulière peut permettre également lorsqu'une des barres formant le XL' est en contact avec et parallèle à la ligne de sélection d'un autre pixel, d'obtenir un condensateur de stockage ayant de bonnes propriétés électriques .
Dans une matrice de pixels suivant l'invention, le condensateur de stockage peut être éventuellement formé de deux condensateurs mis en parallèles.
L' invention concerne également un dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel étant formé d'un empilement de couches et comprenant :
- des moyens électroluminescents, aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée,
- des moyens modulateurs de courant, - des moyens interrupteurs reliés à ladite ligne de données, aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection,
- une ligne de sélection reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de sélection vers les moyens interrupteurs, une ligne de polarisation reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant , - un condensateur, apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode reliée aux moyens modulateurs de courant et une seconde électrode du condensateur reliée à ladite ligne de polarisation, les moyens modulateurs étant situés dans ledit empilement, entre le condensateur de stockage et les moyens interrupteurs .
Selon une possibilité, les moyens modulateurs peuvent comporter au moins une grille apte à recevoir ledit signal de réglage et formée à partir d'une couche dite couche de matériau de grille, la première électrode du condensateur de stockage étant connectée à ladite grille et formée à partir d'une couche dite « couche active », différente de la couche de matériau de grille.
Selon une possibilité d' agencement du dispositif, les moyens modulateurs de courant ainsi qu'au moins une portion du condensateur de stockage, peuvent être situés entre la ligne de polarisation et la diode électroluminescente.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :
- la figure 1 illustre un schéma électrique d'un pixel OLED suivant l'art antérieur, - les figures 2 et 3 illustrent des schémas électriques d'exemples de matrice de pixels suivant 1' invention, la figure 4 illustre un exemple d'empilement de couches comprises dans une matrice de pixels suivant l'invention,
- les figures 5A, 5B, 5C, 5D illustrent les motifs de différentes couches d'un tel empilement,
- la figure 6 illustre un autre empilement de couches comprises dans une variante de matrice de pixels suivant l'invention,
- les figures 7A, 7B, IC1 illustrent les motifs de différentes couches d'un tel autre empilement, - les figures 8A, 8B, illustrent un autre exemple d'empilement de couches comprises dans une autre variante de matrice de pixels OLED suivant 1' invention.
Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles .
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Un dispositif microélectronique mis en œuvre suivant l'invention va à présent être décrit en liaison avec la figure 2. Ce dispositif comprend une matrice de m (avec m un entier) lignes ou « rangées horizontales » (suivant la direction de l'axe i d'un repère orthogonal [O ; i ,- j ] défini sur cette figure) verticales » (suivant la direction d'un axe j du repère orthogonal [0 ; i ; j ] ) de pixels ou cellules de type OLED (OLED pour « Organic Light Emission Display ») . Sur la figure 2, on distingue notamment un pixel P comprenant tout d'abord des moyens électroluminescents de nature organique par exemple une diode de type OLED (OLED pour « Organic Light Emission Diode ») que l'on notera OEL. La diode OEL est apte à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant qui lui est fourni en entrée par des moyens modulateurs de courant, par exemple sous forme d'un premier transistor couche mince TFT2a et d'un second transistor couche mince noté TFT2b. Les régions de sources respectives du premier transistor couche mince TFT2a et du second transistor couche mince noté TFT2b sont chacune connectées à l'anode de la diode OEL. Les moyens modulateurs de courant sont polarisés par une tension de polarisation +Vdd par exemple de +16V, acheminée par une ligne de polarisation notée PL reliée à une région de drain commune aux transistors TFT2a et TFT2b .
Dans cet exemple, la ligne de polarisation PL s'étend dans la même direction que celle des rangées verticales de la matrice de pixels. La ligne de polarisation PL peut être partagée par plusieurs pixels appartenant à la même rangée verticale que le pixel P, voire à l'ensemble des pixels appartenant à la même rangée verticale de la matrice que le pixel P. Le courant émis depuis les moyens du pixel P, dépend notamment d'une tension de réglage vdat acheminée par une ligne que l'on notera DL et que l'on nommera « ligne de données ». Cette ligne de données DL s'étend dans cet exemple, dans la direction des rangées verticales de la matrice. La ligne de donnée DL peut être partagée par plusieurs pixels, voire par l'ensemble des pixels appartenant à la même rangée verticale que le pixel P.
