EA018300B1 - ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ - Google Patents

ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Download PDF

Info

Publication number
EA018300B1
EA018300B1 EA201201243A EA201201243A EA018300B1 EA 018300 B1 EA018300 B1 EA 018300B1 EA 201201243 A EA201201243 A EA 201201243A EA 201201243 A EA201201243 A EA 201201243A EA 018300 B1 EA018300 B1 EA 018300B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
heterostructure
layer
substrate
contact
active layer
Prior art date
Application number
EA201201243A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201201243A1 (ru
Inventor
Бижигит Ержигитович ЖУРТАНОВ
Николай Деев СТОЯНОВ
Original Assignee
Ооо "Лед Микросенсор Нт"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ооо "Лед Микросенсор Нт" filed Critical Ооо "Лед Микросенсор Нт"
Priority to EA201201243A priority Critical patent/EA201201243A1/ru
Publication of EA018300B1 publication Critical patent/EA018300B1/ru
Publication of EA201201243A1 publication Critical patent/EA201201243A1/ru
Priority to US14/426,825 priority patent/US20160035931A1/en
Priority to EP13835368.5A priority patent/EP2894680A4/en
Priority to PCT/RU2013/000786 priority patent/WO2014038986A1/ru
Priority to JP2015531039A priority patent/JP2015535141A/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02398—Antimonides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02463—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02466—Antimonides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02549—Antimonides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к гетероструктуре на основе твёрдого раствора GaInAsSb со встречным p-n переходом, способу её изготовления и светодиоду на основе этой гетероструктуры. Предлагаемая гетероструктура содержит подложку, содержащую GaSb, активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный над подложкой, ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb и расположенный над активным слоем, контактный слой, содержащий GaSb и расположенный над ограничительным слоем, причем дополнительно гетероструктура содержит буферный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный между подложкой и активным слоем, причём буферный слой содержит индия меньше, чем активный слой. Использование указанного буферного слоя позволяет локализовать неосновные носители в активной области, благодаря этому увеличивается доля излучательной рекомбинации и соответственно увеличивается квантовая эффективность гетерострутуры. Кроме того, использование указанного буферного слоя позволяет минимизировать влияние дефектов, прорастающих из подложки в активную область, что приводит к уменьшению глубоких акцепторных уровней и, соответственно, доли безызлучательной рекомбинации Шоккли-Рид-Холла и к увеличению квантовой эффективности гетероструктуры. Светодиоды, изготовленные на основе предлагаемой гетероструктуры, излучают в среднем инфракрасном диапазоне 1,8-2,4 мкм.

Description

Настоящее изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к гетероструктуре на основе твёрдого раствора СаИтЛЧЬ со встречным р-η переходом, способу её изготовления и светодиоду на основе этой гетероструктуры. Светодиоды, изготовленные на основе предлагаемой гетероструктуры, излучают в среднем инфракрасном диапазоне 1,8-2,4 мкм. Предлагаемые гетероструктура, способ ее изготовления и светодиод на основе этой гетероструктуры обладают существенными преимуществами при использовании для изготовления датчиков, выполненных с возможностью применения для газоанализа. В частности, указанные датчики могут быть использованы для мониторинга окружающей среды, контроля технологических процессов, например для определения углекислого газа в жилых и промышленных помещениях, метана в помещениях, где используют природный газ, вдоль газопроводов, в шахтах. Кроме того, датчики для среднего инфракрасного диапазона могут быть использованы для определения содержания воды в нефти и нефтепродуктах, влажности в бумаге, в зерне и т.д. Кроме того, датчики для среднего инфракрасного диапазона могут быть использованы для медицинской диагностики, например для оптической спектроскопии, применяемой для анализа концентрации углекислого газа, ацетона и др. веществ в выдыхаемом воздухе, для неинвазивного контроля содержания глюкозы и других органических веществ в крови, лимфе и тканях. При этом использование настоящего изобретения не ограничено приведенными примерами, гетероструктура, а также светодиоды на её основе могут быть использованы в любых других областях, в которых существует необходимость определения присутствия и/или концентрации веществ, полосы поглощения которых находятся в среднем инфракрасном диапазоне 1,8-2,4 мкм.
Уровень техники
Известны инфракрасные оптические датчики на основе тепловых источников ИК излучения, которые производят компании Реткт Е1тег, Техак 1п81гитеп18, Сйу Тес11по1оду и др. Такие источники излучают в широком спектральном диапазоне, затем специальные оптические фильтры вырезают требуемый спектральный диапазон длин волн.
Недостатком известных оптических датчиков является необходимость использования оптических фильтров. Кроме того, известные оптические датчики имеют и другие недостатки, такие как высокая потребляемая электрическая мощность, низкое быстродействие, большие габаритные размеры и ограниченное время жизни тепловых источников.
Указанные недостатки известных инфракрасных оптических датчиков на основе тепловых источников ИК излучения могут быть преодолены благодаря использованию светодиодов, излучающих в среднем ИК диапазоне.
Известен полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра (патент РФ на изобретение № 2286618, МПК Н01Ь 33/00, Н01Ь 31/12), содержащий р- и η-области с токопроводящими контактами, разделенные р-η переходом, активную область, электрически связанную с р-η переходом, и по меньшей мере один оптический модуль, оптически связанный с активной областью через оптический компаунд.
Недостатком известного полупроводникового диода является ограниченный диапазон длин волн 1,22-1,24 мкм, в котором может излучать известный диод. Длина волны излучения известного диода определяется структурой диода, диод содержит подложку η+-ΙηΡ, на которой выращен активный слой, содержащий твёрдый раствор 1пОаА&Р. В другом примере известный полупроводниковый диод содержит подложку η'-ΙπΛδ. на которой выращена двойная гетероструктура п-1пЛ58ЬР/п-1пОаЛ5/р-1пЛ58ЬР. Указанный диод излучает на длине волны 3,4 мкм. Еще в одном примере известный полупроводниковый диод содержит подложку η-ΙηΑκ, на которой выращена двойная гетероструктура п-1пА§8ЬР/пИчСаЛЧЬ/р-ИтЛЧЬР. Указанный диод излучает на длине волны 3,9 мкм. Таким образом, использование представленных гетероструктур не позволяет получить диоды, которые излучают в диапазоне 1,8-2,4 мкм. При этом известные полупроводниковые диоды не могут быть использованы для определения присутствия и/или концентрации веществ, характеристические полосы поглощения которых лежат в диапазоне 1,8-2,4 мкм.
Ещё одним недостатком известного диода является использование оптического модуля и оптического компаунда, что усложняет технологию производства диода и увеличивает вероятность привнесения дефектов на этапах соединения оптического модуля и светодиодного чипа.
Кроме того, известны светодиоды спектрального диапазона 1,6-2,4 мкм (Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. Высокоэффетивные светодиоды спектрального диапазона 1,6-2,4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга//Физика и техника полупроводников, 2003, т. 37, вып. 8 стр. 996-1009). Известные светодиоды выполнены на основе гетероструктуры, которая содержит подложку Оа8Ь, активный слой, содержащий твердый раствор Оа1пА58Ь, первый ограничительный слой, содержащий твердый раствор АЮаАкЗЬ, и контактный слой, содержащий Оа8Ь. Кроме того, гетероструктура может содержать второй ограничительный слой, содержащий твердый раствор АЮаАкЗЬ.
Недостатком известного светодиода является то, что его квантовый выход ограничен вследствие влияния дефектов, прорастающих из подложки в активную область и вследствие отсутствия барьера для
- 1 018300 неосновных носителей заряда, а именно для дырок. Утечка дырок из активной области не позволяет обеспечить высокую вероятность процесса излучательной рекомбинации.
