EP0413984A1 - Magnetoresistiver Sensor - Google Patents

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EP0413984A1
EP0413984A1 EP90114200A EP90114200A EP0413984A1 EP 0413984 A1 EP0413984 A1 EP 0413984A1 EP 90114200 A EP90114200 A EP 90114200A EP 90114200 A EP90114200 A EP 90114200A EP 0413984 A1 EP0413984 A1 EP 0413984A1
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EP
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layer
magnetoresistive
strips
protective layer
conductive layer
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EP90114200A
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EP0413984B1 (de
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Fritz Dr.Sc.Nat. Dipl.-Phys. Dettmann
Uwe Dipl.-Phys. Loreit
Stephan Dr.Rer.Nat. Dipl.-Phys. Linke
Peter Dr.Rer.Nat. Dipl.-Phys. Pertsch
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TE Connectivity Sensors Germany GmbH
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HL Planartechnik GmbH
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices

Definitions

  • the invention relates to a magnetoresistive sensor with at least one magnetoresistive layer strip according to the preamble of claim 1.
  • Magnetoresistive sensors are used to measure magnetic fields and their gradients. They are used for the potential-free measurement of direct and alternating currents. They can be used in combination with cheap magnets for sensitive position and angle determination as well as for rotation speed measurement. They are also used as a function-determining component of electronic switching and control elements. Automation and automotive technology can be mentioned as the main areas of application.
  • Magnetoresistive sensors with magnetoresistive layer strips on which conductive layer strips are arranged at a certain angle and at equal intervals, have long been known (DE-OS 25 12 525).
  • a major disadvantage of this simple arrangement is the change in the function-determining properties of the magnetoresistive layer strips due to the penetration of oxygen, in particular at higher working temperatures and in further processing steps of the sensor chips which necessarily take place at elevated temperatures.
  • This disadvantage can be eliminated by covering the magnetoresistive layer strips with an oxidation protection layer (DD-PS 256 626). No further information on the oxidation protection layer is contained in the specified literature reference.
  • the technical teaching imparted for realizing the sensor arrangement described, including the function of the protective layer, is therefore insufficient.
  • the protective layer should have contradictory properties.
  • the oxidation protection can only be guaranteed by a layer of a certain minimum thickness, it becomes impossible in the case of an insulating layer to couple the conductive layer strips with low resistance to the magnetoresistive layer strips. Thus their intended effect as the equipotential line of the electric field in the magnetoresistive layer strip is canceled or at least reduced to the extent that the sensor sensitivity is severely impaired.
  • the coupling of the conductive layer strips is not a problem.
  • a substantial part of the current that should actually flow through the magnetoresistive layer will then flow in the protective layer. Since, of course, their resistance does not change in the applied magnetic field, the sensor will also experience a significant drop in sensitivity.
  • the structuring of the protective layer would be obvious in such a way that it is removed at the locations where the conductive layer strips are to be applied later.
  • this also has the disadvantage that the surface of the magnetoresistive layer is contaminated in the structuring process and the contacting of the conductive layer strips is therefore also not easily possible .
  • the invention is based on the object of designing and developing the known magnetoresistive sensor with a protective layer in such a way that there are no permanent changes in the function-determining properties of the magnetoresistive layer, such as increased hysteresis or decreasing change in the resistance in the magnetic field, in the region of higher operating temperatures, such that the sensitivity of the magnetic field detection is not reduced by the presence of the protective layer and that no additional high-precision, complex structuring steps are required.
  • a magnetoresistive sensor having the features of the preamble of claim 1, the above-stated object is achieved by the features of the characterizing part of claim 1.
  • the oxi- or carbonitrides specified in the formula are metallically conductive.
  • the conductivity of the materials can be influenced within a wide range by the proportion of oxygen or carbon, ie by the size of the x value. With increasing x the conductivity decreases. With layer thicknesses which are sufficient to protect the magnetoresistive layer from oxidation, such a good electrical contact between the magnetoresistive layer and the conductive layer strips is ensured that this no output signal drop occurs.
