EP1080623A1 - Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen Download PDF

Info

Publication number
EP1080623A1
EP1080623A1 EP00118138A EP00118138A EP1080623A1 EP 1080623 A1 EP1080623 A1 EP 1080623A1 EP 00118138 A EP00118138 A EP 00118138A EP 00118138 A EP00118138 A EP 00118138A EP 1080623 A1 EP1080623 A1 EP 1080623A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
electron
bulk material
bulk
electrons
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP00118138A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP1080623B1 (de
Inventor
Siegfried Dr. Panzer
Rainer Bartel
Olaf Dr. Röder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Publication of EP1080623A1 publication Critical patent/EP1080623A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP1080623B1 publication Critical patent/EP1080623B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01C—PLANTING; SOWING; FERTILISING
    • A01C1/00—Apparatus, or methods of use thereof, for testing or treating seed, roots, or the like, prior to sowing or planting
    • A01C1/08—Immunising seed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/081—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing particle radiation or gamma-radiation
    • B01J19/085—Electron beams only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/08—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles
    • B01J8/12—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles moved by gravity in a downward flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J33/00—Discharge tubes with provision for emergence of electrons or ions from the vessel; Lenard tubes
    • H01J33/02—Details

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for the treatment of Bulk, preferably seeds, with accelerated electrons.
  • the preferred The field of application is the phytosanitary treatment of seeds against seeds Pathogens that are predominantly located in the seed coat of the seeds. Further areas of application are the surface sterilization of infected plastic disposable articles after shredding in the recycling process, the chemical surface activation as well as the implementation of other radiation chemical processes on bulk material.
  • Electron accelerators work, the electrons passing through a beam exit window emerge at atmospheric pressure (DE 44 34 767 C1, EP 0 705 531 B1). The Bulk material is also guided through the electron field in free fall. At this Solution eliminates the expense of otherwise necessary evacuation of the process chamber. Nevertheless, the disadvantage of the high expenditure on equipment due to the necessary remains Use of at least two electron accelerators.
  • the backscattered electrons have a velocity component opposite to the original direction of incidence of the electrons and enable the side of the particles facing away from the original direction of incidence of the electrons to also be exposed to electron bombardment.
  • the disadvantage is that the intensity of the radiation from the backscattered electrons is significantly lower than the intensity of the radiation from the electrons emerging directly from the beam exit window, which leads to uneven radiation of the individual particles.
  • Another disadvantage is that the gas velocity required to carry the particles increases sharply as the ratio of mass to surface of the transported particles increases. This would require very high gas flow velocities for larger-sized bulk materials - such as wheat or corn. At these high speeds, the energy doses that can be transmitted in the electron field would be limited to very small values that are far too low for numerous applications.
  • Another disadvantage of this known solution is that the electrons have to additionally penetrate the aluminum foil closing the rectangular channel after they exit the electron accelerator before they strike the particles to be treated. As a result, the electrons suffer an additional undesirable loss of energy.
  • the invention has for its object a method and an associated device for the treatment of bulk goods that make it possible, regardless of the particle size and with comparatively little vacuum technology, which on the Vacuum generation of the electron accelerator is limited, a sufficient uniform treatment of the surface of bulk particles with accelerated Perform electrons at about atmospheric pressure.
  • the object is achieved by the method according to claim 1.
  • the subject of claim 8 is a suitable for performing the method Facility.
  • Particularly advantageous embodiments are in claims 2 to 7 and 9 to 22 described.
  • the bulk material flow is at atmospheric pressure passed through an electron field several times. That has the advantage of being a technological one conditional transport speed, which after one pass too - for effective Surface treatment - leading to low energy doses, can be maintained as by the repeated action of the electrons on each bulk particle Enough electrons act on the surface of each particle.
  • an electron beam is generated which exits to the atmosphere via a beam exit window.
  • the acceleration voltage for generating the electron beam is adjusted in accordance with the desired depth of penetration of the electrons into the surface of the particles of the bulk material and the beam power is fixed to the energy dose to be transmitted.
  • the electron field which forms in front of the beam exit window has the cross section of an elongated rectangle with the same properties in the longitudinal direction of the rectangle.
  • the bulk material is guided past the beam exit window in a direction transverse to its longitudinal direction.
  • the number of areas depends on the required dose homogeneity on the particle surface, which determines the number of required passes of the particles of the bulk material through the electron field. Each run takes place in a separate area. The areas ensure that the bulk material flow is guided through a certain part of the electron field during one pass.
  • a process chamber is in one corresponding to the number of passes of the bulk material Number of subchambers divided.