Кроме того, в указанной статье предложено использование буферного слоя п-Са8Ь для обеспечения минимальной концентрации дефектов в активной области. Указанный буферный слой выращивают на подложке, причём в качестве нейтрального растворителя используют свинец.
В известном светодиоде, выполненном на основе гетероструктуры с буферным слоем п-Са8Ь. решена проблема прорастания дефектов из подложки, но при этом проблема локализации дырок в активной области не решена. Кроме того, использование свинца в процессе выращивания буферного слоя пСа8Ь усложняет технологический процесс, а также небезопасно для экологии и персонала.
Кроме того, известна светодиодная гетероструктура тиристорного типа п-Са8Ь/р-Са8Ь/пСа1пА58Ь/Р-А1СаА58Ь с максимумом излучения на длине волны 1,95 мкм (Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, А.П. Астахова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Высокоэффетивные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа п-Са8Ь/р-Са8Ь/п-Са1пА58Ь/Р-А1СаА58Ь//Физика и техника полупроводников, 2007, т. 41, вып. 7 стр. 878-882). Указанная гетероструктура является наиболее близким аналогом заявляемого изобретения и содержит подложку, содержащую Са8Ь, активный слой, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь и расположенный над подложкой, ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор АЮаАкЗЬ и расположенный над активным слоем, контактный слой, содержащий Са8Ь и расположенный над ограничительным слоем. Кроме того, указанная гетероструктура содержит буферный слой, содержащий п-Са8Ь, выращенный на подложке, и встроенный слой, расположенный между указанным буферным слоем и активным слоем, содержащий рСа8Ь и выполненный для локализации дырок в активной области.
Недостатком известной гетероструктуры является то, что буферный слой п-Са8Ь известной гетероструктуры выращивают из раствора-расплава, содержащего свинец в качестве нейтрального растворителя, использование которого усложняет технологию производства, а также небезопасно для экологии и персонала. Кроме того, вольт-амперная характеристика известной гетероструктуры имеет типичный для тиристорных структур вид, что приводит к увеличению рабочего напряжения до 2,0-2,5 В, и, как следствие, увеличению потребляемой электрической мощности в 4,0-4,5 раза по сравнению с диодной гетероструктурой. Кроме того, известная гетероструктура работает нестабильно при больших токах из-за наличия гистерезиса и высокой вероятности лавинного пробоя.
Таким образом, несмотря на известность различных гетероструктур и светодиодов на их основе для среднего ИК диапазона, очевидна потребность в гетероструктурах и светодиодах на их основе, которые являются более надежными, имеют низкое рабочее напряжение, диодную вольт-амперную характеристику, позволяющую работать в широком диапазоне токов, позволяют минимизировать влияние дефектов, прорастающих из подложки в активную область, и локализовать дырки в активной области и при этом имеют более простую и экологичную технологию выращивания буферного слоя.
Раскрытие изобретения
Задача заявляемого изобретения состоит в разработке надежной и эффективной гетероструктуры, в которой обеспечена локализация дырок и препятствование прорастанию дефектов из подложки и при изготовлении которой не используют свинец.
Задачей изобретения также является разработка способа изготовления гетероструктуры.
Задачей изобретения также является разработка светодиода на основе указанной гетероструктуры.
Задачей изобретения также является разработка способа изготовления светодиода на основе указанной гетероструктуры.
Согласно первому аспекту настоящего изобретения указанная задача решена благодаря тому, что гетероструктура на основе твердого раствора Са1пА§8Ь, содержащая подложку, содержащую Са8Ь, активный слой, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь и расположенный над подложкой, ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор АЮаАкЗЬ и расположенный над активным слоем, контактный слой, содержащий Са8Ь и расположенный над ограничительным слоем, содержит буферный слой, содержащий твердый раствор Са1пА58Ь и расположенный между подложкой и активным слоем, причём буферный слой содержит индия меньше, чем активный слой.
В одном из вариантов реализации мольная доля индия среди элементов третьей группы в буферном слое составляет 1,2-1,6%.
Согласно второму аспекту настоящего изобретения указанная задача решена благодаря тому, что способ изготовления гетероструктуры на основе твердого раствора Са1пА§8Ь, в соответствии с которым методом жидкофазной эпитаксии выращивают на подложке Са8Ь с проводимостью п-типа буферный слой с проводимостью р-типа, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь, выращивают на буферном слое активный слой с проводимостью п-типа, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь, так что активный слой содержит больше индия, чем буферный слой, выращивают на активном слое ограничительный слой для локализации основных носителей с проводимостью р-типа, содержащий твердый раствор АЮаАкЗЬ, выращивают на ограничительном слое контактный слой с проводимостью р-типа, содержащий Са8Ь.
Согласно третьему аспекту настоящего изобретения указанная задача решена благодаря тому, что светодиод для среднего инфракрасного диапазона спектра содержит по меньшей мере один светодиод
- 2 018300 ный чип, который выполнен на основе гетероструктуры согласно первому аспекту изобретения и который содержит первый контакт, выполненный со стороны активного слоя, и второй контакт, выполненный со стороны подложки, причем светодиодный чип содержит буферный слой, содержащий твердый раствор 6а1пА§8Ь, расположенный на указанной подложке.
В одном из вариантов реализации светодиода первый контакт выполнен сплошным, а второй контакт выполнен с частичным покрытием поверхности.
В одном из вариантов реализации светодиода второй контакт выполнен в форме кольца.
В одном из вариантов реализации светодиода первый контакт содержит четырехслойную систему ί’Γ/(Αιι+Ζη)/Νί/Αι.ι. а второй контакт содержит четырехслойную систему Сг/(Аи+Те)/№/Аи.
Кроме того, согласно третьему аспекту настоящего изобретения указанная задача решена благодаря тому, что светодиод для среднего инфракрасного диапазона спектра содержит по меньшей мере один светодиодный чип, который выполнен на основе гетероструктуры согласно первому аспекту изобретения и который содержит по меньшей мере по одному контакту, соединённому с контактным слоем и с подложкой соответственно со стороны активного слоя.
Согласно четвертому аспекту настоящего изобретения указанная задача решена благодаря тому, что согласно способу изготовления светодиода согласно третьему аспекту настоящего изобретения, берут гетероструктуру согласно первому аспекту настоящего изобретения, уменьшают толщину подложки, формируют на гетероструктуре первый контакт со стороны активного слоя, формируют на гетероструктуре второй контакт со стороны подложки, разделяют гетероструктуру со сформированными на ней контактами с образованием светодиодных чипов.
Кроме того, согласно четвертому аспекту настоящего изобретения указанная задача решена благодаря тому, что согласно способу изготовления светодиода согласно третьему аспекту настоящего изобретения, берут гетероструктуру согласно первому аспекту настоящего изобретения, формируют на гетероструктуре со стороны активного слоя первый контакт, соединённый с контактным слоем, формируют на гетероструктуре со стороны активного слоя второй контакт, соединённый с подложкой, уменьшают толщину подложки, разделяют гетероструктуру с сформированными на ней контактами с образованием светодиодных чипов.
