EP0493709A2 - Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten - Google Patents

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EP0493709A2
EP0493709A2 EP91121137A EP91121137A EP0493709A2 EP 0493709 A2 EP0493709 A2 EP 0493709A2 EP 91121137 A EP91121137 A EP 91121137A EP 91121137 A EP91121137 A EP 91121137A EP 0493709 A2 EP0493709 A2 EP 0493709A2
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irradiation
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ABB Patent GmbH
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    • C23C18/143Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C18/1612Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means

Definitions

  • the invention relates to a method for producing full-area or partial gold layers from an organometallic compound applied to a substrate by irradiation with UV light of a defined wavelength, thereby causing a photolytic cleavage of the organometallic compound.
  • the invention relates to the use of tetrachlorogold (III) acid trihydrate dissolved in diethyl ether or in alcohol.
  • Gold is deposited photolytically from thin spin-on films, which films in a complicated way from a Nitrocellulose / amyl acetate mixture and an ammonium tetrachloroaurate / alcohol solution.
  • the films made from the mixing of the two solutions must be annealed at 80 ° C for 30 minutes in order to remove the excess solvent.
  • the invention is based on the object of specifying a method for producing full-area or partial gold layers which enables coating in a very simple manner without the use of complicated and time-consuming method steps and on any substrate surfaces.
  • an appropriate use of tetrachlorogold (III) acid trihydrate dissolved in diethyl ether or in alcohol should be mentioned.
  • FIG. A substrate 1 can be seen, the entire surface of which is covered with a film 2 of tetrachlorogold (III) acid trihydrate (H (AuCl4) 3H2O) dissolved in diethyl ether or alcohol is covered.
  • tetrachlorogold (III) acid trihydrate is dissolved in diethyl ether or in alcohol, for example 1 g of tetrachlorogold (III) acid trihydrate per 30 to 100 ml of diethyl ether or alcohol.
  • This solution is applied in a first process step by dipping, spraying, spin-on, roll coating or using a writing device.
  • Ceramic substrates Al203, AlN
  • quartz, glass and silicon light flexible plastics (Teflon, polyimides etc.)
  • rubber plastic or glass fleece
  • ceramic-filled or glass-fiber reinforced fluoroplastics pressboards and paper or cardboard with low temperature resistance
  • the film 2 (dip-coating) produced from the solution described above is already dry after a short time (at room temperature after a few minutes) after evaporation of the diethyl ether or the alcohol and can be photolytically split in a second process step by irradiation with UV light 4 through which a layer of gold is deposited.
  • This radiation causes the non-conductive organometallic compound to decompose and the gold layer to be deposited (UV-assisted deposition of a catalyst from organometallic adsorbates on the substrate surface). Since the ultraviolet light essentially only interacts with the activator on the substrate surface, the substrate material remains unaffected. The properties of the substrate material play only one in the deposition process immaterial role.
  • An incoherent excimer light source - preferably a xenon excimer UV source - with the desired wavelength - preferably 172 nm - is preferably used as the UV source.
  • the high-performance radiator consists of a discharge space which is delimited by a metal electrode and a dielectric or two dielectrics and is filled with a noble gas or gas mixture.
  • the dielectric and the second electrode lying on the surface of the dielectric facing away from the discharge space are transparent to the radiation generated by silent electrical discharge.
  • incoherent excimer UV sources with wavelengths between approximately 100 to 350 nm can be used.
  • UV lasers with the wavelengths 193 nm and / or 222 nm and / or 248 nm and / or 308 nm and / or 351 nm can be used.
  • a high-power radiator is used, the radiation field of which corresponds to the size of the substrate surface.
  • the irradiation can be carried out for a few seconds to a few minutes and is preferably 1 minute.
  • the geometry of the UV high-power lamp used can be adapted to the geometry of the substrates to be coated. For example, it is possible to coat rectangular substrates on a conveyor belt at a suitable time. For this purpose, the UV lamp geometry is matched to the rectangular cross section of the substrate to be coated. In addition, the distance of the UV lamp from the substrate and the speed of the belt on which the substrates are placed are coordinated with one another in such a way that the respective substrate is moved under a UV lamp just as long as it takes for the formation of the gold layer its surface is required.
  • the desired production rate can be selected by choosing the above Parameters can be achieved.
  • the UV light is irradiated through a suitably designed mask, optionally with a contact mask 3 located directly on the film 2 - as shown in FIG. 1 - or a mask 6 located at a predetermined distance in front of the substrate - as shown in FIG. 2 - can be used.
  • a contact mask 3 located directly on the film 2 - as shown in FIG. 1 - or a mask 6 located at a predetermined distance in front of the substrate - as shown in FIG. 2 - can be used.
  • a contact mask 3 located directly on the film 2 - as shown in FIG. 1 -
  • a mask 6 located at a predetermined distance in front of the substrate - as shown in FIG. 2 -
  • Fine structures can be realized using mask technology.
  • FIG. 3 shows, for example, a gold layer 7 structured using mask technology.
  • the partial areas of the film that are not irradiated by UV light 4 can be removed by a gas jet and / or suitable solvents, such as e.g. Diethyl ether or alcohol can be removed from the surface of the substrate 1.
  • the writing device and substrate can be displaced in any direction in the XYZ direction during application.
  • the substrate can, for example, be attached to a computer-controlled sliding table.
  • electroless chemical processes or direct galvanic processes are used in order to bring about the actual layer structure, ie in order to strengthen the gold layer deposited by photolytic cleavage.
  • a large number of metals such as Cu, Ni, Pd, Pt, Al, Au, Cr, Sn etc. can be deposited in a structured manner, whereby a layer thickness of up to several 100 nm can be achieved.
  • FIG. 4 shows an example that the gold layer 7 is reinforced with a copper layer 8.
  • the activated areas are electrolessly metallized in commercially available bathrooms. Typical bath temperatures are between room temperature and 100 ° C. Compared to the most widespread techniques, vacuum evaporation and sputtering, chemical metallization processes, in addition to the high layer thicknesses to be achieved, have the significant advantage that the metallization of complicatedly shaped workpieces with a homogeneous layer thickness distribution is possible.

