EP1157308A2 - Monokornmembranmaske - Google Patents

Monokornmembranmaske

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Publication number
EP1157308A2
EP1157308A2 EP00922424A EP00922424A EP1157308A2 EP 1157308 A2 EP1157308 A2 EP 1157308A2 EP 00922424 A EP00922424 A EP 00922424A EP 00922424 A EP00922424 A EP 00922424A EP 1157308 A2 EP1157308 A2 EP 1157308A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
light
membrane
mask
state
monograin
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP00922424A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Dieter Meissner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungszentrum Juelich GmbH
Original Assignee
Forschungszentrum Juelich GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Forschungszentrum Juelich GmbH filed Critical Forschungszentrum Juelich GmbH
Publication of EP1157308A2 publication Critical patent/EP1157308A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a mask, such a mask and advantageous uses.
  • Masks of the type mentioned are used for example in screen printing.
  • a sieve is coated on one side with a thick liquid photoresist.
  • a closed (impermeable) layer of lacquer on one side of the sieve.
  • the lacquer layer is then exposed according to a predetermined structure (pattern).
  • the exposure takes place, for example, through a mask which already has openings according to the predetermined structure or the predetermined pattern.
  • either the exposed or the unexposed areas of the photoresist are polymerized. Either the polymerized part of the photoresist or the unpolymerized part of the photoresist is etched away.
  • a sieve remains, which is partially coated with photoresist and is otherwise permeable.
  • Printer ink is now applied to paper through the permeable areas. An image of the given structure then appears on the paper (negative or positive image).
  • the aforementioned method for printing on paper is referred to as the screen printing method.
  • a comparable process is used for the production of conductor tracks on chips (electronic components for Computer etc.) applied. It is known as lithography.
  • a photoresist is applied to a substrate. Structures are removed from the photoresist layer in a defined manner by exposure and a corresponding chemical treatment.
  • the substrate is then subjected to an etching treatment (e.g. ion or electron beam etching) through the structures of the photoresist.
  • An image of the predefined structure is formed on the substrate and so, for example, conductor tracks if the uppermost layer on the substrate, which was etched away in places according to the predefined structure, was electrically conductive.
  • the photomask is then removed.
  • a disadvantage of a photoresist is that it has a limited lifespan and is sensitive to light. The handling of the photoresist is correspondingly complex.
  • Monograin membranes are known, e.g. B. the patent application with the official file number 198 28 310.5-43 can be seen.
  • a monograin membrane is a thin layer made up of a layer of powder. The powder grains are glued together. The powder grains can be single crystal.
  • a melt is produced and a flux is added to produce single-crystal powder.
  • the melt has the components of a semiconducting material, for example the components of copper indium diselenide, usually in a stochiometric composition.
  • the melt is usually heated to defined temperatures between 300 ° C and 1000 ° C.
  • Single-crystal powder grains grow at a suitable temperature.
  • the desired recrystallization takes place at temperatures above the melting points of the ones to be melted Materials instead. If the powder grains have the desired size, the growth is stopped by quenching. The appropriate time of quenching and the appropriate temperature profile to achieve desired powder sizes are such.
  • Monograin membranes are produced in a known manner from the powders produced according to the process and are used in particular in solar cells.
  • the layer containing the powder layer is removed from the substrate.
  • the powder grains can be exposed from the surface if necessary by etching. Otherwise, the powder grains are or remain connected to one another by the resin, etc., and thus form the desired monograin membrane.
  • the object of the invention is to provide a process for the production of a mask which can be handled more easily and in which the problems relating to the preservation of the photoresist do not arise.
  • the object of the invention is to create a product manufactured in accordance with the method and to specify advantageous uses.
  • a monograin membrane which is composed of photosensitive semiconductor particles.
  • photosensitive semiconductors such are used, which in a first state, for. B. are stable in the dry state and in a second state, for. B. in a humidified state, photosensitive, ie unstable, behave.
  • Light-sensitive behavior is understood to mean that the exposed powder grains of the membrane can fall out of the membrane or dissolve completely in the corresponding state, for example in the moistened state.
  • the membrane provided is converted from the light-insensitive state to the light-sensitive state.
  • the membrane is then exposed in accordance with the desired structure. According to the exposure, the grains fall out of the monograin membrane or dissolve.
  • the membrane is converted from the light-sensitive state to the light-insensitive state, that is to say dried in the example mentioned above.
  • the desired mask is then available.
