EP1033064A1 - Scheibenheizung - Google Patents

Scheibenheizung

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EP1033064A1
EP1033064A1 EP98963320A EP98963320A EP1033064A1 EP 1033064 A1 EP1033064 A1 EP 1033064A1 EP 98963320 A EP98963320 A EP 98963320A EP 98963320 A EP98963320 A EP 98963320A EP 1033064 A1 EP1033064 A1 EP 1033064A1
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EP
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switching means
semiconductor switching
pane
connection
heater according
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
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    • H05B2203/035—Electrical circuits used in resistive heating apparatus

Definitions

  • the invention relates to a window heater, in particular for heating a window of a motor vehicle, with the features mentioned in the preamble of claim 1.
  • Disc heaters of the generic type are known. These usually have a resistance heating device which is formed by electrical conductors which are arranged in a meandering shape over the pane to be heated. The electrical conductors are applied as thin, flat or linear conductor tracks to a surface of the pane or - in the case of composite panes - integrated into a space between the panes.
  • a heating voltage source usually the motor vehicle battery
  • the resistance heating device is heated as a result of a flowing electrical current, which then heats the pane to be heated.
  • an electrical switching means for connecting the resistance heating device to the heating voltage source which can be activated by an operator of the motor vehicle. Relays are used, for example, as electrical switching means.
  • the disc heater according to the invention with the features mentioned in claim 1 offers the advantage that contacting the resistance heating device with a heating voltage source is possible in a simple and inexpensive manner.
  • the switching means is a semiconductor switching means arranged directly on the pane to be heated, it is advantageously possible to contact the semiconductor switching means available as standard components directly with the resistance heating device on the pane to be heated without the interposition of an adapter housing.
  • the pane to be heated also serves as a carrier for the semiconductor switching means and thus a circuit board for connecting the semiconductor switching means is simulated in a simple manner by appropriate design of the resistance heating device.
  • the semiconductor switching means contains intelligent circuit components, by means of which an automatic temperature detection and control of the resistance heating device is preferably possible.
  • the semiconductor switching means having the intelligent circuits on the pane a direct temperature measurement of the pane to be heated can be carried out and the pane heating can be switched on or off automatically depending on a selectable switching threshold.
  • Figure 1 is a schematic overall view of a window heater;
  • Figure 2 shows the use of a semiconductor switching means in a first embodiment and
  • Figure 3 shows the use of a semiconductor switching means in a second embodiment.
  • FIG. 1 shows a schematic view of a window heater 10 for heating a window 12.
  • the window 12 is, for example, a motor vehicle window, in particular a rear window, a front window or a side window.
  • the disk heater 10 comprises a resistance heating device 14, which is formed by a conductor loop 16 arranged in a meandering manner on the disk 12.
  • the conductor loop 16 forms two connection areas 18 and 20, which are contacted with a switching means 22.
  • the switching means 22 is a power transistor, generally referred to as semiconductor switching means 24.
  • the switching means 22 is connected via connecting lines 26 and 28 to a heating voltage source 30, for example a motor vehicle battery.
  • a control connection line 32 can be acted upon with a control signal for actuating the switching means 22.
  • the semiconductor switching means 24 is arranged directly on the disk 12.
  • the position of the semiconductor switching means 24 is selected so that it on the one hand with the connecting lines 26, 28 and the control line 32 and on the other hand with the connecting lines range 18 and 20 is contactable.
  • One position of the semiconductor switching means is, for example, in a corner region of the pane 12, which on the one hand is relatively protected against possible mechanical stress and on the other hand does not necessarily have to be available for a clear view through the pane 12.