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten aus einer auf einem Substrat aufgetragenen metallorganischen Verbindung durch Bestrahlung mit UV-Licht einer definierten Wellenlänge vorgeschlagen, wodurch eine photolytische Spaltung der metallorganischen Verbindung bewirkt wird. Im einzelnen wird Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Diethyläther oder in Alkohol als Film auf ein Substrat aufgetragen und dieser Lösungsfilm wird nach Trocknung mit UV-Licht einer inkohärenten Xenon-Excimer-UV-Quelle mit der Wellenlänge 172 nm bestrahlt, wodurch eine Goldschicht abgeschieden wird. Durch Abbildung von Masken lassen sich feine Strukturen realisieren. Die abgeschiedene Goldschicht kann anschließend stromlos metallisiert, z.B. verkupfert werden. <IMAGE>

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten aus einer auf einem Substrat aufgetragen metallorganischen Verbindung durch Bestrahlung mit UV-Licht einer definierten Wellenlänge, wodurch eine photolytische Spaltung der metallorganischen Verbindung bewirkt wird.
  • Desweiteren bezieht sich die Erfindung auf eine Verwendung von Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Diethyläther oder in Alkohol.
  • Aus Appl. Phys. Lett. 51(25) 21 December 1987, Seite 2136 bis 2138 ist ein Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten unter Einwirkung von UV-Licht bekannt. Dabei wird Gold photolytisch aus dünnen spin-on Filmen abgeschieden, wobei diese Filme auf eine komplizierte Art und Weise aus einer Nitrozellulose/Amylacetat-Mischung und einer Ammoniumtetrachloroaurat/Alkohol-Lösung hergestellt werden. Die aus der Vermischung der beiden Lösungen hergestellten Filme müssen für 30 Minuten bei 80°C getempert werden, um das überschüssige Lösungsmittel zu beseitigen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten anzugeben, das eine Beschichtung in sehr einfacher Weise ohne den Einsatz komplizierter und zeitaufwendiger Verfahrensschritte und auf beliebigen Substratoberflächen ermöglicht. Darüberhinaus soll eine zweckmäßige Verwendung von Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Diethyläther oder in Alkohol genannt werden.
  • Diese Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens dadurch gelöst, daß Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Diethyläther oder in Alkohol als Film auf ein Substrat aufgetragen wird und daß nach Trocknung des Lösungsfilms durch Bestrahlung mit UV-Licht eine Goldschicht abgeschieden wird.
  • Ferner wird erfindungsgemäß die Verwendung von Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Alkohol oder in Diethyläther als der photolytischen Spaltung mittels UV-Licht zugängliche, auf ein Substrat auftragbare metallorganische Verbindung zur Herstellung einer ganzflächigen oder partiellen Goldschicht vorgeschlagen.
  • Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen insbesondere in der einfachen Handhabung der Verfahrensschritte. Vorteilhaft können Diethyläther oder Alkohol als Lösungsmittel für Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat verwendet werden, wodurch die Lösung auch auf Kunststoffe aufgetragen werden kann, ohne daß dabei die Kunststoffe angelöst werden, wie dies z.B. bei Einsatz von Chloroform als Lösungsmittel bei einigen Kunststoffen der Fall ist. Das Verfahren ist wenig zeitaufwendig, umweltfreundlich und wirtschaftlich. Eine Trocknung oder Temperung des Films vor dem Bestrahlen mit UV-Licht ist nicht notwendig. Alle Substratmaterialien sind mit gleich guter Qualität beschichtbar. Die Goldschichten weisen eine gute Haftfestigkeit und elektrische Leitfähigkeit auf und sind problemlos löt- und bondbar. Da alle Verfahrensschritte im Bereich unter 100°C ablaufen, können auch wärmeempfindliche Substratmaterialien beschichtet werden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert.
  • Es zeigen:
  • Figur 1
    die Bestrahlung eines beschichteten Substrats über eine Kontaktmaske,
    Figur 2