  • materials that meet the aforementioned conditions are: PbS, CdS, ZnS, CdTe, Si, Ge, GaAs, polypyrrole, polyaniline in films such as polyurethane, polycarbonate, polyethylene, polymethyl methacrylate.
  • Examples of light-sensitive conditions are: PbS, CdS ZnS in aqueous sulfide solution, Si in aqueous HF solution, GaAs and CdTe in water, polymers in alcoholic or organic solvents, especially in the presence of oxygen.
  • Examples of light-insensitive conditions are: all of the aforementioned materials in dry air, Si and polypyrrole and other polymers in water, e.g. SiO 2 passivates the material and pyrrole; Mono-, oligo- and polymers into which polymers are converted after the particles have been irradiated and which do not dissolve in water.
  • Examples for the transfer of materials from the light-insensitive to the light-sensitive state generally immersion in a solution in which the
  • Photocorrosion products are soluble;
  • the method has the advantage over the method of the type mentioned at the beginning with the photoresist that the monograin membrane is initially in a light-insensitive state. This results in a significantly improved lifespan compared to photoresists. According to the process, the monograin membrane is only in the light-sensitive state for a short time. After the procedure is complete, a mask lies in one light-insensitive state, which can therefore be handled without problems.
  • the product produced by the process is therefore a monograin membrane which has predetermined, defined structures and functions as a mask of the type mentioned at the outset.
  • the mask according to claim is z. B. used in screen printing, in lithography, for the production of chips or for the production of electrodes.
  • Mono-grain membranes are produced, for example, by sprinkling semiconductor powders onto a glass plate coated with UHLJ - photo adhesive, then immersing them in a solution made of the two-component plastic Desmodur c / Desmophen ® in xylene and then stripping, curing and etching the polymer with a KOH solution .
  • CdS, CdTe, CdSe, CuInSe2 ⁇ particles with diameters between 20 ⁇ m and 50 ⁇ m have been used, which corrode themselves under exposure, as well as Ti ⁇ 2 .
  • ZnO, CdS, the z. B. in alcoholic solution dissolve the polymer films, here polyurethane, and then fall out.
  • Dimensions of the masks that are generally used are e.g. B. Dimensions that are required for the screen printing process for images: between 1 ⁇ m and a few hundred ⁇ m depending on the desired fineness of the structures, when printing pastes for the production of ceramics even in the millimeter range or larger.
  • the mask sizes themselves range from square micrometers to hundreds of square centimeters for exposure or mask etching. Square meters can also be provided for paste printing for ceramic production.
  • a mask in the sense of the invention has in particular a plurality of holes and / or slits. Slits run in particular in accordance with typical artificially created geometries, such as straight, corresponding to the multiplication of a quarter of a circumference or rectangular.
  • the holes or slots in the mask are usually not distributed randomly, but artificially arranged, according to the purpose.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Maske, ein Verfahren zur Herstellung einer Maske, eine derartige Maske sowie vorteilhafte Verwendungsweisen. Das Verfahren zur Herstellung der Maske umfasst die Schritte: eine Monokornmembran wird verwendet, die aus lichtempfindlichen Teilchen aufgebaut ist, wobei lichtempfindliche Teilchen solche sind, die sich in einem ersten Zustand gegenüber Licht resistent und in einem zweiten Zustand sich gegenüber Licht nicht resistent verhalten; die Monokornmembran wird vom lichtresistenten in den nicht lichtresistenten Zustand gebracht; anschliessend wird die Membran entsprechend einer vorgegebenen Struktur belichtet; entsprechend der Belichtung fallen die Teilchen aus der Monokornmembran heraus oder lösen sich auf; die Membran wird anschliessend vom lichtempfindlichen Zustand in den lichtunempfindlichen Zustand gebracht. Die Maske besteht folglich aus einer Monokornmembran mit definierten Strukturen. Sie wird zum Beispiel für ein Siebdruck- oder für ein Lithographieverfahren oder für die Herstellung von Elektroden verwendet. Bei dem Verfahren muss vorteilhaft kein in jedem Fall lichtempfindlicher Photolack eingesetzt werden.

Description

B e s c h r e i b u n g
Monokornmembranmaske
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Maske, eine derartige Maske sowie vorteilhafte Verwendungsweisen .