La ligne de données DL est reliée à des moyens interrupteurs, qui prennent la forme par exemple d'un transistor couche mince noté TFTl. La source du transistor TFTl est reliée aux grilles des transistors TFT2a et TFT2b. Le transistor TFTl permet de transmettre ou non sur la grille du transistor TFT2a et sur la grille du transistor TFT2b, la tension de réglage vdat, en fonction d'un signal dit de « sélection » noté vsel .
Le signal de sélection vsel est appliqué par exemple sur la grille du transistor TFTl. La tension de sélection vsel du pixel P est acheminée par une ligne dite « de sélection », notée SL, qui s'étend dans cet exemple, dans la même direction que celle des rangées horizontales de la matrice. La ligne de sélection SL peut être partagée par plusieurs pixels, voire par l'ensemble des pixels appartenant à la même rangée horizontale que le pixel P. Ainsi, dans cet exemple les pixels de la matrice sont adressés, rangée horizontale par rangée horizontale. Le pixel P comprend en outre un condensateur dit « de stockage » Cs, qui permet de retenir le signal de réglage vdat, lorsque ce signal est transmis aux moyens modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Le condensateur Cs est agencé de manière à ce qu'une de ses électrodes est reliée aux grilles respectives des transistors modulateurs TFT2a et TFT2b, tandis que la seconde électrode est reliée à une ligne ou à un bus jouant le rôle de ligne de masse ou de potentiel fixe.
Selon un agencement amélioré au sein du pixel les transistors modulateurs TFT2a et TFT2b, peuvent être situés entre le transistor interrupteur et le condensateur de stockage Cs . Un tel agencement peut permettre de réduire le bruit dit de « cross talk » au sein du pixel . La ligne ou le bus relié (e) à la seconde électrode du condensateur Cs, correspond dans cet exemple à une ligne de sélection SL' d'un autre pixel P' , voisin du pixel P et situé sur la même rangée verticale que ce dernier. La ligne de sélection SL' appartenant au pixel voisin P' permet d'acheminer un signal de sélection dudit pixel voisin P' .
Dans cet exemple de matrice, les pixels étant adressés rangée horizontale par rangée horizontale, lorsqu'on modifie l'intensité lumineuse de la diode OEL associée au pixel P, la ligne de sélection SL achemine le signal de sélection vsel au pixel P, tandis que l'autre ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P' est inactive et n'achemine pas de signal de sélection. P' est de préférence le pixel voisin de la ligne précédemment adressée. En effet, si P' est adressé après P, la charge aux bornes de la capacité Cs risque d'être modifiée pendant l'adressage de la ligne qui lui sert d'électrode. L'autre ligne de sélection SL' peut alors jouer le rôle de masse pour la seconde électrode du condensateur Cs. Lorsque SL' est inactive elle est maintenue à un potentiel fixe, par exemple compris entre -2 V et + 2 V, généralement voisin de OV.
Dans cet exemple, il n'est pas fait usage pour un pixel donné, d'une ligne ou d'un bus dont le rôle est uniquement et spécifiquement dédié à la polarisation de la seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Cette polarisation est, dans cet exemple, assurée par la ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P', laquelle a également pour rôle d'acheminer le signal de sélection dudit pixel voisin P' . Un tel agencement de pixel, peut être compatible avec un circuit électronique d'adressage standard, par exemple un circuit du type de ceux utilisés pour les matrices LCD (LCD pour « Liquid Crystal Display » ou afficheur à cristaux liquides) . Selon une variante de l'exemple de dispositif précédemment décrit, les transistors TFT2a et TFT2b de drain commun peuvent être éventuellement remplacés par un seul transistor couche mince, dont le drain est polarisé par la ligne PL, la source est reliée à l'anode des moyens électroluminescents OEL, et la grille reliée à la première électrode du condensateur de stockage. Ce transistor modulateur peut être situé entre le transistor interrupteur et le condensateur de stockage. La figure 3 représente une variante de l'exemple de dispositif précédemment décrit. Le 56
16
condensateur de stockage compris dans chaque pixel de la matrice et notamment dans le pixel P, est cette fois noté C 's et comprend tout d'abord une première électrode reliée aux grilles des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b, et une seconde électrode reliée à la ligne de polarisation PL du pixel P.