    die Bestrahlung eines beschichteten Substrats über eine in einem vorgegebenen Abstand vor dem Substrat befindliche Maske,
    Figur 3
    ein Substrat mit strukturierter Goldschicht,
    Figur 4
    ein Substrat mit verstärkter, strukturierter Goldschicht.
  • In Figur 1 ist die Bestrahlung eines beschichteten Substrats über eine Kontaktmaske dargestellt. Es ist ein Substrat 1 zu erkennen, dessen Oberfläche ganzflächig mit einem Film 2 aus Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat (H(AuCl₄)3H₂O) gelöst in Diethyläther oder Alkohol bedeckt ist. Zur Herstellung der Lösung wird Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat in Diethyläther oder in Alkohol gelöst, z.B. 1g Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat pro 30 bis 100 ml Diethyläther oder Alkohol. Der Auftrag dieser Lösung erfolgt in einem ersten Verfahrensschritt durch Tauchen, Sprühen, Aufschleudern (spin-on), Rollcoating oder mit Hilfe einer Schreibvorrichtung.
  • Als Substrate können beispielsweise keramische Substrate (Al203, AlN), Quarz, Glas und Silizium, leichte flexible Kunststoffe (Teflon, Polyimide etc.) Gummi, Kunststoff- oder Glasvliese, keramisch gefüllte oder glasgewebeverstärkte Fluorkunststoffe, Pressboards und Papier oder Pappe mit geringer Temperaturbeständigkeit verwendet werden.
  • Der aus der vorstehend beschriebenen Lösung hergestellte Film 2 (dip-coating) ist nach Verdampfen des Diethyläthers bzw. des Alkohols schon nach kurzer Zeit (bei Raumtemperatur nach wenigen Minuten) trocken und kann in einem zweiten Verfahrensschritt durch Bestrahlung mit UV-Licht 4 photolytisch gespalten werden, wodurch eine Goldschicht abgeschieden wird.
  • Durch diese Bestrahlung wird eine Zersetzung der nichtleitenden metallorganischen Verbindung erzielt und eine Abscheidung der Goldschicht bewirkt (UV-unterstützte Abscheidung eines Katalysators aus metallorganischen Adsorbaten auf der Substratoberfläche). Da das ultraviolette Licht im wesentlichen nur mit dem Aktivator auf der Substratoberfläche wechselwirkt, bleibt das Substratmaterial unbeeinflußt. Die Eigenschaften des Substratmaterials spielen bei dem Abscheideprozeß nur eine unwesentiche Rolle. Als UV-Quelle wird vorzugsweise eine inkohärente Excimerlichtquelle - vorzugsweise eine Xenon-Excimer-UV-Quelle - mit gewünschter Wellenlänge - vorzugsweise 172 nm - verwendet.
  • Eine detallierte Beschreibung eines solchen Hochleistungsstrahlers kann der EP-OS 0 254 111 entnommen werden. Der Hochleistungsstrahler besteht aus einem durch eine einseitig gekühlte Metallelektrode und ein Dielektrium oder zwei Dielektrika begrenzten und mit einem Edelgas oder Gasgemisch gefüllten Entladungsraum. Das Dielektrikum und die auf der dem Entladungsraum abgewandten Oberfläche des Dielektrikums liegende zweite Elektrode sind für die durch stille elektrische Entladung erzeugte Strahlung transparent. Durch diese Konstruktion und durch eine geeignete Wahl der Gasfüllung wird ein großflächiger UV-Hochleistungsstrahler mit hohem Wirkungsgrad geschaffen. Mit einer Gasfüllung aus Xenon kann mit dem Hochleistungsstrahler UV-Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 160 und 190 nm erzeugt werden, wobei das Maximum hierbei bei 172 nm liegt. Der Hochleistungsstrahler arbeitet im quasigepulsten Betrieb.
  • Allgemein können inkohärente Excimer-UV-Quellen mit Wellenlängen zwischen ungefähr 100 bis 350 nm einge setzt werden. Es können UV-Laser mit den Wellenlängen 193 nm und/oder 222 nm und/oder 248 nm und/oder 308 nm und/oder 351 nm verwendet werden.
  • Soll das zu beschichtende Substrat auf seiner gesamten Oberfläche mit einer Goldschicht versehen werden, so wird ein Hochleistungsstrahler verwendet, dessen Strahlungsfeld der Größe der Substratoberfläche entspricht.
  • Die Bestrahlung kann je nach Gegebenheiten, Auftragungsdicke und Abstand zwischen Substratoberfläche und UV-Hochleistungsstrahler wenige Sekunden bis hin zu einigen Minuten lang durchgeführt werden und beträgt vorzugsweise 1 Minute.