  • the semiconductor switching means 24 changes its switching position, so that the heating voltage source 30 is connected to the conductor loop 16. This results in a flow of a heating current I, which leads to the heating of the conductor loop 16 and thus the disk 12 in a known manner.
  • FIGS. 2a and 3a each show a schematic top view and FIGS. 2b and 3b each show a schematic side view of the connection area.
  • the semiconductor switching means 24 is a standard power transistor known under the trade name TO-220. This has a standard housing 34, within which a silicon chip (not shown in detail) is arranged, which can be controlled via three outer connection contacts 36, 38 and 40.
  • connection contacts 36 and 38 are the switching contacts, while the connection contact 40 is the control contact.
  • the connection contact 36 is connected to the connection line 28, while the connection contact 40 is connected to the control line 32.
  • the connecting contacts 36 and 40 can be bent slightly away from the disk 12, if necessary.
  • a connection between the connecting contacts 36 and 40 and the connecting line 28 or the control line 32 can be made, for example, by a soldered connection or other suitable electrically conductive contacts.
  • the connection contact 38 is connected to a connection lug 42 of the
  • Connection area 20 contacted.
  • connection lug 42 forms an extension, as seen in the plan view shown in FIG. 2, and at the same time serves as an assembly basis for the semiconductor switching means 24.
  • the housing 34 of the semiconductor switching means 24 can be joined, for example, flatly to the connection lug 42.
  • a non-positive connection can be made, for example, by gluing, soldering or other suitable connection techniques.
  • the connection contact 38 is, for example, as again the schematic side view see in Figure 2b shows, angled in the direction of the disc 12 and contacted on a finger-like extension of the terminal lug 42, for example by soldering.
  • connection area 20 of the resistance heating device 14 serves here, in addition to making electrical contact with the semiconductor switching means 24, for mechanically fixing the semiconductor switching means 24 on the disk 12.
  • heat loss from the semiconductor switching means 24 can be absorbed via the connecting lug 42 and transferred to the Disk 12 are removed.
  • an additional, at least local, heat source is available for heating the pane 12.
  • FIGS. 3a and 3b show an embodiment variant in which the semiconductor switching means 24 is formed by a standard power transistor, which is available under the trade name PS-010.
  • the semiconductor switching means 24 is formed by a standard power transistor, which is available under the trade name PS-010.
  • its connection contact 36 is applied to the connection lug 42 of the connection area 20.
  • the connection contact 36 formed here by a plurality of connecting legs is connected to the connection line 28 via an intermediate conductor track 46.
  • the connection contact 40 which is likewise formed here by a plurality of connecting legs, is likewise connected to the control line 32 via an intermediate conductor track 48.
  • the design of the connecting lug 42 or the intermediate conductor tracks 46 and 48 is adapted to the predetermined position of the connecting contacts 36, 38 and 40 of the semiconductor switching means 24.
  • a structuring of the connecting lug 42 or the intermediate conductor tracks 46 and 48 and the connection regions 18 and 20 of the conductor loop 16 can take place simultaneously with the application of the conductor loop 16 to the disk 12.
  • the disk 12 simultaneously serves as a printed circuit board for contacting the semiconductor switching means 24.
  • the semiconductor switching means 24 contain integrated intelligent circuits, by means of which, for example, time control and / or temperature control of the semiconductor switching means 24 is possible.
  • a temperature of the pane 12 can particularly preferably be determined and this can be used as a control variable for switching the semiconductor switching means 24 on and off.
  • selectable threshold values an optimal switching on and off of the window heater 10 can thus be ensured, whereby a load on the heating voltage source 30 formed by the motor vehicle battery is kept to a necessary minimum.
  • the pane 12 for example as a motor vehicle pane, can be prefabricated with a pane heater 10 which is already provided with an integrated switching means 22 and can be used by the end user as a complete structural unit. It is only necessary to make contact with the connecting lines 26 and 28 and the control line 32, which can be implemented, for example, by simple plug connections without additional aids.