Dans cet exemple, comme dans l'exemple précédemment décrit, il n'est pas fait usage pour un pixel donné, d'une ligne ou d'un bus dont le rôle est uniquement et spécifiquement dédié à la polarisation de la seconde électrode du condensateur de stockage. Cette polarisation est assurée par la ligne PL qui permet par ailleurs d'acheminer le signal de polarisation des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. L'agencement au sein du pixel peut être tel que les transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b sont situés entre le transistor interrupteur et le condensateur de stockage . Un tel agencement peut permettre de réduire le bruit dit de « cross talk » au sein du pixel .
La ligne de polarisation PL étant maintenue a un potentiel fixe par exemple de l'ordre de +16V1 les niveaux des tensions utilisés pour les tensions de réglage vdat et de sélection vsel du pixel P, seront différents de ceux utilisés dans l'exemple précédemment décrit en liaison avec la figure 2. Typiquement vdat est de l'ordre de 10V et vsel de l'ordre de 15 V.
La figure 4 représente un empilement technologique ou de couches en vue de dessus d'une partie d'une matrice de cellules ou de pixels OLED 005/050456
17
(OLED pour « organic light-emitting display ») du type de celle précédemment décrite en liaison avec la figure 2. On distingue notamment dans la représentation de cet empilement, le pixel P délimité de chaque côté par des bus ou des lignes permettant d'acheminer des signaux électriques .
Le pixel P est délimité notamment par une ligne notée 112 lui appartenant et par une autre ligne notée 312 appartenant à un pixel voisin P' ' situé sur une même rangée horizontale de la matrice que le pixel
P. Les lignes 112 et 312 s'étendent dans une direction parallèle à l'axe j d'un repère orthogonal [0 ; / ; j] défini sur la figure 4, qui correspond à la même direction que celle des rangées verticales de la matrice. Les lignes 112 et 312 correspondent respectivement à la ligne de données DL apte à acheminer le signal de réglage vdat du pixel P, et à une ligne de données notée DL' ' apte à acheminer le signal de réglage du pixel voisin P' ' . Le pixel P est par ailleurs délimité par une autre paire de lignes dont une notée 106 lui appartient et dont une autre notée 206 appartient à un autre pixel voisin P' situé sur une même rangée verticale de la matrice que le pixel P. Les lignes 106 et 206 s'étendent dans une direction parallèle à l'axe i du repère orthogonal [0 ; i ; j ] , correspondant à la même direction que celle des rangées verticales de la matrice. Les lignes 106 et 206 correspondent respectivement à la ligne de sélection SL apte à acheminer le signal de sélection
QT.' 18
apte à acheminer le signal de sélection vsel' du pixel voisin P' .
Dans cet exemple l'agencement du pixel P est tel que le transistor commutateur TFTl, est placé à proximité d'un croisement entre la ligne de données DL et la ligne de sélection SL, ainsi qu'à proximité des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Les transistors TFT2a et TFT2b quant à eux sont placés entre une zone de forme rectangulaire notée 140, qui correspond à une électrode de la diode électroluminescente OEL, et une ligne notée 128, qui s'étend dans une direction parallèle à l'axe j du repère [0 ; i ,- j ] , et qui correspond à la ligne de polarisation PL desdits transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b . Au sein de l'empilement de couches minces, les transistors modulateurs TFT2a et TFT2b peuvent être également situés entre le transistor interrupteur TFTl et le condensateur de stockage Cs . Cet agencement peut permettre de réduire le nombre de croisements entre zones ou lignes semi-conductrices et/ou métalliques, horizontales et verticales du pixel. Le bruit de type « cross talk » ou bruit de croisements et les risques de courts-circuits peuvent être ainsi réduits . Le condensateur de stockage du pixel P épouse quant à lui la forme de l'électrode 140 de la diode électroluminescente. Ce condensateur de stockage Cs comporte une première portion située entre l'électrode 140 de la diode électroluminescente et la ligne de polarisation PL, et une seconde portion située 19
entre la ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P' et l'électrode 140 de la diode électroluminescente.
Ledit empilement technologique est formé notamment d'une couche active, par exemple à base de polysilicium, dont les motifs sont par ailleurs représentés en vue de dessus sur la figure 5A. Dans une zone notée 100 de cette couche active, sont formées notamment une région de drain 100a, ainsi qu'une région de source 100b du transistor de commutation TFTl. Dans une autre zone notée 102, sont formées respectivement une région de source 102a du premier transistor modulateur de courant TFT2a, une autre région de source 102b du second transistor modulateur de courant TFT2b, ainsi qu'une région de drain 102c commune au premier et au second transistor modulateur de courant .
