EP0412537B1 - Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben Download PDF

Info

Publication number
EP0412537B1
EP0412537B1 EP90115269A EP90115269A EP0412537B1 EP 0412537 B1 EP0412537 B1 EP 0412537B1 EP 90115269 A EP90115269 A EP 90115269A EP 90115269 A EP90115269 A EP 90115269A EP 0412537 B1 EP0412537 B1 EP 0412537B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
polishing
polishing cloth
treatment liquid
cloth
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP90115269A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0412537A2 (de
EP0412537A3 (en
Inventor
Helene Dr. Dipl.-Chem. Prigge
Josef Dipl.-Ing. Lang (Fh)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Publication of EP0412537A2 publication Critical patent/EP0412537A2/de
Publication of EP0412537A3 publication Critical patent/EP0412537A3/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0412537B1 publication Critical patent/EP0412537B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces

Definitions

  • the invention relates to methods and devices for polishing cloth preparation in chemomechanical polishing, in particular of semiconductor wafers, by the action of liquid on the polishing cloth.
  • the object of the invention was therefore to provide a method according to which the polishing cloths can be prepared in the case of one- and two-sided polishing in such a way that, with a long polishing cloth service life and a consistently high removal rate, a high geometric quality of the polished disks obtained is guaranteed at the same time, as well to provide suitable devices for its implementation.
  • the object is achieved by a method which is characterized in that after the polishing process, a processing liquid is brought under pressure to flow through the polishing cloth, the residues formed during the polishing process being mobilized by the liquid flow and at least partially from the polishing cloth be carried out.
  • the method is basically suitable for use with polishing cloths which have a cavity structure which allows liquids to flow through.
  • polishing cloths are known and for example in the above mentioned Article or in EP-A-239 040 (filed March 20, 1987 with priority of the US application with file number 843881) as well as in the patent literature cited therein and mentioned in the search report, or in EP-A-291 100.
  • They usually consist of poromers (poromeric materials), mostly based on polyester or polyurethane, in which fiber materials can optionally also be embedded for reinforcement. They are often made up of different layers in a sandwich-like manner and thus represent a porous multi-phase system through which air can flow.
  • aqueous phases come into consideration, for cost reasons alone.
  • pure, preferably desalinated or reverse osmosis-purified water can be used.
  • agents are favorably added to the water which chemically attack the residues deposited in the polishing cloth during the polishing of the respective semiconductor material and are at least partially able to convert them into solution.
  • alkaline aqueous solutions are preferably used for the preparation of the polishing cloth according to the invention, the pH range from 10 to 12 having proven particularly useful.
  • alkaline compounds of ammonium and the alkali elements, especially the hydroxides and carbonates of sodium and especially of potassium have proven useful as additives.
  • aqueous solutions can be used to prepare the polishing cloth, for example, which act as agents, for example oxidizing components such as hypochlorite, e.g. Contain sodium hypochlorite.
  • organosilanols preferably trialkylsilanols and in particular trimethylsilane or triethylsilanol
  • organosilanols preferably trialkylsilanols and in particular trimethylsilane or triethylsilanol
  • the pressure conditions under which the treatment liquid is applied to the polishing cloth play an important role. On the one hand, they should ensure a sufficient depth of penetration of the liquid into the interior of the polishing cloth and a sufficient flow path, and on the other hand ensure that the polishing cloth is covered by a liquid film on its free surface, so that, for example, direct mechanical contact between the sensitive polishing cloth surface and for applying the treatment liquid or devices or tools used to wipe off the liquid emerging from the surface of the polishing cloth does not take place. Influences due to the polishing cloth structure, the geometry of the outlet openings through which the treatment liquid is applied to the polishing cloth, the geometry of the aids or devices used for this purpose, and the pressure forces occurring due to their own weight and / or additional pressure, must be taken into account. Given the large number of interacting parameters, suitable pressure conditions are expediently determined in preliminary tests and tailored to the specific case.
  • FIG. 1 shows a top view of a detail from a polishing plate 1 of a commercially available polishing machine, which is covered with a polishing cloth 2 made of, for example, polyurethane.
  • a device 3 for carrying out the preparation process according to the invention It consists of a flat base plate 4, for example of sufficiently abrasion-resistant plastics such as polyvinyl chloride, polypropylene, polyurethane, polytetrafluoroethylene or fluorothermoplastics, or metals such as steels, aluminum or aluminum alloys or titanium, which can optionally also be provided with plastic coatings, advantageously based on fluorothermoplastics .
  • plastics such as polyvinyl chloride, polypropylene, polyurethane, polytetrafluoroethylene or fluorothermoplastics, or metals such as steels, aluminum or aluminum alloys or titanium, which can optionally also be provided with plastic coatings, advantageously based on fluorothermoplastics .
  • the base plate can be designed as a solid or as a hollow body.
  • the risk of contamination must of course be taken into account; on the other hand, a sufficient compressive strength and dimensional stability must also be guaranteed in order to enable the undisturbed build-up of the pressure field required for the treatment liquid to flow through.
  • the base plate facing the polishing plate is flat, while in the case of double-side polishing, the base plate advantageously has plane-parallel, flat support or work surfaces on the top and bottom, since then Preparation of the upper and lower polishing cloth can be done simultaneously.
  • Rectangular or strip-shaped base plates have proven successful, but the use of base plates with differently designed work surfaces, which expand radially outwards, for example, is not excluded.
  • Inner and outer positioning aids 5 and 6 are expediently attached to the base plate, for example pins, pins or hooks, which make it possible to bring the base plate into a fixed working position with respect to the rotating polishing cloth and to hold it there.
  • Base plates 7 are provided, which are preferably designed as slots that span almost the entire width of the polishing cloth. It has been found that a particularly uniform flow through the polishing cloth can be achieved with slot-shaped outlet openings, and in particular the formation of poorly flowed areas in which polishing residues can deposit or even accumulate inside the polishing cloth can be prevented. This is also favored by the edges of the base surface of the preferably strip-shaped base plate, which run parallel to the slots, which thereby ensure that the distance through which the treatment liquid flows is almost the same over almost the entire width of the polishing cloth. Basically, only such a slot is sufficient for processing.
  • the slots When dimensioning the slots, it should be noted in particular that they only reach the edge of the polishing cloth so far that the treatment liquid cannot break through in this area, which can lead to the collapse of the pressure field and ultimately to mechanical damage to the polishing cloth.
  • the required slot width is best determined in preliminary tests; it can be estimated based on the knowledge of the available pressure of the treatment liquid, usually the line pressure of the water supply will.
  • Another possibility is, for example, to let the treatment liquid emerge through outlet openings with a round, oval or polygonal cross section, which are advantageously uniformly distributed over the underside of the base plate. Arrangements with staggered or staggered, parallel to the longitudinal edges of the base plate or oblique and annular slot groups are also conceivable, provided a uniform loading of the polishing cloth is guaranteed.
  • the base plates are closed at the top and the outlet openings are only on the side of the base plate facing the polishing cloth to be prepared.
  • the upper and the lower polishing cloth are to be prepared by means of separate devices which are only effective on one side.
  • the required working pressure can also be easily set via the upper polishing plate in the manner known from the actual polishing process.
