DE4221385C2 - Bauelement zur potentialfreien Strommessung - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Bauelement zur potentialfreien
Strommessung mit einem leitfähigen, stromdurchflossenen
Chipträger, mit einem auf dem Chipträger isoliert ange
brachten Magnetfeldsensor und einem Dauermagneten, wobei
der Chipträger mindestens einen Stromeingangs- und Strom
ausgangspin und der Magnetfeldsensor magnetfeldabhängige
Widerstände aufweist und das Bauelement gekapselt ist.
Der Gegenstand der Erfindung, ein verkapseltes Bauelement,
dient der potentialfreien Messung von Gleich- und Wechsel
strömen. Eine solche potentialfreie Messung innerhalb eines
weiten Frequenzbereiches ist beispielsweise in Schaltnetz
teilen und in Motorsteuerungen notwendig. Bauelemente die
ser Art sind bekannt. So wird in der DE 38 28 005 A1 ein
Beispiel dafür beschrieben. Bei diesem Bauelement ist auf
einem leitfähigen Chipträger, der mit zwei Pins des Bauele
mentes verbunden ist, ein magnetoresistiver Sensor isoliert
angeordnet. Fließt Strom durch den Chipträger wird der Ma
gnetfeldsensor entsprechend dem zum Strom proportionalen
Magnetfeld angesteuert und damit ist sein Ausgangssignal
ein Maß für den jeweils fließenden Strom.
Damit verbunden ist die Tatsache, daß das auf den Sensor
wirkende Magnetfeld stark von der Lage des Sensorchips ge
genüber dem Stromleiter abhängig ist. Übliche Montagetole
ranzen für den Abstand und die Chiplage in der Ebene über
dem Chipträger führen so zu erheblichen Unterschieden in
der Empfindlichkeit des Bauelementes. Deshalb muß jedes
Bauelement speziell ausgemessen werden und erhält einen
speziellen Meßfaktor. Die dadurch nicht vorhandene Aus
tauschbarkeit der Bauelemente ist ein wesentlicher Nach
teil.
Ein weiterer Nachteil des bekannten Bauelementes ergibt
sich aus dem begrenzten Meßbereich der magnetoresistiven
Sensoren. Da andererseits das durch den Meßstrom erzeugte
Magnetfeld möglichst groß gegenüber allen Störmagnetfeldern
sein muß, was durch Anpassung der Breite des leitfähigen
Chipträgers an den jeweils maximalen Fließstrom realisiert
wird, ergibt sich, daß Stromsensoren für relativ eng ge
staffelte Meßbereiche zur Verfügung gestellt werden müssen,
die sich bezüglich ihres Chipträgers unterscheiden. Damit
ist eine kostengünstige Fertigung großer Serien nicht mög
lich. Ein weiterer Nachteil dieser bekannten Stromsensor
bauele-mente mit magnetoresistiven Sensorelementen ist auf
den Dauermagneten zurückzuführen, der für das Sensorelement
das zur Stabilisierung der Magnetisierung notwendige Ma
gnetfeld erzeugt. Die im Einsatzfall in den Schaltungen
auftretenden Kurzschlußströme, die auch durch den Chipträ
ger fließen, rufen in dessen Nähe Magnetfelder hervor, die
zur Ummagnetisierung des Dauermagneten durchaus ausreichend
sein können. Solche Ummagnetisierungen verändern die Bau
elementeparameter dauerhaft und machen so die Bauelemente
unbrauchbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung
von Bauelementen zur potentialfreien Strommessung mit einem
Magnetfeldsensor auf einem leitfähigen Chipträger durch den
der zu messende Strom fließt anzugeben, die reproduzierba
re, stabile Parameter aufweisen und die in großen Serien
und damit kostengünstig herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung mit den Merkmalen
des Anspruches 1 gelöst. Der Chipträger ist hierbei in
mehrere parallele Stromzweige aufgeteilt. Auf einem davon
befindet sich innerhalb der Verkapselung der Magnetfeldsen
sor und ist so vor äußeren Einflüssen geschützt. Die übri
gen parallelen Leiterstreifen befinden sich teilweise au
ßerhalb der Verkapselung. Damit können sie auch nach der
Herstellung des Bauelementes in ihrer Breite durch nach
trägliche Bearbeitung verringert werden. Dabei ist unter
breitenverändernder Bearbeitung ausdrücklich auch ihre völ
lige Durchtrennung zu verstehen. Durch diese Breitenände
rung ändert sich der Widerstand des jeweils bearbeiteten