Une autre zone de la couche active notée 104, prenant la forme d'un VL' , correspond quant à elle à une première électrode du condensateur de stockage Cs. Cette première électrode est recouverte d'un isolant (non représenté) par exemple à base de SiO2, qui peut être formé dans la même couche que l'isolant de grille respectivement des transistors TFTl, TFT2a et TFT2b . L'agencement des zones 100, 102, 104 peut être tel que la zone 102 est située entre la zone 100 et la zone 104. Autrement dit, la zone active des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b est située entre la zone active du transistor interrupteur TFTl et la première électrode du condensateur de stockage Cs . Une couche à base de matériau de grille, par exemple de l'aluminium, surmonte ledit isolant de grille et du condensateur Cs. Les motifs de cette couche à base de matériau de grille sont représentés en figure 5B et comprennent notamment la ligne 106, qui correspond à ladite ligne de sélection SL du pixel P.
Des zones juxtaposées notées 107a, 107b, 107c, sont chacune reliées à la ligne 106. Comme le montre l'empilement de la figure 4, ces zones juxtaposées 107a, 107b, 107c recouvrent une portion de la zone 100 de la couche active (figure 5A) et forment une structure multi-grille pour le transistor de commutation TFTl .
La couche à base de matériau de grille comprend également des parties 108 et 109, qui, comme le montre l'empilement de la figure 4, recouvrent des portions de la zone 102 de la couche active, qui correspondent respectivement à la grille du premier transistor de commutation TFT2a et à la grille du second transistor de commutation TFT2b.
Une autre zone de la couche de matériau de grille, prenant la forme d'un XL' et notée 110 sur la figure 5B correspond quant à elle à la seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Les parties 108 et 109 de la couche à base de matériau de grille, correspondant respectivement à la grille du premier transistor de commutation TFT2a et à la grille du second transistor de commutation TFT2b, sont disjointes de la zone 110 de la couche à base de matériau de grille. La seconde électrode est quant à elle reliée à la ligne notée 206 qui correspond à la ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P' . La seconde électrode du condensateur la ligne de sélection SL' du pixel P' peuvent être ainsi connectées et formées à partir d'une même couche, en particulier de la couche de matériau de grille.
La ligne 206 sert de ligne de potentiel fixe ou de ligne de masse pour la seconde électrode du condensateur. Le pixel suivant l'invention ne comprend pas de ligne ou de zone dont le rôle est spécifiquement dédié à celui de ligne de masse ou de potentiel fixe pour la seconde électrode du condensateur de stockage.
Dans cet exemple c'est la ligne 206 qui joue ce rôle et qui sert également de ligne de sélection SL' du pixel voisin P' .
Une partie notée 110a de la zone 110, s'étend dans une direction parallèle à l'axe i du repère [0 ; / ; j ] et constitue la barre horizontale du λL' . Cette partie 100a a une longueur dl qui peut être de l'ordre de 50 μm, par exemple 58 μm et qui se trouve en contact avec la ligne de sélection SL' du pixel voisin P' , sur une distance égale à la distance dl. La distance de contact entre la seconde électrode du condensateur Cs et la ligne de sélection SL' du pixel voisin pourra varier suivant la forme du condensateur Cs .
La distance de contact entre la seconde électrode du condensateur et la ligne de sélection SL' pour un pixel par exemple de dimensions 120 μm * 360 μm ou être par exemple d'au moins l/5eme de la largeur du pixel et d'au plus 4/5erae de la largeur du pixel. La zone 110 formant la seconde électrode du condensateur Cs peut avoir une surface, par exemple de l'ordre de 3300 μm2 pour une capacité du condensateur de l'ordre de 1,2 pF. Une autre partie notée 110b de cette zone 110 constitue la barre horizontale du λL' , et s'étend dans une direction parallèle à l'axe j du repère [O ; T ; J ]. Cette partie 100b a une longueur d2 qui peut être de l'ordre de 60 μm, par exemple 67 μm.