Landscapes

  • Air-Conditioning For Vehicles (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Scheibenheizung, insbesondere zum Heizen einer Scheibe eines Kraftfahrzeuges, mit einer auf die Scheibe aufgebrachten oder in die Scheibe integrierten Widerstandsheizeinrichtung, die über Anschlusskontakte mittels eines elektrischen Schaltmittels mit einer Heizspannungsquelle verbindbar ist. Es ist vorgesehen, dass das Schaltmittel (22) ein unmittelbar auf der zu beheizenden Scheibe (12) angeordnetes Halbleiter-Schaltmittel (24) ist.

Description

Sc eibenheizung
Die Erfindung betrifft eine Scheibenheizung, insbesondere zum Heizen einer Scheibe eines Kraftfahrzeuges, mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Merkmalen.
Stand der Technik
Scheibenheizungen der gattungsgemäßen Art sind bekannt. Diese besitzen üblicherweise eine Widerstandsheizeinrichtung, die von in Form von mäanderförmig über die zu beheizende Scheibe angeordneten elektrischen Leitern gebildet wird. Die elektrischen Leiter sind hierbei als dünne, flächige oder linienförmige Leiterbahnen auf eine Oberfläche der Scheibe aufgebracht oder - bei Verbundscheiben - in einen Schei- benzwischenraum integriert. Durch Verbinden der Widerstandsheizeinrichtung mit einer Heizspannungsquelle, in der Regel der Kraftfahrzeugbatterie, kommt es infolge eines fließenden elektrischen Stromes zu einer Erwärmung der Widerstandsheizeinrichtung, die daraufhin die zu beheizende Scheibe erwärmt. Bekannt ist, zum Verbinden der Widerstandsheizeinrichtung mit der Heizspannungsquelle ein elektrisches Schaltmittel einzusetzen, das von einem Bedienenden des Kraftfahrzeuges aktivierbar ist. Als elektrische Schaltmittel werden beispielsweise Relais eingesetzt. Diese sind üblicherweise auf einer in der Armaturentafel des Kraftfahrzeuges angeordneten Leiterplatte angeordnet. Bekannt ist ferner, anstelle der mechanischen Relais Halbleiter-Schaltmittel, beispielsweise Leistungstransistoren, einzusetzen, die jedoch zur Anpassung an vorhandene Kontaktstrukturen der mechanischen Relais in Adaptergehäusen plaziert sind. Neben der hiermit verbundenen zusätzlichen Kosten durch den Einsatz des Adaptergehäuses ist die Montage auf einer, unterhalb einer Armaturentafel des Kraftfahrzeuges angeordneten Leiterplatte relativ aufwendig.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Scheibenheizung mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen bietet demgegenüber den Vorteil, daß in einfacher und kostengünstiger Weise eine Kontaktierung der Widerstandsheizeinrichtung mit einer Heizspannungsquelle möglich ist. Dadurch, daß das Schaltmittel ein unmittelbar auf der zu beheizenden Scheibe angeordnetes Halbleiter-Schaltmittel ist, ist vorteilhaft möglich, die als Standardbauelemente zur Verfügung stehenden Halbleiter-Schaltmittel ohne Zwischenschaltung eines Adaptergehäuses direkt mit der Widerstandsheizeinrichtung auf der zu beheizenden Scheibe zu kontaktieren. Neben dem Entfall eines zusätzlichen Adaptergehäuses ergibt sich der weitere Vorteil, daß die zu beheizende Scheibe gleichzeitig als Träger des Halbleiter-Schaltmittels dient und somit in einfacher Weise durch entsprechendes Design der Widerstandsheizeinrichtung eine Leiterplatte zum Anschluß des Halbleiter-Schaltmittels simuliert wird.
In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß das Halbleiter-Schaltmittel intelligente Schaltungsbestandteile enthält, mittels denen vorzugsweise eine automatische Temperaturerfassung und - Steuerung der Widerstandsheizeinrichtung möglich ist. Insbesondere kann sehr vorteilhaft durch direktes Anordnen der die intelligenten Schaltkreise aufwei- senden Halbleiter-Schaltmittel auf der Scheibe eine unmittelbare Temperaturmessung der zu beheizenden Scheibe erfolgen und in Abhängigkeit einer wählbaren Schaltschwelle eine Zu- beziehungsweise Abschaltung der Scheibenheizung automatisch erfolgen.
Weitere bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen, in den Unteransprüchen genannten Merkmalen.
Zeichnungen
Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbei- spielen anhand der zugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Gesamtansicht einer Scheibenheizung; Figur 2 den Einsatz eines Halbleiter-Schaltmittels in einer ersten Ausführungsvariante und
Figur 3 den Einsatz eines Halbleiter-Schaltmittels in einer zweiten Ausführungsvariante.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Figur 1 zeigt eine schematische Ansicht einer Scheibenheizung 10 zum Heizen einer Scheibe 12. Die Scheibe 12 ist beispielsweise eine Kraftfahrzeugscheibe, insbesondere eine Heckscheibe, eine Frontscheibe oder eine Seitenscheibe. Die Scheibenheizung 10 umfaßt eine Widerstandsheizeinrichtung 14, die von einer mäanderförmig auf der Scheibe 12 angeordneten Leiterschleife 16 gebildet ist. Die Leiterschleife 16 bildet zwei Anschlußbereiche 18 beziehungsweise 20 aus, die mit einem Schaltmittel 22 kontaktiert sind. Das Schaltmittel 22 ist ein allgemein als Halbleiter- Schaltmittel 24 bezeichneter Leistungstransistor. Das Schaltmittel 22 ist über Anschlußleitungen 26 und 28 mit einer Heizspannungsquelle 30, beispielsweise einer Kraftfahrzeugbatterie, verbunden. Eine Steueranschlußleitung 32 ist mit einem Steuersignal zu einer Betätigung des Schaltmittels 22 beaufschlagbar. Das Halbleiter-Schaltmittel 24 ist unmittelbar auf der Scheibe 12 angeordnet. Die Position des Halblei- ter-Schaltmittels 24 ist so gewählt, daß dieses einerseits mit den Anschlußleitungen 26, 28 sowie der Steuerleitung 32 und andererseits mit den Anschlußbe- reichen 18 und 20 kontaktierbar ist. Eine Position des Halbleiter-Schaltmittels liegt beispielsweise in einem Eckbereich der Scheibe 12, der einerseits gegen eventuelle mechanische Beanspruchung relativ ge- schützt liegt und andererseits für eine freie Sicht durch die Scheibe 12 nicht notwendigerweise zur Verfügung stehen muß.
Die allgemeine Funktion der Scheibenheizung 10 ist bekannt, so daß im Rahmen der vorliegenden Beschreibung hierauf nicht detailliert eingegangen wird. Durch Beaufschlagen der Steuerleitung 32 mit einem Signal verändert das Halbleiter-Schaltmittel 24 seine Schaltstellung, so daß die Heizspannungsquelle 30 mit der Leiterschleife 16 verbunden wird. Hierdurch kommt es zu einem Fließen eines Heizstromes I, der in bekannter Weise zum Aufheizen der Leiterschleife 16 und somit der Scheibe 12 führt.
Anhand der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Ausführungsvarianten wird auf die Anordnung der Halbleiter- Schaltmittel 24 auf der Scheibe 12 eingegangen. Hierbei ist jeweils nur ein Eckbereich der Scheibe 12 gezeigt, innerhalb dem die Halbleiter-Schaltmittel 24 angeordnet sind. Gleiche Teile wie in Figur 1 sind mit gleichen Bezugszeichen versehen und nicht nochmals erläutert. In Figur 2a beziehungsweise 3a ist jeweils eine schematische Draufsicht und in Figur 2b beziehungsweise 3b jeweils eine schematische Seiten- ansieht des Anschlußbereiches gezeigt. In Figur 2 ist das Halbleiter-Schaltmittel 24 ein unter der Handelsbezeichnung TO-220 bekannter Standard-Leistungstransistor. Dieses besitzt ein Standardgehäuse 34, innerhalb dem ein detailliert nicht dargestellter Silizium-Chip angeordnet ist, der über drei äußere Anschlußkontakte 36, 38 und 40 ansteuerbar ist. Die Anschlußkontakte 36 und 38 sind die Schaltkontakte, während der Anschlußkontakt 40 der Steuerkontakt ist. Der Anschlußkontakt 36 ist mit der Anschlußleitung 28 verbunden, während der Anschlußkontakt 40 mit der Steuerleitung 32 verbunden ist. Hierzu können die Anschlußkontakte 36 und 40, wie die schematische Seitenansicht in Figur 2b zeigt, gegebenenfalls geringfügig, von der Scheibe 12 weg, abgebo- gen sein. Eine Verbindung zwischen den Anschlußkontakten 36 und 40 sowie der Anschlußleitung 28 beziehungsweise der Steuerleitung 32 kann beispielsweise durch eine Lötverbindung oder andere geeignete elektrisch leitende Kontaktierungen erfolgen. Der An- schlußkontakt 38 ist mit einer Anschlußfahne 42 des
Anschlußbereiches 20 kontaktiert.
