EA034019B1 - СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛИ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО САПФИРОВОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ОТРАЖАЮЩИХ СВОЙСТВ УКАЗАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ В ИНТЕРВАЛЕ ДЛИН ВОЛН 400-800 нм - Google Patents

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛИ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО САПФИРОВОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ОТРАЖАЮЩИХ СВОЙСТВ УКАЗАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ В ИНТЕРВАЛЕ ДЛИН ВОЛН 400-800 нм Download PDF

Info

Publication number
EA034019B1
EA034019B1 EA201692406A EA201692406A EA034019B1 EA 034019 B1 EA034019 B1 EA 034019B1 EA 201692406 A EA201692406 A EA 201692406A EA 201692406 A EA201692406 A EA 201692406A EA 034019 B1 EA034019 B1 EA 034019B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
ions
sapphire material
multiply charged
sapphire
gas ions
Prior art date
Application number
EA201692406A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201692406A1 (ru
Inventor
Фредерик Герналек
Дени Бусардо
Original Assignee
Кертек
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR1401172A external-priority patent/FR3021332B1/fr
Priority claimed from FR1402293A external-priority patent/FR3027120B1/fr
Application filed by Кертек filed Critical Кертек
Publication of EA201692406A1 publication Critical patent/EA201692406A1/ru
Publication of EA034019B1 publication Critical patent/EA034019B1/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00—Compounds of aluminium
    • C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
    • C01F7/021—After-treatment of oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0015—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterized by the colour of the layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/12—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements by surface treatment, e.g. by irradiation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5826—Treatment with charged particles
    • C23C14/5833—Ion beam bombardment
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

Способ обработки поверхности детали из синтетического сапфирового материала для модификации отражающих свойств указанной поверхности в интервале длин волн 400-800 нм включает облучение поверхности сапфирового материала пучком одно- и/или многозарядных ионов газа таким образом, чтобы создать ионно-имплантированный слой в сапфировом материале, при этом ускоряющее напряжение составляет величину в диапазоне 5-1000 кВ; доза имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа каждого ионного пучка на единицу площади поверхности составляет величину в диапазоне 10-10ионов/см; а ионы одно- и/или многозарядных ионов газа выбраны из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (B), углерода (C), азота (N), кислорода (O), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S). Дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа и ускоряющее напряжение выбирают так, чтобы получить модифицированный отражённый цвет обработанной поверхности сапфирового материала по сравнению с необработанной поверхностью сапфирового материала, причем доминирующая длина волны λотражённого цвета обработанной поверхности сапфирового материала сдвинута по меньшей мере на +50 нм или по меньшей мере на -50 нм от доминирующей длины волны λотражённого цвета необработанной поверхности сапфирового материала.