  • the first individual layer is applied directly to the magnetoresistive layer without vacuum interruption or that the surface of the magnetoresistive layer has been cleaned in vacuo with the aid of a removal process. Due to the minimum thickness of the protective layer, given the necessary oxidation protection, and preferably also the conductivity set via the x value, the main level of the protective layer electrically connected in parallel with the magnetoresistive layer still has such a high resistance that only a completely insignificant amount of current flows through this. This also prevents a possible drop in output signal.
  • the protective layer consisting of the specified material not only prevents the penetration of oxygen from the atmosphere or from the media used in further processing layers into the magnetoresistive layer, but also represents a barrier for the penetration of the conductive layer material into the magnetoresistive layer.
  • the preferred conductive layer material is Aluminum used. Aluminum present in the magnetoresistive layer reduces the magnitude of the change in resistance in the magnetic field and increases the hysteresis of the resistance / magnetic field curve.
  • the protective layer of the composition according to the invention prevents the penetration of aluminum. This is of practical importance in particular at higher operating temperatures, since it is precisely here that it is important to prevent the otherwise strong diffusion processes from the aluminum conductive layer into the magnetoresistive layer.
  • the structuring of the guide layers is only possible in the lift-off process.
  • Protective layers of the composition according to the invention are, however, able to protect the magnetoresistive layers from the agents used to etch the conductive layers. This removes severe restrictions in the processing options for the guiding layers and the integration of magnetoresistive sensors with semiconductor control and evaluation circuits is thus reduced to a tech nisch feasible status.
  • To apply the etching structuring of the conductive layers it is necessary to cover the magnetoresistive layer strips from all sides with protective layers. The magnetoresistive layer is therefore advantageously covered with a first individual layer immediately after its deposition. The magnetoresistive layer strips are then structured. It is clear that the lateral surfaces of the strips are not covered at first.
  • a second single layer of the same or different composition and thickness is applied and then structured with a greater width so that the lateral surfaces of the magnetoresistive layer strips are now also covered.
  • a protective layer consisting of several individual layers, it is not readily possible to maintain the required large ratio between the resistance of the protective layer sections connected in parallel with the magnetoresistive layer and the contact resistance between the magnetoresistive layer and the conductive layer.
  • the proportion x of oxygen or carbon in the material of the individual layers in the areas that are not covered by the conductive layer strips is set higher than it is under the conductive layer strips. This can easily be done in manufacturing after structuring the conductive layer strips. B. done by implanting oxygen or carbon by known methods.
  • the magnetoresistive sensor according to the invention can be constructed in a particularly expedient manner as a Wheatstone bridge from four bridge resistors, with FIGS. 1 and 2 representing one of these bridge resistors. 1 and 2 first show a magnetoresistive layer strip 1 on a carrier not provided with a reference number, normally a carrier made of a highly heat-conducting, electrically insulating material.
  • a first individual layer 2a which consists of Nb N (1-x) O x and which has a thickness of 6 ⁇ m, is applied directly on the magnetoresistive layer strip 1 made of permalloy of approximately 10 ⁇ m thick in the same production step without vacuum interruption.
  • the photo-etching technique is used to produce the magnetoresistive layer strip 1 with the first individual layer 2 a of approximately 10 ⁇ m width. Layer strips 1 are thus formed, the upper surface 3 of which is covered, while the lateral surface 4 remains free.
  • a second individual layer 2b with the same composition and thickness as specified above is applied in a further production step. It is structured in such a way that it has a greater width than the magnetoresistive layer strip 1. It is thus completely covered by the individual layers 2a, b.
  • Conductive layer strips 5 made of aluminum with a thickness of 0.6 ⁇ m are deposited on this protective layer 2. The structuring the conductive layer strip 5 with a width of 3 ⁇ m used in photoetching etchants cannot attack the magnetoresistive layer strips 1 due to the effect of the protective layer 2. Because of the good metallic conductivity and the small thickness of the individual layers 2a, b, the conductive layer strips 5 are contacted with the magnetoresistive layer strips 1 with very low resistance.
  • the direction of the current through the magnetoresistive layer strips 1 is essentially perpendicular to the direction of the conductive layer strips 5 during operation of the sensor, and output signal losses of the sensor are avoided.
  • the resistance of the two individual layers 2a, b in the region 6, which are not covered by the conductive layer strips 5 and which is electrically connected in parallel to the resistance of the magnetoresistive layer strip 1 assumes a very large value
  • the two individual layers 2a, b in a further manufacturing step implanted oxygen.
