EP1234329A1 - Verfahren zur herstellung eines bipolartransistors und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungsanordnung mit einem solchen bipolartransistor - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines bipolartransistors und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungsanordnung mit einem solchen bipolartransistor

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Publication number
EP1234329A1
EP1234329A1 EP00985129A EP00985129A EP1234329A1 EP 1234329 A1 EP1234329 A1 EP 1234329A1 EP 00985129 A EP00985129 A EP 00985129A EP 00985129 A EP00985129 A EP 00985129A EP 1234329 A1 EP1234329 A1 EP 1234329A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
collector
contact
produced
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP00985129A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Josef Boeck
Wolfgang Klein
Herbert Schaefer
Martin Franosch
Reinhard Stengl
Thomas Meister
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of EP1234329A1 publication Critical patent/EP1234329A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
    • H10D10/051—Manufacture or treatment of vertical BJTs
    • H10D10/054—Forming extrinsic base regions on silicon substrate after insulating device isolation in vertical BJTs having single crystalline emitter, collector or base regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
    • H10D10/021—Manufacture or treatment of heterojunction BJTs [HBT]

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a bipolar transistor.
  • a highly n-doped terminal region of a collector is produced on a p-doped silicon substrate. Over the termination region of the collector, the low n-doped collector made of silicon is applied.
  • an insulating structure is created consisting of trenches filled with insulating material and highly p-doped channel stop regions arranged underneath. The insulating structure surrounds the bipolar transistor to be generated laterally within the substrate.
  • a first Sic> 2 layer, above a polysilicon layer, above a second SiO 2 layer and above a layer of silicon nitride are produced.
  • a first depression which extends to the first insulating layer
  • a second depression which extends to the connection region of the collector
  • silicon nitride is deposited and etched back so that side surfaces of the first recess and the second recess remain covered by the auxiliary layer and bottoms of the recesses are exposed.
  • Si ⁇ _> 2 is etched isotropically, so that a part of the first SiO 2 ⁇
  • a third SiC> 2 layer and a second polysilicon layer are deposited.
  • the second polysilicon layer is etched back anisotropically selectively to the third SiO 2 layer, so that spacers are formed.
  • Exposed parts of the third Sic ⁇ layer are selectively removed by isotropic etching to the spacers.
  • a third polysilicon layer is deposited and etched back, so that in the first recess an emitter and in the second recess a contact to the collector are generated.
  • a third depression is created, which extends to the first layer of polysilicon.
  • conductive material is deposited and planarized, so that in the first recess a contact with the emitter, in the second well another contact with the collector and in the third well a contact to the base are generated.
  • the invention has for its object to provide a method for producing a bipolar transistor, wherein the base resistance is less than the external emitter resistor is. Furthermore, a method for producing an integrated circuit arrangement with at least one such bipolar transistor is to be specified.
  • the object is achieved by a method for producing a bipolar transistor in which a collector doped by a first conductivity type is produced in a substrate made of semiconductor material. On the substrate, a first insulating layer is formed covering the collector. On the first insulating layer, a layer of polysilicon doped with a second conductivity type opposite to the first conductivity type is produced. On the layer of polysilicon, a second insulating layer is produced. A first recess is formed which cuts through the second insulating layer and the layer of polysilicon and is disposed over the collector. After the formation of the first recess, a first auxiliary layer and above it a second auxiliary layer are produced which are so thin that they do not fill up the first recess.
  • the second auxiliary layer is anisotropically etched until the first auxiliary layer is exposed.
  • the first auxiliary layer is selectively isotropically etched to the second auxiliary layer until a portion of the first insulating layer is exposed.
  • a portion of the first insulating layer is selectively removed by isotropic etching to the first auxiliary layer so that portions of the layer of polysilicon and portions of the collector are exposed.
  • By selective epitaxial growth of second conductivity type in situ doped silicon the removed portion of the first insulating layer is replaced by a base. After creating the base, a third auxiliary layer is created. On the third auxiliary layer, spacers are produced in the first recess by deposition and re-etching of material.
  • the third auxiliary layer is selectively isotropically etched to the pacers.
  • the base is then exposed.
  • Polysilicon doped with the first conductivity type and above this a separating layer are deposited and jointly structured in such a way that an emitter covered by the separating layer is produced, partially disposed in the first recess, adjacent to the base, and partially overlapping the second insulating layer.
  • the second insulating layer is anisotropically etched selectively to the release layer until the layer of polysilicon is exposed.
  • a silicide layer is produced on the layer of polysilicon but not on the release layer.
  • a contact of the base is generated.
  • the release layer is at least partially removed after the formation of the silicide layer, and contact of the emitter is made on the emitter.
  • the base adjoins the layer of polysilicon. Between the layer of polysilicon and the contact with the base, the silicide layer is arranged. Consequently, the base resistance is smaller compared to a bipolar transistor without silicide layer.
  • the layer of polysilicon is undercut by the isotropic etching of the first insulating layer.
  • the undercut contributes to the overlap between the base and the collector. Since the undercut can be accurately controlled, the overlap can be small, so that a capacitance formed by the base and the collector can be very small.
  • a horizontal cross section of the emitter is larger than a horizontal cross section of the first recess, so that the emitter partially overlaps the second insulating layer.
  • a mask having a larger opening than the first recess is used. This is advantageous since a misalignment of the mask with respect to the first depression does not result in a horizontal surface of the emitter forming within the first depression. On such a horizontal surface, a silicide would form because it is not covered by the separation layer, so that the contact with the emitter would be adjacent to silicide, resulting in a lower external emitter resistance.
  • the structuring of the second auxiliary layer by anisotropic etching is less critical, since the ions used in addition to the first insulating layer would also have to pass through the first auxiliary layer in order to reach the substrate. In the case of anisotropic etching of the second auxiliary layer, consequently fewer defects are produced than in structuring the first auxiliary layer by anisotropic etching.
  • the analogous applies to the third auxiliary layer and to the spacers. In this case, the third auxiliary layer corresponds to the first auxiliary layer and the spacers to the second auxiliary layer.
  • the Generating the base uses a mask that covers the first contact of the collector.
  • a second contact hole which extends to the emitter and a third contact hole, which extends to the second contact of the collector, are generated.
  • the contact of the base is generated.
  • the contact of the emitter is generated.
  • the third contact the third contact of the collector is generated.
  • the substrate consists for example of silicon, germanium or SiGe.
  • an insulating structure is produced in the substrate which laterally surrounds the part of the bipolar transistor to be generated, which is arranged in the substrate. If the bipolar transistor is part of an integrated circuit arrangement, then the insulating structure isolates the bipolar transistor from other semiconductor components of the integrated circuit arrangement arranged in the substrate.
  • the insulating structure can be made of insulating trenches filled with insulating material or of an insulation which is produced by thermal oxidation, and of an insulation which is produced by thermal oxidation. lying and adjacent thereto diffusion area.
  • the diffusion region is doped by a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
  • parts of the bipolar transistor and parts of the further bipolar transistor are preferably generated simultaneously in order to reduce the process outlay.
  • a further part of the first insulating layer in the region of the further bipolar transistor is removed.
  • the removed further part of the first insulating layer is replaced by at least part of an emitter of the further bipolar transistor.
  • the bipolar transistor is an npn bipolar transistor and the further bipolar transistor is a pnp bipolar transistor.
  • the bipolar transistor is a pnp bipolar transistor and the further bipolar transistor is an npn bipolar transistor.
  • the base has a lower dopant concentration than the layer of polysilicon.
  • FIG. 1 shows a cross section through a first substrate after a terminal region of a collector, a collector, a first contact of the collector, an insulation, a further insulation, a diffusion region, a first insulating layer, a layer of polysilicon, a second insulating layer, a Protective layer, a layer of amorphous silicon and a first mask of photoresist were generated.