Description

Изобретение относится к способу обработки для модификации отражённого цвета поверхности сапфирового материала, включающему облучение пучком одно- и/или многозарядных ионов газа.
Изобретение также относится к детали, изготовленной из синтетического сапфирового материала, содержащего по меньшей мере одну поверхность, обработанную в соответствии с указанным способом обработки.
В соответствии с настоящим изобретением сапфирный материал представляет собой материал, по существу, состоящий из корунда, т.е. оксида алюминия (α-Λ1;Θ3). Сапфировый материал может включать следовые количества элементов, таких как железо, титан, хром, медь или магний, которые могут придать корунду соответственно синий, жёлтый, фиолетовый, оранжевый или зеленый цвет. Примеси хрома в корунде дают розовый или красный оттенок, последний обычно называют рубином; рубины являются частью сапфировых материалов в соответствии с редакцией настоящего изобретения. Цвет обусловлен появлением уровней энергии в запрещённой зоне корунда из-за наличия примесей. Эти уровни изменяют спектры испускания и поглощения материала и, следовательно, его цвет. Другие следы элементов также могут быть частью сапфирового материала.
Сапфировый материал включает по меньшей мере 98 мас.% оксида алюминия, например по меньшей мере 99 мас.% оксида алюминия, например по меньшей мере 99,9 мас.% оксида алюминия.
Сапфировый материал может быть изготовлен из одного или из множества монокристалла(ов) корунда; он может таким образом быть поликристаллическим; в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения сапфировый материал является частью одного монокристалла корунда.
Сапфировый материал может быть природным или синтетическим; в соответствии с вариантом осуществления изобретения сапфировый материал представляет собой синтетический сапфировый материал.
С начала 19-го века было известно, как изготавливать синтетические сапфиры (и синтетические рубины) в лаборатории, химический состав и физические свойства которых такие же, что и природных камней. Эти синтетические драгоценные камни можно распознать в общем случае по изогнутым линиям кристаллизации, по меньшей мере, для самых старых производств.
Производство синтетического сапфирового материала в настоящее время находится на промышленной стадии. Синтетический сапфировый материал может быть, например, получен процессом Чохральского или с помощью способов, являющихся производными процесса Чохральского (например, описанный в примере способ Киропулоса, способ Багдасарова, способ Степанова, EFG ((процесс) вертикального выращивания ленточных и стержневых монокристаллов); синтетический сапфировый материал также может быть получен из агломерированного оксида алюминия, спечённого и расплавленного (например, с помощью горячего изостатического прессования) в инертной атмосфере, с получением прозрачного, но слегка пористого поликристаллического продукта.
Сапфировые материалы также известны как Blue Glass или сапфировое стекло, даже если они не являются, по существу, стеклом, а кристаллическим материалом.
В физических единицах синтетический сапфировый материал является очень твёрдым кристаллическим материалом (твёрдость равна 9 по шкале Мооса), принадлежащим к семейству корунда, имеющему очень высокий показатель преломления, равный 1,76.
Сапфиры могут подвергаться термической обработке; драгоценные камни, которые являются слишком светлыми, слишком тёмными или с высоким содержанием включений могут быть нагреты. Этот процесс позволяет усилить цвет и прозрачность, растворяя при этом элементы, присутствующие в виде следов в камнях.
Из-за своей высокой стойкости к царапинам синтетический сапфировый материал используется в широком диапазоне применений, таких как экраны, например часовые стёкла, окна, сенсорные экраны, детали осветительных устройств, детали светоизлучающих устройств (LED), оптические компоненты, например линзы устройств или объективов фотокамер. Использование синтетических сапфировых материалов в области смартфонов, например, может быть особенно актуальным.
Обычно доступный сапфировый материал, по существу, является бесцветным и, по существу, нейтральным по цветности.
Тем не менее, существует необходимость в цветных сапфировых материалах, которые могут быть пригодны для многих применений.
Например, ювелирные изделия могут использовать преимущество механических свойств сапфирового материала и желание получить широкий диапазон цветов указанного материала, которые могут быть скорректированы или выбраны в соответствии с дизайном или эстетическими потребностями.
Что касается другого примера, светотехнической промышленности, также могут потребоваться цветные сапфировые материалы для изготовления цветных фильтров.
В качестве другого примера для производства экранов также могут потребоваться цветные сапфировые материалы для изготовления цветных экранов.
Целью изобретения является создание способа модификации отражённого цвета сапфирового материала, который открывает новые направления; предпочтительно, указанный способ является недорогим или даже если является недорогим и подходящим для обработки поверхностей, отвечает потребностям
- 1 034019 многочисленных применений.
С этой целью задачей изобретения является способ обработки для модификации отражённого цвета поверхности сапфирового материала, включающий облучение пучком одно- и/или многозарядных ионов газа так, чтобы получить ионно-имплантированный слой в сапфировом материале, при этом ускоряющее напряжение выбрано в диапазоне 5-1000 кВ;
доза имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности каждого пучка ионов выбрана в диапазоне 1012-1018 ионов/см2; и доза имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа и ускоряющее напряжение дополнительно выбраны так, чтобы получить модифицированный отражённый цвет обработанной поверхности сапфирового материала по сравнению с необработанной поверхностью сапфирового материала; и, ионы одно- и/или многозарядных ионов газа выбраны из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (B), углерода (C), азота (N), кислорода (O), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S).
Благодаря указанному способу обработки можно достичь изменения отражённого цвета сапфирового материала.
Благодаря указанному способу обработки можно обработать поверхности сапфирового материала в соответствии с различными требованиями многочисленных применений. Из этих применений можно упомянуть сенсорные экраны, окна, часовые стёкла, детали светоизлучающего устройства (LED), детали осветительного устройства, оптические компоненты, такие как, например, линзы устройства.
Новые применения сапфирового материала также могут быть разработаны благодаря способу обработки по изобретению.
Кроме того, способ обработки по настоящему изобретению может быть реализован благодаря экономически эффективным устройствам. Он также может быть реализован так, чтобы получить высокие уровни производительности.
Таким образом, настоящее изобретение открывает новые пути для обработки и использования сапфировых материалов.
Цветной сапфировый материал, полученный благодаря способу обработки по настоящему изобретению, также имеет антибликовые свойства.
Хорошо известно, что поверхность синтетического сапфирового материала отражает около 15,5% падающего на неё света. Такое высокое отражение света может быть недостатком, при желании прочитать информацию за окном сапфирового материала; это может фактически уменьшить способность считывания, например, часов или плоского экрана компьютера или мобильного телефона.
Это отражение света на поверхности синтетического сапфирового материала в более общем плане выражается уравнениями Френеля, дающими для светового луча, проходящего через границу раздела под углом падения 90°, следующие коэффициенты отражения (R) и пропускания (T):
R = ((nS-nM)/(nS+nM))2;
Т = 4.nM.nS/(nS+nM)2.
Коэффициент отражения (R) также обычно называют коэффициентом отражения мощности или отражением; коэффициент пропускания (T) также обычно называют коэффициентом пропускания мощности или пропусканием.
В формуле во всём настоящем документе знак · представляет знак умножения, если он заключён между двумя параметрами; знак х, также может быть использован для обозначения знака умножения.
nS и nM являются показателями преломления в диапазоне видимого света (значение длины волны в интервале 400-800 нм), соответственно сапфирового материала и среды, примыкающей к сапфировому материалу и отделённой от него границей раздела.
Следует отметить, что R+T=1 (закон сохранения энергии).
Что касается примера, можно вычислить R и T для конфигурации воздух/сапфировый материал, где nM=1 для воздуха (где nM=nA, показатель преломления воздуха) и nS=1,76 для примера синтетического сапфирового материала; здесь вышеприведённые формулы дают следующие результаты:
Таким образом, 7,6% света отражается, тогда как 92,4% света проходит из-за разницы показателей преломления между указанными сапфировым материалом и воздухом. Этот уровень отражения света можно рассматривать как высокий и как недостаток для некоторых применений.
Этот недостаток еще более важен при рассмотрении сапфирового материала, окружённого двумя слоями воздуха, имеющего таким образом две границы раздела воздух/сапфировый материал. Для такой полосы синтетического сапфирового материала, состоящего из двух сторон, потери на отражение в два раза больше, т.е. 2х7,6%=15,2%. Это высокое отражение затрудняет считывание данных, находящихся под экраном сапфирового материала или часового стекла.
Благодаря способу обработки по настоящему изобретению также можно выполнить антибликовую обработку сапфирового материала; такая антибликовая обработка может привести к подходящему пропусканию, а именно в видимом диапазоне. В соответствии с изобретением можно получить пропускание,
- 2 034019 которое никогда ранее не было достигнуто. В соответствии с вариантом осуществления изобретения отражение падающей волны в видимом диапазоне может быть уменьшено по меньшей мере на одну треть, например на половину, по сравнению с отражением падающей волны в видимой области спектра на необработанном сапфировом материале, например для падающей длины волны 560 нм.
В соответствии с различными вариантами осуществления настоящего изобретения, которые могут быть объединены в соответствии со всеми технически значимыми вариантами ионы одно- и/или многозарядных ионов газа выбраны из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), азота (N) и кислорода (O), например, из списка, состоящего из азота (N) и кислорода (O), например ионы одно- и/или многозарядных ионов газа являются ионами кислорода (O);