Технический результат
Введение в состав гетероструктуры буферного слоя, содержащего твердый раствор 6а1пА§8Ь с содержанием индия меньшим, чем в активном слое, и соответствующим уровнем легирования, позволяет получить технический результат, заключающийся в том, что благодаря локализации неосновных носителей в активной области, увеличивается доля излучательной рекомбинации и соответственно увеличивается квантовая эффективность гетерострутуры согласно настоящему изобретению. Кроме того, использование указанного буферного слоя позволяет минимизировать влияние дефектов, прорастающих из подложки в активную область, что приводит к уменьшению глубоких акцепторных уровней и, соответственно, доли безызлучательной рекомбинации Шоккли-Рид-Холла и к увеличению квантовой эффективности гетероструктуры. Кроме того, гетероструктура с конструкцией согласно настоящему изобретению имеет вольт-амперную характеристику, позволяющую работать светодиоду на основе этой гетероструктуры при малых токах и не имеет гистерезис в отличие от тиристорной структуры. Кроме того, гетероструктура благодаря своей стабильности и надежности не подвержена пробоям при больших токах. Кроме того, для роста гетероструктуры не требуется выращивания буферного слоя, содержащего и-6а8Ь, из раствора-расплава свинца, благодаря этому технология роста является более простой, безопасной для экологии и персонала.
Краткое описание чертежей
На фиг. 1 представлена энергетическая диаграмма известной светодиодной структуры тиристорного типа;
на фиг. 2 - вольт-амперная характеристика известной светодиодной структуры тиристорного типа;
на фиг. 3 - схема варианта гетероструктуры с односторонним ограничением носителей согласно настоящему изобретению;
на фиг. 4 - энергетическая диаграмма варианта гетероструктуры со встречным р-η переходом, излучающей на длине волны 1,85 мкм;
на фиг. 5 - энергетическая диаграмма еще одного варианта гетероструктуры со встречным р-η переходом, излучающей на длине волны 2,05 мкм;
на фиг. 6 - энергетическая диаграмма еще одного варианта гетероструктуры со встречным р-η переходом, излучающей на длине волны 2,2 мкм;
на фиг. 7 - вольт-амперные характеристики светодиодов на основе гетероструктур, представленных на фиг. 4-6;
на фиг. 8 - схема кассеты для жидкофазной эпитаксии;
на фиг. 9 - конструкция светодиода для спектрального диапазона 1,8-2,4 мкм;
на фиг. 10 - последовательность этапов способа изготовления светодиода для спектрального диапазона 1,8-2,4 мкм.
Ниже представлены примеры реализации изобретения со ссылками на сопроводительные чертежи.
- 3 018300
Указанные примеры служат для иллюстрации изобретения, но при этом не могут рассматриваться в ограничительном смысле. Объем защиты изобретения определен и ограничен формулой изобретения.
Подробное описание изобретения
Главными факторами, ограничивающими внутренний квантовый выход гетероструктур на базе Оа8Ь, с длиной волны излучения в диапазоне 1,8-2,4 мкм являются отсутствие барьера для неосновных носителей заряда и наличие глубоких акцепторных уровней, связанных с прорастанием дефектов из подложки. Широкозонный ограничительный слой АЮаАз8Ь с содержанием алюминия более 30% обеспечивает очень хорошую локализацию электронов в активной области. Однако данные слои не обеспечивают ограничение дырок, так как на гетерогранице ЛЮаЛ88Ь/Оа1пЛ88Ь, на которой в процентном соотношении индий составляет 5-20%, отсутствует разрыв в валентной зоне. Утечка дырок из активной области не позволяет обеспечить высокую вероятность процесса излучательной рекомбинации.
На фиг. 1 представлена энергетическая диаграмма известной светодиодной структуры тиристорного типа. Известная гетероструктура содержит буферный слой, содержащий п-Оа8Ь, и встроенный слой, расположенный между указанным буферным слоем и активным слоем и содержащий р-0а8Ь. Буферный слой в указанной гетероструктуре препятствует прорастанию дефектов из подложки, причем встроенный слой обеспечивает локализацию дырок в активной области вблизи гетерограницы р-Оа8Ь/п-Оа1пЛ88Ь.
Выращивание буферного слоя Оа8Ь достаточной толщины (более 1,5 мкм) с высоким структурным совершенством и низкой концентрацией носителей вызывает существенные технологические трудности. Трудности связаны, прежде всего, с металлургическими особенностями антимонида галлия. В отличие от других полупроводниковых соединений А3В5, таких как СаЛ8. ОаР, 1пР, 1пАз, стандартно выращиваемые кристаллы и слои бинарного соединения Оа8Ь и твёрдые растворы на его основе отличаются большой концентрацией собственных дефектов, которые приводят к высокой концентрации собственных носителей в нелегированных слоях и, кроме того, отличаются большой концентрацией глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне. Буферный слой п-Оа8Ь известной гетероструктуры выращивают из раствора-расплава, содержащего свинец в качестве нейтрального растворителя. Такой способ позволяет уменьшить концентрацию структурных дефектов в буферном слое. Однако, как было описано выше, использование свинца влияет на экологичность процесса, а также определяет его сложность, и, кроме того, тиристорный вид вольт-амперной характеристики гетероструктуры ограничивает возможности ее использования.
Кроме того, при эпитаксиальном росте гетероструктуры в ее кристаллической решетке могут возникать дефекты, обусловленные различием химического состава материалов ее слоев. В ходе эпитаксиального роста при переходе от одного слоя к другому происходит замена атомов одного элемента на атомы другого элемента, исключение одного из элементов из состава материала или включение элемента в состав, что может вызвать механические напряжения, обусловленные различием постоянных кристаллических решеток. Указанные напряжения являются причиной возникновения разного рода дефектов (точечных дефектов, дислокаций, микротрещин и др.) в светодиодной гетероструктуре. Указанные дефекты негативно сказываются на эффективности излучения в гетероструктурах.
Для работы светодиодов допустимо рассогласование постоянных решеток не более чем на 0,5%. Для создания светодиодов, работающих в спектральном диапазоне 1,8-2,4 мкм, необходимо использовать полупроводниковые материалы с шириной Ед запрещенной зоны 0,7-0,55 эВ. Среди соединений А3В5 имеется одно бинарное соединение в этой области: Оа8Ь (Ед=0,72 эВ, Т=300 К) и различные трех- и четырехкомпонентные твердые растворы 1пАз-Оа8Ь. Гетероструктуры, созданные на основе бинарных соединений, не имеют дислокаций несоответствия на границе слой-подложка благодаря совпадению постоянных решеток. Они структурно совершенны, но охватывают лишь дискретные участки спектра. Кроме того, в случае использования соединения Оа8Ь возникают указанные выше технологические проблемы. Переход к трехкомпонентным твердым растворам позволяет перекрыть более широкий спектральный диапазон. Четырехкомпонентные твердые растворы позволяют получить любое совпадение с подложкой по постоянной решетке и имеют достаточно большой диапазон изменения ширины запрещенной зоны.
Светодиодная гетероструктура согласно настоящему изобретению состоит из нескольких слоев полупроводникового материала разного состава, выращенных на подложке из бинарного соединения Оа8Ь. Излучение генерируется в активной области, при этом требуемая длина волны излучения определяется составом используемого материала и условиями роста активного слоя.
Четырёхкомпонентный твердый раствор Оа1пАз8Ь образует согласованные по периоду решетки пары для многих составов с подложкой Оа8Ь. Эти материалы являются прямозонными полупроводниками для всей области составов и позволяют создавать как ступенчатые, так и разъединенные гетеропереходы II типа в зависимости от состава.