  • Dabei kann die Geometrie des verwendeten UV-Hochleistungsstrahlers an die Geometrie der zu beschichtenden Substrate angepaßt werden. Es ist beispielsweise möglich, die Beschichtung von rechteckigen Substraten im geeigneten Zeittakt auf einem Fließband durchzuführen. Hierfür wird die UV-Strahlergeometrie auf den rechteckigen Querschnitt des zu beschichtenden Substrates abgestimmt. Zusätzlich werden der Abstand des UV-Strahlers vom Substrat und die Geschwindigkeit des Bandes, auf welches die Substrate gelegt werden, so aufeinander abgestimmt, daß das jeweilige Substrat gerade solange unter einem UV-Strahler hindurch bewegt wird, wie es für die Ausbildung der Goldschicht auf seiner Oberfläche erforderlich ist. Die gewünschte Produktionsrate kann durch Wahl der o.g. Parameter erzielt werden.
  • Soll das Substrat 1 nicht ganzflächig, sondern partiell und strukturiert mit einer Goldschicht versehen werden, so erfolgt die Bestrahlung mit UV-Licht über eine entsprechend ausgebildete Maske, wobei wahlweise eine direkt auf dem Film 2 befindliche Kontaktmaske 3 - wie in Figur 1 dargestellt - oder eine in einem vorgegebenen Abstand vor dem Substrat befindliche Maske 6 - wie in Figur 2 dargestellt - verwendet werden kann. In beiden Fällen werden lediglich die hinter den Maskenfenstern 5 befindlichen Teilflächen des Films 2 vom UV-Licht 4 bestrahlt und somit photolytisch gespalten. Mittels der Maskentechnik lassen sich feine Strukturen realisieren.
  • Infolge der photolytischen Spaltung wird - wie vorstehend bereits erwähnt - eine Goldschicht auf dem Substrat 1 abgeschieden. In Figur 3 ist beispielsweise eine mitels Maskentechnik strukturierte Goldschicht 7 dargestellt. Die vom UV-Licht 4 nicht bestrahlten Teilflächen des Films können durch einen Gasstrahl und/oder geeignete Lösungsmittel, wie z.B. Diethyläther oder Alkohol von der Oberfläche des Substrats 1 entfernt werden.
  • Eine weitere Möglichkeit zur Herstellung von partiellen Goldschichten ist durch den Auftrag des Films mit Hilfe einer Schreibvorrichtung gegeben. Als Schreibvorrichtungen können Faserstifte, Kugelschreiber, Füllfederhalter, Tuscheschreiber oder spezielle Vorrichtungen verwendet werden, bei denen die Lösung mit Hilfe eines piezoelektrischen Umformers aus einer Düse gedrückt wird. Es wird auf die DE-Patentanmeldung P 40 35 080.0 verwiesen.
  • Um den Lösungsfilm in vorgegebener Struktur auf das Substrat aufzubringen, ist es zweckmäßig, wenn Schreibvorrichtung und Substrat während des Auftragens beliebig in XYZ-Richtung gegeneinander verschiebbar sind. Das Substrat kann beispielsweise auf einem computergesteuerten Verschiebetisch befestigt sein.
  • In einem dritten Verfahrensschritt werden stromlose chemische Verfahren oder direkte galvanische Verfahren angewendet, um den eigentlichen Schichtaufbau zu bewirken, d.h. um die durch photolytische Spaltung abgeschiedene Goldschicht zu verstärken. Dabei können eine Vielzahl von Metallen wie Cu, Ni, Pd, Pt, Al, Au, Cr, Sn etc. strukturiert abgeschieden werden, wobei eine Schichtdicke bis zu einigen 100 nm erreicht werden kann. In Figur 4 ist beispielhaft dargestellt, daß die Goldschicht 7 mit einer Kupferschicht 8 verstärkt ist.
  • Die aktivierten Bereiche werden in handelsüblichen Bädern stromlos metallisiert. Typische Badtemperaturen liegen im Bereich zwischen Raumtemperatur und 100 °C. Verglichen mit den am weitesten verbreiteten Techniken, Aufdampfen im Vakuum und Sputtern, haben chemische Metallisierungsverfahren neben den zu erzielenden hohen Schichtdicken den wesentlichen Vorteil, daß die Metallisierung kompliziert geformter Werkstücke mit einer homogenen Schichtdickenverteilung möglich ist.
  • Mit Hilfe von Tauch-Goldbädern können z.B. hervorragende Goldschichten (Dicke 0,2 nm) abgeschieden werden. Das ist insbesondere für Verbindungstechnologien (Bonden) und dekorative Schichten von Bedeutung. Weitere Anwendungen liegen im Bereich der Optoelektronik (z.B. Compactdiscs) und im medizinischen Bereich (Gasdiffusionssperren für Ampullen).