ионы для облучения пучком одно- и/или многозарядных ионов газа получаются с помощью источника электронного циклотронного резонанса (ЭЦР);
ионы газового пучка являются одно- и многозарядными и пучок включает 10% многозарядных ионов или более 10% многозарядных ионов;
ускоряющее напряжение выбрано в диапазоне 10-100 кВ;
доза имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбрана в диапазоне 1016-1018 ионов/см2, например выбрана в диапазоне 2-1016-2-1017 ионов/см2;
доза имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбрана для получения концентрации атомов имплантированных ионов более или равной 5% и равной или менее 20%;
сапфировый материал может быть перемещён по отношению к пучку одно- и/и многозарядных ионов газа со скоростью VD в интервале 0,1-1000 мм/с; в соответствии с вариантом осуществления изобретения одна и та же зона сапфирового материала перемещается под пучком одно- и/или многозарядных ионов газа по нескольким направлениям NP со скоростью VD;
обработка включает облучение поверхности сапфирового материала посредством нескольких пучков одно- и/или многозарядных ионов газа так, чтобы получить ионно-имплантированный слой в сапфировом материале, при этом ускоряющее напряжение и/или элемент ионов одних пучков отличаются от других пучков ионов газа;
способ включает облучение первой и второй поверхности сапфирового материала, каждую одним или несколькими пучком(ами) одно- и/или многозарядных ионов газа, с тем чтобы создать в сапфировом материале на первой поверхности сапфирового материала и ионно-имплантированный слой на второй поверхности сапфирового материала, в котором первая и вторая поверхности сапфирового материала, по существу, являются параллельными поверхностями, разделёнными прозрачной средой, при этом ускоряющее напряжение и/или элементы пучка ионов при обработке второй поверхности сапфирового материала отличаются от соответственно ускоряющего напряжения(й) и/или элементов пучка(ов) ионов для обработки первой поверхности сапфира материала;
используют различные пучки ионов газа и ионы различных пучков ионов газа являются ионами одного и того же элемента и ускоряющее напряжение ионных пучков одного пучка ионов газа отличаются от другого пучка ионов газа; в соответствии с вариантом осуществления изобретения, ускоряющее напряжение ионных пучков отличается от величины, составляющей 5-50 кВ, например от величины, составляющей 10-20 кВ;
ускоряющее напряжение и доза имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа дополнительно выбраны в соответствии с дополнительными правилами выбора; в качестве примеров дополнительные правила выбора могут включать данные, полученные с использованием на стадии предшествующей облучению пучком одно- и/или многозарядных ионов газа обрабатываемого сапфирового материала, причём указанная стадия заключается в выборе одного типа пучка одно- и/или многозарядных ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (B), углерода (C), азота (N), кислорода (O), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S), выполнении нескольких экспериментов с сапфировым материалом, аналогичным обрабатываемому материалу, используя указанные ионы для облучения и изменяя дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и ускоряющее напряжение до определения искомого диапазона дозы имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и диапазона ускоряющего напряжения, для создания ионно-имплантированного слоя, подходящего для получения модифицированного отражённого цвета поверхности сапфирового материала;
выбор дозы одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и значения ускоряющего напряжения в пределах диапазонов предыдущей стадии и обработки сапфирового материала указанными ионами при указанных значениях;
данные, полученные из нескольких экспериментов, собирают и обрабатывают таким образом, чтобы получить основные принципы изменения цвета поверхности сапфира в соответствии с элементом пучка одно- и/или многозарядных ионов, ускоряющим напряжением и дозой ионов на единицу площади поверхности;
- 3 034019 выбор элемента пучка одно- и/или многозарядных ионов, дозы одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и величины ускоряющего напряжения производится так, чтобы соответствовать требованиям к искомому цвету отражённого цвета поверхности сапфирового материала.
Настоящее изобретение также относится к детали, изготовленной из синтетического сапфирового материала, включающего по меньшей мере одну поверхность, обработанную в соответствии со способом по любому из предшествующих пунктов, в котором доминирующая длина волны ZDT отражённого цвета обработанной поверхности сдвинута по меньшей мере на +50 нм или по меньшей мере на -50 нм от доминирующей длины волны ZDU, отражённого цвета поверхности необработанного сапфирового материала, например, сдвинута по меньшей мере на +100 нм или по меньшей мере на -100 нм.
Настоящее изобретение также относится к использованию способа обработки в соответствии с любым вариантом осуществления вышеуказанного способа для обработки твёрдой детали, изготовленный из синтетического сапфирового материала, выбранной из списка, состоящего из экрана, например сенсорный экран, окна, часового стекла, детали осветительного устройства, такой как деталь устройства светового излучения (LED), оптического компонента, такого как линза устройства.
Настоящее изобретение также относится к окрашенному сапфировому материалу, содержащему по меньшей мере одну поверхность с ионно-имплантированными элементами из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (B), углерода (C), азота (N), кислорода (O), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S), в котором отражение падающей волны в видимой области спектра от указанной поверхности равно или менее 2%, например, равно или менее 1% по измерению при длине волны 560 нм.
Когда также желательны антибликовые свойства в видимом диапазоне, могут быть реализованы следующие варианты осуществления изобретения:
облучение пучком одно- или многозарядных ионов газа, создаваемым источником электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), где доза имплантированных одно- и многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбрана в диапазоне 1012-1018 ионов/см2 для получения атомной концентрации ионов газа такой, чтобы показатель преломления n имплантированного слоя был приблизительно равен (nA-nS)12, где nA показатель воздуха и nS показатель синтетического сапфирового материала;
ускоряющее напряжение выбрано в диапазоне 5-1000 кВ для получения толщины имплантированного слоя e равной ρ'λ/4π, где е является толщиной имплантированного слоя соответствующей зоны имплантации, где атомная концентрация имплантированных одно- и многозарядных ионов газа больше или равна 1%, где p обозначает целое число, λ длина падающей волны и nL показатель имплантированного слоя;
в указанном способе одно- и многозарядные ионы газа ионного пучка могут быть выбраны из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe);
в указанном способе одно- и многозарядных ионы газа ионного пучка могут быть выбраны из ионов газов из списка, состоящего из азота (N2) и кислород (O2);
в указанном способе ускоряющее напряжение выбрано так, чтобы получить толщину имплантированного слоя, равную ρ·100 нм, где р обозначает целое число;
в указанном способе доза имплантированных одно- или многозарядных ионов газов на единицу площади поверхности может быть выбрана для получения атомной концентрации имплантированных ионов равной 10% с погрешностью (+/-)5%;
в указанном способе выбор дозы имплантированных одно- и многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и выбор ускоряющего напряжения могут быть сделаны посредством расчёта, выполненного ранее для оценки дозы имплантированных одно- или многозарядных ионов газа для получения концентрации имплантированных атомов равной 10% с погрешностью (+/-)5% на основе профиля ионной имплантации, выбранного в зависимости от глубины имплантации;
Примеры далее будут описаны со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых фиг. 1 представляет эскиз кристалла сапфирового материала;
фиг. 2-6 являются спектрами пропускания образцов сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению;
фиг. 7-10 представляют схемы, используемые для обсуждения результатов с образцами сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению;
фиг. 11-14 иллюстрируют примеры модификации отражённого цвета поверхности сапфировых материалов по способу согласно настоящему изобретению;
фиг. 15-19 представляют спектры пропускания образцов сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению.
Некоторые элементы на фигурах показаны для простоты и ясности и не обязательно вычерчены в масштабе. Тем не менее, спектры пропускания приведены в масштабе. Спектры пропускания иллюстрируют изменение коэффициента (или коэффициентов) пропускания (T) (также обычно называемого коэффициентом пропускания мощности или пропусканием) в зависимости от длины волны света. Диапазон длин волн включает видимый диапазон длин волн.
- 4 034019
Спектры пропускания получают измерением, выполненным с помощью спектрофотометра, где падающий луч света проходит через две основные грани образца и где пропускание света через указанный образец измеряют при большом числе длин волн. Указанные две основные грани, как правило, являются параллельными гранями.
Спектры пропускания образцов сапфирового материала, обработанные способом по настоящему изобретению, измерены с помощью спектрофотометра UV-5200 UV/VIS поставляемого METASH Company. В этих измерениях среда, примыкающая (и контактирующая) к каждой из основных граней образцов сапфирового материала, является воздухом.
Фиг. 1 представляет эскиз монокристалла сапфирового материала, где можно выделить основные кристаллографические характеристики такого кристалла; структура монокристалла сапфира (корунда) может быть представлена упорядоченным октаэдром, в которой O2- ионы находятся в вершинах (пиках) октаэдров и ионы Al3+ находятся внутри октаэдров. Фиг. 1 представляет структуру основных плоскостей кристалла сапфира, соответствующих системе структуры сапфира. На этой фиг. показаны следующие плоскости: C-плоскость (0001); A-плоскость (1120) и R-плоскость (1012). Номенклатура соответствует обычной кристаллографической номенклатуре.
