DE4430390C2 - Verfahren zur Herstellung von strukturierten Metallisierungen auf Oberflächen - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von strukturierten Metallisierungen auf Oberflächen gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Aus der DE-OS 40 34 834 ist ein Verfahren zur struk­ turierten Metallisierung vorbekannt, bei dem ein örtlich selektiv wirkender Laser einen transparenten Träger durchstrahlt. Auf dem Träger befindet sich eine metallorganische Verbindung. Der Laserstrahl zersetzt nach der Durchstrahlung des Trägers die metallorga­ nische Schicht zu Metall, welches gleichzeitig ver­ dampft und auf dem Substrat kondensiert. Das Substrat ist in einem definierten Abstand zum Träger angeord­ net.

Nachteilig ist es hierbei, daß bereits die Herstellung der metallorganischen Schichten in einer nur unzu­ reichenden Schichthomogenität gewährleistet werden kann. In der Regel bestehen die Schichten aus vielen Einzelkristalliten, so daß in Breite und Dicke unre­ gelmäßige Metallschichten entstehen. Nur wenige metallorganische Verbindungen, wie z . B. Pd-Acetat, bilden unter definierten Bedingungen homogene amorphe Schichten, diese werden z. B. durch Trichlormethan-Lö­ sungen erzeugt, was wenig umweltverträglich ist.

Die Zersetzung der metallorganischen Verbindung und die Bildung des Metalls führen des weiteren zu stark veränderten Absorptions- und Reflexionsverhältnissen, so daß auch hierdurch eine sehr inhomogene Schicht­ abscheidung bewirkt wird. Das gebildete Metall enthält außerdem Verunreinigungen durch organische Rückstände.

Es ist in dem bekannten Verfahren weiterhin nach­ teilig, daß eine Energiestrahlung notwendig ist, die eine fotochemische oder thermische Zersetzung der metallorganischen Schicht bewirkt. Das erfordert den Einsatz entweder von kostenintensiven Excimer-Lasern oder von Lasern, deren Wellenlänge den jeweiligen Absorptionsbedingungen der Schicht anzupassen ist.

Beim Transfer des Materials tritt durch den verfah­ renstechnisch notwendigen Abstand zwischen Träger und Substrat eine Ausbreitung des Materials über die gewünschte Geometrie hinaus auf, wodurch sich die Kantenschärfe verringert und die minimale Struktur­ breite zunimmt. Die in dem beschriebenen Verfahren genutzte metallorganische Verbindung muß im nach­ folgenden chemisch-reduktiven Bad katalytisch wirken, um die beschriebene Metallisierung zu erreichen. Damit schränkt sich die Zahl der nutzbaren metallorganischen Verbindungen stark ein.

Strukturierte Metallisierungen werden üblicherweise auf fotolithografischem Wege hergestellt. Neben den dabei angewendeten Techniken kommt immer häufiger die Strahlung von Lasern zur Anwendung. Bekannte Verfahren zur additiven, strukturierten Metallisierung von Sub­ stratoberflächen mit Hilfe der Laserstrahlung arbeiten fast ausnahmslos mit einem relativ zur Substratober­ fläche bewegten Laserstrahl. Die Verfahrgeschwindig­ keit des Strahlfokus liegt dabei gewöhnlich unter 10 mm/s und ist vom verwendeten Precursor/Substrat-System sowie der erzeugten Metallschichtdicke abhängig. In den bekannten Precursorsystemen finden metallhaltige Verbindungen sowie Metallsuspensionen Anwendung, wobei die Ausführung der Systeme gasförmig in Rezipienten, flüssig in Küvetten oder fest in Schichten auf der Substratoberfläche sein kann.

Ein bekanntes Verfahren der Gasphasen-Abscheidung sieht Gold-Abscheidungen auf SiO₂ im Vakuum unter Verwendung eines Methyl (Triethylphosphin)-Gold(I)- Dampfes und eines cw-Argon-Ionen-Lasers bei einer Schreibgeschwindigkeit von 0,045 bis 0,035 mm/s vor [M. Jubber et al.: Appl. Surf. Sc. 43 (1989), 74-80]. Nachteilig bei diesem Verfahren sind insbesondere die sehr geringe Schreibge­ schwindigkeit und das notwendige aufwendige Vakuumsystem.