Leiterstreifens und damit ändert sich die Stromverteilung
zwischen den parallelen Leiterstreifen und so kann die
Stromdichte in den Leiterstreifen, der den Feldsensor
trägt, auf den Wert gebracht werden, der für den angestreb
ten Meßfaktor erforderlich ist. Bei völliger Durchtrennung
eines Leiterstreifens wird es so auch möglich, einen ande
ren Meßbereich, das heißt einen anderen Meßfaktor einzu
stellen. Da für mehrere Meßbereiche immer Chipträger mit
der gleichen Struktur verwendet werden können, ist damit
deren Herstellung in großen Stückzahlen möglich. Da zur
stabilen Festlegung der Magnetisierungsrichtung des magne
toresistiven Sensors ein Dauermagnet notwendig ist, wird
dieser vorteilhafterweise zwischen den Leiterstreifen ange
ordnet. Die günstigste Position ist bei symmetrischer Lei
terstreifenanordnung in der Mitte. Zwischen den Leiter
streifen gibt es nur vernachlässigbare Feldkomponenten in
der Leiterstreifenebene. Die dazu senkrechte Komponente
hebt sich bei symmetrischer Anordnung vollständig und bei
unsymmetrischer Anordnung teilweise auf. Damit wird verhin
dert, daß beim Sensorbetrieb kurzzeitig auftretende Kurz
schlußströme, welche die Meßbereichsgrenze um ein Vielfa
ches übersteigen, den Dauermagneten ummagnetisieren.
Es ist vorteilhaft, als Magnetfeldsensoren magnetoreistiven
Sensoren zu verwenden, bei denen auf dem Chip eine Dünn
schichtkompensationsleitung integriert ist. Ein Strom durch
diese Leitung hebt beim Meßvorgang am Ort des Sensors das
Magnetfeld des Meßstromes auf. Durch diese Maßnahme wird
der Linearitätsbereich des magnetoresistiven Sensors erheb
lich vergrößert und damit vergrößert sich auch der Umfang
des jeweiligen Meßbereiches des Bauelementes.
Weitere Vorteile werden dadurch erreicht, daß auf der dem
Sensor abgewandten Seite des Leiterstreifens, der den Sen
sor trägt, eine weichmagnetische Schicht angeordnet ist.
Dadurch fällt auf dieser Seite keine magnetische Spannung
ab und das auf den Sensors wirkende Feld pro Stromeinheit
wird etwa auf das Doppelte erhöht. So gelingt es schon bei
geringerem Strom, den Pegel des Störmagnetfeldes zu über
steigen.
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert. Die dazu gehörende Zeichnung zeigt in der
Figur die Draufsicht auf ein unverkapseltes
Bauelement.
Die Umrisse der späteren Verkapselung 5 sind gestrichelt
angedeutet. Ein leitfähiger Chipträger 3 besitzt zwei Stro
meingangs- 1 und zwei Stromausgangspins 2. Im mittleren
Teil ist der Chipträger 3 so strukturiert, daß ein erster
Leiterstreifen 8, der den Magnetfeldsensor 4 trägt und sich
innerhalb der späteren Verkapselung 5 befindet, ein zweiter
Leiterstreifen 9, der sich teilweise außerhalb der Verkap
selung 5 befindet, sowie ein dritter Leiterstreifen 11, der
völlig außerhalb der Verkapselung 5 angeordnet ist, vorhan
den sind. Für den Anschluß der Sensorbrücke und des Kompen
sationsleiters sind sechs Anschlußpins 12 vorgesehen. Der
Magnetfeldsensor 4 detektiert das Magnetfeld des Stromes,
der durch den ersten Leiterstreifen 8 des leitfähigen Chip
trägers 3 fließt. Die Messung erfolgt so, daß das durch den
Strom des Leiterstreifens 8 erzeugte Magnetfeld durch einen
Strom in der Kompensationsleitung des Sensorchips 4 gerade
aufgehoben wird. Die Sensorbrücke dient dabei als Nullindi
kator. Das Ausgangssignal ist der Kompensationsstrom, der
dem zumessenden Strom proportional ist. Der im Chipträger 3
fließende Strom teilt sich auf die drei parallelen Leiter
streifen 8, 9 und 11 auf. Ist die Steilheit des Bauelemen
tes - das heißt der pro Meßstromeinheit auftretende Kompen
sationsstrom - zunächst zu gering, kann der Strom im ersten
Leiterstreifen 8 dadurch erhöht werden, daß im Bereich zur
breitenverändernden Bearbeitung 6 des dritten Leiterstrei
fens 11 die Breite durch mechanische oder Laserbearbeitung
verringert wird. Beim Bearbeitungsvorgang wird die Steil
heit gemessen. So sind alle Bauelemente mit geringen Tole
ranzen auf den gleichen Wert der Steilheit einstellbar.