  • An electron accelerator with a beam exit window is arranged transversely to the bulk material flow and extends across the entire width of the Process chamber.
  • the subchambers are channel-like and thereby form areas in which the bulk material is treated.
  • the outputs from the first to the penultimate subchamber are provided with funds to promote the Bulk goods connected, the bulk goods from the exit of a sub-chamber to the entrance of the transport the next subchamber.
  • the entrance of the first sub-chamber and the The exit of the last part of the chamber is equipped with facilities for the supply and discharge of the Provide bulk goods to and from the facility, which means continuous operation of the Facility enables.
  • Bulk goods separated by appropriate mechanical devices, so that it Passes the area of the electron field as a transparent bulk flow in free fall. In front mechanical separation occurs again when entering the next area a transparent bulk flow. According to the number of areas, these are Runs repeated several times. After passing through the last area, the Removal of the bulk goods.
  • the electrons of the electron field have a preferred velocity component in the direction of the beam.
  • Electron reflectors are advantageously arranged opposite the beam exit window.
  • the backscattered electrons at these electron reflectors have a lower intensity than the electrons incident in the electron beam. This leads to an inhomogeneous dose distribution on the particle surface.
  • the separation into a transparent bulk material flow ensures that the individual particles of the bulk material do not shade each other and thus the effectiveness of the electron treatment is reduced.
  • the movement sequences during conveyance and separation ensure that the particles of the bulk material have a different orientation with respect to the electron field with each pass.
  • the individual dose distributions on the surface of the bulk particles are statistically superimposed.
  • the minimum of the dose transmitted per surface element is approximately half the maximum value which strikes the particle side facing the beam exit window. This dose distribution on the particle surface means that, after three runs of the bulk material, a sufficient homogeneity of the surface treatment is achieved for most applications.
  • Targeted braking of the particles is advantageous for those who are particularly sensitive to shock Bulk goods.
  • FIG. 1 shows the basic structure of a three-part process chamber 1 with the partial chambers 1 a; 1b; 1c.
  • an electron accelerator 2 is arranged as a band emitter transversely to the direction of flow of the seed to be treated.
  • the electron accelerator 2 generates an electron beam 3.
  • the electron beam 3 passes through a beam exit window 4 into the partial chambers 1a filled with nitrogen or air; 1b; 1c.
  • an electron field 3a; 3b; 3c which acts on the seed 5 which is conveyed in free fall.
  • the seed 5 is fed to the inlet funnel 6a.
  • a vibration conveyor 8a separates the seeds 5 into a transparent curtain, which is guided through the electron field 3a in free fall.
  • a cellular wheel sluice 9a serves as a seal for discharging the seed 5 from the partial chamber 1a.
  • a conveyor 10a feeds the seed 5 to the inlet funnel 6b. The seed passes through the vibration conveyor 8b, the sub-chamber 1b and is subjected to the electron action a second time, in the electron field 3b. The seeds are discharged from the sub-chamber 1b through the rotary valve 9b. With the aid of the conveying device 10b, the seed 5 is again transported upwards and fed to the vibration conveyor 8c.
  • the seed 5 passes through the electron field 3c in free fall and is exposed to the electron action a third time.
  • a sufficiently homogeneous distribution of the energy dose on almost every grain is achieved by transferring the energy dose in 3 steps, each time with a new change in the position of the individual grains of the seed 5.
  • the conveying device 11 takes over the removal of the seeds 5 in a known manner.
  • the electron accelerator 2 with the beam exit window 4 and the subchambers 1a, 1b and 1c are housed in a radiation protection covering 12.
  • the S-shaped design of the radiation protection covering in the area of the vibration conveyor 8a; 8b; 8c and at the cellular wheel locks 9a; 9b, 9c ensures radiation tightness.
  • the exchange of the gas in the sub-chambers 1a; 1b; 1c, which are filled with air or nitrogen, with the ambient air is on the seed exit side through the rotary valve 9a; 9b; 9c prevented.
  • the cooling gas used to cool the jet exit window 4 is identical to the gas in the subchambers 1a; 1b; 1c and is guided past the jet exit window 4 through a nozzle system 14 with gas inlet 15 and gas outlet 16.
  • FIG. 2 shows a section as a cross section in the area of the electron field through a device for electron treatment of seeds with a profiled, roof-like electron reflector, which is also used to obtain a dose-proportional signal.
  • the electrons of the electron field 3a appear through the beam exit window 4 Atmospheric pressure, cross for the most part a grid 17, which to protect the Beam exit window 4 serves in front of ricocheting seeds, and partially hit the isolated flow of seeds 5.
  • the seed 5 is due to the electrons hitting from different spatial directions acts, which in addition to the multiple pass of the seeds 5 a more homogeneous Distribution of the energy dose around the circumference of each seed causes.
  • the electron reflector 18 is mounted on a cooled holder 19 and through a Insulator 20 electrically isolated from this.
  • a voltage measuring device 22 enables the voltage drop to be measured over the resistor 21 and so the acquisition of a dose-dependent signal. This signal is fed to a process computer in a known manner and for the purpose the process control further processed.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Soil Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Storage Of Fruits Or Vegetables (AREA)
  • Preparation Of Fruits And Vegetables (AREA)
  • Disintegrating Or Milling (AREA)