  • FIG. 2 shows the cross section from FIG. 1 after a first recess and a first part of a second recess have been produced.
  • FIG. 4 shows the cross section from FIG. 3 after a first auxiliary layer, a second auxiliary layer and a protective mask have been produced.
  • FIG. 6 shows the cross section from FIG. 5 after the first auxiliary layer and the protective layer have been removed and a third insulating layer, a third auxiliary layer and spacers have been produced.
  • FIG. 7 shows the cross section from FIG. 6 after the spacers and the third auxiliary layer have been removed and an emitter, a second contact of the collector and a separating layer have been produced.
  • FIG. 8 shows the cross-section from FIG. 7 after a silicide layer has been produced.
  • FIG. 9 shows the cross section from FIG. 8, after an intermediate oxide, a contact of the base, a contact of the
  • FIG. 10 shows a cross-section through a second substrate after terminal regions of collectors, collectors, a first contact to one of the collectors, a base, a well, a connection region to the well, an insulation, a further insulation, diffusion regions, a first insulating layer, a first mask, a second part of a second recess and further depressions were generated.
  • FIG. 12 shows the cross section from FIG. 11 after a first recess and a first part of the second recess have been produced.
  • An approximately 1500 nm thick n-doped terminal region A of a collector C adjoins a surface of the first substrate 1.
  • the dopant concentration of the terminal region A of the collector C is about 10 20 cm -3 .
  • the dopant concentration of the collector C is about 10 17 c ⁇ T 3 .
  • the diffusion region D is generated by implantation.
  • the diffusion region D is p-doped and has a dopant concentration of about 10 ⁇ 7 cm -3 .
  • a first contact Kl of the collector C is produced on the terminal region A of the collector C (see FIG. 1).
  • the first contact Kl of the collector C has a dopant concentration of about 10 ⁇ 0 cm -3 au f un ⁇ ⁇ s ⁇ between see the further insulation I 'and a part of the insulation I arranged.
  • a first insulating layer II is produced (see FIG. 1).
  • polysilicon P By depositing in situ p-doped polysilicon, an approximately 200 nm thick layer of polysilicon P is produced.
  • the dopant concentration of the layer of polysilicon P is about 10 21 cm -3 .
  • a second insulating layer 12 is produced.
  • a protective layer SS is generated.
  • a layer of amorphous silicon and silicon nitride ARC is produced (see FIG. 1).
  • photoresist is applied in a thickness of approximately 800 nm, exposed and patterned.
  • the layer of amorphous silicon and silicon nitride ARC prevents the formation of stray light during exposure.
  • etching is first carried out as far as the layer of polysilicon P which acts as an etch stop.
  • the first mask PI is removed.
  • polysilicon is etched selectively to SiO 2 and silicon nitride anisotropically, so that the layer of polysilicon P is severed and the first insulating layer II acts as an etch stop.
  • the layer of amorphous silicon and silicon nitride ARC is removed.
  • the first recess VI is disposed above the collector C.
  • the first part of the second depression V2 is arranged next to the first depression VI and above the first contact Kl of the collector C.
  • the first recess VI has a square horizontal cross section with a side length of about 400 nm.
  • the second recess V2 has a rectangular horizontal cross section whose side lengths are approximately 1300 nm and 400 nm.
  • the first recess VI and the second recess V2 have a distance of approximately 1.4 ⁇ m from each other.
  • a second part of the second depression V2 is created, which extends as far as the first contact K1 of the collector C (see FIG. 3).
  • the second part of the second depression V2 is arranged between the further insulation I 1 and the insulation I.
  • the second photoresist mask P2 is removed. Subsequently, by deposition of silicon nitride in a thickness of about 30 nm, a first auxiliary layer Hl is produced (see FIG. 4). In addition, SiO 2 is deposited in a thickness of approximately 80 nm to produce a second auxiliary layer H 2.
  • the second auxiliary layer H2 is anisotropically etched until the first auxiliary layer Hl is exposed.
  • the protective mask P3 covers the second depression V2 (see FIG. 4).
  • Parts of the first auxiliary layer H1 are removed by isotropic etching with, for example, phosphoric acid selectively to the second auxiliary layer H2.
  • the protective layer SS and the first insulating layer II are partially exposed (see FIG. 5).
  • Insulation I is arranged removed, so that the layer of polysilicon P is undercut and partially exposed.
  • the first auxiliary layer Hl and the protective layer SS protect the second insulating layer 12 and parts of the first insulating layer II, which are arranged in the region of the second recess V2. In isotropic etching, the second auxiliary layer H2 is also removed.
  • the removed part of the first insulating layer II is replaced by a p-doped base B (see FIG. 5).
  • the base B consists essentially of monocrystalline silicon and only in the vicinity L o o MN) P> P 1 ⁇ o C ⁇ o ⁇ o C ⁇

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

Der Bipolartransistor wird so erzeugt, dass ein Anschlussgebiet seiner Basis (B) mit einer Silizidschicht (SD) versehen wird, so dass ein Basiswiderstand des Bipolartransistors klein ist. Zwischen einem Emitter (E) und einem Kontakt (KE) des Emitters (E) und zwischen einem Anschlussgebiet (A) eines Kollektors (C) und einem Kontakt (K3) des Kollektors (C) wird keine Silizidschicht erzeugt. Die Basis (B) wird durch insitu dotierte Epitaxie in einem Bereich erzeugt, in dem eine erste isolierende Schicht (I1) durch isotropes Ätzen so entfernt wird, dass das auf der ersten isolierenden Schicht (I1) angeordnete Anschlussgebiet der Basis (B) unterätzt wird. Zur Vermeidung von Defekten eines Substrats (1), in dem der Bipolartransistor teilweise erzeugt wird, wird zum Strukturieren von Hilfsschichten (H1, H3) isotropes Ätzen verwendet, wobei selektiv zu darüber angeordneten Hilfsschichten (H2, SP) geätzt wird, die durch anisotropes Ätzen strukturiert werden.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit einem solchen Bipolartransistor.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors .
Ein solches Verfahren ist beispielsweise in EP 0 535 350 Bl offenbart. Auf einem p-dotierten Substrat aus Silizium wird ein hoch n-dotiertes Anschlußgebiet eines Kollektors erzeugt. Über dem Abschlußgebiet des Kollektors wird der niedrig n- dotierter Kollektor aus Silizium aufgebracht. In dem Substrat wird eine isolierende Struktur erzeugt, die aus mit Isolationsmaterial gefüllten Gräben und darunter angeordneten Chan- nel-Stop-Gebieten, die hoch p-dotiert sind, besteht. Die isolierende Struktur umgibt den zu erzeugenden Bipolartransistor seitlich innerhalb des Substrats. Auf dem Substrat werden ei- ne erste Sic>2-Schicht, darüber eine Polysiliziumschicht, darüber eine zweite Siθ2-Schicht und darüber eine Schicht aus Siliziumnitrid erzeugt. Anschließend werden durch maskiertes Ätzen eine erste Vertiefung, die bis zur ersten isolierenden Schicht reicht, und eine zweite Vertiefung, die bis zum An- schlußgebiet des Kollektors reicht, erzeugt. Zur Erzeugung einer Hilfsschicht wird Siliziumnitrid abgeschieden und rückgeätzt, so daß seitliche Flächen der ersten Vertiefung und der zweiten Vertiefung von der Hilfsschicht bedeckt bleiben und Böden der Vertiefungen freigelegt werden. Anschließend wird Si<_>2 isotrop geätzt, so daß ein Teil der ersten Siθ2~
Schicht entfernt wird. Dabei wird der Kollektor unter der ersten Vertiefung freigelegt. Durch selektive Epitaxie wird der entfernte Teil der ersten Siθ2-Schicht durch eine p-dotierte Basis ersetzt. Anschließend werden eine dritte SiC>2-Schicht und eine zweite Polysiliziumschicht abgeschieden. Die zweite Polysiliziumschicht wird anisotrop selektiv zur dritten Siθ2~ Schicht rückgeätzt, so daß Spacer entstehen. Anschließend werden freiliegende Teile der dritten Sic^-Schicht durch isotropes Ätzen selektiv zu den Spacern entfernt. Anschließend wird eine dritte Polysiliziumschicht abgeschieden und rückgeätzt, so daß in der ersten Vertiefung ein Emitter und in der zweiten Vertiefung ein Kontakt zum Kollektor erzeugt werden. Mit Hilfe von maskiertem Ätzen wird eine dritte Vertiefung erzeugt, die bis zur ersten Schicht aus Polysilizium reicht. Anschließend wird leitendes Material abgeschieden und planarisiert, so daß in der ersten Vertiefung ein Kontakt zum Emitter, in der zweiten Vertiefung ein weiterer Kontakt zum Kollektor und in der dritten Vertiefung ein Kontakt zur Basis erzeugt werden.