Как указано в описании выше, обычно доступный сапфировый материал, по существу, бесцветный и, по существу, нейтральный в плане цветности. Как указано в описании выше, каждая грань необработанного образца сапфирового материала отражает около 7,75% падающего света; таким образом, пропускание необработанного образца сапфирового материала составляет около 84,5% в видимом диапазоне.
Авторы настоящего изобретения провели испытания образцов сапфирового материала, которые были обработаны в соответствии с настоящим изобретением.
Использованные образцы сапфирового материала либо круглые или квадратные пластины диаметром соответственно один дюйм и со стороной 10 мм; их толщина равна или менее 1 мм.
В следующих примерах эти одно- и многозарядные ионы газа излучаются источником ЭЦР (источник электронного циклотронного резонанса).
Фиг. 2-5 представляют спектры пропускания образцов сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению, которые были измерены после обработки образцов сапфирового материала в соответствии со следующими экспериментальными условиями:
так, на фиг. 2-5 пучок одно- и/или многозарядных ионов газа представляет собой пучок одно- и многозарядных ионов кислорода O+, O2+ O3+; расчётное распределение ионов O следующее: 60% O+, 30% O2+, 10% O3+.
Так, на фиг. 2, 3 обработана только грань образцов сапфирового материала.
Так, на фиг. 4, 5 обработаны обе грани образцов сапфирового материала.
Так, на фиг. 2-4 обработана (ы) плоскость (и) A образцов сапфирового материала.
Так, на фиг. 3-5 обработана (ы) плоскость (и) C образцов сапфирового материала.
В следующих данных ионные дозы (далее называемые доза) выражаются в 1016 ионов/см2 и ускоряющее напряжения (далее называемое напряжение) выражается в кВ.
На фиг. 2 кривая 20 относится к необработанным образцам сапфирового материала; кривая 21 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 11 и напряжением = 17,5; кривая 22 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5 и напряжением = 25; кривая 23 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15 и напряжением = 32,5.
На фиг. 3 кривая 30 относится к необработанному образцу сапфирового материала; кривая 31 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 11 и напряжением = 17,5; кривая 32 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5 и напряжением = 25; кривая 33 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15 и напряжением = 32,5.
На фиг. 4 кривая 40 относится к необработанному образцу сапфирового материала; кривая 41 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 11 и напряжением = 17,5; кривая 42 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5 и напряжением = 25; кривая 43 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15 и напряжением = 32,5.
На фиг. 5 кривая 50 относится к необработанному образцу сапфирового материала; кривая 51 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 11 и напряжением = 17,5; кривая 52 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5 и напряжением = 25; кривая 53 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15 и напряжением = 32,5.
Благодаря этим данным можно учесть влияние множества параметров процесса.
Фиг. 2, 3 можно соответственно сравнить с фиг. 4, 5, чтобы продемонстрировать воздействие обработки одной грани по сравнению с обработкой двух граней.
Измеренные результаты, представленные на фиг. 2-5, показывают, что облучение поверхности сапфирового материала в соответствии с настоящим изобретением модифицирует отражённый цвет поверхности сапфирового материала.
Отражённый цвет поверхности образцов сапфирового материала, соответствующих кривым 21, 31, 41 и 51, где напряжение составляет 17,5 кВ, по существу, является оранжевым.
- 5 034019
Отражённый цвет поверхности образцов сапфирового материала, соответствующих кривым 22, 32, и 52, где напряжение составляет 25 кВ, по существу, является фиолетовым.
Отражённый цвет поверхности образцов сапфирового материала, соответствующих кривым 23, 33, и 53, где напряжение составляет 32,5 кВ, по существу, является тёмно-синим.
Соответственно можно выбрать отражённый цвет поверхности сапфирового материала и выбрать соответствующие параметры способа обработки, которые позволяют получить искомый цвет.
На основе такого типа экспериментов можно собрать данные и их обработать так, чтобы разработать дополнительные принципы изменения цвета поверхности сапфира в соответствии с элементом (здесь, кислород) пучка одно- и/или многозарядных ионов, ускоряющим напряжением и ионной дозой на единицу площади поверхности.
Результаты измерения, представленные на фиг. 2-5, показывают, что облучение поверхности сапфирового материала, к указанной поверхности примыкает среда, отличающаяся от сапфирового материала, с помощью пучка одно- и/или многозарядных ионов газа также подходит для получения ионноимплантированного слоя в сапфировом материале, который обеспечивает антибликовую обработку в видимом диапазоне.
Неожиданно очень высокое пропускание было достигнуто в видимом диапазоне.
Синтетический сапфировый материал, включающий по меньшей мере одну ионно-имплантированную поверхность, был получен, когда отражение падающей волны в видимой области спектра на указанной поверхности равно или менее 2%, как, например, равно или менее 1%, по измерению при длине волны 560 нм.
Благодаря результатам, представленным на фиг. 2-5, можно определить предпочтительные диапазоны для реализации способа в соответствии с настоящим изобретением.
Определение указанных предпочтительных диапазонов является путём обеспечения дополнительных правил выбора для выбора ионов элемента, ускоряющего напряжения и дозы облучения одно- и/или многозарядными ионами газа в соответствии с необходимостью.
Фиг. 6-10 иллюстрируют данные, которые могут быть пригодны для выбора параметров при использовании кислорода в качестве одно- и/или многозарядных ионов.
Спектры пропускания образцов сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению, могут быть проанализированы на основе фиг. 6; три параметра определяются на основе спектры пропускания (60), где P является положением пика пропускания (нм), D представляет собой изменчивость параметра (единицы пропускания), L представляет собой ширину (нм) спектра пропускания, соответствующую изменчивости D. Фиг. 7, 8 иллюстрируют изменение положение пика пропускания (соответственно, кривые 70 и 80) в соответствии с ускоряющим напряжением для соответствующих плоскостей A и C сапфирового материала.
Благодаря такому спектру можно выбрать ускоряющее напряжение для получения искомого цвета.
Фиг. 9 представляет зависимость ширины спектра пропускания (L) в зависимости от изменчивости параметра (D) для сапфирового материала, обработанного по плоскости A.
Фиг. 10 представляет изменение ширины спектра пропускания (L) в зависимости от изменчивости параметра (D) для сапфирового материала, обработанного по плоскости C.
Различные другие представления данных могут быть использованы для создания дополнительных правил выбора для получения искомого цвета.
Как показывают вышеуказанные результаты, способ обработки по изобретению может быть использован так, чтобы ионно-имплантированный слой на одной поверхности сапфирового материала или может быть использован так, чтобы несколько ионно-имплантированных слоев на первой и второй поверхностях сапфирового материала, где первая и вторая поверхности сапфирового материала, по существу, являются параллельными поверхностями и разделены прозрачной средой.
Фиг. 11-14 иллюстрируют примеры модификации отражённого цвета поверхностей сапфирового материалов способом по настоящему изобретению, при использовании нескольких пучков одно- и/или многозарядных ионов газа так, чтобы получить ионно-имплантированный слой в сапфировом материале; аналогичные результаты могут быть получены при использовании нескольких ионно-имплантированных слоев на первой и второй поверхностях сапфирового материала, в котором первая и вторая поверхности сапфирового материала, по существу, являются параллельными поверхностями, разделёнными прозрачной средой.
Фиг. 11 является схемой, представляющей влияние первого, 110, и второго, 111, пучков многозарядных ионов кислорода на пропускание в пределах видимого диапазона, причём ускоряющее напряжение отличается для двух пучков ионов газа. Разницу в положении пиков ΔΡ можно видеть для двух кривых 110, 111. Ускоряющее напряжение находится, например, в диапазоне 10-50 кВ, как, например, в диапазоне 15-35 кВ, и разность ускоряющего напряжения между граничными значениями составляет 5-50 кВ, 10-20 кВ. Авторы настоящего изобретения определили колориметрические свойства, полученные посредством комбинации таких кривых, и соответствующие данные представлены на фиг. 12.
На фиг. 12 приведены результаты в цветовом пространстве CIE 1931 на основе CIE xy диаграммы цветности. Внешняя изогнутая граница 120 является спектральным локусом, с длиной волны в наномет- 6 034019 рах. Диаграмма представляет все цветности видимые обычному человеку. Такие диаграммы обычно используются в области представления цветовой информации и интерпретация таких диаграмм хорошо известна специалисту в данной области техники. Точка 121 соответствует цветности поверхности сапфирового материала, обработанного пучками 15 и 25 кВ многозарядных ионов кислорода; соответствующий цвет розовый. Точка 122 соответствует цветности поверхности сапфирового материала, обработанного пучками 20 и 30 кВ многозарядных ионов кислорода; соответствующий цвет пурпурно-розовый. Точка 123 соответствует цветности поверхности сапфирового материала, обработанного пучками 25 и 35 кВ многозарядных ионов кислорода; соответствующий цвет фиолетовый/синий.
Фиг. 13 является схемой, представляющей влияние первого (131), второго (132), а третьего (133) пучков многозарядных ионов кислорода на пропускание в пределах видимого диапазона, причём ускоряющее напряжение отличается для двух пучков ионов газа. Разницу положения пиков ΔΡ можно видеть между двумя крайними кривыми 131, 133. Ускоряющее напряжение определены в тех же диапазонах, что и на фиг. 11.
Фиг. 14 представляет результаты в цветовом пространстве CIE 1931 на основе CIE xy диаграммы цветности. Граничная кривая 140 является спектральным локусом, с длиной волны в нанометрах. Точка 141 соответствует цветности поверхности сапфирового материала, обработанного пучками 10, 20 и 30 кВ многозарядных ионов кислорода; соответствующий цвет светло-желтовато-розовый. Точка 142 соответствует цветности поверхности сапфирового материала, обработанного пучками 12,5, 22,5 и 32,5 кВ многозарядных ионов кислорода; соответствующий цвет является нейтральным. Точка 143 соответствует цветности поверхности сапфирового материала, обработанного пучками 15, 25 и 35 кВ многозарядных ионов кислорода; соответствующий цвет светло-голубой.
