Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines auf eine flexible Folie geklebten BauteilsMethod and device for detaching a component glued to a flexible film
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ablösen eines auf eine flexible Folie geklebten Bauteils gemäss dem Oberbegriff von Anspruch 1. Derartige Verfahren dienen namentlich bei der Verarbeitung von Halbleiterchips dazu, eine Vielzahl von Chips in rascher Folge von der Waferfolie abzunehmen und auf eine Unterlage zu platzieren.The invention relates to a method for detaching a component glued to a flexible film according to the preamble of claim 1. Such methods are used in particular in the processing of semiconductor chips to remove a large number of chips from the wafer film in rapid succession and to place them on a base.
Die Halbleiterchips mit den darauf angeordneten elektronischen Schaltkreisen werden dabei vorher aus der als Wafer bezeichneten Siliciumscheibe durch Sägen vereinzelt. Der Wafer wird spätestens für den Sägeprozess auf die in einem Rahmen gespannte Waferfolie geklebt, wobei die Haftung ersichtlicherweise ausreichend hoch sein muss, um Ausbrüche oder Chipablösungen beim Sägeprozess zu verhindern. Dagegen sollte beim Ablösen der einzelnen Chips von der Folie die Haftung so klein wie möglich sein, um über ässige mechanische Krafteinwirkungen auf den Chip zu vermeiden.The semiconductor chips with the electronic circuits arranged thereon are previously separated from the silicon wafer referred to as a wafer by sawing. At the latest for the sawing process, the wafer is glued to the wafer film stretched in a frame, the adhesion obviously having to be sufficiently high to prevent breakouts or chip detachments during the sawing process. In contrast, when the individual chips are detached from the film, the adhesion should be as small as possible in order to avoid excessive mechanical forces acting on the chip.
Es sind bereits Verfahren und Vorrichtungen bekannt, bei denen der Ablöseprozess durch gegen die Folie pressbare Nadeln oder Stössel unterstützt wird. Gemäss einem anderen Ablöseverfahren wird die Folie in eine Stützunterlage mit einer Mehrzahl von Vertiefungen gesaugt, sodass sich die Haftfläche an den Bauteilen erheblich verringert und die erforderliche Ablösekraft dadurch reduziert werden kann. Beispiele für derartige Verfahren sind in der US 4 778 326 oder in der US 6 202 292 beschrieben. Schliesslich ist durch die US 6 561 743 auch ein gattungsmässig vergleichbares Verfahren bekannt geworden, bei dem eine Stufe lateral in der Ebene der Folie verschoben wird. Dabei wird die Folie gleichzeitig auf eine tiefere Ebene der Stufe angesaugt,
sodass während des Vorschubs der Stufe die Folie kontinuierlich vom Bauteil abgezogen wird.Methods and devices are already known in which the detachment process is supported by needles or plungers which can be pressed against the film. According to another detachment process, the film is sucked into a support base with a plurality of depressions, so that the adhesive surface on the components is considerably reduced and the required detachment force can thereby be reduced. Examples of such methods are described in US Pat. No. 4,778,326 or US Pat. No. 6,202,292. Finally, US Pat. No. 6,561,743 has also disclosed a method of comparable generic type, in which a step is shifted laterally in the plane of the film. The film is simultaneously sucked into a lower level of the step, so that the film is continuously removed from the component as the stage is advanced.
Die US 2003/0075271 beschreibt ein Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen von Halbleiterelementen, bei der ein Ablösewerkzeug mehrere umlaufende, konzentrisch zueinander angeordnete Kontaktelemente aufweist, welche der Reihe nach teleskopartig ausfahrbar sind, wobei das Halbleiterelement angehoben wird und sich die Folie stufenweise ablöst.US 2003/0075271 describes a method and device for detaching semiconductor elements, in which a detaching tool has a plurality of circumferential, concentrically arranged contact elements which can be telescopically extended, the semiconductor element being raised and the film gradually detaching.
Gemäss JP 2001-196443 verfügt das Ablösewerkzeug über eine pyramidenartig strukturierte Saugfläche. Diese Saugfläche ist von einer ebenen Auflagefläche umgeben.According to JP 2001-196443, the detaching tool has a pyramid-like structured suction surface. This suction surface is surrounded by a flat contact surface.
Die JP 63-228638 beschreibt ein Ablösewerkzeug, bei dem ein Stössel mit einer kleineren Fläche als das elektronische Bauteil von unten gegen die Folie gepresst wird. Die Haltevorrichtung zum Ergreifen des Bauteils ist gabelartig ausgebildet und er- fasst das Bauteil in dem bereits von der Folie abgelösten Randbereich.JP 63-228638 describes a removal tool in which a plunger with a smaller area than the electronic component is pressed against the film from below. The holding device for gripping the component is designed like a fork and grasps the component in the edge area that has already been detached from the film.
Schliesslich beschreibt die JP 3-76139 ein Ablösewerkzeug für ein Halbleiterelement, bei dem ein Ablösestempel mit einer Nadel kombiniert ist, wobei zuerst der Ablösestempel angehoben und dann die Nadel durch die Folie gestossen wird.Finally, JP 3-76139 describes a detachment tool for a semiconductor element in which a detachment stamp is combined with a needle, the detachment stamp being raised first and then the needle being pushed through the film.
Ein Problem bei allen bekannten Verfahren besteht darin, dass diese für die Verarbeitung von Chips mit einer sehr geringen Dicke von beispielsweise 0,05 mm nur beschränkt geeignet sind. Beim Abheben des Chips mit Nadeln oder Stösseln besteht die Gefahr einer mechanischen Beschädigung. Auch das unkontrollierte Ansaugen der Folie in Vertiefungen kann zu starken Biegekräften am Chip und damit zu bleibenden Schäden führen. Bei der ver-
schiebbaren Stufe gemäss US 6 561 743 erfolgt die Ablösung von der Folie fortlaufend und damit asymmetrisch, was eine geringfügige Verschiebung nach einer Seite verursachen kann. Je nach Chipgrösse wird ausserdem seitlich ein entsprechender Spielraum für die Verschiebung benötigt, was zu Platzproblemen im Randbe- reich des Wafers führen kann.A problem with all known methods is that they are only of limited use for processing chips with a very small thickness of, for example, 0.05 mm. There is a risk of mechanical damage when lifting the chip with needles or pestles. Even the uncontrolled suction of the film in recesses can lead to strong bending forces on the chip and thus permanent damage. When the sliding stage according to US 6 561 743, the detachment from the film takes place continuously and thus asymmetrically, which can cause a slight shift to one side. Depending on the size of the chip, there is also a need for adequate lateral clearance for the displacement, which can lead to space problems in the peripheral area of the wafer.
Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, das auch die Ablösung von Bauteilen mit sehr geringer Dicke ermöglicht, ohne diese übermässig zu belasten. Das Verfahren sollte ausserdem einen hohen Grad an Betriebssicherheit aufweisen und möglichst unabhängig vom verwendeten Folientyp arbeiten. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss mit einem Verfahren gelöst, das die Merkmale im Anspruch 1 aufweist.It is therefore an object of the invention to provide a method of the type mentioned at the outset which also makes it possible to detach components with a very small thickness without unduly stressing them. The process should also have a high degree of operational reliability and work as independently as possible from the type of film used. This object is achieved according to the invention with a method which has the features in claim 1.
Der planparallel verschiebbare Flächenabschnitt bewirkt eine sehr präzise Steuerung der Foliendeformation unter der Einwirkung des Unterdrucks zur Reduktion der Haftfläche. In Folge der vorzugsweise senkrecht zur Stützebene verlaufenden Bewegung kann eine vollständige Symmetrie des Ablöseprozesses erreicht werden. Der Hub der planparallelen Vorschub- oder Rückzugsbewegung lässt sich exakt einstellen. Damit kann das Ablöseverfahren an bestimmte Werkstückparameter angepasst werden wie z.B. an bestimmte Folienqualitäten oder Bauteilhöhen. Auch die Geschwindigkeit des Ablösevorgangs lässt sich dabei steuern. Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren wird das Bauteil bis zum endgültigen Abheben in jeder Sequenz der Ablösung entweder zwischen der Haltefläche des Haltewerkzeugs und dem Flächenabschnitt oder zwischen der Haltefläche und dem Stützelement klemmend gehalten. Eine derartige beidseitige und vorzugsweise flächige Unterstützung zu jedem Zeitpunkt ist besonders bei sehr dünnen Chips wichtig.
Für die endgültige Ablösung wird der Flächenabschnitt aus der Stützebene in eine Ablöseposition zurückgezogen, während das Haltewerkzeug das Bauteil festhält. Der Flächenabschnitt legt dabei mit einer einstellbaren Geschwindigkeit einen definierten Hub zurück und entfernt sich von der Folienunterseite. Unter der Vakuumeinwirkung folgt die Folie dem Steuerflächenabschnitt und löst sich dabei von der Unterseite des Bauteils ab, das nur noch durch das Stützelement abgestützt wird. Anschliessend kann das Bauteil von der noch durch das Ξtützelement gehaltene Verbindung abgelöst werden, wozu nur noch ein geringer Kraftaufwand erforderlich ist.The surface section, which can be shifted plane-parallel, results in very precise control of the film deformation under the influence of the negative pressure in order to reduce the adhesive surface. As a result of the movement, which is preferably perpendicular to the support plane, a complete symmetry of the detachment process can be achieved. The stroke of the plane-parallel feed or retraction movement can be set exactly. This enables the detachment process to be adapted to certain workpiece parameters, such as certain film qualities or component heights. The speed of the detachment process can also be controlled. In contrast to the known methods, the component is held in a clamping manner between the holding surface of the holding tool and the surface section or between the holding surface and the support element until it is finally lifted off in any sequence of detachment. Support of this type on both sides and preferably across the board at any time is particularly important in the case of very thin chips. For the final detachment, the surface section is withdrawn from the support plane into a detachment position while the holding tool holds the component. The surface section covers a defined stroke at an adjustable speed and moves away from the underside of the film. Under the action of vacuum, the film follows the control surface section and detaches from the underside of the component, which is only supported by the support element. The component can then be detached from the connection still held by the supporting element, for which only a small amount of force is required.
Gemäss einem etwas abgewandelten Verfahren kann der Flächenabschnitt zuerst aus der Stützebene simultan mit dem Haltewerkzeug über die Stützebene hinaus vorgeschoben und dann wieder in die Stützebene zurückgesetzt werden. Bei dieser Verschiebebewegung wird das Bauteil grossflächig abgestützt und zwischen dem Haltewerkzeug und dem Flächenabschnitt sicher und stabil gehalten. Beim Vorschieben des Flächenabschnitts wird der Ablösevorgang der Folie je nach Konfiguration des Flächenabschnitts auf sanfte Weise dem Rand entlang gestartet. Dazu ist es vorteilhaft, wenn der Flächenabschnitt bzw. die Summe der Flächenabschnitte eine etwas geringere Fläche als das Bauteil aufweist. Beim Zurücksetzen setzt der Flächenabschnitt seine Bewegung kontinuierlich weiter fort, bis er wiederum die eingangs erwähnte Ablöseposition erreicht hat.According to a somewhat modified method, the surface section can first be pushed out of the support plane simultaneously with the holding tool beyond the support plane and then put back into the support plane. During this displacement movement, the component is supported over a large area and held securely and stably between the holding tool and the surface section. When the surface section is pushed forward, the release process of the film is started gently along the edge, depending on the configuration of the surface section. For this purpose, it is advantageous if the surface section or the sum of the surface sections has a somewhat smaller area than the component. When resetting, the surface section continues its movement until it has again reached the separation position mentioned at the beginning.