Der sogenannte Basiswiderstand, welcher der Widerstand zwi- sehen der Basis und einer Leitung ist, die über den Kontakt zur Basis mit der Basis verbunden ist, bestimmt neben der Transitfrequenz und der Basiskollektorkapazität wichtige Kenngrößen des Bipolartransistors wie seine maximale Oszillationsfrequenz, seinen Gain, seine minimale Rauschzahl, seine Gatterverzögerungszeiten, etc. Vorzugsweise ist der Basiswiderstand klein.
Widerstände, die sich zwischen dem Emitter und einer damit verbundenen Leitung ("externer Emitterwiderstand") sowie zwi- sehen dem Kollektor und einer damit verbundenen Leitung
("externer Kollektorwiderstand") bilden, werden in integrierten Schaltungsanordnungen gerne zur Realisierung von ohmschen Arbeitswiderständen verwendet. Diese Widerstände sollten also nicht zu klein sein.
Es ist bekannt, einen Grenzwiderstand zwischen Polysilizium und einem Metall dadurch zu verringern, daß das Polysilizium siliziert wird, d. h. mit einer Silizidschicht versehen wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors anzugeben, bei dem der Basiswiderstand geringer als der externe Emitterwiderstand ist. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit mindestens einem solchen Bipolartransistor angegeben werden.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors, bei dem in einem Substrat aus Halbleitermaterial ein von einem ersten Leitfähigkeitstyp dotierter Kollektor erzeugt wird. Auf dem Substrat wird eine erste isolierende Schicht erzeugt, die den Kollektor bedeckt. Auf der ersten isolierenden Schicht wird eine Schicht aus von einem zweiten, zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp dotiertem Polysilizium erzeugt. Auf der Schicht aus Polysilizium wird eine zweite isolierende Schicht erzeugt. Eine erste Vertiefung wird erzeugt, die die zweite isolierende Schicht und die Schicht aus Polysilizium durchtrennt und über dem Kollektor angeordnet ist. Nach Erzeugung der ersten Vertiefung werden eine erste Hilfsschicht und darüber eine zweite Hilfsschicht erzeugt, die so dünn sind, daß sie die erste Vertiefung nicht auffüllen. Die zweite Hilfs- schicht wird anisotrop geätzt, bis die erste Hilfsschicht freigelegt wird. Die erste Hilfsschicht wird selektiv zur zweiten Hilfsschicht isotrop geätzt, bis ein Teil der ersten isolierenden Schicht freigelegt wird. Ein Teil der ersten isolierenden Schicht wird durch isotropes Ätzen selektiv zur ersten Hilfsschicht entfernt, so daß Teile der Schicht aus Polysilizium und Teile des Kollektors freigelegt werden. Durch selektive Epitaxie von vom zweiten Leitfähigkeitstyp insitu dotiertem Silizium wird der entfernte Teil der ersten isolierenden Schicht durch eine Basis ersetzt. Nach Erzeugung der Basis wird eine dritte Hilfsschicht erzeugt. Auf der dritten Hilfsschicht werden durch Abscheiden und Rückätzen von Material Spacer in der ersten Vertiefung erzeugt. Die dritte Hilfsschicht wird selektiv zu den Ξpacern isotrop geätzt. Die Basis wird anschließend freigelegt. Es werden vom ersten Leitfähigkeitstyp dotiertes Polysilizium und darüber eine Trennschicht abgeschieden und gemeinsam so strukturiert, daß ein von der Trennschicht bedeckter Emitter erzeugt wird, der teilweise in der ersten Vertiefung angeordnet ist, an die Basis angrenzt, und teilweise die zweite isolierende Schicht überlappt. Die zweite isolierende Schicht wird selektiv zur Trennschicht anisotrop geätzt, bis die Schicht aus Polysili- zium freigelegt wird. Auf der Schicht aus Polysilizium aber nicht auf der Trennschicht wird eine Silizidschicht erzeugt. Auf der Silizidschicht wird ein Kontakt der Basis erzeugt. Die Trennschicht wird nach der Erzeugung der Silizidschicht mindestens teilweise entfernt, und es wird ein Kontakt des Emitters auf dem Emitter erzeugt.
Ferner wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Erzeugung einer integrierten Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 10.
Die Basis grenzt an die Schicht aus Polysilizium an. Zwischen der Schicht aus Polysilizium und dem Kontakt zur Basis ist die Silizidschicht angeordnet. Folglich ist der Basiswiderstand im Vergleich zu einem Bipolartransistor ohne Silizid- schicht kleiner.
Durch das isotrope Ätzen der ersten isolierenden Schicht wird die Schicht aus Polysilizium unterätzt. Die Unterätzung trägt zum Überlapp zwischen der Basis und dem Kollektor bei. Da die Unterätzung genau gesteuert werden kann, kann der Überlapp klein sein, so daß eine durch die Basis und den Kollektor gebildete Kapazität sehr klein sein kann.
Aufgrund der Trennschicht bildet sich an horizontalen Flächen des Emitters kein Silizid. Da der Kontakt zum Emitter auf dem Emitter, d. h. auf einer horizontalen Fläche des Emitters, erzeugt wird, ist zwischen dem Kontakt zum Emitter und dem Emitter kein Silizid angeordnet. Der Widerstand, der durch den Emitter und durch den Kontakt zum Emitter gebildet wird und mindestens einen Teil des externen Emitterwiderstands bildet, ist folglich größer als der Basiswiderstand. An seitlichen, freiliegenden Teilen des Emitters kann sich ein Silizid bilden. Dies stellt jedoch keinen Nachteil dar, da der Kontakt zum Emitter nicht an die seitlichen Teile des Emitters angrenzt.
Ein horizontaler Querschnitt des Emitters ist größer als ein horizontaler Querschnitt der ersten Vertiefung, so daß der Emitter teilweise die zweite isolierende Schicht überlappt. Zur Erzeugung des Emitters durch Strukturieren des Polysili- ziu s und der Trennschicht wird folglich eine Maske mit einer größeren Öffnung als die erste Vertiefung verwendet. Dies ist vorteilhaft, da eine Dejustierung der Maske bezüglich der ersten Vertiefung nicht zur Folge hat, daß sich innerhalb der ersten Vertiefung eine horizontale Fläche des Emitters bil- det. Auf einer solchen horizontalen Fläche würde sich ein Silizid bilden, da sie nicht von der Trennschicht bedeckt ist, so daß der Kontakt zum Emitter an Silizid angrenzen würde, was einen niedrigeren externen Emitterwiderstand zur Folge hätte.
Die zweite Hilfsschicht dient dazu, die Strukturierung der ersten Hilfsschicht durch isotropes Ätzen zu ermöglichen. Das isotrope Ätzen ist gegenüber anisotropem Ätzen vorteilhaft, da die erste Hilfsschicht nicht mit Ionen beschossen wird, die durch die erste isolierende Schicht in das Substrat gelangen könnten und dort Defekte hervorrufen könnten.