Aus der US 3,560,258 ist ein Verfahren bekannt, welches im Hochvakuum durch­ geführt werden muß. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß die Metallbeschich­ tung keine haftvermittelnden Substanzen enthält und daß der Abstand zwischen Metallbeschichtung und Substrat relativ groß ist, wodurch der Dampfstrahl eine starke Verbreitung der Struktur bewirkt, d. h. Strukturen in der Größenordnung des Laserstrahldurchmessers sind nicht zu erwarten.

Bei D. Krabe, W. Radloff: Exp. Techn. d. Phys. 36 (1988) 6, 501-511, wird ein Flüssigphasen-Verfahren zur Silber-Abscheidung auf Glas in einem chemisch­ reduktiven Silber-Bad in einer Küvette mittels eines cw-Argon-Ionen-Lasers beschrieben, welches eine Schreibgeschwindigkeit von 0,3 bis 1 ,3 mm/s erreicht.

Nachteilig bei diesem Verfahren ist es, daß der Precursor und das Substrat in einer Küvette angeordnet werden müssen, daß die Strahlführung und die Substrat- Behandlung durch die Küvette eingeschränkt sind und nur eine geringe Schreibge­ schwindigkeit erreicht wird.

Ein Verfahren zur Aufbringung von Kupfer-Schichten auf MCM-Substraten mit Polyimid-Beschichtung wird bei H.G. Müller et al.: SPIE 1598 (1991), 132-140, beschrieben.

Nachteilig ist es, daß die eingesetzte wäßrige Kupfer-Formiat-Lösung eine höhere Oberflächenspannung aufweist, wodurch eine homogene Benetzung der Substratoberfläche und damit eine homogene Ausbildung der metallorgani­ schen Precursorschicht nur schwer erreicht werden kann. Die Benetzung kann durch einen Zusatz von Glycerin verbessert werden. Gleichzeitig verlängert sich jedoch die Trockenzeit. Der für die Ausbildung der metallorganischen Precursorschicht erforderliche Trocknungsschritt ist allgemein langandauernd und nur mit Aufwand, z. B. durch den Einsatz eines Ofens, verkürzbar. Das Verfahren weist zudem nur eine geringe Schreibgeschwindigkeit des eingesetzten Lasers von ca. 0,1 mm/s auf.

Ein weiteres Verfahren beschreibt die Verankerung von Metallteilchen auf Keramiksubstraten (W. Paatsch: Metalloberfläche 44 (1992) 5, 213-217). Es wird vorgeschlagen, die Metallteilchen in einer Suspension im Spin-On- oder Sprühverfahren auf die Oberfläche zu bringen und nach der Bestrahlung mit einem Laser, die nicht haftenden Metallteilchen abzuspülen. Die Ver­ stärkung der eingebrannten, haftenden Metallteilchen erfolgt in chemisch-reduktiven Bädern.

Nachteilig ist die beschränkte Anwendbarkeit des Verfahrens nur auf temperaturstabile Materialien, wie z. B. Keramik, da die Metallteilchen auf der Substrat­ oberfläche auf- oder/und eingeschmolzen werden, und der für das Aufbringen der metallorganischen Pre­ cursorschicht notwendige zusätzliche Spin-On- oder Sprühverfahrensschritt sowie die geringe Schreibgeschwindigkeit unter 50 mm/s.

Von daher ist es die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren der gattungsgemäßen Art zu entwickeln, mit dem eine strukturierte Metallisierung von transpa­ renten und nichttransparenten Oberflächen ohne die üblichen fotolithographischen Prozesse und ohne aufwendiges Handling für Gase, Flüssigkeiten oder metallorganische Schichten, also ohne Vakuumanlage oder Küvetten, mit wesentlich höherer Schreibge­ schwindigkeit als bisher erreichbar, ermöglicht wird und das eine große Anwendungsvielfalt gewährleistet.

Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich aus den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1. Das Verfahren erlaubt eine strukturierte Metallisierung von Substraten ohne die aufwendigen fotolitho­ grafischen Prozesse mit den dabei erforderlichen Masken. Der Einsatz einer sehr einfach handhabbaren Metallbeschichtung für die strukturierte Laser-Bekeimung erlaubt die Bekeimung auch von transparenten Substraten. Es können z. B. transparente Substrate an LCD-Zellen metallisiert werden. Das aufwendige Handling für Gase, Flüssigkeiten oder metallorganische Schichten wird nicht benötigt.

Durch die Belegung des transparenten Trägers mit einer dünnen, sehr homogenen Metallschicht oder Metall­ schichtfolge wird die Zersetzung einer metallorga­ nischen Schicht erfindungsgemäß umgangen. Die dünnen metallischen Schichten können z. B. durch konventio­ nelle Bedampfungs- oder Sputterverfahren hergestellt und als Halbzeug billig und in hoher Qualität bezogen werden. Die bereits auf dem Träger ausgebildete dünne Metallschicht bietet einheitliche optische Parameter für die Bestrahlung. Die Be­ strahlung kann z. B. mit einem gepulsten Nd : YAG-Laser erfolgen, wobei der Trans­ ferprozeß stets thermisch initiiert ist und auf der gesamten Fläche bei gleichen op­ tischen und thermischen Bedingungen abläuft. Verunreinigungen durch Reakti­ onsrückstände treten nicht auf. Dadurch, daß die dünne Metallschicht auf dem transparenten Träger in möglichst innigen Kontakt mit der Substratoberfläche gebracht wird, kann das Transfer- und Kondensationsgebiet weitgehend minimiert werden. Die auf den Träger aufgebrachte dünne Metallschicht kann z. B. aus einem haftvermittelnden und einem weiteren Metall bestehen, welches im nach­ folgenden chemisch-reduktiven Bad katalytisch wirkt, so daß die gewünschte Metallisierung ohne Einschränkungen erfolgen kann. Die Aufgabe des haftvermit­ telnden Materials innerhalb der Metallbeschichtung 1 besteht darin, daß eine gute Haftung zwischen Substratoberfläche 3 und aufzubringender Metallisierungs­ schicht 7 hergestellt wird. Hierzu eignen sich vorzugsweise Metalle mit großer Sauerstoffaffinität. Der laserinduzierte Transferprozeß führt zu einer Durchmi­ schung der Metalle, wobei das katalytisch wirkende Metallmaterial u. a. durch das haftvermittelnde Metallmaterial an der Substratoberfläche festgehalten wird. Beim Einbringen in das chemisch-reduktive Bad entstehen im nachgelagerten Verfah­ rensschritt dadurch in der transferierten Bekeimungsschicht auf der Substratober­ fläche mikrogalvanische Zellen, welche, im Unterschied zu einer katalytisch initiier­ ten Schichtabscheidung, ebenfalls die Bildung erster Keime der Metallisierung bewirken können. Das weitere Schichtwachstum führt zu den für chemische Schichtabscheidungen üblichen guten Schichtqualitäten bei einer sehr guten Haft­ festigkeit.

Die Nutzung dünner Metall- und Keimschichten läßt eine sehr hohe, bei laserin­ duzierten Metallisierungen bislang nicht erreichte Schreibgeschwindigkeit bei einer einfachen Prozeßführung zu. Das in der Erfindung
beschriebene Verfahren stellt daher ein sehr wirt­ schaftliches Verfahren der additiven Laserstruktu­ rierung dar. Die mit dem Verfahren erzeugten Metall­ schichten zeigen sehr gute Haftungseigenschaften, insbesondere auch auf ITO (Indium-Tin-Oxid-Schicht) und auf Glasoberflächen z. B. von LCD-Zellen. Die nach der Bekeimung der Oberfläche erfolgte Metallisierung in Bädern kann als Massenprozeß organisiert werden.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Die Erfindung ist nachfolgend anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 die schematische Darstellung der Laserbekeimung der ITO-Oberfläche einer LCD-Zelle,