На CIE xy диаграмме цветности фиг. 14, представлен квадрат нейтрального цвета определяемый прямоугольником 146, примыкающим к нейтральной точке 145. Точка 142 находится в пределах указанного квадрата нейтрального цвета.
Сочетание нескольких пучков многозарядных ионов кислорода в соответствии с настоящим изобретением позволяет тонко регулировать отражённый цвет поверхности сапфирового материала. Как показано в описании выше, способ по настоящему изобретению также позволяет создавать нейтральный отражённый цвет поверхности сапфирового материала с ионно-имплантированным слоем. Соответственно можно получить антибликовую поверхность нейтрального цвета.
Получение нейтрального отражённого цвета поверхности сапфирового материала с ионноимплантированным слоем возможно комбинацией нескольких профилей пропускания, соответствующих различным ускоряющим напряжениям так, чтобы получить плоский и постоянный профиль пропускания.
В соответствии с осуществлением и для получения плоского и постоянного профиля пропускания между 96 и 97%, расположенного между синим (400 нм) и красный (800 нм) цветом, авторы настоящего изобретения также приводят следующий пример обработки облучением, выполняемом в две стадии:
первая обработка облучения ионами с вытягивающим напряжением приблизительно на 10% меньше опорного вытягивающего напряжения (подходящего для получения жёлтого отсвечивания под углом 45°) и дозой, соответствующей половине эталонной дозы (используемой для получения такого же жёлтого отсвечивания под углом 45°), другими словами, напряжением приблизительно равным 20 кВ и дозой, равной 0,75*1017 ион/см2;
вторая обработка облучением ионами с вытягивающим напряжением приблизительно на 10% больше опорного вытягивающего напряжения (подходящего для получения жёлтого отсвечивания под углом 45°), и дозой, соответствующей половине эталонной дозы (используемой для получения такого же жёлтого отсвечивания под углом 45°), другими словами, напряжением приблизительно равным 25 кВ.
Эта двухстадийная обработка позволяет преимущественно создать плоский и постоянный профиль пропускания между синим (400 нм) и красным (800 нм) цветом, сохраняя при этом по существу высокое пропускание жёлтого цвета (560 нм).
Фиг. 15-19 показывают спектры пропускания образцов сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению, которые были измерены после обработки образцов сапфирового материала в соответствии со следующими экспериментальными условиями:
так, на фиг. 15-18 пучок одно- и/или многозарядных ионов газа представляет собой пучок одно- и многозарядных ионов азота N+, N2+, N3+; оценка распределения ионов N выглядит следующим образом: 57% N+, 32% N2+, 11% N3+; только одна грань образцов сапфирового материала была обработана.
Так, на фиг. 15, 16 была обработана плоскость A образцов сапфирового материала.
Так, на фиг. 17, 18 была обработана плоскость C образцов сапфирового материала.
В следующих данных ионные дозы (далее называемые доза) приводятся в 1016 ионов/см2 и ускоряющее напряжение (далее называется напряжение) приводится в кВ.
Так, на фиг. 15-17 напряжение = 20 кВ.
Так, на фиг. 16-18 напряжение = 25 кВ .
На фиг. 15 кривая 150 относится к образцу необработанного сапфирового материала; кривая 151 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 2,5; кривая 152 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 5; кривая 153 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 7,5;
- 7 034019 кривая 154 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 10; кривая 155 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5; кривая 156 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15.
На фиг. 16 кривая 160 относится к образцу необработанного сапфирового материала; кривая 161 к образцу сапфирового материала, обработанного сдозой = 2,5; кривая 162 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 5; кривая 163 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 7,5; кривая 164 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 10; кривая 165 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5; кривая 166 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15; кривая 167 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 17,5.
На фиг. 17 кривая 170 относится к образцу необработанного сапфирового материала; кривая 171 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 2,5; кривая 172 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 5; кривая 173 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 7,5; кривая 174 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 10; кривая 175 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5; кривая 176 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 15; кривая 177 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 17,5.
На фиг. 18 кривая 180 относится к образцу необработанного сапфирового материала; кривая 181 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 2,5; кривая 182 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 5; кривая 183 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 7,5; кривая 184 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 10; кривая 185 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 12,5; кривая 186 к обрзацу сапфирового материала, обработанного дозой = 15; кривая 187 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 17,5.
Образцы, которые были обработаны с ускоряющим напряжением 20 кВ, являются фиолетовыми; образцы, которые были обработаны с ускоряющим напряжением 15 кВ, являются лиловыми.
Модификация отражённого цвета поверхности сапфирового материала таким образом может быть достигнута способом по изобретению при использовании ионов азота. Антибликующие свойства также могут быть достигнуты способом по изобретению при использовании ионов азота.
Фиг. 19 представляет спектры пропускания образцов сапфирового материала, обработанного способом по настоящему изобретению, которые измерены после обработки образцов сапфирового материала в соответствии со следующими экспериментальными условиями:
пучок одно- и/или многозарядных ионов газа представляет собой пучок одно- и многозарядных ионов аргона Ar+, Ar2'. Ar3'; оценка распределения ионов Ar имеет следующий вид: 71% Ar+, 23% Ar2'. 6% Ar3'; две грани образцов сапфирового материала были обработаны. Обрабатывают плоскость A сапфирового материала. Ускоряющее напряжение составляет 35 кВ. В последующих данных ионные дозы (далее называемые доза) выражены в 1016 ионов/см2:
Кривая 190 относится к образцу необработанного сапфирового материала; кривая 191 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 2,5; кривая 192 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 7,5; кривая 193 к образцу сапфирового материала, обработанного дозой = 10.
Модификация отражённого цвета поверхности сапфирового материала таким образом может быть достигнута способом по изобретению при использовании ионов аргона. Антибликующие свойства также могут быть достигнуты способом по изобретению при использовании ионов аргона.
На основе накопленных данных можно оценить с высокой достоверностью, что другие ионы должны быть пригодны для реализации способа по изобретению, и применимы к модификации отражённого цвета поверхности сапфирового материала.
В описании выше было показано, что ионы аргона (Ar) пригодны для реализации способа по изобретению; соответственно, ионы других благородных газов, как представляется, также подходят для реализации способа по изобретению, такие как гелий (He), неон (Ne), криптон (Kr) и ксенон (Xe).
В описании выше было показано, что ионы азота (N) и кислорода (O) подходят для реализации способа по изобретению; соответственно, другие соседние по периодической таблице ионы, как представляется, также подходят для реализации способа по изобретению, такие как бор (B), углерод (C), фтор (F), кремний (Si), фосфор (P) и сера (S).
На основании вышеприведённых результатов и комментариев специалисты в данной области техники могут использовать раскрытие настоящего изобретения и реализацию способа обработки с использованием нескольких пучков, в которых элементы ионных пучков отличается в различных пучках ионов газа. Указанные пучки могут быть использованы таким образом, чтобы создать ионно-имплантированный слой на одной поверхности сапфирового материала или могут быть использованы таким образом, чтобы создать несколько ионно-имплантированных слоев на первой и второй поверхностях сапфирового материала, где первая и вторая поверхности сапфирового материала, по существу, являются параллельными поверхностями и разделены прозрачной средой.
В соответствии с осуществлением антибликовая обработка ионным облучением сапфирового материала, используемая в настоящем изобретении, не требует длительного времени обработки (несколько секунд на 1 см2 и с помощью микроускорителя).
- 8 034019
Модификация отражённого цвета поверхности сапфирового материала, используемая в настоящем изобретении, может обеспечить их применение в промышленном контексте, где её стоимость не должна быть запретительной по отношению к затратам на сапфировую подложку (например, один см2 сапфира для сенсорных панелей стоит около 4 евро, обработка одного см2 в соответствии с изобретением стоит несколько центов).
Благодаря изобретению можно получить детали, изготовленные из синтетического сапфирового материала, включающего по меньшей мере одну поверхность, обработанную в соответствии со способом по любому из предшествующих пунктов, в котором доминирующая длина волны, ZDT, отражённого цвета обработанной поверхности сдвинута по меньшей мере на +50 нм или по меньшей мере на -50 нм от доминирующей длины волны, ZDU, отражённого цвета поверхности необработанного сапфирового материала, так, например, сдвинута по меньшей мере на +100 нм или по меньшей мере на -100 нм.
Способ обработки по настоящему изобретению может быть использован для обработки твёрдой детали из сапфирового материала, выбранной, например, из, но без ограничения, списка, состоящего из экрана, такого как, например, сенсорный экран, окна, часового стекла, детали осветительного устройства, такого как устройство светового излучения (LED), оптического компонента, такого как, например, линзы устройства.
Изобретение было описано выше с помощью осуществления без ограничения общей концепции изобретения; в частности, параметры не ограничиваются обсуждаемыми примерами.