Un pixel mis en œuvre suivant l'invention n'est pas limité à une forme en λL' . Cette forme en 'L' permet de maintenir une distance de contact importante entre la seconde électrode du condensateur et la ligne de sélection SL' du pixel voisin P' et d'avoir un condensateur de stockage Cs ayant de bonnes propriétés électriques, tout en limitant l'encombrement de ce dernier . Une couche à base de matériau diélectrique
(non représentée) , par exemple à base de SiO2 repose sur la couche à base de matériau de grille 111. Pardessus ladite couche à base de matériau diélectrique se trouve une couche métallique dont les motifs sont représentés en figure 5C. Dans cette couche métallique, par exemple à base de molybdène, est formée la ligne 112 qui correspond à la ligne de données DL du pixel P. Un nœud noté 114 appartenant à cette ligne de données DL, est relié électriquement, par l'intermédiaire d'un contact vertical ou via noté 115 à la région de drain Un second nœud 116, également formé dans la couche métallique, peut permettre d'assurer une connexion, entre la région de source du transistor de commutation TFTl et la grille 108 du premier transistor modulateur de courant TFT2a, par l'intermédiaire de contacts verticaux ou vias notés 117 et 118. Dans cette même couche de métal, un troisième nœud de connexion noté 120 permet, par l'intermédiaire de contacts verticaux ou vias notés 121 et 122, de relier électriquement la région de source du premier transistor modulateur de courant TFT2 et la zone notée 140 servant d'anode pour la diode électroluminescente OEL.
Un quatrième nœud de connexion noté 124 permet quant à lui, par l'intermédiaire de contacts verticaux notés 125 et 126, de relier électriquement la région de source du second transistor modulateur de courant TFT2b avec la zone 140 d'anode de la diode OEL.
Un cinquième nœud de connexion noté 128, également formé dans la couche de métal, a pour rôle d'assurer une connexion entre la première électrode du condensateur Cs et la région de grille du transistor modulateur de courant TFT2a, par l'intermédiaire de contacts verticaux 129 et 130. La première électrode du condensateur de stockage est connectée à ladite grille du transistor modulateur de courant TFT2a, et ainsi apte à recevoir le signal de réglage. La première électrode du condensateur de stockage et la grille du transistor modulateur de courant TFT2a sont formées à partir de couches différentes . 50456
24
Dans la couche métallique est également formée la ligne notée 131, qui correspond à la ligne de polarisation PL des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Par l'intermédiaire d'un contact vertical 133, un nœud de connexion noté 132, appartenant à cette ligne de polarisation PL est relié électriquement à la région de drain commune aux transistors TFT2a et TFT2b.
L'empilement technologique peut comprendre en outre une couche de passivation, par dessus la couche métallique représentée en figure 5B, ainsi qu'une autre couche représentée en figure 5D, surmontant la couche de passivation et dans laquelle est réalisée la zone 140 formant l'anode de la diode électroluminescente OEL. Cette zone 140 peut être à base de ITO (ITO pour Indium TiN Oxyde) et avoir par exemple la forme d'un rectangle, de longueur L (définie sur la figure 5D dans une direction parallèle à l'axe j du repère [0 ; i ; j]) par exemple de l'ordre de 250 μm, par exemple de 253 μm.
Par dessus la couche à base de ITO formant l'anode de la diode électroluminescente OEL, l'empilement représenté en figure 4 et sur les figures 5A-5D est complété par au moins une couche de nature organique d'injections de porteurs (non représentée), par exemple à base de Alq3 , apte à émettre un rayonnement lumineux. Dans un pixel mis en œuvre suivant l'invention, on n'utilise pas de ligne d'alimentation ou de polarisation spécifique pour la seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Cette πrmππAa ≤iDPt-rndp étant reliée à la ligne de sélection SL' d'un autre pixel, le pixel dont l'empilement technologique vient d'être décrit a un nombre de bus inférieur à ceux des pixels suivant l'art antérieur, ce qui peut permettre notamment un gain de place dans l'agencement dudit pixel et d'améliorer son taux d'ouverture (aperture ratio selon la terminologie anglo-saxonne) ou éventuellement d'obtenir de former un pixel de taille réduite par rapport à ceux de l'art antérieur. Le nombre de bus dans le pixel suivant l'invention étant diminué, le nombre de croisements entre bus ou lignes permettant d'acheminer des signaux électriques au sein d'un même pixel l'est également ce. qui peut permettre notamment certains phénomènes de bruit ou « cross talk » dus à ces croisements.
La figure 6 représente un autre exemple d'empilement technologique du type de celui précédemment décrit, mais qui diffère notamment au niveau de la constitution et de la forme du condensateur de stockage compris dans chaque pixel.