Die Strukturierung der zweiten Hilfsschicht durch anisotropes Ätzen ist weniger kritisch, da die dabei verwendeten Ionen zusätzlich zur ersten isolierenden Schicht auch durch die erste Hilfsschicht durch müßten, um zum Substrat zu gelangen. Beim anisotropen Ätzen der zweiten Hilfsschicht werden folglich weniger Defekte erzeugt als bei Strukturierung der ersten Hilfsschicht durch anisotropes Ätzen. Das Analoge gilt für die dritte Hilfsschicht und für die Spacer. Dabei entspricht der dritten Hilfsschicht die erste Hilfsschicht und den Spacern die zweite Hilfsschicht.
Um einen externen Kollektorwiderstand zu erhalten, der größer ist als der Basiswiderstand, ist es vorteilhaft, folgende Verfahrensschritte vorzusehen:
Vor Erzeugung der ersten isolierenden Schicht wird ein An- schlußgebiet des Kollektors in Form einer vergrabenen vom ersten Leitfähigkeitstyp dotierten Schicht gebildet, die unter dem Kollektor angeordnet ist und eine höhere Dotierstoffkonzentration als der Kollektor aufweist. Vor Erzeugung der ersten isolierenden Schicht wird im Substrat ein erster Kontakt des Kollektors erzeugt, der bis zum Anschlußgebiet des Kollektors reicht.
Die erste isolierende Schicht wird so erzeugt, daß sie den ersten Kontakt des Kollektors bedeckt. Nach Erzeugung der zweiten isolierenden Schicht und vor Erzeugung der ersten
Hilfsschicht wird eine zweite Vertiefung erzeugt, die im Bereich des ersten Kontakts des Kollektors bis zum ersten Kontakt des Kollektors reicht, außerhalb des Bereichs des ersten Kontakts des Kollektors bis zur ersten isolierenden Schicht reicht und neben der ersten Vertiefung angeordnet ist.
Beim anisotropen Ätzen der zweiten Hilfsschicht bedeckt eine Schutzmaske die zweite Vertiefung. Bei der Erzeugung des Emitters werden das Polysilizium und die Trennschicht so strukturiert, daß ein von der Trennschicht bedeckter zweiter Kontakt des Kollektors erzeugt wird, der in der zweiten Vertiefung und auf dem ersten Kontakt des Kollektors angeordnet ist und teilweise die erste isolierende Schicht überlappt. Die Trennschicht auf dem zweiten Kontakt des Kollektors wird nach der Erzeugung der Silizidschicht auf der Schicht aus Polysilizium mindestens teilweise entfernt. Anschließend wird ein dritter Kontakt des Kollektors auf dem zweiten Kontakt des Kollektors erzeugt.
Da horizontale Flächen des zweiten Kontakts des Kollektors von der Trennschicht bedeckt sind, kann sich darauf kein Silizid bilden. Der dritte Kontakt wird folglich direkt auf dem zweiten Kontakt des Kollektors erzeugt, so daß der externe Kollektorwiderstand im Vergleich zu einem Bipolartransistor, bei dem ein Silizid zwischen dem zweiten Kontakt und dem dritten Kontakt des Kollektors angeordnet ist, groß ist.
Da der zweite Kontakt des Kollektors die erste isolierende Schicht überlappt, ist ein horizontaler Querschnitt des zweiten Kontakts des Kollektors größer als ein horizontaler Quer- schnitt des Teils der zweiten Vertiefung, der bis zum ersten Kontakt des Kollektors reicht. Bei der Strukturierung des Po- lysiliziums und der Trennschicht zur Erzeugung des zweiten Kontakts des Kollektors kann folglich selbst bei Dejustierung einer dabei verwendeten Maske verhindert werden, daß inner- halb des Teils der zweiten Vertiefung sich eine horizontale
Fläche des zweiten Kontakts des Kollektors ausbildet. Auf einer solchen horizontalen Fläche würde sich ein Silizid bilden, da sie nicht von der Trennschicht bedeckt ist, so daß der dritte Kontakt des Kollektors an Silizid angrenzen würde, was einen niedrigeren externen Kollektorwiderstand zur Folge hätte.
Die Schutzmaske kann nach dem anisotropen Ätzen der zweiten Hilfsschicht und vor Erzeugung der Basis entfernt werden. Aufgrund der Schutzmaske wird die zweite Hilfsschicht über der zweiten Vertiefung beim anisotropen Ätzen der zweiten Hilfsschicht nicht entfernt, so daß der erste Kontakt des Kollektors bei der Erzeugung der Basis geschützt bleibt.
Alternativ wird beim anisotropen Ätzen der zweiten Hilfsschicht keine Schutzmaske verwendet. Dafür wird bei der Er- Zeugung der Basis eine Maske verwendet, die den ersten Kontakt des Kollektors bedeckt.
Die erste Vertiefung und die zweite Vertiefung können gleich- zeitig oder nacheinander erzeugt werden.
Der Teil der zweiten Vertiefung, der bis zum ersten Kontakt des Kollektors reicht, kann durch maskiertes Ätzen nach Erzeugung des übrigen Teils der zweiten Vertiefung erzeugt wer- den. Zur Erzeugung der zweiten Vertiefung wird also zunächst bis zur ersten isolierenden Schicht mit einer ersten Maske geätzt, und anschließend mit einer zweiten Maske bis zum ersten Kontakt des Kollektors.
Alternativ kann die zweite Vertiefung zum Beispiel wie folgt erzeugt werden:
Nach Erzeugung der ersten isolierenden Schicht und vor Erzeugung der Schicht aus Polysilizium wird mittels maskiertem Ät- zen der erste Kontakt des Kollektors freigelegt. Anschließend wird die Schicht aus Polysilizium erzeugt, so daß sie an den ersten Kontakt des Kollektors angrenzt. Die zweite Vertiefung kann nun in einem Schritt erzeugt werden, da die Schicht aus Polysilizium im Bereich des ersten Kontakts des Kollektors direkt an den ersten Kontakt des Kollektors angrenzt, aber außerhalb des Bereichs des ersten Kontakts des Kollektors an die erste isolierende Schicht angrenzt.
Die erste isolierende Schicht, die zweite isolierende Schicht und die zweite Hilfsschicht werden vorzugsweise aus SiC>2 erzeugt. Die erste Hilfsschicht wird vorzugsweise aus Siliziumnitrid erzeugt. In diesem Fall ist es vorteilhaft, auf der zweiten isolierenden Schicht eine Schutzschicht aus Siliziumnitrid zu erzeugen. Die erste Vertiefung und die zweite Ver- tiefung werden nach Erzeugung der Schutzschicht erzeugt. Die Schutzschicht wird vorzugsweise bei der Entfernung der ersten Hilfsschicht entfernt.
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Silizidschicht reicht, ein zweites Kontaktloch, das bis zum Emitter reicht und ein drittes Kontaktloch, das bis zum zweiten Kontakt des Kollektors reicht, erzeugt werden. Im ersten Kontaktloch wird der Kontakt der Basis erzeugt. Im zweiten Kontaktloch wird der Kontakt des Emitters erzeugt. Im dritten Kontakt wird der dritter Kontakt des Kollektors erzeugt.
Die Trennschicht wirkt als Ätzstop bei der Erzeugung der unterschiedlich tiefen Kontaktlöcher im Zwischenoxid, so daß die Kontaktlöcher gleichzeitig erzeugt werden können, ohne daß der Emitter abgetragen wird. Nach Erzeugung der Kontaktlöcher werden freigelegte Teile der Trennschicht entfernt.
Das Substrat besteht beispielsweise aus Silizium, Germanium oder SiGe.