Claims (18)

  1. Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten aus einer auf einem Substrat aufgetragenen metallorganischen Verbindung durch Bestrahlung mit UV-Licht einer definierten Wellenlänge, wodurch eine photolytische Spaltung der metallorganischen Verbindung bewirkt wird, dadurch gekennzeichnet, daß Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Diethyläther oder in Alkohol als Film auf ein Substrat aufgetragen wird und daß nach Trocknung des Lösungsfilms durch Bestrahlung mit UV-Licht eine Goldschicht abgeschieden wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Auftrag des Films durch Tauchen erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Auftrag des Films durch Sprühen erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Auftrag des Films durch Aufschleudern erfolgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Auftrag des Films durch Rollcoating erfolgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Auftrag des Films mit Hilfe einer Schreibvorrichtung erfolgt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schreibvorrichtung und das Substrat während des Auftragens des Films beliebig in XYZ-Richtung gegeneinander verschiebbar sind.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit UV-Licht durch eine Maske erfolgt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch den Einsatz einer direkt auf dem aufgetragenen Film befindlichen Kontaktmaske.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung mit UV-Licht mittels einer inkohärenten Excimer-UV-Quelle mit Welleniängen zwischen ungefähr 100 bis 350 nm, vorzugsweise einer Xenon-Excimer-UV-Quelle bei 172 nm, erfolgt.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein UV-Laser mit den Wellenlängen 193 nm und/oder 222 nm und/oder 248 nm und/oder 308 nm und/oder 351 nm verwendet wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungszeit ungefähr eine Minute beträgt.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß 1 g Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat pro 30 bis 100 ml Diethyläther oder Alkohol gelöst sind.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die abgeschiedene Goldschicht durch stromlose oder galvanische Metallisierung verstärkt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß Metalle wie Cu, Ni, Pd, Pt, Al, Au, Cr, Sn abgeschieden werden.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Goldschichten auf die Oberfläche von Substraten aus organischen oder anorganischen Werkstoffen aufgetragen werden.
  17. Verwendung von Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Alkohol als der photolytischen Spaltung mittels UV-Licht zugängliche, auf ein Substrat auftragbare metallorganische Verbindung zur Herstellung einer ganzflächigen oder partiellen Goldschicht.
  18. Verwendung von Tetrachlorogold(III)säure-Trihydrat gelöst in Diethyläther als der photolytischen Spaltung mittels UV-Licht zugängliche, auf ein Substrat auftragbare metallorganische Verbindung zur Herstellung einer ganzflächigen oder partiellen Goldschicht.
EP19910121137 1990-12-29 1991-12-10 Process for totally or partially coating with a gold layer Withdrawn EP0493709A3 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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DE4042220A DE4042220C2 (de) 1990-12-29 1990-12-29 Verfahren zur Herstellung von ganzflächigen oder partiellen Goldschichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0493709A2 true EP0493709A2 (de) 1992-07-08
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Country Link
EP (1) EP0493709A3 (de)
JP (1) JPH07100868B2 (de)
DE (1) DE4042220C2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19723734C2 (de) * 1997-06-06 2002-02-07 Gerhard Naundorf Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19731346C2 (de) * 1997-06-06 2003-09-25 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und ein Verfahren zu deren Herstellung
WO2003106734A2 (en) * 2002-06-18 2003-12-24 University Court Of The University Of Dundee Metallisation

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517338A (en) * 1992-10-20 1996-05-14 Monsanto Company Composite mirrors
JPH06269726A (ja) * 1993-03-19 1994-09-27 Ushio Inc 光硬化性物質の硬化方法
DE19835158A1 (de) * 1998-08-04 2000-02-10 Wolfgang Anger Verfahren zur Erzeugung von Leiterplatten

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2097820A (en) * 1981-05-01 1982-11-10 Western Electric Co Radiation induced deposition of metal on semiconductor surfaces
EP0349882A1 (de) * 1988-07-02 1990-01-10 Heraeus Noblelight GmbH Verfahren zur Herstellung von metallischen Schichten

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2232276C3 (de) * 1971-08-20 1980-10-23 International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. (V.St.A.) Verfahren zum Aktivieren von Oberflächen vor der stromlosen Metallisierung
JPS56164595A (en) * 1980-05-23 1981-12-17 Tokyo Shibaura Electric Co Method of producing circuit board
JPS6455385A (en) * 1987-08-25 1989-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Formation of thin film
JPH01196194A (ja) * 1988-02-01 1989-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路描画装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2097820A (en) * 1981-05-01 1982-11-10 Western Electric Co Radiation induced deposition of metal on semiconductor surfaces
EP0349882A1 (de) * 1988-07-02 1990-01-10 Heraeus Noblelight GmbH Verfahren zur Herstellung von metallischen Schichten

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEMTRONICS Bd. 4, Nr. 3, September 1989, Seiten 202 - 208; ESROM: 'vuv light-induced deposition of palladium using an incoherent xe2 excimer source' *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19723734C2 (de) * 1997-06-06 2002-02-07 Gerhard Naundorf Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19731346C2 (de) * 1997-06-06 2003-09-25 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und ein Verfahren zu deren Herstellung
WO2003106734A2 (en) * 2002-06-18 2003-12-24 University Court Of The University Of Dundee Metallisation
WO2003106734A3 (en) * 2002-06-18 2004-04-08 Univ Dundee METALLIZATION
US7410900B2 (en) 2002-06-18 2008-08-12 Ceimig Metallisation

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DE4042220C2 (de) 1995-02-02
DE4042220A1 (de) 1992-07-02
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JPH04362178A (ja) 1992-12-15

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