  • the specific resistance of the material of the individual layers 2a, b is here more than five times higher than in the areas under the conductive layer strips 5. These areas remain free of additional oxygen due to the shielding effect of the conductive layer strips 5 even during the implantation. For this reason, no high-precision masking steps in the dimension range of a few micrometers are required, even during implantation.
  • the two individual layers 2a, b made of the specified material represent a barrier for the diffusion of oxygen from the atmosphere in the regions 6, which are not covered by the conductive layer strips 5, and in the area of the conductive layer strips 5 for the diffusion of the aluminum.
  • the barrier function the individual layers 2a, b exist up to temperatures of approximately 300 ° C. and exclude the harmful influence of oxygen and aluminum in this working temperature range, which is significantly expanded compared to unprotected magnetoresistive layers. This would consist of a change in the resistance of the magnetoresistive layers in the magnetic field, which decreases with increasing operating time, and an increasing hysteresis in the resistance-magnetic field curve. The stability and reliability of the sensors is thus significantly increased by the protective layer 2 according to the invention.

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Abstract

Für magnetoresistive Sensoren mit Leitschichtstreifen auf magnetoresistiven Schichtstreifen wird der Aufbau und die Zusammensetzung einer Schutzschicht angegeben, die als Diffusionsbarriere gegen das Eindringen von Fremdatomen in die magnetoresistiven Schichtstreifen wirkt und so die obere Grenze der Einsatztemperatur erhöht, die durch ihre Passivität gegenüber Ätzmitteln bei der Fotoätzstrukturierung die Anwendung von Techniken zur Schaltungsintegration zuläßt und die durch ihre einstellbare Leitfähigkeit die maximal mögliche Empfindlichkeit des Sensors realisierbar macht.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen magnetoresistiven Sensor mit mindestens einem ma­gnetoresistiven Schichtstreifen nach dem Oberbegriff von Anspruch 1.
  • Magnetoresistive Sensoren werden zur Messung von magnetischen Feldern und deren Gradienten eingesetzt. Sie finden bei der potentialfreien Messung von Gleich- und Wechselströmen Anwendung. Sie können in Kombination mit billigen Magneten bei der empfindlichen Positions- und Winkelbestimmung sowie zur Drehgeschwin­digkeitsmessung benutzt werden. Weiterhin kommen sie als funktionsbestimmendes Bestandteil elektronischer Schalt- und Regelelemente zum Einsatz. Als Hauptein­satzgebiete können die Automatisierungs- und Kfz-Technik genannt werden.
  • Magnetoresistive Sensoren mit magnetoresistiven Schichtstreifen, auf denen un­ter einem bestimmten Winkel und in gleichen Abständen Leitschichtstreifen an­geordnet werden, sind seit langem bekannt (DE-OS 25 12 525). Ein wesentlicher Nachteil dieser einfachen Anordnung besteht in der Veränderung der funktionsbe­stimmenden Eigenschaften der magnetoresistiven Schichtstreifen durch Eindrin­gen von Sauerstoff, insbesondere bei höheren Arbeitstemperaturen und bei not­wendigerweise bei erhöhten Temperaturen ablaufenden Weiterverarbeitungsschrit­ten der Sensorchips. Dieser Nachteil läßt sich dadurch beseitigen, daß man die magnetoresistiven Schichtstreifen durch eine Oxydationsschutzschicht abdeckt (DD-PS 256 626). Weitere Angaben zur Oxydationsschutzschicht sind in der ange­gebenen Literaturstelle nicht enthalten. Damit ist die vermittelte technische Lehre zur Realisierung der beschriebenen Sensoranordnung einschließlich der Funktion der Schutzschicht nicht