Zur Vermeidung von Streulicht während der Belichtung von Photolack zur Erzeugung einer Photolackmaske, mit der die erste Vertiefung und/oder die zweite Vertiefung erzeugt werden, ist es vorteilhaft, vor Erzeugung der Photolackmaske eine Schicht aus amorphem Silizium abzuscheiden. Beim Ätzen der Schicht aus Polysilizium selektiv zu Siliziumnitrid zur Erzeugung der ersten Vertiefung wird die Schicht aus amorphem Silizium entfernt.
Vorzugsweise wird vor Erzeugung der ersten isolierenden Schicht eine isolierende Struktur im Substrat erzeugt, die den Teil des zu erzeugenden Bipolartransistors, der im Substrat angeordnet ist, seitlich umgibt. Ist der Bipolartransi- stör Teil einer integrierten Schaltungsanordnung, so isoliert die isolierende Struktur den Bipolartransistor von anderen im Substrat angeordneten Halbleiterbauelementen der integrierten Schaltungsanordnung.
Die isolierende Struktur kann aus mit isolierendem Material gefüllten Isolationsgräben oder aus einer Isolation, die durch thermische Oxidation erzeugt wird, und einem darunter- liegenden und daran angrenzenden Diffusionsgebiet bestehen. Das Diffusionsgebiet ist von einem zweiten, zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp dotiert.
Wird für die integrierte Schaltungsanordnung ein weiterer Bipolartransistor erzeugt, dessen Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt zum Leitfähigkeitstyp des Bipolartransistors ist, so werden zur Verringerung des Prozeßaufwands vorzugsweise Teile des Bipolartransistors und Teile des weiteren Bipolartransi- stors gleichzeitig erzeugt.
Beispielsweise wird beim maskierten Ätzen der ersten isolierenden Schicht zum Freilegen des ersten Kontakts des Kollektors ein weiterer Teil der ersten isolierenden Schicht im Be- reich des weiteren Bipolartransistors entfernt. Durch die Erzeugung der Schicht aus Polysilizium wird der entfernte weitere Teil der ersten isolierenden Schicht durch mindestens einen Teil eines Emitters des weiteren Bipolartransistors ersetzt. Der Bipolartransistor ist ein npn-Bipolartransistor und der weitere Bipolartransistor ein pnp-Bipolartransistor. Alternativ ist der Bipolartransistor ein pnp- Bipolartransistor und der weitere Bipolartransistor ein npn- Bipolartransistor .
Die Basis weist eine niedrigere Dotierstoffkonzentration auf als die Schicht aus Polysilizium.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch ein erstes Substrat, nachdem ein Anschlußgebiet eines Kollektors, ein Kollektor, ein erster Kontakt des Kollektors, eine Isolation, eine weitere Isolation, ein Diffusionsgebiet, eine erste isolierende Schicht, eine Schicht aus Polysilizium, eine zweite isolierende Schicht, eine Schutzschicht, eine Schicht aus amorphem Silizium und eine erste Maske aus Photolack erzeugt wurden.
Figur 2 zeigt den Querschnitt aus Figur 1, nachdem eine erste Vertiefung und ein erster Teil einer zweiten Vertiefung erzeugt wurden.
Figur 3 zeigt den Querschnitt aus Figur 2, nachdem eine zweite Maske aus Photolack und ein zweiter Teil der zwei- ten Vertiefung erzeugt wurden.
Figur 4 zeigt den Querschnitt aus Figur 3, nachdem eine erste Hilfsschicht, eine zweite Hilfsschicht und eine Schutzmaske erzeugt wurden.
Figur 5 zeigt den Querschnitt aus Figur 4, nachdem die zweite Hilfsschicht und ein Teil der ersten isolierenden Schicht entfernt wurden, und eine Basis erzeugt wurde.
Figur 6 zeigt den Querschnitt aus Figur 5, nachdem die erste Hilfsschicht und die Schutzschicht entfernt wurden und eine dritte isolierende Schicht, eine dritte Hilfsschicht und Spacer erzeugt wurden.
Figur 7 zeigt den Querschnitt aus Figur 6, nachdem die Spacer und die dritte Hilfsschicht entfernt wurden und ein Emitter, ein zweiter Kontakt des Kollektors und eine Trennschicht erzeugt wurden.
Figur 8 zeigt den Querschnitt aus Figur 7, nachdem eine Silizidschicht erzeugt wurde.
Figur 9 zeigt den Querschnitt aus Figur 8, nachdem ein Zwi- schenoxid, ein Kontakt der Basis, ein Kontakt des
Emitters, ein dritter Kontakt des Kollektors und Leitungen erzeugt wurden. Figur 10 zeigt einen Querschnitt durch ein zweites Substrat, nachdem Anschlußgebiete von Kollektoren, Kollektoren, ein erster Kontakt zu einem der Kollektoren, eine Basis, eine Wanne, ein Anschlußgebiet zur Wanne, eine Isolation, eine weitere Isolation, Diffusionsgebiete, eine erste isolierende Schicht, eine erste Maske, ein zweiter Teil einer zweiten Vertiefung und weitere Vertiefungen erzeugt wurden.
Figur 11 zeigt den Querschnitt aus Figur 10, nachdem eine Schicht aus Polysilizium, eine zweite isolierende Schicht, eine Schutzschicht, eine Schicht aus amorphem Silizium und eine zweite Maske erzeugt wurden.
Figur 12 zeigt den Querschnitt aus Figur 11, nachdem eine erste Vertiefung und ein erster Teil der zweiten Vertiefung erzeugt wurden.
Die Figuren sind nicht maßstabsgerecht.
In einem ersten Ausführungsbeispiel ist als Ausgangsmaterial ein erstes Substrat 1 aus Silizium vorgesehen, das im Bereich einer Oberfläche des ersten Substrats 1 mit einer Dotier- stoffkonzentration von ca. 10^5 Cm-3 p-dotiert ist.
Ein ca. 1500 nm dickes n-dotiertes Anschlußgebiet A eines Kollektors C grenzt an eine Oberfläche des ersten Substrats 1 an. Die Dotierstoffkonzentration des Anschlußgebiets A des Kollektors C beträgt ca. 1020 cm-3. Eine ca. 1500 nm dicke Epitaxieschicht, die auf dem Anschlußgebiet A des Kollektors C angeordnet ist, bildet den Kollektor C (siehe Figur 1) . Die Dotierstoffkonzentration des Kollektors C beträgt ca. 1017cπT3.
Eine durch thermische Oxidation erzeugte Isolation I und ein darunter angeordnetes Diffusionsgebiet D umgeben das An- schlußgebiet A des Kollektors C seitlich. Bei der thermischen Oxidation wird zusätzlich zur Isolation I eine weitere Isolation I* erzeugt, die über dem Anschlußgebiet A des Kollektors C angeordnet ist.
Das Diffusionsgebiet D wird durch Implantation erzeugt. Das Diffusionsgebiet D ist p-dotiert und weist eine Dotierstoffkonzentration von ca. lO^7 cm-3 auf.
Durch maskierte Implantation eines Teils des Anschlußgebiets A des Kollektors C wird ein erster Kontakt Kl des Kollektors C auf dem Anschlußgebiet A des Kollektors C erzeugt (siehe Figur 1) . Der erste Kontakt Kl des Kollektors C weist eine Dotierstoffkonzentration von ca. 10^0 cm-3 auf un^ ^s^ zwi- sehen der weiteren Isolation I' und einem Teil der Isolation I angeordnet.
Durch Abscheiden von Siθ2 in einer Dicke von ca. 100 nm wird eine erste isolierende Schicht II erzeugt (siehe Figur 1) .
Durch Abscheiden von insitu p-dotiertem Polysilizium wird eine ca. 200nm dicke Schicht aus Polysilizium P erzeugt. Die Dotierstoffkonzentration der Schicht aus Polysilizium P beträgt ca. 1021 cm-3.