В настоящем изобретении раскрыта гетероструктура, содержащая низколегированный буферный слой р0 с составом, близким к Оа8Ь, благодаря которому обратно-включенный р-п переход р0Оа1пАз8Ь/п-Оа1пА88Ь обеспечивает локализацию дырок в активной области вблизи гетерограницы между буферным слоем и активным слоем. Кроме того, выращивание структурно-совершенного с минимальной концентрацией примесей и дефектов слоя р0-Оа1пАз8Ь позволяет минимизировать влияние де
- 4 018300 фектов, прорастающих из подложки в активную область, что приводит к уменьшению глубоких акцепторных уровней и, соответственно, доли безызлучательной рекомбинации Шоккли-Рид-Холла. Кроме того, благодаря тому, что гетероструктуру выращивают с низким уровнем легирования буферного слоя р0, т.е. уровнем, близким к собственной концентрации, получают существенное увеличение квантовой эффективности, причём прямое рабочее напряжение такой гетероструктуры увеличивается незначительно, т.е. не в несколько раз, как это имеет место в структурах тиристорного типа. При этом в процессе выращивания буферного слоя согласно настоящему изобретению не используют свинец в качестве нейтрального растворителя.
На фиг. 2 представлена вольт-амперная характеристика известной светодиодной структуры тиристорного типа, показанной на фиг. 1. 8-образная вольт-амперная характеристика имеет типичный для тиристорных структур вид. Напряжение включения V, известной гетероструктуры равно 1,9 В, при этом ток включения I, равен 7,5 мА. Во включенном состоянии напряжение резко падает до 0,45 В.
На фиг. 3 представлена схема варианта гетероструктуры п-Са8Ь/р0-Са1пА58Ь/п-Са1пА58Ь/рА1СаА58Ь/р-Са8Ь с односторонним ограничением носителей согласно настоящему изобретению. На оси х схематично показана толщина каждого слоя, на оси Ед схематично показана ширина запрещенной зоны для каждого слоя. Гетероструктура 100 содержит подложку 3, содержащую и-6а8Ь, буферный слой 31, содержащий твердый раствор Са1пА58Ь и расположенный на подложке, активный слой 32, содержащий твердый раствор Са1пА58Ь и расположенный на буферном слое, ограничительный слой 33, содержащий твердый раствор А1СаА§8Ь и расположенный на активном слое, и контактный слой 34, содержащий Са8Ь и расположенный на ограничительном слое. Подложка 3 толщиной 150-280 мкм содержит теллур и имеет концентрацию свободных носителей заряда 3-5· 1017 см-3. Буферный слой 31 выполнен с содержанием индия в диапазоне 1,2-1,6% с высоким структурным совершенством и собственной концентрацией дырок менее 1016 см-3 и имеет толщину в диапазоне 0,5-15 мкм. Активный слой 32 выполнен с содержанием индия в диапазоне 4-25% и легирован теллуром до концентрации электронов не менее 1017 см'3 и имеет толщину в диапазоне 1-15 мкм. Широкозонный ограничительный слой 33 выполнен с содержанием алюминия в диапазоне 30-65% и легирован германием до концентрации дырок не менее 1018 см-3 и имеет толщину в диапазоне 0,5-10 мкм. Контактный слой 34 служит для соединения и взаимодействия с нижним контактом при изготовлении светодиода и имеет толщину в диапазоне 0,5-8 мкм. При этом параметры буферного слоя 31 подбирают в зависимости от характеристик последующего активного слоя 32. Буферный слой имеет низкую концентрацию дырок (р<1016см-3), что позволяет обеспечить потенциальный барьер для дырок на гетерогранице буферный слой - активная область с сохранением диодного характера вольт-амперной характеристики гетероструктуры.
На фиг. 4 представлена энергетическая диаграмма варианта гетероструктуры со встречным р-η переходом, излучающая на длине волны 1,85 мкм. Положение максимума спектра излучения светодиодов, выполненных на основе гетероструктур согласно настоящему изобретению, определяется процентным содержанием индия в составе четырёхкомпонентного твердого раствора Са1пА§8Ь в активном слое 32. Таким образом, при выполнении активного слоя 32 с содержанием индия 5,5%, гетероструктура 100 излучает на длине волны 1,85 мкм.
На фиг. 5 представлена энергетическая диаграмма еще одного варианта гетероструктуры со встречным р-η переходом, излучающая на длине волны 2,05 мкм. Активный слой 32 гетероструктуры 100 выполнен с содержанием индия 11,9%.
На фиг. 6 представлена энергетическая диаграмма еще одного варианта гетероструктуры со встречным р-η переходом, излучающая на длине волны 2,2 мкм. Активный слой 32 гетероструктуры 100 выполнен с содержанием индия 18,85%.
Таким образом, согласно настоящему изобретению в зависимости от содержания индия в активном слое 32 может быть получена гетероструктура, излучающая на любой требуемой длине волны из диапазона 1,8-2,4 мкм.
Кроме того, гетероструктура согласно настоящему изобретению не ограничена использованием в качестве легирующих примесей указанных веществ, также могут быть использованы любые другие легирующие примеси, обеспечивающие требуемое содержание носителей заряда в слое.
На фиг. 7 представлены вольт-амперные характеристики гетероструктур, показанных на фиг. 4-6. На фиг. 7 позицией (I) обозначен график вольт-амперной характеристики светодиода на основе гетероструктуры с встречным р-η переходом, излучающего на длине волны 1,85 мкм, позицией (II) - на длине волны 2,05 мкм, позицией (III) - на длине волны 2,2 мкм. Как показано на фиг. 7, вольт-амперные характеристики имеют диодный вид в отличие от показанной на фиг. 2 вольт-амперной характеристики известной гетероструктуры. Таким образом, гетероструктуры согласно настоящему изобретению не имеют указанных выше недостатков, свойственных известной гетероструктуре тиристорного типа.
Гетероструктуру согласно настоящему изобретению изготавливают способом, в котором используют жидкофазную эпитаксию. Кроме того, специалист в данной области техники может изготовить представленную гетероструктуру на любом оборудовании для жидкофазной эпитаксии. Следует отметить, что способ не ограничен жидкофазной эпитаксией, также гетроструктура может быть изготовлена с использованием методов молекулярно-лучевой эпитаксии, газофазной эпитаксии, в частности хлор
- 5 018300 гидридной эпитаксии, хлорной эпитаксии или любым другим способом, которым можно изготовить гетероструктуру с конструкцией согласно настоящему изобретению.
На фиг. 8 представлена схема кассеты 50 для жидкофазной эпитаксии. Кассета 50 содержит поршень 2, ростовую камеру 6, каналы 5 для фильтрации расплава 1 и ползун 4 для перемещения подложки 3.
Способ изготовления гетероструктуры методом жидкофазной эпитаксии включает предварительные этапы и этапы выращивания слоев. На предварительном этапе подложку и материалы, из которых растят слои, очищают посредством обработки в травителях, которые подобраны для каждого материала, промывают и сушат. Обработанные шихты заданных составов загружают в графитовую кассету 50, прикрывают поршнем 2, затем кассету 50 помещают в реактор печи для жидкофазной эпитаксии. Обработанную подложку 3 размещают на ползуне 4. Далее реактор откачивают до остаточного давления не выше 1 -10-2 мм рт.ст. Затем реактор наполняют водородом и продувают. После продувки систему нагревают посредством нагревателя до температуры гомегенизации и выдерживают при этой температуре. Затем систему охлаждают и при достижении температуры эпитаксии расплав 1 с помощью поршня 2 продавливают через узкие отверстия 5 в ростовую камеру 6, под которую подводят подложку и осуществляют, таким образом, эпитаксиальный рост одного слоя. Далее посредством ползуна 4 подложку выводят из ростовой камеры 6, нагреватель сдвигают с реактора и систему охлаждают до комнатной температуры. Далее посредством ползуна 4 подложку 3 перемещают в следующую ростовую камеру 6 для выращивания следующего слоя.