Soll der Stromsensor eine genau um den Faktor zwei höhere
Steilheit aufweisen, so wird nach der Fertigstellung des
Bauelementes zunächst der zweite Leiterstreifen 9 im zur
Durchtrennung vorgesehenen Bereich 10 durchtrennt. Danach
erfolgt der Feinabgleich der Steilheit wie oben beschrie
ben. Zwischen dem ersten Leiterstreifen 8 und dem zweiten
Leiterstreifen 9 ist ein Dauermagnet 7 so angeordnet, daß
das von ihm erzeugte Magnetfeld am Ort des magnetoresisti
ven Sensors eine Stärke von 3 kA/m hat. Der Dauermagnet 7
zeigt dabei mit seiner Richtung in Längsrichtung der Wider
standsstreifen des Sensors 4. Das am Ort des Dauermagneten
77 durch den zu messenden Strom verursachte Magnetfeld hat
nur einen geringen Wert. Da der Dauermagnet 7 sich in einer
Ebene mit dem leitfähigen Chipträger 3 befindet, können
Feldkomponenten in dieser Ebene nur vernachlässigbar klein
sein. Die Feldkomponenten senkrecht zu dieser Ebene, die
von den Strömen in den parallelen Leiterstreifen 8, 9 und
11 herrühren, können bei hohem Strom, wie er beispielsweise
bei Kurzschlüssen auftreten kann, im Einzelnen sehr hohe
Werte erreichen. Da jedoch die Richtungen der senkrechten
Feldkomponenten, die vom Leiterstreifen 8 erzeugt wird und
die von den Leiterstreifen 9 und 11 erzeugt werden, entge
genstehen, heben sie sich im wesentlichen auf. Eine Umma
gnetisierung des Dauermagneten 7 ist somit auch im Kurz
schlußfall ausgeschlossen.
Claims (6)
1. Bauelement zur potentialfreien Strommessung mit einem
leitfähigen, stromdurchflossenen Chipträger, mit einem auf
dem Chipträger isoliert angebrachten Magnetfeldsensor und
einem Dauermagneten, wobei der Chipträger mindestens einen
Stromeingangs- und Stromausgangspin und der Magnetfeldsen
sor magnetfeldabhängige Widerstände aufweist und das Bau
element gekapselt ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Chipträger (3) zwischen dem Stromeingangs- und Strom ausgangspin (1, 2) in einen ersten (8) und mindestens einen weiteren Leiterstreifen (9, 11) verzweigt ist, dass der Ma gnetfeldsensor (4) auf dem ersten Leiterstreifen (8) ange bracht ist, dass der Dauermagnet zwischen zwei Leiterstrei fen so angebracht ist, dass die Summe der Anteile des zu messenden Stromes in den Leiterstreifen (8, 9, 11) auf der einen Seite des Dauermagneten etwa genauso groß ist, wie die Summe der Anteile auf der gegenüberliegenden Seite,
dass das Magnetfeld des Dauermagneten gerichtet auf den Ma gnetfeldsensor einwirkt, dass sich mindestens einer der weiteren Leiterstreifen (9, 11) zumindest teilweise außer halb der Verkapselung (5) befindet, und dass an diesem Lei terstreifen (9, 11) ein Bereich (6) zur breitenverändernden Bearbeitung vorgesehen ist.
der Chipträger (3) zwischen dem Stromeingangs- und Strom ausgangspin (1, 2) in einen ersten (8) und mindestens einen weiteren Leiterstreifen (9, 11) verzweigt ist, dass der Ma gnetfeldsensor (4) auf dem ersten Leiterstreifen (8) ange bracht ist, dass der Dauermagnet zwischen zwei Leiterstrei fen so angebracht ist, dass die Summe der Anteile des zu messenden Stromes in den Leiterstreifen (8, 9, 11) auf der einen Seite des Dauermagneten etwa genauso groß ist, wie die Summe der Anteile auf der gegenüberliegenden Seite,
dass das Magnetfeld des Dauermagneten gerichtet auf den Ma gnetfeldsensor einwirkt, dass sich mindestens einer der weiteren Leiterstreifen (9, 11) zumindest teilweise außer halb der Verkapselung (5) befindet, und dass an diesem Lei terstreifen (9, 11) ein Bereich (6) zur breitenverändernden Bearbeitung vorgesehen ist.
2. Bauelement zur potentialfreien Strommessung nach An
spruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Magnetfeldsensor
(4) ein Sensor nach dem Prinzip des anisotropen magnetorei
stiven Effektes ist.
3. Bauelement zur potentialfreien Strommessung nach An
spruch 2, gekennzeichnet dadurch, daß der Sensor (4) auf
der Chipfläche integriert eine Dünnschichtkompensationslei
tung enthält, die beim Meßvorgang von einem Strom durch
flossen wird, dessen Magnetfeld das des zu messenden Stro
mes am Ort des Sensors (4) aufhebt.
4. Bauelement zur potentialfreien Strommessung nach An
spruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß der leitfähige Chip
träger (3) aus gleichmäßig dickem, ebenen, gut leitfähigem
Material besteht und drei parallele Leiterstreifen auf
weist, der zweite Leiterstreifen (9) mit einer Breite, die
etwa gleich der des ersten Leiterstreifens (8) ist, sich
mindestens teilweise außerhalb der Verkapselung (5) befin
det und hier einen Bereich (10)enthält, in dem seine Durch
trennung vorgesehen ist, und der dritte Leiterstreifen (11)
mit einer Breite, die wesentlich geringer ist als die des
ersteh Leiterstreifens (8), sich außerhalb der Verkapselung
(5) befindet und an ihm ein Bereich (6) zur breitenverän
dernden Bearbeitung vorgesehen ist.
5. Bauelement zur potentialfreien Strommessung nach An
spruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß auf der dem Sensor
(4) abgewandten Seite des leitfähigen Chipträgers (3) min
destens im Bereich des Leiterstreifens (8), der den Sensor
(4) trägt, eine weichmagnetische Schicht vorhanden ist.
6. Bauelement zur potentialfreien Strommessung nach An
spruch 4, gekennzeichnet dadurch, daß der Dauermagnet (7)
sich im Bereich zwischen dem ersten Leiterstreifen (8) und
dem zweiten Leiterstreifen (9) befindet.
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DE4221385C2 true DE4221385C2 (de) | 2000-05-11 |
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ID=6462116
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DE4221385A Expired - Fee Related DE4221385C2 (de) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Bauelement zur potentialfreien Strommessung |
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4336482A1 (de) * | 1993-10-26 | 1995-04-27 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Abgleichen eines magnetoresistiven Sensors |
DE4410180A1 (de) * | 1994-03-24 | 1995-09-28 | Bosch Gmbh Robert | Stromstärkemeßgerät |
JP2001165963A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sanken Electric Co Ltd | ホール素子を備えた電流検出装置 |
EP1267173A3 (de) * | 2001-06-15 | 2005-03-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | Hall-Effektstromdetektor |
WO2003038452A1 (fr) | 2001-11-01 | 2003-05-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Capteur de courant et procede de fabrication associe |
DE102013104486A1 (de) | 2013-05-02 | 2014-11-20 | Sensitec Gmbh | Magnetfeldsensorvorrichtung |
CN205809273U (zh) | 2016-04-06 | 2016-12-14 | 江苏多维科技有限公司 | 一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻amr传感器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4492919A (en) * | 1982-04-12 | 1985-01-08 | General Electric Company | Current sensors |
DE3828005A1 (de) * | 1987-08-27 | 1989-03-09 | Univ Schiller Jena | Verkapseltes magnetoresistives bauelement zur potentialfreien strommessung |
-
1992
- 1992-06-30 DE DE4221385A patent/DE4221385C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4492919A (en) * | 1982-04-12 | 1985-01-08 | General Electric Company | Current sensors |
DE3828005A1 (de) * | 1987-08-27 | 1989-03-09 | Univ Schiller Jena | Verkapseltes magnetoresistives bauelement zur potentialfreien strommessung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE4221385A1 (de) | 1994-01-05 |
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