Claims (18)

1. Способ обработки поверхности детали из синтетического сапфирового материала для модификации отражающих свойств указанной поверхности в интервале длин волн 400-800 нм, включающий облучение поверхности сапфирового материала пучком одно- и/или многозарядных ионов газа таким образом, чтобы создать ионно-имплантированный слой в сапфировом материале, при этом ускоряющее напряжение составляет величину в диапазоне 5-1000 кВ;
доза имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа каждого ионного пучка на единицу площади поверхности составляет величину в диапазоне 1012-1018 ионов/см2; а ионы одно- и/или многозарядных ионов газа выбраны из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (B), углерода (C), азота (N), кислорода (O), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S), при этом дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа и ускоряющее напряжение выбирают так, чтобы получить модифицированный отражённый цвет обработанной поверхности сапфирового материала по сравнению с необработанной поверхностью сапфирового материала, причем доминирующая длина волны ZDT отражённого цвета обработанной поверхности сапфирового материала сдвинута по меньшей мере на +50 нм или по меньшей мере на -50 нм от доминирующей длины волны ZDU отражённого цвета необработанной поверхности сапфирового материала.
2. Способ обработки по п.1, в котором ионы одно- и/или многозарядных ионов газа выбирают из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), азота (N) и кислорода (O), например из списка, состоящего из азота (N) и кислорода (O), например, ионы одно- и/или многозарядных ионов газа являются ионами кислорода (O).
3. Способ обработки по п.1 или 2, в котором ионы для облучения пучком одно- и/или многозарядных ионов газа получают с помощью источника электронного циклотронного резонанса (ЭЦР).
4. Способ обработки по любому из пп.1-3, в котором ионы газового пучка являются одно- и многозарядными и включают 10% многозарядных ионов или более 10% многозарядных ионов.
5. Способ обработки по любому из пп.1-4, в котором ускоряющее напряжение выбирают в диапазоне 10-100 кВ.
6. Способ обработки по любому из пп.1-5, в котором дозу имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбирают в диапазоне 1016-1018 ионов/см2, например выбирают в диапазоне 2-1016-2-1017 ионов/см2.
7. Способ обработки по любому из пп.1-6, в котором дозу имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбирают для получения атомной концентрации имплантированных ионов равной или больше 5% и равной или меньше 20%.
8. Способ обработки по любому из пп.1-7, в котором сапфировый материал перемещают относительно пучка одно- и/или многозарядных ионов газа со скоростью VD между 0,1 и 1000 мм/с.
9. Способ обработки по п.8, в котором одну и ту же зону сапфирового материала перемещают под пучком одно- и/или многозарядных ионов газа посредством нескольких NP проходов со скоростью VD.
10. Способ обработки по любому из пп.1-9, в котором обработка включает облучение поверхности сапфирового материала несколькими пучками одно- и/или многозарядных ионов газа так, чтобы создать ионно-имплантированный слой в сапфировом материале, при этом ускоряющее напряжение и/или элемент ионных пучков отличается в различных пучках ионов газа.
- 9 034019
11. Способ обработки по любому из пп.1-10, который включает облучение первой и второй поверхностей сапфирового материала, причем каждой поверхности одним или несколькими пучком(ами) однои/или многозарядных ионов газа, так чтобы создать в сапфировом материале ионно-имплантированный слой на первой поверхности сапфирового материала и ионно-имплантированный слой на второй поверхности сапфирового материала, первая и вторая поверхности сапфирового материала, по существу, являются параллельными поверхностями, разделёнными прозрачной средой, при этом ускоряющее напряжение и/или элемент ионного пучка для обработки второй поверхности сапфирового материала отличаются от соответственно ускоряющего напряжения(ий) и/или элемента пучка(ов) ионов для обработки первой поверхности сапфирового материала.
12. Способ обработки по п.10 или 11, в котором ионы различных пучков ионов газа являются ионами одного и того же элемента, при этом ускоряющее напряжение ионных пучков отличается для разных пучков ионов газа.
13. Способ обработки по п.12, в котором ускоряющее напряжение ионных пучков отличается от величины, составляющей 5-50 кВ, например от величины в диапазоне 10-20 кВ.
14. Способ обработки по любому из пп.1-13, в котором ускоряющее напряжение и дозу имплантированных ионов одно- и/или многозарядных ионов газа выбирают в соответствии с дополнительными правилами выбора, указанные дополнительные правила выбора включают в себя использование данных, полученных на стадии предварительного облучения пучком одно- и/или многозарядных ионов газа обрабатываемого сапфирового материала, причем указанная стадия заключается в выборе одного типа однои/или многозарядных ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (B), углерода (C), азота (N), кислорода (O), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S), выполнении нескольких экспериментов с сапфировыми материалами, аналогичными обрабатываемому материалу, с использованием указанных ионов для облучения и изменении дозы имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и ускоряющего напряжения до определения требующихся диапазонов дозы имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и диапазонов ускоряющего напряжения, чтобы создать ионно-имплантированный слой, подходящий для получения модифицированного отражённого цвета поверхности сапфирового материала; и выбирают дозу одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и величину ускоряющего напряжения в пределах диапазонов, полученных на предыдущей стадии, и выполняют обработку обрабатываемого сапфирового материала указанными ионами при указанных значениях.
15. Способ обработки по п.14, в котором данные, полученные в результате указанных нескольких экспериментов, накапливают и обрабатывают так, чтобы разработать основные рекомендации по изменению цвета поверхности сапфира в соответствии с элементом пучка одно- и/или многозарядных ионов ускоряющим напряжением и дозой ионов на единицу площади поверхности.
16. Способ обработки по п.15, в котором выбор элемента пучка одно- и/или многозарядных ионов, дозы одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и значения ускоряющего напряжения выполняют так, чтобы удовлетворять требованиям по целевому цвету для отражённого цвета поверхности сапфирового материала.
17. Способ обработки по любому из пп.1-16, в котором доминирующая длина волны ZDT отражённого цвета обработанной поверхности сдвинута по меньшей мере на +100 нм или по меньшей мере на -100 нм от доминирующей длины волны ZDU отражённого цвета необработанной поверхности сапфирового материала.
18. Способ обработки по любому из пп.1-17, в котором сапфировый материал является синтетическим сапфировым материалом, который образует элемент, выбранный из списка, состоящего из экрана, такого как, например, сенсорный экран, окна, часового стекла, детали осветительного устройства, такой как деталь светоизлучающего устройства (LED), оптического компонента, такого как, например, линза устройства.
EA201692406A 2014-05-23 2015-05-22 СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛИ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО САПФИРОВОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ОТРАЖАЮЩИХ СВОЙСТВ УКАЗАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ В ИНТЕРВАЛЕ ДЛИН ВОЛН 400-800 нм EA034019B1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1401172A FR3021332B1 (fr) 2014-05-23 2014-05-23 Procede de traitement par un faisceau d'ions d'un gaz mono et multicharges pour produire des materiaux en saphir synthetique antireflet
FR1402293A FR3027120B1 (fr) 2014-10-09 2014-10-09 Dalle tactile capacitive a haute transmission dans le domaine visible et inrayable
PCT/EP2015/061363 WO2015177334A1 (en) 2014-05-23 2015-05-22 Treatment method for modifying the reflected colour of a sapphire material surface