Masken der eingangs genannten Art werden beispielsweise beim Siebdruck verwendet. Ein Sieb wird einseitig mit einem dickfl ssigen Photolack beschichtet. Auf einer Seite des Siebes findet sich dann eine geschlossene (undurchlässige) Lackschicht. Die Lackschicht wird anschließend gemäß einer vorgegebenen Struktur (Muster) belichtet. Die Belichtung erfolgt beispielsweise durch eine Maske hindurch, die bereits Offnungen gemäß der vorgegebenen Struktur bzw. dem vorgegebenen Muster aufweist. Anschließend werden entweder die belichteten oder die unbelichteten Stellen beim Photolack polymerisiert . Entweder wird der polymerisierte Teil des Photolacks oder der nicht polymerisierte Teil des Photolacks weggeatzt. Es verbleibt ein Sieb, das partiell mit Photolack beschichtet und im übrigen durchlassig ist. Druckerfarbe wird nun durch die durchlassigen Stellen hindurch auf Papier aufgebracht. Auf dem Papier erscheint dann ein Abbild der vorgegebenen Struktur (negative oder positive Abbildung) . Das vorgenannte Verfahren zum Bedrucken von Papier wird als Siebdruckverfahren bezeichnet. Ein vergleichbares Verfahren wird bei der Herstellung von Leiterbahnen auf Chips (elektronische Bauteile für Computer etc.) angewendet. Es ist unter der Bezeichnung Lithographie bekannt. Auf ein Substrat wird ein Photolack aufgebracht. Durch Belichten und eine entsprechende chemische Behandlung werden Strukturen aus der Photolackschicht definiert entfernt. Durch die Strukturen des Photolacks hindurch wird das Substrat anschließend einer Atzbehandlung unterzogen (z. B. Ionen- oder Elektronenstrahl-Atzen) . Auf dem Substrat entstehen ein Abbild der vorgegebenen Struktur und so zum Beispiel Leiterbahnen, wenn die oberste, gemäß der vorgegebenen Struktur stellenweise weggeatzte Schicht auf dem Substrat elektrisch leitfahig war. Anschließend wird die Photomaske beseitigt.
Nachteilhaft verfugt ein Photolack nur über eine be- grenzte Lebensdauer und verhalt sich empfindlich gegenüber Licht. Die Handhabung des Photolacks ist entsprechend aufwendig.
Bekannt sind Monokornmembranen, wie z. B. der Patentanmeldung mit dem amtlichen Aktenzeichen 198 28 310.5-43 zu entnehmen ist. Eine Monokornmembran ist eine dünne Schicht, die aus einer Lage eines Pulvers aufgebaut ist. Die Pulverkorner sind miteinander verklebt. Die Pulverkorner können einkristallm sein.
Zur Herstellung von einkristallmem Pulver wird eine Schmelze erzeugt und ein Flußmittel zugegeben. Die Schmelze weist die Komponenten eines halbleitenden Materials, also zum Beispiel die Komponenten von Kupfer-Indium-Diselenid auf und zwar m der Regel in stochiometrischer Zusammensetzung. Die Schmelze wird m der Regel auf definierte Temperaturen zwischen 300 °C und 1000 °C erhitzt. Es wachsen bei geeigneter Temperatur einkristalline Pulverkorner heran. Die gew nschte Rekristallisation findet bei Temperaturen oberhalb der Schmelzpunkte der aufzuschmelzenden Materialien statt. Weisen die Pulverkorner die gewünschte Große auf, so wird das Wachstum durch Quenchen abgebrochen. Der geeignete Zeitpunkt des Quenchens sowie der geeignete Temperaturverlauf zur Erzielung gewünschter Pulvergroßen werden z. B. durch
Vorversuche ermittelt. Anschließend wird das Flußmittel entfernt .
Monokorn embranen werden in bekannter Weise aus den verfahrensgemaß hergestellten Pulvern hergestellt und insbesondere in Solarzellen verwendet.
Aus der Druckschrift „T. S. Velde, G. W. M. T. van Helden, Monograin layers, Philips Technical Review, 2_9 (1968), 238 - 242" ist bekannt, aus einkristallinem CdS-Pulver eine Monokornmembran herzustellen. Einkristallines, aus CdS bestehendes Pulver wird durch Zerkleinern eines größeren Einkristalls hergestellt. Es wird dann ein Klebstoff als dünne Schicht auf einem aus Glas bestehenden Substrat aufgebracht. Auf die aus dem Klebstoff bestehende Schicht wird das Pulver aufgestreut. Eine Lage des Pulvers haftet daraufhin am Klebstoff. Die übrigen, nicht mit dem Klebstoff verbundenen Pulverkorner werden entfernt. Gelostes Harz, Polymer oder Komponenten hierfür werden zu den am Klebstoff haftenden Pulverkornern hinzugegeben. Nach Trocknen und Ausharten der Losung wird die eine
Pulverlage enthaltende Schicht vom Substrat abgezogen. Durch Atzen können die Pulverkorner bei Bedarf von der Oberflache her freigelegt werden. Im übrigen sind bzw. bleiben die Pulverkorner durch das Harz etc. miteinander verbunden und bilden so die gewünschte Monokornmembran . Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung einer Maske, welches leichter gehandhabt werden kann und bei dem nicht die Probleme bezuglich der Konservierung des Photolackes auftreten. Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines verfahrensgemäß hergestellten Produktes sowie die Angabe vorteilhafter Verwendungsweisen.
Die Aufgaben der Erfindung werden durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Hauptanspruchs, durch eine Vorrichtung sowie einer Verwendungsweise mit den Merkmalen der entsprechenden Nebenanspruche gelost. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteranspruchen.
Verfahrensgemäß wird eine Monokornmembran verwendet, die aus lichtempfindlichen Halbleiterteilchen aufgebaut ist. Als lichtempfindliche Halbleiter werden derartige eingesetzt, die in einem ersten Zustand, z. B. im trockenen Zustand stabil sind und sich in einem zweiten Zustand, z. B. in einem befeuchteten Zustand, lichtempfindlich, d. h. instabil, verhalten. Unter lichtempfindlichem Verhalten wird verstanden, daß die belichteten Pulverkorner der Membran im entsprechenden Zustand, also beispielsweise im befeuchteten Zustand, aus der Membran herausfallen können oder sich ganz auflosen. Verfahrensgemaß wird die bereitgestellte Membran vom lichtunempfindlichen Zustand in den lichtempfindlichen Zustand überfuhrt. Anschließend wird die Membran entsprechend der gewünschten Struktur belichtet. Entsprechend der Belichtung fallen die Korner aus der Monokornmembran heraus oder losen sich auf. Die Membran wird vom lichtempfindlichen Zustand in den lichtunempfindlichen Zustand überfuhrt, also beim vorgenannten Beispiel getrocknet. Anschließend steht die gewünschte Maske zur Verfugung. Beispiele für Materialien, die die vorgenannten Bedingungen erfüllen, sind: PbS, CdS, ZnS, CdTe, Si, Ge, GaAs, Polypyrrol, Polyanilin in Folien wie Polyurethan, Polycarbonat , Polyethylen, Polymethylmethacrylat .
Beispiele für lichtempfindliche Zustände sind: PbS, CdS ZnS in wäßriger Sulfidlösung, Si in wäßriger HF-Lösung, GaAs und CdTe in Wasser, Polymere in alkoholischen oder organischen Lösungsmitteln, vor allem in Gegenwart von Sauerstoff.
Beispiele für lichtunempfindliche Zustände sind: sämtliche vorgenannte Materialien in trockener Luft, Si und Polypyrrol und andere Polymere in Wasser, da z.B. Siθ2 das Material passiviert und Pyrrol; Mono-, Oligo- und Polymere, in die Polymere nach dem Bestrahlen der Teilchen umgewandelt werden, und die sich nicht in Wasser lösen.
Beispiele für die Überführung der Materialien vom lichtunempfindlichen in den lichtempfindlichen Zustand: generell Eintauchen in eine Lösung, in der die
Photokorrosionsprodukte löslich sind; vorteilhaft ist regelmäßig die Gegenwart von Sauerstoff, der zum Peroxid oder Superoxid reduziert werden kann.
Das Verfahren weist gegenüber dem Verfahren der ein- gangs genannten Art mit dem Photolack den Vorteil auf, daß die Monokornmembran sich zunächst in einem lichtunempfindlichen Zustand befindet. Hieraus resultiert regelmäßig eine erheblich verbesserte Lebensdauer gegenüber Photolacken. Verfahrensgemäß befindet sich die Monokornmembran nur für kurze Zeit im lichtempfindlichen Zustand. Nach Abschluß des Verfahrens liegt eine Maske in einem lichtunempfindlichen Zustand vor, die daher unproblematisch gehandhabt werden kann.
Das nach dem Verfahren hergestellte Produkt ist also eine Monokornmembran, die vorgegebene definierte Strukturen aufweist und als Maske der eingangs genannten Art fungiert .
Die anspruchsgemäße Maske wird z. B. beim Siebdruckverfahren verwendet, bei der Lithographie, zur Herstellung von Chips oder zur Herstellung von Elektroden.