Для выращивания буферного слоя и активного слоя, содержащих Оа1иЛ8§Ь, шихта может содержать бинарные соединения ΙηΛδ. Оа8Ь, 1и8Ь, а также индий и сурьму чистотой 99,999 мас.% в элементарном виде и легирующие примеси. Существует несколько методик получения изопериодных к Оа8Ь твердых растворов Оа1пА58Ь, различающихся способом введения мышьяка в расплав: из навески ΙηΆδ или СаЛ5 в точном соответствии с фазовой диаграммой, исходя из условия согласования периодов решетки в структурах на подложке Оа8Ь или из находящейся в контакте с расплавом монокристаллической подложки СаЛ5. При этом способ изготовления гетероструктуры согласно настоящему изобретению не ограничен указанными способами введения мышьяка, мышьяк может быть введен в расплав любым другим известным в области эпитаксии методом.
В качестве примера представлен двухфазный метод. Преимуществом данного метода является его хорошая воспроизводимость. Мышьяк вводится из насыщающей подложки ОаЛ§ для насыщения мышьяком расплава. Размер насыщающей подложки может быть выбран 1x1 см2. Насыщающей подложкой накрывают шихту в ячейке кассеты 50. Термодинамические свойства такой системы значительно отличаются от свойств отдельной жидкой фазы. Концентрация в расплаве, находящемся в контакте с подложкой ОаЛк, практически не зависит от концентрации сурьмы и близка к максимально возможной при данной температуре благодаря эффекту стабилизации состава жидкой фазы. Применение такого метода позволяет воспроизводимо получать эпитаксиальные слои твердых растворов Оа1пА58Ь, изопериодные к Оа8Ь.
После выращивания на подложке 3 буферного слоя 31 подложку 3 с выращенным на ней слоем 31 перемещают в следующую ростовую камеру 6, в которой выращивают на буферном слое 31 активный слой 32.
Время роста, необходимое для получения слоя определенной толщины, может быть определено экспериментально. В случае, когда оборудование для жидкофазной эпитаксии позволяет контролировать толщину слоя и, соответственно, время роста какими-либо известными средствами, эксперементально полученное время может быть учтено в качестве предварительного.
После выращивания активного слоя 32 на нем выращивают ограничительный слой 33, содержащий АЮаА§8Ь и служащий в качестве ограничительной широкозонной области светодиода для локализации основных носителей.
Получение изопериодных к подложке Оа8Ь твердых растворов АЮаА§8Ь осуществляют следующим образом: исходную шихту, содержащую А1, Оа8Ь и легирующую примесь, размещают в поршневой камере кассеты 50. Затем шихту заливают навеской жидкого галлия, поверх которой размещают травленую подложку СаЛ5. Шихту, поверх которой размещена травленая подложка, прикрывают поршнем 2. Подложку 3 с выращенными на ней буферным и активным слоями располагают на ползуне 4. Систему нагревают в атмосфере водорода и выдерживают несколько часов для гомогенизации. Затем осуществляют охлаждение. Благодаря тому, что в расплаве все время находится подложка ОаАк, при условии малой толщины слоя расплава в поршневой камере и невысокой скорости охлаждения, избыточный мышьяк при охлаждении весь осаждается на ней в виде тонкого слоя твердого раствора, близкого по составу к А1-А8, а концентрация его в расплаве всегда близка к предельно возможной при данной температуре. При достижении температуры эпитаксии расплав с помощью поршня 2 продавливают через узкие отверстия 5 в ростовую камеру 6, под нее подводят подложку 3 и осуществляют эпитаксиальный рост ограничительного слоя 33. Фильтрация расплавов осуществляется для очистки от окислов.
Далее на ограничительном слое 33 выращивают контактный слой 34, содержащий Оа8Ь. Шихта, используемая для выращиваяния контактного слоя 34, может содержать Оа8Ь и легирующие примеси.
- 6 018300
Толщины всех выращиваемых слоев гетероструктуры согласно настоящему изобретению задают в соответствии с конструкцией гетероструктуры.
На фиг. 9 представлена конструкция светодиода 40 для спектрального диапазона 1,8-2,4 мкм, выполненного на основе любого из вариантов реализации гетероструктуры согласно настоящему изобретению.
Светодиод 40 содержит гетероструктуру 100, активный слой 32, которой показан на фиг. 9 пунктирной линией, верхний контакт 11, выполненный со стороны подложки 3, и нижний контакт 12, выполненный со стороны активного слоя 32. Со стороны нижнего контакта 12 светодиод 40 прикрепляют к корпусу 10. В данном примере реализации верхний контакт 11 выполнен в форме кольца.
Светодиоды могут быть использованы в метрологии, в которой предъявляют особо жесткие требования к надежности и стабильности работы светодиодов. Конструкция представленного светодиода 40 позволяет уменьшить джоулевый нагрев в активной области за счет протекающего тока. Данная конструкция обеспечивает равномерное растекание тока по всей площади р-η перехода и очень низкое тепловое сопротивление, так как активный слой 32 расположен на расстоянии от 1 до 5 мкм, предпочтительно 2 мкм от корпуса 10 светодиода 40.
Несмотря на то, что в данном примере светодиода 40 верхний контакт выполнен в форме кольца, также верхний контакт может быть выполнен в форме рамки, прямоугольной, овальной или любой другой формы, точек, крестов, любой цельной геометрической фигуры без отклонения от объёма настоящего изобретения.
Кроме того, еще в одном варианте реализации светодиода согласно настоящему изобретению верхний контакт может быть выполнен со стороны активного слоя, а нижний контакт может быть выполнен со стороны подложки.
Кроме того, на основе гетероструктуры согласно настоящему изобретению может быть изготовлен светодиод с контактами для ίΙίρ-еЫр монтажа.
На фиг. 10 в качестве примера представлена последовательность этапов способа изготовления светодиода для спектрального диапазона 1,8-2,4 мкм. Кроме того, для изготовления указанных светодиодов могут быть применены и другие известные в данной области техники способы.
Технологический процесс изготовления дискретных светодиодов для спектрального диапазона 1,82,4 мкм включает в себя следующие этапы.
На первом этапе уменьшают толщину подложки гетероструктуры до необходимой величины, например до 200 мкм, шлифованием и химической полировкой. Первый этап показан на фиг. 10(а), активный слой 32 гетероструктуры показан пунктирной линией.
На втором этапе, показанном на фиг. 10(Ь), со стороны активного слоя осуществляют сплошное напыление нижнего контакта 12 на контактный слой 34. На контактный р-слой 34 напыляют сплошной контакт, содержащий четырехслойную систему ί.'Γ/(Αι.ι+Ζη)/Νί/Αι.ι. Адгезионный слой Сг толщиной 200 А наносят для улучшения адгезии на подложку. Контактный слой нижнего контакта представляет собой сплав золота с цинком с содержанием цинка, например, 4,4%, толщиной 0,1 мкм и при последующем вжигании контактов образует эвтектику с материалом подложки, что обеспечивает низкое омическое сопротивление контакта. Затем в качестве барьерного слоя напыляют слой никеля толщиной 0,1 мкм. Сверху на никель напыляют слой чистого золота с чистотой 99,99% толщиной 0,15 мкм. В случае отсутствия барьерного слоя при вжигании весь слой золота образует эвтектику с материалом подложки, что препятствует припайке или привариванию к контакту. Никель препятствует диффузии золота из верхнего слоя и сохраняет качественное золотое покрытие. Последовательное осаждение всех металлов осуществляют в одном процессе при поддержании вакуума в камере напылительной установки не ниже 10-6 мм рт.ст. По достижении вакуума 10-6 мм рт.ст., необходимого для проведения термического вакуумного напыления, нагревают столик с расположенной на нем гетероструктурой.