Fig. 2 die schematische Darstellung der bekeimten ITO-Oberfläche nach Fig. 1,

Fig. 3 die schematische Darstellung der Metalli­ sierung der ITO-Oberfläche nach den Fig. 1 und 2,

Fig. 4 die schematische Darstellung der Laser­ bekeimung des Stirnkantenbereiches einer LCD-Zelle und

Fig. 5 die schematische Darstellung des Metalli­ sierens der Bekeimungsschicht an der Stirnkantenoberfläche der LCD-Zelle nach Fig. 4.

In den Fig. 1 bis 3 ist das Verfahren zur struk­ turierten Metallisierung einer als ITO-Oberfläche ausgebildeten Substratoberfläche 3 an LCD-Zellen dargestellt (Herstellung von Metallkontakten für LCD-Zellen).

In der Fig. 1 ist die Laserbekeimung der Substratober­ fläche 3, hier der ITO-Oberfläche einer LCD-Zelle, mittels eines gepulsten Laserstrahles 5, beispiels­ weise eines Nd : YAG-Laserstrahles mit einer mittleren Leistung von ca. 200 mW und einer Schreibgeschwindig­ keit von ca. 10 cm/s, gezeigt.

Auf einen Glasträger 2 ist eine dünne homogene Metallbeschichtung 1 aufgebracht, die beispielsweise aus einer haftvermittelnden Schicht aus Ti : W in einer Schichtdicke von 230 nm und aus einer katalytisch wirkenden Schicht aus Gold in einer Schichtdicke von 200 nm gebildet ist. Der Glasträger 2 wird mit der Metallbeschichtung 1 über die zu metallisierende Substratoberfläche 3 gebracht und mit dem gepulsten Nd : YAG-Laserstrahl 5 bestrahlt. Dabei kann die Bestrahlung sowohl durch den Glasträger 2 mit der Metallbeschichtung 1 als auch durch das transparente Glas oder/und ITO der LCD-Zelle erfolgen. Der Transfer des Materials erfolgt durch Laserverdampfung der Metallbeschichtung 1 und nachfolgender Kondensation auf der LCD-Oberfläche, hier gemäß der Darstellung in der Fig. 2 als Keimschicht 6. Nach erfolgter selektiver Bekeimung der Substratoberfläche 3, also der LCD-Oberfläche, wird entsprechend der Darstellung in der Fig. 3 eine Metallisierung der bekeimten Bereiche 6 mit einer Metallisierungsschicht 7 in einem chemisch-reduktiven Bad, z. B. einem Nickel-Bad, vorgenommen. Bei einer Badtemperatur von 95°C und einer Dauer von 7 Minuten bildet sich eine ca. 2,5 µm dicke NiP-Struktur aus.

Die zu beschichtenden Substrate können auch nicht­ transparent sein, z. B. Keramiken.

In den Fig. 4 und 5 ist das Verfahren in der Anwendung zur Herstellung von Stirnseitenkontaktierungen bei Flachdisplays, hier einer Flüssigkristall-Zelle 8, gezeigt.

Großflächige Flüssigkristallanzeigen sind als ein modulares System aus einzelnen Anzeigeelementen oder Zellen aufgebaut. Die Zellen sind über Kontaktierungs­ flächen mit der Ansteuerelektronik verbunden. Ankontaktierungen von Flachdisplays werden dabei sehr oft in der Form ausgeführt, daß die Elektroden seitlich aus den Stirnkanten herausgeführt werden. Als Träger dienen die Deck- oder Rückgläser, die über den Rahmen der Anzeige hinausragen und dadurch die Gesamtabmessungen vergrößern. Im herausgeführten Elektrodenbereich werden dann durch leitfähige Kleber, leitfähige Elastomere oder durch löt- oder/und bondbare Metallisierungen die Kontaktierungen mit Verdrahtungsträgern der An­ steuerelektronik hergestellt. Sollen löt- oder bondbare Metallisierungen eingesetzt werden, so müssen diese in konventioneller fotolithografischer Strukturierungs­ technik vor dem Assemblieren der Zelle auf die Front- und/oder Rückgläser gebracht werden, da die technologischen Belastungen im Prozeß für die fertigen Zellen zu groß wären und zu irreversiblen Schäden führen würden.