  • the upper and lower outlet openings can be connected to one another and each belong to common pressure systems or else can be separate and belong to independent pressure systems.
  • the supply of treatment liquid to the base plate or the outlet openings can be, for example, via supply lines 8 done.
  • the feed lines are expediently connected to one or more reservoirs in which the treatment liquid is placed.
  • the required working pressure can be generated in various ways, for example hydrostatically by means of an elevated position of the reservoirs relative to the base plate, or by means of pressurized gases acting on the liquid, such as compressed air, or by pumps.
  • the working pressure is generally not subject to any restrictions, those pressures are generally only used in exceptional cases where the equipment, operating and safety requirements are disproportionately high.
  • the line pressure provided in the usual liquid supply systems for example water pipes, is sufficient anyway.
  • FIG. 2 shows, in cross section, schematically in an arrangement for two-sided polishing, the lower and upper polishing plates 1, each covered with a polishing cloth 2, which move in opposite directions, for example rotate.
  • the base plate 4 In between is the base plate 4, from the upper and lower outlet openings 7 and 7 ', which belong to two separate supply systems, treatment liquid is pressed. As indicated by the arrows, this penetrates through the surface of the polishing cloth into the interior of the two polishing cloths, flows through it and emerges from the polishing cloths at the end of the base plate. The distance flowed through corresponds essentially to the distance between the outlet openings and the edges of the base plate, behind which the effect of the pressure field ceases, so that the treatment liquid can escape again.
  • preparation times of 2 to 60, preferably 5 to 20 minutes have proven to be sufficient to regenerate a polishing cloth to such an extent that the polishing result corresponds to an unused polishing cloth in terms of removal rate and disk geometry.
  • the pressure field impressed on the polishing cloth in the area of the base plate in the preparation step has its highest values at and between the two outlet openings. To the outside, the pressure then drops almost linearly until it has reached the ambient value at the edges of the base plate. Ultimately, if you look at it simply, a trapezoidal pressure field results that is disturbed on the end faces. If the pressure of the treatment liquid flowing out of the outlet openings exceeds the required limit value, the base plate is raised slightly in relation to the lower polishing cloth and the upper polishing cloth in relation to the base plate, and a thin, also flowed-through gap is formed between the work surfaces and the cloths .
  • this limit value is expediently determined empirically, mainly according to the type of polishing cloth and the behavior of the base plate and polishing device, in preliminary tests, since such factors often change difficult to estimate in advance.
  • a relative movement between the base plate and the polishing cloth is set, so that the flowed-through zone built up in the area of the base plate gradually, advantageously repeatedly, traverses the polishing cloth.
  • This can preferably be done with the base plate at rest and a moving cloth, but in principle also with the cloth at rest and the moving base plate or movement of both.
  • a number of flow-through zones distributed over the polishing cloth are advantageously provided, in order to keep the preparation time short.
  • a prerequisite for a properly working preparation process is, however, that the surface of the polishing cloth is not smeared by deposits created during the polishing process and the cloth can therefore no longer be flowed through.
  • the polishing cloth surface is expediently freed from these deposits as far as possible before the actual preparation step and thereby made at least partially flowable again. In some cases, this can be achieved, for example, by the action of strongly alkaline additives. However, sometimes changing the polishing cloth is inevitable.
  • the actual preparation process can be carried out as follows: First, after removing the polished disks, the intended number of base plates is placed in the intended working position across the now free polishing cloth, which is stretched over the lower polishing plate. In the case of one-sided polishing, this number advantageously corresponds to the number of pressure stamps present, by means of which a specific working pressure which counteracts the buoyancy generated by the treatment liquid can then be applied during the preparation of each base plate. In the Two-sided polishing is expediently distributed at least three equally thick base plates evenly over the lower polishing plate and then the upper polishing plate is lowered to generate the working pressure.
  • the liquid supply is opened and the treatment liquid flows with the intended pressure onto the polishing cloth surface, penetrates into the interior and finally flows out of the polishing cloth at the edge of the working surface of the base plate, gradually displacing the liquid in the polishing cloth, which Residues are solved and mobilized and finally discharged.
  • the polishing plate or plates can be rotated; the speed of rotation can usually be increased to values up to the polishing speed, but this is not mandatory.
  • the specified preparation time usually about 5 to 20 minutes, has expired, the rotary movement is stopped, the liquid supply is interrupted and the pressure stamp or the upper polishing plate is raised. Now the base plates can be removed and a new polishing run can begin.
  • the preparation process according to the invention and the devices suitable for its implementation make it possible to achieve consistently high removal rates in the polishing process, both in the case of single and double-sided polishing and also in the case of putty / template processes, with long polishing cloth service lives, and at the same time over the entire service life of the polishing cloth maintain a high geometric precision of the polished disks (especially with regard to flatness). It is particularly suitable for use in polishing processes in which a high geometric precision of the product is required, i.e. primarily for semiconductor wafers, in particular made of silicon, germanium or gallium arsenide, or wafers for magnetic memories based on, for example, gallium-gadolinium garnet, but also for wafers for use in optical systems made of glass or quartz .
  • the polishing process was then ended, the upper polishing plate was raised and the polished discs were removed.
  • the disc thickness was measured to determine the removal rate; it was approximately 615 ⁇ m, corresponding to an average removal of approximately 60 ⁇ m for all disks.
  • the geometric quality of the slices obtained was assessed using the "TTV" value ("Total Thickness Variation", total thickness variation), which corresponds to the absolute value of the difference between the maximum and minimum measured thickness values of a slice from a large number of point measurements.
  • the measurement was carried out in a known manner of a commercially available measuring device with a capacitive method, in which the disk is scanned simultaneously from both sides by means of two probes of known distance. The average value determined for all disks was approximately 1 ⁇ m.
  • three strip-shaped base plates were designed at a 120 ° angle to each other (length approx. 50 cm, width approx. 25 cm, thickness approx. 3 cm ) made of polyvinyl chloride placed on the lower polishing plate and fastened in their working position across the polishing cloth with the help of outer and inner pins.
  • the upper and lower work surfaces of the base plate were each provided with a pair of slots in the middle (slot width approx. 3 mm, slot spacing approx. 3 cm), which reached up to about 2 cm from the inner and outer edge of the polishing cloth.
  • the slots opposite each other on the top and bottom of each base plate could be supplied separately with treatment liquid via two independent feed lines.
  • the upper polishing plate was moved down and placed on the base plates with a pressure of approx. 50 kPa. Thereafter, the supply of the treatment liquid was started until through the evenly on the edges of the base plates Liquid emerging from the polishing cloth could be seen that a suitable pressure field had built up. Now the upper and lower polishing plates could be rotated in opposite directions, and the actual preparation process began, in which the residues of the polishing process were gradually mobilized and discharged through the liquid flowing through the polishing cloth. When this process was finished after about 10 minutes, no discoloration was discernible on the polishing cloth.

Description

  • Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben, durch Einwirkung von Flüssigkeit auf das Poliertuch.
  • Beim chemomechanischen Polieren von Scheiben, insbesondere Halbleiterscheiben, bei dem eine oder beide Scheibenoberflächen mit Hilfe von Poliertüchern behandelt werden, die mit einem meist auf Basis von Silicaten oder Kieselsäuren zubereiteten Poliermittel beaufschlagt und auf eine bewegte, in der Regel rotierende ebene Polierfläche aufgespannt sind, nimmt erfahrungsgemäß mit steigender Einsatzdauer der Poliertücher sowohl der Abtrag als auch die geometrische Qualität der erhaltenen polierten Scheiben ab. Um diesem aus der Ein- und Zweiseitenpolitur gleichermaßen bekannten Effekt zu begegnen, wird in dem im IBM Technical Report TR 22.2341 mit Datum vom 10.April 1980 abgedruckten und im wesentlichen auf dem Spring Meeting of the Electrochemical Society in Boston, Massachusetts May 10, 1979 der Öffentlichkeit zugänglich gemachten Artikel von E. Mendel, P. Kaplan und A.V. Patsis, "Pad Materials for Chemical-Mechanical Polishing" vorgeschlagen, in ihrer Leistung abfallende Poliertücher dadurch zu regenerieren, daß sie mit einer 10% Methanol-Wasser-Mischung gespült und zusätzlich mit Faserbürsten abgebürstet werden. Eine solche Behandlung kann zwar dem Abfall der Abtragsraten entgegenwirken, während sie die bei steigender Poliertuchstandzeit beobachtete allmähliche Verschlechterung der Scheibengeometrie, beispielsweise in Bezug auf die Ebenheit, nicht aufzuhalten vermag. Für einen Polierprozeß im Produktionsmaßstab sind Schwankungen beider Parameter gleichermaßen ungünstig.
  • Die Aufgabe der Erfindung lag also darin, ein Verfahren anzugeben, nach dem sich bei der Ein- und Zweiseitenpolitur die Poliertücher so aufbereiten lassen, daß bei langer Poliertuchstandzeit und gleichbleibend hoher Abtragsrate gleichzeitig auch eine hohe geometrische Qualität der erhaltenen polierten Scheiben gewährleistet ist, sowie zu seiner Durchführung geeignete Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß nach dem Poliervorgang eine Aufbereitungsflüssigkeit unter Drucke inwirkung zum Durchströmen des Poliertuches gebracht wird, wobei durch den Flüssigkeitsstrom die im Inneren des Poliertuches während des Poliervorganges entstandenen Rückstände mobilisiert und zumindest teilweise aus dem Poliertuch ausgetragen werden.
  • Überraschend wurde nämlich gefunden, daß eine solche unter Durchströmen und ohne mechanische Beanspruchung des Poliertuches ablaufende Aufbereitung zu besseren Ergebnissen führt, als eine Aufbereitung, bei der das Poliertuch auch mechanisch, beispielsweise mit Bürsten, Abziehklingen oder anderen, die Oberfläche aufrauhenden Hilfsmitteln bearbeitet wird.
  • Das Verfahren eignet sich grundsätzlich zur Anwendung bei Poliertüchern, welche eine das Durchströmen von Flüssigkeiten gestattende Hohlraumstruktur besitzen. Solche Poliertücher sind bekannt und beispielsweise in dem oben erwähnten Artikel oder in der EP-A-239 040 (angemeldet 20.03.87 mit Priorität der US-Anmeldung mit Aktenzeichen 843881) sowie in der dort zitierten und im Recherchenbericht genannten Patentliteratur, oder in der EP-A-291 100 beschrieben. Sie bestehen in der Regel aus Poromeren (poromerischen Werkstoffen), meist auf Polyester- oder Polyurethanbasis, in welche gegebenenfalls auch Fasermaterialien zur Verstärkung eingelagert sein können. Häufig sind sie auch sandwichartig aus verschiedenen Schichten aufgebaut und stellen damit ein poröses durchströmbares Mehrphasensystem dar.
  • Als Aufbereitungsflüssigkeit kommen, schon aus Kostengründen, hauptsächlich wässrige Phasen in Frage. Grundsätzlich kann sogar reines, vorzugsweise entsalztes oder durch Umkehrosmose gereinigtes Wasser eingesetzt werden. Günstig werden dem Wasser jedoch Agentien zugesetzt, die die beim Polieren des jeweiligen Halbleitermaterials im Poliertuch sich ablagernden Rückstände chemisch anzugreifen und zumindest teilweise in Lösung überzuführen vermögen. Beim Polieren von Siliciumscheiben werden beispielsweise zur erfindungsgemäßen Aufbereitung des Poliertuches bevorzugt alkalische wässrige Lösungen verwendet, wobei sich der pH-Bereich von 10 bis 12 besonders bewährt hat. Als Zusätze haben sich in wässriger Lösung alkalisch reagierende Verbindungen des Ammoniums sowie der Alkalielemente, vor allem die Hydroxide und Carbonate des Natriums und insbesondere des Kaliums bewährt. Es wurde gefunden, daß derartige alkalische Lösungen die Auflösung von beim Poliervorgang im und auf dem Poliertuch gebildeten silicatischen Rückständen unterstützen und zugleich die Neubildung von silicatischen Kondensaten unterbinden. Auch die sich meist in Form eines braunen Belages absetzenden Phasen von nicht vollständig oxidiertem Silicium können in der Regel im alkalischen weiteroxidiert und durch Auflösen zumindest teilweise mobilisiert werden.
  • Ähnliche Wirkungen können auch bei anderen Polierprozessen durch auf die Polierrückstände chemisch einwirkende, das Poliertuch nicht angreifende Zusätze erzielt werden. Beim Polieren von Germanium- oder Galliumarsenidscheiben können zur Aufbereitung des Poliertuches beispielsweise wässrige Lösungen eingesetzt werden, die als Agentien beispielsweise oxidierende Komponenten wie etwa Hypochlorit, z.B. Natriumhypochlorit enthalten.
  • Als vorteilhaft hat sich, vor allem bei der Aufbereitung von beim Polieren von Siliciumscheiben eingesetzten Poliertüchern, der Zusatz von mindestens drei Kohlenstoffatome im Molekül enthaltenden Alkoholen, vorteilhaft Organosilanolen, vorzugsweise Trialkylsilanolen und insbesondere Trimethyl- oder Triethylsilanol zu der Aufbereitungsflüssigkeit erwiesen. Es wurde gefunden, daß derartige Zusätze der Kondensation von Silicaten in der Weise entgegenwirken, daß die durch solche Kondensate hervorgerufene Verkrustung des Poliertuches verhindert wird und auch bereits bestehende Verkrustungen aufgelöst werden können. Diese alkoholischen Zusätze sind dabei bereits in geringen Konzentrationenen wirksam; so konnten im Konzentrationsbereich von 0.01 bis 1 Gew.% Silanol, bezogen auf die jeweilige Gesamtlösung, gute Ergebnisse erzielt werden.
  • In den meisten Fällen hat es sich auch als ausreichend erwiesen, derartige Zusätze nicht bei jedem, sondern nur periodisch beispielsweise bei jedem fünf- bis fünfzehnten Aufbereitungsschritt anzuwenden. Dies gilt gleichermaßen für den Zusatz von Alkoholen wie auch die Rückstände chemisch angreifenden Verbindungen, die vorteilhaft gleichzeitig, aber auch aufeinanderfolgend als Zusätze in der Aufbereitungsflüssigkeit angewendet werden können. Ein solches Vorgehen empfiehlt sich auch, um den Verbrauch an den oft teuren Zusatzstoffen niedrig zu halten.
  • Die Druckbedingungen, unter denen die Aufbereitungsflüssigkeit auf das Poliertuch aufgebracht wird, spielen eine wichtige Rolle. Sie sollen einerseits eine ausreichende Eindringtiefe der Flüssigkeit in das Poliertuchinnere und eine genügende Durchströmstrecke gewährleisten und andererseits sicherstellen, daß das Poliertuch auf seiner freien Oberfläche von einem Flüssigkeitsfilm bedeckt ist, so daß beispielsweise ein direkter mechanischer Kontakt zwischen der empfindlichen Poliertuchoberfläche und zum Aufbringen der Aufbereitungsflüssigkeit oder zum Abstreifen der aus der Poliertuchoberfläche austretenden Flüssigkeit verwendeten Vorrichtungen oder Hilfsmitteln nicht stattfindet. Dabei sind im wesentlichen Einflüsse durch die Poliertuchstruktur, die Geometrie der Austrittsöffnungen, durch welche die Aufbereitungsflüssigkeit auf das Poliertuch aufgebracht wird, die Geometrie von dafür verwendeten Hilfsmitteln bzw. Vorrichtungen sowie durch deren Eigengewicht und/oder zusätzliche Druckeinwirkung auftretende Druckkräfte zu berücksichtigen. Bei der großen Anzahl der zusammenwirkenden Parameter werden zweckmäßig geeignete Druckbedingungen jeweils in Vorversuchen ermittelt und auf den speziellen Fall zugeschnitten.
  • Nachstehend wird an Hand der Figuren 1 und 2 eine mögliche Ausführungsform einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Vorrichtung in einer Draufsicht und im Querschnitt sowie das Verfahren selbst beispielhaft näher erläutert. Einander entsprechende Bestandteile sind in beiden Figuren mit den gleichen Bezugsziffern versehen.
  • Figur 1 zeigt in einer Draufsicht einen Ausschnitt aus einem Polierteller 1 einer handelsüblichen Poliermaschine, der mit einem Poliertuch 2 aus beispielsweise Polyurethan bespannt ist. Auf den Polierteller aufgelegt ist, schematisch dargestellt, eine Vorrichtung 3 zur Durchführung des erfindungsgemäßen Aufbereitungsprozesses. Sie besteht aus einer flachen Grundplatte 4, beispielsweise aus genügend abriebfesten Kunststoffen wie Polyvinylchlorid, Polypropylen, Polyurethan, Polytetrafluorethylen oder Fluorthermoplasten, oder Metallen wie Stählen, Aluminium oder Aluminiumlegierungen oder Titan, welche gegebenenfalls auch mit Kunststoffbeschichtungen, vorteilhaft auf Basis von Fluorthermoplasten, versehen sein können. Die Grundplatte kann als massiver oder als Hohlkörper gestaltet sein. Bei der Materialauswahl ist natürlich die Kontaminationsgefahr zu berücksichtigen; andererseits muß auch eine genügende Druckfestigkeit und Formstabilität gewährleistet sein, um den ungestörten Aufbau des für das Durchströmen der Aufbereitungsflüssigkeit erforderlichen Druckfeldes zu ermöglichen.
  • Beim Einsatz zur Aufbereitung der Poliertücher in Einseitenpoliermaschinen ist es ausreichend, wenn nur die dem Polierteller zugewandte Arbeitsfläche der Grundplatte eben ist, während bei der Zweiseitenpolitur die Grundplatte günstig auf der Ober- und Unterseite planparallele ebene Auflage- bzw. Arbeitsf lächen aufweist, da dann die Aufbereitung des oberen und unteren Poliertuches gleichzeitig erfolgen kann. Bewährt haben sich quader- oder leistenförmige Grundplatten, wobei jedoch der Einsatz von Grundplatten mit anders gestalteten Arbeitsflächen, die sich beispielsweise radial nach außen erweitern, nicht ausgeschlossen ist.
  • Zweckmäßig sind an der Grundplatte innere und äußere Positionierhilfsmittel 5 und 6 angebracht, beispielsweise Stifte, Zapfen oder Haken, die es gestatten, die Grundplatte in eine feste Arbeitsposition bezüglich des rotierenden Poliertuches zu bringen und in dieser zu halten.
  • In der jeweils dem Poliertuch zugewandten Arbeitsfläche der Grundplatte sind Austrittsöffnungen 7 vorgesehen, die bevorzugt als Schlitze gestaltet sind, welche nahezu die gesamte Breite des Poliertuches überspannen. Es wurde gefunden, daß sich mit schlitzförmigen Austrittsöffnungen eine besonders gleichmäßige Durchströmung des Poliertuches erzielen läßt, und insbesondere die Ausbildung von schlecht durchströmten Bereichen, in denen sich Polierrückstände im Poliertuchinneren absetzen oder gar anreichern können, verhindert werden kann. Begünstigt wird dies außerdem durch die zu den Schlitzen parallel verlaufenden Kanten der Grundfläche der bevorzugt leistenförmigen Grundplatte, welche dabei gewährleisten, daß nahezu über die gesamte Poliertuchbreite die von der Aufbereitungsflüssigkeit durchströmte Strecke gleich lang ist. Grundsätzlich ist nur ein derartiger Schlitz für die Aufbereitung ausreichend. Vorteilhaft werden jedoch mindestens zwei, günstig parallel zu den jeweils benachbarten Längskanten der Arbeitsfläche verlaufende, Schlitze vorgesehen, da sich dann die beispielsweise durch apparate- oder verfahrenstechnisch bedingte Ausnehmungen im Polierteller, wie Schlitze, Kanäle, Spalte oder Öffnungen, hervorgerufenen Druckabfälle im sich zwischen diesem, dem Poliertuch und der Grundplatte durch die zugeführte Aufbereitungsflüssigkeit auf bauenden Druckfeld weniger störend auswirken. Dies gilt insbesondere für die Zweiseitenpolitur.
  • Bei der Dimensionierung der Schlitze ist insbesondere zu beachten, daß sie nur so weit an den Poliertuchrand heranreichen, daß ein Durchbrechen der Aufbereitungsflüssigkeit in diesem Bereich ausgeschlossen werden kann, was zum Zusammenbruch des Druckfeldes und letztlich bis zur mechanischen Beschädigung des Poliertuches führen kann. Die erforderliche Schlitzbreite wird zweckmäßig in Vorversuchen ermittelt; sie kann überschlagsmäßig bei Kenntnis des zur Verfügung stehenden Druckes der Aufbereitungsflüssigkeit, im Regelfall also des Leitungsdruckes der Wasserversorgung, abgeschätzt werden.
  • Eine andere Möglichkeit besteht beispielsweise darin, die aufbereitungsflüssigkeit durch über die Unterseite der Grundplatte, vorteilhaft gleichmäßig, verteilte Austrittsöffnungen mit rundem, ovalem oder polygonalem Querschnitt austreten zu lassen. Auch Anordnungen mit gegeneinander versetzten oder gestaffelten, zu den Längskanten der Grundplatte parallelen oder schräg verlaufenden sowie ringförmigen Schlitzgruppen sind denkbar, sofern eine gleichmäßige Beaufschlagung des Poliertuches gewährleistet ist.
  • Bei der Aufbereitung von bei der Einseitenpolitur eingesetzten Poliertüchern sind die Grundplatten an ihrer Oberseite geschlossen und die Austrittsöffnungen befinden sich nur an der dem auf aufzubereitenden Poliertuch zugewandten Seite der Grundplatte. Dies gilt auch, wenn bei Zweiseitenpolieranordnungen das obere und das untere Poliertuch mittels separater, jeweils nur einseitig wirksamer Vorrichtungen aufbereitet werden soll. Vorteilhafter ist in diesem Fall jedoch die Aufbereitung mit Hilfe von Grundplatten, die Austrittsöffnungen an der Unter-und Oberseite besitzen und daher die gleichzeitige Einwirkung der Aufbereitungsflüssigkeit auf das untere und das obere Poliertuch ermöglichen. Dabei kann auch über den oberen Polierteller in der vom eigentlichen Poliervorgang her bekannten Weise leicht der erforderliche Arbeitsdruck eingestellt werden.
  • Die oberen und unteren Austrittsöffnungen können dabei miteinander verbunden sein und jeweils gemeinsamen Drucksystemen angehören oder aber getrennt und voneinander unabhängigen Drucksystemen zugehörig sein.
  • Die Versorgung der Grundplatte bzw. der Austrittsöffnungen mit Aufbereitungsflüssigkeit kann beispielsweise über Zuleitungen 8 erfolgen. Günstig werden dabei, aus den bereits erwähnten Gründen, mindestens zwei voneinander getrennte Versorgungssysteme vorgesehen, um gegenüber Druckschwankungen weniger empfindlich zu sein. Zweckmäßig sind die Zuleitungen an eines oder mehrere Reservoire angeschlossen, in welchen die Aufbereitungsflüssigkeit vorgelegt ist. Der erforderliche Arbeitsdruck kann auf verschiedene Art und Weise erzeugt werden, beispielsweise hydrostatisch durch erhöhte Position der Reservoire gegenüber der Grundplatte, oder durch auf die Flüssigkeit einwirkende Preßgase wie z.B. Preßluft, oder durch Pumpen. Obwohl grundsätzlich der Arbeitsdruck nach oben hin keinen Beschränkungen unterliegt, werden in der Regel diejenigen Drücke nur in Ausnahmefällen eingesetzt, bei denen der apparative sowie der bedienungs- und sicherheitstechnische Aufwand unverhältnismäßig hoch wird. In der Regel ist ohnehin der bei den üblichen Flüssigversorgungssystemen, z.B. Wasserleitungen, vorgesehene Leitungsdruck ausreichend.
  • Figur 2 zeigt im Querschnitt schematisch in einer Anordnung zur Zweiseitenpolitur die jeweils mit einem Poliertuch 2 bespannten unteren und oberen Polierteller 1, die sich gegensinnig bewegen, beispielsweise rotieren. Dazwischen befindet sich die Grundplatte 4, aus deren oberen und unteren Austrittsöffnungen 7 und 7′, die zwei separaten Versorgungssystemen angehören, Aufbereitungsflüssigkeit gedrückt wird. Wie durch die Pfeile angedeutet, dringt diese durch die Poliertuchoberfläche in das Innere der beiden Poliertücher ein, durchströmt dieses und tritt am Ende der Grundplatte wieder aus den Poliertüchern aus. Die durchströmte Strecke entspricht dabei im wesentlichen dem Abstand zwischen den Austrittsöffnungen und den Kanten der Grundplatte, hinter denen die Wirkung des Druckfeldes aufhört, so daß die Aufbereitungsflüssigkeit wieder austreten kann. Auf ihrem Weg durch das Poliertuchinnere löst sie dabei die dort abgelagerten, beim Polierprozeß entstandenen Rückstände teils chemisch auf, teils mechanisch ab, führt sie gelöst bzw. in Form von mobilisierten Partikeln im Flüssigkeitsstrom mit, und trägt sie schließlich beim Austreten aus dem Poliertuchinneren aus, welches dadurch bei genügend langer Aufbereitungszeit in einen dem ursprünglichen nahekommenden, nahezu rückstandsfreien Zustand übergeführt werden kann.
  • Im allgemeinen haben sich Aufbereitungszeiten von 2 bis 60, vorzugsweise 5 bis 20 Minuten als ausreichend erwiesen, um ein Poliertuch so weit zu regenerieren, daß es im Polierergebnis hinsichtlich Abtragsrate und Scheibengeometrie wieder einem unverbrauchten Poliertuch entspricht.
  • Das bei dem Aufbereitungsschritt dem Poliertuch im Bereich der Grundplatte aufgeprägte Druckfeld besitzt seine höchsten Werte bei und zwischen den beiden Austrittsöffnungen. Nach außen zu sinkt dann der Druck nahezu linear ab, bis er an den Kanten der Grundplatte den Umgebungswert erreicht hat. Letztlich ergibt sich, vereinfacht betrachtet, ein trapezförmiges Druckfeld, das an den Stirnflächen gestört ist. Wenn der Druck der aus den Austrittsöffnungen ausströmenden Aufbereitungsf lüssigkeit den erforderlichen Grenzwert übersteigt, wird die Grundplatte gegenüber dem unteren Poliertuch und das obere Poliertuch gegenüber der Grundplatte geringfügig angehoben, und es bildet sich zwischen den Arbeitsf lächen und den Tüchern ein dünner, ebenfalls durchströmter Spalt aus. Dieser wirkt in der Art eines hydrostatischen Lagers, so daß das Poliertuch nicht mehr als Überträger von Druckkräften auf den Polierteller wirkt. Dies gilt sowohl bei relativ zur Grundplatte ruhendem wie auch bewegtem Poliertuch. Wie bereits erläutert, wird dieser Grenzwert zweckmäßig empirisch, hauptsächlich nach Poliertuchtyp sowie Grundplatten- und Poliergerätverhalten in Vorversuchen ermittelt, da sich derartige Faktoren oft schwer im voraus abschätzen lassen.
  • Bei der Aufbereitung wird eine Relativbewegung zwischen der Grundplatte und dem Poliertuch eingestellt, so daß die im Bereich der Grundplatte aufgebaute durchströmte Zone nach und nach, vorteilhaft wiederholt, das Poliertuch durchwandert. Dies kann bevorzugt bei ruhender Grundplatte und bewegtem Tuch, grundsätzlich aber auch bei ruhendem Tuch und bewegter Grundplatte oder Bewegung von beiden geschehen. Günstig werden jeweils mehrere, über das Poliertuch verteilte durchströmte Zonen vorgesehen, schon um die Aufbereitungsdauer kurz zu halten.
  • Voraussetzung für ein einwandfrei wirkendes Aufbereitungsverfahren ist jedoch, daß die Poliertuchoberfläche nicht durch beim Poliervorgang entstandene Beläge zugeschmiert ist und dadurch das Tuch nicht mehr durchströmbar ist. In solchen Fällen wird zweckmäßig vor dem eigentlichen Aufbereitungsschritt die Poliertuchoberfläche soweit als möglich von diesen Belägen befreit und dadurch zumindest wieder teilweise durchströmbar gemacht. Dies kann in manchen Fällen beispielsweise durch Einwirken von stark alkalischen Zusätzen erreicht werden. Manchmal ist jedoch ein Wechsel des Poliertuches unvermeidbar.
  • Der eigentliche Aufbereitungsvorgang kann wie folgt durchgeführt werden: Zunächst wird nach Entnahme der polierten Scheiben quer über das nunmehr freie, auf dem unteren Polierteller aufgespannte Poliertuch die vorgesehene Anzahl Grundplatten in die vorgesehene Arbeitsposition aufgelegt. Diese Anzahl entspricht vorteilhaft bei der Einseitenpolitur der Anzahl der vorhandenen Druckstempel, mittels derer dann bei der Aufbereitung jeder Grundplatte ein bestimmter, dem durch die Aufbereitungsflüssigkeit erzeugten Auftrieb entgegenwirkender Arbeitsdruck aufgegeben werden kann. Bei der Zweiseitenpolitur werden zweckmäßig mindestens drei gleich dicke Grundplatten gleichmäßig über den unteren Polierteller verteilt und dann zur Erzeugung des Arbeitsdruckes der obere Polierteller abgesenkt. Nun wird die Flüssigkeitszufuhr geöffnet, und die Aufbereitungsflüssigkeit strömt mit dem vorgesehenen Druck auf die Poliertuchoberfläche, dringt in das Innere ein und strömt schließlich am Rand der Arbeitsfläche der Grundplatte wieder aus dem Poliertuch heraus, wobei nach und nach die im Poliertuch befindliche Flüssigkeit verdrängt, die Rückstände gelöst und mobilisiert und schließlich ausgetragen werden. Nach Ausbildung des durchströmten Spaltes zwischen Grundplatte und Poliertuch, die sich beispielsweise bei Überwachung des Flüssigkeitsdruckes durch eine Druckstabilisierung und -konstanz erkennen läßt, können der bzw. die Polierteller in Drehung versetzt werden; die Drehgeschwindigkeit kann in der Regel auf Werte bis zur Polierdrehzahl gesteigert werden, was jedoch nicht zwingend vorgeschrieben ist. Wenn die vorgesehene Aufbereitungszeit, meist etwa 5 bis 20 Minuten, abgelaufen ist, wird die Drehbewegung gestoppt, die Flüssigkeitszufuhr unterbrochen und die Druckstempel bzw. der obere Polierteller hochgefahren. Nun können die Grundplatten entnommen werden, und eine erneute Polierfahrt kann beginnen.
  • Durch das erfindungsgemäße Aufbereitungsverfahren sowie die zu seiner Durchführung geeigneten Vorrichtungen wird es ermöglicht, beim Polierprozeß, und zwar sowohl bei der Ein- und Zweiseitenpolitur wie auch bei Kitt/Templateverfahren, bei langen Poliertuchstandzeiten gleichbleibend hohe Abtragsraten zu erzielen und gleichzeitig über die gesamte Einsatzdauer des Poliertuches hinweg eine hohe geometrische Präzision der polierten Scheiben (insbesondere hinsichtlich der Ebenheit) aufrechtzuerhalten. Es eignet sich insbesondere zum Einsatz bei Polierprozessen, bei denen eine hohe geometrische Präzision des Produktes gefordert ist, also in erster Linie für Halbleiterscheiben, insbesondere aus Silicium, Germanium oder Galliumarsenid, oder Scheiben für magnetische Speicher auf Basis von beispielsweise Gallium-Gadolinium-Granat, aber auch für Scheiben zum Einsatz in optischen Systemen aus Glas oder Quarz.
  • Nachstehend wird das erfindungsgemäße Verfahren an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert:
  • Beispiel:
  • In einer handelsüblichen Anordnung zum zweiseitigen Polieren von Siliciumscheiben wurden der obere und der untere runde Polierteller mit einem gebräuchlichen poromeren Poliertuch auf Polyester/Polyurethanbasis (Poliertuchbreite ca. 50 cm) bespannt. In dieser Apparatur wurde unter üblichen Polierbedingungen (Temperatur ca. 40°C, Druck ca. 50 kPa) eine Folge von Polierfahrten durchgeführt. Dabei wurden jeweils Chargen von 25 Siliciumscheiben (Durchmesser ca. 150 mm, Dicke ca. 675 µm, (100)-Orientierung) für 30 Minuten unter Zufuhr einer im Handel erhältlichen alkalischen, ein SiO₂-Sol enthaltenden Polierlösung poliert.
  • Anschließend wurde der Poliervorgang beendet, der obere Polierteller hochgefahren und die polierten Scheiben entnommen. Zur Ermittlung der Abtragsrate wurde die Scheibendicke vermessen; sie betrug ca. 615 µm, entsprechend einem durchschnittlichen Abtrag für alle Scheiben von ca. 60 µm. Die geometrische Qualität der erhaltenen Scheiben wurde an Hand des "TTV"-Wertes ("Total Thickness Variation", totale Dickenvariation) beurteilt, der dem Absolutbetrag der Differenz des maximalen und minimalen gemessenen Dickenwertes einer Scheibe aus einer Vielzahl von Punktmessungen entspricht. Die Messung wurde in bekannter Weise mit Hilfe eines handelsüblichen Meßgerätes mit einer kapazitiven Methode vorgenommen, bei der die Scheibe mittels zweier Sonden bekannten Abstandes von beiden Seiten gleichzeitig abgetastet wird. Der dabei ermittelte Durchschnittswert für alle Scheiben betrug ca. 1µm.