На третьем этапе, показанном на фиг. 10(с), осуществляют операцию фотолитографии для создания окна под верхние контакты со стороны подложки. Наносят фоторезист 20. Фотошаблон с конфигурацией контактов, например, выполненный в виде кольца диаметром 200 мкм, шагом 350 мкм, совмещают с полупроводниковой пластиной. Режим экспонирования подбирают экспериментально, а время экспонирования составляет, например, от 20 до 90 с в зависимости от размеров элементов и толщины фоторезиста 20. Удаление засвеченных участков фоторезиста 20 осуществляют в 1%-ном растворе КОН. Оставшийся на структуре фоторезист 20 подвергают задубливанию - тепловой обработке в течение 60 мин при 80120°С. После задубливания образцы травят в анизотропном травителе. Вместо проявляющего раствора КОН могут быть использованы любые другие вещества, пригодные для использования с конкретным типом фоторезиста, и неповреждающие слои гетроструктуры.
На четвертом этапе, показанном на фиг. 10(6), осуществляют напыление металлической системы 13 для получения верхнего контакта 11. Для формирования омических контактов 11 на подложку 3, частично покрытую фоторезистом 20, осаждают следующую четырехслойную систему Сг/(Аи+Тс)/№/Аи. Аналогично нижнему контакту верхний контакт содержит адгезионный слой, содержащий Сг, контактный слой, барьерный слой, содержащий N1 и слой золота. Контактный слой верхнего контакта представляет собой сплав золота с теллуром с содержанием теллура 5% толщиной 0,1 мкм и при последующем вжига
- 7 018300 нии контактов образует эвтектику с материалом подложки, что обеспечивает низкое омическое сопротивление контакта. Напыление производят аналогично напылению на втором этапе, показанном на фиг. 10(Ь). Отличие состоит в том, что верхний слой золота наращивают дополнительно гальваническим методом до толщины 1,5 мкм. Такая толщина золотого слоя необходима для приваривания проволоки к светодиодному чипу посредством термокомпрессии, ультразвуковой или шариковой сварки или др.
Непосредственно перед напылением образцы погружают на несколько секунд в 23%-ный раствор плавиковой кислоты для удаления анодного оксида в местах, предназначенных для напыления, с целью дополнительной очистки поверхности и промывают в деионизованной воде. Последовательное осаждение всех металлов осуществляют в одном процессе при поддержании вакуума в камере напылительной установки не ниже 10-6 мм рт.ст. По достижении вакуума 10-6 мм рт.ст., необходимого для проведения термического вакуумного напыления, нагревают столик с расположенной на нем гетероструктурой до температуры не выше 150°С, поскольку большинство позитивных фоторезистов являются термопластичными полимерами с невысокой температурой стеклования (Т8 составляет 50-125°С). Нагрев столика продолжается в течение 30 мин. При этом поддерживают высокий вакуум (10-6 мм рт.ст.) для удаления остаточных газов и дополнительной дегазации фоторезистной пленки. После отключения нагрева столика рабочую камеру откачивают для поддержания высокого вакуума до полного охлаждения столика.
На пятом этапе, показанном на фиг. 10(е), осуществляют удаление фоторезиста 20. Фоторезист 20 удаляют с поверхности структуры взрывным методом, например путем погружения в моноэтаноламин, после чего тщательно промывают структуру в дистиллированной воде. На поверхности со стороны подложки 3 остается после удаления фоторезиста 20 только контакт 11 - напыленный металл в виде столбиков необходимого диаметра. Кроме того, без отклонения от объёма настоящего изобретения фоторезист может быть удален и другими известными методами, например посредством сухого травления с использованием дополнительной фотолитографии.
На шестом этапе (не показан на фиг. 10) осуществляют вжигание контактов для получения низкого омического сопротивления. После напыления и взрывной фотолитографии образцы отжигают для вплавления омического контакта. Отжиг осуществляют в течение 1-2 мин при температуре от 250 до 400°С в зависимости от полупроводникового материала в потоке водорода в кварцевой камере.
На седьмом этапе, показанном на фиг. 10(1), осуществляют фотолитографию для формирования разделительной сетки. Таким образом, создают рисунок на поверхности, облегчающий раскалывание структуры на отдельные чипы. Фоторезист 21 наносят со стороны подложки на подложку и расположенный на ней контакт 11. С помощью знаков совмещения совмещают рисунок на шаблоне с рисунком на структуре, полученном при первой фотолитографии. Осуществляют экспонирование, удаляют засвеченный фоторезист и задубливают оставшиеся участки фоторезиста 21 аналогично фотолитографии на третьем этапе.
На восьмом этапе, показанном на фиг. 10(д), осуществляют травление разделительной сетки 22. Для разделения пластин на чипы используют травление по маске, нанесенной на кристалл методом фотолитографии. Для создания разделительной сетки используют жидкостное травление. Для этого образец погружают в кассете в полирующий травитель. Кассету с образцом вынимают из полирующего травителя через определенный промежуток времени. Перемешивание во время травления производят равномерным вращением кассеты с образцом через равные промежутки времени. После травления образец промывают дистиллированной водой. Затем снимают остатки фоторезиста. Необходимо отметить, что промывка на этапах удаления фоторезиста может быть также осуществлена в деионизованной воде. Кроме того, травление может быть осуществлено не только посредством жидкостного травления, могут быть использованы известные методы сухого травления, например травления в плазме или другие методы.
На девятом этапе, показанном на фиг. 10(й), после травления разделительной сетки 22, с помощью алмазной резки или скалыванием светодиодную пластину разделяют на отдельные чипы 40. При этом в качестве примера на фиг. 10(11) показан чип 40, продольный размер которого может составлять 300 мкм.
После изготовления отдельных чипов 40 светодиодов осуществляют операцию сборки. Светодиодный чип 40 припаивают к поверхности корпуса, например ТО-18, с помощью припоя на основе олова. Корпус устанавливают на подогреваемом столике монтажной установки. Припой наносят тонким слоем на поверхность корпуса. Светодиодный чип 40 устанавливается сплошным контактом 12 вниз в центре корпуса с помощью манипулятора. Включают подогрев. Чип 40 прижимают, затем температуру подогрева снижают до комнатной температуры. Далее осуществляют сварку или припаивание верхнего контакта 11 светодиодного чипа 40. Верхний контакт 11 светодиодного чипа подсоединяют к изолированной ножке корпуса ТО-18 с помощью золотой проволоки диаметром 20-30 мкм. Подсоединение проволоки к контакту чипа может быть осуществлено одним из следующих способов: пайкой низкотемпературным припоем, содержащим олово, ультразвуковой сваркой или шариковой сваркой. Кроме того, оперция сборки может быть осуществлена с использованием других известных технологий.
В случае изготовления светодиода с контактами для Πίρ-сЫр монтажа контакт к активной области и контакт к подложке делают снизу, так что верхняя поверхность гетероструктуры остаётся свободной. Для изготовления светодиода согласно настоящему изобретению могут быть применены любые способы, известные для Πίρ-сЫр технологии.
- 8 018300
Светодиоды согласно настоящему изобретению работают при комнатной температуре. Кроме того, если необходимо стабилизировать определённую температуру как выше, так и ниже комнатной температуры, светодиоды содержат по меньшей мере один элемент Пельтье.