Durch die Kontaktierung und Metallisierung an der Stirnkante 11 der Zelle 8 mit­ tels des erfindungsgemäßen Verfahrens durch Laser-Transfer-Bekeimung mit ört­ lich selektiver Metallisierung in Bädern wird der Kontaktbereich von Anzeigen ent­ scheidend verkleinert und damit die aktive Fläche der Anzeige vergrößert. Es wer­ den keine aufwendigen fotolithografischen Prozesse notwendig, so daß sich an assemblierten Displays eine kontaktierfähige Metallisierung herstellen läßt, welche dann durch leitfähige Kleber, leitfähige Elastomere oder durch löt- oder/und bondbare Metallisierungen die Kontaktierung mit Verdrahtungsträgern der Ansteuerelektronik ermöglichen.

Die Fig. 4 zeigt einen senkrechten Schnitt durch den Randbereich der Flüssigkri­ stall-Zelle 8 mit einer elektrisch leitenden Schicht 9. Die Flüssigkristallzelle 8 besteht vereinfacht dargestellt bekannterweise aus Glasträgern 13, 14, der lichtdurchlässi­ gen elektrisch leitenden Schicht 9, einem abdichtenden Rahmen 10 und einer Flüssigkristallschicht 12. Die elektrisch leitende Schicht 9 ist zum Anschluß einer nicht dargestellten Ansteuerelektronik zwischen dem Glasträger 13 und dem Rahmen 10 bis zur Stirnkantenoberfläche 11 der Zelle 8 nach außen geführt.

Die Laserbekeimung der Stirnkantenoberfläche 11 der Zelle 8 erfolgt mittels des gepulsten Laserstrahls 5 in der vorher beschriebenen Art und Weise.

Auf den Glasträger 2 ist die dünne homogene Metallbeschichtung 1 aufgebracht, die beispielsweise aus einer haftvermittelnden Schicht aus Ti : W und aus einer katalytisch wirkenden Schicht aus Gold gebildet ist. Der Glasträger 2 mit der Metallbeschichtung 1 wird über die zu metallisierende Stirnkantenoberfläche 11 gebracht und mit dem gepulsten Nd : YAG-Laserstrahl 5 bestrahlt. Der Transfer des Materials erfolgt durch Laserverdampfung der Metallbeschichtung 1 und nachfol­ gender Kondensation auf der Stirnkantenoberfläche 11 als Keimschicht 6. Nach erfolgter Bekeimung der Stirnkantenoberfläche 11 wird eine Metallisierung der bekeimten Bereiche mit einer Metallisierungsschicht 7 entsprechend der Darstellung in der Fig. 5 in einem chemisch-reduktiven Bad vorgenommen. Durch eine geeig­ nete Badauswahl lassen sich die gewünschten lötfähigen Metallisierungssysteme herstellen. Der auf die Stirn­ kantenoberfläche 11 einfallende Laserstrahl 5 bewirkt gleichzeitig mit dem Aufdampfen der Bekeimungsschicht 6 eine Modifikation der Oberfläche 11, die gezielt dazu genutzt werden kann, eine zusätzliche mechanische Haftung zu bewirken.

Die Laser-Transfer-Bekeimung kann auch zusammengefaßt an mehreren Stirnkantenoberflächen 11 gleichzeitig ausgeführt werden. Die Metallisierung erfolgt nach der Bekeimung in Bädern als Massenprozeß.