Je nach Grosse des Bauteils können mehrere, zueinander beabstan- dete Flächenabschnitte simultan derart bewegt werden, dass wenigstens zwischen zwei Flächenabschnitten ein Stützelement angeordnet ist. Die beweglichen Flächenabschnitte sind dabei vom Stützelement durchsetzt, sodass in jeder Sequenz ein möglichst
gut verteilte Abstützung des Bauteils an der Unterseite der Folie gewährleistet ist.Depending on the size of the component, a plurality of surface sections spaced apart from one another can be moved simultaneously in such a way that a support element is arranged at least between two surface sections. The movable surface sections are penetrated by the support element, so that as possible in each sequence well-distributed support of the component on the underside of the film is guaranteed.
In bestimmten Anwendungsfällen kann es vorteilhaft sein, mehrere Flächenabschnitte unabhängig voneinander zu bewegen.In certain applications it can be advantageous to move several surface sections independently of one another.
Die Abstützung der Folie am Stützelement erfolgt vorzugsweise punktförmig und/oder linienförmig, je nach Grosse und Konfiguration des Bauteils.The film is preferably supported on the support element in a punctiform and / or linear manner, depending on the size and configuration of the component.
Weitere Vorteile können erreicht werden, wenn das Bauteil wenigstens zu Beginn des Ablösevorgangs durch den Flächenabschnitt bzw. durch die Flächenabschnitte an wenigstens 50% seiner Fläche abgestützt wird. Eine derartige grossflächige Abstützung ist vor allem dann wichtig, wenn das Bauteil zuerst aus der Stützebene heraus angehoben wird, wobei eine Randablösung beabsichtigt ist.Further advantages can be achieved if the component is supported on at least 50% of its surface at least at the beginning of the detachment process by the surface section or by the surface sections. Such a large-area support is particularly important when the component is first lifted out of the support plane, an edge detachment being intended.
In speziellen Anwendungsfällen ist es vorteilhaft, wenn der Flächenabschnitt erwärmt wird. Auf diese Weise kann Wärme auf den Chip bzw. auf die Waferfolie übertragen werden. Die Temperatursteuerung ist dabei jeweils prozessabhängig.In special applications, it is advantageous if the surface section is heated. In this way, heat can be transferred to the chip or to the wafer film. The temperature control is process-dependent.
Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung gemäss dem Oberbegriff von Anspruch 10. Mit dieser Vorrichtung soll sich einerseits das eingangs erwähnte Verfahren auf einfache Weise durchführen lassen. Die Vorrichtung soll sich ausserdem nach Möglichkeit in bestehende Verarbeitungsmaschinen, insbesondere in bestehende Die Bonder einbauen lassen. Diese Aufgabe wird erfin- dungsgemäss mit einer Vorrichtung gelöst, welche die Merkmale im Anspruch 8 aufweist.The invention also relates to a device according to the preamble of claim 10. On the one hand, this device is intended to be able to carry out the aforementioned method in a simple manner. The device should also, if possible, be installed in existing processing machines, in particular in existing die bonders. This object is achieved according to the invention with a device which has the features in claim 8.
Das beweglich gelagerte Steuerelement mit dem planparallel verschiebbaren Flächenabschnitt lässt sich besonders einfach mit
dem gleichen Antriebssystem koppeln, wie es bereits für konventionelle Ablösenadeln vorhanden sein kann. Das Steuerelement kann dabei relativ zur Stützebene sowohl zurückziehbar als auch vorschiebbar sein. Bei sehr kleinen Chips kann es genügen, wenn die Steueroberfläche wenigstens einen ebenen Flächenabschnitt aufweist, neben dem auf geeignete Weise wenigstens ein Stützelement angeordnet ist. Vorteilhaft handelt es sich aber um mehrere Stützelemente, welche den Flächenabschnitt im geeigneten Abstand zueinander bzw. zum Flächenabschnitt umgeben. Dadurch, dass die Steueroberfläche mehrere zueinander beabstandete ebene Flächenabschnitte aufweist, wird eine grossflächige Abstützung auf der Unterseite der Folie gewährleistet. Wenn wenigstens zwischen zwei Flächenabschnitten ein Stützelement angeordnet ist, wird auch bei unter die Stützebene zurückgezogenen Flächenabschnitten eine weitestgehende Abstützung des Bauteils gewährleistet.The movably mounted control element with the plane section that can be moved plane-parallel can be particularly easily with couple to the same drive system as can already be found for conventional stripping needles. The control element can be both retractable and advanced relative to the support plane. In the case of very small chips, it may be sufficient if the control surface has at least one flat surface section, next to which at least one support element is arranged in a suitable manner. However, it is advantageous to have a plurality of support elements which surround the surface section at a suitable distance from one another or from the surface section. The fact that the control surface has a plurality of flat surface sections spaced apart from one another ensures a large-area support on the underside of the film. If a support element is arranged at least between two surface sections, extensive support of the component is ensured even when the surface sections are retracted below the support plane.
Je nach Geometrie des Bauteils kann das Steuerelement mehrere, fest miteinander verbundene Flächenabschnitte aufweisen. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn das.. Steuerelement monolithisch hergestellt ist, sodass alle Flächenabschnitte gemeinsam bearbeitet werden können und somit auch exakt in der gleichen Ebene liegen.Depending on the geometry of the component, the control element can have several surface sections that are firmly connected to one another. It is particularly advantageous if the .. control element is made monolithic, so that all surface sections can be machined together and thus also lie exactly in the same plane.
Das Steuerelement kann aber auch mehrere, unabhängig voneinander bewegbare Flächenabschnitte aufweisen,, die über ein entsprechendes Getriebe seitlich versetzt zueinander bewegbar sind.However, the control element can also have a plurality of surface sections which can be moved independently of one another and which can be moved laterally offset with respect to one another via a corresponding gear.
Das Stützelement kann zur punktförmigen Auflage der Folie Stützpyramiden oder Stützkegel oder zur linienförmigen Auflage der Folie Stützleisten aufweisen.The support element can have support pyramids or support cones for the point-like support of the film or support strips for the linear support of the film.
Besonders vorteilhaft ist es ausserdem, wenn wenigstens vier Flächenabschnitte matrixartig nebeneinander angeordnet sind. Bei
dieser, einem Kleeblatt ähnlichen Anordnung kann das Stützelement eine Mehrzahl von Stützpyramiden oder Stützkegel aufweisen, die ebenfalls matrixartig um die Flächenabschnitte angeordnet sind. Alternativ könnten auch ein Kreuz bildende Stützleisten zwischen den vier Flächenabschnitten angeordnet sein.It is also particularly advantageous if at least four surface sections are arranged next to one another in a matrix. at In this arrangement, similar to a cloverleaf, the support element can have a plurality of support pyramids or support cones, which are also arranged in a matrix-like manner around the surface sections. Alternatively, cross bars forming a cross could also be arranged between the four surface sections.
Die Steueroberfläche bzw. die einzelnen Flächenabschnitte können mittels einer Heizvorrichtung erwärmbar sein, um die Waferfolie bzw. den einzelnen Chip zu erwärmen. Bei der Heizvorrichtung kann es sich um eine elektrische Widerstandheizung oder um ein anderes Heizelement handeln. Die Heizvorrichtung kann ausserdem über geeignete Steuerungsmittel für die Temperatursteuerung verfügen .The control surface or the individual surface sections can be heated by means of a heating device in order to heat the wafer film or the individual chip. The heating device can be an electrical resistance heater or another heating element. The heating device can also have suitable control means for temperature control.
Weitere Einzelmerkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Zeichnungen. Es zeigen:Further individual features and advantages of the invention result from the following description of exemplary embodiments and from the drawings. Show it:
Figur 1 ein erstes Beispiel eines erfindungsge ässen Ablösevorgangs in drei Sequenzen,FIG. 1 shows a first example of a detachment process according to the invention in three sequences,
Figur 2 ein zweites Beispiel eines erfindungsgemässen Ablösenvorgangs in vier Sequenzen,FIG. 2 shows a second example of a detaching process according to the invention in four sequences,
Figur 3 eine Draufsicht auf die Stirnseite eines ersten Ablösewerkzeugs gemäss Erfindung,FIG. 3 shows a top view of the end face of a first release tool according to the invention,
Figur 4 ein Querschnitt durch die Ebene A-A gemäss Figur 3,FIG. 4 shows a cross section through the plane A-A according to FIG. 3,
Figur 5 eine perspektivische Darstellung des Ablösewerkzeugs gemäss den Figuren 3 und 4,
Figur 6 eine Draufsicht auf die Stirnseite eines zweiten Ablösewerkzeugs gemäss Erfindung,FIG. 5 shows a perspective illustration of the detaching tool according to FIGS. 3 and 4, FIG. 6 shows a top view of the end face of a second removal tool according to the invention,
Figur 7 ein Querschnitt durch die Ebene B-B gemäss Figur 6,FIG. 7 shows a cross section through the plane B-B according to FIG. 6,
Figur 8 eine perspektivische Darstellung des Ablösewerkzeugs gemäss den Figur 6 und 7,FIG. 8 shows a perspective illustration of the detaching tool according to FIGS. 6 and 7,
Figur 9 ein Querschnitt durch ein weiteres Beispiel eines Ablösewerkzeugs mit mehreren unabhängig bewegbaren Flächenabschnitten, undFIG. 9 shows a cross section through a further example of a detaching tool with a plurality of independently movable surface sections, and
Figur 10 ein Ablösevorgang mit einem Ablösewerkzeug gemäss Figur 9 in den Sequenzen a bis k.FIG. 10 shows a detaching process with a detaching tool according to FIG. 9 in the sequences a to k.
In den Figuren la bis lc ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines Ablösevorgangs in drei Sequenzen dargestellt . Dabei sind auf einer gespannten Waferfolie 2 eine Mehrzahl von Chips 1 aufgeklebt bzw. der ursprünglich aufgeklebte zusammenhängende Wafer wurde durch Sägen in einzelne Chips unterteilt. Nach dem Sägen wird die Folie auf bekannte Weise weitergespannt, um das Vereinzeln der Chips zu erleichtern. Das insgesamt mit 5 bezeichnete Ablösewerkzeug ist hier nur schematisch dargestellt. Es ist relativ zur Waferfolie 2 ortsfest in einer Arbeitsmaschine angeordnet. Die Platzierung des Chips 1 über dem Ablösewerkzeug 5 erfolgt über einen X-Y Koordinatenantrieb.A first embodiment of a detaching process is shown in three sequences in FIGS. In this case, a plurality of chips 1 are glued onto a stretched wafer film 2, or the coherent wafer originally glued on was divided into individual chips by sawing. After sawing, the film is stretched in a known manner in order to facilitate the separation of the chips. The detachment tool, designated as a whole by 5, is only shown schematically here. It is arranged in a fixed position relative to the wafer film 2 in a work machine. The chip 1 is placed over the detachment tool 5 via an X-Y coordinate drive.
Ein Haltewerkzeug 4 mit einer ebenen Haltefläche wird mit Saugfunktion kann auf der von der Folie abgewandten Oberfläche 3 des Chips angelegt werden. Über einen Unterdruckkanal 20 wird ein Unterdruck auf diese Oberfläche angelegt, sodass der Chip am Haltewerkzeug 4 haftet. Das Haltewerkzeug 4 ist unter Aufrechterhaltung des Unterdrucks in Pfeilrichtung a abhebbar (Figur lc)
und transportiert den Chip auf ein Substrat oder an eine Zwischenstation .A holding tool 4 with a flat holding surface with a suction function can be placed on the surface 3 of the chip facing away from the film. A vacuum is applied to this surface via a vacuum channel 20, so that the chip adheres to the holding tool 4. The holding tool 4 can be lifted off while maintaining the negative pressure in the direction of the arrow a (FIG. 1c) and transports the chip to a substrate or to an intermediate station.
Das Ablösewerkzeug 5 verfügt über wenigstens ein Stützelement 6, das in einer Stützebene 11 liegt. Auf dieser Stützebene liegt die Waferfolie 2 zu Beginn des Ablösevorgangs plan auf. In der Stützebene 11 verlaufen auch vorzugsweise mehrere am Ende eines Steuerelements 10 angeordnete Flächenabschnitte 8a, 8b in unmittelbarer Nachbarschaft des Stützelements 6. Die Flächenabschnitte bzw. das Steuerelement 10 sind in Pfeilrichtung b zurückziehbar (Figur lb) .The detaching tool 5 has at least one support element 6, which lies in a support plane 11. The wafer film 2 lies flat on this support plane at the beginning of the detachment process. A plurality of surface sections 8a, 8b arranged at the end of a control element 10 also preferably run in the support plane 11 in the immediate vicinity of the support element 6. The surface sections or control element 10 can be retracted in the direction of arrow b (FIG. 1b).
Während des gesamten Ablösevorgangs liegt im Bereich des Ablösewerkzeugs 5 an der Unterseite der Waferfolie 2 ein Unterdruck an (Pfeile v) . Dieser kann über spezielle Unterdruckkanäle 9 oder einfach nur über das Spiel zwischen den festen und beweglichen Teilen an der Folie angreifen. Im Randbereich der Flächenabschnitte 8 können beispielsweise durch entsprechende Anschrägun- gen Vertiefungen 7 ausgebildet sein, an denen unter der Einwirkung des Unterdrucks der Ablöseprozess eingeleitet werden kann.During the entire detachment process, a vacuum is present in the area of the detachment tool 5 on the underside of the wafer film 2 (arrows v). This can attack via special vacuum channels 9 or simply through the play between the fixed and moving parts on the film. In the edge region of the surface sections 8, depressions 7 can be formed, for example, by corresponding bevels, at which the detachment process can be initiated under the action of the negative pressure.
Eine derartige Startphase ist in Figur la dargestellt. Die Vertiefungen 7 verlaufen nicht nur im Randbereich der Flächenabschnitte 8a, 8b, sondern auch im Randbereich des Chips 1. Sie bewirken .unter der Einwirkung des Unterdrucks eine örtlich sehr begrenzte Deformation der Waferfolie 2 und damit deren Ablösung vom Chip 1.Such a starting phase is shown in Figure la. The depressions 7 run not only in the edge region of the surface sections 8a, 8b, but also in the edge region of the chip 1. Under the action of the vacuum, they cause a locally very limited deformation of the wafer film 2 and thus its detachment from the chip 1.
In einem nächsten Schritt gemäss Figur lb werden die Flächenabschnitte 8a, 8b relativ zur Stützebene 11 in Pfeilrichtung b zurückgezogen. Die Waferfolie 2 folgt kontinuierlich dieser Bewegung und verbleibt nur im Bereich der Abstützung durch das Stützelement 6 in der Stützebene 11. Die Ablösegeschwindigkeit
kann dabei mittels der Bewegung der Flächenabschnitte exakt gesteuert werden. Das Haltewerkzeug 4 hält den Chip 1 unbeweglich in der Ausgangsposition.In a next step according to FIG. 1b, the surface sections 8a, 8b are withdrawn relative to the support plane 11 in the direction of the arrow b. The wafer film 2 follows this movement continuously and remains only in the area of the support by the support element 6 in the support plane 11. The detachment speed can be controlled precisely by means of the movement of the surface sections. The holding tool 4 holds the chip 1 immovably in the starting position.
Erst wenn gemäss Figur lc die Waferfolie 2 ihre vollständige Deformation erreicht hat und nur noch am Stützelement 6 aufliegt, bzw. im Bereich dieser Abstützung am Chip 1 haftet, beginnt das Abheben des Chips in Pfeilrichtung a mit Hilfe des Haltewerkzeugs 4. Nach dem Abheben wird unter der Waferfolie wieder Atmosphärendruck hergestellt und die Folie wird zum Abheben des nächsten Chips verschoben.Only when, according to FIG. 1c, the wafer film 2 has reached its complete deformation and only rests on the support element 6, or adheres to the chip 1 in the region of this support, does the chip begin to be lifted in the direction of arrow a with the aid of the holding tool 4. After lifting off, Atmospheric pressure is restored under the wafer foil and the foil is shifted to lift off the next chip.
In den Figuren 2a bis 2d ist ein etwas modifiziertes Ablöseverfahren dargestellt. Dabei entspricht die Figur 2a teilweise der Ausgangssituation gemäss Figur la. Die Folie 2 ist jedoch flach über die Vertiefungen 7 gespannt, so dass der Ablöseprozess an dieser Stelle noch nicht einsetzt. Ausserdem entsprechen die Figuren 2c und 2d in der Endphase des Ablösevorgangs den Situationen gemäss den Figuren lb und lc. Zur Einleitung des Ablöseprozesses ist jedoch ein weiterer Schritt gemäss Figur 2b dazwischen geschaltet. Dabei werden die Flächenabschnitte 8a, 8b simultan mit dem Haltewerkzeug 4 um eine geringe Distanz in Pfeilrichtung a vorgeschoben, sodass der abzulösende Chip 1 zunächst die Stützebene 11 überragt. Durch diesen minimalen Versatz wird der Ablösevorgang im Randbereich des Chips 1 auf sanfte Weise gestartet. Anschliessend wird das Haltewerkzeug 4 mit den Flächenabschnitten 8a, 8b wiederum synchron abgesenkt, bis die Folie 2 wieder auf der Abstützung 6 aufliegt. Die Flächenabschnitte 8a, 8b setzen ihre Bewegung gemäss Figur 2c in Pfeilrichtung b fort, worauf sich der restliche Ablösevorgang wie gemäss Figur 1 abspielt.
Bei beiden Ablöseoperationen gemäss Figur 1 und Figur 2 wird in jedem Fall der Chip 1 zuerst mit Hilfe des Haltewerkzeugs 4 an- gefasst, bevor sich die Flächenabschnitte 8a und 8b nach oben bzw. nach unten bewegen. Dadurch wird der Chip zwischen der Haltefläche des Haltewerkzeugs und den Flächenabschnitten 8a, 8b bzw. dem Stützelement 6 klemmend erfasst, bevor überhaupt irgendwelche Zug- oder Biegekräfte auf die Folie 2 einwirken. Bei Anheben der Flächenabschnitte 8a, 8b gemäss Figur 2 bleibt diese klemmende Halterung erhalten.A somewhat modified detachment process is shown in FIGS. 2a to 2d. Figure 2a partially corresponds to the initial situation according to Figure la. However, the film 2 is stretched flat over the depressions 7, so that the detachment process does not start at this point. In addition, FIGS. 2c and 2d correspond to the situations according to FIGS. 1b and 1c in the final phase of the detachment process. To initiate the detachment process, however, a further step according to FIG. 2b is interposed. The surface sections 8a, 8b are simultaneously advanced with the holding tool 4 by a small distance in the direction of arrow a, so that the chip 1 to be detached initially projects above the support plane 11. This minimal offset gently starts the detaching process in the edge area of the chip 1. The holding tool 4 is then again lowered synchronously with the surface sections 8a, 8b until the film 2 rests on the support 6 again. The surface sections 8a, 8b continue their movement according to FIG. 2c in the direction of arrow b, whereupon the remaining detachment process takes place as in FIG. 1. In both detachment operations according to FIGS. 1 and 2, the chip 1 is first touched with the holding tool 4 before the surface sections 8a and 8b move up and down. As a result, the chip is gripped between the holding surface of the holding tool and the surface sections 8a, 8b or the support element 6 before any tensile or bending forces act on the film 2 at all. When the surface sections 8a, 8b according to FIG. 2 are raised, this clamping holder is retained.
In den Figuren 3 bis 5 ist ein Ablösewerkzeug 5 dargestellt, wie es für die vorgängig beschriebenen Verfahren eingesetzt werden kann. Das Werkzeug besteht aus einem topfartigen Gehäuse 23 mit einer hohlzylindrischen Befestigungsmanschette 12 und mit einer Supportfläche 13, auf welcher die Folie im Umgebungsbereich des abzulösenden Chips zu liegen kommt. Die gesamte Innenseite der Befestigungsmanschette kann an eine Unterdruckquelle angeschlossen werden. Damit kann beispielsweise ein Unterdruck von 200 mbar absolut gegenüber dem Atmosphärendruck erzielt werden. Auf der kreisförmigen Supportfläche 13 sind in gleichmässiger Winkelteilung insgesamt vier Saugbohrungen 14 angeordnet, über welche die Waferfolie fixiert wird.FIGS. 3 to 5 show a detaching tool 5 as can be used for the previously described methods. The tool consists of a pot-like housing 23 with a hollow cylindrical fastening collar 12 and with a support surface 13 on which the film comes to rest in the area surrounding the chip to be removed. The entire inside of the fastening sleeve can be connected to a vacuum source. For example, a negative pressure of 200 mbar absolute can be achieved compared to atmospheric pressure. A total of four suction bores 14 are arranged on the circular support surface 13 in a uniform angular division, via which the wafer film is fixed.
Auf der Supportfläche 13 ist eine etwa quadratische Absenkung 21 angeordnet. Innerhalb dieser Absenkung sind in kleeblattartiger Anordnung vier etwa dreieckige Stösselöffnungen 17 vorgesehen. Zwischen diesen Stösselöffnungen verläuft ein Stützleistenkreuz 16 und im Kreuzungspunkt ist eine Stützpyramide 15 angeordnet. Stützpyramide und Stützleistenkreuz bilden gemeinsam das Stützelement 6, das in der Stützebene 11 verläuft.An approximately square depression 21 is arranged on the support surface 13. Within this lowering four approximately triangular tappet openings 17 are provided in a cloverleaf arrangement. A support bar cross 16 runs between these tappet openings and a support pyramid 15 is arranged at the crossing point. The support pyramid and support strip cross together form the support element 6, which runs in the support plane 11.
Im Zentrum und koaxial zur Befestigungsmanschette 12 ist ein etwa zylindrisches Steuerelement 10 axial beweglich gehalten. An
einem Ende dieses Steuerelements sind vier Einzelstössel 18 angeordnet, deren Konfiguration in der Stützebene 11 der Konfiguration der Stösselöffnungen 17 entspricht. Die Stössel 18 weisen an ihren Enden je einen Flächenabschnitt 8 auf und sie durchdringen die Stösselöffnungen 17 mit Spiel, sodass auch entlang ihren Seitenwänden der Unterdruck auf die über der Vertiefung 21 liegende Waferfolie einwirken kann. Zu diesem Zweck kann auch im Zentrum des Steuerelements 10 eine Saugbohrung 19 angeordnet sein.An approximately cylindrical control element 10 is held axially movably in the center and coaxially to the fastening collar 12. On At one end of this control element, four individual plungers 18 are arranged, the configuration of which in the support plane 11 corresponds to the configuration of the plunger openings 17. The plungers 18 each have a surface section 8 at their ends and they penetrate the plunger openings 17 with play, so that the negative pressure can also act on the wafer film lying above the recess 21 along their side walls. For this purpose, a suction bore 19 can also be arranged in the center of the control element 10.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Grundrissfläche des abzulösenden Chips geringfügig grösser als diejenige der einstückig ausgebildeten Stösselanordnung. Die Abstützung erfolgt über die Diagonalen des Chips und im Zentrum.In the present exemplary embodiment, the plan area of the chip to be removed is slightly larger than that of the one-piece plunger arrangement. Support is provided via the diagonals of the chip and in the center.
