EP1651867B1 - Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauteils, vorzugsweise für fluidische anwendungen und mikropumpe mit einer pumpmemembran aus einer polysiliciumschicht - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauteils, vorzugsweise für fluidische anwendungen und mikropumpe mit einer pumpmemembran aus einer polysiliciumschicht Download PDF

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EP1651867B1
EP1651867B1 EP04738869A EP04738869A EP1651867B1 EP 1651867 B1 EP1651867 B1 EP 1651867B1 EP 04738869 A EP04738869 A EP 04738869A EP 04738869 A EP04738869 A EP 04738869A EP 1651867 B1 EP1651867 B1 EP 1651867B1
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EP
European Patent Office
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layer
functional layer
stop layer
functional
stop
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EP04738869A
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EP1651867A1 (de
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Matthias Fuertsch
Hubert Benzel
Stefan Finkbeiner
Stefan Pinter
Frank Fischer
Heiko Stahl
Tjalf Pirk
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B43/00—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
    • F04B43/02—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
    • F04B43/04—Pumps having electric drive
    • F04B43/043—Micropumps

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a micromechanical component, preferably for fluidic applications, according to the preamble of patent claim 1.
  • Micropumps are used for various technical areas, especially in the medical field, to precisely convey small quantities of liquid.
  • micromechanical production methods are used, for example, silicon is used, which can be easily and precisely structured with appropriate deposition and etching.
  • a generic micropump is known, which is produced on an SOI wafer.
  • the known micropump consists of a triple stack with two glass wafers and an SOI wafer in between.
  • a monocrystalline silicon layer of the SOI wafer is used, for which, for example, a dry etching method (DRIE) is used for patterning the silicon layer and a sacrificial oxide etching method is used to expose the structures.
  • DRIE dry etching method
  • a sacrificial oxide etching method is used to expose the structures.
  • the object of the invention is to provide a simple and flexible method for producing a component, preferably for fluidic applications, and a micropump to be produced simply and cost-effectively with this method.
  • the object of the invention is achieved by the method according to claim 1 and by the micropump according to claim 12.
  • An advantage of the method according to the invention is that the use of two functional layers and the use of two stop layers, which can additionally serve as sacrificial layers, provide high flexibility in the production of differently structured functional layers.
  • the second functional layer is removed according to an etching mask to the second stop layer and then the first functional layer is removed according to the structure of the second stop layer, which serves as a second etching mask, up to the first stop layer.
  • the first functional layer is removed according to the structure of the second stop layer, which serves as a second etching mask, up to the first stop layer.
  • the base plate is structured from the underside to the first stop layer and the first stop layer as a sacrificial layer in removed an etching process in predetermined areas, wherein the predefined areas between the first functional layer and the base plate extend. In this way, an exposure of the first functional layer from the bottom is possible.
  • a lateral etching of the first stop layer is limited by the first functional layer, which is applied directly to the base plate adjacent to the defined regions of the first stop layer.
  • the first stop layer is etched away in predetermined regions via openings of the first functional layer as the sacrificial layer. In this way, an exposure of the underside of the first functional layer is possible.
  • the first stop layer is etched off via openings in the base plate before structuring the first functional layer. Subsequently, the first functional layer from the top, d. H. structured from the side of the second stop layer ago. In certain applications, this approach may offer advantages over the method described above.
  • a cover plate on the upper side or a base plate on the base plate is preferably applied by means of an anodic bonding process and connected in a tightly sealed manner to the component. So that movable parts of the second functional layer or moving parts of the base plate are not bonded during the anodic bonding process, are on top of the moving parts of the second functional layer, on the bottom of the moving parts of the base plate or on the corresponding areas the cover or the bottom plate applied Antibond harshen.
  • a layer sequence comprising a first lower silicon oxide layer, a middle polysilicon layer and an upper second silicon oxide layer is used as the first stop layer.
  • This layer sequence offers the advantage that, after opening the enveloping silicon oxide layer at one location, rapid etching of large areas of the polysilicon layer, e.g. with xenon difluoride or chlorotrifluoride, especially in comparison to gas phase hydrogen fluoride etching process.
  • the process time for etching the first stop layer is significantly reduced.
  • the described method can be used, for example, to produce components for fluidic applications, preferably a micropump.
  • the inventive method according to claim 1 it is possible to produce polysilicon layers as functional layers for a micropump with defined thicknesses.
  • a stop layer is used, which is applied under the polysilicon layer.
  • a second stop layer and a second polysilicon layer are applied.
  • the first stop layer is removed before the first functional layer is applied in the region of the inlet valve, the outlet valve and in the region of the pumping chamber.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a micropump 1, which is essentially constructed from a base plate 2, a functional layer 3, a cover plate 4 and a base plate 5. Between the functional layer 3, which is formed as a polysilicon layer, and the base plate 2, a first stop layer 17 is arranged in edge regions.
  • the base plate 2 is made, for example, from a structured silicon layer on which the functional layer 3 is applied to the structured stop layer 17.
  • a second functional layer 19 is applied ( Figure 2G), on which the cover plate 4 is applied.
  • the base plate 2 is covered on the bottom of the bottom plate 5.
  • the micropump 1 has an inlet valve 6, via which a fluid can flow from an inlet channel 7, which is introduced into the base plate 2 and into the base plate 5, into a pumping chamber 8.
  • the pumping chamber 8 is between a pumping membrane 9 and the cover plate 4 is formed.
  • an outlet valve 10 is provided which communicates with the pumping chamber 8.
  • the outlet valve 10 connects the pumping chamber 8 with a discharge channel 11, which is introduced into the base plate 2 and into the bottom plate 5.
  • the inlet valve 6 has a first closing member 12, which is designed in the form of a flexible web and is formed as part of the functional layer 3.
  • the first closing member 12 is arranged above an inlet opening of the inlet channel 7, via which the inlet channel 7 opens into the pumping chamber 8.
  • the surface of the first closing member 12 is dimensioned so that the inlet opening of the inlet channel 7 is completely covered by the first closing member 12.