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201692406A1 EA201692406A1 (ru) 2017-04-28
EA034019B1 true EA034019B1 (ru) 2019-12-19

Family

ID=52727135

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201692408A EA035316B9 (ru) 2014-05-23 2015-03-23 Способ обработки сапфирового материала пучком одно- и/или многозарядных ионов газа для получения антибликового материала
EA201692406A EA034019B1 (ru) 2014-05-23 2015-05-22 СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛИ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО САПФИРОВОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ОТРАЖАЮЩИХ СВОЙСТВ УКАЗАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ В ИНТЕРВАЛЕ ДЛИН ВОЛН 400-800 нм

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201692408A EA035316B9 (ru) 2014-05-23 2015-03-23 Способ обработки сапфирового материала пучком одно- и/или многозарядных ионов газа для получения антибликового материала

Country Status (10)

Country Link
US (2) US10982312B2 (ru)
EP (2) EP3146086B1 (ru)
JP (2) JP6878009B2 (ru)
KR (2) KR102320294B1 (ru)
CN (2) CN106662958B (ru)
AU (2) AU2015263472B2 (ru)
CA (2) CA2949923A1 (ru)
EA (2) EA035316B9 (ru)
SG (2) SG11201609845VA (ru)
WO (2) WO2015176850A1 (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11535926B2 (en) 2011-12-23 2022-12-27 Hkbu R&D Licensing Limited Sapphire thin film coated substrate
EP3146086B1 (en) * 2014-05-23 2019-10-02 Quertech Single- and/or multi-charged gas ion beam treatment method for producing an anti-glare sapphire material
JPWO2017104443A1 (ja) * 2015-12-16 2018-08-30 株式会社アルバック サファイア基板の製造方法及びサファイア基板
EP3458625A4 (en) * 2016-05-19 2020-07-29 Hong Kong Baptist University SUBSTRATE COATED WITH SAPPHIRE THIN LAYER
FR3062855B1 (fr) * 2017-02-14 2019-04-19 Sa Quertech Procede de traitement par un faisceau d ions pour produire un saphir antifreflet a haute transmittance resistant a la rayure.
EP3389078A1 (fr) * 2017-04-13 2018-10-17 The Swatch Group Research and Development Ltd Procédé d'implantation d'ions multichargés sur une surface d'un objet à traiter et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé
FR3067275B1 (fr) 2017-06-07 2022-08-12 Timothee Boitouzet Procede de delignification partielle par voie supercritique ou subcritique et de remplissage d'un materiau ligno-cellulosique
EP3632876A1 (fr) * 2017-10-12 2020-04-08 The Swatch Group Research and Development Ltd Particules de poudre céramique revetue
EP3503159B1 (fr) * 2017-12-20 2021-05-05 The Swatch Group Research and Development Ltd Procédé d'implantation d'ions sur une surface d'un objet à traiter
FR3077895B1 (fr) * 2018-02-09 2020-02-28 Sas Woodoo Dispositif de detection tactile avec interface tactile en materiau composite
US10488560B2 (en) * 2018-02-13 2019-11-26 Visera Technologies Company Limited Optical elements
EP3556911A1 (fr) * 2018-04-19 2019-10-23 Comadur S.A. Procédé de structuration d'un motif décoratif ou technique dans un objet réalisé en un matériau amorphe, semi-cristallin ou cristallin au moins partiellement transparent
JP2021528347A (ja) * 2018-06-14 2021-10-21 エージーシー グラス ユーロップＡｇｃ Ｇｌａｓｓ Ｅｕｒｏｐｅ 赤外光を透過させる基材の反射率の低減
EP3636796A1 (fr) * 2018-10-10 2020-04-15 Comadur S.A. Procede de durcissement d'un traitement antireflet depose sur un substrat transparent et substrat transparent comprenant un traitement antireflet durci
TW202038326A (zh) * 2019-01-11 2020-10-16 日商索尼半導體解決方案公司 氧化物半導體膜之蝕刻方法
EP3696151A1 (fr) * 2019-02-18 2020-08-19 Rolex Sa Glace de montre colorée
EP4113220A1 (fr) * 2021-07-02 2023-01-04 Comadur SA Procédé de traitement de surface d'une pierre, notamment pour l'horlogerie

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009151160A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Korea Atomic Energy Research Institute Method for manufacturing the color controlled sappire
EP2772565A2 (en) * 2013-03-02 2014-09-03 Apple Inc. Sapphire property modification through ion implantation

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06330314A (ja) * 1993-05-17 1994-11-29 Japan Steel Works Ltd:The イオン注入法による傾斜機能材料の製造方法および製造装置
US6979630B2 (en) * 2002-08-08 2005-12-27 Isonics Corporation Method and apparatus for transferring a thin layer of semiconductor material
FR2879625B1 (fr) * 2004-02-04 2007-04-27 Guernalec Frederic Dispositif de nitruration par implantation ionique d'une piece en alliage d'aluminium et procede mettant en oeuvre un tel dispositif
US20060210783A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Seder Thomas A Coated article with anti-reflective coating and method of making same
JP2007109474A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Fujifilm Corp イオン注入装置
FR2899242B1 (fr) * 2007-04-05 2010-10-22 Quertech Ingenierie Procede de durcissement par implantation d'ions d'helium dans une piece metallique
JP2009216452A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Seiko Epson Corp 透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法
TWI453949B (zh) * 2009-12-30 2014-09-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體製作方法
TWM443936U (en) * 2011-11-17 2012-12-21 Tera Xtal Technology Corp Touch panel structure
KR20130065097A (ko) * 2011-12-09 2013-06-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자의 제조 방법
TWI573049B (zh) * 2012-06-06 2017-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 觸控螢幕及顯示裝置
US8852695B2 (en) * 2012-09-10 2014-10-07 The Research Foundation For The State University Of New York Optical barriers, waveguides, and methods for fabricating barriers and waveguides for use in harsh environments
US9092187B2 (en) * 2013-01-08 2015-07-28 Apple Inc. Ion implant indicia for cover glass or display component
US9623628B2 (en) * 2013-01-10 2017-04-18 Apple Inc. Sapphire component with residual compressive stress
JP5999668B2 (ja) * 2013-02-12 2016-09-28 アップル インコーポレイテッド マルチステップのイオンインプランテーション及びイオンインプランテーションシステム
EP2778252A3 (en) * 2013-03-15 2014-12-10 Apple Inc. Layered Coatings For Sapphire Structure
FR3009217B1 (fr) * 2013-08-01 2016-10-28 Quertech Procede de traitement de poudre a base d'oxyde de cerium
EP3146086B1 (en) * 2014-05-23 2019-10-02 Quertech Single- and/or multi-charged gas ion beam treatment method for producing an anti-glare sapphire material
CN107074641B (zh) * 2014-10-24 2020-08-07 旭硝子欧洲玻璃公司 离子注入方法和离子注入的玻璃基板
US10280504B2 (en) * 2015-09-25 2019-05-07 Apple Inc. Ion-implanted, anti-reflective layer formed within sapphire material
EP3442918A1 (en) * 2016-04-12 2019-02-20 AGC Inc. Heat treatable antireflective glass substrate and method for manufacturing the same
US20190161403A1 (en) * 2016-04-12 2019-05-30 Agc Glass Europe Blue reflective glass substrate and method for manufacturing the same
EA201892252A1 (ru) * 2016-04-12 2019-03-29 Агк Гласс Юроп Противоотражающая устойчивая к царапанию стеклянная подложка и способ ее изготовления
EP3442923A1 (en) * 2016-04-12 2019-02-20 AGC Inc. Glass substrate with reduced internal reflectance and method for manufacturing the same
WO2017178171A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-19 Agc Glass Europe Antireflective glass substrate and method for manufacturing the same
ES2883165T3 (es) * 2016-04-12 2021-12-07 Agc Inc Uso de implantación de iones para reducir la reflectancia y mantener la neutralidad del color en la reflectancia de un sustrato de vidrio
FR3062658B1 (fr) * 2017-02-03 2022-06-24 Sa Quertech Procede de traitement antireflectif et resistant a la rayure dans un saphir synthetique
FR3062855B1 (fr) * 2017-02-14 2019-04-19 Sa Quertech Procede de traitement par un faisceau d ions pour produire un saphir antifreflet a haute transmittance resistant a la rayure.
EP3389078A1 (fr) * 2017-04-13 2018-10-17 The Swatch Group Research and Development Ltd Procédé d'implantation d'ions multichargés sur une surface d'un objet à traiter et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009151160A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Korea Atomic Energy Research Institute Method for manufacturing the color controlled sappire
EP2772565A2 (en) * 2013-03-02 2014-09-03 Apple Inc. Sapphire property modification through ion implantation