Die Anschlußfahne 42 bildet - in der in Figur 2 gezeigten Draufsicht gesehen - eine Erweiterung aus und dient gleichzeitig als Montagegrundlage für das Halbleiter-Schaltmittel 24. Hierzu kann das Gehäuse 34 des Halbleiter-Schaltmittels 24 beispielsweise flächig auf die Anschlußfahne 42 gefügt sein. Eine kraftschlüssige Verbindung kann beispielsweise durch Kleben, Löten oder andere geeignete Verbindungstechniken erfolgen. Der Anschlußkontakt 38 ist beispielsweise, wie wiederum die schematische Seitenan- sieht in Figur 2b zeigt, in Richtung der Scheibe 12 abgewinkelt und auf einer fingerartigen Verlängerung der Anschlußfahne 42, beispielsweise durch Löten, kontaktiert .
Anhand der in den Figuren 2a und 2b gezeigten Ansichten wird ohne weiteres deutlich, daß das standardisierte Halbleiter-Schaltmittel 24 in einfacher Weise direkt auf der Scheibe 12 angeordnet werden kann. Der Anschlußbereich 20 der Widerstandsheizeinrichtung 14 dient hierbei gleichzeitig neben einer elektrischen Kontaktierung des Halbleiter-Schaltmittels 24 einer mechanischen Fixierung des Halbleiter-Schaltmittels 24 auf der Scheibe 12. Darüber hinaus kann über die Anschlußfahne 42 gleichzeitig eine Verlustwärme des Halbleiter-Schaltmittels 24 aufgenommen und an die Scheibe 12 abgeführt werden. Neben der hiermit verbundenen notwendigen Kühlung zur Abführung einer Verlustwärme des Halbleiter-Schaltmittels 24 steht eine zusätzliche, zumindest lokale Wärmequelle zur Erwärmung der Scheibe 12 zur Verfügung.
In Figur 3a und Figur 3b ist eine Ausführungsvariante gezeigt, bei der das Halbleiter-Schaltmittel 24 von einem Standard-Leistungstransistor gebildet wird, der unter der Handelsbezeichnung PS-010 verfügbar ist. Entsprechend des gegebenen konstruktiven Aufbaus des Halbleiter-Schaltmittels 24 ist dessen Anschlußkontakt 36 auf der Anschlußfahne 42 des Anschlußberei- ches 20 aufgebracht. Hierbei erfolgt wiederum entweder eine elektrisch leitfähige Kleb- oder Lötverbindung zwischen der Anschlußfahne 42 und dem Anschluß- kontakt 38, so daß neben der elektrischen Kontaktie- rung gleichzeitig eine mechanische Fixierung des Halbleiter-Schaltmittels 24 gegeben ist. Der hier von einer Mehrzahl von Anschlußbeinchen gebildete An- schlußkontakt 36 ist über eine Zwischenleiterbahn 46 mit der Anschlußleitung 28 verbunden. Der hier ebenfalls von einer Mehrzahl von Anschlußbeinchen gebildete Anschlußkontakt 40 ist ebenfalls über eine Zwischenleiterbahn 48 mit der Steuerleitung 32 verbun- den. Das Design der Anschlußfahne 42 beziehungsweise der Zwischenleiterbahnen 46 und 48 ist der vorgegebenen Lage der Anschlußkontakte 36, 38 und 40 des Halbleiter-Schaltmittels 24 angepaßt. Eine Strukturierung der Anschlußfahne 42 beziehungsweise der Zwischenlei- terbahnen 46 und 48 sowie der Anschlußbereiche 18 und 20 der Leiterschleife 16 kann gleichzeitig mit Aufbringen der Leiterschleife 16 auf die Scheibe 12 erfolgen. Somit dient die Scheibe 12 im übertragenen Sinne gleichzeitig als Leiterplatte zum Kontaktieren der Halbleiter-Schaltmittel 24.
Nach weiteren, nicht näher dargestellten Ausführungsbeispielen, kann vorgesehen sein, daß die Halbleiter- Schaltmittel 24 integrierte intelligente Schaltkreise enthalten, mittels denen beispielsweise eine Zeitsteuerung und/oder eine Temperatursteuerung der Halbleiter-Schaltmittel 24 möglich ist. Durch die direkte thermische Kopplung der Halbleiter-Schaltmittel 24 mit der Scheibe 12 kann besonders bevorzugt eine Temperatur der Scheibe 12 ermittelt und diese als Regelgröße für eine Zu- beziehungsweise Abschaltung der Halbleiter-Schaltmittel 24 genutzt werden. Ent- sprechend auswählbarer Schwellwerte kann somit ein optimales Ein- beziehungsweise Ausschalten der Scheibenheizung 10 gewährleistet werden, wodurch eine Belastung der von der Kraftfahrzeugbatterie gebilde- ten Heizspannungsquelle 30 auf ein notwendiges Minimum beschränkt bleibt.
Insgesamt kann die Scheibe 12, beispielsweise als Kraftfahrzeugscheibe, mit einer, bereits mit einem integrierten Schaltmittel 22 versehenen, Scheibenheizung 10 vorgefertigt werden und ist beim Endverbraucher als komplette Baueinheit einsetzbar. Es muß lediglich noch die Kontaktierung mit den Anschlußlei- tungen 26 und 28 sowie der Steuerleitung 32 erfolgen, die beispielsweise durch einfache Steckverbindungen ohne zusätzliche Hilfsmittel realisierbar sind.