Ausführungsbeispiele :
Mononokornmembranen werden z.B. hergestellt durch Aufstreuen von Halbleiterpulvern auf eine mit UHLJ - Photokleber bestrichene Glasplatte, anschließendes Eintauchen in eine Lösung aus dem 2-Komponenten- Kunststoff Desmodurc/Desmophen® in Xylol und nachfolgendes Abziehen, Härten und Abätzen des Polymers mit einer KOH-Lösung.
Eingesetzt wurden bisher: CdS-, CdTe-, CdSe-, CuInSe2~ Teilchen mit Durchmessern zwischen 20 μm und 50 μm, die selber unter Belichtung korrodieren, sowie Tiθ2. ZnO, CdS, die z. B. in alkoholischer Lösung die Polymerfolien, hier Polyurethan, anlösen und dann herausfallen . Dimensionierungen der Masken, die im allgemeinen verwendet werden, sind z. B. Dimensionen, die beim Siebdruckverfahren für Bilder erforderlich sind: zwischen 1 μm und einigen hundert μm je nach gewünschter Feinheit der Strukturen, beim Drucken von Pasten zur Herstellung von Keramiken auch im Millimeterbereich oder größer. Die Maskengrößen selbst liegen im Bereich von Quadratmikrometern bis hunderten von Quadratzentimetern für das Belichten oder Maskenätzen. Für einen Pastendruck zur Keramikherstellung können auch Quadratmeter vorgesehen sein.
Dimensionen, die bei der Lithographie eine Rolle spielen, sind: je nach Lithographieverfahren von nm (Röntgen- und Elektronenstrahl-), hundert nm (für UV),
1 μm für sichtbares Licht usw.. Beispiele für Dimensionen und Aussehen einer Maske, wenn Elektroden hergestellt werden sollen, sind: Für die Herstellung von Punktkontaktelektroden können extreme Unterschiede erforderlich sein, z. B. nm-Höhen mit μm-Durchmessern in cm-Abständen. Eine Monokornmembran und keine Membran, die aus mehreren Pulverlagen besteht, wird eingesetzt, damit nach dem Belichten und dem korrionsbedingten Herausfallen oder Auflösen der Teilchen der Weg für das zu druckende Material oder die zum Belichten oder Ätzen verwendeten Strahlen frei sein muß.
Einkristalline Teilchen bei der Membran zu verwenden, weist den Vorteil auf, daß dann der Photoeffekt mit einer höheren Quantenausbeute den gewünschten Auflösungseffekt erzielt. Eine Maske im Sinne der Erfindung weist insbesondere eine Mehrzahl an Löchern und/ oder Schlitzen auf. Schlitze verlaufen insbesondere gemäß typischen künstlich erzeugten Geometrien, wie geradlinig, entsprechend dem Ein- oder Mehrfachen von einem Viertel eines Kreisumfangs oder rechtwinkelig. Die Löcher oder Schlitze liegen in der Maske in der Regel entsprechend dem Zweck nicht zufällig verteilt, sondern künstlich angeordnet vor.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e
Verfahren zur Herstellung einer Maske mit den Schritten:
- eine Monokornmembran wird verwendet, die aus lichtempfindlichen Teilchen aufgebaut ist,
- wobei als Teilchen solche verwendet werden, die sich in einem ersten Zustand gegenüber Licht empfindlich und in einem zweiten Zustand sich gegenüber Licht unempfindlich verhalten;
- die Monokornmembran wird vom lichtunempfind- lichen in den lichtempfindlichen Zustand gebracht ;
- anschließend wird die Monokornmembran entsprechend einer vorgegebenen Struktur belichtet;
- entsprechend der Belichtung fallen die Körner aus der Monokornmembran heraus ;
- die Monokornmembran wird anschließend vom lichtempfindlichen Zustand in den lichtunempfindlichen Zustand gebracht.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen der Monokornmembran aus einkristallinen Halbleitermaterialien bestehen.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Überführung von einem lichtunempfindlichen in einen lichtempfindlichen Zustand durch Befeuchten der Monokornmembran erfolgt .
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Überführung von einem lichtempfindlichen in einen lichtunempfindlichen Zustand durch Trocknen der Monokornmembran erfolgt .
5. Maske, bestehend aus einer Monokornmembran mit definierten Strukturen in der Monokornmembran.
Verwendung einer Maske bestehend aus einer Monokornmembran mit definierter Struktur in der Monokornmembran für ein Siebdruck-, für ein Lithographieverfahren oder für die Herstellung von Elektroden.
EP00922424A 1999-03-03 2000-03-01 Monokornmembranmaske Withdrawn EP1157308A2 (de)

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