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. AL GHAMDI, P.D. TOWNSEND: "Ion beam excited luminescence of sapphire", NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B: BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, NORTH-HOLLAND, vol. 46, no. 1-4, 1 February 1990 (1990-02-01), pages 133 - 136, XP055197539, ISSN: 0168583X, DOI: 10.1016/0168-583X(90)90684-M *
CHAIWONG, C. ; YU, L.D. ; SCHINARAKIS, K. ; VILAITHONG, T.: "Optical property modification of ruby and sapphire by N-ion implantation", SURFACE AND COATINGS TECHNOLOGY, ELSEVIER BV, AMSTERDAM, NL, vol. 196, no. 1-3, 22 June 2005 (2005-06-22), AMSTERDAM, NL, pages 108 - 112, XP027609147, ISSN: 0257-8972 *
DEMAREE, J.D. ; KIRKPATRICK, S.R. ; KIRKPATRICK, A.R. ; HIRVONEN, J.K.: "Modification of single-crystal sapphire by ion implantation", NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B: BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, ELSEVIER BV, NL, vol. 127-128, 2 May 1997 (1997-05-02), NL, pages 603 - 607, XP027296372, ISSN: 0168-583X *
KIRKPATRICK A, HARRIS D C, JOHNSON L F: "EFFECT OF ION IMPLANTATION ON THE STRENGTH OF SAPPHIRE AT 300-600�C", JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS, DORDRECHT, vol. 36, no. 09, 1 May 2001 (2001-05-01), Dordrecht, pages 2195 - 2201, XP001048280, ISSN: 0022-2461, DOI: 10.1023/A:1017596001471 *

Also Published As

Publication number Publication date
EA201692408A1 (ru) 2017-04-28
KR20170008851A (ko) 2017-01-24
EP3146416A1 (en) 2017-03-29
EP3146086B1 (en) 2019-10-02
AU2015263472B2 (en) 2019-06-27
CN106661724A (zh) 2017-05-10
EP3146086A1 (en) 2017-03-29
CA2949878A1 (en) 2015-11-26
EA035316B1 (ru) 2020-05-27
US20170114442A1 (en) 2017-04-27
EA201692406A1 (ru) 2017-04-28
US20170107641A1 (en) 2017-04-20
KR102320294B1 (ko) 2021-11-01
CN106661724B (zh) 2020-06-30
JP6878009B2 (ja) 2021-05-26
JP2017516737A (ja) 2017-06-22
US10982312B2 (en) 2021-04-20
AU2015261820A1 (en) 2016-12-08
CN106662958A (zh) 2017-05-10
CA2949923A1 (en) 2015-11-26
CN106662958B (zh) 2020-03-06
EA035316B9 (ru) 2020-07-27
AU2015261820B2 (en) 2020-09-10
JP2017518440A (ja) 2017-07-06
KR20170008302A (ko) 2017-01-23
WO2015177334A1 (en) 2015-11-26
KR102363999B1 (ko) 2022-02-16
AU2015263472A1 (en) 2016-12-08
SG11201609846RA (en) 2016-12-29
WO2015176850A1 (en) 2015-11-26
JP6626008B2 (ja) 2019-12-25
SG11201609845VA (en) 2016-12-29
US10196731B2 (en) 2019-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA034019B1 (ru) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛИ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО САПФИРОВОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ОТРАЖАЮЩИХ СВОЙСТВ УКАЗАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ В ИНТЕРВАЛЕ ДЛИН ВОЛН 400-800 нм
CA2765901C (en) Diamond material
US9255009B2 (en) Diamond material
KR101052395B1 (ko) 유색 다이아몬드
US8986645B2 (en) Diamond
EA029422B1 (ru) Способ обработки стеклянного материала пучком однозарядных и многозарядных ионов газа для получения антиотражающего стеклянного материала
Sun et al. Effect of relative nanohole position on colour purity of ultrathin plasmonic subtractive colour filters
KR101836559B1 (ko) 그리드 편광 소자, 자외선 편광광 조사 방법, 자외선 편광광 조사 장치, 광배향층을 갖는 기판의 제조 방법 및 광배향 장치
Chekalin et al. Visible supercontinuum radiation of light bullets in the femtosecond filamentation of IR pulses in fused silica
RU140494U1 (ru) Дифракционная решётка
Legrand et al. Optical properties of sputter-deposited aluminium nitride films on silicon
Nassau The physics and chemistry of color: The 15 mechanisms
Li et al. Adjustable YAG: Ce3+ photoluminescence from photonic crystal microcavity
Bracken et al. Luminescence spectroscopy of atomic zinc in rare-gas solids. I
US20190352770A1 (en) Method for anti-reflective and scratch- resistant treatment of synthetic sapphire
Firstov et al. Optical properties of bismuth-doped KCl and SrF2 crystals
RU2541495C1 (ru) Дифракционная решетка
Chmel et al. A comparative study of the point defect accumulation in the Ar+− implanted and neutron-irradiated silicon dioxide
Sun et al. All-dielectric metasurface for polarization-insensitive color printing
KR20080089734A (ko) 청색 다이아몬드의 제조방법
Barsukova et al. Chromium and cobalt diffusion in a ZnSe 1− x S x solid solution
Samavati et al. Efficient visible photoluminescence from self-assembled Ge QDs embedded in silica matrix
Davidov et al. Research of physical-chemical processes in optically transparent materials during coloring points formation by volumetric-graphical laser processing
Papini et al. 2.11 Prediction of the optical thickness of thin films and a novel experimental control method
Kuznetsov et al. 1.22 On the thermal treatment of thin silver films

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM