KR910004308A - 반도체웨이퍼의 화학적-기계적 연마에 있어서 연마천을 처리하는 방법 및 그장치 - Google Patents

반도체웨이퍼의 화학적-기계적 연마에 있어서 연마천을 처리하는 방법 및 그장치 Download PDF

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KR910004308A
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프리게 헬렌
랑 요세프
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로버트 뢰머, 하인즈 실버나겔
와커-헤미트로닉 게셀샤프트 퍼 에렉트로닉-그룬드스토페 엠베하
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체웨이퍼의 화학적-기계적 연마에 있어서 연마천을 처리하는 방법 및 그장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 폴리우레탄으로 구성된 연마천(polishing cloth)으로 피복된 시판용 폴리싱머신(polishing machine)의 연마판(polishing plate)의 평면도,
제2도는 제1도의 Ⅱ - Ⅱ선 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체웨이퍼(semiconductor wafers)의 화학-기계적인 연마(polishing)에서 연마천(polishing cloth)에 액체를 작용시켜 연마천을 처리하는 방법에 있어서, 처리액(treatment liquid)이 연마작업후에 가압작용에 의해 그 연마천을 통하여 흐르도록 하며, 그 연마작업을 할때 연마천내부에서 생성된 잔류물은 이동되어 그 처리액흐름에 의해 적어도 부분적으로 제거됨을 특징으로 하는 상기 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리액으로는 수용성 알칼리용액을 사용함을 특징으로 하는 상기 처리방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액으로는 알칼리히드록시드 또는 알칼리카르보네이트를 포함하는 수용액을 사용함을 특징으로 하느 상기 처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리액에는 오르가노실라놀(organo-silanol)즉, 첨가제로서 트리알킬실라놀을 포함함을 특징으로 하는 상기 처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 연마천을 통하여 흐르는 처리액 흐름은 여러영역(zones)에서 발생함을 특징으로 하는 상기 처리방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항의 처리방법을 실시하는 장치에 있어서, 연마천(2)을 횡방향으로 간격을 두어 설정하며, 처리액의 출구구멍(exit opening)(7)을 가진 적어도 하나의 평편한 작동면을 가지며, 가압하의 처리액을 공급할수 있도록 하는 적어도 하나의 공급관(8)을 구비하는 기판(4)을 구성함을 특징으로 하는 상기 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판(4)는 바(bar)형구조로 구성되어 있음을 특징으로 하는 상기 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 출구구멍(7)으로는 적어도 하나의 슬롯(solt)을 구성함을 특징으로 하는 상기 장치.
  9. 제8항에 있어서, 인접한 긴단부에 평행하며 그 길이가 처리되는 연마천(2) 너비보다 더작은 적어도 2개의 슬롯이 각 작동면에서 출구구멍(7)으로 구성함을 특징으로 하는 상기 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 처리액은 적어도 2개의 분리된 공급시스템을 통하여 공급하고, 상기 출구구멍(7, 7′)은 서로 독립하에 분리된 적어도 2개의 분리시스템(release system)을 형성함을 특징으로 하는 상기 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012293A 1989-08-11 1990-08-10 반도체웨이퍼의 화학적-기계적 연마(polishing)에 있어서 연마천(polishing cloth)을 처리하는 방법 및 그 장치 KR960015258B1 (ko)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0692318B1 (en) * 1994-06-28 2001-09-12 Ebara Corporation Method of and apparatus for cleaning workpiece
US5775983A (en) * 1995-05-01 1998-07-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for conditioning a chemical mechanical polishing pad
US5639311A (en) * 1995-06-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Method of cleaning brushes used in post CMP semiconductor wafer cleaning operations
JP3778594B2 (ja) * 1995-07-18 2006-05-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング方法
US5938507A (en) * 1995-10-27 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Linear conditioner apparatus for a chemical mechanical polishing system
JP2862073B2 (ja) * 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
US5704987A (en) * 1996-01-19 1998-01-06 International Business Machines Corporation Process for removing residue from a semiconductor wafer after chemical-mechanical polishing
US5840202A (en) * 1996-04-26 1998-11-24 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
US5645682A (en) * 1996-05-28 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH1071571A (ja) * 1996-06-27 1998-03-17 Fujitsu Ltd 研磨布、研磨布の表面処理方法、及び研磨布の洗浄方法
US6379221B1 (en) 1996-12-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
US6152148A (en) * 1998-09-03 2000-11-28 Honeywell, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers containing dielectric films
US6352595B1 (en) 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
DE10004578C1 (de) * 2000-02-03 2001-07-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante
US7220322B1 (en) * 2000-08-24 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Cu CMP polishing pad cleaning
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
JP2006159317A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Asahi Sunac Corp 研磨パッドのドレッシング方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2110750A1 (de) * 1970-03-17 1971-10-07 Colgate Palmolive Co Teppichreinigungsmittel und Verfahren zu seiner Herstellung
JPS6017947B2 (ja) * 1976-12-26 1985-05-08 株式会社デンソー 内燃機関用点火装置
US4219333A (en) * 1978-07-03 1980-08-26 Harris Robert D Carbonated cleaning solution
IT1134225B (it) * 1980-11-12 1986-08-13 Stemac Spa Procedimento e mezzi per liberare carta abrasiva dalla polvere di levigatura depositatasi
JPS6017947U (ja) * 1983-07-18 1985-02-06 東芝機械株式会社 ポリシング装置の洗浄用ブラシ
JPS63229266A (ja) * 1987-03-17 1988-09-26 Nec Corp 研磨布の平面度修正方法
JPS63283857A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Asahi Chem Ind Co Ltd 研磨布
US4968380A (en) * 1989-05-24 1990-11-06 Mobil Solar Energy Corporation System for continuously replenishing melt

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KR960015258B1 (ko) 1996-11-07
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DE3926673A1 (de) 1991-02-14
US5167667A (en) 1992-12-01
DE59003208D1 (de) 1993-12-02

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