Abstract

Bei der Behandlung von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen kommt es oft darauf an, die Oberfläche der einzelnen Schüttgutteilchen gleichmäßig von allen Seiten zu behandeln, was meist einen erheblichen apparativen Aufwand zur Erzeugung eines von allen Seiten einwirkenden Elektronenfeldes erfordert. Das neue Verfahren soll eine gleichmäßige Behandlung der einzelnen Schüttgutteilchen auch in einem gerichteten Elektronenfeld ermöglichen. Durch mehrfachen Durchlauf der Schüttgutteilchen durch ein Elektronenfeld mit einer ausgeprägten Vorzugsrichtung der Elektronen und zwischen den einzelnen Durchläufen erfolgende zufällige Bewegungen der Schüttgutteilchen werden diese der Elektroneneinwirkung mehrfach in unterschiedlicher Ausrichtung ausgesetzt. Inhomogene Dosisverteilungen auf der Oberfläche der Schüttgutteilchen bei einzelnen Durchläufen werden somit statistisch überlagert, was zu einer gleichmäßigeren Behandlung führt.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen. Das bevorzugte Anwendungsgebiet ist die phytosanitäre Behandlung von Saatgut gegen samenbürtige Schaderreger, die überwiegend in der Samenschale der Samenkörner angesiedelt sind. Weitere Anwendungsgebiete sind die Oberflächensterilisation infizierter Kunststoff-Einwegartikel nach der Zerkleinerung im Recyclingprozess, die chemische Oberflächenaktivierung sowie die Durchführung anderer strahlenchemischer Prozesse an Schüttgut.
Es sind verschiedene Verfahren und die entsprechenden Einrichtungen zur Behandlung von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen in verschiedenen Ausführungen - angepasst an das zu behandelnde Gut - bekannt.
So wird in einer evakuierten Kammer durch gegenüberliegende Anordnung zweier Elektronenbeschleuniger ein Elektronenfeld mit entgegengesetzten Geschwindigkeitskomponenten der Elektronen erzeugt, durch welches das Schüttgut im freien Fall in einem ausgedehnten transparenten Strom geführt wird (DD 291 705). Zur Elektronenbehandlung wird das Schüttgut in die Kammer über Zellenradschleusen eingeschleust und nach dem Elektronenstrahlprozess wieder ausgeschleust. Der Nachteil solcher Einrichtungen ist jedoch der hohe apparative Aufwand für die Erzeugung des Elektronenfeldes, da mindestens zwei Elektronenbeschleuniger erforderlich sind, und der hohe vakuumtechnische Aufwand.
Es ist außerdem bekannt, ein Elektronenfeld mit entgegengesetzten Geschwindigkeitskomponenten dadurch zu erzeugen, dass der Elektronenstrahl, nachdem er den Strom der Schüttgutteilchen passiert hat, durch eine magnetische Umlenkung auf den Teilchenstrom zurückgelenkt wird. Einrichtungen dieser Art vermeiden den Aufwand für einen zweiten Elektronenbeschleuniger. Der Nachteil dieses Verfahrens besteht jedoch darin, dass durch den relativ langen Weg, den der Elektronenstrahl in der Prozesskammer durchläuft, ein wesentlich besseres Vakuum benötigt wird, was bezüglich der Vakuumerzeugung einen noch höheren apparativen Aufwand erfordert.
Es sind auch Verfahren und Einrichtungen bekannt, die mit zwei einander gegenüberliegenden Elektronenbeschleunigern arbeiten, wobei die Elektronen über ein Strahlaustrittsfenster an Atmosphärendruck austreten (DE 44 34 767 C1, EP 0 705 531 B1). Das Schüttgut wird dabei ebenfalls im freien Fall durch das Elektronenfeld geführt. Bei dieser Lösung entfällt der Aufwand zur sonst erforderlichen Evakuierung der Prozesskammer. Dennoch verbleibt der Nachteil des hohen apparativen Aufwandes durch den notwendigen Einsatz von mindestens zwei Elektronenbeschleunigern.
Es ist weiterhin bekannt, pulverförmige und körnige Materialien an Atmosphärendruck mit Elektronen zu behandeln, wobei nur ein Elektronenbeschleuniger zum Einsatz kommt und die zu bestrahlenden Teilchen in einem Gasstrom durch das Elektronenfeld getragen werden (WO 98/43274). Der Gasstrom mit den zu bestrahlenden Teilchen wird durch einen rechteckigen Kanal geführt, der an einer Seite mit einer 25 µm dicken Aluminumfolie verschlossen ist, durch welche die Elektronen nach ihrer Ausschleusung über eine 13 µm dicke Titanfensterfolie und Durchlaufen der Distanz bis zum Bestrahlungskanal eindringen. Der Aluminiumfolie gegenüberliegend wird der rechteckige Kanal durch eine ebene Platte aus einem Werkstoff hoher Ordnungszahl gebildet. Nach Durchdringen des Kanalquerschnitts werden die Elektronen von dieser Platte zu einem gewissen Anteil rückgestreut. Die rückgestreuten Elektronen haben eine der ursprünglichen Einfallsrichtung der Elektronen entgegengerichtete Geschwindigkeitskomponente und ermöglichen, dass auch die bezüglich der ursprünglichen Einfallsrichtung der Elektronen abgewandte Seite der Teilchen einem Elektronenbeschuss ausgesetzt ist.
Von Nachteil ist, dass die Intensität der Bestrahlung durch die rückgestreuten Elektronen wesentlich niedriger ist als die Intensität der Bestrahlung durch die unmittelbar aus dem Strahlaustrittsfenster austretenden Elektronen, was zu einer ungleichmäßigen Bestrahlung der einzelnen Teilchen führt. Nachteilig ist auch, dass die zum Tragen der Teilchen erforderliche Gasgeschwindigkeit mit steigendem Verhältnis von Masse zur Oberfläche der transportierten Teilchen stark ansteigt. Somit würden für größerkörnige Schüttgüter - wie z.B. Weizen oder Mais - sehr hohe Gasströmungsgeschwindigkeiten erforderlich werden. Bei diesen hohen Geschwindigkeiten würden die im Elektronenfeld übertragbaren Energiedosen auf sehr kleine, für zahlreiche Anwendungen wesentlich zu geringe Werte begrenzt werden. Ein weiterer Nachteil dieser bekannten Lösung besteht darin, dass die Elektronen nach dem Austritt aus dem Elektronenbeschleuniger noch zusätzlich die den rechteckigen Kanal verschließende Aluminiumfolie durchdringen müssen, bevor sie auf die zu behandelnden Teilchen treffen. Dadurch erleiden die Elektronen einen zusätzlichen unerwünschten Energieverlust.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine zugehörige Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut zu schaffen, die es gestatten, unabhängig von der Teilchengröße und mit vergleichsweise geringem vakuumtechnischen Aufwand, der auf die Vakuumerzeugung des Elektronenbeschleunigers beschränkt ist, eine hinreichend gleichmäßige Behandlung der Oberfläche von Schüttgutteilchen mit beschleunigten Elektronen bei etwa Atmosphärendruck durchzuführen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Gegenstand des Anspruchs 8 ist eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Einrichtung. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 7 und 9 bis 22 beschrieben.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Schüttgutstrom bei Atmosphärendruck mehrmals durch ein Elektronenfeld geführt. Das hat den Vorteil, dass eine technologisch bedingte Transportgeschwindigkeit, die nach einem Durchlauf zu - für eine effektive Oberflächenbehandlung - zu niedrigen Energiedosen führt, beibehalten werden kann, da durch die wiederholte Einwirkung der Elektronen auf jedes Schüttgutteilchen die Oberfläche jedes Teilchens von genügend Elektronen beaufschlagt wird.