  • a sealing seat for the first closing member 12 is an example circular edge surface of the base plate 2, which surrounds the inlet opening of the inlet channel 7.
  • the outlet valve 10 has a second closing member 13, which is also formed as part of the functional layer 3 and represents a sleeve shape with a drain opening 24.
  • the height of the sleeve corresponds to the height of the functional layer 3 in the edge region, so that the upper side of the sleeve bears against a ring sealing surface arranged on the underside of the cover plate 4.
  • the drain opening 24 merges into a drain chamber 14, which is introduced into the base plate 2 and forms part of the drainage channel 11.
  • the drainage chamber 14 may have a larger cross section than the part of the drainage channel 11 which is introduced into the base plate 5.
  • an actuator chamber 15 is formed in the base plate 2, in which a piston 16 is arranged.
  • the piston 16 is connected to the pumping membrane 9 via the first stop layer 17.
  • the bottom plate 5 has an opening 25, via which an actuator for engagement with the piston 16 can be brought.
  • the micropump works as follows: In the initial state, the inlet valve 6 is opened and the outlet valve 10 is closed. Thus, fluid can penetrate into the pumping chamber. For pumping a fluid from the inlet channel 7 to the outlet channel 11, the piston 16 is moved up and down. In this case, the pumping membrane 9 is also moved up and down. By the movement of the pumping diaphragm 9, the volume of the pumping chamber 8 is periodically reduced and increased. With a reduction of the pumping chamber, overpressure is generated in the pumping chamber 8, so that the outlet valve 10 opens and discharges fluid from the pumping chamber 8 into the discharge chamber 14, and closes the inlet valve 6 and prevents a subsequent flow of fluid. Thus, a defined amount of fluid per pump surge is transported.
  • the volume of the pumping chamber 8 is increased and a corresponding negative pressure is generated in the pumping chamber 8.
  • the negative pressure opens the inlet valve 6 and fluid is sucked via the inlet channel 7 into the pumping chamber 8.
  • the exhaust valve closes again.
  • the second closing member 13 of the outlet valve 10 is sealingly against the underside of the cover plate 4, so that no fluid can flow through the outlet valve 10 into the pumping chamber.
  • a backflow of fluid from the discharge space 14 is avoided in the pumping chamber 8.
  • FIG. 2A shows a base plate 2 in the form of a silicon wafer.
  • the first stop layer 17 has been applied and structured.
  • the first stop layer 17 also serves as a sacrificial layer.
  • the first stop layer 17 is divided into individual independent surface areas.
  • a lateral etching stop is automatically achieved by the functional layer 3, which limits the surface areas of the first stop layer 17 laterally and upwardly.
  • the first stop layer 17 is made, for example Silica produced.
  • the functional layer 3 is applied, which preferably consists of polysilicon, which was preferably prepared in an epitaxial deposition method as epitaxial polysilicon layer with an EPI start layer 30. Due to the thickness of the deposited polysilicon layer and the subsequent polishing process, the thickness of the functional layer 3 is precisely determined.
  • a second stop layer 18 is applied to the functional layer 3 and structured with a second structure.
  • the second stop layer 18 is also preferably made of silicon oxide.
  • a second functional layer 19 is applied on the second functional stop layer 18 and contact surfaces 36 of the functional layer 3.
  • the second layer 19 is preferably made of polysilicon and deposited in an epitaxial deposition process as an epitaxial polysilicon layer with a second EPI start-up layer 31.
  • polysilicon it is also possible to use other micromechanically processable materials which grow together with the first functional layer 3.
  • an etching mask 20 is applied, which preferably consists of photoresist. This process status is shown in FIG. 2B.
  • the second functional layer 19 is etched to the second stop layer 18 according to the etching mask 20 with an anisotropic etching process.
  • the second functional layer 19 is etched away in the regions in which no second stop layer 18 is formed up to the functional layer 3 and the functional layer 3 to the first stop layer 17. This process status is shown in FIG. 2C.
  • a component with cavities 38 for fluidic applications can be produced.
  • the etching mask 20 can be removed and the functional layer or the base plate, for example, covered with a glass plate.
  • the first stop layer 17 is undercut in an embodiment of the method via openings of the first functional layer 3 in predetermined areas.
  • cavities 32 can be produced between the base plate 2 and the first functional layer 3.
  • the first functional layer 3 can be detached from the base plate 2 in defined regions and formed as movable parts, for example as a valve membrane.
  • FIG. 2E shows the component structured according to the described method, which was sealed with a cover plate 4 according to an anodic bonding method from the upper side.
  • first of all the base plate 2 can be structured from the underside, wherein second openings 33 are made in the base plate 2 and adjoin the first stop layer 17.
  • the first stop layer 17 is etched away in fixed areas.
  • the first functional layer 3 is patterned from above and the base plate 2 in the areas in which the first stop layer 17 was removed, used as ⁇ tzstop für.
  • FIG. 2F with possibly etched into the base plate 2 from above via structure openings 37 of the functional layer 3.
  • the base plate 2 is patterned from the underside via an anisotropic etching process with a corresponding etching mask in such a manner that an inlet channel 7, an annular actuator chamber 15 and the outlet chamber 14 are introduced into the base plate 2.
  • the inlet channel 7, the actuator chamber 15 and the drain chamber 14 are adjacent to separate Surface areas of the stop layer 17. This state of the process is shown in FIG. 2G.
  • the surface areas of the first stop layer 17 that are accessible therewith are removed from the underside via the inlet channel 7, the actuator chamber 15 and the drain chamber 14 via a selective etching process.
  • the lateral delimitation of the surface areas also limits the lateral undercutting since the functional layer 3 functions as a stop layer.
  • the structuring of the base plate 2, the first functional layer 3 and the second functional layer 19 made of silicon is possible with a silicon etching process in which the silicon oxide stopcocks 17, 18 are used as an etch stop. Subsequently, the first and second stop layers 17, 18 are removed in the desired areas by selective etching processes. In this case, the second stop layer 18 is removed on the exposed areas, as well as on the edge areas. The first stop layer 17 is removed in the surface regions adjacent to the inlet channel 7, the actuator chamber 15 and adjacent to the drain chamber 14. In this process step also any process-related residues of silicon are removed from the pumping membrane. Between the piston 16 and the pumping membrane 9, the first stop layer is retained due to the lateral ⁇ tzstops. Thus, it is not necessary to control the etching process after an etching time. This process status is shown in FIG. 2H.
  • the functional layer 3 has a smaller thickness in certain areas, for example in the area of the first and second closing members 12, 13 and in the area above the actuator space 15 than in other areas.
  • the second closing member 13 is formed in the form of a sleeve by the described method.
  • the stop layer 17 and between the Functional layer 3 and the second layer 19 are arranged.
  • the etched-on areas of the first stop layer 17 extend laterally beyond the openings 7, 15, 14 of the base plate 2 into sub-etching spaces 26.
  • the sub-etching spaces 26 are bounded laterally and upwardly by the polysilicon layer 3.
  • the lateral undercut is precisely determined by the surfaces of the first stop layer 17.
  • the bottom plate 5 and the cover plate 4 are then sealingly connected to the base plate 2 and to the second functional layer 19, respectively.
  • glass is preferably used as the material for the bottom plate 5 and the cover plate 4, which is connected via an anodic bonding process with the base plate 2 and with the second layer 19.
  • an antibonding layer 34 is deposited in the predetermined area before the bonding process, which prevents a connection between the second functional layer 19 and the cover plate 4 or between the base plate 2 and the bottom plate 5.
  • the areas are arranged above the second closing member 13 and below the piston 16.
  • the second closing member 13 and the piston 16 are not anodically bonded and thus are movable for opening and closing the exhaust valve and pumping, respectively.
  • FIGS. 3A-D illustrate a further method for producing a component for fluidic applications, in particular for a micropump, in essential method steps, in which the stop layer 17 is a layer sequence consisting of a lower silicon oxide layer 21, a middle polysilicon layer 22 and an upper silicon oxide layer 23 is constructed, which completely covers the middle polysilicon layer 22.
  • the layer structure of Figure 3A has the same shape as the first stop layer 17 of Figure 2A.
  • the lower silicon oxide layer 21, the middle polysilicon layer 22, and the upper silicon oxide layer 23 be applied to the base plate 2 with appropriate deposition and structuring.
  • the functional layer 3 which preferably consists of epitaxially applied polysilicon, is applied to the layer structure and the free surfaces of the base plate 2.
  • the second stop layer 18 and the second layer 19 and the etching mask 20 are applied according to the previous method and structured in corresponding etching processes, both the base plate 2 from the bottom and the second layer 19 and the functional layer 3.
  • the surfaces of the lower silicon layer 21 exposed through the inlet channel 7, the annular actuator chamber 15 and the drain chamber 14, and the vertical walls of the base plate 2 and the free surfaces of the functional layers are covered with silicon oxide and the exposed surfaces of the lower silicon oxide layer 21 are anisotropic Etching process open.
  • the middle polysilicon layer 22 is exposed to an isotropic etching process in the exposed areas, i. above the inlet channel 7, above the actuator chamber 15 and above the drainage chamber 14 away. This process status is shown in FIG. 3B.
  • the upper silicon oxide layers 23 in the regions of the inlet valve 6, the outlet valve 10 and above the actuator chamber 15 are removed by means of a hydrogen fluoride gas phase etching process.
  • a wet chemical process may be used in combination with a special drying process (eg supercritical drying in CO 2 ).
  • an antibonding layer 34 is formed between the cover plate 4 and movable parts of the first and second functional layers 3, 19 applied.
  • the antibonding layer 34 also has the advantage, in the region of the outlet valve 10, that the outlet valve 10 is pretensioned against the cover plate 4.
  • an antibonding layer 34 is introduced between the piston 16, the base plate 2 and the bottom plate 5. This ensures that the piston 16 remains movable to actuate the pumping membrane.
  • the antibonding layer 34 is formed, for example, as a nitride layer. This process status is shown in FIG. 3D. Depending on the embodiment, the antibonding layer 34 can also be applied to the cover plate 2 or to the base plate 5.
  • the middle polysilicon layer 22 is preferably removed by a xenon difluoride (XeF 2) or a chlorine trifluoride (ClF 3) etch process.
  • XeF 2 xenon difluoride
  • ClF 3 chlorine trifluoride
  • FIGS. 3A-D offers the advantage that large undercutting widths in polysilicon can be implemented quickly with the described etching methods. Furthermore, there is no risk that the first closing member 12 of the inlet valve sticks to the functional layer 3.
  • the removal of the upper silicon layer 23 with the aid of gaseous hydrogen fluoride also avoids sticking and also avoids lateral undercutting between the base plate 2 and the functional layer 3.

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils vorzugsweise für fluidische Anwendungen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Mikropumpen werden für verschiedene technische Bereiche, insbesondere im medizinischen Bereich eingesetzt, um kleine Flüssigkeitsmengen präzise zu befördern. Zur Herstellung von Mikropumpen werden mikromechanische Herstellungsverfahren eingesetzt, wobei beispielsweise Silicium verwendet wird, das mit entsprechenden Abscheide- und Ätzverfahren einfach und präzise strukturiert werden kann.
  • Aus der Patentschrift US 6,390,791 ist eine gattungsgemäße Mikropumpe bekannt, die auf einem SOI-Wafer hergestellt wird. Die bekannte Mikropumpe besteht aus einem dreifach-Stack mit zwei Glaswafern und einem dazwischen befindlichen SOI-Wafer. Zur Herstellung einer Pumpmembran wird eine einkristalline Siliciumschicht des SOI-Wafers verwendet, wobei zur Herstellung z.B. ein Trockenätzverfahren (DRIE) zur Strukturierung der Siliciumschicht und ein Opferoxid-Ätzverfahren zum Freilegen der Strukturen verwendet wird. Wesentliche Nachteile des bekannten Verfahrens bestehen darin, dass bei dem Hochraten-Ätzverfahren die Ätztiefe durch die Ätzzeit festgelegt ist und daher nicht präzise zu kontrollieren ist. Wird die Ätzzeit nicht präzise eingehalten, so resultiert daraus eine Dickenvariation der Funktionsschicht, aus der die Pumpmembran gebildet ist. Dies führt zu unterschiedlichen Pumpcharakteristiken der Mikropumpen. Zudem ist es bei dem bekannten Verfahren nachteilig, dass Opferoxid-Ätzschritte notwendig sind, die eine unreproduzierbare Unterätztiefe bewirken, da kein lateraler Ätzstop vorliegt. Eine weitere gattungsgemäße Mikropumpe ist aus Patentschrift US 5,096,388 bekannt.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein einfaches und flexibles Verfahren zur Herstellung eines Bauteils vorzugsweise für fluidische Anwendungen und eine einfach und kostengünstig mit diesem Verfahren herzustellende Mikropumpe bereit zu stellen.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch die Mikropumpe gemäß Patentanspruch 12 gelöst.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass durch die Verwendung von zwei Funktionsschichten und durch die Verwendung von zwei Stopschichten, die zudem als Opferschichten dienen können, eine hohe Flexibilität bei der Herstellung von unterschiedlich strukturierten Funktionsschichten besteht.
  • Vorzugsweise wird die zweite Funktionsschicht entsprechend einer Ätzmaske bis zur zweiten Stopschicht abgetragen und anschließend wird die erste Funktionsschicht entsprechend der Struktur der zweiten Stopschicht, die als zweite Ätzmaske dient, bis zur ersten Stopschicht abgetragen. Auf diese Weise ist eine einfache und präzise Strukturierung der ersten und der zweiten Funktionsschicht möglich.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird die Grundplatte von der Unterseite her bis zur ersten Stopschicht strukturiert und die erste Stopschicht als Opferschicht in einem Ätzvorgang in vorgegebenen Bereichen entfernt, wobei sich die vorgebenden Bereiche zwischen die erste Funktionsschicht und die Grundplatte erstrecken. Auf diese Weise ist eine Freilegung der ersten Funktionsschicht von der Unterseite her möglich.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird eine seitliche Ätzung der ersten Stopschicht durch die erste Funktionsschicht begrenzt, die angrenzend an die festgelegten Bereiche der ersten Stopschicht direkt auf der Grundplatte aufgebracht ist. Damit werden die Bereiche, die durch die Abätzung der als Opferschicht verwendeten ersten Stopschicht entstehen, präzise festgelegt.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird die erste Stopschicht in festgelegten Bereichen über Öffnungen der ersten Funktionsschicht als Opferschicht abgeätzt. Auch auf diese Weise ist eine Freilegung der Unterseite der ersten Funktionsschicht möglich.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird die erste Stopschicht vor dem Strukturieren der ersten Funktionsschicht über Öffnungen der Grundplatte abgeätzt. Anschließend wird die erste Funktionsschicht von der Oberseite, d. h. von der Seite der zweiten Stopschicht her strukturiert. In bestimmten Anwendungsbereichen kann diese Vorgehensweise Vorteile gegenüber dem oben beschriebenen Verfahren bieten.
  • Zum Verschließen der strukturierten Bereiche wird vorzugsweise mit einem anodischen Bondverfahren eine Deckplatte auf der Oberseite oder eine Bodenplatte auf der Grundplatte aufgebracht und umlaufend dicht mit dem Bauteil verbunden. Damit bewegliche Teile der zweiten Funktionsschicht oder bewegliche Teile der Grundplatte beim anodischen Bondverfahren nicht gebondet werden, werden auf der Oberseite der beweglichen Teile der zweiten Funktionsschicht, auf der Unterseite der beweglichen Teile der Grundplatte oder auf die entsprechenden Bereiche der Deck- oder der Bodenplatte Antibondschichten aufgebracht.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird als erste Stopschicht eine Schichtenfolge aus einer ersten unteren Siliciumoxidschicht, einer mittleren Polysiliciumschicht und aus einer oberen zweiten Siliciumoxidschicht verwendet. Die Verwendung dieser Schichtenfolge bietet den Vorteil, dass nach dem Öffnen der einhüllenden Siliciumoxidschicht an einer Stelle ein schnelles Ätzen großer Bereiche der Polysiliciumschicht, z.B. mit Xenondifluorid oder Chlortrifluorid, insbesondere im Vergleich zu Gasphasen-Fluorwasserstoffätzverfahren möglich ist. Somit wird die Prozessdauer zum Ätzen der ersten Stopschicht deutlich reduziert.
  • Mit dem beschriebenen Verfahren lassen sich z.B. Bauteile für fluidische Anwendungen vorzugsweise eine Mikropumpe herstellen.
  • Durch das erfindungsgemäße Verfahren nach Anspruch 1 ist es möglich, Polysiliciumschichten als Funktionsschichten für eine Mikropumpe mit definierten Dicken herzustellen. Dazu wird jeweils eine Stopschicht verwendet, die unter der Polysiliciumschicht aufgebracht ist. Auf der ersten Polysiliciumschicht ist eine zweite Stopschicht und eine zweite Polysiliciumschicht aufgebracht.
  • In einem weiteren bevorzugten Verfahren wird die erste Stopschicht vor Aufbringen der ersten Funktionsschicht im Bereich des Einlassventils, des Auslassventils und im Bereich der Pumpkammer entfernt. Damit wird die Geometrie der Polysiliciumschicht definiert eingestellt. Somit wird beispielsweise eine gezielte und reproduzierbare Einstellung der Federsteifigkeit der Polysiliciumschicht in den Bereichen des Einlassventils, des Auslassventils und im Bereich der Pumpkammer ermöglicht.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
    • Figur 1 einen Querschnitt durch eine Mikropumpe;
    • Figuren 2A-H wesentliche Verfahrensschritte zur Herstellung der Mikropumpe und
    • Figuren 3A-D wesentliche Prozessschritte eines weiteren Verfahrens zur Herstellung einer Mikropumpe.
  • Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Mikropumpe 1, die im wesentlichen aus einer Grundplatte 2, einer Funktionsschicht 3 , einer Deckplatte 4 und einer Bodenplatte 5 aufgebaut ist. Zwischen der Funktionsschicht 3, die als Polysiliciumschicht ausgebildet ist, und der Grundplatte 2 ist eine erste Stopschicht 17 in Randbereichen angeordnet. Die Grundplatte 2 ist beispielsweise aus einer strukturierten Siliciumschicht hergestellt, auf der die Funktionsschicht 3 auf der strukturierten Stopschicht 17 aufgebracht ist. Auf der Funktionsschicht 3 ist eine zweite Funktionsschicht 19 aufgebracht (Figur 2G), auf der die Deckplatte 4 aufgebracht ist. Die Grundplatte 2 ist auf der Unterseite von der Bodenplatte 5 bedeckt. Die Mikropumpe 1 weist ein Einlassventil 6 auf, über das ein Fluid von einem Zulaufkanal 7, der in der Grundplatte 2 und in der Bodenplatte 5 eingebracht ist, in eine Pumpkammer 8 strömen kann. Die Pumpkammer 8 ist zwischen einer Pumpmembran 9 und der Deckplatte 4 ausgebildet. Weiterhin ist ein Auslassventil 10 vorgesehen, das mit der Pumpkammer 8 in Verbindung steht. Das Auslassventil 10 verbindet die Pumpkammer 8 mit einem Ablaufkanal 11, der in die Grundplatte 2 und in die Bodenplatte 5 eingebracht ist. Das Einlassventil 6 weist ein erstes Schließglied 12 auf, das in Form eines flexiblen Steges ausgebildet ist und als Teil der Funktionsschicht 3 ausgebildet ist. Das erste Schließglied 12 ist oberhalb einer Zulauföffnung des Zulaufkanals 7 angeordnet, über die der Zulaufkanal 7 in die Pumpkammer 8 mündet. Die Fläche des ersten Schließglieds 12 ist so bemessen, dass die Zulauföffnung des Zulaufkanals 7 durch das erste Schließglied 12 vollständig überdeckt ist. Als Dichtsitz für das erste Schließglied 12 dient eine z.B. kreisförmige Randfläche der Grundplatte 2, die die Zulauföffnung des Zulaufkanals 7 umgibt.
  • Das Auslassventil 10 weist ein zweites Schließglied 13 auf, das ebenfalls als Teil der Funktionsschicht 3 ausgebildet ist und eine Hülsenform mit einer Ablauföffnung 24 darstellt. Die Höhe der Hülse entspricht der Höhe der Funktionsschicht 3 im Randbereich, so dass die Oberseite der Hülse an einer an der Unterseite der Deckplatte 4 angeordneten Ringdichtfläche anliegt. Die Ablauföffnung 24 geht in eine Ablaufkammer 14 über, die in der Grundplatte 2 eingebracht ist und einen Teil des Ablaufkanals 11 darstellt. Die Ablaufkammer 14 kann einen größeren Querschnitt aufweisen, als der Teil des Ablaufkanals 11, der in der Bodenplatte 5 eingebracht ist.
  • Unterhalb der Pumpkammer 8 ist in der Grundplatte 2 ein Aktorraum 15 ausgebildet, in dem ein Kolben 16 angeordnet ist. Der Kolben 16 ist über die erste Stopschicht 17 mit der Pumpmembran 9 verbunden. Unterhalb des Kolbens 16 weist die Bodenplatte 5 eine Öffnung 25 auf, über die ein Stellglied zur Anlage an den Kolben 16 bringbar ist.
  • Die Mikropumpe funktioniert folgendermaßen: Im Ausgangszustand ist das Einlassventil 6 geöffnet und das Auslassventil 10 geschlossen. Somit kann Fluid in die Pumpkammer eindringen. Zum Pumpen eines Fluids vom Zulaufkanal 7 zum Ablaufkanal 11 wird der Kolben 16 nach oben und nach unten bewegt. Dabei wird die Pumpmembran 9 ebenfalls nach oben und nach unten bewegt. Durch die Bewegung der Pumpmembran 9 wird das Volumen der Pumpkammer 8 periodisch verkleinert und vergrößert. Bei einer Verkleinerung der Pumpkammer wird Überdruck in der Pumpkammer 8 erzeugt, so dass das Auslassventil 10 öffnet und Fluid von der Pumpkammer 8 in die Ablaufkammer 14 ablässt, sowie das Einlassventil 6 schließt und ein Nachströmen von Fluid verhindert. Somit wird eine definierte Fluidmenge pro Pumpstoß befördert. Wird nun anschließend der Kolben 16 zurückgezogen, so wird das Volumen der Pumpkammer 8 erhöht und ein entsprechender Unterdruck in der Pumpkammer 8 erzeugt. Durch den Unterdruck öffnet das Einlassventil 6 und Fluid wird über den Zulaufkanal 7 in die Pumpkammer 8 gesaugt. Gleichzeitig schließt das Auslassventil wieder. Bei Unterdruck liegt das zweite Schließglied 13 des Auslassventils 10 dichtend an der Unterseite der Deckplatte 4 an, so dass kein Fluid über das Auslassventil 10 in die Pumpkammer fließen kann. Somit wird ein Zurücklaufen von Fluid aus dem Ablaufraum 14 in die Pumpkammer 8 vermieden.
  • Anhand der Figuren 2A-H wird ein erstes Herstellungsverfahren anhand von wesentlichen Prozessschritten erläutert. In Figur 2A ist eine Grundplatte 2 in Form eines Siliciumwafers dargestellt. Auf der Oberseite der Grundplatte 2 ist die erste Stopschicht 17 aufgebracht und strukturiert worden. Die erste Stopschicht 17 dient auch als Opferschicht. Die erste Stopschicht 17 ist in einzelne unabhängige Flächenbereiche eingeteilt. Dadurch wird bei einem späteren Entfernen eines Flächenbereichs der Stopschicht 17 automatisch ein seitlicher Ätzstop durch die Funktionsschicht 3 erreicht, die die Flächenbereiche der ersten Stopschicht 17 seitlich und nach oben begrenzt. Die erste Stopschicht 17 wird beispielsweise aus Siliciumoxid hergestellt. Auf die erste Stopschicht 17 und auf Anlageflächen 35 der Grundplatte 2 ist die Funktionsschicht 3 aufgebracht, die vorzugsweise aus Polysilicium besteht, das vorzugsweise bei einem epitaktischen Abscheideverfahren als epitaktische Polysiliciumschicht mit einer EPI-Startschicht 30 hergestellt wurde. Durch die Dicke der abgeschiedenen Polysiliciumschicht und durch das anschließende Polierverfahren wird die Dicke der Funktionsschicht 3 präzise festgelegt.
  • Anschließend wird auf die Funktionsschicht 3 eine zweite Stopschicht 18 aufgebracht und mit einer zweiten Struktur strukturiert. Die zweite Stopschicht 18 ist vorzugsweise ebenfalls aus Siliciumoxid hergestellt. Auf die zweite Funktionsstopschicht 18 und auf Anlageflächen 36 der Funktions-schicht 3 wird eine zweite Funktionsschicht 19 aufgebracht. Die zweite Schicht 19 ist vorzugsweise aus Polysilicium hergestellt und in einem epitaktischen Abscheideverfahren als epitaktische Polysiliciumschicht mit einer zweiten EPI-Startschicht 31 aufgebracht worden. Anstelle von Polysilicium können auch andere mikromechanisch bearbeitbare Materialien verwendet werden, die mit der ersten Funktionsschicht 3 zusammen wachsen.
  • Auf die Oberfläche der zweiten Funktionsschicht 19 wird eine Ätzmaske 20 aufgebracht, die vorzugsweise aus Photolack besteht. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 2B dargestellt.
  • Daraufhin wird die zweite Funktionsschicht 19 gemäß der Ätzmaske 20 mit einem anisotropen Ätzverfahren bis zur zweiten Stopschicht 18 abgeätzt. Zudem wird die zweite Funktionsschicht 19 in den Bereichen, in denen keine zweite Stopschicht 18 ausgebildet ist, bis zur Funktionsschicht 3 und die Funktionsschicht 3 bis zur ersten Stopschicht 17 abgeätzt. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 2C dargestellt. Auf diese Weise kann ein Bauteil mit Hohlräumen 38 für fluidische Anwendungen hergestellt werden. Zur Abdeckung der Hohlräume 38 kann die Ätzmaske 20 entfernt und die Funktionsschicht oder die Grundplatte beispielsweise mit einer Glasplatte abgedeckt werden.
  • Nach dem Entfernen der Ätzmaske 20 wird die erste Stopschicht 17 in einer Weiterbildung des Verfahrens über Öffnungen der ersten Funktionsschicht 3 in festgelegten Bereichen unterätzt. Somit können Hohlräume 32 zwischen der Grundplatte 2 und der ersten Funktionsschicht 3 hergestellt werden. Zudem kann auf diese Weise die erste Funktionsschicht 3 in festgelegten Bereichen von der Grundplatte 2 gelöst und als bewegliche Teile beispielsweise als Ventilmembran ausgebildet werden. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 2D dargestellt. Figur 2E zeigt das nach dem beschriebenen Verfahren strukturierte Bauelement, das mit einer Deckplatte 4 nach einem anodischen Bondverfahren von der Oberseite her abgedichtet wurde.
  • Vorzugsweise kann ausgehend von dem Verfahrensstand der Figur 2C auch zuerst die Grundplatte 2 von der Unterseite her strukturiert werden, wobei zweite Öffnungen 33 in die Grundplatte 2 eingebracht werden, die an die erste Stopschicht 17 angrenzen. Anschließend wird die erste Stopschicht 17 in festgelegten Bereichen abgeätzt. Daraufhin wird die erste Funktionsschicht 3 von oben strukturiert und die Grundplatte 2 in den Bereichen, in denen die erste Stopschicht 17 abgetragen wurde, als Ätzstopschicht verwendet. Das Ergebnis entspricht Figur 2F, wobei von oben über Strukturöffnungen 37 der Funktionsschicht 3 evtl. in die Grundplatte 2 eingeätzt wurde.
  • Zur Ausbildung einer Mikropumpe wird die Grundplatte 2 über ein anisotropes Ätzverfahren mit einer entsprechenden Ätzmaske von der Unterseite in der Weise strukturiert, dass ein Zulaufkanal 7, ein ringförmiger Aktorraum 15 und die Ablaufkammer 14 in die Grundplatte 2 eingebracht wird. Der Zulaufkanal 7, der Aktorraum 15 und die Ablaufkammer 14 grenzen an getrennte Flächenbereiche der Stopschicht 17. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 2G dargestellt.
  • In dem oben beschriebenen Verfahrensschritt werden von der Unterseite her über den Zulaufkanal 7, den Aktorraum 15 und die Ablaufkammer 14 die damit zugänglichen Flächenbereiche der ersten Stopschicht 17 über einen selektiven Ätzvorgang entfernt. Durch die seitliche Begrenzung der Flächenbereiche wird auch die seitliche Unterätzung begrenzt, da die Funktionsschicht 3 als Stopschicht funktioniert.
  • Die Strukturierung der Grundplatte 2, der ersten Funktionsschicht 3 und der aus Silicium aufgebauten zweiten Funktionsschicht 19 ist mit einem Siliciumätzprozess möglich, bei dem die aus Siliciumoxid bestehenden Stopschichten 17, 18 als Ätzstop verwendet werden. Anschließend werden die erste und zweite Stopschicht 17, 18 in den gewünschten Bereichen mit selektiven Ätzverfahren entfernt. Dabei wird die zweite Stopschicht 18 auf den offengelegten Bereichen, sowie an den Randbereichen entfernt. Die erste Stopschicht 17 wird in den Flächenbereichen angrenzend an den Zulaufkanal 7, den Aktorraum 15 und angrenzend an die Ablaufkammer 14 entfernt. Bei diesem Verfahrensschritt werden zudem etwaige prozessbedingte Reste von Silicium von der Pumpmembran entfernt. Zwischen dem Kolben 16 und der Pumpmembran 9 bleibt die erste Stopschicht aufgrund der lateralen Ätzstops erhalten. Somit ist es nicht erforderlich, den Ätzprozess nach einer Ätzzeit zu steuern. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 2H dargestellt.
  • Aus Figur 2H ist zu erkennen, dass die Funktionsschicht 3 in bestimmten Bereichen, wie beispielsweise im Bereich des ersten und des zweiten Schließglieds 12, 13 und im Bereich über dem Aktorraum 15 eine geringere Dicke als in anderen Bereichen aufweist. Zudem ist durch das beschriebene Verfahren das zweite Schließglied 13 in Form einer Hülse ausgebildet. An den äußeren Randbereichen ist zwischen der Grundplatte 2 und der Funktionsschicht 3 die Stopschicht 17 und zwischen der Funktionsschicht 3 und der zweiten Schicht 19 die zweite Stopschicht 18 angeordnet. Die abgeätzten Flächenbereiche der ersten Stopschicht 17 erstrecken sich seitlich über die Öffnungen 7, 15, 14 der Grundplatte 2 hinaus in Unterätzräume 26. Die Unterätzräume 26 sind von der Polysiliciumschicht 3 seitlich und nach oben begrenzt. Damit ist die seitliche Unterätzung durch die Flächen der ersten Stopschicht 17 präzise festgelegt.
  • Ausgehend von dem Verfahrensstand von Figur 2H wird anschließend die Bodenplatte 5 und die Deckplatte 4 mit der Grundplatte 2 bzw. mit der zweiten Funktionsschicht 19 dichtend verbunden. Dabei wird vorzugsweise als Material für die Bodenplatte 5 und die Deckplatte 4 Glas verwendet, das über ein anodisches Bondverfahren mit der Grundplatte 2 bzw. mit der zweiten Schicht 19 verbunden wird. Auf die Deckplatte 4 und die Bodenplatte 5 wird vor dem Bondverfahren im vorgegebenen Bereich eine Antibondschicht 34 abgeschieden, die eine Verbindung zwischen der zweiten Funktionsschicht 19 und der Deckplatte 4 bzw. zwischen der Grundplatte 2 und der Bodenplatte 5 verhindert. Die Bereiche werden über dem zweiten Schließglied 13 und unter dem Kolben 16 angeordnet. Damit werden das zweite Schließglied 13 und der Kolben 16 nicht anodisch gebondet und sind somit zum Öffnen und Schließen des Auslassventils bzw. zum Pumpen beweglich.
  • In Figuren 3A-D ist ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Bauteils für fluidische Anwendungen, insbesondere für eine Mikropumpe, in wesentlichen Verfahrensschritten dargestellt, bei dem als Stopschicht 17 eine Schichtenfolge bestehend aus einer unteren Siliciumoxidschicht 21, einer mittleren Polysiliciumschicht 22 und einer oberen Siliciumoxidschicht 23 aufgebaut ist, die die mittlere Polysiliciumschicht 22 vollständig bedeckt. Die Schichtstruktur der Figur 3A weist die gleiche Form wie die erste Stopschicht 17 der Figur 2A auf. Die untere Siliciumoxidschicht 21, die mittlere Polysiliciumschicht 22 und die obere Siliciumoxidschicht 23 werden mit entsprechenden Abscheideverfahren und Strukturierungsverfahren auf der Grundplatte 2 aufgebracht. Anschließend wird die Funktionsschicht 3, die vorzugsweise aus epitaktisch aufgebrachtem Polysilicium besteht, auf die Schichtstruktur und die freien Flächen der Grundplatte 2 aufgebracht. Anschließend werden die zweite Stopschicht 18 und die zweite Schicht 19 und die Ätzmaske 20 gemäß dem vorherigen Verfahren aufgebracht und in entsprechenden Ätzvorgängen sowohl die Grundplatte 2 von der Unterseite her als auch die zweite Schicht 19 und die Funktionsschicht 3 strukturiert. Daraufhin werden die durch den Zulaufkanal 7, den ringförmigen Aktorraum 15 und die Ablaufkammer 14 freigelegten Flächen der unteren Siliciumschicht 21, sowie die senkrechten Wände der Grundplatte 2 und die freien Flächen der Funktionsschichten mit Siliciumoxid bedeckt und die freigelegten Flächen der unteren Siliciumoxidschicht 21 mit einem anisotropen Ätzverfahren geöffnet.
  • Anschließend wird die mittlere Polysiliciumschicht 22 mit einem isotropen Ätzverfahren in den freigelegten Bereichen, d.h. oberhalb des Zulaufkanals 7, oberhalb des Aktorraums 15 und oberhalb des Ablaufraums 14 entfernt. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 3B dargestellt.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt werden die oberen Siliciumoxidschichten 23 in den Bereichen des Einlassventils 6, des Auslassventils 10 und über dem Aktorraum 15 über ein Fluorwasserstoff-Gas-Phasen-Ätzverfahren entfernt. Alternativ kann auch ein nasschemisches Verfahren in Kombination mit einem speziellen Trocknungsverfahren (z.B. superkritisches Trocknen in CO2) verwendet werden.
  • Dieser Verfahrensstand ist in Figur 3C dargestellt. Anschließend wird auf die zweite Schicht 19, die Deckplatte 4 und auf die Unterseite der Grundplatte 2 die Bodenplatte 5 aufgebracht. Dabei werden, wie bereits oben beschrieben, die Deckplatte 4 und die Bodenplatte 5, die aus Glas bestehen, über ein anodisches Bondverfahren dichtend mit der Grundplatte 2 bzw. mit Außenbereichen der zweiten Schicht 19 verbunden.
  • Damit beim anodischen Bondverfahren die Deckplatte 4 und die Bodenplatte 5 nicht mit beweglichen Teilen der ersten und/oder zweiten Funktionsschicht 3, 19 oder der Grundplatte 2 verkleben, wird zwischen die Deckplatte 4 und beweglichen Teilen der ersten und zweiten Funktionsschicht 3, 19 eine Antibondschicht 34 aufgebracht. Die Antibondschicht 34 hat im Bereich des Auslassventils 10 zudem den Vorteil, dass das Auslassventil 10 gegen die Deckplatte 4 vorgespannt ist.
  • Ebenso wird zwischen dem Kolben 16, der Grundplatte 2 und der Bodenplatte 5 eine Antibondschicht 34 eingebracht. Damit wird sichergestellt, dass der Kolben 16 zur Betätigung der Pumpmembran beweglich bleibt. Die Antibondschicht 34 ist beispielsweise als Nitridschicht ausgebildet. Dieser Verfahrensstand ist in Figur 3D dargestellt. Je nach Ausführungsform kann die Antibondschicht 34 auch auf der Deckplatte 2 oder auf der Bodenplatte 5 aufgebracht werden.
  • Die mittlere Polysiliciumschicht 22 wird vorzugsweise durch ein Xenon-Difluorid (XeF2) oder ein Chlor-Trifluorid(ClF3)-Ätzverfahren entfernt. Das in den Figuren 3A-D schematisch dargestellte weitere Verfahren bietet den Vorteil, dass große Unterätzweiten in Polysilicium mit den beschriebenen Ätzverfahren schnell realisiert werden können. Weiterhin besteht nicht die Gefahr, dass das erste Schließglied 12 des Einlassventils mit der Funktionsschicht 3 verklebt. Durch die Abtragung der oberen Siliciumschicht 23 mit Hilfe von gasförmigem Fluorwasserstoff wird ebenfalls ein Verkleben vermieden und zudem eine seitliche Unterätzung zwischen der Grundplatte 2 und der Funktionsschicht 3 vermieden.

Claims (11)

  1. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils vorzugsweise für fluidische Anwendungen mit Hohlräumen, wobei das Bauteil aus zwei Funktionsschichten (3,19) aufgebaut wird, wobei die zwei Funktionsschichten (3,19) mit mikromechanischen Verfahren unterschiedlich strukturiert werden,
    dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Grundplatte (2) eine erste, Siliziumoxid umfassende Stopschicht (17) mit einer ersten Struktur aufgebracht wird, dass auf die erste Stopschicht (17) und auf erste Anlageflächen (35) der Grundplatte (2) eine erste Funktionsschicht (3) aus Polysilizium aufgebracht wird, dass auf die erste Funktionsschicht (3) eine zweite, Siliziumoxid umfassende Stopschicht (18) mit einer zweiten Struktur aufgebracht wird, dass auf die zweite Stopschicht (18) und auf zweite Anlageflächen (36) der ersten Funktionsschicht (3) eine zweite Funktionsschicht (19) aufgebracht wird, dass auf die zweite Funktionsschicht (19) eine Ätzmaske (20) aufgebracht wird, dass die zweite und die erste Funktionsschicht (19,3) durch Verwendung der ersten und der zweiten Stopschicht (17,18) durch Ätzverfahren und/oder durch Verwendung der ersten und zweiten Stopschicht (17,18) als Opferschichten strukturiert werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Funktionsschicht (19) entsprechend der Ätzmaske (20) bis zur zweiten Stopschicht (18) abgetragen wird, dass die erste Funktionsschicht (3) entsprechend der Struktur der zweiten Stopschicht (18), die als zweite Ätzmaske dient, bis zur ersten Stopschicht (17) abgetragen wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte (2) von der Unterseite her strukturiert wird, und dass die erste Stopschicht (17) als Opferschicht in einem Ätzvorgang in vorgegebenen Bereichen entfernt wird, dass die vorgegebenen Bereiche sich zwischen die erste Funktionsschicht (3) und die Grundplatte (2) erstrecken.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine seitliche Begrenzung der Unterätzung der ersten Stopschicht (17) durch die erste Funktionsschicht (3) erreicht wird, die angrenzend an die festgelegten Bereiche, in den ersten Anlageflächen (35) auf der Grundplatte (2) angeordnet ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Stopschicht (17) über Öffnungen der ersten Funktionsschicht (3) als Opferschicht in festgelegten Bereichen entfernt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Stopschicht (17) vor dem Strukturieren der ersten Funktionsschicht (3) über Öffnungen (33) der Grundplatte (2) abgeätzt wird, und dass erst anschließend die erste Funktionsschicht (3) von der Seite der zweiten Stopschicht (18) strukturiert wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass auf bewegliche Teile der zweiten Funktionsschicht (19) oder auf die entsprechenden Bereiche einer Deckplatte (4) eine Antibondschicht (34) aufgebracht wird, und dass die Deckplatte (4) mit einem anodischen Bondverfahren mit der Oberseite der zweiten Funktionsschicht (19) dicht verbunden wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Unterseite von beweglichen Teilen der Grundplatte (2), die einer Bodenplatte (5) zugewandt sind, oder auf die entsprechenden Bereiche der Bodenplatte (5) eine Antibondschicht (34) aufgebracht wird, und dass die Bodenplatte (5) mit einem anodischen Bondverfahren mit der Grundplatte (2) dicht verbunden wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass als erste Stopschicht (17) eine Schichtenfolge aus einer unteren ersten Siliciumoxidschicht (21), einer mittleren Polysiliciumschicht (22) und aus einer oberen zweiten Siliciumoxidschicht (23) aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mikropumpe (1) hergestellt wird, dass nach dem Strukturierungsprozess der ersten und der zweiten Funktionsschicht (3,19) die erste Stopschicht (17) im Bereich des Einlassventils (6), des Auslassventils (10) und im Bereich der Pumpkammer (8) entfernt wird, so dass bewegliche Teile aus der ersten Funktionsschicht (3) herausgebildet werden.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte (2) von der Unterseite her für die Ausbildung eines Zulaufkanals (7) für das Einlassventil (6), für die Ausbildung eines Ablaufkanals (11) für ein Auslassventil (10) und für die Ausbildung einer Pumpkammer (8) strukturiert wird.
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