Dans cet exemple, le condensateur de stockage Cs compris dans le pixel P, diffère de celui illustré en liaison avec la figure 4, en ce qu'il est formé de deux condensateurs CsI et C's2 mis en parallèles l'un avec l'autre. Le condensateur Cs a par ailleurs la forme d'un rectangle (dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère [0 ; i ; j] définie sur cette figure 6) et qui se trouve placé entre la ligne de polarisation PL et l'électrode 140 de la diode électroluminescente. 26
L'empilement technologique de la figure 6 comprend notamment une couche active, dont les motifs sont représentés sur la figure 7A. Les motifs de la couche active diffèrent de ceux de la couche active compris dans l'exemple d'empilement précédemment décrit, notamment au niveau d'une zone notée 404, qui forme la première électrode pour le condensateur CsI, et qui a dans cet exemple une forme d'un rectangle dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère [0 ; i ; j ] . Une zone notée 402 de la couche active forme la zone active des transistors modulateur TFT2a et TFT2b et est située entre la première électrode du condensateur CsI et une autre zone notée 400 de la couche active jouant le rôle de zone active pour le transistor interrupteur TFTl.
L'empilement technologique de la figure 6 comprend également une couche à base de matériau de grille notée 411 par-dessus la couche active, dont les motifs sont représentés sur la figure 7B. Parmi les motifs de la couche à base de matériau de grille notée
411, une zone notée 410 de la forme d'un rectangle, dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère
[0 ; i ; j ] , constitue une seconde électrode pour le condensateur CsI. Cette seconde électrode est comme pour l'exemple de pixel décrit précédemment, reliée à une ligne de sélection SL' d'un autre pixel P' , voisin du pixel P et situé sur une même rangée verticale de la matrice que ce dernier. La zone notée 410 constitue par ailleurs une électrode pour le condensateur Cs2. Une zone de la couche de matériau de grille, comportant des premier transistor de modulation TFT2a et la grille du second transistor de modulation TFT2b, est située entre la zone 410 et des zones juxtaposées notées 107a, 107b, 107c, formant une structure multi-grille pour le transistor de commutation TFTl.
L'empilement technologique comprend en outre une couche métallique notée 435, située par-dessus la couche à base de matériau de grille 411, et dont les motifs sont représentés sur la figure 7C. Dans la couche métallique 435, sont formées notamment la ligne de polarisation PL, ainsi que la ligne de données DL. Par rapport à la couche métallique 235 de l'exemple d'empilement précédemment décrit, la couche métallique 435 comprend notamment un motif supplémentaire noté 436, de la forme d'un rectangle, dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère orthogonal [0 ; i ; j ] . Le motif 436 forme une autre électrode pour le condensateur C's2. Cette seconde électrode est reliée à la première électrode du condensateur CsI formée dans la couche active 405, par l'intermédiaire de vias ou de contacts verticaux notés 437. Le motif 436 est relié par ailleurs à un autre motif supplémentaire 438 formé dans la couche métallique 435 et qui, par l'intermédiaire de vias ou de contacts verticaux 439, est connecté à la grille du premier transistor modulateur de courant TFT2a.
Il s'agit là d'une variante permettant de réaliser les contacts (contacts stockés) pour gagner en surface d'émission. Ce type de contact aurait très bien pu être utilisé sur la figure 5C. Les figures 8A et 8B illustrent une variante d'empilement technologique en vue de dessus d'un pixel, du type de ceux compris dans la matrice précédemment décrite en liaison avec la figure 3. Sur la figure 8A, des zones 500, 502, 504 formées à partir d'une couche active sont représentées. La zone 502 sert de zone active pour les transistors modulateurs de courant est située entre une zone 500 jouant le rôle de zone active pour le transistor interrupteur et une zone 504 servant d'une première électrode du condensateur de stockage .
Sur la figure 8B, une couche à base de matériau de grille 511 située sur la couche active et une autre couche métallique 535, située par dessus la couche 511 sont représentées. Dans la couche à base de matériau de grille est formée notamment une zone 510, par exemple de la forme d'un rectangle, parallèle dans le sens de sa longueur à la ligne de polarisation PL du pixel P. La ligne de polarisation PL du pixel P est quant à elle formée dans la couche métallique 535.
La zone 510 de la couche de matériau de grille forme une deuxième électrode du condensateur de stockage C 's. L'agencement de la ligne de polarisation PL par rapport à la zone 510 est tel qu'une projection orthogonale sur un même plan de la zone 510 et de la ligne PL sont au moins partiellement confondues. La zone 510 est reliée électriquement à la ligne de polarisation PL par l'intermédiaire de contacts verticaux 532. Ainsi, la ligne de polarisation PL sert de ligne de potentiel fixe pour une des électrodes du condensateur C 's. L'autre électrode du condensateur C 's (non représentée sur cette figure) est reliée ou connectée à la grille du transistor modulateur de courant TFT2a par l'intermédiaire d'une interconnexion 537 formée dans la couche métallique 535. Selon cette variante, dans l'empilement technologique, les transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b, peuvent être situés entre le transistor interrupteur et le condensateur de stockage Cs . Les transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b, et le condensateur de stockage Cs peuvent être situés entre la ligne de polarisation PL et la diode électroluminescente .

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux, doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel étant formé d'un empilement de couches et comprenant : des moyens électroluminescents (OEL) , aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée, - des moyens modulateurs de courant (TFT2a,
TFT2b) aptes à moduler en fonction d'un signal de réglage acheminé par une ligne de données (DL) ledit courant en entrée des moyens électroluminescents,
- des moyens interrupteurs (TFTl) reliés à ladite ligne de données (DL) , aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection,
- une ligne de sélection (SL) reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de sélection vers les moyens interrupteurs,
- une ligne de polarisation (PL) reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant , - un condensateur (Cs) , apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode, reliée aux moyens modulateurs de courant, une seconde électrode reliée à une ligne de sélection (SL') d'un autre pixel (P'), les moyens modulateurs de courant étant situés entre le condensateur de stockage et les moyens interrupteurs dans ledit empilement .
2. Dispositif microélectronique selon la revendication 1, ledit condensateur de stockage (Cs) étant en contact avec ladite ligne de sélection (SL') dudit autre voisin (P') sur une distance d'au moins 50 μm ou la moitié de la largeur du pixel (P) .
3. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 ou 2, ledit condensateur de stockage (Cs) comprenant une partie située entre la ligne de polarisation (PL) et les moyens électroluminescents et une autre partie située entre les moyens électroluminescents et ladite ligne de sélection (SL') dudit autre pixel (P') .
4. Dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel étant formé d'un empilement de couches et comprenant : des moyens électroluminescents (OEL) , aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée, - des moyens modulateurs de courant,
- des moyens interrupteurs (TFTl) reliés à ladite ligne de données (DL) , aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection, - une ligne de sélection (SL) reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de sélection vers les moyens interrupteurs,
- une ligne de polarisation (PL) reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant , un condensateur (Cs) , apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode reliée aux moyens modulateurs de courant et une seconde électrode du condensateur reliée à ladite ligne de polarisation (PL) , les moyens modulateurs étant situés dans ledit empilement, entre le condensateur de stockage et les moyens interrupteurs.
5. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 4, les moyens modulateurs de courant comprenant au moins un transistor couche mince.
6. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 5, les moyens modulateurs de courant comprenant un premier transistor couche mince (TFT2a) et un second transistor couche mince (TFT2b) partageant une région de drain commun et une région de source commune .
7. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 6, ledit condensateur de
8. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 7, ledit condensateur de stockage (Cs) étant formé de deux condensateurs (C si, C's2) mis en parallèles.
9. Dispositif microélectronique selon la revendication 8, dans lequel ladite matrice est formée d'un empilement de couches minces comprenant au moins une couche active, au moins une couche à base de matériau de grille de transistors, au moins une couche métallique, ledit condensateur de stockage (Cs) étant formé d'un premier condensateur (CsI) doté d'une électrode (CsI) formée dans la couche active, d'une électrode formée dans ladite couche de matériau de grille, d'un second condensateur (C's2) doté d'une électrode formée dans ladite couche métallique et d'une électrode commune avec ladite autre électrode du premier condensateur .
10. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 9, les moyens interrupteurs (TFTl) comprenant au moins un transistor couche mince .
11. Dispositif microélectronique selor l'une des revendications 1 à 10, dans lequel les moyens électroluminescents comprennent une électrode formée d'au moins une couche de nature organique, ladite matrice étant une matrice de pixels OLED.
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