Durch die Anwendung des Verfahrens bei der Kontak­ tierung von Anzeigen können die üblich überstehenden und zur Kontaktierung erforderlichen Randbereiche der Zellen entweder bereits bei der Zellenfertigung weggelassen oder anschließend beispielsweise mit einer Wafersäge abgeschnitten werden, wobei die Leiterzüge der Zellen (z. B. ITO-Leiterbahnen) bis zu den Stirn­ kantenoberflächen gezogen sind.

Ein weiteres Anwendungsgebiet des Verfahrens ist die Ausbildung von Leiterstrukturen auf flexiblen Pl-Folien, z. B. zur Herstellung von flexiblen Schaltungsträgern auf Polyimidbasis (Pl). Auch hier erfolgt zunächst die laserinduzierte Bekeimung der Oberfläche durch eine Lasertransfertechnik. Nach­ folgend wird die strukturierte Bekeimung in einem Metallisierungsbad verstärkt.

Wie im ersten Ausführungsbeispiel ist auch hierbei die auf den Glasträger 2 aufgebrachte Metallbeschichtung 1 der Ausgangspunkt für das Verfahren. Die Metallbe­ schichtung 1 besteht ebenfalls aus einer haftvermit­ telnden und aus einer katalytisch wirkenden Schicht. Der Glasträger 2 wird mit der Metallbeschichtung 1 über die zu metallisierende Pl-Oberfläche gebracht und danach mit einem gepulsten Laserstrahl bestrahlt. Der Transfer des Materials erfolgt so wie im ersten Aus­ führungsbeispiel beschrieben. Nach erfolgter selek­ tiver Bekeimung der Pl-Oberfläche wird eine Metal­ lisierung der bekeimten Bereiche in einem chemisch­ reduktiven Kupfer-Bad vorgenommen. Bei einer Bad­ temperatur von 60°C und einer Dauer von ca. 60 Minuten scheidet sich eine ca. 5 µm dicke, strukturierte Kupfer-Schicht ab. In den beispielhaft dargestellten Ausführungsfällen kann sich nach der laserinduzierten Bekeimung der Substratoberfläche eine Spülung der bekeimten Substratoberfläche mit deionisiertem Wasser als günstig erweisen.

Bezugszeichenliste

1 Metallschicht
2 Glasträger
3 Substratoberfläche
4 Glassubstrat
5 Laserstrahl
6 Keimschicht
7 Metallisierungsschicht
8 Flüssigkristall-Zelle
9 elektrisch leitende Schicht
10 Rahmen
11 Stirnkantenoberfläche
12 Flüssigkristallschicht
13 Glasträger
14 Glasträger

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung von strukturierten Metallisierungen auf Oberflächen mittels Laserstrahl (5) und eines mit Beschichtungen versehenen transparenten Trägers (2) und mit einem chemisch­ reduktiven Bad zur Metallisierung der bekeimten Bereiche (6) nach der selektiven Bekeimung der Substratoberfläche (3), dadurch gekennzeichnet, daß der transparente Träger (2) mit einer dünnen homogenen Metallbeschichtung (1) versehen wird und mit der Metallbeschichtung (1) in engen Kontakt mit der metallisierten Substratoberfläche (3) gebracht und danach bis oberhalb der Verdampfungstemperatur mit dem gepulsten Laserstrahl (5) bestrahlt wird, wobei der Transfer des Metalls vom transparenten Träger (2) durch Laserverdampfung und nachfolgende Kondensation auf der Substratoberfläche (3) erfolgt, wobei die homogene Metallbeschichtung aus einer haftvermittelnden und/oder einer katalytisch wirksamen Substanz gebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für das Substrat Keramik oder ein Polymer ausgewählt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zu metallisierende Substratoberfläche (3) durch eine Stirnkantenoberfläche (11) mit einer bis an die Stirnkantenoberfläche (11) herangezogenen elektrisch leitenden Schicht (9) einer Flüssigkristallzelle (8) gebildet wird.

4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die selektive Bekeimung programmiert wird.

5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die bekeimte Substratoberfläche (3, 11) mit entionisiertem Wasser gespült wird.