Inhomogenitäten der Intensität der Oberflächenbehandlung in einem einzelnen Durchlauf des Schüttgutstroms durch das Elektronenfeld werden ausgeglichen. Der Schüttgutstrom durchläuft mehrmals nacheinander das Elektronenfeld als ein zumindest im Bereich des Elektronenfeldes transparenter Schüttgutstrom. Beim Passieren des Elektronenfeldes wirken die Elektronen auf die Oberfläche der Teilchen ein und erzeugen nach dem ersten Durchlauf eine erste Dosisverteilung in der Teilchenoberfläche. Durch unterschiedliche Teilchenorientierung und -rotation im Elektronenfeld ist diese teilchenindividuell unterschiedlich. Die Dosisverteilung in der Oberfläche weist im Allgemeinen ein Dosismaximum und ein Dosisminimum auf. Beim Passieren des Elektronenfeldes in weiteren Durchläufen erfolgt wiederum eine Elektroneneinwirkung mit der gleichen Charakteristik. Die dadurch erzeugte Dosisverteilung wird jedoch durch die inzwischen erfolgte zufällige Bewegung der Teilchen der vorangegangenen statistisch überlagert. Damit wird die resultierende Gesamtdosisverteilung, welche sich aus der Summe der einzelnen Dosisverteilungen ergibt, mit jedem Durchlauf gleichmäßiger. Mehrfachanordnungen von Elektronenbeschleunigern zur Homogenisierung des Elektronenfeldes werden dadurch überflüssig. Es genügen einfache Elektronenreflektoren, um bereits nach wenigen
Durchläufen des Schüttgutstromes eine ausreichend gleichmäßige Dosisverteilung auf der Teilchenoberfläche zu erreichen. Die Anzahl der Durchläufe ist abhängig von der benötigten Dosishomogenität auf der Oberfläche der Teilchen.
Da somit auch die für eine magnetische Umlenkung des Elektronenstrahles erforderliche freie Weglänge der Elektronen entfällt, kann die Behandlung an Atmosphärendruck erfolgen. Damit ist nur für den Elektronenbeschleuniger selbst die Vakuumerzeugung nötig. Im geringen vakuumtechnischen Aufwand und der kostengünstigen Ausführbarkeit unter Einsatz nur eines Elektronenbeschleunigers liegen die entscheidenden Vorteile des Verfahrens. Damit ist auch die Möglichkeit gegeben, mit relativ geringem Aufwand die Einrichtung mobil auszuführen.
Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben.
In einem bekannten Elektronenbeschleuniger vom Typ mit Linearkatodensystem, vielfach auch Bandstrahler genannt, wird ein Elektronenstrahl erzeugt, der über ein Strahlaustrittsfenster an Atmosphäre austritt. Die Beschleunigungsspannung zur Erzeugung des Elektronenstrahls wird entsprechend der gewünschten Eindringtiefe der Elektronen in die Oberfläche der Teilchen des Schüttgutes angepasst und die Strahlleistung auf die zu übertragende Energiedosis festgelegt.
Das Elektronenfeld, welches sich vor dem Strahlaustrittsfenster ausbildet, hat den Querschnitt eines langgestreckten Rechtecks mit in Längsrichtung des Rechteckes gleichen Eigenschaften. Vor dem Strahlaustrittsfenster wird quer zu seiner Längsrichtung in mehreren Bereichen das Schüttgut vorbeigeführt. Die Anzahl der Bereiche richtet sich nach der geforderten Dosishomogenität auf der Teilchenoberfläche, was die Zahl der erforderlichen Durchläufe der Teilchen des Schüttgutes durch das Elektronenfeld bestimmt. Jeder Durchlauf erfolgt in einem gesonderten Bereich. Die Bereiche sorgen dafür, dass der Schüttgutstrom bei einem Durchlauf jeweils durch einen bestimmten Teil des Elektronenfeldes geführt wird.
Die Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist wie folgt aufgebaut: Eine Prozesskammer ist in eine der Anzahl der Durchläufe des Schüttgutes entsprechende Anzahl von Teilkammern unterteilt. Ein Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster ist quer zum Schüttgutstrom angeordnet und erstreckt sich über die gesamte Breite der Prozesskammer. Die Teilkammern sind kanalartig ausgebildet und bilden dadurch Bereiche, in denen das Schüttgut behandelt wird.
Die Ausgänge der ersten bis vorletzten Teilkammer sind mit Mitteln zur Förderung des Schüttgutes verbunden, die das Schüttgut vom Ausgang einer Teilkammer zum Eingang der jeweils nächsten Teilkammer transportieren. Der Eingang der ersten Teilkammer und der Ausgang der letzten Teilkammer sind mit Einrichtungen zur Zu- und Abführung des Schüttgutes zur und von der Einrichtung versehen, was einen kontinuierlichen Betrieb der Anlage ermöglicht. Bevor das Schüttgut der ersten Teilkammer zugeführt wird, wird das Schüttgut durch entsprechende mechanische Einrichtungen vereinzelt, so dass es den Bereich des Elektronenfeldes als transparenter Schüttgutstrom im freien Fall passiert. Vor dem Eintritt in den nächsten Bereich erfolgt erneut eine mechanische Vereinzelung zu einem transparenten Schüttgutstrom. Entsprechend der Anzahl der Bereiche werden diese Durchläufe mehrmals wiederholt. Nach Durchlaufen des letzten Bereiches erfolgt der Abtransport des Schüttgutes.
Die Elektronen des Elektronenfeldes haben eine bevorzugte Geschwindigkeitskomponente in Strahleinfallsrichtung. Vorteilhafterweise sind gegenüber dem Strahlaustrittsfenster Elektronenreflektoren angeordnet. Die an diesen Elektronenreflektoren rückgestreuten Elektronen haben jedoch eine geringere Intensität als die im Elektronenstrahl einfallenden Elektronen. Dadurch kommt es zu einer inhomogenen Dosisverteilung auf der Teilchenoberfläche. Die Vereinzelung in einen transparenten Schüttgutstrom gewährleistet, dass sich die einzelnen Teilchen des Schüttgutes nicht gegenseitig abschatten und damit die Wirksamkeit der Elektronenbehandlung vermindert wird. Gleichzeitig sorgen die Bewegungsabläufe bei Förderung und Vereinzelung dafür, dass die Teilchen des Schüttgutes bei jedem Durchlauf eine andere Orientierung bezüglich des Elektronenfeldes haben. Die einzelnen Dosisverteilungen auf der Oberfläche der Schüttgutpartikel werden statistisch überlagert.