  • Zur Aufbereitung des Poliertuches, das an einigen Stellen eine leicht bräunliche Verfärbung erkennen ließ, wurden nun im 120°-Winkel zueinander drei analog den Figuren gestaltete, leistenförmige Grundplatten (Länge ca. 50 cm, Breite ca. 25 cm, Dicke ca. 3 cm) aus Polyvinylchlorid auf den unteren Polierteller aufgelegt und mit Hilfe von äußeren und inneren Zapfen in ihrer Arbeitsposition quer über dem Poliertuch befestigt. Die obere und untere Arbeitsfläche der Grundplatte war jeweils in der Mitte mit einem Paar von Schlitzen (Schlitzbreite ca. 3 mm, Schlitzabstand ca. 3 cm) versehen, die bis auf etwa 2 cm an den inneren und äußeren Rand des Poliertuches heranreichten. Über jeweils zwei voneinander unabhängige Zuleitungen konnten die auf der Ober- und Unterseite jeder Grundplatte einander gegenüberliegenden Schlitze getrennt mit Aufbereitungsflüssigkeit versorgt werden.
  • Diese bestand bei der Standardaufbereitung aus Wasser, bei der Aufbereitung nach jeder zehnten Polierfahrt jedoch aus einer wässrigen Lösung von ca. 0.4 Gew% Kaliumcarbonat, der zusätzlich ca. 0.05 Gew% Trimethylsilanol zugesetzt waren. Die Aufbereitungsf lüssigkeit war in einem Reservoir vorgelegt und konnte mit dem im Gebäude vorliegenden Wasserleitungsdruck von von ca. 500 kPa auf die Poliertücher aufgebracht werden.
  • Nun wurde der obere Polierteller nach unten gefahren und mit einem Druck von ca. 50 kPa auf die Grundplatten aufgelegt. Danach wurde die Zufuhr der Aufbereitungsflüssigkeit aufgenommen, bis durch die gleichmäßig an den Rändern der Grundplatten aus dem Poliertuch austretende Flüssigkeit zu erkennen war, daß sich ein geeignetes Druckfeld aufgebaut hatte. Jetzt konnten der obere und untere Polierteller in gegensinnige Drehung versetzt werden, und der eigentliche Aufbereitungsvorgang begann, bei dem durch die das Poliertuch durchströmende Flüssigkeit nach und nach die Rückstände des Poliervorganges im Poliertuchinneren mobilisiert und ausgetragen wurden. Als dieser Vorgang nach etwa 10 Minuten beendet wurde, war auf dem Poliertuch keine Verfärbung mehr zu erkennen.
  • Die nachfolgende Polierfahrt erbrachte hinsichtlich Abtrag und Scheibengeometrie ("TTV"-Wert) die selben Ergebnisse wie die vorhergehende.
  • In der hier dargestellten Weise wurden nacheinander sechzig Polierfahrten, jede gefolgt von einer zehnminütigen erfindungsgemäßen Poliertuchaufbereitung, durchgeführt. Auch danach lag der Abtrag unverändert bei ca. 60 µm und der "TTV"-Wert bei ca. 1 µm. Das Poliertuch ließ keinerlei braunen Belag erkennen.
  • In einem Vergleichsversuch wurde in der gleichen Anordnung, mit neu aufgespannten und frischen Poliertüchern derselben Spezifikation, unter den gleichen Polierbedingungen eine weitere Reihe von Polierfahrten durchgeführt. Die dazwischengeschalteten Aufbereitungsschritte wurden jedoch in der konventionellen Art und Weise durchgeführt, indem Bürsten zwischen die Polierteller gelegt wurden, welche anschließend in gegensinnige Drehung versetzt wurden. Gleichzeitig wurde dabei über das Poliermittelzugabesystem eine Lösung aus Methanol/Wasser zugeführt. Der Aufbereitungsvorgang dauerte ebenfalls zehn Minuten.
  • Von Polierfahrt zu Polierfahrt konnte eine allmähliche Abnahme der Abtragsrate und eine Verschlechterung der Scheibengeometrie beobachtet werden. Bei der zwanzigsten Polierfahrt betrug der Abtrag trotz regelmäßiger Tuchaufbereitung nur noch ca. 36 µm, während sich der "TTV"-Wert auf ca. 2.5 µm verschlechtert hatte, wobei die Dickenvariation insbesondere im Randbereich der Scheiben angestiegen war. Zugleich hatte sich an einigen Stellen der Poliertücher ein brauner Belag aufgebaut, der sich durch die Aufbereitung nicht mehr entfernen ließ.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben, durch Einwirkung von Flüssigkeit auf das Poliertuch, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Poliervorgang eine Aufbereitungsflüssigkeit unter Drucke inwirkung zum Durchströmen des Poliertuches gebracht wird, wobei durch den Flüssigkeitsstrom die im Inneren des Poliertuches während des Poliervorganges entstandenen Rückstände mobilisiert und zumindest teilweise ausgetragen werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine wässrige alkalische Lösung als Aufbereitungsflüssigkeit eingesetzt wird.
  3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Alkalihydroxid oder Alkalicarbonat gelöst enthaltende wässrige Lösung als Aufbereitungsflüssigkeit eingesetzt wird.
  4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbereitungsflüssigkeit als Zusatz Organosilanol, insbesondere Trialkylsilanol enthält.
  5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Durchströmen des Poliertuches zonenweise erfolgt.
  6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, bestehend aus einer das Poliertuch (2) quer überspannenden Grundplatte (4) mit mindestens einer ebenen, mit Austrittsöffnungen (7) für die Aufbereitungsflüssigkeit versehenen Arbeitsfläche, sowie mit mindestens einem die Einspeisung der aufbereitungsflüssigkeit unter Druck gestattenden Zuleitung (8).
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (4) leistenförmig ausgebildet ist.
  8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Austrittsöffnung (7) mindestens ein Schlitz vorgesehen ist.
  9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Austrittsöffnungen (7) in jeder Arbeitsfläche mindestens zwei zu deren benachbarten Längskanten parallele Schlitze vorgesehen sind, deren Länge geringer ist als die Breite des aufzubereitenden Poliertuches (2).
  10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Einspeisung der Aufbereitungsflüssigkeit über mindestens zwei getrennte Versorgungssysteme erfolgt und die Austrittsöffnungen (7,7′) mindestens zwei voneinander unabhängige Freigabesysteme bilden.
EP90115269A 1989-08-11 1990-08-09 Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben Expired - Lifetime EP0412537B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3926673A DE3926673A1 (de) 1989-08-11 1989-08-11 Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben
DE3926673 1989-08-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0412537A2 EP0412537A2 (de) 1991-02-13
EP0412537A3 EP0412537A3 (en) 1991-04-24
EP0412537B1 true EP0412537B1 (de) 1993-10-27

Family

ID=6387003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP90115269A Expired - Lifetime EP0412537B1 (de) 1989-08-11 1990-08-09 Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5167667A (de)
EP (1) EP0412537B1 (de)
JP (1) JP2540080B2 (de)
KR (1) KR960015258B1 (de)
DE (2) DE3926673A1 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69522617T2 (de) * 1994-06-28 2002-07-04 Ebara Corp Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Werkstücken
US5775983A (en) * 1995-05-01 1998-07-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for conditioning a chemical mechanical polishing pad
US5639311A (en) * 1995-06-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Method of cleaning brushes used in post CMP semiconductor wafer cleaning operations
JP3778594B2 (ja) * 1995-07-18 2006-05-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング方法
US5938507A (en) * 1995-10-27 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Linear conditioner apparatus for a chemical mechanical polishing system
JP2862073B2 (ja) * 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
US5704987A (en) * 1996-01-19 1998-01-06 International Business Machines Corporation Process for removing residue from a semiconductor wafer after chemical-mechanical polishing
US5840202A (en) * 1996-04-26 1998-11-24 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
US5645682A (en) * 1996-05-28 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH1071571A (ja) * 1996-06-27 1998-03-17 Fujitsu Ltd 研磨布、研磨布の表面処理方法、及び研磨布の洗浄方法
US6379221B1 (en) 1996-12-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
US6152148A (en) * 1998-09-03 2000-11-28 Honeywell, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers containing dielectric films
US6352595B1 (en) 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
DE10004578C1 (de) * 2000-02-03 2001-07-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante
US7220322B1 (en) * 2000-08-24 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Cu CMP polishing pad cleaning
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
JP2006159317A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Asahi Sunac Corp 研磨パッドのドレッシング方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2110750A1 (de) * 1970-03-17 1971-10-07 Colgate Palmolive Co Teppichreinigungsmittel und Verfahren zu seiner Herstellung
JPS6017947B2 (ja) * 1976-12-26 1985-05-08 株式会社デンソー 内燃機関用点火装置
US4219333A (en) * 1978-07-03 1980-08-26 Harris Robert D Carbonated cleaning solution
IT1134225B (it) * 1980-11-12 1986-08-13 Stemac Spa Procedimento e mezzi per liberare carta abrasiva dalla polvere di levigatura depositatasi
JPS6017947U (ja) * 1983-07-18 1985-02-06 東芝機械株式会社 ポリシング装置の洗浄用ブラシ
JPS63229266A (ja) * 1987-03-17 1988-09-26 Nec Corp 研磨布の平面度修正方法
JPS63283857A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Asahi Chem Ind Co Ltd 研磨布
US4968380A (en) * 1989-05-24 1990-11-06 Mobil Solar Energy Corporation System for continuously replenishing melt

Also Published As

Publication number Publication date
JP2540080B2 (ja) 1996-10-02
JPH0379268A (ja) 1991-04-04
KR960015258B1 (ko) 1996-11-07
US5167667A (en) 1992-12-01
KR910004308A (ko) 1991-03-28
DE3926673A1 (de) 1991-02-14
EP0412537A2 (de) 1991-02-13
EP0412537A3 (en) 1991-04-24
DE59003208D1 (de) 1993-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0412537B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen Polieren, insbesondere von Halbleiterscheiben
DE69937181T2 (de) Polierschleifscheibe und substrat polierverfahren mit hilfe dieser schleifscheibe
EP2102896A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum reinigen von gegenständen, insbesondere von dünnen scheiben
DE102016114798A1 (de) Polierpad, verfahren zum herstellen eines polierpads und polierverfahren
EP2218004B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum reinigen von gegenständen
DE112011100688T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers
DE102017202099A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum erstellen dreidimensionaler zylindrischer objekte
DE1621473A1 (de) Verfahren zum Polieren von Halbleiteroberflaechen,insbesondere von Oberflaechen von Siliciumkoerpern und Vorrichtung zum Durchfuehren des Verfahrens
DE2007865C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Polieren einer Siliciumoberfläche
DE60307588T2 (de) Drahtsägevorrichtung
EP1129823B1 (de) Verfahren zur Regenerierung von Halbleiterscheiben
EP2153960A2 (de) Träger, Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Wafern sowie Verwendung der hergestelllten Wafer
DE1216651B (de) Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkoerpern, insbesondere Halbleiterscheiben
EP2458626A1 (de) Halte-Reinigungsvorrichtung und Verfahren zum abschnittweisen Reinigen gesägter Wafer
DE69814241T2 (de) Halbleiterscheibe Polierverfahren und Polierkissen Abrichtverfahren
DE60032423T2 (de) Verfahren und Einrichtung zum Polieren
DE10131668B4 (de) Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern
EP0881035A1 (de) Verfahren zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halbleiterscheibe
DE69913476T2 (de) Polierverfahren und vorrichtung
DE3033944A1 (de) Laeppvorrichtung fuer duenne plaettchen und aufspannvorrichtung fuer dieselben als teil der laeppvorrichtung
WO2009074297A2 (de) Vorrichtung und verfahren zum reinigen von gegenständen
DE10018338C1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE102014220888B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum doppelseitigen Polieren von scheibenförmigen Werkstücken
EP0293941B1 (de) Verfahren zum Schärfen von Trennwerkzeugen für das Abtrennen von Scheiben von stab- oder blockförmigen Werkstücken und Trennverfahren
DE60110922T2 (de) Abrichtvorrichtung für polierkissen und verfahren zu dessen anwendung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 19900809

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): DE GB IT

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): DE GB IT

17Q First examination report despatched

Effective date: 19930208

ITF It: translation for a ep patent filed

Owner name: SOCIETA' ITALIANA BREVETTI S.P.A.

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE GB IT

REF Corresponds to:

Ref document number: 59003208

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19931202

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19931202

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: 732E

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19960724

Year of fee payment: 7

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19960905

Year of fee payment: 7

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19970809

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19970809

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19980501

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES;WARNING: LAPSES OF ITALIAN PATENTS WITH EFFECTIVE DATE BEFORE 2007 MAY HAVE OCCURRED AT ANY TIME BEFORE 2007. THE CORRECT EFFECTIVE DATE MAY BE DIFFERENT FROM THE ONE RECORDED.

Effective date: 20050809