Светодиод работает следующим образом. При приложении прямого электрического напряжения плюс к контактному слою гетероструктуры, минус к подложке η-типа, через гетероструктуру протекает ток. Электроны из подложки инжектируются через буферный слой в активную область. Высокий потенциальный барьер со стороны ограничительного слоя А1СаА§8Ь ограничивает их перетекание к положительному контакту. Дырки из ограничительного слоя р-типа инжектируются в активную область. Их утечка в сторону отрицательного контакта ограничивается потенциальным барьером на границе буферный слой - активная область. Локализованные в активной области электроны и дырки эффективно рекомбинируют с формированием инфракрасного излучения, длина волны которого соответствует ширине запрещенной зоны активной области. Излучение проходит через подложку с минимальными потерями, т.к. материал подложки не поглощает излучение в диапазоне 1,8-2,4 мкм и выходит со стороны подложки, в области, свободной от контакта 11.
Необходимо отметить, что варианты реализации изобретения, приведенные в настоящем описании, служат лишь примером и не имеют целью ограничить объём изобретения. Сущность и объём настоящего изобретения всецело определены нижеследующей формулой изобретения.

Claims (10)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Гетероструктура на основе твердого раствора Са1пА§8Ь, содержащая подложку, содержащую Са8Ь, активный слой, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь и расположенный над подложкой, ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор А1СаА§8Ь и расположенный на активном слое, контактный слой, содержащий Са8Ь и расположенный на ограничительном слое, отличающаяся тем, что она содержит буферный слой, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь и расположенный между подложкой и активным слоем, причём буферный слой содержит индия меньше, чем активный слой.
  2. 2. Гетероструктура по п.1, в которой мольная доля индия среди элементов третьей группы в буферном слое составляет 1,2-1,6%.
  3. 3. Способ изготовления гетероструктуры на основе твердого раствора Са1пА§8Ь, в соответствии с которым методом жидкофазной эпитаксии выращивают на подложке Са8Ь с проводимостью η-типа буферный слой с проводимостью р-типа, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь, выращивают на буферном слое активный слой с проводимостью п-типа, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь, так что активный слой содержит больше индия, чем буферный слой, выращивают на активном слое ограничительный слой для локализации основных носителей с проводимостью р-типа, содержащий твердый раствор А1СаА§8Ь, выращивают на ограничительном слое контактный слой с проводимостью р-типа, содержащий Са8Ь.
  4. 4. Светодиод для среднего инфракрасного диапазона спектра, содержащий по меньшей мере один светодиодный чип, который содержит первый контакт, выполненный со стороны активного слоя, и второй контакт, выполненный со стороны подложки, отличающийся тем, что светодиодный чип, выполненный на основе гетероструктуры по любому из пп.1 и 2, содержит буферный слой, содержащий твердый раствор Са1пА§8Ь, расположенный на указанной подложке.
  5. 5. Светодиод по п.4, в котором первый контакт выполнен сплошным, а второй контакт выполнен с частичным покрытием поверхности.
  6. 6. Светодиод по п.4 или 5, в котором второй контакт выполнен в форме кольца.
  7. 7. Светодиод по любому из пп.4-6, в котором первый контакт содержит четырехслойную систему Сг/(Аи+2п)/М1/Аи и второй контакт содержит четырехслойную систему Сг/(Аи+Те)/№/Аи.
  8. 8. Способ изготовления светодиода по любому из пп.4-7, согласно которому берут гетероструктуру по любому из пп.1 и 2, уменьшают толщину подложки, формируют на гетероструктуре первый контакт со стороны активного слоя, формируют на гетероструктуре второй контакт со стороны подложки, разделяют гетероструктуру с сформированными на ней контактами с образованием светодиодных чипов.
  9. 9. Светодиод для среднего инфракрасного диапазона спектра, содержащий по меньшей мере один светодиодный чип, который выполнен на основе гетероструктуры по любому из пп.1 и 2 и который содержит со стороны активного слоя по меньшей мере один контакт, соединённый с контактным слоем, и по меньшей мере один контакт, соединённый с подложкой.
    - 9 018300
  10. 10. Способ изготовления светодиода по п.9, согласно которому берут гетероструктуру по любому из пп. 1 и 2, формируют на гетероструктуре со стороны активного слоя по меньшей мере один контакт, соединённый с контактным слоем, формируют на гетероструктуре со стороны активного слоя по меньшей мере один контакт, соединённый с подложкой, уменьшают толщину подложки, разделяют гетероструктуру с сформированными на ней контактами с образованием светодиодных чипов.
EA201201243A 2012-09-07 2012-09-07 ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ EA201201243A1 (ru)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201201243A EA201201243A1 (ru) 2012-09-07 2012-09-07 ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
US14/426,825 US20160035931A1 (en) 2012-09-07 2013-09-10 Galnassb solid solution-based heterostructure, method for producing same and light emitting diode based on said heterostructure
EP13835368.5A EP2894680A4 (en) 2012-09-07 2013-09-10 HETEROSTRUCTURE BASED ON A SOLID GALNASSB SOLUTION, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND LIGHT-EMITTING DIODE BASED ON THIS HETEROSTRUCTURE
PCT/RU2013/000786 WO2014038986A1 (ru) 2012-09-07 2013-09-10 ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GalnAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
JP2015531039A JP2015535141A (ja) 2012-09-07 2013-09-10 ＧａｌｎＡｓＳｂ固溶体ベースのヘテロ構造、該ヘテロ構造を製造する方法、および該ヘテロ構造をベースとした発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201201243A EA201201243A1 (ru) 2012-09-07 2012-09-07 ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA018300B1 true EA018300B1 (ru) 2013-06-28
EA201201243A1 EA201201243A1 (ru) 2013-06-28

Family

ID=48699391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201201243A EA201201243A1 (ru) 2012-09-07 2012-09-07 ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160035931A1 (ru)
EP (1) EP2894680A4 (ru)
JP (1) JP2015535141A (ru)
EA (1) EA201201243A1 (ru)
WO (1) WO2014038986A1 (ru)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016105229A1 (ru) * 2014-12-24 2016-06-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Светодиодный излучатель
WO2017105274A1 (ru) * 2015-12-18 2017-06-22 Обществество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Миниатюрная оптическая ячейка на основе светодиодов спектрального диапазона 1600-5000 нм
WO2017105275A1 (ru) * 2015-12-18 2017-06-22 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Оптическая ячейка с параллельным потоком излучения на основе светодиодов
EA028994B1 (ru) * 2015-12-18 2018-01-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" МИНИАТЮРНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА НА ОСНОВЕ СВЕТОДИОДОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1600-5000 нм
EA030406B1 (ru) * 2015-12-18 2018-07-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" ОПТИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ПОТОКОМ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ СВЕТОДИОДОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1600-5000 нм
RU182092U1 (ru) * 2018-05-14 2018-08-03 Анатолий Степанович Плахотник Гетероструктура с составной активной областью с квантовыми точками
RU2681661C1 (ru) * 2018-05-14 2019-03-12 Анатолий Степанович Плахотник Гетероструктура с составной активной областью с квантовыми точками

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10374128B2 (en) * 2013-12-12 2019-08-06 Terahertz Device Corporation Electrical contacts to light-emitting diodes for improved current spreading and injection
EA027273B1 (ru) * 2014-12-24 2017-07-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Устройство для определения химических веществ в анализируемой среде
EA030952B1 (ru) * 2014-12-24 2018-10-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Светодиодный излучатель