Das Minimum der pro Flächenelement übertragenen Dosis liegt etwa beim halben Maximalwert, welcher auf der dem Strahlaustrittsfenster zugewandten Teilchenseite auftrifft. Diese Dosisverteilung auf der Teilchenoberfläche bedingt, dass bereits nach drei Durchläufen des Schüttgutes eine für die meisten Anwendungen ausreichende Homogenität der Oberflächenbehandlung erzielt wird.
Die Variante, bei der ein transparenter Schüttgutstrom das Elektronenfeld im freien Fall durchläuft, ist technologisch besonders leicht zu realisieren. Daneben ist es jedoch denkbar, zur Erhöhung des Durchsatzes das Schüttgut durch eine Vorrichtung am Eingang der
Bereiche auf eine bestimmte Geschwindigkeit zwangsweise zu beschleunigen und die Teilchen nach dieser Vorbeschleunigung im freien Fall durch das Elektronenfeld zu führen. Eine gezielte Abbremsung der Teilchen ist vorteilhaft für besonders stoßempfindliche Schüttgüter.
An einem Ausführungsbeispiel wird die Erfindung näher beschrieben.
Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in
Fig. 1:
eine Ansicht einer Einrichtung zur Elektronenbehandlung von Saatgut mit einem Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster und einem Fördersystem für einen dreimaligen Durchlauf des Saatgutes durch das Elektronenfeld,
Fig. 2:
einen Querschnitt durch einen Teil der Einrichtung gemäß Fig. 1 im Bereich des Elektronenfeldes.
In Fig. 1 ist der prinzipielle Aufbau einer dreigeteilten Prozesskammer 1 mit den Teilkammern 1a; 1b; 1c dargestellt. Auf einer Seite der Teilkammern 1a; 1b; 1c ist ein Elektronenbeschleuniger 2 als Bandstrahler quer zur Durchlaufrichtung des zu behandelnden Saatgutes angeordnet. Der Elektronenbeschleuniger 2 erzeugt einen Elektronenstrahl 3. Durch ein Strahlaustrittsfenster 4 tritt der Elektronenstrahl 3 in die mit Stickstoff oder Luft gefüllten Teilkammern 1a; 1b; 1c. Im Bereich vor dem Strahlaustrittsfenster 4 besteht somit in jeder Teilkammer 1a; 1b; 1c ein Elektronenfeld 3a; 3b; 3c, welches auf das im freien Fall geförderte Saatgut 5 einwirkt. Das Saatgut 5 wird dem Einlauftrichter 6a zugeführt. Mit Hilfe einer Dosiereinrichtung 7 erfolgt die Einstellung des erforderlichen Massendurchsatzes an Saatgut. Ein Vibrationsförderer 8a vereinzelt das Saatgut 5 zu einem transparenten Vorhang, der im freien Fall durch das Elektronenfeld 3a geführt wird. Eine Zellradschleuse 9a als Abdichtung dient zur Ausschleusung des Saatgutes 5 aus der Teilkammer 1a. Eine Fördereinrichtung 10a führt das Saatgut 5 dem Einlauftrichter 6b zu. Das Saatgut durchläuft den Vibrationsförderer 8b, die Teilkammer 1b und wird ein zweites Mal der Elektroneneinwirkung, im Elektronenfeld 3b, unterzogen. Der Saatgutaustrag aus der Teilkammer 1b erfolgt durch die Zellradschleuse 9b. Mit Hilfe der Fördereinrichtung 10b wird das Saatgut 5 erneut nach oben transportiert und dem Vibrationsförderer 8c zugeführt. In der Teilkammer 1c gelangt das Saatgut 5 im freien Fall durch das Elektronenfeld 3c und wird ein drittes Mal der Elektroneneinwirkung ausgesetzt. Durch die Übertragung der Energiedosis in 3 Schritten mit jeweils erneuter Lageänderung der einzelnen Körner des Saatgutes 5 wird eine ausreichend homogene Verteilung der Energiedosis auf nahezu jedem Korn erreicht.
Nach Ausschleusung des Saatgutes 5 durch die Zellradschleuse 9c übernimmt die Fördereinrichtung 11 den Abtransport des Saatgutes 5 in bekannter Weise. Der Elektronenbeschleuniger 2 mit Strahlaustrittsfenster 4 und die Teilkammern 1a, 1b und 1c sind in einer Strahlenschutzverkleidung 12 eingehaust. Die S-förmige Ausbildung der Strahlenschutzverkleidung im Bereich der Vibrationsförderer 8a; 8b; 8c und an den Zellradschleusen 9a; 9b, 9c gewährleistet die Strahlendichtheit.
Der Austausch des Gases in den Teilkammern 1a; 1b; 1c, die mit Luft oder Stickstoff gefüllt sind, mit der Umgebungsluft wird auf der Saatgutaustrittsseite durch die Zellradschleusen 9a; 9b; 9c verhindert. Zur Abdichtung der Saatgutzuführung im oberen Bereich der Einlauftrichter 6a; 6b; 6c dient die Saatgutsäule 13a; 13b; 13c, deren Füllstand durch Regeleinrichtungen (nicht dargestellt) konstant gehalten wird. Die Abdichtung beim Anfahren und Leerfahren der Anlage erfolgt durch gesteuerte Luftklappen (nicht dargestellt). Das zur Kühlung des Strahlaustrittsfensters 4 dienende Kühlgas ist identisch mit dem Gas in den Teilkammern 1a; 1b; 1c und wird durch ein Düsensystem 14 mit Gaseinlass 15 und Gasauslass 16 an dem Strahlaustrittsfenster 4 vorbeigeführt.
Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt als Querschnitt im Bereich des Elektronenfeldes durch eine Einrichtung zur Elektronenbehandlung von Saatgut mit einem profilierten, dachartig ausgebildeten Elektronenreflektor, der gleichzeitig zur Gewinnung eines dosisproportionalen Signals dient.
Die Elektronen des Elektronenfeldes 3a treten durch das Strahlaustrittsfenster 4 an Atmosphärendruck aus, durchqueren zum größten Teil ein Gitter 17, das zum Schutz des Strahlaustrittsfensters 4 vor abprallenden Saatkörnern dient, und treffen teilweise auf den vereinzelten Strom des Saatgutes 5. Der übrige Teil der Elektronen trifft ohne Wechselwirkung mit dem Saatgut 5 auf den profilierten Elektronenreflektor 18 und wird so reflektiert, dass die zuvor aus einer Vorzugsrichtung auftreffenden Elektronen des Elektronenfeldes 3a in zwei unterschiedliche Richtungen rückgestreut werden. Das Saatgut 5 wird durch die aus verschiedenen Raumrichtungen auftreffenden Elektronen beaufschlagt, was zusätzlich zum Mehrfachdurchlauf des Saatgutes 5 eine homogenere Verteilung der Energiedosis am Umfang eines jeden Saatkornes bewirkt.
Der Elektronenreflektor 18 ist auf einem gekühlten Halter 19 montiert und durch einen Isolator 20 von diesem elektrisch getrennt. Der Anteil des auf den Elektronenreflektor 18 treffenden Elektronenstromes, der nicht zurückgestreut wird, fließt über einen Widerstand 21 gegen Erde ab. Ein Spannungsmessgerät 22 ermöglicht die Messung des Spannungsabfalles über dem Widerstand 21 und so die Gewinnung eines dosisabhängigen Signals. Dieses Signal wird in bekannter Weise einem Prozessrechner zugeführt und zum Zwecke der Prozesssteuerung weiterverarbeitet.