ausreichend. Die Schutzschicht müßte einander widersprechende Eigenschaft aufweisen. Da der Oxydationsschutz nur von einer Schicht einer bestimmten Mindestdicke gewährleistet werden kann, wird es im Fal­le einer isolierenden Schicht unmöglich, die Leitschichtstreifen niederohmig an den magnetoresistiven Schichtstreifen anzukoppeln. Damit wird ihre beabsichtigte Wirkung als Äquipotentiallinie des elektrischen Feldes im magnetoresistiven Schichtstreifen aufgehoben oder zumindest soweit vermindert, daß die Sensor­ empfindlichkeit sehr stark beeinträchtigt wird. Im Falle einer leitfähigen Schutzschicht stellt die Ankopplung der Leitschichtstreifen kein Problem dar. Jedoch wird wegen der erforderlichen Mindestdicke dann ein wesentlicher Teil des Stromes, der eigentlich durch die magnetoresistive Schicht fließen sollte, in der Schutzschicht fließen. Da sich deren Widerstand natürlich im angelegten Magnetfeld nicht ändert, wird auch hier ein wesentlicher Empfindlichkeitsab­fall des Sensors die Folge sein. Naheliegend wäre die Strukturierung der Schutz­schicht etwa in der Art, daß dieselbe an den Stellen, an denen später die Leit­schichtstreifen aufgebracht werden sollen, entfernt wird. Das hat neben der erheblichen Schwierigkeit bei den erforderlichen großen Genauigkeitsanforderun­gen, die aus den geringen Abmessungen der Strukturen im Mikrometerbereich re­sultieren, auch noch den Nachteil, daß die Oberfläche der magnetoresistiven Schicht im Strukturierungsprozeß verunreinigt wird und damit die Ankontaktierung der Leitschichtstreifen auch nicht ohne weiteres möglich ist.
  • Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, den bekannten magnetoresistiven Sensor mit Schutzschicht so auszugestalten und weiterzubilden, daß sich auch im Bereich höherer Einsatztemperaturen keine bleibenden Änderungen der funktions­bestimmenden Eigenschaften der magnetoresistiven Schicht wie erhöhte Hysterese oder absinkende Änderung des Widerstandes im Magnetfeld ergeben, daß die Empfind­lichkeit des Magnetfeldnachweises nicht durch das Vorhandensein der Schutz­schicht abgesenkt ist und daß keine zusätzlichen hochpräzisen, aufwendigen Strukturierungsschritte erforderlich sind.
  • Die zuvor aufgezeigte Aufgabe ist bei einem magnetoresistiven Sensor mit den Merkmalen des Oberbegriffs von Anspruch 1 durch die Merkmale des kennzeichnen­den Teils von Anspruch 1 gelöst. Die in der Formel angegebenen Oxi- bzw. Karbo­nitride sind metallisch leitend. Die Leitfähigkeit der Materialien kann in wei­ten Grenzen durch den Anteil an Sauerstoff bzw. Kohlenstoff, also durch die Größe des x-Wertes, beeinflußt werden. Mit steigendem x sinkt die Leitfähigkeit ab. Bei Schichtdicken, die für den Schutz der magnetoresistiven Schicht vor Oxy­dation ausreichend sind, wird ein so guter elektrischer Kontakt zwischen der ma­gnetoresistiven Schicht und den Leitschichtstreifen gewährleistet, daß dadurch kein Ausgangssignalabfall auftritt. Dazu ist es jedoch zweckmäßig, daß min­destens die erste Einzelschicht in der Herstellung unmittelbar und ohne Va­kuumunterbrechung auf die magnetoresistive Schicht aufgebracht wird oder daß die Oberfläche der magnetoresistiven Schicht mit Hilfe eines Abtrageverfahrens im Vakuum gereinigt worden ist. Durch die wegen des notwendigen Oxydationsschutzes vorgegebene Mindestdicke der Schutzschicht sowie vorzugsweise auch die über den x-Wert eingestellte Leitfähigkeit wird erreicht, daß die elektrisch parallel zur magnetoresistiven Schicht geschaltete Schutzschicht in ihrer Hauptebene immer noch einen so hohen Widerstand hat, daß nur ein völlig unerheblicher Stromanteil durch diese fließt. Damit ist auch hier ein möglicher Ausgangssi­gnalabfall verhindert.