WO2016105230A1 (ru) * 2014-12-24 2016-06-30 Общество С Ограниченной Ответственостью "Микросенсор Технолоджи" Устройство для определения химических веществ в анализируемой среде
KR101731857B1 (ko) * 2016-04-04 2017-05-02 한국광기술원 무반사층을 구비한 중적외선 발광 다이오드
JP6673038B2 (ja) * 2016-06-10 2020-03-25 富士通株式会社 半導体結晶基板、赤外線検出装置、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法
EP3509087B1 (en) 2016-08-31 2022-02-16 Fujitsu Limited Method for producing semiconductor crystal substrate, and method for producing infrared detection device
JP6917352B2 (ja) * 2018-01-18 2021-08-11 旭化成エレクトロニクス株式会社 赤外線検出素子
US10879420B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 University Of Iowa Research Foundation Cascaded superlattice LED system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55113320A (en) * 1979-02-26 1980-09-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device
RU59333U1 (ru) * 2006-07-17 2006-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Сканирующие Лазерные Системы" Перестраиваемый лазерный модуль для средней инфракрасной области спектра
RU64818U1 (ru) * 2006-08-04 2007-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "М-Лед" Светодиоды среднего инфракрасного диапазона на основе тиристорной гетероструктуры
RU73126U1 (ru) * 2007-05-22 2008-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ" Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра
RU2370854C1 (ru) * 2008-06-16 2009-10-20 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaSb

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1585723A (en) * 1978-01-11 1981-03-11 Standard Telephones Cables Ltd Infra-red light emissive devices
JPS57143879A (en) * 1981-02-27 1982-09-06 Nec Corp Manufacture of photo-semiconductor device
JPS6144479A (ja) * 1984-08-08 1986-03-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
JPH0479274A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Sharp Corp 発光素子
US5436468A (en) * 1992-03-17 1995-07-25 Fujitsu Limited Ordered mixed crystal semiconductor superlattice device
WO1997015102A1 (en) * 1995-10-19 1997-04-24 Sarnoff Corporation Semiconductor diode laser
US5995529A (en) * 1997-04-10 1999-11-30 Sandia Corporation Infrared light sources with semimetal electron injection
US6273969B1 (en) * 1998-01-07 2001-08-14 Rensselaer Polytechnic Institute Alloys and methods for their preparation
US6330263B1 (en) * 1998-05-06 2001-12-11 Sarnoff Corporation Laser diode having separated, highly-strained quantum wells
JP2000307147A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US6613162B1 (en) * 1999-10-25 2003-09-02 Rensselaer Polytechnic Institute Multicomponent homogeneous alloys and method for making same
US6603184B2 (en) * 2000-09-06 2003-08-05 Applied Optoelectronics, Inc. Double heterostructure photodiode with graded minority-carrier blocking structures
US6813296B2 (en) * 2002-04-25 2004-11-02 Massachusetts Institute Of Technology GaSb-clad mid-infrared semiconductor laser
RU2286618C2 (ru) 2002-07-16 2006-10-27 Борис Анатольевич Матвеев Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра
US6888179B2 (en) * 2003-04-17 2005-05-03 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc GaAs substrate with Sb buffering for high in devices
EP1719188A4 (en) * 2004-01-22 2009-02-25 Advanced Optical Materials Llc PHOTOTRANSISTORS, METHODS OF MAKING PHOTOTRANSISTORS AND METHODS OF DETECTING LIGHT
JP4019284B2 (ja) * 2005-02-04 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 面発光型装置及びその製造方法
US20100301454A1 (en) * 2007-11-20 2010-12-02 Yong-Hang Zhang Lattice matched multi-junction photovoltaic and optoelectronic devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55113320A (en) * 1979-02-26 1980-09-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device
RU59333U1 (ru) * 2006-07-17 2006-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Сканирующие Лазерные Системы" Перестраиваемый лазерный модуль для средней инфракрасной области спектра
RU64818U1 (ru) * 2006-08-04 2007-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "М-Лед" Светодиоды среднего инфракрасного диапазона на основе тиристорной гетероструктуры
RU73126U1 (ru) * 2007-05-22 2008-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "АИБИ" Двухцветный светодиод со встроенным термохолодильником для средней инфракрасной области спектра
RU2370854C1 (ru) * 2008-06-16 2009-10-20 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaSb

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016105229A1 (ru) * 2014-12-24 2016-06-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Светодиодный излучатель
WO2017105274A1 (ru) * 2015-12-18 2017-06-22 Обществество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Миниатюрная оптическая ячейка на основе светодиодов спектрального диапазона 1600-5000 нм
WO2017105275A1 (ru) * 2015-12-18 2017-06-22 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" Оптическая ячейка с параллельным потоком излучения на основе светодиодов
EA028994B1 (ru) * 2015-12-18 2018-01-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" МИНИАТЮРНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА НА ОСНОВЕ СВЕТОДИОДОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1600-5000 нм
EA030406B1 (ru) * 2015-12-18 2018-07-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор Технолоджи" ОПТИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ПОТОКОМ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ СВЕТОДИОДОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1600-5000 нм
RU182092U1 (ru) * 2018-05-14 2018-08-03 Анатолий Степанович Плахотник Гетероструктура с составной активной областью с квантовыми точками
RU2681661C1 (ru) * 2018-05-14 2019-03-12 Анатолий Степанович Плахотник Гетероструктура с составной активной областью с квантовыми точками

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015535141A (ja) 2015-12-07
EP2894680A1 (en) 2015-07-15
EP2894680A4 (en) 2016-03-30
WO2014038986A1 (ru) 2014-03-13
EA201201243A1 (ru) 2013-06-28
US20160035931A1 (en) 2016-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA018300B1 (ru) ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
US6791257B1 (en) Photoelectric conversion functional element and production method thereof
Migliorato et al. Analysis of the electrical and luminescent properties of CuInSe2
JP4787496B2 (ja) ハイブリッドビーム堆積システム及び方法並びにそれによって作製された半導体デバイス
JP4504309B2 (ja) 発光ダイオード
He et al. Sb-Doped ZnO microwires: emitting filament and homojunction light-emitting diodes
JPH0268968A (ja) 化合物半導体発光素子
KR20010099710A (ko) 화합물반도체장치의 제조방법 및 화합물반도체장치의제조장치
Xin et al. GaN 0.011 P 0.989 red light-emitting diodes directly grown on GaP substrates
Bergh Bulk degradation of GaP red LEDs
RU2297690C1 (ru) Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии
US4606780A (en) Method for the manufacture of A3 B5 light-emitting diodes
JP2022519737A (ja) シーディングまたは触媒を使わずにパルスレーザー堆積法によって成長させた無転位半導体ナノ構造
CN102364704B (zh) 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法
JP4401843B2 (ja) 正孔注入電極及び半導体素子
Nause et al. ZnO semiconductors for lighting
Mosca et al. Chemical bath deposition as a simple way to grow isolated and coalesced ZnO nanorods for light-emitting diodes fabrication
Kaci et al. Influence of growth conditions of hydrogenated amorphous silicon carbide on optical properties of the interfacial layer in SiC-based photodevice
Sahbudin et al. Current density of carriers and emission rate in zinc selenide LED
JPS5987881A (ja) 光半導体装置の製造方法
RO133300A0 (ro) Structură fotosensibilă în domeniul swir, pe bază de nanocristale de germaniu aliat cu staniu, şi procedeu de realizare a acesteia
Zhao Tailoring the electronic structures of zinc oxide based nanowires for optoelectronic applications
Taynai et al. Luminescent properties of AlGaAs grown by transient-mode liquid epitaxy
JPH0613653A (ja) Ｓｉ発光装置とその製造方法
JP2001019599A (ja) ＺｎＳｅ基板及びその製造方法、並びに発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM TM

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): KG TJ

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AZ BY KZ