EP0226721B1 - Source bipolaire de courant commutable - Google Patents

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EP0226721B1
EP0226721B1 EP86112708A EP86112708A EP0226721B1 EP 0226721 B1 EP0226721 B1 EP 0226721B1 EP 86112708 A EP86112708 A EP 86112708A EP 86112708 A EP86112708 A EP 86112708A EP 0226721 B1 EP0226721 B1 EP 0226721B1
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transistor
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Franz Dipl.-Ing. Dielacher
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only

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Claims (11)

  1. Source de courant commutable, qui est alimentée par l'intermédiaire de deux pôles (VDD,VSS) d'une source de tension d'alimentation et comporte un premier miroir de courant (MN1,MN3) possédant des transistors d'un premier type, et un second miroir de courant (MP1,MP2) possédant des transistors d'un second type, et dans laquelle les miroirs de courant comportent respectivement un dispositif à transistors d'entrée (MN1,MP1), relié à une borne d'entrée (SE), et respectivement un dispositif à transistors de sortie (MN3,MP2) relié à une borne de sortie (SA), dispositifs à transistors pour lesquels il est prévu des moyens de commutation (MN4,MN5,MP3,MP4) qui sont commandés par une liaison de commande commune (VZ), et dans lequel les bornes de commande, d'une part, sont branchées en amont des dispositifs à transistors de sortie (MN3,MP2), et, d'autre part, sont branchées entre ces dispositifs et le pôle respectivement associé (VSS,VDD), caractérisée par le fait que le premier miroir de courant (MN1,MN2,MN3) comporte un miroir de courant auxiliaire (MN1,MN2), qui est formé par le dispositif à transistor d'entrée (MN1) du premier miroir de courant et par un dispositif à transistor symétrique (MN2), dont le circuit de sortie est raccordé en série avec le circuit de sortie du dispositif à transistor d'entrée (MP1) du second miroir de courant.
  2. Source de courant suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que les moyens de commutation commandés (MN4,MN5,MP3,MP4) sont des transistors, dont les bornes de commande sont raccordées à la liaison commune de commande se présentant sous la forme d'une borne de commande (VZ), et dont le type est opposé à celui du transistor du dispositif à transistors de sortie associé, dans le cas des transistors (MP3,MN5) branchés en amont des bornes de commande des dispositifs à transistors de sortie (MN3,MP2), et est identique au type de transistor du dispositif à transistor de sortie associé, dans le cas des transistors (MN4,MP4) branchés entre des bornes de commande respectives des dispositifs à transistors de sortie et le pôle correspondant de la source de tension d'alimentation.
  3. Source de courant suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que des transistors d'entrée (MN1,MP1; N12,P11,P12; N4,P2,P3) du dispositif à transistors d'entrée (MN1,MP1; N11,N12,P11,P12; N1,N2,P1 à P4) sont branchés en tant que diodes.
  4. Source de courant suivant la revendication 1, caractérisée par le fait qu'un transistor d'entrée (MN1;N11; N1) du dispositif à transistor d'entrée du premier miroir de courant (MN1 à MN3; N11,N12,N21,N22,N31 à N36; N1 à N10) est raccordé par son circuit de sortie à un potentiel de référence (GND) par l'intermédiaire d'une résistance et, par son entrée de commande, à la sortie d'un amplificateur opérationnel (OP), à l'entrée inverseuse (-) duquel est appliqué un potentiel de référence (DREF) et à l'entrée non inverseuse (+) duquel est appliqué le potentiel du point de jonction de la résistance (R) et du circuit de sortie du transistor d'entrée (MN1,N11;N1), et qu'au moins un transistor à'entrée (MP1;P12;P2) du dispositif à transistor d'entrée du second miroir de courant (MP1,MP2;P11,P12,P21 à P26; P1 à P10) est branché en diode.
  5. Source de courant suivant les revendications 1 à 3, caractérisée par le fait que les transistors du miroir de courant sont réalisés sous la forme d'étages à transistors cascode (N11,N12,N21,N22,N31 à N36,P11,P12,P21 à P26.
  6. Source de courant suivant les revendications 1 à 3, caractérisée par le fait que les transistors des miroirs de courant sont réalisés sous la forme d'une source de courant de Wilson.
  7. Source de courant suivant les revendications 1 à 3, caractérisée par le fait que les transistors des miroirs de courant sont réalisés sous la forme d'une source de courant de Wilson perfectionnée (N1 à N12, P1 à P12).
  8. Source de courant suivant les revendications 1 à 6, caractérisée par le fait que dans chaque miroir de courant, respectivement seulement une branche des bornes de commande du dispositif à transistors de sortie (N31 à N36, P21 à P26; N5 à N10; P5 à P10; figure 3) est commutable.
  9. Source de courant suivant les revendications 1 à 7, caractérisée par le fait que le dispositif symétrique à transistors (MN2;N21,N22;N3,N4) du premier miroir de courant (MN1 à MN3; N11,N12,N31 à N36; N1 à N10) est raccordé au dispositif à transistors d'entrée (MP1;P11,P12,P1,P2) du second miroir de courant (MP1,MP2;P11,P12,P21 à P26; P1 à P10) par l'intermédiaire d'au moins une résistance et notamment de deux résistances identiques.
  10. Source de courant suivant les revendications 1 à 8, caractérisée par le fait que les transistors du miroir de courant fonctionnent avec le même point de travail.
  11. Source de courant suivant les revendications 1 à 9, caractérisée par sa réalisation avec des transistors métal-oxyde-semiconducteur complémentaires.
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