Beim Ablösewerkzeug gemäss den Figuren 6 bis 8 ist die Befestigungsmanschette 12 im Wesentlichen ähnlich ausgebildet wie beim vorhergehenden Ausführungsbeispiel. Auch die Saugbohrungen 14 in der Supportfläche 13 sind identisch angeordnet. Unterschiedlich ist jedoch die Konfiguration der Supportfläche selbst sowie des Steuerelements 10. Auch hier ist zwar eine quadratische Absenkung 21 vorgesehen. Das Stützelement 6 wird jedoch ausschliess- lich durch Stützpyramiden 15 gebildet, die jeweils im Eckbereich, in der Mitte jeder Seitenkante und im Zentrum matrixartig angeordnet sind. Insgesamt vier ebenfalls etwa quadratische Stösselöffnungen 17 sind im Boden der Absenkung 21 angeordnet. Im Randbereich können Zusatzbohrungen 22 zur besseren Verteilung des Unterdrucks vorgesehen sein.In the detachment tool according to FIGS. 6 to 8, the fastening collar 12 is essentially similar to that in the previous exemplary embodiment. The suction bores 14 in the support surface 13 are also arranged identically. However, the configuration of the support surface itself and of the control element 10 is different. Here too, a square depression 21 is provided. However, the support element 6 is formed exclusively by support pyramids 15, which are arranged in a matrix-like manner in the corner area, in the middle of each side edge and in the center. A total of four approximately square tappet openings 17 are arranged in the bottom of the depression 21. Additional bores 22 can be provided in the edge region for better distribution of the negative pressure.
Die Steueroberfläche bzw. die einzelnen Flächenabschnitte sind mittels einer Heizvorrichtung 40 heizbar, die hier als elektrische Heizpatrone angedeutet ist.
Das Steuerelement 10 weist ebenfalls vier Stössel 18 auf, deren Konfiguration etwa derjenigen der Stösselöffnungen entspricht.The control surface or the individual surface sections can be heated by means of a heating device 40, which is indicated here as an electrical heating cartridge. The control element 10 also has four plungers 18, the configuration of which corresponds approximately to that of the plunger openings.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Waferfolie im Bereich des aufgeklebten Chips ausschliesslich punktförmig abgestützt. Im Übrigen ist die Funktion des Ablösewerkzeugs jedoch gleich wie beim vorgehend beschriebenen Ausführungsbeispiel.In this exemplary embodiment, the wafer film is supported in the area of the glued-on chip exclusively in a punctiform manner. Otherwise, the function of the detachment tool is the same as in the exemplary embodiment described above.
Figur 9 zeigt schliesslich noch ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel eines Ablösewerkzeugs 25. Dieses verfügt über ein Gehäuse 26, in welchem möglicherweise matrixartig mehrere Einzelstössel 28 axial verschiebbar gelagert sind. Die Lagerung der Einzelstössel erfolgt sowohl in einem Steuerschieber 30 als auch in einem Vorschubelement 34. Das Vorschubelement ist ähnlich wie das Gehäuse 26 topfartig ausgebildet und verfügt über eine Stirnseite 35, die etwas zurückversetzt unter einer Gehäuseöffnung 27 liegt. In der Stirnseite 35 sind Öffnungen angeordnet, durch welche die Einzelstössel 28 dringen.FIG. 9 finally shows a modified embodiment of a detaching tool 25. This has a housing 26, in which several individual plungers 28 may be axially displaceably mounted in a matrix-like manner. The individual plungers are stored both in a control slide 30 and in a feed element 34. The feed element is designed like a pot, similar to the housing 26, and has an end face 35, which is slightly recessed under a housing opening 27. Openings through which the individual plungers 28 penetrate are arranged in the end face 35.
Das Vorschubelement 34 wird unter der Einwirkung einer Schraubendruckfeder 36 gegen eine Auflage 37 am Gehäuse 26 vorgespannt. Dagegen ist der Steuerschieber 30 in Pfeilrichtung b noch weiter absenkbar. Der Steuerschieber 30 verfügt über eine Abstufung 33 mit verschiedenen Ebenen, wobei jeweils zwei oder mehr Einzelstössel an der gleichen Abstufungsebene angeordnet sein können. Die Einzelstössel verfügen am oberen Ende über je einen Anschlag 38, der die Stösselbewegung nach oben begrenzt. Am unteren Ende sind die Einzelstössel mit je einem Mitnehmerelement 32 versehen, wobei in der dargestellten neutralen Ausgangslage alle Mitnehmerelemente auf der gleichen Ebene liegen. Zwischen den Anschlägen 38 und der Abstufung 33 sind die Einzelstössel mit je einer Schraubendruckfeder 31 vorgespannt.
Der für den Ablöseprozess erforderliche Unterdruck kann über Unterdruckkanäle 29 an der Waferfolie 2 angreifen. Zusätzliche Kanäle, beispielsweise in den Einzelstösseln 28 wären jedoch denkbar.The feed element 34 is biased under the action of a helical compression spring 36 against a support 37 on the housing 26. In contrast, the control slide 30 can be lowered further in the direction of arrow b. The control slide 30 has a gradation 33 with different levels, wherein two or more individual tappets can be arranged on the same gradation level. The individual plungers each have a stop 38 at the upper end, which limits the plunger movement upwards. At the lower end, the individual plungers are each provided with a driver element 32, with all driver elements lying on the same plane in the neutral starting position shown. The individual plungers are prestressed with a helical compression spring 31 between the stops 38 and the step 33. The vacuum required for the detachment process can act on the wafer film 2 via vacuum channels 29. Additional channels, for example in the individual plungers 28, would, however, be conceivable.
In der dargestellten neutralen Ausgangslage liegen die Steuerflächenabschnitte 8 der Einzelstössel alle in der Stützebene 11. Die Besonderheit dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, dass die Flächenabschnitte 8 gleichzeitig die Funktion einer Abstützung übernehmen. Das heisst, dass in der Stützebene 11 keine relativ zu den Flächenabschnitten 8 starre Abstützung vorhanden ist.In the neutral starting position shown, the control surface sections 8 of the individual tappets are all in the support plane 11. The special feature of this exemplary embodiment is that the surface sections 8 simultaneously take on the function of a support. This means that there is no support which is rigid relative to the surface sections 8 in the support plane 11.
Bei einer Verschiebung des Steuerschiebers 30 in Pfeilrichtung a wird ersichtlicherweise das Vorschubelement 34 gegen die Kraft der Schraubendruckfeder 36 angehoben und die Einzelstössel bzw. deren Flächenabschnitte 8 werden durch die Öffnung 27 über die Stützebene 11 hinaus vorgeschoben. Die Kraft der Schraubendruckfedern 31 reicht dabei aus, um die Anschläge 38 in der Anschlagposition zu halten. Wird der Steuerschieber 30 jedoch in Pfeilrichtung b zurückgezogen, werden ersichtlicherweise über die Abstufung 33 zuerst die beiden äussersten Einzelstössel zurückgezogen. Anschliessend folgen ihnen paarweise von aussen nach innen weitere Stössel, bis zuletzt die beiden innersten Stössel zurückgezogen werden. Bei einer matrixartigen Anordnung der Stössel werden jeweils Stösselreihen konzentrisch von aussen nach innen zurückgezogen. Diese geführte Rückzugsbewegung bewirkt ein kontinuierliches Ablösen der Folie von aussen nach innen in einer geführten und abgestützten Bewegung. Die Ablösung erfolgt völlig symmetrisch, sodass keine Verschiebung des Chips stattfinden kann.
In Figur 10 ist in den Einzeldarstellungen a) bis k) eine Ablösesequenz unter Verwendung des Ablösewerkzeugs 25 gemäss Figur 9 dargestellt, a) zeigt dabei die neutrale Ausgangsstellung nach dem Platzieren der Waferfolie über dem Ablösewerkzeug und bevor das Haltewerkzeug 4 den Chip 1 erfasst.When the control slide 30 is displaced in the direction of arrow a, it is evident that the feed element 34 is raised against the force of the helical compression spring 36 and the individual plungers or their surface sections 8 are advanced through the opening 27 beyond the support plane 11. The force of the helical compression springs 31 is sufficient to hold the stops 38 in the stop position. However, if the control slide 30 is retracted in the direction of arrow b, it is evident that the two outermost individual tappets are withdrawn first via the step 33. Then follow them in pairs from the outside inwards until the two innermost plungers are pulled back. In the case of a matrix-like arrangement of the tappets, rows of tappets are withdrawn concentrically from the outside inwards. This guided retraction movement causes a continuous detachment of the film from the outside inwards in a guided and supported movement. The detachment is completely symmetrical, so that the chip cannot be moved. 10 shows in the individual representations a) to k) a detachment sequence using the detachment tool 25 according to FIG. 9, a) shows the neutral starting position after the wafer film has been placed over the detachment tool and before the holding tool 4 detects the chip 1.
Gemäss b) erfasst das Haltewerkzeug den Chip und die Unterseite der Waferfolie 2 wird unter Vakuum gesetzt.According to b), the holding tool detects the chip and the underside of the wafer film 2 is placed under vacuum.
Anschliessend wird gemäss c) der Steuerschieber 30 vorgeschoben, wobei sich die Flächenabschnitte 8 simultan mit dem Haltwerkzeug 4 anheben. Gleichzeitig wird die Waferfolie 2 etwas unter die Stützebene 11 gesaugt. Entlang den Aussenkanten des Chips 1 beginnt jetzt bereits der Ablöseprozess.The control slide 30 is then advanced according to c), the surface sections 8 being raised simultaneously with the holding tool 4. At the same time, the wafer film 2 is sucked somewhat under the support plane 11. The detachment process already begins along the outer edges of the chip 1.
Anschliessend wird gemäss d) der Steuerschieber 30 wieder zurückgesetzt, sodass der Chip 1 wieder in die Ausgangslage zurückkehrt. Sämtliche Einzelstössel haben jetzt zunächst die Funktion einer Abstützung für die Waferfolie. Diese verbleibt aber entlang den Kanten in abgelöster Position.Then, according to d), the control slide 30 is reset again, so that the chip 1 returns to the starting position. All individual tappets now initially have the function of a support for the wafer film. However, this remains in a detached position along the edges.
Gemäss e) wird der Steuerschieber weiter zurückgezogen, wobei die beiden äussersten Stössel mitgenommen werden und sich absenken. Unter der Einwirkung des Unterdrucks folgt die Waferfolie in einer geführten Bewegung und löst sich von der Unterseite des Chips ab. Gemäss f) , g) und h) folgen weitere RückzugsSequenzen der Stössel von aussen nach innen, bis zuletzt nur noch die beiden innersten Stössel als Abstützung dienen.According to e), the control slide is pulled back further, the two outermost tappets being taken along and lowering. Under the influence of the negative pressure, the wafer film follows in a guided movement and detaches from the underside of the chip. According to f), g) and h), further retraction sequences of the tappets follow from the outside inwards, until finally only the two innermost tappets serve as supports.
Gemäss i) werden schliesslich auch die innersten Stössel noch unter die Stützebene 11 abgesenkt, sodass der Ablöseprozess beendet wird, ohne dass das Haltewerkzeug 4 bewegt werden muss.
Erst jetzt erfolgt gemäss k) das Anheben des Haltewerkzeugs 4 und der Druckausgleich, sodass sich die elastische Waferfolie 2 wiederum entspannt. Die Einzelstössel können jetzt in die Ausgangsposition gemäss a) zurückgeschoben werden und die Waferfolie kann zum Ablösen eines neuen Chips über dem Ablösewerkzeug positioniert werden. Selbstverständlich wären Abwandlungen des Ablösewerkzeugs gemäss Figur 9 denkbar. Insbesondere die Stös- selanordnung und die Sequenzen des Rückzugs könnten jeweils den speziellen Gegebenheiten angepasst werden. Es wäre auch denkbar, zwischen den beweglichen Stösseln noch einzelne starre Abstüt- zungen bzw. Stützelemente vorzusehen, die ebenfalls matrixartig angeordnet sein könnten.
Finally, according to i), the innermost plungers are also lowered below the support plane 11, so that the detachment process is ended without the holding tool 4 having to be moved. Only now, according to k), is the holding tool 4 raised and the pressure equalized, so that the elastic wafer film 2 relaxes again. The individual plungers can now be pushed back into the starting position according to a) and the wafer film can be positioned above the detaching tool in order to detach a new chip. Modifications of the detaching tool according to FIG. 9 would of course be conceivable. In particular, the plunger arrangement and the sequences of the retreat could each be adapted to the special circumstances. It would also be conceivable to provide individual rigid supports or support elements between the movable plungers, which could also be arranged in a matrix.