Claims (22)

  1. Verfahren zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise Saatgut, mit beschleunigten Elektronen, bei dem das Schüttgut in einem transparenten Schüttgutstrom bei näherungsweise Atmosphärendruck durch das von einem Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster erzeugte Elektronenfeld geführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Behandlung erforderliche Energiedosis in mehreren Durchläufen auf die Schüttgutteilchen übertragen wird, indem das Schüttgut mehrmals nacheinander durch das Elektronenfeld geführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Intensitätsverteilung der Elektronen des Elektronenfeldes bei jedem Durchlauf gleich eingestellt wird.
  3. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Schüttgut das Elektronenfeld bei jedem Durchlauf mit der gleichen Geschwindigkeit durchläuft.
  4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Schüttgut das Elektronenfeld im freien Fall durchläuft.
  5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Behandlung des Schüttgutes mit beschleunigten Elektronen ein Prozessgas zugeführt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas Stickstoff ist.
  7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Schüttgut das Elektronenfeld als einlagiger transparenter Schüttgutstrom durchläuft.
  8. Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise Saatgut, mit beschleunigten Elektronen nach Anspruch 1, bestehend aus mindestens einem Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster, den zugehörigen vakuumtechnischen, elektrischen und streuerungstechnischen Mitteln zum Betrieb des Elektronenbeschleunigers, Mitteln für eine Zu- und Abführung des Schüttgutes und Mitteln für die Erzeugung eines transparenten Schüttgutstromes durch eine Prozesskammer, dadurch gekennzeichnet,
    dass die Prozesskammer (1) aus mehreren Bereichen (1a; 1b; 1c) besteht,
    dass sich der Elektronenbeschleuniger (2) über alle diese Bereiche erstreckt,
    dass der Elektronenbeschleuniger (2) quer zum Schüttgutstrom angeordnet ist,
    dass über jedem Bereich eine Schüttgutaufnahme für das in diesem Bereich zu behandelnden Schüttgut und eine Vorrrichtung zur Erzeugung des transparenten Schüttgutstromes angeordnet ist,
    dass unterhalb jedes Bereiches eine Auffangvorrichtung für das in diesem Bereich behandelte Schüttgut angeordnet ist,
    dass die Schüttgutaufnahme über dem ersten Bereich der Prozesskammer (1a) mit einer Vorrichtung für die Zufuhr des unbehandelten Schüttgutes verbunden ist,
    dass die Auffangvorrichtung unter dem letzten Bereich des Schüttgutdurchlaufes mit einer Vorrichtung zur Abführung des behandelten Schüttgutes verbunden ist,
    dass alle anderen Auffangvorrichtungen unter den Bereichen durch Mittel zur Förderung des Schüttgutes mit der Schüttgutaufnahme über den im Schüttgutdurchlauf nächsten Bereich verbunden sind.
  9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenbeschleuniger vom Typ mit Linearkathodensystem ist.
  10. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass Kanäle zur Führung des Schüttgutstroms durch das Elektronenfeld des Elektronenbeschleunigers angeordnet sind.
  11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle rechteckigen Querschnitt haben und nebeneinander aneinandergrenzend angeordnet sind.
  12. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der Kanäle in Strahlrichtung der Elektronen kleiner als die Reichweite der Elektronen an Atmosphärendruck ist.
  13. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Wandung der Kanäle im Bereich erhöhter Auftreffdichte der Elektronen als Elektronenreflektor ausgebildet ist, der aus einem Werkstoff hoher Ordnungszahl besteht.
  14. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Kanal im Bereich der erhöhten Auftreffdichte der Elektronen ein Elektronenreflektor (18) angeordnet ist, der aus einem Werkstoff hoher Ordnungszahl besteht.
  15. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) überwiegend aus Wolfram besteht.
  16. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) aus mehreren Segmenten besteht.
  17. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) profiliert ausgebildet ist.
  18. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) gegen Erdpotential isoliert angeordnet ist, um ein von der Elektronenstromdichte und Teilchenstromdichte abhängiges Signal abzunehmen.
  19. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass unter den Bereichen der Prozesskammer (1a; 1b; 1c) Vorrichtungen zur Abdichtung der Prozesskammer (1) und zur Ausschleusung des Schüttgutes angeordnet sind.
  20. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass mit den Schüttgutaufnahmen Mittel zur Messung und Regelung des Schüttgutfüllstandes verbunden sind.
  21. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Strahlaustrittsfenster (4) ein für Elektronen transparentes Gitter (17) mit Gitteröffnungen kleiner als die Teilchen des Schüttgutes angeordnet ist.
  22. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass in der Nähe des Strahlaustrittsfensters (4) Düsen zum Einlass eines Gasstromes angeordnet sind.
EP00118138A 1999-09-03 2000-08-29 Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen Expired - Lifetime EP1080623B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19942142 1999-09-03
DE19942142A DE19942142B4 (de) 1999-09-03 1999-09-03 Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1080623A1 true EP1080623A1 (de) 2001-03-07
EP1080623B1 EP1080623B1 (de) 2004-12-29

Family

ID=7920729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP00118138A Expired - Lifetime EP1080623B1 (de) 1999-09-03 2000-08-29 Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP1080623B1 (de)
AT (1) ATE285669T1 (de)
DE (2) DE19942142B4 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1285562A1 (de) * 2001-08-21 2003-02-26 Ion Beam Applications S.A. Verfahren und Vorrichtung zum Bestrahlen von Schüttgütern
DE102012209434A1 (de) 2012-06-04 2013-12-05 EVONTA - Service GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Desinfektion rieselfähiger Produkte, vorzugsweise Saatgut, mit beschleunigten Elektronen
WO2013182504A1 (de) * 2012-06-04 2013-12-12 Evonta-Service Gmbh Verfahren und vorrichtung zur desinfektion rieselfähiger produkte, vorzugsweise saatgut, mit ultraviolettlicht (uv-strahlung)
EP3528273A1 (de) 2018-02-20 2019-08-21 Bühler AG Vorrichtung und verfahren zum pasteurisieren und/oder sterilisieren von partikelförmigem gut
CN111741774A (zh) * 2018-02-20 2020-10-02 布勒股份公司 对颗粒物料消毒和/或灭菌的设备和方法
US10849333B2 (en) 2016-08-20 2020-12-01 Buehler Ag Devices and methods for pasteurizing and/or sterilizing particulate material, and cartridge
CN113994791A (zh) * 2021-10-29 2022-02-01 山东省科学院自动化研究所 用于电子射线种子杀菌处理的输送装置及方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007107211A1 (de) 2006-03-20 2007-09-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur eigenschaftsänderung dreidimensionaler formteile mittels elektronen
DE102008007662A1 (de) 2008-02-06 2009-08-13 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Formteilen mittels energiereicher Elektronenstrahlen
DE102008028545A1 (de) 2008-06-16 2009-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Inaktivieren einer mikrobiologisch kontaminierten und Feststoffpartikel enthaltenden Masse mittels beschleunigter Elektronen
DE102009051374A1 (de) * 2009-10-30 2011-06-16 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum Refelektieren beschleunigter Elektronen
EP2870115A1 (de) 2012-07-07 2015-05-13 LIMO Patentverwaltung GmbH & Co. KG Vorrichtung zur erzeugung eines elektronenstrahls
DE102012013593B4 (de) * 2012-07-07 2021-10-14 Lilas Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls
DE102013113688B3 (de) 2013-12-09 2015-05-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Beaufschlagen von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen
ES2722054T3 (es) 2016-08-20 2019-08-07 Buehler Ag Método para pasteurizar y/o esterilizar producto en forma de partículas
DE102017104509A1 (de) 2017-03-03 2018-09-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Erzeugen beschleunigter Elektronen
DE102017113979A1 (de) 2017-06-23 2018-12-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Erzeugen beschleunigter Elektronen
DE102018111782A1 (de) 2018-05-16 2019-11-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Erzeugen beschleunigter Elektronen
DE102018124664A1 (de) 2018-10-05 2020-04-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Inaktivieren biologisch aktiver Bestandteile innerhalb einer Flüssigkeit
DE102019134558B3 (de) 2019-12-16 2021-03-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Beaufschlagen gasförmiger Medien mit beschleunigten Elektronen
DE102021127146B3 (de) 2021-10-19 2023-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Vorrichtung zum Beaufschlagen von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen
DE102021127147B3 (de) 2021-10-19 2023-03-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Vorrichtung zum Beaufschlagen von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen
DE102021127145A1 (de) 2021-10-19 2023-04-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Vorrichtung zum Beaufschlagen von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen
DE102022114434B4 (de) 2022-06-08 2024-01-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Ringförmige Vorrichtung zum Erzeugen von beschleunigten Elektronen
DE102023109753B3 (de) 2023-04-18 2024-10-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Vorrichtung zum Beaufschlagen von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4048504A (en) * 1974-12-23 1977-09-13 Sulzer Brothers Limited Method and apparatus for treating flowable material
DE2731569A1 (de) * 1977-07-06 1979-05-23 Sulzer Ag Vorrichtung zum durchdringenden bestrahlen fliessbaren gutes
US4633611A (en) * 1984-12-31 1987-01-06 Bakish Materials Corporation Process and apparatus for disinfecting seeds
DD242337A1 (de) * 1983-01-12 1987-01-28 Klaus Gaber Verfahren zum beizen von saatgut

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD238715A1 (de) * 1984-03-02 1986-09-03 Ardenne Manfred Verfahren zum beizen von saatgut
DD291702A5 (de) * 1990-01-25 1991-07-11 Wtoez Der Brau- Und Malzindustrie,De Verfahren zur aufbereitung von insbesondere in der getraenkeindustrie anfallenden gebrauchten filterschichten
DD291677B5 (de) * 1990-01-31 1993-11-11 Ardenne Anlagentech Gmbh Verfahren und einrichtung zur saatgutbehandlung
DD291679A5 (de) * 1990-01-31 1991-07-11 Inst Pflanzenschutz Forschung Verfahren zur bekaempfung von samen- und bodenbuertigen schaderregern durch saatgutbehandlung
DD291704B5 (de) * 1990-01-31 1995-08-10 Ardenne Anlagentech Gmbh Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schuettgut mit Elektronenstrahlen
DE59102266D1 (de) * 1990-01-31 1994-08-25 Pfitzer Christian Verfahren und einrichtung zur behandlung vom teilchenförmigem material mit elektronenstralen.
DD291705B5 (de) * 1990-01-31 1995-08-10 Ardenne Anlagentech Gmbh Einrichtung und Verfahren zur Elektronenbestrahlung von Schuettgut
DK0513135T3 (da) * 1990-01-31 1994-11-14 Ardenne Anlagentech Gmbh Fremgangsmåde og indretning til behandling af frømateriale
WO1991011095A1 (de) * 1990-01-31 1991-08-08 Gesellschaft Für Umweltschutzberatung Und -Technik Verfahren zur bekämpfung von samen- und/oder bodenbürtigen schaderregern durch saatgutbehandlung
DD291678A5 (de) * 1990-01-31 1991-07-11 Wissenschaftlich Techn Zentrum Verfahren zur saatgutbehandlung
DE4434767C1 (de) * 1994-09-29 1996-02-22 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Elektronenbehandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut
US5801387A (en) * 1996-03-28 1998-09-01 Electron Processing Systems, Inc. Method of and apparatus for the electron beam treatment of powders and aggregates in pneumatic transfer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4048504A (en) * 1974-12-23 1977-09-13 Sulzer Brothers Limited Method and apparatus for treating flowable material
DE2731569A1 (de) * 1977-07-06 1979-05-23 Sulzer Ag Vorrichtung zum durchdringenden bestrahlen fliessbaren gutes
DD242337A1 (de) * 1983-01-12 1987-01-28 Klaus Gaber Verfahren zum beizen von saatgut
US4633611A (en) * 1984-12-31 1987-01-06 Bakish Materials Corporation Process and apparatus for disinfecting seeds