Claims

Patentansprüche
1. Scheibenheizung, insbesondere zum Heizen einer Scheibe eines Kraftfahrzeuges, mit einer auf die Scheibe aufgebrachten oder in die Scheibe integrierten Widerstandsheizeinrichtung, die über Anschlußkontakte mittels eines elektrischen Schaltmittels mit einer Heizspannungsquelle verbindbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltmittel (22) ein unmittelbar auf der zu beheizenden Scheibe (12) angeordnetes Halbleiter-Schaltmittel (24) ist, wobei das Halbleiter-Schaltmittel (24) direkt mit Anschlußbereichen (18, 20) einer Leiterschleife (16) der Widerstandsheizeinrichtung (14) kontaktiert ist.
2. Scheibenheizung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Anschlußbereiche (18, 20) eine Anschlußfahne (42) ausbildet, die neben einer elektrischen Kontaktierung einer mechanischen Fixierung des Halbleiter-Schaltmittels (24) dient.
3. Scheibenheizung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfahne (42) als Wärmeleiter zur Ableitung einer Verlustwärme des Halbleiter-Schal mittels (24) dient.
4. Scheibenheizung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Anschlußbereiche (18, 20) ein Design von Leiterbahnen (46, 48) ausbildet, das am Anschluß eines Standard-Halbleiter-Schaltmittels (24) angepaßt ist.
5. Scheibenheizung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter- Schaltmittel (24) intelligente Schaltungsbestandteile umfaßt, mittels denen eine Zeit- und/oder Temperatursteuerung des Halbleiter-Schaltmittels (24) erfolgt.
6. Scheibenheizung nach Anspruch 5 , dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter-Schaltmittel (24) in Abhängigkeit einer direkt über das Halbleiter- Schaltmittel (24) gemessenen Temperatur der Scheibe (12) die Widerstandsheizeinrichtung (14) mit der
Heizspannungsquelle (30) verbindet beziehungsweise trennt .
7. Scheibenheizung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das
Schaltmittel (22) als integrierter Bestandteil der Scheibe (12) ausgebildet ist, das mit Anschlußbeziehungsweise Steuerleitungen (26, 28, 32) einer Kraftfahrzeugverdrahtung kontaktierbar ist.
EP98963320A 1997-11-20 1998-11-05 Scheibenheizung Expired - Lifetime EP1033064B1 (de)

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EP (1) EP1033064B1 (de)
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