Durch Abscheiden von Siθ2 in einer Dicke von ca. 200 nm wird eine zweite isolierende Schicht 12 erzeugt.
Durch Abscheiden von Siliziumnitrid in einer Dicke von ca. 200 nm wird eine Schutzschicht SS erzeugt.
Durch Abscheiden von amorphem Silizium in einer Dicke von ca. 80 nm und von Siliziumnitrid in einer Dicke von ca. 40 nm wird eine Schicht aus amorphem Silizium und Siliziumnitrid ARC erzeugt (siehe Figur 1) . Zur Erzeugung einer ersten Maske PI aus Photolack wird Photolack in einer Dicke von ca. 800 nm aufgebracht, belichtet und strukturiert. Die Schicht aus amorphem Silizium und Siliziumnitrid ARC verhindert beim Belichten das Entstehen von Streulicht.
Mit Hilfe der ersten Maske PI aus Photolack werden eine erste Vertiefung VI und ein erster Teil einer zweiten Vertiefung V2 erzeugt, die bis zur ersten isolierenden Schicht II reichen.
Dazu wird zunächst bis zur Schicht aus Polysilizium P geätzt, die als Ätzstop wirkt. Die erste Maske PI wird entfernt. Anschließend wird Polysilizium selektiv zu Siθ2 und Siliziumnitrid anisotrop geätzt, so daß die Schicht aus Polysilizium P durchtrennt wird und die erste isolierende Schicht II als Ätzstop wirkt. Dabei wird die Schicht aus amorphem Silizium und Siliziumnitrid ARC entfernt.
Die erste Vertiefung VI ist über dem Kollektor C angeordnet. Der erste Teil der zweiten Vertiefung V2 ist neben der ersten Vertiefung VI und über dem ersten Kontakt Kl des Kollektors C angeordnet. Die erste Vertiefung VI weist einen quadratischen horizontalen Querschnitt mit einer Seitenlänge von ca. 400 nm auf.
Die zweite Vertiefung V2 weist einen rechteckigen horizontalen Querschnitt auf, dessen Seitenlängen ca. 1300 nm und 400 nm betragen. Die erste Vertiefung VI und die zweite Vertiefung V2 weisen einen Abstand von ca. 1,4 μm voneinander auf.
Mit Hilfe einer zweiten Maske P2 aus Photolack wird ein zweiter Teil der zweiten Vertiefung V2 erzeugt, der bis zum ersten Kontakt Kl des Kollektors C reicht (siehe Figur 3) . Der zweite Teil der zweiten Vertiefung V2 ist zwischen der weite- ren Isolation I1 und der Isolation I angeordnet.
Die zweite Photolackmaske P2 wird entfernt. Anschließend wird durch Abscheiden von Siliziumnitrid in einer Dicke von ca. 30 nm eine erste Hilfsschicht Hl erzeugt (siehe Figur 4) . Darüber wird zur Erzeugung einer zweiten Hilfsschicht H2 Siθ2 in einer Dicke von ca. 80 nm abgeschieden.
Mit Hilfe einer Schutzmaske P3 aus Photolack, deren Öffnung einen größeren horizontalen Querschnitt als die erste Vertie- fung VI aufweist und über der ersten Vertiefung VI angeordnet ist, wird die zweite Hilfsschicht H2 anisotrop geätzt, bis die erste Hilfsschicht Hl freigelegt wird. Die Schutzmaske P3 bedeckt dabei die zweite Vertiefung V2 (siehe Figur 4) .
Anschließend wird die Schutzmaske P3 entfernt. Freigelegte
Teile der ersten Hilfsschicht Hl werden durch isotropes Ätzen mit zum Beispiel Phosphorsäure selektiv zur zweiten Hilfsschicht H2 entfernt. Dabei werden die Schutzschicht SS und die erste isolierende Schicht II teilweise freigelegt (siehe Figur 5) .
Durch isotropes Ätzen von Siθ2 mit zum Beispiel NH3+HF selektiv zu Siliziumnitrid und zu Silizium wird ein Teil der ersten isolierenden Schicht II, der auf dem Kollektor C ange- ordnet ist und zwischen der weiteren Isolation I1 und der
Isolation I angeordnet ist, entfernt, so daß die Schicht aus Polysilizium P unterätzt und teilweise freigelegt wird. Die erste Hilfsschicht Hl und die Schutzschicht SS schützen dabei die zweite isolierende Schicht 12 sowie Teile der ersten iso- lierenden Schicht II, die im Bereich der zweiten Vertiefung V2 angeordnet sind. Beim isotropen Ätzen wird auch die zweite Hilfsschicht H2 entfernt.
Durch insitu dotierte selektive Epitaxie wird der entfernte Teil der ersten isolierenden Schicht II durch eine p-dotierte Basis B ersetzt (siehe Figur 5) . Die Basis B besteht im wesentlichen aus monokristallinem Silizium und nur in der Nähe Lü o M N) P> P1 π o Cπ o π o Cπ
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Durch anisotropes Ätzen von Siθ2 selektiv zu Siliziumnitrid wird die erste isolierende Schicht II geätzt, bis die Schicht aus Polysilizium P freigelegt wird. Im Bereich der zweiten Vertiefung V2 werden dabei die weitere Isolation I' und ein Teil der Isolation I freigelegt (siehe Figur 8) .
Anschließend wird eine Silizierung durchgeführt, so daß auf der Schicht aus Polysilizium P und an seitlichen Flächen des Emitters E und des zweiten Kontaktes K2 des Kollektors C eine Silizidschicht SD erzeugt wird (siehe Figur 8) .
Anschließend wird Siθ2 abgeschieden und durch chemisch mechanisches Polieren planarisiert, so daß ein ca. 1500 nm dickes Zwischenoxid Z erzeugt (siehe Figur 9) .
Durch maskiertes Ätzen werden ein erstes Kontaktloch, das bis zur auf der Schicht aus Polysilizium P angeordneten Silizidschicht SD reicht, ein zweites Kontaktloch, das bis zum Emit- ter E reicht, und ein drittes Kontaktloch, das bis zum zweiten Kontakt K2 des Kollektors C reicht, erzeugt. Dabei wird auch die Trennschicht T durchtrennt.
Durch Abscheiden von Wolfram und chemisch mechanischem Polie- ren, bis das Zwischenoxid Z freigelegt wird, wird im ersten Kontaktloch ein Kontakt KB der Basis, im zweiten Kontaktloch ein Kontakt KE des Emitters und im dritten Kontaktloch ein dritter Kontakt K3 des Kollektors erzeugt.
Durch Abscheiden von AlCu in einer Dicke von ca. 400 nm und maskiertem Ätzen, werden Leitungen L erzeugt. Eine der Leitungen L ist auf dem Kontakt KB der Basis B angeordnet. Eine andere der Leitungen L ist auf dem Kontakt KE des Emitters E angeordnet. Eine weitere der Leitungen L ist auf dem dritten K3 des Kollektors C angeordnet (siehe Figur 9) . Durch das beschriebene Verfahren wird ein Bipolartransistor erzeugt, dessen Basiswiderstand aufgrund der Silizidschicht SD kleiner ist als sein externer Emitterwiderstand und als sein externer Kollektorwiderstand.
In einem zweiten Ausführungsbeispiel ist als Ausgangsmaterial ein zweites Substrat 2 aus Silizium vorgesehen.
Das zweite Substrat 2 ist im Bereich einer Oberfläche des zweiten Substrats 2 mit einer Dotierstoffkonzentration von ca. 10^5 cm-3 p-dotiert.
Durch maskierte Implantation mit Phosphor wird eine n- dotierte Wanne W erzeugt, die eine Dotierstoffkonzentration von ca. 10^^ cm-3 aufweist.
Durch maskierte Implantation wird im zweiten Substrat 2 ein n-dotiertes Anschlußgebiet AN eines Kollektors CN eines Bipolartransistors erzeugt, der ca. 1800nm neben der Wanne W an- geordnet ist, ca. 1500 nm dick ist und eine Dotierstoffkonzentration von ca. lO2^ cm-3 aufweist. Zugleich wird ein erster Teil eines Anschlußgebiets X der Wanne W erzeugt, der in einem Randgebiet der Wanne W angeordnet ist (siehe Figur 10)
Durch ganzflächige insitu n-dotierte Epitaxie wird eine ca. 1500nm dicke Schicht erzeugt, die oberhalb des Anschlußgebiets AN des Kollektors CN des Bipolartransistors den Kollektor CN des Bipolartransistors bildet.
Durch eine zweite maskierte Implantation wird oberhalb der Wanne W in der epitaktisch aufgewachsenen Schicht eine vergrabene p-dotiertes Anschlußgebiet AP eines Kollektors CP eines weiteres Bipolartransistors erzeugt, der p-dotiert ist, ca. 650 nm unterhalb der Oberfläche der epitaktisch aufge- wachsenen Schicht angeordnet ist und eine Dotierstoffkonzentration von ca. lθl8 cm-3 aufweist. Wie im ersten Ausführungsbeispiel werden eine Isolation I'', eine weitere Isolation 1''', ein Diffusionsgebiet D' und ein erster Kontakt K1N des Kollektors CN des Bipolartransistors erzeugt (siehe Figur 10) . Bei der Erzeugung des ersten Kon- takts K1N des Kollektors CN des Bipolartransistors, wird auf dem ersten Teil des Anschlußgebiets X der Wanne W ein zweiter Teil des Anschlußgebiets X der Wanne W erzeugt. Ferner wird durch Implantation über einem Teil des Anschlußgebiets AP des Kollektors CP des weiteres Bipolartransistors ein p-dotierter Kontakt K1P des Kollektors CP erzeugt, der eine Dotierstoffkonzentration von ca. lθl7 cm-3 aufweist.
Über dem Anschlußgebiet AP des Kollektors CP des weiteren Bipolartransistors wird durch Implantation der Kollektor CP des weiteren Bipolartransistors erzeugt, der ca. 150 nm unterhalb der Oberfläche der epitaktisch aufgewachsenen Schicht angeordnet ist. Die Dotierstoffkonzentration des p-dotierten Kollektors CP des weiteren Bipolartransistors beträgt ca. 3*1016 cm
Ein Teil der epitaktisch aufgewachsenen Schicht, der auf dem Kollektor CP des weiteren Bipolartransistors angeordnet ist, wird zusätzlich so n-dotiert, daß er eine Dotierstoffkonzentration von ca. 5*10*8 cm-3 aufweist, und bildet eine Basis BP des weiteren Bipolartransistors.
Durch Abscheiden von Siθ2 in einer Dicke von ca. lOOnm wird eine erste isolierende Schicht II' erzeugt.
Mit Hilfe einer ersten Maske PI ' aus Photolack wird ein zweiter Teil einer zweiten Vertiefung V2 ' in der ersten isolierenden Schicht II' erzeugt, der bis zum ersten Kontakt K1N des Kollektors CN des Bipolartransistors reicht. Ferner werden weitere Vertiefungen V erzeugt, die den Kontakt K1P des Kollektors CP des weiteren Bipolartransistors, die Anschlußgebiete X der Wanne W und die Basis BP des weiteren Bipolartransistors freilegen (siehe Figur 10) . Die erste Maske PI ' wird entfernt.
Anschließend werden wie im ersten Ausführungsbeispiel eine Schicht aus Polysilizium P', eine zweite isolierende Schicht 12', eine Schutzschicht SS', eine Schicht aus amorphem Silizium und Siliziumnitrid ARC und eine zweite Maske P2 ' aus Photolack, die der ersten Maske PI aus Photolack, des ersten Ausführungsbeispiels entspricht, erzeugt (siehe Figur 11) . Die zweite Maske bedeckt auch einen Bereich oberhalb der Basis BP des weiteren Bipolartransistors und den Kontakt K1P des Kollektors CP des weiteren Bipolartransistors.
Wie im ersten Ausführungsbeispiel werden mit Hilfe der zwei- ten Maske P2 ' eine erste Vertiefung VI' und die zweite Vertiefung V2 ' erzeugt, wobei der erste Kontakt K1P des Kollektors CN des Bipolartransistors, ein Teil der Basis BP des weiteren Bipolartransistors und das Anschlußgebiets X der Wanne W freigelegt werden. Ein Teil der Schicht aus Polysili- zium P', der in der ersten isolierenden Schicht II' und auf der Basis BP des weiteren Bipolartransistors angeordnet ist, bildet einen Emitter EP des weiteren Bipolartransistors (siehe Figur 12) .
Der Bipolartransistor wird anschließend wie im ersten Ausführungsbeispiel fertiggestellt. Dabei bedeckt die dritte Photolackmaske bei der Strukturierung der ersten Hilfsschicht den weiteren Bipolartransistor.
Mit diesem Verfahren wird eine integrierte Schaltungsanordnung hergestellt, die den Bipolartransistor und den weiteren Bipolartransistor umfaßt, wobei der Bipolartransistor ein npn-Bipolartransistor ist und der weitere Bipolartransistor ein pnp-Bipolartransistor ist.
Es sind viele Variationen des Ausführungsbeispiels denkbar, die ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegen. So können Ab- messungen der beschriebenen Schichten, Masken, Isolationen und Gebiete an die jeweiligen Erfordernisse angepaßt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors,
- bei dem in einem Substrat (1) aus Halbleitermaterial ein von einem ersten Leitfähigkeitstyp dotierter Kollektor (C) erzeugt wird,
- bei dem auf dem Substrat (1) eine erste isolierende Schicht
(II) erzeugt wird, die den Kollektor (C) bedeckt,
- bei dem auf der ersten isolierenden Schicht (II) eine Schicht (P) aus von einem zweiten, zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp dotiertem Polysilizium erzeugt wird,
- bei dem auf der Schicht (P) aus Polysilizium eine zweite isolierende Schicht (12) erzeugt wird, - bei dem eine erste Vertiefung (VI) erzeugt wird, die die zweite isolierende Schicht (12) und die Schicht (P) aus Polysilizium durchtrennt und über dem Kollektor (C) angeordnet ist,
- bei dem nach Erzeugung der ersten Vertiefung (VI) eine er- ste Hilfsschicht (Hl) und darüber eine zweite Hilfsschicht
(H2) erzeugt werden, die so dünn sind, daß sie die erste Vertiefung (VI) nicht auffüllen,
- bei dem die zweite Hilfsschicht (H2) anisotrop geätzt wird, bis die erste Hilfsschicht (Hl) freigelegt wird, - bei dem die erste Hilfsschicht (Hl) selektiv zur zweiten
Hilfsschicht (H2) isotrop geätzt wird, bis ein Teil der ersten isolierenden Schicht (II) freigelegt wird,
- bei dem ein Teil der ersten isolierenden Schicht (II) durch isotropes Ätzen selektiv zur ersten Hilfsschicht (Hl) ent- fernt wird, so daß Teile der Schicht (P) aus Polysilizium und Teile des Kollektors (C) freigelegt werden,
- bei dem durch selektive Epitaxie von vom zweiten Leitfähigkeitstyp insitu dotiertem Silizium der entfernte Teil der ersten isolierenden Schicht (II) durch eine Basis (B) er- setzt wird,
- bei dem nach Erzeugung der Basis (B) eine dritte Hilfsschicht (H3) erzeugt wird, - bei dem auf der dritten Hilfsschicht (H3) durch Abscheiden und Rückätzen von Material Spacer (SP) in der ersten Vertiefung (VI) erzeugt werden,
- bei dem die dritte Hilfsschicht (H3) selektiv zu den Spacern (SP) isotrop geätzt wird und die Basis (B) freigelegt wird,
- bei dem vom ersten Leitfähigkeitstyp dotiertes Polysilizium und darüber eine Trennschicht (T) abgeschieden und gemeinsam so strukturiert werden, daß ein von der Trennschicht (T) bedeckter Emitter (E) erzeugt wird, der teilweise in der ersten Vertiefung (VI) angeordnet ist, an die Basis (B) angrenzt, und teilweise die zweite isolierende Schicht (12) überlappt,
- bei dem die zweite isolierende Schicht (12) selektiv zur Trennschicht (T) anisotrop geätzt wird, bis die Schicht (P) aus Polysilizium freigelegt wird,
- bei dem auf der Schicht (P) aus Polysilizium aber nicht auf der Trennschicht (T) eine Silizidschicht (SD) erzeugt wird,
- bei dem auf der Silizidschicht (SD) ein Kontakt (KB) der Basis (B) erzeugt wird,
- bei dem die Trennschicht (T) nach der Erzeugung der Silizidschicht mindestens teilweise entfernt wird, und ein Kontakt (KE) des Emitters (E) auf dem Emitter (E) erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
- bei dem vor Erzeugung der ersten isolierenden Schicht (II) ein Anschlußgebiet (A) des Kollektors (C) in Form einer vergrabenen vom ersten Leitfähigkeitstyp dotierten Schicht gebildet wird, die unter dem Kollektor (C) angeordnet ist und eine höhere Dotierstoffkonzentration als der Kollektor (C) aufweist,
- bei dem vor Erzeugung der ersten isolierenden Schicht (II) im Substrat (1) ein erster Kontakt (Kl) des Kollektors (C) erzeugt wird, der bis zum Anschlußgebiet (A) des Kollektors (C) reicht, - bei dem die erste isolierende Schicht (II) so erzeugt wird, daß sie den ersten Kontakt (Kl) des Kollektors (C) bedeckt,
- bei dem nach Erzeugung der zweiten isolierenden Schicht
(12) und vor Erzeugung der ersten Hilfsschicht (Hl) eine zweite Vertiefung (V2) erzeugt wird, die im Bereich des ersten Kontakts (Kl) des Kollektors (C) bis zum ersten Kontakt (Kl) des Kollektors (C) reicht, außerhalb des Bereichs des ersten Kontakts (Kl) des Kollektors (C) bis zur ersten isolierenden Schicht (II) reicht und neben der ersten Ver- tiefung (VI) angeordnet ist,
- bei dem beim anisotropen Ätzen der zweiten Hilfsschicht
(H2) eine Schutzmaske (P3) die zweite Vertiefung (V2) bedeckt,
- bei dem bei der Erzeugung des Emitters (E) das Polysilizium und die Trennschicht (T) so strukturiert werden, daß ein von der Trennschicht (T) bedeckter zweiter Kontakt (K2) des Kollektors (C) erzeugt wird, der in der zweiten Vertiefung (V2) und auf dem ersten Kontakt (Kl) des Kollektors (C) angeordnet ist und teilweise die erste isolierende Schicht (II) überlappt,
- bei dem die Trennschicht (T) auf dem zweiten Kontakt (K2) des Kollektors (C) nach der Erzeugung der Silizidschicht
(SD) mindestens teilweise entfernt wird, und ein dritter Kontakt (K3) des Kollektors (C) auf dem zweiten Kontakt (K2) des Kollektors (C) erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
- bei dem die erste isolierende Schicht (II), die zweite isolierende Schicht (12) und die zweite Hilfsschicht (H2) aus Siθ2 erzeugt werden,
- bei dem die erste Hilfsschicht (Hl) aus Siliziumnitrid erzeugt wird,
- bei dem auf der zweiten isolierenden Schicht (12) eine Schutzschicht (SS) aus Siliziumnitrid erzeugt wird, - bei dem die erste Vertiefung (VI) und die zweite Vertiefung (V2) nach Erzeugung der Schutzschicht (SS) erzeugt werden, - bei dem die Schutzschicht (SS) bei der Entfernung der ersten Hilfsschicht (Hl) entfernt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, - bei dem nach Erzeugung der Basis (B) und vor Erzeugung der dritten Hilfsschicht (H3) eine dritte isolierende Schicht (13) aus Siθ2 erzeugt wird, die so dünn ist, daß die erste Vertiefung (VI) durch die dritte isolierende Schicht (13) und durch die dritte Hilfsschicht (H3) nicht aufgefüllt wird,
- bei dem die dritte Hilfsschicht (H3) aus Siliziumnitrid erzeugt wird,
- bei dem die Spacer (SP) aus Polysilizium erzeugt werden,
- bei dem die dritte Hilfsschicht (H3) selektiv zu den Spacern (SP) isotrop geätzt wird, bis die dritte isolierende Schicht (13) freigelegt wird,
- bei dem nach dem isotropen Ätzen der dritten Hilfsschicht
(H3) die dritte isolierende Schicht (13) selektiv zur dritten Hilfsschicht (H3) isotrop geätzt wird, bis die Basis (B) freigelegt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4,
- bei dem nach Erzeugung der Silizidschicht (SD) ein Zwischenoxid (Z) erzeugt wird, - bei dem im Zwischenoxid (Z) ein erstes Kontaktloch, das bis zur Silizidschicht (SD) reicht, ein zweites Kontaktloch, das bis zum Emitter (E) reicht und ein drittes Kontaktloch, das bis zum zweiten Kontakt (K2) des Kollektors (C) reicht, erzeugt werden, - bei dem im ersten Kontaktloch der Kontakt (KB) der Basis (B) erzeugt wird,
- bei dem im zweiten Kontaktloch der Kontakt (KE) des Emitters (E) erzeugt wird,
- bei dem im dritten Kontaktloch der dritte Kontakt (K3) des Kollektors (C) erzeugt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, - bei dem das Substrat (1) aus Silizium besteht.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
- bei dem vor Erzeugung einer ersten Maske (PI), mit der die erste Vertiefung (VI) erzeugt wird, eine Schicht (ARC) aus amorphem Silizium abgeschieden wird,
- bei dem beim Ätzen der Schicht (P) aus Polysilizium zur Erzeugung der ersten Vertiefung (VI) die Schicht (ARC) aus amorphem Silizium entfernt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
- bei dem vor Erzeugung der ersten isolierenden Schicht (II) eine isolierende Struktur im Substrat (1) erzeugt wird, die den Teil des zu erzeugenden Bipolartransistors, der im Sub- strat (1) angeordnet ist, seitlich umgibt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8,
- bei dem nach Erzeugung der ersten isolierenden Schicht
(II') mittels maskiertem Ätzen der erste Kontakt (K1N) des Kollektors (CN) freigelegt wird,
- bei dem anschließend die Schicht (P') aus Polysilizium erzeugt wird, so daß sie an den ersten Kontakt (K1N) des Kollektors (CN) angrenzt.
10. Verfahren zur Erzeugung einer integrierten Schaltungsanordnung, der mindestens den Bipolartransistor umfaßt, nach Anspruch 9,
- bei dem beim maskierten Ätzen der ersten isolierenden Schicht (II') zum Freilegen des ersten Kontakts (K1N) des Kollektors (CN) ein weiterer Teil der ersten isolierenden Schicht (II') entfernt wird,
- bei dem durch die Erzeugung der Schicht (P') aus Polysilizium der entfernte weitere Teil der ersten isolierenden Schicht (II') durch mindestens einen Teil eines Emitters (EP) eines weiteren Bipolartransistors ersetzt wird, dessen Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt zum Leitfähigkeitstyp des Bipolartransistors ist.
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