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1285562A1 (de) * 2001-08-21 2003-02-26 Ion Beam Applications S.A. Verfahren und Vorrichtung zum Bestrahlen von Schüttgütern
WO2003017747A1 (en) * 2001-08-21 2003-03-06 Ion Beam Applications S.A. Method and installation for irradiating bulk material
CN1316865C (zh) * 2001-08-21 2007-05-23 离子束应用股份有限公司 用于对松散材料进行辐射处理的方法和装置
US7513193B2 (en) 2001-08-21 2009-04-07 Ion Beam Applications S.A. Method and installation for irradiating bulk material
WO2013182504A1 (de) * 2012-06-04 2013-12-12 Evonta-Service Gmbh Verfahren und vorrichtung zur desinfektion rieselfähiger produkte, vorzugsweise saatgut, mit ultraviolettlicht (uv-strahlung)
WO2013182500A1 (de) 2012-06-04 2013-12-12 Evonta-Service Gmbh Verfahren und vorrichtung zur desinfektion rieselfähiger produkte, vorzugsweise saatgut, mit beschleunigten elektronen
DE102012209434A1 (de) 2012-06-04 2013-12-05 EVONTA - Service GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Desinfektion rieselfähiger Produkte, vorzugsweise Saatgut, mit beschleunigten Elektronen
US9736977B2 (en) 2012-06-04 2017-08-22 Evonta-Service Gmbh Method and device for disinfecting pourable products, preferably seeds, with accelerated electrons
US10849333B2 (en) 2016-08-20 2020-12-01 Buehler Ag Devices and methods for pasteurizing and/or sterilizing particulate material, and cartridge
US11166472B2 (en) 2016-08-20 2021-11-09 Bühler AG Devices and methods for pasteurizing and/or sterilizing particulate material, and cartridge
EP3528273A1 (de) 2018-02-20 2019-08-21 Bühler AG Vorrichtung und verfahren zum pasteurisieren und/oder sterilisieren von partikelförmigem gut
CN111741774A (zh) * 2018-02-20 2020-10-02 布勒股份公司 对颗粒物料消毒和/或灭菌的设备和方法
US11896041B2 (en) 2018-02-20 2024-02-13 Bühler AG Device and method for pasteurizing and/or sterilizing particulate material
US11963540B2 (en) 2018-02-20 2024-04-23 Bühler AG Device and method for pasteurizing and/or sterilizing particulate material
CN113994791A (zh) * 2021-10-29 2022-02-01 山东省科学院自动化研究所 用于电子射线种子杀菌处理的输送装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
ATE285669T1 (de) 2005-01-15
DE19942142A1 (de) 2001-03-15
DE50009083D1 (de) 2005-02-03
DE19942142B4 (de) 2004-04-15
EP1080623B1 (de) 2004-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19942142B4 (de) Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen
EP2854497B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur desinfektion rieselfähiger produkte, vorzugsweise saatgut, mit beschleunigten elektronen
EP1999775B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur eigenschaftsänderung dreidimensionaler formteile mittels elektronen sowie anwendung des verfahrens
EP3079803B1 (de) Vorrichtung zum beaufschlagen von schüttgut mit beschleunigten elektronen
EP1982921B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Sterilisieren von Behältnissen
EP2650022B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum strahlungsbasierten Sterilisieren von Behältnisverschlüssen
EP0513080B1 (de) Verfahren und einrichtung zur behandlung vom teilchenförmigem material mit elektronenstralen
DE102006020483A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Saatgut mit einem physikalischen Plasma bei Atmosphärendruck
EP0705531B1 (de) Einrichtung zur Elektronenbehandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut
WO2021122404A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum beaufschlagen gasförmiger medien mit beschleunigten elektronen
EP2854498A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur desinfektion rieselfähiger produkte, vorzugsweise saatgut, mit ultraviolettlicht (uv-strahlung)
EP2306792B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Objekten mit einem physikalischen Plasma bei Atmosphärendruck
EP2024080B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von schüttgut mit einem physikalischen plasma bei atmosphärendruck
DD291705B5 (de) Einrichtung und Verfahren zur Elektronenbestrahlung von Schuettgut
DE3427315A1 (de) Durchlaufanlage zum behandeln beschichteter formteile mittels energiereicher strahlung unter inertgasatmosphaere
DE19901058C2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Abbau und/oder Umwandeln chemischer und/oder biologischer Verunreinigungen in einem Fluid
DD291704B5 (de) Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schuettgut mit Elektronenstrahlen
EP3527230B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum pasteurisieren und/oder sterilisieren von partikelförmigem gut
DD291705A5 (de) Einrichtung und Verfahren zur Elektronenbestrahlung von Schüttgut
DE102021127145A1 (de) Vorrichtung zum Beaufschlagen von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen
DE2141376C3 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von relativistischen Elektronenstrahlimpulsen mit magnetischer Selbstfokussierung
EP1416514A1 (de) Elektronenbeschleuniger zur Behandlung von rohr- bzw. stangenförmigen Gegenständen
CH656768A5 (de) Elektronenbeschleuniger.
DE2141376B2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von relativistischen Elektronenstrahlimpulsen mit magnetischer Selbstfokussierung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20000829

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

AKX Designation fees paid

Free format text: AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

17Q First examination report despatched

Effective date: 20021203

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DERANGEWAND

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20041229

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20041229

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20041229

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20041229

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20041229

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: NV

Representative=s name: PA ALDO ROEMPLER

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: GERMAN

REF Corresponds to:

Ref document number: 50009083

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20050203

Kind code of ref document: P

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20050329

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20050329

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20050329

NLV1 Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act
GBV Gb: ep patent (uk) treated as always having been void in accordance with gb section 77(7)/1977 [no translation filed]

Effective date: 20041229

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FD4D

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20050819

Year of fee payment: 6

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20050829

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050829

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050831

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050831

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050831

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050831

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050831

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

ET Fr: translation filed
26N No opposition filed

Effective date: 20050930

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20060831

Year of fee payment: 7

BERE Be: lapsed

Owner name: *FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWAN

Effective date: 20050831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050529

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

Effective date: 20080430

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20060831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070829

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20190822

Year of fee payment: 20

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R071

Ref document number: 50009083

Country of ref document: DE