  • Die aus dem angegebenen Material bestehende Schutzschicht verhindert nicht nur das Eindringen von Sauerstoff aus der Atmosphäre oder aus den in weiteren Be­arbeitungsschichten verwendeten Medien in die magnetoresistive Schicht, sondern stellt auch eine Barriere für das Eindringen des Leitschichtmaterials in die magnetoresistive Schicht dar. Als Leitschichtmaterial kommt vorzugsweise Alu­minium zum Einsatz. In der magnetoresistiven Schicht vorhandenes Aluminium ver­ringert die Größe der Widerstandsänderung im Magnetfeld und vergrößert die Hysterese der Widerstands- /Magnetfeldkurve. Die Schutzschicht der erfindungs­gemäßen Zusammensetzung verhindert das Eindringen von Aluminium. Von prak­tischer Bedeutung ist dies insbesondere bei höheren Einsatztemperaturen, da es gerade hier darauf ankommt, die sonst starken Diffusionsvorgänge von der Alu­minium-Leitschicht in die magnetoresistive Schicht zu unterbinden.
  • Ohne die erfindungsgemäß zusammengesetzte Schutzschicht ist die Strukturierung der Leitschichten nur im Lift-off-Verfahren möglich. Schutzschichten der er­findungsgemäßen Zusammensetzung sind jedoch in der Lage, die magnetoresistiven Schichten vor den zur Ätzstrukturierung der Leitschichten eingesetzten Mitteln zu schützen. So werden starke Einschränkungen in den Bearbeitungsmöglichkeiten der Leitschichten aufgehoben und die Integration von magnetoresistiven Senso­ren mit Halbleiteransteuer- und Auswerteschaltungen wird damit auf einen tech­ nisch realisierbaren Stand gebracht. Zur Anwendung der Ätzstrukturierung der Leitschichten ist es allerdings nötig, die magnetoresistiven Schichtstreifen von allen Seiten mit Schutzschichten zu bedecken. Vorteilhafterweise wird deshalb die magnetoresistive Schicht sofort nach ihrer Abscheidung mit einer ersten Einzelschicht abgedeckt. Danach werden die magnetoresistiven Schichtstreifen strukturiert. Es ist klar, daß die seitlichen Flächen der Streifen dann zu­nächst nicht abgedeckt sind. Deshalb wird in einem weiteren Arbeitsschritt eine zweite Einzelschicht gleicher oder unterschiedlicher Zusammensetzung und Dicke aufgetragen und danach mit größerer Breite so strukturiert, daß nun auch die seitlichen Flächen der magnetoresistiven Schichtstreifen abgedeckt sind. Bei der Anwendung einer aus mehreren Einzelschichten bestehenden Schutzschicht ist das Einhalten des erforderlichen großen Verhältnisses zwischen dem Widerstand der parallel zur magnetoresistiven Schicht geschalteten Schutzschichtabschnitte und dem Übergangswiderstand zwischen magnetoresistiver Schicht und Leitschicht nicht ohne weiteres möglich. Deshalb ist insbesondere hier erfindungsgemäß der Anteil x des Sauerstoffes bzw. Kohlenstoffes im Material der Einzelschichten in den Bereichen, die nicht von den Leitschichtstreifen abgedeckt sind, höher eingestellt als er unter den Leitschichtstreifen ist. Das kann in der Ferti­gung nach der Strukturierung der Leitschichtstreifen einfach z. B. durch Im­plantieren von Sauerstoff bzw. Kohlenstoff nach bekannten Verfahren geschehen. Dazu sind keine zusätzlichen Maskierungsschritte erforderlich, da die Schutz­schichtbereiche unter den Leitschichtstreifen bei der Implantation durch die­selben abgedeckt sind. Da die Leitfähigkeit des erfindungsgemäßen Schutzschicht­materials mit steigendem Sauerstoff- bzw. Kohlenstoffgehalt abnimmt, ist der entsprechende Parallelwiderstand ohne weiteres auf einen genügend hohen Wert einstellbar.
  • Die Erfindung wird nun nachfolgend anhand einer lediglich ein Ausführungsbei­spiel darstellenden Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt
    • Fig. 1 in einer Draufsicht einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen magne­toresistiven Sensors und
    • Fig. 2 einen Querschnitt durch den Sensor aus Fig. 1 entlang der Linie II-II.
  • Die in der Zeichnung gegebene Darstellung ist nicht maßstabsgetreu, damit das Prinzip des erfindungsgemäßen magnetoresistiven Sensors richtig verstanden wer­den kann. Insbesondere sind der Deutlichkeit halber alle Schichtdicken im Ver­hältnis zu den Schichtbreiten zu groß und auch im Verhältnis zueinander nicht maßstäblich dargestellt.
  • Der erfindungsgemäße magnetoresistive Sensor kann in besonders zweckmäßiger Wei­se als Wheatstone-Brücke aus vier Brückenwiderständen aufgebaut sein, wobei Fig. 1 und Fig. 2 einen dieser Brückenwiderstände darstellen. Fig. 1 und Fig. 2 zei­gen zunächst einen magnetoresistiven Schichtstreifen 1 auf einem nicht mit ei­nem Bezugszeichen versehenen Träger, normalerweise einem Träger aus einem gut wärmeleitenden, elektrisch isolierenden Material.
  • Direkt auf dem magnetoresistiven Schichtstreifen 1 aus Permalloy von etwa 10 µm Dicke ist im gleichen Herstellungsschritt ohne Vakuumunterbrechung eine erste Einzelschicht 2a, die aus Nb N(1-x)Ox besteht, und die eine Dicke von 6 µm hat, aufgebracht. Der Sauerstoffanteil des Materials wird durch den Parameter x = 0,03 charkterisiert. Da die Einzelschicht 2a metallisch leitet und unmittelbar nach dem magnetoresistiven Schichtstreifen 1 aufgebracht ist, wird der elektri­sche Kontakt zwischen beiden nicht durch eine verunreinigte, insbesondere oxy­dierte Oberfläche gestört. Zur Herstellung des magnetoresistiven Schichtstrei­fens 1 mit der ersten Einzelschicht 2a von etwa 10 µm Breite wird die Fotoätz­technik angewendet. Es entstehen so Schichtstreifen 1, deren obere Fläche 3 ab­gedeckt ist, während die seitlichen Fläche 4 freibleiben. Um auch die seitlichen Flächen 4 abzudecken, wird in einem weiteren Herstellungsschritt eine zweite Einzelschicht 2b mit gleicher Zusammensetzung und Dicke wie oben angegeben, auf­getragen. Sie wird so strukturiert, daß sie eine größere Breite hat als der ma­gnetoresistive Schichtstreifen 1. Damit ist dieser vollständig durch die Einzel­schichten 2a, b abgedeckt. Auf diese Schutzschicht 2 sind Leitschichtstreifen 5 aus Aluminium mit einer Dicke von 0,6 µm abgeschieden. Die bei der Strukturierung der Leitschichtstreifen 5 mit einer Breite von 3 µm in Fotoätzverfahren einge­setzten Ätzmittel können durch die Wirkung der Schutzschicht 2 die magnetore­sistiven Schichtstreifen 1 nicht angreifen. Wegen der guten metallischen Leit­fähigkeit und der geringen Dicke der Einzelschichten 2a, b sind die Leit­schichtstreifen 5 sehr niederohmig mit den magnetoresistiven Schichtstreifen 1 kontaktiert. Dadurch und durch den geringen Widerstand der Leitschichtstreifen 5 steht die Richtung des Stromes durch die magnetoresistiven Schichtstreifen 1 bei Betrieb des Sensors im wesentlichen senkrecht zur Richtung der Leitschicht­streifen 5, und es werden Ausgangssignalverluste des Sensors vermieden. Damit der Widerstand der beiden Einzelschichten 2a, b im Bereich 6, der nicht von den Leitschichtstreifen 5 abgedeckt sind und elektrisch parallel zum Widerstand des magnetoresistiven Schichtstreifens 1 geschaltet ist, gegenüber diesem einen sehr großen Wert annimmt, ist in die beiden Einzelschichten 2a, b in einem wei­teren Herstellungsschritt Sauerstoff implantiert. Damit ist hier ein durch x = 0,17 charakterisierter Sauerstoffanteil erreicht. Der spezifische Widerstand des Materials der Einzelschichten 2a, b ist hier mehr als fünf Mal höher als in den Bereichen unter den Leitschichtstreifen 5. Diese Bereiche bleiben durch die Ab­schirmwirkung der Leitschichtstreifen 5 selbst bei der Implantation von zusätz­lichem Sauerstoff frei. Deshalb sind auch bei der Implantation keine hochprä­zisen Maskierungsschritte im Abmessungsbereich von wenigen Mikrometern erfor­derlich.
  • Die beiden Einzelschichten 2a, b aus dem angegebenem Material stellen in den Bereichen 6, die nicht von den Leitschichtstreifen 5 abgedeckt sind, eine Bar­riere für die Diffusion des Sauerstoffes aus der Atmosphäre und im Breich der Leitschichtstreifen 5 für die Diffusion des Aluminiums dar. Die Barrierenfunk­tion der Einzelschichten 2a, b ist bis zu Temperaturen von etwa 300 °C gegeben und schließt in diesem, gegenüber ungeschützten magnetoresistiven Schichten be­deutend erweiterten Arbeitstemperaturbereich den schädlichen Einfluß von Sauer­stoff und Aluminium aus. Dieser würde in einer mit zunehmender Betriebsdauer ab­nehmenden Widerstandsänderung der magnetoresistiven Schichten im Magnetfeld und in zunehmender Hysterese in der Widerstands-Magnetfeldkurve bestehen. Durch die erfindungsgemäße Schutzschicht 2 wird also die Stabilität und Zuverlässigkeit der Sensoren wesentlich erhöht.

Claims (5)

1. Magnetoresistiver Sensor mit mindestens einem magnetoresistiven Schichtstrei­fen (1) auf einem Träger aus entsprechend passendem Material, einer den Schicht­streifen (1) bedeckenden Schutzschicht (2) und unter bestimmten Winkeln und in bestimmten Abständen auf der Schutzschicht (2) angeordneten Leitschichtstreifen (5), dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (2) aus einem Material der Zusam­mensetzung MN(1-x)Ax besteht, wobei M eines der Metalle Hf, Nb, Ta, Ti oder Zr und A Sauerstoff und/oder Kohlenstoff ist und x im Bereich von 0 bis 0,5, vor­zugsweise von 0 bis 0,2, insbesondere von 0,01 bis 0,2 liegt.
2. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (2) aus mehreren, insbesondere zwei gleichen oder unterschied­lichen, mindestens teilweise übereinanderliegenden Einzelschichten (2a, 2b) auf­gebaut ist und beide Einzelschichten (2a, 2b) aus einem Material der Zusammen­setzung gemäß Anspruch 1 bestehen.
3. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich eine erste Einzelschicht (2a) lediglich auf der vom Träger wegweisen­den Oberfläche (3) des magnetoresistiven Schichtstreifens (1) befindet, dessen seitliche Flächen (4) jedoch frei läßt und daß eine zweite Einzelschicht (2b) auf der ersten Einzelschicht (2a) und mindestens auch auf den seitlichen Fläche (4) des Schichtstreifens (1) angeordnet ist.
4. Magnetoresistiver Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn­zeichnet, daß der Anteil des Stoffes A im Material der Schutzschicht (2) bzw. mindestens einer der Einzelschichten (2a, 2b) der Schutzschicht (2) in Berei­chen (6), die nicht von den Leitschichtstreifen (5) abgedeckt sind, höher ist als in unter den Leitschichtstreifen (5) liegenden Bereichen.
5. Magnetoresistiver Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn­zeichnet, daß mehrere, insbesondere vier von einer entsprechenden Schutzschicht (2) bedeckte Schichtstreifen (1) mit entsprechenden Leitschichtstreifen (5) in einer Brückenschaltung zusammengeschaltet sind.
EP90114200A 1989-08-23 1990-07-25 Magnetoresistiver Sensor Expired - Lifetime EP0413984B1 (de)

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AT90114200T ATE96938T1 (de) 1989-08-23 1990-07-25 Magnetoresistiver sensor.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD332029 1989-08-23
DD89332029A DD299403A7 (de) 1989-08-23 1989-08-23 Magnetoresistiver sensor, bestehend aus magnetischen schichtstreifen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0413984A1 true EP0413984A1 (de) 1991-02-27
EP0413984B1 EP0413984B1 (de) 1993-11-03

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EP90114200A Expired - Lifetime EP0413984B1 (de) 1989-08-23 1990-07-25 Magnetoresistiver Sensor

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EP (1) EP0413984B1 (de)
AT (1) ATE96938T1 (de)
DD (1) DD299403A7 (de)
DE (1) DE59003316D1 (de)

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